DE102008005935A1 - Semiconductor arrangement and method for producing a semiconductor device - Google Patents

Semiconductor arrangement and method for producing a semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
DE102008005935A1
DE102008005935A1 DE102008005935A DE102008005935A DE102008005935A1 DE 102008005935 A1 DE102008005935 A1 DE 102008005935A1 DE 102008005935 A DE102008005935 A DE 102008005935A DE 102008005935 A DE102008005935 A DE 102008005935A DE 102008005935 A1 DE102008005935 A1 DE 102008005935A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
junctions
carrier
semiconductor arrangement
semiconductor
arrangement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102008005935A
Other languages
German (de)
Inventor
Siegfried Herrmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102008005935A priority Critical patent/DE102008005935A1/en
Priority to PCT/DE2008/001912 priority patent/WO2009067991A2/en
Publication of DE102008005935A1 publication Critical patent/DE102008005935A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/86Series electrical configurations of multiple OLEDs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0093Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]

Abstract

Eine Halbleiteranordnung mit einem Träger weist mindestens zwei flächig ausgestaltete pn-Übergnge auf, die am Träger in mindestens einer Ebene angebracht sind, so dass sich abwechselnd jeweils p- und n-Seiten verschiedener pn-Übergänge näher an der Trägeroberseite des Trägers befinden. Des Weiteren werden planare elektrische Leitungsanordnungen teilweise oberhalb und teilweise unterhalb der Ebene der pn-Übergänge angebracht. Durch eine geeignete Anordnung und Ausgestaltung von pn-Übergängen und elektrischen Leitungsanordnungen entsteht zumindest eine funktionsfähige elektrische Reihenschaltung der pn-Übergänge. Diese Anordnung ermöglicht es, eine großflächige und homogene, leuchtstarke Beleuchtungseinrichtung unkompliziert und flexibel gestaltbar aufzubauen und oftmals nötige komplexe flächige Lichtleiter zu vereinfachen oder einzusparen. Neben der Halbleiteranordnung selbst wird ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung beschrieben, das mit den Schritten Herstellen von pn-Übergängen, Herstellen von elektrischen Leitungsanordnungen und Anordnen der pn-Übergänge ein effizientes und kostengünstiges Produzieren der Halbleiteranordnung erlaubt.A semiconductor device with a carrier has at least two planar pn-junctions, which are attached to the carrier in at least one plane, so that alternately p- and n-sides of different pn-junctions are located closer to the carrier top side of the carrier. Furthermore, planar electrical line arrays are mounted partially above and partially below the plane of the pn junctions. By means of a suitable arrangement and configuration of pn junctions and electrical line arrangements, at least one functional electrical series circuit of the pn junctions is produced. This arrangement makes it possible to construct a large-area and homogeneous, bright illumination device simple and flexible designable and often to simplify or save the necessary complex planar light guide. In addition to the semiconductor device itself, a method of fabricating such an arrangement is described which, with the steps of fabricating pn junctions, fabricating electrical line assemblies, and arranging the pn junctions, allows efficient and inexpensive production of the semiconductor device.

Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit einem Träger und mit mindestens zwei pn-Übergängen, sowie ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Halbleiteranordnung.The The invention relates to a semiconductor device with a carrier and with at least two pn junctions, as well Method for producing such a semiconductor device.

Flächige, dünn ausgeführte Beleuchtungseinrichtungen sind aus dem heutigen Alltag in vielen Bereichen kaum mehr wegzudenken. Als einige Beispiele für die vielfältigen Anwendungen seien die Displays von Laptops, Mobiltelefonen oder MP3-Playern genannt. Zur Verbesserung der Produkte und um die Kundenfreundlichkeit zu steigern, geht das Bestreben der Technik dahin, leuchtstärkere, flächig größere und dabei dünnere Displays mit einer gleichmäßigen Leuchtverteilung zu erstellen. Dünnformatige Beleuchtungseinrichtungen finden hierbei beispielsweise für die Hintergrundbeleuchtung einer Flüssigkristallanordnung Verwendung. Geeignete, gängige, nur wenig Platz benötigende Lichtquellen wie Leuchtdioden bzw. LEDs strahlen allerdings in der Regel punkt- oder linienförmig ab, so dass erst über flächige Lichtleiter auch eine flächige Beleuchtungseinrichtung entsteht. Oft ist dieser Zwischenschritt, einen Flächenlichtleiter zu benützen, verbunden mit zusätzlichem Aufwand und somit Kosten bei gleichzeitiger Einschränkung der Leuchtkraft.scale, are thin running lighting devices From today's everyday life in many areas hardly to imagine. As some examples of the diverse applications be called the displays of laptops, mobile phones or MP3 players. To improve the products and to be more customer-friendly increase the effort of technology, luminous, flat larger and thinner Displays with a uniform distribution of light to create. Find thin-format lighting equipment Here, for example, for the backlight of a Liquid crystal device use. Suitable, common, only little space requiring light sources such as light emitting diodes or LEDs, however, usually radiate point or line starting, so that only over planar light guide too a flat lighting device is created. Often it is this intermediate step, to use a surface light guide, associated with additional effort and thus costs simultaneous limitation of luminosity.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Halbleiteranordnung zur Verfügung zu stellen, die es ermöglicht, sowohl großflächige als auch äußerst dünne Beleuchtungseinrichtungen zu realisieren, sowie ein Herstellungsverfahren für eine derartige Halbleiteranordnung anzugeben.task The invention is to provide a semiconductor device to provide, which allows both large-scale as well as extremely thin lighting devices to realize, as well as a production method for a specify such a semiconductor device.

Diese Aufgabe wird durch die in den nebengeordneten Patentansprüchen angegebenen Maßnahmen gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den untergeordneten Patentansprüchen angegeben.These Task is by the in the independent claims resolved measures. Further advantageous Embodiments are in the subordinate claims specified.

Eine Halbleiteranordnung mit einem Träger mit einer im wesentlichen, das heißt im Rahmen der Fertigungstoleranzen, flachen Trägeroberseite weist mindestens zwei flächig ausgestaltete pn-Übergänge auf, die am Träger in mindestens einer Ebene angebracht sind, so dass sich abwechselnd jeweils p- und n-Seiten verschiedener pn-Übergänge näher an der Trägeroberseite des Trägers befinden. Die Ladungsträgerrekombinationszonen dieser pn-Übergänge sind im wesentlichen, das heißt im Rahmen der Fertigungstoleranzen, parallel zur Trägeroberseite ausgerichtet. Des weiteren werden mindestens zu einem Teil im wesentlichen, das heißt im Rahmen der Fertigungstoleranzen, planare elektrische Leitungsanordnungen teilweise oberhalb und teilweise unterhalb der Ebene der pn-Übergänge angebracht. Die Leitungsanordnungen sind dabei im wesentlichen, das heißt im Rahmen der Fertigungstoleranzen, ebenfalls parallel zur Trägeroberseite ausgerichtet. Durch eine geeignete Anordnung und Ausgestaltung von pn-Übergängen und elektrischen Leitungsanordnungen entsteht zumindest eine funktionsfähige elektrische Reihenschaltung der pn-Übergänge. Diese Anordnung ermöglicht es, eine großflächige und homogene, leuchtstarke und äußerst dünne Beleuchtungseinrichtung unkompliziert und flexibel gestaltbar aufzubauen und oftmals nötige komplexe flächige Lichtleiter zu vereinfachen oder einzusparen.A Semiconductor device comprising a carrier having a substantially, that is in the context of manufacturing tolerances, flat carrier top has at least two planar pn junctions, which are attached to the carrier in at least one plane, so that alternately p- and n-sides of different pn-junctions closer to the carrier top of the carrier are located. The charge carrier recombination zones of these pn junctions are essentially, that is within the scope of manufacturing tolerances, aligned parallel to the carrier top. Furthermore be at least in part essentially, that is in the context of manufacturing tolerances, planar electrical line arrangements partly above and partly below the plane of the pn junctions appropriate. The line arrangements are essentially that is within the scope of manufacturing tolerances, also in parallel aligned to the carrier top. By a suitable Arrangement and design of pn junctions and electrical line arrangements arises at least one functional electrical series connection of the pn junctions. This arrangement allows a large area and homogeneous, bright and extremely thin Lighting device uncomplicated and flexibly designed to build and often necessary complex planar light guides to simplify or save.

Neben der Halbleiteranordnung selbst wird ein Verfahren zur Herstellung der Anordnung beschrieben, das mit den Schritten Herstellen von pn-Übergängen, Herstellen von elektrischen Leitungsanordnungen und Anordnen der pn-Übergänge ein effizientes und kostengünstiges Produzieren der Halbleiteranordnung erlaubt.Next The semiconductor device itself becomes a method for manufacturing the arrangement described with the steps of producing pn junctions, Manufacture of electrical line arrangements and arranging the pn junctions an efficient and cost effective Producing the semiconductor device allowed.

Durch eine zweidimensionale Anordnung der pn-Übergänge innerhalb einer Ebene am Träger lassen sich besonders große Abmessungen der Anordnung erreichen. Auch ist ein unkompliziertes Platzieren der pn-Übergänge möglich.By a two-dimensional arrangement of the pn junctions within a plane on the carrier can be particularly large Reach dimensions of the arrangement. Also is a straightforward Placing the PN junctions possible.

Durch eine Anordnung der pn-Übergänge in mehreren Ebenen wird eine äußerst kompakte und lichtkräftige Schaltung gewährleistet. Auch die Gestaltungsmöglichkeiten bezüglich der sich jeweils in einer Ebene befindlichen pn-Übergänge wird deutlich erhöht.By an arrangement of the pn junctions in several levels becomes an extremely compact and powerful Circuit guaranteed. Also the design possibilities with respect to each located in a plane pn transitions are significantly increased.

Sind die pn-Übergänge in Ebenen angeordnet, welche sich auf verschiedenen Seiten des Trägers befinden, lässt sich eine äußerste kompakte Schaltung realisieren, welche beidseitig sehr leuchtkräftig ist. Zudem sind beide Seiten des Trägers im Herstellungsverfahren leicht zugänglich.are the pn junctions arranged in planes, which can be located on different sides of the carrier leaves realize an outermost compact circuit, which is very luminous on both sides. In addition, both are Side of the carrier in the manufacturing process easily accessible.

Besondere Flexibilität ergibt sich, wenn die pn-Übergänge, welche mindestens einer Ebene einer- oder beidseits des Trägers angeordnet sind, dreidimensional, d. h. Ebenen übergreifend, verschalten sind. Durch eine solche dreidimensionale Schaltung lassen sich über einfache Herstellungsprozesse komplexe Schaltungsmuster realisieren.Special Flexibility arises when the pn junctions, which at least one level on one or both sides of the carrier are arranged, three-dimensional, d. H. Across levels, are interconnected. Let through such a three-dimensional circuit complex circuit patterns through simple manufacturing processes realize.

Durch eine reflektierende Schicht am Träger lässt sich elektromagnetische Strahlung gezielt von oder zu den pn- Übergängen leiten. Außerdem kann eine reflektierende Schicht, insbesondere falls metallisch ausgeführt und entsprechend strukturiert, beispielsweise zur elektrischen Kontaktierung der pn-Übergänge verwendet werden.By a reflective layer on the carrier can be Electromagnetic radiation targeted from or to the pn junctions conduct. In addition, a reflective layer, in particular if metallic and structured accordingly, for example, for electrical contacting of the pn junctions be used.

Durch das Auftragen einer Deckschicht auf mindestens einer Seite einer Ebene von pn-Übergängen wird der Schutz gegen äußere Einflüsse der Anordnung deutlich erhöht, beispielsweise gegenüber Feuchtigkeit oder mechanischer Belastung. Wird die mindestens eine Deckschicht nur zum Teil ausgeführt, bleiben weiterhin Areale der Anordnung von außen zugänglich. Über eine passende Gestaltung der Deckschicht lässt sich die Halbleiteranordnung auch an ein Gehäuse oder anderes Element nach außen anbringen.By applying a cover layer on at least one side of a plane of pn junctions, the protection against external influences of the arrangement is significantly increased, for example compared to Moisture or mechanical stress. If the at least one cover layer is executed only partially, areas of the arrangement remain accessible from outside. Via a suitable design of the cover layer, the semiconductor device can also be attached to a housing or other element to the outside.

Durch die Verwendung mindestens eines transparenten Materials für elektrische Leitungsanordnungen und/oder Deckschicht und/oder Träger kann elektromagnetische Strahlung verlustarm von bzw. zu den pn-Übergängen gelangen. Zudem lässt sich eine Halbleiteranordnung realisieren, welche z. B. im Bereich des optischen Lichts transparent ist.By the use of at least one transparent material for electrical line arrangements and / or cover layer and / or carrier can low-emission electromagnetic radiation from or to the pn junctions reach. In addition, a semiconductor device can be realized, which z. B. is transparent in the field of optical light.

Durch ein thermisch leitfähiges Material im Träger und/oder der Deckschicht lässt sich im Betrieb der pn-Übergänge anfallende thermische Leistung bzw. Abwärme effizient abführen.By a thermally conductive material in the carrier and / or the cover layer can be used during operation of the pn junctions dissipate accumulating thermal power or waste heat efficiently.

Gegebenenfalls anfallende Abwärme im Betrieb der pn-Übergänge lässt sich sehr effizient in größerem Umfang abführen, sofern der Raum zwischen Träger und Deckschicht so ausgestaltet ist, dass zwischen Träger und Deckschicht das Strömen einer Kühlflüssigkeit oder eines Kühlgases möglich ist.Possibly accumulating waste heat during operation of the pn junctions can be very efficiently in larger Dissipate the extent provided the space between carrier and cover layer is designed so that between carrier and cover layer, the flow of a cooling liquid or a cooling gas is possible.

Durch zusätzliche Schichten, die mechanisch schützend oder elektrisch isolierend sind, erhöhen sich die Ausgestaltungsmöglichkeiten der Halbleiteranordnung. Elektrische Leitungsanordnungen können so vor Kurzschlüssen geschützt werden. Beschädigungen von empfindlichen Oberflächen werden durch geeignete Schichten verringert.By additional layers that are mechanically protective or electrically insulating, increase the design options the semiconductor device. Electrical line arrangements can be protected against short circuits. damage of sensitive surfaces are made by suitable layers reduced.

Durch pn-Übergänge, die elektromagnetische Strahlung, z. B. im sichtbaren Spektralbereich, emittieren, wird es ermöglicht, die Halbleiteranordnung insbesondere als vielseitig gestaltbare Beleuchtungseinrichtung zu verwenden.By pn junctions, the electromagnetic radiation, z. B. in the visible spectral range emit, it is possible the semiconductor device in particular as versatile shapable Lighting device to use.

Durch eine Ausführung der Halbleiteranordnung, die es ermöglicht, dass die elektromagnetische Strahlung nach beiden Seiten mindestens einer Ebene der pn-Übergänge hin emittiert wird, entsteht eine kompakte Beleuchtungseinrichtung, die auch zu Zwecken der Raumbeleuchtung geeignet ist. Dies gilt insbesondere, wenn Träger und/oder Deckschicht reflektierende oder transparente Schichten umfassen.By an embodiment of the semiconductor device which makes it possible that the electromagnetic radiation to both sides at least is emitted at a level of the pn junctions, creates a compact lighting device, which is also for purposes the room lighting is suitable. This is especially true when carriers and / or cover layer reflective or transparent layers include.

Durch diffraktive oder refraktive optische Elemente an Träger und/oder Deckschicht wird es ermöglicht, elektromagnetische Strahlung gezielt, insbesondere richtungsabhängig, von den oder an die pn-Übergänge weg- bzw. hin zu leiten. Dies ermöglicht es, die Halbleiteranordnung als einen kompakten Richtstrahler oder Richtempfänger zu verwenden.By diffractive or refractive optical elements on carriers and / or cover layer allows electromagnetic Targeted radiation, in particular direction-dependent, of to or away from the pn junctions conduct. This makes it possible to use the semiconductor device as to use a compact directional or directional receiver.

Eine besonders kompakte und flexibel zu handhabende Anordnung entsteht, wenn die optisch diffraktiven oder refraktiven Elemente Fresnel-Zonen, Mikrolinsen, Mikrospiegel oder flächige, nano- oder mikrostrukturierte optisch wirksame Schichten sind. Solche optischen Elemente lassen sich leicht im Rahmen des Herstellungsprozesses in die Halbleiteranordnung integrieren.A particularly compact and flexible to handle arrangement arises if the optically diffractive or refractive elements Fresnel zones, Microlenses, micromirrors or planar, nano- or microstructured optically active layers are. Leave such optical elements easily in the context of the manufacturing process in the semiconductor device integrate.

Durch ein Konversionsmittel in der Halbleiteranordnung wird es ermöglicht, elektromagnetische Strahlung der pn-Übergänge in elektromagnetische Strahlung einer anderen Frequenz überzuführen. Durch das Konversionsmittel wird es insbesondere ermöglicht, blau abstrahlende LEDs zur Weißlichtbeleuchtung zu verwenden.By a conversion means in the semiconductor device makes it possible electromagnetic radiation of the pn junctions convert into electromagnetic radiation of a different frequency. By in particular, the conversion agent will allow blue emitting LEDs for white light illumination use.

Durch einen Filter in der Halbleiteranordnung, der in Transmission Teile der elektromagnetischen Strahlung absorbiert und/oder nur bestimmte Farben reflektiert, wird es ermöglicht, z. B. eine schmalbandige Lichtquelle zu erhalten. Erfolgt das Filtern nur zeitweise, ist eine günstige Verwendung, beispielsweise in Signalanlagen, möglich.By a filter in the semiconductor device, in transmission parts absorbed by the electromagnetic radiation and / or only certain colors reflected, it is possible, for. B. a narrowband To obtain light source. If the filtering is only temporary, is a favorable use, for example in signal systems, possible.

Durch ein geeignetes Konversionsmittel, einen Kristall oder einen photonischen Kristall in der Halbleiteranordnung ist es möglich, gleiche oder auch verschiedene Wellenlängen der elektromagnetischen Strahlung, welche von den pn-Übergängen emittiert werden, zu mischen. Dadurch werden, beispielsweise über Halbierung der Wellenlänge, neue Spektralbereiche, die auf herkömmliche Art nicht zugänglich sind, erreichbar.By a suitable conversion agent, a crystal or a photonic Crystal in the semiconductor device, it is possible to same or also different wavelengths of the electromagnetic Radiation that emits from the pn junctions be, to mix. This will, for example, over Halving the wavelength, new spectral ranges, the Conventionally accessible, accessible.

Sind elektrische Leitungsanordnungen und pn-Übergänge derart angeordnet, dass sich eine Mehrzahl an elektrisch separat ansprechbaren Reihenschaltungen ergibt, wird die Flexibilität der Anordnung signifikant erhöht. Bestimmte, auch verschiedene Frequenzen abstrahlende pn-Übergänge oder Areale der Beleuchtungseinrichtung lassen sich dadurch gezielt ansprechen. Insbesondere lassen sich hieraus Zeilen, zweidimensionale Felder oder Anzeigeeinrichtungen auf besondere Art und Weise herstellen.are electrical line arrangements and pn junctions arranged such that a plurality of electrically separate addressable series connections, the flexibility becomes the arrangement significantly increased. Certain, also different Frequency radiating pn junctions or areas the lighting device can be targeted thereby. In particular, this can be lines, two-dimensional fields or produce display devices in a special way.

Durch eine mechanisch flexibel ausgestaltete Halbleiteranordnung lassen sich ebenfalls flexible, mechanisch biegbare Beleuchtungseinrichtungen erstellen. Dies ermöglicht eine einfache Handhabung in Fertigung als auch später vielfältige Anwendungen z. B. in flexiblen Displays.By leave a mechanically flexible designed semiconductor device also flexible, mechanically bendable lighting equipment create. This allows easy handling in production as well as later diverse applications z. B. in flexible displays.

Durch weitere Halbleiterbauelemente neben den pn-Übergängen in mindestens einer der Reihenschaltungen oder in einer separaten Reihenschaltung lassen sich Größen wie Strom, Spannung und Temperatur messen und/oder regeln. Dadurch lässt sich beispielsweise eine Schaltung mit einbauen, welche die Halbleiteranordnung vor eventueller Überlastung schützen kann. Sind insbesondere Sensoren für Helligkeit integriert, so lässt sich eine Lichtquelle mit konstanter Helligkeit bzw. Abstrahlung realisieren.By means of further semiconductor components in addition to the pn junctions in at least one of the series circuits or in a separate series circuit, variables such as current, voltage and temperature can be measured and / or regulated. As a result, for example, a circuit can be installed, which can protect the semiconductor device from eventual overload. If, in particular, sensors for brightness are integrated, then a light source with constant brightness or radiation can be realized.

Ist mindestens ein Teil der pn-Übergänge als Dünnfilm-Halbleiterbauelement ausgeführt, welche Schichtenstapel und eine selbsttragende Trägerschicht umfassen, so lassen sich besonders dünne Halbleiteranordnungen und somit Beleuchtungseinrichtungen herstellen. Durch die kompakte Bauweise können auch sehr hohe Flächenleuchtstärken realisiert werden. Die pn-Übergänge können so ausgestaltet sein, dass sie frei von einem Aufwachssubstrat sind und lediglich eine epitaktisch gewachsene Schichtenfolge umfassen. Bevorzugt beträgt die Dicke eines derartigen Halbleiterbauteils weniger als 100 μm, besonders bevorzugt weniger als 20 μm, beispielsweise 10 μm oder 6 μm. Solche Dünnfilm-Halbleiterbauelemente können beispielsweise wie die der Druckschrift WO 2007/016908 A1 ausgestaltet und hergestellt sein. Der Offenbarungsgehalt dieser Druckschrift wird hiermit bezüglich der dort beschriebenen Halbleiterchips sowie deren Herstellung durch Rückbezug mit aufgenommen.If at least a part of the pn junctions is designed as a thin-film semiconductor component comprising layer stacks and a self-supporting carrier layer, then particularly thin semiconductor arrangements and thus illumination devices can be produced. Due to the compact design also very high surface luminosity can be realized. The pn junctions can be designed such that they are free of a growth substrate and comprise only an epitaxially grown layer sequence. The thickness of such a semiconductor component is preferably less than 100 μm, more preferably less than 20 μm, for example 10 μm or 6 μm. Such thin-film semiconductor devices may, for example, like those of the publication WO 2007/016908 A1 be designed and manufactured. The disclosure of this document is hereby incorporated with respect to the semiconductor chips described therein and their preparation by reference back.

Werden Dünnfilm-Halbleiterbauelemente als pn-Übergänge verwendet, so ist es besonders vorteilhaft, wenn diese dazu geeignet sind, auf beiden Seiten elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Dadurch wird ein einfach aufgebautes, kompaktes Beleuchtungselement, beispielsweise für Raumbeleuchtungen, ermöglicht.Become Thin-film semiconductor devices as pn junctions used, so it is particularly advantageous if this is suitable are to emit electromagnetic radiation on both sides. Thereby is a simply constructed, compact lighting element, for example for room lighting.

Beinhaltet der Herstellungsprozess der Halbleiteranordnung ein thermisches oder Laserablöseverfahren, bei dem ein aktiver Schichtenstapel von einem Aufwachssubstrat abgelöst werden kann, so sind besonders dünne pn-Übergänge herstellbar. Des Weiteren können über ein solches Ablöseverfahren bereits bestimmte Halbleiterchips oder pn-Übergänge von einem Substrat entfernt werden, so dass sich bereits beim Ablösen vom Substrat etwa eine zweidimensionale Anordnung von Halbleiterchips oder pn-Übergängen realisieren lässt.includes the manufacturing process of the semiconductor device is a thermal one or laser stripping method in which an active layer stack can be detached from a growth substrate, so are especially thin pn junctions can be produced. Of Others may be via such a stripping process already certain semiconductor chips or pn junctions be removed from a substrate, so that already during peeling from the substrate about a two-dimensional array of semiconductor chips or Pn transitions can be realized.

Wird mindestens ein Teil der elektrischen Leitungsanordnungen mittels eines photo-lithographischen Verfahrens hergestellt, so lassen sich auf einfache Art und Weise die elektrischen Verbindungen in passender Geometrie anbringen. Dies erleichtert den Herstellungsprozess signifikant, da etwa ein nachträgliches Verbonden der Halbleiterbauelemente mittels Drähten unterbleiben kann. Auch komplexere Aufbauten von Schaltungen werden ermöglicht.Becomes at least a part of the electrical line arrangements by means made of a photolithographic process, so can be in a simple way, the electrical connections in matching Attach geometry. This significantly facilitates the manufacturing process, because about a subsequent bonding of the semiconductor devices can be omitted by wires. Also more complex structures of circuits are possible.

pn-Übergänge, die insbesondere flächig und zweidimensional angeordnet sind, werden flexibel, günstig und effizient mit einem speziellen Verfahren hergestellt. Hierbei werden zuerst ein Anschlussträgerverbund und ein Halbleiterkörperträger, auf dem sich gesonderte pn-Übergänge befinden, bereitgestellt. Anschließend werden Anschlussträgerverbund und Halbleiterkörperträger relativ zueinander so angeordnet, dass zumindest ein Teil der pn-Übergänge mit dem Anschlussträgerverbund verbunden werden kann. Daraufhin wird der soeben mit dem Anschlussträger verbundene Teil der pn-Übergänge vom Halbleiterkörperträger getrennt und der Anschlussträgerverbund je nach Erfordernissen in eine Mehrzahl von Bauelementen aufgeteilt.pn junctions, in particular arranged flat and two-dimensional are flexible, cheap and efficient with one produced special procedures. Here are first a connection carrier composite and a semiconductor body carrier on which separate pn junctions are provided. Subsequently become Anschlußussträgerverbund and semiconductor body carrier arranged relative to each other so that at least part of the pn junctions with can be connected to the Anschlussträgerverbund. thereupon becomes the part just connected to the connection carrier the pn junctions from the semiconductor body carrier separated and the connection carrier assembly as required divided into a plurality of components.

Die Effizienz dieses Verfahrens ist dann besonders groß, wenn sich auf dem Anschlussträgerverbund bereits eine Anzahl von pn-Übergängen und elektrischen Leitungsanordnungen befindet, so dass sich mit den vom Halbleiterkörperträger übertragenen pn-Übergängen und elektrischen Leitungsanordnungen zumindest ein Bauelement mit mindestens einer funktionsfähigen elektrischen Reihenschaltung gemäß vorigen Beschreibungen auf dem Anschlussträgerverbund ergibt. Die Anordnung der pn-Übergänge lässt sich somit über ein Zusammensetzen zweier als Negative wirkender Träger erzeugen. Werden als pn-Übergänge Dünnfilm-Halbleiterbauelemente und als Trägermaterialien beispielsweise Folien verwendet, so ergibt sich nach Abschluss der Herstellung eine äußerst dünne Anordnung, welche flexibel gestaltet sein kann.The Efficiency of this process is particularly great when already a number on the connection carrier network of pn junctions and electrical line assemblies is located so that with the transmitted from the semiconductor body carrier pn junctions and electrical line assemblies at least one component with at least one functional electrical series connection according to previous descriptions on the connection carrier composite results. The arrangement of pn transitions can thus be over a composition of two acting as a negative carrier produce. Become as pn junctions thin-film semiconductor devices and used as support materials, for example, films, so comes after completion of the production an extremely thin arrangement, which can be designed flexibly.

Nachfolgend wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt.following the invention with reference to the drawing based on Embodiments described. Same reference numerals indicate the same elements in the individual figures. There are but not to scale shown.

Es zeigen:It demonstrate:

1 eine Seitenansicht eines Ausführungsbeispiels einer Halbleiteranordnung, 1 a side view of an embodiment of a semiconductor device,

2 eine Seitenansicht einer Halbleiteranordnung mit einer Deckschicht, 2 a side view of a semiconductor device with a cover layer,

3 eine Seitenansicht einer Anordnung mit einer reflektierenden bzw. einer Konversionsmittelschicht, 3 a side view of an arrangement with a reflective or a conversion agent layer,

4 eine Seitenansicht einer Anordnung mit zwei Ebenen von pn-Übergängen, 4 a side view of an arrangement with two levels of pn junctions,

5 eine Seitenansicht einer Anordnung mit mehreren Ebenen von pn-Übergängen und einem Kühlmedium, 5 a side view of an arrangement with several levels of pn junctions and a cooling medium,

6 die Draufsicht a) bzw. Vorderansicht b) einer Anordnung mit ringförmigen Leitungsanordnungen, 6 the top view a) or front view b) of an arrangement with annular line arrangements,

7 eine schematische Darstellung einer zweidimensionalen Anordnung von pn-Übergängen, 7 a schematic representation of a two-dimensional arrangement of pn junctions,

8 eine schematische Darstellung einer Anzeigeeinrichtung mit zwei elektrischen Reihenschaltungen. 8th a schematic representation of a display device with two electrical series circuits.

In 1 ist ein erstes Ausführungsbeispiel einer Halbleiteranordnung 1 gezeigt. Diese weist einen Träger 2 auf, der aus einer Keramik besteht und für Licht im sichtbaren Spektralbereich undurchlässig ist. Auf der Trägeroberseite 6 des Trägers 2 ist eine erste Lage flächig ausgestalteter, metallischer Leitungsanordnungen 3 aufgebracht. Auf der der Trägeroberseite 6 abgewandten Seite dieser ersten Lage von Leitungsanordnungen 3 befinden sich in einer Lage angeordnete Dioden 40, wobei die Dioden 40 dazu ausgestaltet sind, elektromagnetische Strahlung im sichtbaren Spektralbereich zu emittieren. Eine Diode 40 besteht hierbei aus je einer flächig ausgeprägten Schicht aus einem p- und aus einem n-leitenden Gebiet, mit dem diese Gebiete verbindenden pn-Übergang 4; eine Diode 40 weist, daraus resultierend, eine Anoden- und eine Kathodenseite auf. Die Dioden 40 sind weiterhin so angeordnet, dass bei aufeinander folgenden Dioden 40 sich abwechselnd immer Anoden- bzw. Kathodenseiten näher am Träger 2 befinden. Auf der dem Träger 2 abgewandten Seite der Lage der Dioden 40 befindet sich eine weitere, zweite Lage elektrischer Leitungsanordnungen 3.In 1 is a first embodiment of a semiconductor device 1 shown. This has a carrier 2 made of a ceramic and impermeable to light in the visible spectral range. On the carrier top 6 of the carrier 2 is a first layer of surface designed, metallic line assemblies 3 applied. On the carrier top 6 opposite side of this first layer of line arrangements 3 are located in a layer arranged diodes 40 , where the diodes 40 are designed to emit electromagnetic radiation in the visible spectral range. A diode 40 consists in this case of a two-dimensional layer of a p-type and an n-type region, with the pn junction connecting these regions 4 ; a diode 40 has, as a result, on an anode and a cathode side. The diodes 40 are further arranged so that at successive diodes 40 alternately always anode or cathode sides closer to the carrier 2 are located. On the carrier 2 opposite side of the position of the diodes 40 there is another, second layer of electrical line arrangements 3 ,

Die Leitungsanordnungen 3 beider Lagen verbinden zwei benachbarte Dioden 40 jeweils elektrisch leitend so miteinander, dass sich insgesamt eine Reihenschaltung der Dioden 40 ausbildet, wobei immer abwechselnd Anoden- und Kathodenseiten aufeinander folgender Dioden 40 miteinander verbunden sind.The line arrangements 3 Both layers connect two adjacent diodes 40 each electrically conductive with each other so that in total a series connection of the diodes 40 forming alternately anode and cathode sides of successive diodes 40 connected to each other.

Die sich zwischen Dioden 40 und Trägeroberseite 6 befindlichen Leitungsanordnungen 3 bedecken einen Großteil der Trägeroberseite 6 und wirken daher als reflektierende Schicht 5. Sie sind dabei so strukturiert, dass zwischen den Dioden 40, zusätzlich zu den durch die Reihenschaltung vorgegebenen Verbindungen, keine unerwünschten elektrischen Kontakte über die Trägeroberseite 6 auftreten. Die Leitungsanordnungen 3 der zweiten, sich in der weiter von der Trägeroberseite 6 entfernten Lage von Leitungsanordnungen 3, bedecken nur einen kleinen Anteil der ihnen zugewandten Seite der Dioden 40, so dass das von den Dioden 40 emittierte Licht weitestgehend von diesen Leitungsanordnungen 3 ungestört bleibt. Gemäß 1 sind die Leitungsanordnungen 3 seitlich über den Träger 2 hinausgeführt, so dass sie Kontaktierungen 30 bilden, die dem Anschluss nicht dargestellter externer elektrischer Leitungen dienen.Which is between diodes 40 and vehicle top 6 located line arrangements 3 cover a large part of the carrier top 6 and therefore act as a reflective layer 5 , They are structured in such a way that between the diodes 40 in addition to the connections given by the series connection, no unwanted electrical contacts across the top of the carrier 6 occur. The line arrangements 3 the second, in the farther from the carrier top 6 remote location of line arrangements 3 , only cover a small portion of the side of the diodes facing them 40 so that's from the diodes 40 emitted light largely from these line arrangements 3 remains undisturbed. According to 1 are the line arrangements 3 laterally over the carrier 2 led out so that they contacts 30 form, which serve the connection of external electrical lines not shown.

Zwischen den einzelnen Dioden 40 befinden sich horizontale Zwischenräume 9, die die Dioden 40 elektrisch voneinander isolieren. Die Zwischenräume 9 sind im Vergleich zu den Abmessungen der Dioden 40 relativ klein, um eine hochdichte Verschaltung und somit eine große Leuchtdichte zu gewährleisten.Between the individual diodes 40 there are horizontal gaps 9 that the diodes 40 electrically isolate from each other. The gaps 9 are compared to the dimensions of the diodes 40 relatively small, to ensure a high density interconnection and thus a high luminance.

2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Halbleiteranordnung 1, bei der zusätzlich zum Träger 2 auch eine Deckschicht 7 angebracht ist, wobei Träger 2 und Deckschicht 7 die Dioden 40 einschließen. In diesem Ausführungsbeispiel sind Träger 2 und Deckschicht 7 transparent ausgeführt und aus einem Kunststoff gebildet. Die elektrischen Leitungsanordnungen 3 sind ebenfalls transparent ausgeführt. 2 shows a further embodiment of a semiconductor device 1 in addition to the carrier 2 also a cover layer 7 is attached, wherein carrier 2 and topcoat 7 the diodes 40 lock in. In this embodiment, carriers 2 and topcoat 7 made transparent and formed from a plastic. The electrical line arrangements 3 are also transparent.

Optional ist es möglich, die elektrischen Leitungsanordnungen 3 mehrstückig auszuführen, d. h. die sich mit den Dioden 40 überlappenden Teile der Leitungsanordnungen 3 sind aus einem transparenten Material wie Indiumzinnoxid ausgeführt, und die zwischen den Dioden 40 liegenden Teile der Leitungsanordnungen 3 bestehen aus dünnen Metalldrähten. Dadurch wird ein im wesentlichen transparenter, einfach herzustellender Aufbau der Halbleiteranordnung 1 ermöglicht. Sind die Dioden 40 an ihren Rändern passiviert, so können die Zwischenräumen 9 zur Isolierung entfallen und die Packungsdichte der Dioden 40 kann weiter erhöht werden.Optionally, it is possible to use the electrical line arrangements 3 to perform multi-piece, ie with the diodes 40 overlapping parts of the line arrangements 3 are made of a transparent material such as indium tin oxide, and those between the diodes 40 lying parts of the line arrangements 3 consist of thin metal wires. This results in a substantially transparent, easy to manufacture structure of the semiconductor device 1 allows. Are the diodes 40 Passivated at their edges, so can the spaces 9 for insulation and the packing density of the diodes omitted 40 can be further increased.

Im Falle hoher Packungsdichten der Dioden 40 kann über ein im Träger 2 und/oder in der Deckschicht 7 enthaltenes thermisch leitfähiges Material entstehende Betriebswärme der Dioden 40 gut abgeführt werden. Da gemäß 2 die elektrischen Leitungsanordnungen 3 auf Trägeroberseite 6 und Deckschichtinnenseite 70 verteilt sind, können, im Gegensatz zum Ausführungsbeispiel gemäß 1, auch die Leitungsanordnungen 3 auf der von der Trägeroberseite 6 abgewandten Seite der Dioden 40 so ausgeführt werden, dass die Zwischenräume 9 zwischen allen Dioden 40 deutlich vergrößert werden können. Größere Zwischenräume 9 reduzieren die thermische Belastung der Halbleiteranordnung 1 im Betrieb ebenfalls. Auch ist es möglich, weitere, z. B. elektrisch isolierende Zwischenschichten anzubringen, um etwa Kurzschlüsse zwischen Leitungsanordnungen 3 oder Kontaktierungen 30 zu unterbinden.In case of high packing densities of the diodes 40 can have one in the carrier 2 and / or in the topcoat 7 contained thermally conductive material resulting operating heat of the diodes 40 be well drained. As according to 2 the electrical line arrangements 3 on vehicle top 6 and cover layer inside 70 can be distributed, in contrast to the embodiment according to 1 , also the line arrangements 3 on the from the carrier top 6 opposite side of the diodes 40 be executed so that the spaces between 9 between all diodes 40 can be significantly increased. Larger gaps 9 reduce the thermal load of the semiconductor device 1 in operation as well. It is also possible, further, z. B. electrically insulating intermediate layers, for example, short circuits between line assemblies 3 or contacts 30 to prevent.

Sind Träger 2 und/oder Deckschicht 7 aus einem mechanisch flexiblen Material, wie etwa einer Kunststofffolie, und die Dioden 40 als ein- oder doppelseitig emittierende Dünnfilm-Halbleiterbauelemente ausgeführt, so ist die Halbleiteranordnung 1 insgesamt mechanisch flexibel. Typische Dicken von Dünnfilm-Halbleiterbauelementen liegen dabei unterhalb von 10 μm, die Gesamtdicke der Halbleiteranordnung 1 kann weniger als 100 μm betragen. Die Deckschicht 7 kann auch als Lack oder einer ähnlichen Beschichtung ausgeführt sein.Are carriers 2 and / or topcoat 7 of a mechanically flexible material, such as a plastic film, and the diodes 40 designed as single or double-sided emitting thin-film semiconductor devices, so is the semiconductor device 1 altogether mechanically flexible. Typical thicknesses of thin-film semiconductor components are below 10 .mu.m, the total thickness of the semiconductor device 1 can be less than 100 microns. The cover layer 7 Can also be used as lacquer or similar chen coating be executed.

3 zeigt eine Anordnung analog zu 2, wobei auf der den Dioden 40 abgewandten Seite des Trägers 2 eine metallische, reflektierende Schicht 5 angebracht ist, und sich an der Deckschichtinnenseite 70 eine Schicht eines Konversionsmittels 8 befindet, das dazu geeignet ist, die von den Dioden 40 emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in eine Strahlung einer anderen Frequenz zu wandeln. Die Kontaktierungen 30 sind so an zwei Außenflächen der Halbleiteranordnung 1 weiter geführt, dass das Anschließen der Halbleiteranordnung 1 etwa mit Klemmen oder Clips möglich ist. 3 shows an arrangement analogous to 2 , being on the the diodes 40 opposite side of the carrier 2 a metallic, reflective layer 5 is attached, and on the cover layer inside 70 a layer of a conversion agent 8th which is suitable to that of the diodes 40 emitted electromagnetic radiation to convert at least partially into a radiation of a different frequency. The contacts 30 are so on two outer surfaces of the semiconductor device 1 further led that connecting the semiconductor device 1 possible with clamps or clips.

Alternativ kann die reflektierende Schicht 5 als eine dielektrische Schichtenfolge ausgestaltet und auf der den Dioden 40 abgewandten Seite des Trägers 2 in einem vorhergehenden Herstellungsprozess angebracht worden sein. Durch eine derartige Schicht 5 ist es ermöglicht, z. B. nur einen bestimmten Spektralbereich der von den Dioden 40 emittierten Strahlung zu reflektieren. Über ein Stempel- oder Prägeverfahren ist es möglich, die Seite des Trägers 2, oder auch nur Teile davon, an der die reflektierende Schicht 5 aufgebracht wird, so zu strukturieren, dass Fresnel-Zonen oder verschiedene Mikrospiegel resultieren. Auch das Ausgestalten einer Nanostrukturierung ist möglich. Die Strukturierung kann auch so ausgeführt sein, dass sich für jede einzelne Diode 40 eine eigene strukturierte Zone ergibt.Alternatively, the reflective layer 5 as a dielectric layer sequence and on the diodes 40 opposite side of the carrier 2 have been mounted in a previous manufacturing process. Through such a layer 5 is it possible, for. B. only a certain spectral range of the diodes 40 reflect emitted radiation. Through a stamping or embossing process, it is possible the side of the carrier 2 , or even parts of it, where the reflective layer 5 is applied to structure so that Fresnel zones or different micromirrors result. It is also possible to design a nanostructuring. The structuring can also be designed so that for each individual diode 40 creates its own structured zone.

Optional ist auch die Verwendung verschiedener Konversionsmittel 8 in unterschiedlichen Bereichen der Halbleiteranordnung 1 möglich. Im Falle einer elektrisch isolierenden Schicht eines Konversionsmittels 8 kann eine Kontaktierung 30 für in 3 nicht gezeigte externe Anschlüsse einfach zwischen der Konversionsschicht 8 und Deckschicht 7 entlang geführt werden, so dass die Kontaktierungen 30 für externe Anschlüsse sich in räumlicher Nähe an der gleichen Seite der Anordnung befinden. Da reflektierende Schicht 5 und Konversionsschicht 8 unabhängig voneinander sind, ist der Gestaltungsspielraum für diese sehr groß. Zusätzliche, auch elektrisch isolierende Schichten, die die Außenflächen der Halbleiteranordnung 1 etwa vor Verkratzen oder Feuchtigkeit schützen, sind ebenso möglich.Optional is also the use of different conversion agents 8th in different areas of the semiconductor device 1 possible. In the case of an electrically insulating layer of a conversion agent 8th can be a contact 30 for in 3 not shown external connections simply between the conversion layer 8th and topcoat 7 be guided along so that the contacts 30 for external connections are in close proximity to the same side of the arrangement. Because reflective layer 5 and conversion layer 8th are independent of each other, the scope for this is very large. Additional, also electrically insulating layers, which are the outer surfaces of the semiconductor device 1 for example, from scratching or moisture, are also possible.

Das Anwendungsbeispiel gemäß 4 ist so ausgestaltet, dass sich beiderseits des Trägers 2 Leitungsanordnungen 3 und Dioden 40 befinden, welche jeweils von einer Deckschicht 7 geschützt werden, so dass sich eine äußerst kompakte und lichtstarke, nach beiden Seiten abstrahlende Beleuchtungseinrichtung ergibt. Die elektrischen Kontaktierungen 30 sind durch den Träger 2 hindurchgeführt, so dass insgesamt nur ein externer Anschluss je für Kathode und Anode notwendig ist.The application example according to 4 is designed so that on both sides of the carrier 2 line arrangements 3 and diodes 40 each of which is covered by a cover layer 7 be protected, so that there is an extremely compact and bright, radiating on both sides lighting device. The electrical contacts 30 are through the carrier 2 passed through, so that in total only one external connection is necessary for each cathode and anode.

Im Ausführungsbeispiel in 5 sind an der Trägeroberseite eines Trägers 2 zwei Lagen von Dioden 40 angebracht, die durch eine erste, dünne Deckschicht 7a voneinander separiert sind. Eine zweite, dazu im wesentlichen parallele Deckschicht 7b befindet sich in größerem Abstand von der Lage der Dioden 40 auf derselben Seite des Trägers 2, so dass im Freiraum zwischen Dioden 40 und zweiter Deckschicht 7b ein Kühlmedium 10 in Form eines Kühlgases oder einer Kühlflüssigkeit zirkulieren kann. Für ein effektives Zirkulieren ist eine Dicke dieses Freiraums von wenigen 100 μm erforderlich. Je nach Vereinzelungsgrad der Dioden 40 kann die erste Deckschicht 7a mit Löchern oder Perforierungen versehen sein, die ein Strömen des Kühlmediums 10 auch zur sich näher am Träger 2 befindlichen Lage der Dioden 40 ermöglichen. Dadurch, dass die Darstellung in 5 eine Schnittzeichnung ist, sind mechanische Verbindungen zwischen zweiter Deckschicht 7b und Träger 2, die zur Erläuterung der Erfindung keinen Beitrag leisten, nicht dargestellt. Weiterhin besteht keine Beschränkung auf nur zwei sich übereinander befindliche Lagen von Dioden 40, insbesondere, da über ein Kühlmedium 10 die Betriebsabwärme der dicht gepackten Dioden 40 wirkungsvoll abgeführt werden kann. Auch können die Abstände zwischen verschiedenen Deckschichten 7, und somit der für ein Kühlmedium 10 zur Verfügung stehende Raum, je nach Anforderung angepasst werden.In the embodiment in 5 are at the vehicle's top of a vehicle 2 two layers of diodes 40 attached by a first, thin cover layer 7a are separated from each other. A second, essentially parallel cover layer 7b is located at a greater distance from the position of the diodes 40 on the same side of the carrier 2 so that in the space between diodes 40 and second cover layer 7b a cooling medium 10 can circulate in the form of a cooling gas or a cooling liquid. For effective circulation, a thickness of this space of a few 100 μm is required. Depending on the degree of separation of the diodes 40 may be the first topcoat 7a be provided with holes or perforations, which is a flow of the cooling medium 10 also closer to the wearer 2 located position of the diodes 40 enable. Due to the fact that the representation in 5 a sectional drawing is mechanical connections between the second cover layer 7b and carriers 2 which do not contribute to the explanation of the invention, not shown. Furthermore, there is no restriction to only two superimposed layers of diodes 40 , in particular, because of a cooling medium 10 the operating heat of the densely packed diodes 40 can be effectively dissipated. Also, the distances between different cover layers can be 7 , and thus for a cooling medium 10 available space to be adjusted as required.

In 6 sind die einzelnen Dioden 40 rund ausgeführt, wobei eine rechteckige Ausführung ebenso möglich ist. Träger 2 und Deckschicht 7 bestehen aus einem transparenten Material. Die elektrischen Leitungsanordnungen 3a, 3b sind metallisch ausgeführt und bilden auf p- bzw. n-Seite der Dioden 40 jeweils eine Ringstruktur 3a. Zwischen den verschiedenen, variabel anordenbaren Dioden 40 ist eine elektrische Verbindungen über dünne Drähte 3b hergestellt. Die metallisch ausgeführten Leitungsanordnungen 3a, 3b können leicht aufgebracht und photo-lithographisch strukturiert werden, alternativ ist auch ein Aufdampfen möglich. Außerdem kann die Anzahl an notwendigen Arbeitsschritten reduziert werden. Alternativ können für die Leitungsanordnungen 3a auch Rahmenkontakte verwendet werden, das heißt, vorgefertigte Rahmen, beispielsweise aus dünnen Metalldrähten, werden auf die Dioden 40 aufgesetzt und sorgen für die Kontaktierung.In 6 are the individual diodes 40 round executed, with a rectangular design is also possible. carrier 2 and topcoat 7 consist of a transparent material. The electrical line arrangements 3a . 3b are metallic and form on the p- or n-side of the diodes 40 each a ring structure 3a , Between the different variably arranged diodes 40 is an electrical connection via thin wires 3b produced. The metallic piping arrangements 3a . 3b can be easily applied and patterned by photolithography, alternatively vapor deposition is also possible. In addition, the number of necessary steps can be reduced. Alternatively, for the line arrangements 3a Frame contacts are also used, that is, prefabricated frames, for example of thin metal wires, are applied to the diodes 40 put on and ensure the contact.

Optional können die Leitungsanordnungen 3b, die die einzelnen Dioden 40 elektrisch miteinander verbinden, sich auch auf den den Dioden 40 abgewandten Seiten von Träger 2 oder Deckschicht 7 befinden und über Durchkontaktierungen mit den Leitungsanordnungen 3b verbunden sein.Optionally, the line arrangements 3b that the individual diodes 40 electrically connect to each other, also on the diodes 40 opposite sides of the carrier 2 or topcoat 7 located and via vias with the line arrangements 3b be connected.

Die dünnen, metallischen Leitungsanordnungen 3 beeinträchtigen die Transparenz der Gesamtanordnung nicht signifikant. Die Kontaktierungen 30 sind als Stifte ausgeführt, die ein einfaches Anschließen der Halbleiteranordnung 1 gewährleisten.The thin, metallic line arrangements 3 affect the transparency of the Gesamta not significant. The contacts 30 are designed as pins, which allows easy connection of the semiconductor device 1 guarantee.

Dienen als Träger 2 bzw. Deckschicht 7 Folien, so können diese auf einfache Art und Weise in den Zwischenräumen 9, wo sich keine Dioden 40 befinden, miteinander verklebt werden, so dass sich eine äußerst vielseitig gestaltbare Anordnung ergibt, insbesondere da aufgrund der gut leitenden, metallischen, drahtartigen und somit biegbaren Leitungsanordnungen 3b zwischen den Dioden 40 auch größere Abstände dieser zueinander realisierbar sind.Serve as a carrier 2 or cover layer 7 Slides, so these can be easily in the spaces 9 where there are no diodes 40 are glued together, so that there is an extremely versatile design arrangement, in particular because of the highly conductive, metallic, wire-like and thus bendable line arrangements 3b between the diodes 40 Even larger distances from each other can be realized.

Zur mechanischen Stützung der Dioden 40, beispielsweise im Falle, dass Träger 2 oder Deckschicht 7 dünne Folien sind, kann eine Diode 40 zusätzlich eine Stützschicht umfassen, die etwa an einer Hauptseite der Diode 40 angebracht ist und die im Rahmen der Fertigungstoleranzen beispielsweise dieselbe Größe wie die Hauptseite der Diode 40 aufweist. Je nach Erfordernissen und Ausgestaltung der Stützschicht kann zwischen Stützschicht und Diode 40 etwa eine flächige, für die von der Diode 40 emittierte Strahlung reflektierend wirkende Leitungsanordnung 3 angebracht sein.For mechanical support of the diodes 40 , for example, in the case of the carrier 2 or topcoat 7 thin films are, can be a diode 40 additionally comprise a support layer which is approximately on a main side of the diode 40 is attached and within the manufacturing tolerances, for example, the same size as the main side of the diode 40 having. Depending on the requirements and design of the support layer can between support layer and diode 40 about a plane, for the of the diode 40 emitted radiation reflective line arrangement 3 to be appropriate.

Eine matrizenähnliche Anordnung von Dioden 40 in Zeilen und Spalten ist in Draufsicht in 7 gezeigt. Hierbei sind die Zeilen jeweils als lineare Reihenschaltung realisiert, und der Wechsel zwischen den Zeilen findet am Beginn bzw. Ende der jeweiligen Zeile statt. Die Beleuchtungseinrichtung kann beidseitig Licht abstrahlen und ist transparent. Ober bzw. unterhalb der Lage der Dioden 40 befindliche Leitungsanordnungen 3 sind in 7 punktiert bzw. gestrichelt gezeichnet.A matrix-like arrangement of diodes 40 in rows and columns is in plan view in 7 shown. In this case, the lines are each realized as a linear series connection, and the change between the lines takes place at the beginning or end of the respective line. The illumination device can emit light on both sides and is transparent. Above or below the position of the diodes 40 located line arrangements 3 are in 7 Dotted or dashed lines.

Der Träger 2 hat im Anwendungsbeispiel einen quadratischen Grundriss, wobei dies keine Einschränkung darstellt, vielfältige Formungen des Grundrisses der Halbleiteranordnung 1 sind möglich. Auch die Dioden 40 müssen nicht in einer matrizenähnlichen Struktur angeordnet sein, sondern können im wesentlichen beliebig platziert werden, solange Anoden- und Kathodenseiten innerhalb einer Reihenschaltung aufeinander folgender Dioden jeweils abwechselnd über die Leitungsanordnungen 3 kontaktiert sind. Die von den Dioden 40 abgewandte Seite der Deckschicht 7 kann mit einer klebenden Schicht versehen sein, so dass die Halbleiteranordnung 1 einfach an einer Flüssigkristallmaske angebracht werden kann. Auch ein leichtes Anbringen an in herkömmlichen Displays verwendeten Diffusoren oder Prismenfolien ist möglich. Vereinfacht wird das Anbringen dadurch, dass aufgrund der Reihenschaltung nur wenige externe elektrische Anschlüsse vonnöten sind.The carrier 2 has in the application example a square plan, this being not limiting, diverse shapes of the plan of the semiconductor device 1 are possible. Also the diodes 40 need not be arranged in a matrix-like structure, but can be placed substantially arbitrarily, as long as anode and cathode sides within a series connection of successive diodes alternately via the line arrangements 3 are contacted. The of the diodes 40 opposite side of the cover layer 7 may be provided with an adhesive layer, so that the semiconductor device 1 can be easily attached to a liquid crystal mask. It is also possible to easily attach to diffusers or prism sheets used in conventional displays. The attachment is simplified by the fact that only a few external electrical connections are required due to the series connection.

8 zeigt eine zweidimensionale Anordnung von Dioden 40, die als zwei getrennte Reihenschaltungen ausgestaltet ist. Beispielsweise beinhaltet eine Reihenschaltung Dioden 40, die blaues Licht abstrahlen, und die zweite Reihenschaltung Dioden 40, die rotes Licht abstrahlen. Beide Arten von Dioden 40 befinden sich gemäß 8 in einer Lage. Beide Reihenschaltungen sind elektrisch separat ansteuerbar. Die elektrischen Leitungsanordnungen 3 und Kontaktierungen 30 sind an der Trägeroberseite 6, in 8 als punktierte Linien gezeichnet, oder an der Deckschichtinnenseite 70, als dicke Linien gezeichnet, geführt, und können sich daher prinzipiell ohne isolierende Zwischenschicht kreuzen, was den Schaltungsaufbau erleichtert. 8th shows a two-dimensional array of diodes 40 , which is configured as two separate series circuits. For example, a series circuit includes diodes 40 , which emit blue light, and the second series diode 40 emitting red light. Both types of diodes 40 are according to 8th in one location. Both series circuits can be electrically controlled separately. The electrical line arrangements 3 and contacts 30 are on the vehicle top 6 , in 8th drawn as dotted lines, or on the cover layer inside 70 , drawn as thick lines, out, and therefore can intersect in principle without insulating intermediate layer, which facilitates the circuit structure.

Auch komplexere, sich über mehrere Lagen erstreckende dreidimensionale Reihenschaltungen der Dioden 40 in größerer Anzahl lassen sich gestalten. Über die verschiedenen Reihenschaltungen lässt sich etwa ein ansteuerbares Display erstellen, wobei verschiedene Zeichen oder Buchstaben etwa verschiedenen Reihenschaltungen entsprechen, welche separat ansprechbar sind und auch in verschiedenen Lagen und/oder in verschiedenen Farben übereinander angeordnet werden können.Also more complex, over several layers extending three-dimensional series connections of the diodes 40 in larger numbers can be designed. About the various series circuits can be about create a controllable display, with different characters or letters correspond to about different series circuits, which are separately addressable and can be arranged one above the other in different layers and / or in different colors.

Die in den beschriebenen Ausführungsbeispielen auftretenden Reihenschaltungen müssen nicht ausschließlich aus Dioden 40 aufgebaut sein. Selbstverständlich ist es möglich, weitere Halbleiterbauelemente anderer Bauart zu integrieren, entweder als separate Schaltungen oder mit den Dioden 40 in Reihe geschaltet. Im letzteren Fall kann das eine oder die mehreren Halbleiterelemente am Anfang bzw. Ende einer Schaltung oder auch in deren mittleren Bereichen angeordnet sein. Je nach Platzbedarf dieser Halbleiterbauelemente sind diese passend zu positionieren, oder Träger 2 und/oder Deckschicht 7 mit geeigneten Ausnehmungen zu versehen. Funktionen der zusätzlichen Halbleiterbauelemente sind z. B. die Messung von elektrischen Strömen bzw. Spannungen in den Schaltungen. Über eine Regelung dieser Größen über dieselben oder über andere Halbleiterbauelemente kann auch Einfluss auf etwa Temperatur oder Abstrahlhelligkeit genommen werden, so dass sich, auch in Kombination mit einem integrierten oder externen Helligkeitssensor eine Beleuchtungseinrichtung mit konstanter Helligkeit realisieren lässt. Auch eine geeignete Einrichtung zum Erzeugen einer Versorgungsspannung für die Reihenschaltungen kann einbezogen werden. Betreffs Ausgestaltung der elektrischen Leitungsanordnungen 3 und Kontaktierungen 30, der Packungsdichte der Dioden 40 auf der Halbleiteranordnung 1, der Anzahl an Reihenschaltungen, der Verwendung wärmeleitfähiger, transparenter oder mechanisch flexibler Materialien sowie der Verwendung geeigneter Zwischenschichten können selbstverständlich die in den verschiedenen Ausführungsbeispielen gezeigten Varianten miteinander kombiniert werden.The series circuits occurring in the described embodiments do not have to be made exclusively of diodes 40 be constructed. Of course, it is possible to integrate other semiconductor devices of a different type, either as separate circuits or with the diodes 40 connected in series. In the latter case, the one or more semiconductor elements may be arranged at the beginning or end of a circuit or in its central regions. Depending on the space requirements of these semiconductor devices, these are suitable to position, or carrier 2 and / or topcoat 7 to be provided with suitable recesses. Functions of the additional semiconductor devices are z. As the measurement of electrical currents or voltages in the circuits. By regulating these variables via the same or other semiconductor components, it is also possible to influence the temperature or emission brightness, so that a lighting device with constant brightness can be realized, even in combination with an integrated or external brightness sensor. A suitable device for generating a supply voltage for the series connections can also be included. As regards the design of the electrical line arrangements 3 and contacts 30 , the packing density of the diodes 40 on the semiconductor device 1 Of course, the number of series connections, the use of thermally conductive, transparent or mechanically flexible materials and the use of suitable intermediate layers may of course combine the variants shown in the various embodiments.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list The documents listed by the applicant have been automated generated and is solely for better information recorded by the reader. The list is not part of the German Patent or utility model application. The DPMA takes over no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - WO 2007/016908 A1 [0027] WO 2007/016908 A1 [0027]

Claims (29)

Halbleiteranordnung (1) mit – einem Träger (2) mit einer im wesentlichen flachen Trägeroberseite (6), – mindestens zwei flächig ausgestalteten, am Träger (2) in mindestens einer Ebene ausgebildeten pn-Übergängen (4), so dass die Ladungsträgerrekombinationszone im wesentlichen parallel zur Trägeroberseite (6) ausgerichtet ist, wobei sich bei einem Teil der pn-Übergänge (4) deren p-Seite näher als die n-Seite, und bei einem Teil deren n-Seite näher als die p-Seite an der Trägeroberseite (6) befindet, und – mindestens zu einem Anteil im wesentlichen planaren und zur Trägeroberseite (6) parallelen, elektrischen Leitungsanordnungen (3), von denen sich mindestens ein Teil oberhalb und mindestens ein Teil unterhalb der Ebene befindet, wobei die Leitungsanordnungen (3) und die pn-Übergänge (4) als zumindest eine funktionsfähige elektrische Reihenschaltung ausgebildet sind.Semiconductor arrangement ( 1 ) with a support ( 2 ) with a substantially flat carrier top ( 6 ), - at least two surface configured, on the carrier ( 2 ) formed in at least one level pn junctions ( 4 ), so that the charge carrier recombination zone substantially parallel to the carrier top ( 6 ), whereby at some of the pn junctions ( 4 ) whose p-side is closer than the n-side, and at a part of its n-side closer than the p-side on the carrier top ( 6 ), and - at least a portion substantially planar and the carrier top ( 6 ) parallel, electrical line arrangements ( 3 ), at least part of which is above and at least a part below the plane, the line arrangements ( 3 ) and the pn junctions ( 4 ) are formed as at least one functional electrical series circuit. Halbleiteranordnung (1) nach Anspruch 1, wobei die pn-Übergänge (4) innerhalb einer Ebene in einer zweidimensionalen Anordnung am Träger (2) angebracht sind.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to claim 1, wherein the pn junctions ( 4 ) within a plane in a two-dimensional arrangement on the carrier ( 2 ) are mounted. Halbleiteranordnung (1) nach Anspruch 1 oder 2, die mehrere Ebenen von pn-Übergängen (4) umfasst.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to claim 1 or 2, which has multiple levels of pn junctions ( 4 ). Halbleiteranordnung (1) nach Anspruch 3, wobei sich die Ebenen der pn-Übergänge (4) auf verschiedenen Seiten des Trägers (2) befinden.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to claim 3, wherein the planes of the pn junctions ( 4 ) on different sides of the carrier ( 2 ) are located. Halbleiteranordnung (1) nach Anspruch 3 oder 4, wobei Leitungsanordnungen (3) und pn-Übergänge (4) derart angeordnet sind, dass sich mindestens eine dreidimensionale Verschaltung der pn-Übergänge (4) ergibt.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to claim 3 or 4, wherein line arrangements ( 3 ) and pn junctions ( 4 ) are arranged such that at least one three-dimensional interconnection of the pn junctions ( 4 ). Halbleiteranordnung (1) nach einem der vorigen Ansprüche, wobei der Träger (2) mindestens eine reflektierende Schicht umfasst.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to any one of the preceding claims, wherein the carrier ( 2 ) comprises at least one reflective layer. Halbleiteranordnung (1) nach einem der vorigen Ansprüche, wobei auf der der Trägeroberseite (6) gegenüberliegenden Seite mindestens einer Ebene der pn-Übergänge (4) mindestens zum Teil eine Deckschicht (7) angebracht ist.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein on the carrier top ( 6 ) opposite side of at least one level of pn junctions ( 4 ) at least in part a cover layer ( 7 ) is attached. Halbleiteranordnung (1) nach einem der vorigen Ansprüche, wobei der Träger (2) und/oder die elektrischen Leitungsanordnungen (3) und/oder die Deckschicht (7) mindestens ein transparentes Material beinhalten.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to any one of the preceding claims, wherein the carrier ( 2 ) and / or the electrical line arrangements ( 3 ) and / or the cover layer ( 7 ) contain at least one transparent material. Halbleiteranordnung (1) nach einem der vorigen Ansprüche, wobei Träger (2) und/oder Deckschicht (7) mindestens ein thermisch leitfähiges Material enthalten.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein the carrier ( 2 ) and / or cover layer ( 7 ) contain at least one thermally conductive material. Halbleiteranordnung (1) nach einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei der Raum zwischen Träger (2) und Deckschicht (7) so ausgestaltet ist, dass darin das Strömen eines Kühlgases oder einer Kühlflüssigkeit möglich ist.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to any one of claims 7 to 9, wherein the space between supports ( 2 ) and cover layer ( 7 ) is configured so that the flow of a cooling gas or a cooling liquid is possible therein. Halbleiteranordnung (1) nach einem der vorigen Ansprüche, die zusätzliche Schichten beinhaltet, welche elektrisch isolierend oder mechanisch schützend ausgeführt sind.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to one of the preceding claims, which includes additional layers, which are made electrically insulating or mechanically protective. Halbleiteranordnung (1) nach einem der vorigen Ansprüche, wobei die pn-Übergänge (4) dazu geeignet sind, elektromagnetische Strahlung zu emittieren.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein the pn junctions ( 4 ) are adapted to emit electromagnetic radiation. Halbleiteranordnung (1) nach Anspruch 12, die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung nach beiden Seiten mindestens einer Ebene der pn-Übergänge (4) hin zu emittieren.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to claim 12, which is capable of transmitting electromagnetic radiation to both sides of at least one plane of the pn junctions ( 4 ) to emit. Halbleiteranordnung (1) nach einem der vorigen Ansprüche, wobei Träger (2) und/oder Deckschicht (7) diffraktive oder refraktive optische Elemente umfassen.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein the carrier ( 2 ) and / or cover layer ( 7 ) comprise diffractive or refractive optical elements. Halbleiteranordnung (1) nach Anspruch 14, die Fresnel-Zonen, Mikrolinsen, Mikrospiegel oder flächige, nano- oder mikrostrukturierte optisch wirksame Schichten umfasst.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to claim 14, which comprises Fresnel zones, microlenses, micromirrors or areal, nano- or microstructured optically active layers. Halbleiteranordnung (1) nach einem der Ansprüche 12 bis 15, die ein Konversionsmittel (8) umfasst, das die mit einer ersten Wellenlänge von den pn-Übergängen (4) emittierte elektromagnetische Strahlung in eine elektromagnetische Strahlung einer davon verschiedenen Wellenlänge konvertiert.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to one of claims 12 to 15, which is a conversion agent ( 8th ) having a first wavelength from the pn junctions ( 4 ) emitted electromagnetic radiation in an electromagnetic radiation of a different wavelength converted. Halbleiteranordnung (1) nach einem der Ansprüche 12 bis 16, die mindestens einen in Reflexion und/oder Transmission wirkenden Filter umfasst, der Wellenlängenanteile der elektromagnetischen Strahlung mindestens zeitweise mindestens zum Teil filtert.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to one of claims 12 to 16, which comprises at least one filter acting in reflection and / or transmission, which at least partially filters at least part of the wavelength portions of the electromagnetic radiation. Halbleiteranordnung (1) nach einem der Ansprüche 12 bis 17, die mindestens ein Konversionsmittel, einen Kristall oder einen photonischen Kristall umfasst, das bzw. der dazu geeignet ist, gleiche oder auch verschiedene Wellenlängen der elektromagnetischen Strahlung miteinander zu mischen.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to one of claims 12 to 17, comprising at least one conversion agent, a crystal or a photonic crystal which is suitable for mixing identical or different wavelengths of the electromagnetic radiation with one another. Halbleiteranordnung (1) nach einem der vorigen Ansprüche, wobei die Anordnung von Leitungsanordnungen (3) und pn-Übergängen (4) derart gestaltet ist, dass sich eine Mehrzahl an elektrisch separat ansprechbaren Reihenschaltungen der pn-Übergänge (4) ergibt.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein the arrangement of line arrangements ( 3 ) and pn junctions ( 4 ) Is designed such that a plurality of electrically separately addressable series circuits of pn transitions ( 4 ). Halbleiteranordnung (1) nach Anspruch 19, wobei sich eine Zeile, ein zweidimensionales Feld oder eine Anzeigeeinrichtung ergibt.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to claim 19, wherein a row, a two-dimensional field or a display device results. Halbleiteranordnung (1) nach einem der vorigen Ansprüche, welche flexibel ausgestaltet ist.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to one of the preceding claims, which is flexible. Halbleiteranordnung (1) nach einem der vorigen Ansprüche, die neben den pn-Übergängen (4) weitere Halbleiterbauelemente umfasst, die zur Messung bzw. Regelung von Strom, Spannung, Temperatur und/oder Helligkeit ausgestaltet sind.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to any one of the preceding claims, in addition to the pn junctions ( 4 ) comprises further semiconductor components which are designed for the measurement or regulation of current, voltage, temperature and / or brightness. Halbleiteranordnung (1) nach einem der vorigen Ansprüche, wobei mindestens ein Teil der pn-Übergänge (4) als Dünnfilm-Halbleiterbauelement mit einem Schichtenstapel und einer selbsttragenden Trägerschicht ausgestaltet ist, wobei die Trägerschicht auf dem Schichtenstapel angeordnet und ausgehärtet ist.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein at least a part of the pn junctions ( 4 ) is configured as a thin-film semiconductor component with a layer stack and a self-supporting carrier layer, wherein the carrier layer is arranged and cured on the layer stack. Halbleiteranordnung (1) nach einem der vorigen Ansprüche, wobei mindestens ein Teil der pn-Übergänge (4) als doppelseitig elektromagnetische Strahlung emittierendes Dünnfilm-Halbleiterbauelement ausgeführt ist.Semiconductor arrangement ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein at least a part of the pn junctions ( 4 ) is designed as a double-sided electromagnetic radiation emitting thin-film semiconductor device. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung (1) mit den Schritten – Erstellen von pn-Übergängen (4), – Erstellen von elektrischen Leitungsanordnungen (3), und – Anordnen von pn-Übergängen (4).Method for producing a semiconductor device ( 1 ) with the steps - Creating pn-transitions ( 4 ), - creation of electrical line arrangements ( 3 ), and - arranging pn junctions ( 4 ). Verfahren nach Anspruch 25, wobei das Erstellen mindestens eines Teils der pn-Übergänge (4) beinhaltet, dass diese mittels eines thermischen oder eines Laserablöseverfahrens von einem Aufwachssubstrat abgelöst werden.The method of claim 25, wherein creating at least a portion of the pn junctions ( 4 ) involves detaching them from a growth substrate by means of a thermal or a laser stripping process. Verfahren nach Anspruch 25 oder 26, wobei mindestens ein Teil der elektrischen Leitungsanordnungen (3) mittels eines photo-lithographischen Verfahrens hergestellt wurde.Method according to claim 25 or 26, wherein at least a part of the electrical line arrangements ( 3 ) was prepared by a photo-lithographic process. Verfahren nach einem der Ansprüche 25 bis 27, wobei das Anordnen der pn-Übergänge folgende Schritte beinhaltet: – Bereitstellen eines Anschlussträgerverbunds, – Bereitstellen eines Halbleiterkörperträgers, auf dem gesonderte pn-Übergänge (4) angeordnet sind, – Anordnen des Anschlussträgerverbunds und des Halbleiterkörperträgers relativ zueinander, – Verbinden von pn-Übergängen (4) mit dem Anschlussträgerverbund in einem Montagebereich und Trennen der mit dem Anschlussträgerverbund zu verbindenden oder verbundenen pn-Übergänge (4) vom Halbleiterkörperträger, – Aufteilen des Anschlussträgerverbundes in eine Mehrzahl von gesonderten Bauelementen.Method according to one of claims 25 to 27, wherein the arranging of the pn junctions comprises the following steps: - providing a connection carrier assembly, - providing a semiconductor body carrier on which separate pn junctions ( 4 ), - arranging the connection carrier assembly and the semiconductor body carrier relative to each other, - connecting pn junctions ( 4 ) with the connection carrier assembly in a mounting region and separating the pn junctions to be connected or connected to the connection carrier assembly ( 4 ) of the semiconductor body carrier, - dividing the Anschlußussträgerverbundes into a plurality of separate components. Verfahren nach Anspruch 28, bei dem sich auf dem Anschlussträgerverbund bereits eine Anzahl von pn-Übergängen (4) und elektrischen Leitungsanordnungen (3) befindet, so dass mit den mittels des Halbleiterkörperträgers übertragenen pn-Übergängen (4) und elektrischen Leitungsanordnungen (3) zumindest ein Bauelement mit mindestens einer funktionsfähigen elektrischen Reihenschaltung auf dem Anschlussträgerverbund ausgebildet wird.Method according to Claim 28, in which a number of pn junctions ( 4 ) and electrical line arrangements ( 3 ), so that with the transmitted via the semiconductor body carrier pn junctions ( 4 ) and electrical line arrangements ( 3 ) at least one component with at least one functional electrical series circuit is formed on the connection carrier assembly.
DE102008005935A 2007-11-29 2008-01-24 Semiconductor arrangement and method for producing a semiconductor device Withdrawn DE102008005935A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008005935A DE102008005935A1 (en) 2007-11-29 2008-01-24 Semiconductor arrangement and method for producing a semiconductor device
PCT/DE2008/001912 WO2009067991A2 (en) 2007-11-29 2008-11-19 Semiconductor assembly and method for producing a semiconductor assembly

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007057469 2007-11-29
DE102007057469.1 2007-11-29
DE102008005935A DE102008005935A1 (en) 2007-11-29 2008-01-24 Semiconductor arrangement and method for producing a semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102008005935A1 true DE102008005935A1 (en) 2009-06-04

Family

ID=40585976

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102008005935A Withdrawn DE102008005935A1 (en) 2007-11-29 2008-01-24 Semiconductor arrangement and method for producing a semiconductor device

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102008005935A1 (en)
WO (1) WO2009067991A2 (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011092072A1 (en) * 2010-01-29 2011-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Illumination device
DE102011077644A1 (en) * 2011-06-16 2012-12-20 Osram Ag Illuminating device for e.g. video projector, has bonding wires which are provided between contact surface of n-polarized semiconductor light-emitting chip and front-side surface of metallization region
DE102013106593A1 (en) * 2013-04-09 2014-10-30 Unity Opto Technology Co., Ltd. Single-chip dual light-emitting element
DE102013107116A1 (en) * 2013-07-05 2015-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organic light emitting diode and method of operating an organic light emitting diode
WO2015140076A1 (en) * 2014-03-19 2015-09-24 Osram Oled Gmbh Organic radiation-emitting component
FR3039927A1 (en) * 2014-07-11 2017-02-10 Sunpartner Technologies SEMI-TRANSPARENT PHOTOVOLTAIC DEVICE ACTIVE ON BOTH SIDES AND METHODS OF MAKING SAME
JP2017199927A (en) * 2010-08-30 2017-11-02 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation Light-emitting device

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5471805B2 (en) * 2010-05-14 2014-04-16 サンケン電気株式会社 Light emitting device and manufacturing method thereof
US10439112B2 (en) 2012-05-31 2019-10-08 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods having improved performance
CN106910761B (en) * 2015-12-22 2019-12-13 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 display device with longer luminous life
CN106384733A (en) * 2016-10-31 2017-02-08 广东晶科电子股份有限公司 360-degree light-transmitting LED filament and preparation method thereof
CN108448001B (en) * 2018-04-02 2022-03-22 武汉天马微电子有限公司 Light-emitting device, electroluminescent display panel and display device

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1465256A1 (en) * 2003-04-03 2004-10-06 Micro Photonics Technology A method of producing a light source and a light source assembly
US20050127379A1 (en) * 2001-10-19 2005-06-16 Josuke Nakata Light emitting or light receiving semiconductor module and method for manufacturing same
US20050212007A1 (en) * 2004-03-29 2005-09-29 Daniels John J Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices
WO2006004337A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-12 Seoul Opto-Device Co., Ltd. Light emitting element with a plurality of cells bonded, method of manufacturing the same, and light emitting device using the same
DE102005009060A1 (en) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Module with radiation-emitting semiconductor bodies
WO2007016908A1 (en) 2005-08-05 2007-02-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing semiconductor components and thin-film semiconductor component
WO2007149362A2 (en) * 2006-06-16 2007-12-27 Articulated Technologies, Llc Solid state light sheet and bare die semiconductor circuits with series connected bare die circuit elements
DE102007009351A1 (en) * 2007-02-23 2008-08-28 Noctron Holding S.A. Lamp

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5658280A (en) * 1979-10-17 1981-05-21 Seiko Epson Corp Solar cell
JPS6030163A (en) * 1983-07-28 1985-02-15 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd Thin film solar cell module
JPS6189683A (en) * 1984-10-09 1986-05-07 Toshiba Corp Light emitting semiconductor device
JP2003036973A (en) * 2001-07-19 2003-02-07 Pioneer Electronic Corp Color display panel
US7034470B2 (en) * 2002-08-07 2006-04-25 Eastman Kodak Company Serially connecting OLED devices for area illumination
JP2005019082A (en) * 2003-06-24 2005-01-20 Totoku Electric Co Ltd Flexible display element
GB2427963A (en) * 2005-06-30 2007-01-10 Riso Nat Lab Dye-sensitised solar cells
KR100805038B1 (en) * 2006-05-04 2008-02-20 주식회사 엘지화학 Organic Light Emitting Diode And Method For Preparing Thereof

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050127379A1 (en) * 2001-10-19 2005-06-16 Josuke Nakata Light emitting or light receiving semiconductor module and method for manufacturing same
EP1465256A1 (en) * 2003-04-03 2004-10-06 Micro Photonics Technology A method of producing a light source and a light source assembly
US20050212007A1 (en) * 2004-03-29 2005-09-29 Daniels John J Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices
WO2006004337A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-12 Seoul Opto-Device Co., Ltd. Light emitting element with a plurality of cells bonded, method of manufacturing the same, and light emitting device using the same
DE102005009060A1 (en) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Module with radiation-emitting semiconductor bodies
WO2007016908A1 (en) 2005-08-05 2007-02-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing semiconductor components and thin-film semiconductor component
WO2007149362A2 (en) * 2006-06-16 2007-12-27 Articulated Technologies, Llc Solid state light sheet and bare die semiconductor circuits with series connected bare die circuit elements
DE102007009351A1 (en) * 2007-02-23 2008-08-28 Noctron Holding S.A. Lamp

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011092072A1 (en) * 2010-01-29 2011-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Illumination device
US9029878B2 (en) 2010-01-29 2015-05-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lighting device
JP2017199927A (en) * 2010-08-30 2017-11-02 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation Light-emitting device
US10546824B2 (en) 2010-08-30 2020-01-28 Epistar Corporation Light-emitting device
DE102011077644A1 (en) * 2011-06-16 2012-12-20 Osram Ag Illuminating device for e.g. video projector, has bonding wires which are provided between contact surface of n-polarized semiconductor light-emitting chip and front-side surface of metallization region
DE102013106593A1 (en) * 2013-04-09 2014-10-30 Unity Opto Technology Co., Ltd. Single-chip dual light-emitting element
DE102013106593B4 (en) 2013-04-09 2019-01-03 Unity Opto Technology Co., Ltd. Single-chip dual light-emitting element
DE102013107116A1 (en) * 2013-07-05 2015-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organic light emitting diode and method of operating an organic light emitting diode
DE102013107116B4 (en) 2013-07-05 2022-05-25 Pictiva Displays International Limited Organic light-emitting diode and method for operating an organic light-emitting diode
US20170110520A1 (en) * 2014-03-19 2017-04-20 Osram Oled Gmbh Organic Radiation-Emitting Component
WO2015140076A1 (en) * 2014-03-19 2015-09-24 Osram Oled Gmbh Organic radiation-emitting component
DE112015001312B4 (en) 2014-03-19 2023-05-17 Pictiva Displays International Limited Organic radiation-emitting device and method
FR3039927A1 (en) * 2014-07-11 2017-02-10 Sunpartner Technologies SEMI-TRANSPARENT PHOTOVOLTAIC DEVICE ACTIVE ON BOTH SIDES AND METHODS OF MAKING SAME

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009067991A2 (en) 2009-06-04
WO2009067991A3 (en) 2009-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102008005935A1 (en) Semiconductor arrangement and method for producing a semiconductor device
DE10145492B4 (en) Electroluminescent light emission device, in particular as a white light source
EP2215657B1 (en) Arrangement having at least two light-emitting semiconductor devices and method for manufacturing the same
DE102007041896A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device
DE102007011123A1 (en) Light-emitting module and method of manufacturing a light-emitting module
DE102008010512A1 (en) Optoelectronic component, particularly light emitting diode or photodiode, has semiconductor chip with chip lower side, and two electrical bondings with contact lower sides
DE102008005497A1 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component and a wafer
DE102014118238A1 (en) Light-emitting device, the same-containing lighting device and mounting substrate
DE102017106755A1 (en) Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component
DE102007044684A1 (en) Compact high intensity LED based light source and method of making same
DE102012106670A1 (en) LED package and process for its manufacture
DE102008012844A1 (en) Lighting device for providing background lighting of thin, laminar display device of e.g. mobile phone, has element emitting radiation in certain range, where element is embedded in medium so that radiation is emitted in direction of medium
DE102007043192A1 (en) LEDs module
DE102016116000A1 (en) Light-emitting device and lighting device
WO2018234160A1 (en) Semiconductor display, optoelectronic semiconductor component and method for producing same
DE102012200973A1 (en) LIGHT AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT
WO2018234119A1 (en) Arrangement having a plurality of light-emitting modules and method for producing an arrangement having a plurality of light-emitting modules
DE102008047579B4 (en) Lamp
DE112018000428T5 (en) Method for producing an optoelectronic element
WO2018134132A1 (en) Method for producing an optoelectronic semiconductor component, and optoelectronic semiconductor component
WO2015162023A1 (en) Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component
DE102007054800A1 (en) Luminescence conversion film for e.g. luminescence diode chip, has luminescence conversion material with fluorescent substance that is in form of organic particles, where film exhibits specific transparency to visible wavelength range
DE102017102619A1 (en) LED UNIT
WO2013124089A1 (en) Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component
DE102016208489A1 (en) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT AND OPTOELECTRONIC COMPONENT

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
R012 Request for examination validly filed
R012 Request for examination validly filed

Effective date: 20141124

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee