DE102008005935A1 - Semiconductor arrangement and method for producing a semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Eine Halbleiteranordnung mit einem Träger weist mindestens zwei flächig ausgestaltete pn-Übergnge auf, die am Träger in mindestens einer Ebene angebracht sind, so dass sich abwechselnd jeweils p- und n-Seiten verschiedener pn-Übergänge näher an der Trägeroberseite des Trägers befinden. Des Weiteren werden planare elektrische Leitungsanordnungen teilweise oberhalb und teilweise unterhalb der Ebene der pn-Übergänge angebracht. Durch eine geeignete Anordnung und Ausgestaltung von pn-Übergängen und elektrischen Leitungsanordnungen entsteht zumindest eine funktionsfähige elektrische Reihenschaltung der pn-Übergänge. Diese Anordnung ermöglicht es, eine großflächige und homogene, leuchtstarke Beleuchtungseinrichtung unkompliziert und flexibel gestaltbar aufzubauen und oftmals nötige komplexe flächige Lichtleiter zu vereinfachen oder einzusparen. Neben der Halbleiteranordnung selbst wird ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung beschrieben, das mit den Schritten Herstellen von pn-Übergängen, Herstellen von elektrischen Leitungsanordnungen und Anordnen der pn-Übergänge ein effizientes und kostengünstiges Produzieren der Halbleiteranordnung erlaubt.A semiconductor device with a carrier has at least two planar pn-junctions, which are attached to the carrier in at least one plane, so that alternately p- and n-sides of different pn-junctions are located closer to the carrier top side of the carrier. Furthermore, planar electrical line arrays are mounted partially above and partially below the plane of the pn junctions. By means of a suitable arrangement and configuration of pn junctions and electrical line arrangements, at least one functional electrical series circuit of the pn junctions is produced. This arrangement makes it possible to construct a large-area and homogeneous, bright illumination device simple and flexible designable and often to simplify or save the necessary complex planar light guide. In addition to the semiconductor device itself, a method of fabricating such an arrangement is described which, with the steps of fabricating pn junctions, fabricating electrical line assemblies, and arranging the pn junctions, allows efficient and inexpensive production of the semiconductor device.
Description
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit einem Träger und mit mindestens zwei pn-Übergängen, sowie ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Halbleiteranordnung.The The invention relates to a semiconductor device with a carrier and with at least two pn junctions, as well Method for producing such a semiconductor device.
Flächige, dünn ausgeführte Beleuchtungseinrichtungen sind aus dem heutigen Alltag in vielen Bereichen kaum mehr wegzudenken. Als einige Beispiele für die vielfältigen Anwendungen seien die Displays von Laptops, Mobiltelefonen oder MP3-Playern genannt. Zur Verbesserung der Produkte und um die Kundenfreundlichkeit zu steigern, geht das Bestreben der Technik dahin, leuchtstärkere, flächig größere und dabei dünnere Displays mit einer gleichmäßigen Leuchtverteilung zu erstellen. Dünnformatige Beleuchtungseinrichtungen finden hierbei beispielsweise für die Hintergrundbeleuchtung einer Flüssigkristallanordnung Verwendung. Geeignete, gängige, nur wenig Platz benötigende Lichtquellen wie Leuchtdioden bzw. LEDs strahlen allerdings in der Regel punkt- oder linienförmig ab, so dass erst über flächige Lichtleiter auch eine flächige Beleuchtungseinrichtung entsteht. Oft ist dieser Zwischenschritt, einen Flächenlichtleiter zu benützen, verbunden mit zusätzlichem Aufwand und somit Kosten bei gleichzeitiger Einschränkung der Leuchtkraft.scale, are thin running lighting devices From today's everyday life in many areas hardly to imagine. As some examples of the diverse applications be called the displays of laptops, mobile phones or MP3 players. To improve the products and to be more customer-friendly increase the effort of technology, luminous, flat larger and thinner Displays with a uniform distribution of light to create. Find thin-format lighting equipment Here, for example, for the backlight of a Liquid crystal device use. Suitable, common, only little space requiring light sources such as light emitting diodes or LEDs, however, usually radiate point or line starting, so that only over planar light guide too a flat lighting device is created. Often it is this intermediate step, to use a surface light guide, associated with additional effort and thus costs simultaneous limitation of luminosity.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Halbleiteranordnung zur Verfügung zu stellen, die es ermöglicht, sowohl großflächige als auch äußerst dünne Beleuchtungseinrichtungen zu realisieren, sowie ein Herstellungsverfahren für eine derartige Halbleiteranordnung anzugeben.task The invention is to provide a semiconductor device to provide, which allows both large-scale as well as extremely thin lighting devices to realize, as well as a production method for a specify such a semiconductor device.
Diese Aufgabe wird durch die in den nebengeordneten Patentansprüchen angegebenen Maßnahmen gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den untergeordneten Patentansprüchen angegeben.These Task is by the in the independent claims resolved measures. Further advantageous Embodiments are in the subordinate claims specified.
Eine Halbleiteranordnung mit einem Träger mit einer im wesentlichen, das heißt im Rahmen der Fertigungstoleranzen, flachen Trägeroberseite weist mindestens zwei flächig ausgestaltete pn-Übergänge auf, die am Träger in mindestens einer Ebene angebracht sind, so dass sich abwechselnd jeweils p- und n-Seiten verschiedener pn-Übergänge näher an der Trägeroberseite des Trägers befinden. Die Ladungsträgerrekombinationszonen dieser pn-Übergänge sind im wesentlichen, das heißt im Rahmen der Fertigungstoleranzen, parallel zur Trägeroberseite ausgerichtet. Des weiteren werden mindestens zu einem Teil im wesentlichen, das heißt im Rahmen der Fertigungstoleranzen, planare elektrische Leitungsanordnungen teilweise oberhalb und teilweise unterhalb der Ebene der pn-Übergänge angebracht. Die Leitungsanordnungen sind dabei im wesentlichen, das heißt im Rahmen der Fertigungstoleranzen, ebenfalls parallel zur Trägeroberseite ausgerichtet. Durch eine geeignete Anordnung und Ausgestaltung von pn-Übergängen und elektrischen Leitungsanordnungen entsteht zumindest eine funktionsfähige elektrische Reihenschaltung der pn-Übergänge. Diese Anordnung ermöglicht es, eine großflächige und homogene, leuchtstarke und äußerst dünne Beleuchtungseinrichtung unkompliziert und flexibel gestaltbar aufzubauen und oftmals nötige komplexe flächige Lichtleiter zu vereinfachen oder einzusparen.A Semiconductor device comprising a carrier having a substantially, that is in the context of manufacturing tolerances, flat carrier top has at least two planar pn junctions, which are attached to the carrier in at least one plane, so that alternately p- and n-sides of different pn-junctions closer to the carrier top of the carrier are located. The charge carrier recombination zones of these pn junctions are essentially, that is within the scope of manufacturing tolerances, aligned parallel to the carrier top. Furthermore be at least in part essentially, that is in the context of manufacturing tolerances, planar electrical line arrangements partly above and partly below the plane of the pn junctions appropriate. The line arrangements are essentially that is within the scope of manufacturing tolerances, also in parallel aligned to the carrier top. By a suitable Arrangement and design of pn junctions and electrical line arrangements arises at least one functional electrical series connection of the pn junctions. This arrangement allows a large area and homogeneous, bright and extremely thin Lighting device uncomplicated and flexibly designed to build and often necessary complex planar light guides to simplify or save.
Neben der Halbleiteranordnung selbst wird ein Verfahren zur Herstellung der Anordnung beschrieben, das mit den Schritten Herstellen von pn-Übergängen, Herstellen von elektrischen Leitungsanordnungen und Anordnen der pn-Übergänge ein effizientes und kostengünstiges Produzieren der Halbleiteranordnung erlaubt.Next The semiconductor device itself becomes a method for manufacturing the arrangement described with the steps of producing pn junctions, Manufacture of electrical line arrangements and arranging the pn junctions an efficient and cost effective Producing the semiconductor device allowed.
Durch eine zweidimensionale Anordnung der pn-Übergänge innerhalb einer Ebene am Träger lassen sich besonders große Abmessungen der Anordnung erreichen. Auch ist ein unkompliziertes Platzieren der pn-Übergänge möglich.By a two-dimensional arrangement of the pn junctions within a plane on the carrier can be particularly large Reach dimensions of the arrangement. Also is a straightforward Placing the PN junctions possible.
Durch eine Anordnung der pn-Übergänge in mehreren Ebenen wird eine äußerst kompakte und lichtkräftige Schaltung gewährleistet. Auch die Gestaltungsmöglichkeiten bezüglich der sich jeweils in einer Ebene befindlichen pn-Übergänge wird deutlich erhöht.By an arrangement of the pn junctions in several levels becomes an extremely compact and powerful Circuit guaranteed. Also the design possibilities with respect to each located in a plane pn transitions are significantly increased.
Sind die pn-Übergänge in Ebenen angeordnet, welche sich auf verschiedenen Seiten des Trägers befinden, lässt sich eine äußerste kompakte Schaltung realisieren, welche beidseitig sehr leuchtkräftig ist. Zudem sind beide Seiten des Trägers im Herstellungsverfahren leicht zugänglich.are the pn junctions arranged in planes, which can be located on different sides of the carrier leaves realize an outermost compact circuit, which is very luminous on both sides. In addition, both are Side of the carrier in the manufacturing process easily accessible.
Besondere Flexibilität ergibt sich, wenn die pn-Übergänge, welche mindestens einer Ebene einer- oder beidseits des Trägers angeordnet sind, dreidimensional, d. h. Ebenen übergreifend, verschalten sind. Durch eine solche dreidimensionale Schaltung lassen sich über einfache Herstellungsprozesse komplexe Schaltungsmuster realisieren.Special Flexibility arises when the pn junctions, which at least one level on one or both sides of the carrier are arranged, three-dimensional, d. H. Across levels, are interconnected. Let through such a three-dimensional circuit complex circuit patterns through simple manufacturing processes realize.
Durch eine reflektierende Schicht am Träger lässt sich elektromagnetische Strahlung gezielt von oder zu den pn- Übergängen leiten. Außerdem kann eine reflektierende Schicht, insbesondere falls metallisch ausgeführt und entsprechend strukturiert, beispielsweise zur elektrischen Kontaktierung der pn-Übergänge verwendet werden.By a reflective layer on the carrier can be Electromagnetic radiation targeted from or to the pn junctions conduct. In addition, a reflective layer, in particular if metallic and structured accordingly, for example, for electrical contacting of the pn junctions be used.
Durch das Auftragen einer Deckschicht auf mindestens einer Seite einer Ebene von pn-Übergängen wird der Schutz gegen äußere Einflüsse der Anordnung deutlich erhöht, beispielsweise gegenüber Feuchtigkeit oder mechanischer Belastung. Wird die mindestens eine Deckschicht nur zum Teil ausgeführt, bleiben weiterhin Areale der Anordnung von außen zugänglich. Über eine passende Gestaltung der Deckschicht lässt sich die Halbleiteranordnung auch an ein Gehäuse oder anderes Element nach außen anbringen.By applying a cover layer on at least one side of a plane of pn junctions, the protection against external influences of the arrangement is significantly increased, for example compared to Moisture or mechanical stress. If the at least one cover layer is executed only partially, areas of the arrangement remain accessible from outside. Via a suitable design of the cover layer, the semiconductor device can also be attached to a housing or other element to the outside.
Durch die Verwendung mindestens eines transparenten Materials für elektrische Leitungsanordnungen und/oder Deckschicht und/oder Träger kann elektromagnetische Strahlung verlustarm von bzw. zu den pn-Übergängen gelangen. Zudem lässt sich eine Halbleiteranordnung realisieren, welche z. B. im Bereich des optischen Lichts transparent ist.By the use of at least one transparent material for electrical line arrangements and / or cover layer and / or carrier can low-emission electromagnetic radiation from or to the pn junctions reach. In addition, a semiconductor device can be realized, which z. B. is transparent in the field of optical light.
Durch ein thermisch leitfähiges Material im Träger und/oder der Deckschicht lässt sich im Betrieb der pn-Übergänge anfallende thermische Leistung bzw. Abwärme effizient abführen.By a thermally conductive material in the carrier and / or the cover layer can be used during operation of the pn junctions dissipate accumulating thermal power or waste heat efficiently.
Gegebenenfalls anfallende Abwärme im Betrieb der pn-Übergänge lässt sich sehr effizient in größerem Umfang abführen, sofern der Raum zwischen Träger und Deckschicht so ausgestaltet ist, dass zwischen Träger und Deckschicht das Strömen einer Kühlflüssigkeit oder eines Kühlgases möglich ist.Possibly accumulating waste heat during operation of the pn junctions can be very efficiently in larger Dissipate the extent provided the space between carrier and cover layer is designed so that between carrier and cover layer, the flow of a cooling liquid or a cooling gas is possible.
Durch zusätzliche Schichten, die mechanisch schützend oder elektrisch isolierend sind, erhöhen sich die Ausgestaltungsmöglichkeiten der Halbleiteranordnung. Elektrische Leitungsanordnungen können so vor Kurzschlüssen geschützt werden. Beschädigungen von empfindlichen Oberflächen werden durch geeignete Schichten verringert.By additional layers that are mechanically protective or electrically insulating, increase the design options the semiconductor device. Electrical line arrangements can be protected against short circuits. damage of sensitive surfaces are made by suitable layers reduced.
Durch pn-Übergänge, die elektromagnetische Strahlung, z. B. im sichtbaren Spektralbereich, emittieren, wird es ermöglicht, die Halbleiteranordnung insbesondere als vielseitig gestaltbare Beleuchtungseinrichtung zu verwenden.By pn junctions, the electromagnetic radiation, z. B. in the visible spectral range emit, it is possible the semiconductor device in particular as versatile shapable Lighting device to use.
Durch eine Ausführung der Halbleiteranordnung, die es ermöglicht, dass die elektromagnetische Strahlung nach beiden Seiten mindestens einer Ebene der pn-Übergänge hin emittiert wird, entsteht eine kompakte Beleuchtungseinrichtung, die auch zu Zwecken der Raumbeleuchtung geeignet ist. Dies gilt insbesondere, wenn Träger und/oder Deckschicht reflektierende oder transparente Schichten umfassen.By an embodiment of the semiconductor device which makes it possible that the electromagnetic radiation to both sides at least is emitted at a level of the pn junctions, creates a compact lighting device, which is also for purposes the room lighting is suitable. This is especially true when carriers and / or cover layer reflective or transparent layers include.
Durch diffraktive oder refraktive optische Elemente an Träger und/oder Deckschicht wird es ermöglicht, elektromagnetische Strahlung gezielt, insbesondere richtungsabhängig, von den oder an die pn-Übergänge weg- bzw. hin zu leiten. Dies ermöglicht es, die Halbleiteranordnung als einen kompakten Richtstrahler oder Richtempfänger zu verwenden.By diffractive or refractive optical elements on carriers and / or cover layer allows electromagnetic Targeted radiation, in particular direction-dependent, of to or away from the pn junctions conduct. This makes it possible to use the semiconductor device as to use a compact directional or directional receiver.
Eine besonders kompakte und flexibel zu handhabende Anordnung entsteht, wenn die optisch diffraktiven oder refraktiven Elemente Fresnel-Zonen, Mikrolinsen, Mikrospiegel oder flächige, nano- oder mikrostrukturierte optisch wirksame Schichten sind. Solche optischen Elemente lassen sich leicht im Rahmen des Herstellungsprozesses in die Halbleiteranordnung integrieren.A particularly compact and flexible to handle arrangement arises if the optically diffractive or refractive elements Fresnel zones, Microlenses, micromirrors or planar, nano- or microstructured optically active layers are. Leave such optical elements easily in the context of the manufacturing process in the semiconductor device integrate.
Durch ein Konversionsmittel in der Halbleiteranordnung wird es ermöglicht, elektromagnetische Strahlung der pn-Übergänge in elektromagnetische Strahlung einer anderen Frequenz überzuführen. Durch das Konversionsmittel wird es insbesondere ermöglicht, blau abstrahlende LEDs zur Weißlichtbeleuchtung zu verwenden.By a conversion means in the semiconductor device makes it possible electromagnetic radiation of the pn junctions convert into electromagnetic radiation of a different frequency. By in particular, the conversion agent will allow blue emitting LEDs for white light illumination use.
Durch einen Filter in der Halbleiteranordnung, der in Transmission Teile der elektromagnetischen Strahlung absorbiert und/oder nur bestimmte Farben reflektiert, wird es ermöglicht, z. B. eine schmalbandige Lichtquelle zu erhalten. Erfolgt das Filtern nur zeitweise, ist eine günstige Verwendung, beispielsweise in Signalanlagen, möglich.By a filter in the semiconductor device, in transmission parts absorbed by the electromagnetic radiation and / or only certain colors reflected, it is possible, for. B. a narrowband To obtain light source. If the filtering is only temporary, is a favorable use, for example in signal systems, possible.
Durch ein geeignetes Konversionsmittel, einen Kristall oder einen photonischen Kristall in der Halbleiteranordnung ist es möglich, gleiche oder auch verschiedene Wellenlängen der elektromagnetischen Strahlung, welche von den pn-Übergängen emittiert werden, zu mischen. Dadurch werden, beispielsweise über Halbierung der Wellenlänge, neue Spektralbereiche, die auf herkömmliche Art nicht zugänglich sind, erreichbar.By a suitable conversion agent, a crystal or a photonic Crystal in the semiconductor device, it is possible to same or also different wavelengths of the electromagnetic Radiation that emits from the pn junctions be, to mix. This will, for example, over Halving the wavelength, new spectral ranges, the Conventionally accessible, accessible.
Sind elektrische Leitungsanordnungen und pn-Übergänge derart angeordnet, dass sich eine Mehrzahl an elektrisch separat ansprechbaren Reihenschaltungen ergibt, wird die Flexibilität der Anordnung signifikant erhöht. Bestimmte, auch verschiedene Frequenzen abstrahlende pn-Übergänge oder Areale der Beleuchtungseinrichtung lassen sich dadurch gezielt ansprechen. Insbesondere lassen sich hieraus Zeilen, zweidimensionale Felder oder Anzeigeeinrichtungen auf besondere Art und Weise herstellen.are electrical line arrangements and pn junctions arranged such that a plurality of electrically separate addressable series connections, the flexibility becomes the arrangement significantly increased. Certain, also different Frequency radiating pn junctions or areas the lighting device can be targeted thereby. In particular, this can be lines, two-dimensional fields or produce display devices in a special way.
Durch eine mechanisch flexibel ausgestaltete Halbleiteranordnung lassen sich ebenfalls flexible, mechanisch biegbare Beleuchtungseinrichtungen erstellen. Dies ermöglicht eine einfache Handhabung in Fertigung als auch später vielfältige Anwendungen z. B. in flexiblen Displays.By leave a mechanically flexible designed semiconductor device also flexible, mechanically bendable lighting equipment create. This allows easy handling in production as well as later diverse applications z. B. in flexible displays.
Durch weitere Halbleiterbauelemente neben den pn-Übergängen in mindestens einer der Reihenschaltungen oder in einer separaten Reihenschaltung lassen sich Größen wie Strom, Spannung und Temperatur messen und/oder regeln. Dadurch lässt sich beispielsweise eine Schaltung mit einbauen, welche die Halbleiteranordnung vor eventueller Überlastung schützen kann. Sind insbesondere Sensoren für Helligkeit integriert, so lässt sich eine Lichtquelle mit konstanter Helligkeit bzw. Abstrahlung realisieren.By means of further semiconductor components in addition to the pn junctions in at least one of the series circuits or in a separate series circuit, variables such as current, voltage and temperature can be measured and / or regulated. As a result, for example, a circuit can be installed, which can protect the semiconductor device from eventual overload. If, in particular, sensors for brightness are integrated, then a light source with constant brightness or radiation can be realized.
Ist
mindestens ein Teil der pn-Übergänge als Dünnfilm-Halbleiterbauelement
ausgeführt, welche Schichtenstapel und eine selbsttragende
Trägerschicht umfassen, so lassen sich besonders dünne Halbleiteranordnungen
und somit Beleuchtungseinrichtungen herstellen. Durch die kompakte
Bauweise können auch sehr hohe Flächenleuchtstärken
realisiert werden. Die pn-Übergänge können
so ausgestaltet sein, dass sie frei von einem Aufwachssubstrat sind
und lediglich eine epitaktisch gewachsene Schichtenfolge umfassen.
Bevorzugt beträgt die Dicke eines derartigen Halbleiterbauteils
weniger als 100 μm, besonders bevorzugt weniger als 20 μm, beispielsweise
10 μm oder 6 μm. Solche Dünnfilm-Halbleiterbauelemente
können beispielsweise wie die der Druckschrift
Werden Dünnfilm-Halbleiterbauelemente als pn-Übergänge verwendet, so ist es besonders vorteilhaft, wenn diese dazu geeignet sind, auf beiden Seiten elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Dadurch wird ein einfach aufgebautes, kompaktes Beleuchtungselement, beispielsweise für Raumbeleuchtungen, ermöglicht.Become Thin-film semiconductor devices as pn junctions used, so it is particularly advantageous if this is suitable are to emit electromagnetic radiation on both sides. Thereby is a simply constructed, compact lighting element, for example for room lighting.
Beinhaltet der Herstellungsprozess der Halbleiteranordnung ein thermisches oder Laserablöseverfahren, bei dem ein aktiver Schichtenstapel von einem Aufwachssubstrat abgelöst werden kann, so sind besonders dünne pn-Übergänge herstellbar. Des Weiteren können über ein solches Ablöseverfahren bereits bestimmte Halbleiterchips oder pn-Übergänge von einem Substrat entfernt werden, so dass sich bereits beim Ablösen vom Substrat etwa eine zweidimensionale Anordnung von Halbleiterchips oder pn-Übergängen realisieren lässt.includes the manufacturing process of the semiconductor device is a thermal one or laser stripping method in which an active layer stack can be detached from a growth substrate, so are especially thin pn junctions can be produced. Of Others may be via such a stripping process already certain semiconductor chips or pn junctions be removed from a substrate, so that already during peeling from the substrate about a two-dimensional array of semiconductor chips or Pn transitions can be realized.
Wird mindestens ein Teil der elektrischen Leitungsanordnungen mittels eines photo-lithographischen Verfahrens hergestellt, so lassen sich auf einfache Art und Weise die elektrischen Verbindungen in passender Geometrie anbringen. Dies erleichtert den Herstellungsprozess signifikant, da etwa ein nachträgliches Verbonden der Halbleiterbauelemente mittels Drähten unterbleiben kann. Auch komplexere Aufbauten von Schaltungen werden ermöglicht.Becomes at least a part of the electrical line arrangements by means made of a photolithographic process, so can be in a simple way, the electrical connections in matching Attach geometry. This significantly facilitates the manufacturing process, because about a subsequent bonding of the semiconductor devices can be omitted by wires. Also more complex structures of circuits are possible.
pn-Übergänge, die insbesondere flächig und zweidimensional angeordnet sind, werden flexibel, günstig und effizient mit einem speziellen Verfahren hergestellt. Hierbei werden zuerst ein Anschlussträgerverbund und ein Halbleiterkörperträger, auf dem sich gesonderte pn-Übergänge befinden, bereitgestellt. Anschließend werden Anschlussträgerverbund und Halbleiterkörperträger relativ zueinander so angeordnet, dass zumindest ein Teil der pn-Übergänge mit dem Anschlussträgerverbund verbunden werden kann. Daraufhin wird der soeben mit dem Anschlussträger verbundene Teil der pn-Übergänge vom Halbleiterkörperträger getrennt und der Anschlussträgerverbund je nach Erfordernissen in eine Mehrzahl von Bauelementen aufgeteilt.pn junctions, in particular arranged flat and two-dimensional are flexible, cheap and efficient with one produced special procedures. Here are first a connection carrier composite and a semiconductor body carrier on which separate pn junctions are provided. Subsequently become Anschlußussträgerverbund and semiconductor body carrier arranged relative to each other so that at least part of the pn junctions with can be connected to the Anschlussträgerverbund. thereupon becomes the part just connected to the connection carrier the pn junctions from the semiconductor body carrier separated and the connection carrier assembly as required divided into a plurality of components.
Die Effizienz dieses Verfahrens ist dann besonders groß, wenn sich auf dem Anschlussträgerverbund bereits eine Anzahl von pn-Übergängen und elektrischen Leitungsanordnungen befindet, so dass sich mit den vom Halbleiterkörperträger übertragenen pn-Übergängen und elektrischen Leitungsanordnungen zumindest ein Bauelement mit mindestens einer funktionsfähigen elektrischen Reihenschaltung gemäß vorigen Beschreibungen auf dem Anschlussträgerverbund ergibt. Die Anordnung der pn-Übergänge lässt sich somit über ein Zusammensetzen zweier als Negative wirkender Träger erzeugen. Werden als pn-Übergänge Dünnfilm-Halbleiterbauelemente und als Trägermaterialien beispielsweise Folien verwendet, so ergibt sich nach Abschluss der Herstellung eine äußerst dünne Anordnung, welche flexibel gestaltet sein kann.The Efficiency of this process is particularly great when already a number on the connection carrier network of pn junctions and electrical line assemblies is located so that with the transmitted from the semiconductor body carrier pn junctions and electrical line assemblies at least one component with at least one functional electrical series connection according to previous descriptions on the connection carrier composite results. The arrangement of pn transitions can thus be over a composition of two acting as a negative carrier produce. Become as pn junctions thin-film semiconductor devices and used as support materials, for example, films, so comes after completion of the production an extremely thin arrangement, which can be designed flexibly.
Nachfolgend wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt.following the invention with reference to the drawing based on Embodiments described. Same reference numerals indicate the same elements in the individual figures. There are but not to scale shown.
Es zeigen:It demonstrate:
In
Die
Leitungsanordnungen
Die
sich zwischen Dioden
Zwischen
den einzelnen Dioden
Optional
ist es möglich, die elektrischen Leitungsanordnungen
Im
Falle hoher Packungsdichten der Dioden
Sind
Träger
Alternativ
kann die reflektierende Schicht
Optional
ist auch die Verwendung verschiedener Konversionsmittel
Das
Anwendungsbeispiel gemäß
Im
Ausführungsbeispiel in
In
Optional
können die Leitungsanordnungen
Die
dünnen, metallischen Leitungsanordnungen
Dienen
als Träger
Zur
mechanischen Stützung der Dioden
Eine
matrizenähnliche Anordnung von Dioden
Der
Träger
Auch
komplexere, sich über mehrere Lagen erstreckende dreidimensionale
Reihenschaltungen der Dioden
Die
in den beschriebenen Ausführungsbeispielen auftretenden
Reihenschaltungen müssen nicht ausschließlich
aus Dioden
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
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