DE102007040822B4 - Kupferlegierung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

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    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
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    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C9/00Alloys based on copper
    • C22C9/06Alloys based on copper with nickel or cobalt as the next major constituent

Abstract

Kupferlegierung, die 0,8 bis 1,8 Massen-% Co, 0,16 bis 0,6 Massen-% Si enthält, und der Rest aus Cu und unvermeidbaren Verunreinigungen besteht, wobei
ein Massenverhältnis von Co zu Si (Co/Si) zwischen 3,0 und 5,0 liegt;
wobei die Kupferlegierung, die einer Aushärtungsbehandlung unterzogen wurde, bei einer Abkühlrate von 10°C/h bis 50°C/h auf mindestens 380°C abgekühlt wurde, so dass
eine Größe von Einschlüssen, die in der Kupferlegierung ausgeschieden werden sollen, 2 μm oder darunter beträgt; und
ein Gesamtvolumen der Einschlüsse mit einer Größe von 0,05 bis 2 μm in der Kupferlegierung 0,5 Vol.-% oder weniger beträgt.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Kupferlegierung und ein Verfahren zu deren Herstellung. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine Kupferlegierung, die für Elektronikbauteile verwendet wird, und auf ein Verfahren zu deren Herstellung.
  • 2. Beschreibung des verwandten Stands der Technik
  • In Anschlussrahmen mit darauf angebrachten integrierten Schaltungen (ICs) haben Steckanschlüsse, die bei elektronischen Vorrichtungen o. dgl. verwendet werden sollen, Reduzierungen in der Dicke des Anschlussrahmens und Zunahmen in der Anzahl von Stiften oder Pins und Abnahmen in der Anschlussteilung mit der Miniaturisierung und Multifunktionalisierung der zu verwendenden Vorrichtungen zugenommen, und damit wuchs auch die Packungsflächendichte an. Aus diesen Gründen besteht eine zunehmende Nachfrage nach zuverlässigen Verbindungen bei der Bestückung mit elektronischen Bauteilen.
  • Das heißt, ein Metallwerkstoff, der für solche Elektronikbauteile verwendet wird, muss eine weiterentwickelte Festigkeit haben, weil eine Miniaturisierung elektronischer Bauteile zu Reduzierungen in der Dicke führt. Darüber hinaus muss der Metallwerkstoff eine weiterentwickelte Leitfähigkeit haben, weil Zunahmen in der Anzahl von Stiften oder Pins und Abnahmen in der Teilung zu Reduzierungen in der Querschnittsfläche führen.
  • Als ein Metallwerkstoff, der für Elektronikbauteile mit hoher Festigkeit und hoher Leitfähigkeit verwendet wird, ist herkömmlicher Weise ein Legierungsmaterial bekannt, das Beryllium (Be) enthält, das zu Kupfer (Cu) zugesetzt ist. Unter diesen Legierungsmaterialien gibt es einige, die eine hohe Zugfestigkeit von 800 N/mm2 oder darüber und eine hohe Leitfähigkeit von 50% IACS (International Annealed Copper Standard) oder darüber haben.
  • Allerdings wird nun unter Berücksichtigung jüngster Umweltprobleme die Verwendung eines Be enthaltenden Legierungsmaterials vermieden. Somit haben Kupferlegierungen, die solche Legierungsmaterialien ersetzen, Aufmerksamkeit auf sich gezogen.
  • Unter den Kupferlegierungen ist eine Legierung auf Cu-Co-Si-Basis als eine ausscheidungsgehärtete Legierung bekannt, in der eine feine Co2Si-Intermetallverbindung dispergiert und in Cu ausgeschieden wird und als eine Sperre gegen Transformation dient, um eine weiter verbesserte Festigkeit und Leitfähigkeit bereitzustellen. Es wird berichtet, dass die Festigkeit und Leitfähigkeit weiter verbessert werden kann, wenn die Zugabemengen von Co und Si eingestellt und noch Spurenmengen von Additiven zugesetzt werden.
  • Ein Beispiel für die herkömmliche Legierung auf Cu-Co-Si-Basis ist eine Kupferlegierung, die für Anschlussrahmen verwendet werden, und die 0,4 bis 1,6 Gew.-% Co, 0,1 bis 0,5 Gew.-% Si enthält, der Rest aus Cu und unvermeidbaren Unreinheiten besteht, und darüber hinaus 0,05 bis 1,0 Gew.-% Zn und 0,0005 bis 0,1 Gew.-% mindestens eines Elements enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Ca, Y, Seltenerdelementen, Ti, Zr, Hf, V und Nb ausgewählt ist (siehe z. B. JP 2-277735A ).
  • Ein anderes Beispiel hierfür ist eine Kupferlegierung, die für elektronische und elektrische Bauteile verwendet wird, und die 0,1 bis 3,0 Gew.-% Co, 0,3 bis 1,0 Gew.-% Si, 0,3 bis 1,0 Gew.-% Zn, 0,005 bis 0,1 Gew.-% Mn, 0,005 bis 0,1 Gew.-% P enthält, der Rest aus Cu und unvermeidbaren Unreinheiten besteht, die eine Verbindung aus Co und Si und eine Verbindung aus Co und P in einer Ausgangsphase mit einer mittleren Korngröße der Ausgangsphase von 20 μm oder weniger enthält, und ein Längenverhältnis in einer Dickenrichtung im Hinblick auf eine Walzrichtung zwischen 1 und 3 hat (siehe z. B. JP 9-20943A ). Eine ähnliche Kupferlegierung ist ferner in der JP 04180531 A beschrieben.
  • Jedoch kann es sein, dass in herkömmlichen Kupferlegierungen zusätzliche Mengen an Co, Si und anderen Elementen und ein Verhältnis Co/Si nicht optimiert und die Kupferlegierung keine geeignete Struktur haben kann. Somit hat keine herkömmliche Kupferlegierung eine ausgezeichnete Festigkeit und Leitfähigkeit. Beispielsweise wurden Studien an der Zusammensetzung der Kupferlegierung in der JP 2-277735 A und JP 9-20943 A durchgeführt, aber es wurden keine Studien über die in der Kupferlegierung enthaltenen und auszuscheidenden Einschlüsse durchgeführt. Somit weisen Kupferlegierungen, wie beispielsweise die in der US 1,778,668 beschriebene, insofern Probleme auf, als sie keine geeignete Struktur haben und beispielsweise entweder die Festigkeit oder die Leitfähigkeit unzureichend ist. Im Ergebnis können herkömmliche Kupferlegierungen nicht zur gleichen Zeit eine Zugfestigkeit von 700 N/mm2 oder darüber und eine Leitfähigkeit von 60% IACS oder darüber erfüllen.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung wurde im Hinblick darauf gemacht, die wie vorstehend beschriebenen Probleme zu lösen, und eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Kupferlegierung mit ausgezeichneter Festigkeit und Leitfähigkeit, insbesondere eine Kupferlegierung mit einer Zugfestigkeit von 700 N/mm2 oder darüber und einer Leitfähigkeit von 60% IACS oder darüber bereitzustellen.
  • Diese Aufgaben sind erfindungsgemäß durch eine Kupferlegierung gemäß Anspruch 1 sowie durch ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Kupferlegierung gemäß Anspruch 5 gelöst.
  • Eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung einer Kupferlegierung mit den wie vorstehend beschriebenen Eigenschaften bereitzustellen.
  • Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben extensive Studien durchgeführt, um die wie vorstehend beschriebenen Probleme zu lösen, und fanden heraus, dass die Zusammensetzung einer Kupferlegierung und die Größe und die Gesamtmengen an Einschlüssen, die in der Kupferlegierung enthalten sind und ausgeschieden werden sollen, optimiert werden müssen, um eine Struktur der Kupferlegierung zu optimieren. Somit haben die Erfinder die vorliegende Erfindung zum Abschluss gebracht.
  • Und zwar stellt die vorliegende Erfindung eine Kupferlegierung bereit, die 0,8 bis 1,8 Massen-% Co, 0,16 bis 0,6 Massen-% Si enthält, und der Rest aus Si und unvermeidbaren Verunreinigungen besteht, wobei ein Massenverhältnis von Co zu Si (Co/Si) zwischen 3,0 und 5,0 liegt; die Größe von Einschlüssen, die in der Kupferlegierung ausgeschieden werden sollen, 2 μm oder darunter beträgt; und das Gesamtvolumen der Einschlüsse mit einer Größe von 0,05 bis 2 μm in der Kupferlegierung 0,5 Vol.-% oder weniger beträgt.
  • Darüber hinaus stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Kupferlegierung bereit, das die folgenden Schritte beinhaltet: (a) Schmelzen eines Kupferlegierungsrohmaterials, das 0,8 bis 1,8 Massen-% Co, 0,16 bis 0,6 Massen-% Si enthält, und der Rest aus Cu und unvermeidbaren Unreinheiten besteht, und ein Massenverhältnis von Co zu Si (Co/Si) hat, das zwischen 3,0 und 5,0 liegt, um einen Rohblock zu bilden, und Walzen des Rohblocks; (b) Ausführen einer Lösungsbehandlung, die es mit sich bringt, das gewalzte Material auf 700°C bis 1.000°C zu erhitzen und abzuschrecken; (c) Ausführen einer Aushärtungsbehandlung durch Erhitzen eines der Lösungsbehandlung unterzogenen Legierungsmaterials auf 400°C bis 600°C für 2 Stunden bis 8 Stunden; (d) Abkühlen des der Aushärtungsbehandlung unterzogenen Legierungsmaterials auf mindestens 380°C mit einer Abkühlungsrate zwischen 10°C/h und 50°C/h; und (e) Endbearbeiten des abgekühlten Legierungsmaterials durch Kaltwalzen.
  • Nach der vorliegenden Erfindung kann eine optimale ausgeschiedene Menge einer Co2Si-Verbindung in der Kupferlegierung enthalten sein, und der Gehalt an den Elementen Co und Si, die in einem festen Lösungszustand übrig blieben, kann gesenkt werden. Somit kann eine Kupferlegierung mit ausgezeichneter Festigkeit und Leitfähigkeit, insbesondere eine Kupferlegierung mit einer Zugfestigkeit von 700 N/mm2 oder darüber und einer Leitfähigkeit von 60% IACS oder darüber bereitgestellt werden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist ein Ablaufschema, das ein Verfahren zur Herstellung einer Kupferlegierung nach der vorliegenden Erfindung darstellt; und
  • 2 ist eine grafische Darstellung, die ein Verhältnis zwischen der Zugfestigkeit und Leitfähigkeit von Kupferlegierungen zeigt, die in Beispielen 1 und 2 und Vergleichbeispielen 1 und 2 erhalten werden.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Ausführungsform 1
  • (Kupferlegierung)
  • Eine Kupferlegierung der vorliegenden Erfindung besteht aus 0,8 bis 1,8 Massen-% Co, 0,16 bis 0,6 Massen-% Si und der Rest aus Cu und unvermeidbaren Unreinheiten. Im Falle, dass der Co-Gehalt weniger als 0,8 Massen-% oder der Si-Gehalt weniger als 0,16 Massen-% beträgt, entsteht keine ausreichende Menge an einer Co2Si-Verbindung, und die gewünschte Festigkeit und Leitfähigkeit kann nicht erzielt werden. Beträgt hingegen der Co-Gehalt mehr als 1,8 Massen-% oder der Si-Gehalt mehr als 0,6 Massen-%, wird eine überschüssige Menge einer Co-Si-Verbindungsphase oder einer Cu-Co-Si-Legierungsphase ausgeschieden, und die gewünschte Festigkeit und Leitfähigkeit kann nicht erzielt werden.
  • Darüber hinaus liegt ein Massenverhältnis von Co zu Si (Co/Si) in einem Bereich zwischen 3,0 und 5,0. Im Falle, dass das Massenverhältnis weniger als 3,0 oder mehr als 5,0 beträgt, wird eine überschüssige Menge einer Co-Si-Verbindungsphase oder einer Cu-Co-Si-Legierungsphase, welche die Co2Si-Verbindungs ausschließt, ausgeschieden, und die gewünschte Festigkeit und Leitfähigkeit kann nicht erzielt werden.
  • Die unvermeidbaren Unreinheiten beziehen sich in der vorliegenden Erfindung auf Substanzen, die in einem allgemeinen Grundmetall eingeschlossen sind, oder auf Unreinheiten, die während der Produktion in die Kupferlegierung gemischt werden, und Beispiele dafür umfassen As, Sb, Bi, Pb, S, Fe, O2 und H2. Von diesen hat vom Gesichtspunkt einer Verbesserung der Adhäsion der galvanischen Beschichtung und der Löteigenschaften her, die Kupferlegierung der vorliegenden Erfindung vorzugsweise einen O2-Gehalt von 10 ppm oder darunter und einen H2-Gehalt von 1 ppm oder darunter. In Fällen, bei denen der O2-Gehalt mehr als 10 ppm beträgt, können die Adhäsion der galvanischen Beschichtung und die Löteigenschaften schlechter werden. In Fällen, bei denen der H2-Gehalt mehr als 1 ppm beträgt, können die Adhäsion der galvanischen Beschichtung und die Löteigenschaften schlechter werden.
  • Darüber hinaus werden in der Kupferlegierung der vorliegenden Erfindung enthaltene Einschlüsse ausgeschieden, und die Größe der Einschlüsse beträgt 2 μm oder weniger. In Fällen, bei denen die Größe der Einschlüsse mehr als 2 μm beträgt, kann die gewünschte Festigkeit nicht erzielt werden, und die Adhäsion der galvanischen Beschichtung wird schlechter.
  • In der vorliegenden Erfindung beziehen sich die Einschlüsse auf große ausgeschiedene Partikel, die während der Produktion der Kupferlegierung entstehen. Um genau zu sein, bezieht sich der Begriff Einschlüsse auf Partikel von Oxiden, die durch Reaktion mit der Atmosphäre entstehen, oder auf Partikel ungewünschter Co-Si-Verbindungsphasen oder Cu-Co-Si-Legierungsphasen, welche die feine Co2Si-Verbindung ausschließen.
  • Die Größe der Einschlüsse bezieht sich auf den Durchmesser der Einschlüsse, wenn diese kugelförmig sind, und bezieht sich auf einen kleineren Durchmesser oder eine kürzere Seite der Einschlüsse, wenn diese elliptisch oder rechteckig sind.
  • In der Kupferlegierung der vorliegenden Erfindung beträgt das Gesamtvolumen der Einschlüsse mit einer Größe zwischen 0,05 und 2 μm in der Kupferlegierung 0,5 Vol.-% oder weniger. Im Falle, dass das Gesamtvolumen der Einschlüsse mehr als 0,5 Vol.-% beträgt, kann die gewünschte Festigkeit nicht erzielt werden, und die Adhäsion der galvanischen Beschichtung wird schlechter.
  • Das Volumenverhältnis der Einschlüsse in der Kupferlegierung der vorliegenden Erfindung kann durch Polieren eines Abschnitts der Kupferlegierung der vorliegenden Erfindung und Beobachten der polierten Fläche mit einem Rasterelektronenmikroskop bestimmt werden. Das Volumenverhältnis der Einschlüsse kann dadurch bestimmt werden, dass ein Beobachtungsbereich in diesem Fall als ein Bereich an einer vorbestimmten Tiefe (z. B. 1 μm) oder mehr, ausgehend von einer obersten Fläche einer Probe festgelegt wird, die Gesamtfläche der Einschlüsse durch Bildverarbeitung in den Beobachtungsbereich eingefügt wird, und die Gesamtfläche durch den Beobachtungsbereich bestimmt wird. Um genau zu sein, werden fünf beliebige Beobachtungsbereiche von ca. 100 × 100 μm beobachtet, und ein Mittelwert von Flächenverhältnissen der Einschlüsse in jedem Beobachtungsbereich wird als Volumenverhältnis der Einschlüsse bezeichnet.
  • Die Kupferlegierung der vorliegenden Erfindung kann vom Gesichtpunkt her, die Adhäsion der galvanischen Beschichtung zu verbessern, Zn enthalten. Zn hat die Wirkung, eine Zwischenflächenablösung aufgrund einer Veränderung mit der Zeit nach einer Sn-Galvanisierung (Verzinnung) und Sn-Legierungsgalvanisierung zu unterdrücken. Der Zn-Gehalt beträgt vorzugsweise 0,1 bis 1,0 Massen-%. Ein Zn-Gehalt innerhalb des oben angegebenen Bereichs kann die Adhäsion der galvanischen Beschichtung verbessern, ohne die Festigkeit und Leitfähigkeit der Kupferlegierung herabzusetzen. In Fällen, bei denen der Zn-Gehalt weniger als 0,1 Massen-% beträgt, können die Wirkungen, die Adhäsion der galvanischen Beschichtung durch Zn-Zusatz zu verbessern, nicht erzielt werden. In Fällen hingegen, bei denen der Zn-Gehalt mehr als 1,0 Massen-% beträgt, kann die Leitfähigkeit schlechter werden.
  • Die Kupferlegierung der vorliegenden Erfindung kann vom Gesichtspunkt her, die Festigkeit weiter zu verbessern, ein oder mehrere Element/e enthalten, die aus der Gruppe ausgewählt sind, die aus Fe, Ni, P, Sn, Mg, Zr, Cr und Mn besteht. Von diesen sind Fe und Ni bevorzugter, weil diese Elemente jeweils die Wirkung haben, durch Ausbildung feiner Kristallkörner die Biegebearbeitbarkeit zu verbessern. Der Gehalt an den Elementen beträgt insgesamt vorzugsweise 0,01 bis 0,2 Massen-%. In Fällen, bei denen der Gehalt an den Elementen weniger als 0,01 Massen-% beträgt, können die Wirkungen, die Festigkeit durch Zusatz der Elemente zu verbessern, nicht erzielt werden. In Fällen hingegen, bei denen der Gehalt an den Elementen mehr als 0,2 Massen-% beträgt, kann die Leitfähigkeit schlechter werden.
  • (Verfahren zur Herstellung von Kupferlegierung)
  • In einem herkömmlichen Verfahren zur Herstellung einer Kupferlegierung wird ein Rohblock, der durch Schmelzen und Gießen eines Kupferlegierungsrohmaterials erhalten wurde, einem Warmwalzvorgang unterzogen, dann einem Kaltwalzvorgang u. dgl., wodurch Struktur- oder Gitterfehler in der Kupferlegierung entstehen.
  • Beispielsweise wird in einem Verfahren zur Herstellung einer Kupferlegierung in der JP 2-277735 A ein Kupferlegierungsrohmaterial geschmolzen und in eine Form gegossen, um einen Rohblock mit gewünschten Abmessungen zu erhalten. Der Rohblock wird bei 950°C einem Warmwalzvorgang unterzogen und dann sofort wassergekühlt. Dann wird eine Fläche der warmgewalzten Platte einem Fräsvorgang unterzogen, einem Kaltwalzvorgang bis zu einer gewünschten Dicke, und dann wird das sich ergebende Produkt bei 500°C 1 Stunde lang einer Wärmebehandlung unterzogen, wieder einem Warmwalzvorgang bis zu einer gewünschten Dicke, und dann 1 Stunde lang bei 300°C einem Entspannungsvorgang unterzogen.
  • In einem Verfahren zur Herstellung einer Kupferlegierung wird in der JP 9-20943 A ein Kupferlegierungsrohmaterial geschmolzen und gegossen, um einen Rohblock mit gewünschten Abmessungen zu erhalten. Dann wird der Rohblock 3 Stunden lang auf 980°C gehalten, einem Warmwalzvorgang unterzogen, und einem Fräs- oder Ätzprozess und einem Schwabbelvorgang unterzogen, um dadurch die gewünschten Abmessungen zu erhalten. Als Nächstes wird das sich ergebende Produkt einem Kaltwalzvorgang auf 85% oder darüber unterzogen, 5 bis 30 Minuten lang einem Entspannungsvorgang bei zwischen 450 und 480°C, einem Kaltwalzvorgang auf 30% oder darunter, und 30 bis 120 Minuten lang einer Aushärtungsbehandlung bei zwischen 450 und 500°C.
  • Dabei haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung extensive Studien über ein Verfahren zur Herstellung einer Kupferlegierung angestellt, welche die wie vorstehend beschriebenen Eigenschaften hat. Als Ergebnis fanden die Erfinder der vorliegenden Erfindung heraus, dass das Einbringen von Struktur- oder Gitterfehlern durch Kaltwalzen o. dgl. nach dem Warmwalzen nicht von Bedeutung ist, und das Abkühlen der Kupferlegierung, die der Aushärtungsbehandlung unterzogen wurde, auf mindestens 380°C bei einer Abkühlungsrate zwischen 10°C/h und 50°C/h von Belang ist, um die Festigkeit und Leitfähigkeit der Kupferlegierung zu verbessern.
  • Um genauer zu sein, die Erfinder der vorliegenden Erfindung fanden heraus, dass in die Kupferlegierung ausreichende Struktur- oder Gitterfehler durch das Abschrecken nach der Lösungsbehandlung eingebracht werden, und dass ein zusätzliches Einbringen von Spannung durch Kaltwalzen o. dgl. nicht nötig ist. Dabei haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung über Versuche herausgefunden, dass die Regelung der Abkühlrate auf zwischen 10°C/h und 50°C/h nach der Aushärtungsbehandlung ohne Kaltwalzen o. dgl. die Wirkungen bereitstellt, eine ausreichende Menge der Co2Si-Verbindung auszuscheiden und zu verhindern, dass eine Restspannung in der Kupferlegierung verbleibt.
  • Das heißt, das Verfahren zur Herstellung einer Kupferlegierung nach der vorliegenden Erfindung umfasst die folgenden Schritte: (a) Schmelzen eines Kupferlegierungsrohmaterials, das 0,8 bis 1,8 Massen-% Co, 0,16 bis 0,6 Massen-% Si enthält, und der Rest aus Cu und unvermeidbaren Unreinheiten besteht, und ein Massenverhältnis von Co zu Si (Co/Si) hat, das zwischen 3,0 und 5,0 liegt, um einen Rohblock zu bilden, und Walzen des Rohblocks; (b) Ausführen einer Lösungsbehandlung, die es mit sich bringt, das gewalzte Material auf 700°C bis 1.000°C zu erhitzen und abzuschrecken; (c) Ausführen einer Aushärtungsbehandlung durch Erhitzen eines der Lösungsbehandlung unterzogenen Legierungsmaterials auf 400°C bis 600°C für 2 Stunden bis 8 Stunden; (d) Abkühlen des der Aushärtungsbehandlung unterzogenen Legierungsmaterials auf mindestens 380°C mit einer Abkühlungsrate zwischen 10°C/h und 50°C/h; und (e) Endbearbeiten des abgekühlten Legierungsmaterials durch Kaltwalzen.
  • Im Schritt (a) kann das Kupferlegierungsrohmaterial vom Gesichtspunkt her, die Adhäsion der galvanischen Beschichtung zu verbessern, darüber hinaus noch 0,1 bis 1,0 Massen-% Zn enthalten. Die Gründe für die Mischungsmenge sind vorstehend beschrieben.
  • Das Kupferlegierungsmaterial kann darüber hinaus, vom Gesichtspunkt her, die Festigkeit zu verbessern, insgesamt 0,01 bis 0,2 Massen-% eines Elements oder mehrerer Elemente enthalten, das/die aus der Gruppe ausgewählt ist/sind, die aus Fe, Ni, P, Sn, Mg, Zr, Cr und Mn besteht. Die Gründe für die Mischungsmenge sind vorstehend beschrieben.
  • Das Kupferlegierungsrohmaterial kann vom Gesichtspunkt her, die Adhäsion der galvanischen Beschichtung und die Löteigenschaften zu verbessern, einen O2-Gehalt von 10 ppm oder weniger und einen H2 Gehalt von 1 ppm oder weniger haben. Die Gründe für die Mischungsmenge sind vorstehend beschrieben. Ein Verfahren zum Senken des O2- und H2-Gehalts im Kupferlegierungsrohmaterial ist nicht besonders eingeschränkt, und es lässt sich ein herkömmliches Verfahren einsetzen. Ein Beispiel des Verfahrens umfasst: Verfahren, welche die Verwendung eines Desoxidationsmittels wie Calciumborid mit sich bringen; und Verfahren, die eine Sprudelbehandlung unter Verwendung von Argongas, Stickstoffgas o. dgl. mit sich bringen.
  • Das Verfahren zum Schmelzen des Kupferlegierungsrohmaterials ist nicht besonders eingeschränkt. Das Verfahren kann das Erhitzen des Kupferlegierungsrohmaterials auf eine Schmelztemperatur oder darüber unter Verwendung einer herkömmlichen Vorrichtung wie einem Hochfrequenzschmelzofen mit sich bringen. Das Verfahren zum Gießen und Walzen ist nicht besonders eingeschränkt und kann nach herkömmlichen Verfahren erfolgen.
  • Festzuhalten ist, dass während des Schritts (a) der Fräsvorgang, vom Gesichtspunkt her, Zunder vom Rohblock zu entfernen, nach der Ausbildung des Rohblocks durchgeführt werden kann. Darüber hinaus kann nach dem Schritt (a), ein Glühvorgang vom Gesichtspunkt her, die Legierung weich zu machen, um die Bearbeitbarkeit u. dgl. zu verbessern, durchgeführt werden. Die Verfahren zum Fräsen und Glühen sind nicht besonders eingeschränkt und lassen sich nach herkömmlichen Verfahren ausführen.
  • Die Lösungsbehandlung im Schritt (b) bringt es mit sich, das gewalzte Material auf zwischen 700 und 1.000°C zu erhitzen und das sich ergebende Produkt abzuschrecken. Die Erwärmungsdauer beträgt vorzugsweise zwischen 1 Minute und 60 Minuten. Eine Erwärmungstemperatur und -dauer innerhalb der vorstehenden Bereiche ermöglicht eine vorteilhafte Ausbildung einer festen Lösung von Legierungselementen. Die Verfahren zum Erwärmen und Abschrecken sind nicht besonders eingeschränkt und lassen sich nach herkömmlichen Verfahren ausführen.
  • Die Aushärtungsbehandlung im Schritt (c) bringt es mit sich, das Legierungsrohmaterial, das der Lösungsbehandlung unterzogen wurde, 2 Stunden oder länger und 8 Stunden oder kürzer auf zwischen 400°C und 600°C zu erwärmen. Eine Erwärmungstemperatur und -dauer innerhalb der vorstehenden Bereiche kann eine feine Co2Si-Verbindung in einem ausgefällten Zustand bereitstellen. Die Erwärmungsverfahren sind nicht besonders eingeschränkt und lassen sich nach herkömmlichen Verfahren ausführen.
  • Schritt (d) bringt es mit sich, das Legierungsrohmaterial, das der Aushärtungsbehandlung unterzogen wurde, mit einer Abkühlrate zwischen 10°C/h und 50°C/h auf mindestens 380°C abzukühlen.
  • Eine Abkühlrate innerhalb des vorstehenden Bereichs lässt eine ausreichende Menge der Co2Si-Verbindung ausfällen und verhindert, dass eine Restspannung in der Kupferlegierung verbleibt. In Fällen, bei denen die Abkühlrate weniger als 10°C/h beträgt, nimmt die Co2Si-Verbindung von der Größe her zu und die gewünschte Festigkeit kann nicht erzielt werden. In Fällen hingegen, in denen die Abkühlrate höher ist als 50°C/h, verbleibt eine Restspannung in der Kupferlegierung und die Menge der Co2Si-Verbindung, die ausfällt, wird aufgrund der Spannung gesenkt, so dass das Co und Si, so wie sie sind, in einem festen Lösungszustand bleiben. Somit kann die gewünschte Festigkeit und Leitfähigkeit nicht erzielt werden.
  • In Fällen, bei denen die Abkühltemperatur höher ist als 380°C, kann keine geeignete Struktur der Kupferlegierung erzielt werden, und auch die gewünschte Festigkeit und Leitfähigkeit kann nicht erzielt werden. Anzumerken ist, dass, nachdem die Abkühltemperatur 380°C erreicht hat, die Untergrenze der Abkühltemperatur nicht besonders eingeschränkt ist, da sich die Struktur der Kupferlegierung danach durch den Abkühlprozess nicht drastisch ändert. Jedoch wird vom Gesichtspunkt her, gleichbleibend eine Kupferlegierung mit einer geeigneten Struktur zu erhalten, das Legierungsrohmaterial vorzugsweise auf 350°C abgekühlt, und zwar mit einer Abkühlrate zwischen 10°C/h und 50°C/h.
  • Schritt (e) bringt es mit sich, das Legierungsrohmaterial kalt zu walzen, um es zu einer Kupferlegierung mit einer gewünschten Größe endzubearbeiten. Die Verfahren zum Kaltwalzen sind nicht besonders eingeschränkt und lassen sich nach herkömmlichen Verfahren ausführen. Nach dem Schritt (e) kann ein Niedrigtemperaturentspannen oder autogenes Entspannen vom Gesichtspunkt der Entspannung der Kupferlegierung her durchgeführt werden. Das Verfahren des autogenen Entspannens ist nicht besonders eingeschränkt und lässt sich nach herkömmlichen Verfahren durchführen.
  • Die durch das wie vorstehend beschriebene Herstellungsverfahren zu erhaltende Kupferlegierung ist in der Lage, eine Größenzunahme der Co2Si-Verbindung, die in der Kupferlegierung ausgefällt werden soll, zu unterdrücken und eine ausreichende Menge der feinen Co2Si-Verbindung auszufällen, und hat somit eine ausgezeichnete Festigkeit und Leitfähigkeit.
  • Beispiele
  • Im Folgenden wird die vorliegende Erfindung speziell mit Bezug auf die Beispiele beschrieben, die vorliegende Erfindung ist aber nicht auf die folgenden Beispiele beschränkt.
  • Die folgenden Eigenschaften von Kupferlegierungen, die in den Beispielen und Vergleichsbeispielen erhalten wurden, wurden durch die folgenden Vorgehensweisen ausgewertet.
  • (1) Zugfestigkeit
  • Die Zugfestigkeit wurde bei Raumtemperatur nach JIS 22241 ausgewertet.
  • (2) Leitfähigkeit
  • Die Leitfähigkeit wurde bei Raumtemperatur nach JIS H0505 ausgewertet.
  • (3) Adhäsion der galvanischen Beschichtung
  • Die Adhäsion der galvanischen Beschichtung wurde ausgewertet durch: Aussetzen einer Kupferlegierung einer elektrochemischen Sn-Beschichtung bis zu einer Dicke von 3 μm; Erwärmen der Kupferlegierung 500 Stunden lang bei 105°C (500 Stunden und 1.000 Stunden allein im Beispiel 4); Durchführen eines Biege- und Geradbiegetests bei 180°C; und Sichtbeobachtung einer Probenfläche. In der Auswertung ist eine Probe mit einer Belagsschicht ohne Schaden mit O angegeben; eine Probe mit einer nicht abgelösten Belagsschicht mit einem beobachteten Schaden ist mit Δ angegeben; und eine Probe mit einer abgelösten Belagsschicht ist mit X angegeben.
  • (4) Biegebearbeitbarkeit
  • Die Biegebearbeitbarkeit wurde nach JIS 22248 ausgewertet, indem ein V-Biegetest bei 90° mit einem Biegeradius von 0,3 mm durchgeführt und eine gebogene Stirnfläche mit einem optischen Mikroskop beobachtet wurde. In der Auswertung ist eine Probe ohne Falten mit A angegeben; eine Probe mit kleinen Falten ist mit B angegeben; eine Probe mit großen Falten ist mit C angegeben; ein Probe mit kleinen Rissen ist mit D angegeben; und eine Probe mit großen Rissen ist mit E angegeben.
  • (5) Löteigenschaft
  • Die Löteigenschaft wurde ausgewertet durch: Auftragen eines Flussmittels auf eine Kupferlegierung, die einem Ätzvorgang unterzogen wurde; Eintauchen des sich ergebenden Produkts, und zwar 5 Sekunden lang bei 235°C, in Lötmittel, das aus 60 Massen-% Sn und 40 Massen-% Pb bestand; und Sichtbeobachtung einer Probenfläche nach dem Herausziehen der Probe. In der Auswertung ist eine Probe mit gleichmäßigem und benetztem Lötmittel auf einer Fläche mit O angegeben; eine Probe mit einem benetzten aber nicht gleichmäßigen Lötmittel mit Unebenheiten auf einer Fläche ist mit Δ angegeben; und eine Probe mit Lötmittel mit einem nicht benetzten Teil auf einer Fläche ist mit X angegeben.
  • [Beispiel 1]
  • Im Beispiel 1 wurden Kupferlegierungen (Produkte 1 bis 3 der vorliegenden Erfindung), die jeweils Cu, Co, Si und unvermeidbare Unreinheiten in einem vorbestimmten Verhältnis enthielten, entsprechend dem in 1 gezeigten Ablaufschema hergestellt. Es ist festzuhalten, dass eine Cu-Menge geklärt war, aber die Cu-Menge kann offensichtlich auch aus den Mengen anderer gezeigter Bestandteile geschätzt werden. Im Nachstehenden erfolgt eine detaillierte Beschreibung eines Verfahrens zur Herstellung einer Kupferlegierung unter Verwendung des Ablaufschemas.
  • Zuerst wurden Kupferlegierungsrohmaterialien (wie Cu, Co und Si) vorbereitet, die ein in 1 gezeigtes Zusammensetzungsverhältnis erfüllten. Die Kupferlegierungsrohmaterialien wurden in einem Hochfrequenzschmelzofen geschmolzen und zu einem plattenartigen Rohblock mit einer Dicke von 10 mm gegossen (Schritt S1).
  • Als Nächstes erfolgte ein Fräsvorgang, um Zunder von einer Rohblockfläche zu entfernen (Schritt S2).
  • Dann wurde der Rohblock bei Raumtemperatur einem Walzvorgang, einem Glühvorgang bei 800°C und wieder bei Raumtemperatur einem Walzvorgang unterzogen, um dadurch einen Flächenkörper mit einer Dicke von 0,38 mm zu erhalten (Schritt S3).
  • Dann wurde der Flächenkörper 2 Minuten lang bei 950°C erwärmt und in Wasser zur Lösungsbehandlung abgekühlt (Schritt S4).
  • Der Flächenkörper wurde zur Aushärtungsbehandlung 4 Stunden lang bei 500°C erwärmt (Schritt S5).
  • Dann wurde der Flächenkörper auf 380°C abgekühlt, und zwar mit einer Abkühlrate (um genau zu sein, mit den jeweiligen in Tabelle 1 gezeigten Abkühlraten) zwischen 10°C/h und 50°C/h (Schritt S6).
  • Dann wurde der Flächenkörper einem Kaltwalzvorgang (Endbearbeitungswalzvorgang) unterzogen, um eine Kupferlegierung mit einer Dicke von 0,3 mm zu erhalten (Schritt S7).
  • Es ist anzumerken, dass im Beispiel 1 die endgültige Kaltstreckrate 21% betrug.
  • [Beispiel 2]
  • Im Beispiel 2 wurden Kupferlegierungen (Produkte 4 bis 7 der vorliegenden Erfindung), die jeweils Cu, Co, Si, Zn und unvermeidbare Unreinheiten in einem vorbestimmten Verhältnis enthielten, entsprechend dem in 1 gezeigten Ablaufschema hergestellt.
  • Die Herstellungsbedingungen von Beispiel 2 waren dieselben wie von Beispiel 1. Anzumerken ist, dass im Beispiel 2 die endgültige Kaltstreckrate 21% betrug.
  • [Vergleichsbeispiel 1]
  • Im Vergleichsbeispiel 1 wurden Kupferlegierungen (Vergleichsprodukte 1 bis 4), die jeweils Cu, Co, Si und unvermeidbare Unreinheiten in einem Zusammensetzungsverhältnis ausgehend von einem vorbestimmten Bereich enthielten, entsprechend dem in 1 gezeigten Ablaufschema hergestellt.
  • Die Herstellungsbedingungen von Vergleichsbeispiel 1 waren dieselben wie von Beispiel 1. Anzumerken ist, dass im Vergleichsbeispiel 1 die endgültige Kaltstreckrate 21% betrug.
  • [Vergleichsbeispiel 2]
  • Im Vergleichsbeispiel 2 wurde eine Kupferlegierung (Vergleichsprodukt 5), die Cu, Co, Si, Zn und unvermeidbare Unreinheiten in einem vorbestimmten Verhältnis enthielt und durch Abkühlen mit einer Abkühlrate von 5°C/h hergestellt, nachdem die Aushärtungsbehandlung nach dem in 1 gezeigten Ablaufschema stattgefunden hatte.
  • Die Herstellungsbedingungen von Vergleichsbeispiel 2 waren dieselben wie die von Beispiel 1, mit der Ausnahme, dass die Abkühlrate nach der Aushärtungsbehandlung auf 5°C/h abgeändert wurde. Anzumerken ist, dass im Vergleichsbeispiel 2 die endgültige Kaltstreckrate 21% betrug.
  • Tabelle 1 zeigt Auswertungsergebnisse für die Zugfestigkeit, Leitfähigkeit und Adhäsion der galvanischen Beschichtung der in den Beispielen 1 und 2 und den Vergleichsbeispielen 1 und 2 erhaltenen Kupferlegierungen. 2 zeigt ein Verhältnis zwischen der Zugfestigkeit und der Leitfähigkeit der Kupferlegierungen.
  • Figure 00180001
  • Tabelle 1 und 2 enthüllen, dass die Kupferlegierungen der Produkte 1 bis 7 der vorliegenden Erfindung jeweils eine maximale Einschlussgröße von 2 μm oder weniger, ein Volumenverhältnis der Einschlüsse von 0,5 Vol.-% oder darunter, eine Zugfestigkeit von 700 N/mm2 oder darüber, und eine Leitfähigkeit von 60% IACS oder darüber hatten.
  • Die Kupferlegierung des Produkts 2 der vorliegenden Erfindung hatte eine vorteilhafte Adhäsion der galvanischen Beschichtung, wenn auch die Legierung kein Zn enthielt. Anzumerken ist, dass sich bei den Kupferlegierungen der Produkte 1 bis 3 der vorliegenden Erfindung die Belagsschichten nicht ablösten.
  • Die Kupferlegierungen der Produkte 4 bis 7 der vorliegenden Erfindung enthielten jeweils Zn und hatten somit eine vorteilhafte Adhäsion der galvanischen Beschichtung.
  • Hingegen besaßen die Kupferlegierungen der Vergleichprodukte 1 und 3 jeweils unzureichende Mengen an Co oder Si. Somit wurde keine ausreichende Menge der Co2Si-Verbindung ausgefällt, und die gewünschte Zugfestigkeit wurde nicht erzielt.
  • Die Kupferlegierung des Vergleichsprodukts 2 besaß eine zu große Menge an Co. Aufgrund des überschüssigen Co entstand eine unerwünschte Verbindungsphase, und die Menge und Größe der Einschlüsse nahm zu. Somit wurde die gewünschte Festigkeit und Leitfähigkeit nicht erzielt, und die Adhäsion der galvanischen Beschichtung war schlecht. Entsprechend besaß die Kupferlegierung des Vergleichsbeispiels 4 eine zu große Menge an Si. Aufgrund des überschüssigen Si entstand eine unerwünschte Verbindungsphase, und die gewünschte Leitfähigkeit wurde nicht erzielt.
  • Die Kupferlegierung des Vergleichsprodukts 5 hatte nach der Aushärtungsbehandlung eine zu langsame Abkühlrate. Die maximale Größe der Einschlüsse nahm auf 4,5 μm zu, und deren Volumenverhältnis stieg auf 0,7%. Somit wurde die Zugfestigkeit nicht erreicht.
  • [Beispiel 3]
  • Im Beispiel 3 wurden Kupferlegierungen (Produkte 8 bis 38 der vorliegenden Erfindung), die jeweils Cu, Co, Si, Zn und unvermeidbare Unreinheiten und ein oder mehr Element/e in einem vorbestimmten Verhältnis enthielten, das/die aus der Gruppe ausgewählt war/en, die aus Fe, Ni, P, Sn, Mg, Zr, Cr und Mn besteht, entsprechend dem in 1 gezeigten Ablaufschema hergestellt. Die Herstellungsbedingungen von Beispiel 3 waren dieselben wie die von Beispiel 1, mit der Ausnahme, dass das in Tabelle 2 gezeigte Zusammensetzungsverhältnis verwendet und die Abkühlrate auf 30°C/h abgeändert wurde. Anzumerken ist, dass im Beispiel 3 die endgültige Kaltstreckrate 21% betrug.
  • Tabelle 2 zeigt die Auswertungsergebnisse für die Zugfestigkeit, Leitfähigkeit, Adhäsion der galvanischen Beschichtung und die Biegebearbeitbarkeit der Kupferlegierungen, die im Beispiel 3 erhalten wurden.
  • Figure 00210001
  • Tabelle 2 enthüllt, dass die Kupferlegierungen der Produkte 8 bis 38 der vorliegenden Erfindung jeweils eine maximale Einschlussgröße von 2 μm oder darunter, ein Einschlussvolumenverhältnis von 0,5 Vol.-% oder darunter, eine Zugfestigkeit von 700 N/mm2 oder darüber, und eine Leitfähigkeit von 60% IACS oder darüber hatten.
  • Die Kupferlegierungen der Produkte 8 bis 38 der vorliegenden Erfindung enthielten jeweils Zn und hatten somit eine vorteilhafte Adhäsion der galvanischen Beschichtung.
  • Die Kupferlegierungen der Produkte 9–10, 12–13, 32–33 und 37–38 der vorliegenden Erfindung hatte durch den Zusatz einer vorbestimmten Menge an Fe oder Ni jeweils feine Kristallkörner, und wiesen somit eine ausgezeichnete Biegebearbeitbarkeit auf.
  • [Beispiel 4]
  • Im Beispiel 4 wurden eine Kupferlegierung (Produkt 39 der vorliegenden Erfindung), die Cu, Co, Si und unvermeidbare Unreinheiten in einem vorbestimmten Verhältnis enthielt, und einen O2-Gehalt von 10 ppm oder darunter und einen H2-Gehalt von 1 ppm oder darunter hatte, eine Kupferlegierung (Produkt 40 der vorliegenden Erfindung), die Cu, Co, Si und unvermeidbare Unreinheiten in einem vorbestimmten Verhältnis enthielt, und einen O2-Gehalt von über 10 ppm und einen H2-Gehalt von 1 ppm oder darunter hatte, und eine Kupferlegierung (Produkt 41 der vorliegenden Erfindung), die Cu, Co, Si und unvermeidbare Unreinheiten in einem vorbestimmten Verhältnis enthielt, und einen O2-Gehalt von über 10 ppm und einen H2-Gehalt von über 1 ppm hatte, nach dem in 1 gezeigten Ablaufschema hergestellt. Die Herstellungsbedingungen des Produkts 39 der vorliegenden Erfindung waren dieselben wie die von Beispiel 1, mit der Ausnahme, dass eine Entgasung durchgeführt wurde, indem Ar-Gas in eine geschmolzene Flüssigkeit eingeblasen wurde, die geschmolzene Rohmaterialien enthielt. Die Herstellungsbedingungen der Produkte 40 und 41 der vorliegenden Erfindung waren dieselben wie die von Beispiel 1. Anzumerken ist, dass im Beispiel 4 die endgültige Kaltstreckrate 21% betrug.
  • Tabelle 3 zeigt die Auswertungsergebnisse für die Zugfestigkeit, Leitfähigkeit, Adhäsion der galvanischen Beschichtung, Biegebearbeitbarkeit und die Löteigenschaften der Kupferlegierungen, die im Beispiel 4 erhalten wurden.
  • Figure 00240001
  • Tabelle 3 enthüllt, dass die Kupferlegierungen der Produkte 39 bis 41 der vorliegenden Erfindung jeweils eine maximale Einschlussgröße von 2 μm oder darunter, ein Einschlussvolumenverhältnis von 0,5 Vol.-% oder darunter, eine Zugfestigkeit von 700 N/mm2 oder darüber, und eine Leitfähigkeit von 60% IACS oder darüber hatten. Die Kupferlegierung des Produkts 39 der vorliegenden Erfindung hatte eine ausgezeichnete Adhäsion der galvanischen Beschichtung und ausgezeichnete Löteigenschaften nach 500 und 1.000 Stunden. Die Ergebnisse zeigten an, dass die Adhäsion der galvanischen Beschichtung und die Löteigenschaften besser werden, wenn in der Kupferlegierung der O2-Gehalt auf 10 ppm oder darunter und der H2-Gehalt auf 1 ppm oder darunter eingestellt wird.
  • Wie vorstehend beschrieben, hat die Kupferlegierung der vorliegenden Erfindung eine ausgezeichnete Festigkeit und Leitfähigkeit, d. h. eine Zugfestigkeit von 700 N/mm2 oder darüber, und eine Leitfähigkeit von 60% IACS oder darüber. Darüber hinaus ermöglicht es das Verfahren zur Herstellung einer Kupferlegierung nach der vorliegenden Erfindung, eine Kupferlegierung mit einer Zugfestigkeit von 700 N/mm2 oder darüber, und einer Leitfähigkeit von 60% IACS oder darüber herzustellen.

Claims (8)

  1. Kupferlegierung, die 0,8 bis 1,8 Massen-% Co, 0,16 bis 0,6 Massen-% Si enthält, und der Rest aus Cu und unvermeidbaren Verunreinigungen besteht, wobei ein Massenverhältnis von Co zu Si (Co/Si) zwischen 3,0 und 5,0 liegt; wobei die Kupferlegierung, die einer Aushärtungsbehandlung unterzogen wurde, bei einer Abkühlrate von 10°C/h bis 50°C/h auf mindestens 380°C abgekühlt wurde, so dass eine Größe von Einschlüssen, die in der Kupferlegierung ausgeschieden werden sollen, 2 μm oder darunter beträgt; und ein Gesamtvolumen der Einschlüsse mit einer Größe von 0,05 bis 2 μm in der Kupferlegierung 0,5 Vol.-% oder weniger beträgt.
  2. Kupferlegierung nach Anspruch 1, die darüber hinaus 0,1 bis 1,0 Massen-% Zn enthält.
  3. Kupferlegierung nach Anspruch 1 oder 2, die darüber hinaus insgesamt 0,01 bis 0,2 Massen-% eines Elements oder mehrerer Elemente enthält, das/die aus der Gruppe ausgewählt ist/sind, die aus Fe, Ni, P, Sn, Mg, Zr, Cr und Mn besteht.
  4. Kupferlegierung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Kupferlegierung einen O2-Gehalt von 10 ppm oder darunter und einen H2-Gehalt von 1 ppm oder darunter hat.
  5. Verfahren zur Herstellung einer Kupferlegierung nach Anspruch 1, das die folgenden Schritte umfasst: (a) Schmelzen eines Kupferlegierungsrohmaterials, das 0,8 bis 1,8 Massen-% Co, 0,16 bis 0,6 Massen-% Si enthält, und der Rest aus Cu und unvermeidbaren Unreinheiten besteht, und ein Massenverhältnis von Co zu Si (Co/Si) hat, das zwischen 3,0 und 5,0 liegt, um einen Rohblock zu bilden, und Walzen des Rohblocks; (b) Ausführen einer Lösungsbehandlung, die es mit sich bringt, das gewalzte Material auf 700°C bis 1.000°C zu erhitzen und abzuschrecken; (c) Ausführen einer Aushärtungsbehandlung durch Erhitzen eines der Lösungsbehandlung unterzogenen Legierungsmaterials auf 400°C bis 600°C für 2 Stunden bis 8 Stunden; (d) Abkühlen des der Aushärtungsbehandlung unterzogenen Legierungsmaterials auf mindestens 380°C mit einer Abkühlungsrate zwischen 10°C/h und 50°C/h; und (e) Endbearbeiten des abgekühlten Legierungsmaterials durch Kaltwalzen.
  6. Verfahren zur Herstellung einer Kupferlegierung nach Anspruch 5, wobei das Kupferlegierungsrohmaterial darüber hinaus 0,1 bis 1,0 Massen-% Zn enthält.
  7. Verfahren zur Herstellung einer Kupferlegierung nach Anspruch 5 oder 6, wobei das Kupferlegierungsrohmaterial darüber hinaus insgesamt 0,01 bis 0,2 Massen-% eines Elements oder mehrerer Elemente enthält, das/die aus der Gruppe ausgewählt ist/sind, die aus Fe, Ni, P, Sn, Mg, Zr, Cr und Mn besteht.
  8. Verfahren zur Herstellung einer Kupferlegierung nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei das Kupferlegierungsrohmaterial einen O2-Gehalt von 10 ppm oder darunter und einen H2-Gehalt von 1 ppm oder darunter hat.
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