DE102007036268A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents

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Abstract

Ein Halbleiterbauelement gemäß Ausführungen kann eine Verdrahtungslage, eine Vielzahl von auf der Verdrahtungslage geschichteten Bauelementen, eine in mindestens einem der Bauelemente bereitgestellte Kühlungs-Einrichtung, die einen Durchlass für ein Kühlmateterial enthält, und eine zwischen den Bauelementen bereitgestellte Verbindungs-Elektrode enthalten, wobei die Verbindungs-Elektrode eine Signal-Elektrode in einem oberen Bauelement mit einer Signal-Elektrode in einem unteren Bauelement verbindet.

Description

  • HINTERGRUND
  • 1 ist eine Zeichnung, die ein Halbleiterbauelement in Form eines "System in a Package" (System in einem Gehäuse) (SiP) zeigt, das durch ein Halbleiter-Herstellungsverfahren nach dem Stand der Technik erhalten wurde.
  • Mit Bezug auf 1 kann ein SiP-Halbleiterbauelement nach dem Stand der Technik eine Verdrahtungslage (Interposer) 11, ein erstes Bauelement 13, ein zweites Bauelement 15 und ein drittes Bauelement 17 enthalten.
  • Das erste Bauelement 13, das zweite Bauelement 15 oder das dritte Bauelement 17 können ein beliebiges Element aus einer Zentraleinheit (CPU), einem statischen Arbeitsspeicher (SRAM), einem dynamischen Arbeitsspeicher (DRAM), einem Flash-Speicher, einem hochintegrierten Logik-Schaltkreis (LSI), einem integrierten Leistungs-Schaltkreis (IC), einem integrierten Steuerungs-Schaltkreis (IC), einem analogen hochintegrierten Schaltkreis (LSI), einem monolithischen integrierten Mikrowellen-Schaltkreis (MM IC), einem integrierten komplementären Metall-Oxid-Halbleiter-Hochfrequenz-Schaltkreis (CMOS RF-IC), einem Sensor-Chip, einem Chip mit einem mikro-elektromechanischen System (MEMS), usw., enthalten.
  • Zwischen ersten und zweiten Bauelementen 13 und 15 und zwischen zweiten und dritten Bauelementen 15 und 17 können Verbindungseinheiten ausgebildet sein, die Signale zu jedem Bauelement übertragen können.
  • Um das SiP-Halbleiterbauelement, das die oben angegebene Struktur hat, umfangreich zu nutzen, kann es jedoch sein, dass ein Problem bezüglich der Wärmeabgabe gelöst werden muss. Insbesondere kann es sein, dass das Problem bezüglich der Wärmeabgabe eines Bauelementes, wie des zweiten Bauelementes, das in einer mittleren Schicht positioniert ist, gelöst werden muss, um das SiP-Halbleiterbauelement umfangreich zu nutzen.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Ausführungen betreffen ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung. In Ausführungen können ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung in der Lage sein, die Wärme von einem SiP-Halbleiterbauelement leicht abzuführen.
  • Gemäß Ausführungen kann ein Halbleiterbauelement eine Verdrahtungslage, eine Vielzahl von auf der Verdrahtungslage geschichteten Bauelementen, eine Kühlungs-Einrichtung, die in mindestens einem der Bauelemente bereitgestellt wird und einen Durchlass für ein Kühlmaterial enthält, und eine Verbindungs-Elektrode, die zwischen den Bauelementen bereitgestellt wird, enthalten, wobei die Verbindungs-Elektrode eine Signal-Elektrode in einem oberen Bauelement mit einer Signal-Elektrode in einem unteren Bauelement verbindet.
  • In Ausführungen kann ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes umfassen, eine Vielzahl von Bauelementen so herzustellen, dass mindestens ein Bauelement eine Kühlungs-Einrichtung enthält, die einen Durchlass für ein Kühlmaterial hat, und die Bauelemente auf einer Verdrahtungslage zu schichten.
  • ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Zeichnung, die ein betreffendes SiP-Halbleiterbauelement zeigt, das durch ein entsprechendes Halbleiterbauelemente-Herstellungsverfahren erhalten wurde.
  • 2 ist eine Zeichnung, die ein SiP-Halbleiterbauelement zeigt, das durch ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes entsprechend der Ausführungen erhalten wurde.
  • 3 ist eine Zeichnung, welche die Struktur eines Bauelementes zeigt, das mit einem Durchlass für ein Kühlmaterial in einem Halbleiterbauelement gemäß Ausführungen ausgestattet ist.
  • 4 ist eine Zeichnung, die eine Schutzschicht zeigt, die mit einem Durchlass für ein Kühlmaterial in einem Halbleiterbauelement gemäß Ausführungen ausgestattet ist.
  • 5 ist eine Zeichnung, die ein SiP-Halbleiterbauelement zeigt, das durch ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes entsprechend der Ausführungen erhalten wurde.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Mit Bezug auf die 2 bis 4 kann ein Halbleiterbauelement gemäß Ausführungen eine Verdrahtungslage (Interposer) 200, ein erstes Bauelement 210, ein zweites Bauelement 230, ein drittes Bauelement 250 und ein viertes Bauelement 270 enthalten. Das erste bis dritte Bauelement 210, 230 und 250 kann mit ersten, zweiten und dritten Durchlässen 211, 231 und 251 ausgestattet sein, die bereitgestellt werden, um ein Kühlmaterial durchzulassen.
  • Das Halbleiterbauelement gemäß Ausführungen kann eine erste Verbindungsschicht 220 enthalten, die eine Signal-Elektrode, die im ersten Bauelement 210 ausgebildet ist, mit einer Signal-Elektrode, die im zweiten Bauelement 230 ausgebildet ist, verbinden kann. Zusätzlich dazu kann das Halbleiterbauelement eine zweite Verbindungsschicht 240 enthalten, die die Signal-Elektrode, die im zweiten Bauelement 230 ausgebildet ist, mit einer Signal-Elektrode, die im dritten Bauelement 250 ausgebildet ist, verbinden kann. Das Halbleiterbauelement kann eine dritte Verbindungsschicht 260 enthalten, die die Signal-Elektrode, die im dritten Bauelement 250 ausgebildet ist, mit einer Signal-Elektrode, die im vierten Bauelement 270 ausgebildet ist, verbinden kann.
  • Das erste Bauelement 210 kann eine Kühlungs-Einrichtung enthalten, die einen ersten Durchlass 211 hat. Die Kühlungs-Einrichtung kann in der Schutzschicht 213 bereitgestellt werden, die in einem oberen Teil des ersten Bauelementes 210 ausgebildet ist. Da die Schutzschicht 213 im obersten Teil eines Bauelementes ausgebildet sein kann, kann der erste Durchlass 211 zur Bewegung des Kühlmaterials leicht durch Ätz- und Reinigungsprozesse der Schutzschicht 213 hergestellt werden. Zusätzlich dazu kann die Kühlungs-Einrichtung statt auf dem obersten Teil des ersten Bauelementes 210 an verschiedenen Positionen bereitgestellt werden.
  • 2 zeigt den zweiten und den dritten Durchlass 231 und 251, die konfiguriert sein können, um ein Kühlmaterial zu bewegen, und die in den zweiten und dritten Bauelementen 230 und 250 ausgebildet sein können. Sogar, wenn der Durchlass für das Kühlmaterial in mindestens einem Bauelement ausgebildet ist, kann dennoch die gesamte Wärme des Halbleiterbauelementes abgeführt werden. Obwohl nicht gezeigt, kann in Ausführungen ein Durchlass für das Kühlmaterial im vierten Bauelement 270 ausgebildet sein, das im obersten Teil des in 2 gezeigten Halbleiterbauelementes positioniert ist.
  • Das Halbleiterbauelement gemäß Ausführungen kann weiterhin einen Kühlmaterial-Lieferer enthalten, der mit der Kühleinrichtung verbunden ist und der das Kühlmaterial liefern kann. Das vom Kühlmaterial-Lieferer gelieferte Kühlmaterial kann die Durchlässe 211, 231 und 251 durchlaufen, die in den ersten bis dritten Bauelementen 210, 230 und 250 ausgebildet sind. Obwohl nicht gezeigt, kann in Ausführungen das vom Kühlmaterial-Lieferer gelieferte Kühlmaterial einen Durchlass durchlaufen, der in dem vierten Bauelement 270 ausgebildet ist. Das Kühlmaterial kann ein Gas mit geringer Temperatur und eine Flüssigkeit mit geringer Temperatur, wie z.B. flüssiger Stickstoff, sein. Folglich kann das Halbleiterbauelement gemäß Ausführungen einfach und effizient die Wärme nach außen abführen.
  • In Ausführungen können erste bis vierte Bauelemente 210, 230, 250 und 270 jedes eine durchgängige Elektrode enthalten, die die entsprechenden Bauelemente durchlaufen können. Die durchgängige Elektrode kann Signale zwischen einem unteren Bauelement und einem oberen Bauelement liefern.
  • Obwohl das SiP-Halbleiterbauelement, bei dem das erste bis vierte Bauelement 210, 230, 250 und 270 geschichtet sind, in der obigen Beschreibung beschrieben wird, kann die Anzahl der geschichteten Bauelemente verschieden geändert werden. Jedes Bauelement kann ein beliebiges Element aus einer Menge einer Zentraleinheit (CPU), statischem Arbeitsspeicher (SRAM), dynamischem Arbeitsspeicher (DRAM), Flash-Speicher, einem hochintegrierten Logik-Schaltkreis (LSI), einem integrierten Leistungs-Schaltkreis (IC), einem integrierten Steuerungs-Schaltkreis (IC), einem analogen hochintegrierten Schaltkreis (LSI), einem monolithischen integrierten Mikrowellen-Schaltkreis (MM IC), einem integrierten komplementären Metall-Oxid-Halbleiter-Hochfrequenz-Schaltkreis (CMOS RF-IC), einem Sensor-Chip und einem Chip mit einem mikro-elektromechanischen System (MEMS) enthalten.
  • In einem Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelementes gemäß Ausführungen kann eine Vielzahl von Bauelementen so ausgebildet werden, dass mindestens ein Bauelement eine Kühlungs-Einrichtung enthalten kann, die einen Durchlass für ein Kühlmaterial enthält. In einem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes gemäß Ausführungen können die Bauelemente auf der Verdrahtungslage geschichtet sein. Zwischen den Bauelementen können Verbindungsschichten ausgebildet sein. In den oberen und unteren Bauelementen ausgebildete Signal-Elektroden können über die in der Verbindungsschicht ausgebildete Verbindungs-Elektrode miteinander verbunden sein.
  • Gemäß Ausführungen kann, wenn die Bauelemente hergestellt werden, die Kühlungs-Einrichtung in der Schutzschicht hergestellt werden, die im obersten Teil des Bauelementes, das mit der Kühlungs-Einrichtung ausgebildet ist, positioniert ist.
  • 4 ist eine Zeichnung, die eine Schutzschicht zeigt, die mit einem Durchlass für ein Kühlmaterial in einem Halbleiterbauelement gemäß Ausführungen ausgebildet ist. In Ausführungen kann der Durchlass 211 in einem gewundenen Muster ausgebildet sein und einen großen Flächenbereich abdecken.
  • Um von jedem Bauelement Wärme effizienter abzuführen, kann in Ausführungen ein Halbleiterbauelement, das die in 5 gezeigte Struktur hat, hergestellt werden. 5 ist eine Zeichnung, die ein SiP-Halbleiterbauelement zeigt, das durch ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes entsprechend der Ausführungen erhalten wurde.
  • Mit Bezug auf 5 kann das SiP-Halbleiterbauelement eine Verdrahtungslage (Interposer) 300, ein erstes Bauelement 310, ein zweites Bauelement 330, ein drittes Bauelement 350 und ein viertes Bauelement 370 enthalten. Das SiP-Halbleiterbauelement kann eine erste durchgehende Elektrode 315, die das erste Bauelement 310 durchläuft, eine zweite durchgehende Elektrode 335, die das zweite Bauelement 330 durchläuft, eine dritte durchgehende Elektrode 355, die das dritte Bauelement 350 durchläuft und eine vierte durchgehende Elektrode 375, die das vierte Bauelement 370 durchläuft, enthalten. Das erste bis dritte Bauelement 310, 330 und 350 können Durchlässe 311, 331 und 351 enthalten, die konfiguriert sein können, ein Kühlmaterial durchzulassen.
  • Das SiP-Halbleiterbauelement kann eine erste Verbindungsschicht 320 enthalten, die eine Signal-Elektrode, die im ersten Bauelement 310 ausgebildet ist, mit einer Signal-Elektrode, die im zweiten Bauelement 330 ausgebildet ist, verbinden kann. Das SiP-Halbleiterbauelement kann eine zweite Verbindungsschicht 340 enthalten, die die Signal-Elektrode, die im zweiten Bauelement 330 ausgebildet ist, mit einer Signal-Elektrode, die im dritten Bauelement 350 ausgebildet ist, verbinden kann. Das SiP-Halbleiterbauelement kann eine dritte Verbindungsschicht 360 enthalten, die die Signal-Elektrode, die im dritten Bauelement 350 ausgebildet ist, mit einer Signal-Elektrode, die im vierten Bauelement 370 ausgebildet ist, verbinden kann.
  • Das erste Bauelement 310 kann eine Kühlungs-Einrichtung enthalten, die einen Durchlass 311 hat, der konfiguriert ist, ein Kühlmaterial durchzulassen. Die Kühlungs-Einrichtung kann in einer Schutzschicht bereitgestellt werden, die in einem oberen Teil des ersten Bauelementes 310 ausgebildet ist. Da die Schutzschicht im obersten Teil eines Bauelementes ausgebildet sein kann, kann in Ausführungen der Durchlass 311, der das Kühlmaterial durchlassen kann, leicht durch Ätz- und Reinigungsprozesse der Schutzschicht hergestellt werden. In Ausführungen kann die Kühlungs-Einrichtung statt auf dem obersten Teil des ersten Bauelementes 310 an verschiedenen Positionen bereitgestellt werden.
  • 5 zeigt Durchlässe 331 und 351, die konfiguriert sein können, um ein Kühlmaterial zu bewegen, und die in den zweiten und dritten Bauelementen 330 und 350 ausgebildet sein können. Sogar, wenn der Durchlass für das Kühlmaterial in mindestens einem Bauelement ausgebildet ist, kann dennoch die meiste oder die gesamte Wärme des Halbleiterbauelementes abgeführt werden. In Ausführungen kann der Durchlass für das Kühlmaterial sogar im vierten Bauelement 370 ausgebildet sein, das im obersten Teil des in 5 gezeigten Halbleiterbauelementes positioniert ist.
  • Das SiP-Halbleiterbauelement gemäß Ausführungen kann weiterhin einen Kühlmaterial-Lieferer enthalten, der mit der Kühleinrichtung verbunden ist und der das Kühlmaterial liefern kann. Das vom Kühlmaterial-Lieferer gelieferte Kühlmaterial kann die Durchlässe 311, 331 und 351 durchlaufen, die in den entsprechenden Bauelementen ausgebildet sind, um das Kühlmaterial durchzulassen. Das Kühlmaterial kann ein Gas mit geringer Temperatur und eine Flüssigkeit mit geringer Temperatur, wie z.B. flüssiger Stickstoff, sein. Folglich kann das SiP-Halbleiterbauelement gemäß Ausführungen einfach und effizient die Wärme nach außen abführen.
  • Das SiP-Halbleiterbauelement kann eine erste Verbindungsschicht 320 enthalten, um das erste Bauelement 310 mit dem zweiten Bauelement 330 zu verbinden. Das SiP-Halbleiterbauelement kann eine zweite Verbindungsschicht 340 enthalten, um das zweite Bauelement 330 mit dem dritten Bauelement 350 zu verbinden. Das SiP-Halbleiterbauelement kann eine dritte Verbindungsschicht 360 enthalten, um das dritte Bauelement 350 mit dem vierten Bauelement 370 zu verbinden. In der ersten bis dritten Verbindungsschicht 320, 340 und 360 kann eine erste bis dritte Verbindungs-Elektrode 325, 345 und 365 ausgebildet sein.
  • In Ausführungen kann das erste Bauelement 310 über die erste Verbindungs-Elektrode 325 elektrisch mit dem zweiten Bauelement 330 verbunden sein. In Ausführungen kann das zweite Bauelement 330 über die zweite Verbindungs-Elektrode 345 elektrisch mit dem dritten Bauelement 350 verbunden sein. In Ausführungen kann das dritte Bauelement 350 über die dritte Verbindungs-Elektrode 365 elektrisch mit dem vierten Bauelement 370 verbunden sein.
  • In Ausführungen kann die erste Verbindungs-Elektrode 325 eine erste durchgängige Elektrode 315 mit einer zweiten durchgängigen Elektrode 335 verbinden. In Ausführungen kann die zweite Verbindungs-Elektrode 345 die zweite durchgängige Elektrode 335 mit einer dritten durchgängigen Elektrode 355 verbinden. In Ausführungen kann die dritte Verbindungs-Elektrode 365 die dritte durchgehende Elektrode 355 mit einer vierten durchgängigen Elektrode 375 verbinden.
  • Die durchgängigen Elektroden 315, 335, 355 und 375 können hergestellt werden, indem sequentiell ein Muster-Prozess, ein Ätz-Prozess, ein Metall-Bildungs-Prozess für das Halbleiterbauelement und ein chemisch-mechanischer Polier-Prozess (CMP) durchgeführt werden. Da die Prozesse wohlbekannt sind, wird von deren Beschreibung abgesehen.
  • In Ausführungen können die durchgehenden Elektroden 315, 335, 355 und 375 mindestens eines der Materialien Wolfram (W), Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Silber (Ag) und Gold (Au) enthalten. Die durchgehende Elektrode kann durch physikalische Abscheidung aus der Dampfphase (PVD), durch Atomlagen-Abscheidung (ALD), chemische Abscheidung aus der Gasphase (CVD), Aufdampfen oder elektrochemische Metallisierung (ECP) abgeschieden werden. Eine Grenzschicht der durchgängigen Elektrode kann aus der Gruppe, die aus TaN, Ta, TiN und TiSiN besteht, ausgewählt und durch CVD, PVD oder ALD hergestellt werden.
  • In Ausführungen kann eine Wärmeabführungs-Einrichtung 380 unter einer unteren Oberfläche des ersten Bauelementes 310 hergestellt werden. Die Wärmeabführungs-Einrichtung 380 kann mit den Bauelementen durch die durchgängigen Elektroden verbunden sein, um Wärme effektiver von den Bauelementen abzuführen. Die Wärmeabführungs-Einrichtung 380 kann einen Kühlkörper oder eine Heat-Pipe enthalten.
  • Gemäß Ausführungen kann in dem Halbleiterbauelement und dem Verfahren zu dessen Herstellung die Wärme leicht von einem SiP-Halbleiterbauelement abgeführt werden.
  • Es ist für einen Fachmann offensichtlich, dass verschiedene Änderungen und Abwandlungen der Ausführungen vorgenommen werden können. Somit ist es beabsichtigt, dass Ausführungen Änderungen und Abwandlungen abdecken, die im Umfang der beigefügten Ansprüche liegen. Es ist auch selbstverständlich, dass wenn eine Schicht als "auf" oder "über" einer anderen Schicht oder einem Substrat bezeichnet wird, sie direkt auf der anderen Schicht oder dem Substrat sein kann oder auch dazwischen liegende Schichten vorhanden sein können.

Claims (20)

  1. Ein Bauelement, umfassend: eine Verdrahtungslage; eine Vielzahl von über der Verdrahtungslage geschichteten Bauelementen; eine Kühlungs-Einrichtung, bereitgestellt in mindestens einem aus der Vielzahl von Bauelementen, wobei die Kühlungs-Einrichtung einen Durchlass für ein Kühlmaterial enthält; und eine Verbindungs-Elektrode, die zwischen jedem aus der Vielzahl von Bauelementen bereitgestellt wird und konfiguriert ist, eine Signal-Elektrode in einem oberen Bauelement mit einer Signal-Elektrode in einem unteren Bauelement zu verbinden.
  2. Das Bauelement nach Anspruch 1, wobei jedes aus der Vielzahl der Bauelemente eine durchgängige Elektrode enthält, die das entsprechende Bauelement durchläuft.
  3. Das Bauelement nach Anspruch 2, wobei die durchgängige Elektrode zumindest eines der Materialien Wolfram (W), Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Silber (Ag) oder Gold (Au) aufweist.
  4. Das Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das mindestens eine Bauelement, das die Kühlungs-Einrichtung hat, eine Schutzschicht aufweist, die in einem obersten Teil des Bauelementes positioniert ist, und wobei die Kühlungs-Einrichtung in der Schutzschicht angeordnet ist.
  5. Das Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, das ferner eine Wärmeabführungs-Einrichtung umfasst, die zwischen der Verdrahtungslage und der Vielzahl geschichteter Bauelemente bereitgestellt wird.
  6. Das Bauelement nach Anspruch 5, wobei die Wärmeabführungs-Einrichtung einen Kühlkörper oder eine Heat-Pipe umfasst.
  7. Das Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei das Kühlmaterial zumindest ein Material von einem Gas mit niedriger Temperatur oder einer Flüssigkeit mit niedriger Temperatur aufweist.
  8. Das Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das Kühlmaterial flüssiger Stickstoff ist.
  9. Das Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, das ferner einen Kühlmaterial-Lieferer enthält, der konfiguriert ist, das Kühlmaterial an die Kühlungs-Einrichtung zu liefern.
  10. Das Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei jedes Bauelement ein Element aus einer Menge einer Zentraleinheit (CPU), statischem Arbeitsspeicher (SRAM), dynamischem Arbeitsspeicher (DRAM), Flash-Speicher, einem hochintegrierten Logik-Schaltkreis (LSI), einem integrierten Leistungs-Schaltkreis (IC), einem integrierten Steuerungs-Schaltkreis (IC), einem analogen hochintegrierten Schaltkreis (LSI), einem monolithischen integrierten Mikrowellen-Schaltkreis (MMIC), einem integrierten komplementären Metalloxid-Halbleiter-Hochfrequenz-Schaltkreis (CMOS RF-IC), einem Sensor-Chip, einem Chip mit einem mikro-elektromechanischen System (MEMS) umfasst.
  11. Ein Verfahren, umfassend: Herstellen einer Vielzahl von Bauelementen, wobei mindestens ein Bauelement eine Kühlungs-Einrichtung enthält, die einen Durchlass für ein Kühlmaterial aufweist; und Schichten einer Vielzahl von Bauelementen über einer Verdrahtungslage.
  12. Das Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Schichten der Bauelemente über der Verdrahtungslage folgendes umfasst: Herstellen von Signal-Elektroden in jedem aus der Vielzahl von Bauelementen; Herstellen einer Verbindungsschicht zwischen jedem der Bauelemente; Herstellen einer Verbindungs-Elektrode in jeder Verbindungsschicht; und Verbinden von Signal-Elektroden, die in oberen und unteren Bauelementen ausgebildet sind, miteinander über die Verbindungs-Elektrode, die in der Verbindungsschicht zwischen den oberen und unteren Bauelementen bereitgestellt wird.
  13. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 12, wobei das Herstellen des mindestens einen Bauelementes, das die Kühlungs-Einrichtung aufweist, umfasst: Herstellen einer Schutzschicht in einem obersten Teil des mindestens einen Bauelementes, das mit der Kühlungs-Einrichtung ausgestattet ist; und Herstellen der Kühlungs-Einrichtung in der Schutzschicht.
  14. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei das Herstellen der Vielzahl von Bauelementen ein Herstellen von durchgängigen Elektroden in jedem aus der Vielzahl von Bauelementen umfasst, wobei die durchgängigen Elektroden die entsprechenden Bauelemente durchlaufen.
  15. Das Verfahren nach Anspruch 14, wobei jede durchgängige Elektrode zumindest eines der Materialien Wolfram (W), Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Silber (Ag) und Gold (Au) aufweist.
  16. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 15, das weiterhin ein Herstellen einer Wärmeabführungs-Einrichtung unter einer unteren Oberfläche eines untersten Bauelementes der Vielzahl von Bauelementen, die auf der Verdrahtungslage geschichtet sind, umfasst.
  17. Das Verfahren nach Anspruch 16, wobei die Wärmeabführungs-Einrichtung einen Kühlkörper oder eine Heat-Pipe umfasst.
  18. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 17, wobei das Kühlmaterial mindestens eines von einem Gas mit niedriger Temperatur und einer Flüssigkeit mit niedriger Temperatur ist.
  19. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 18, das weiterhin ein Anschließen eines Kühlmaterial-Lieferers umfasst, der konfiguriert ist, das Kühlmaterial an die Kühlungs-Einrichtung zu liefern.
  20. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11 bis 19, wobei jedes Bauelement ein Element aus der Menge einer Zentraleinheit (CPU), statischem Arbeitsspeicher (SRAM), dynamischem Arbeitsspeicher (DRAM), Flash-Speicher, einem hochintegrierten Logik-Schaltkreis (LSI), einem integrierten Leistungs-Schaltkreis (IC), einem integrierten Steuerungs-Schaltkreis (IC), einem analogen hochintegrierten Schaltkreis (LSI), einem monolithischen integrierten Mikrowellen-Schaltkreis (MMIC), einem integrierten komplementären Metall-Oxid-Halbleiter-Hochfrequenz-Schaltkreis (CMOS RF-IC), einem Sensor-Chip, einem Chip mit einem mikro-elektromechanischen System (MEMS) umfasst.
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