DE102007032765B3 - Universal adapter base or adapter card for semiconductor memory module, for volatile memory modules, has high speed interface for connection with main board, and serial presence detect storage area - Google Patents

Universal adapter base or adapter card for semiconductor memory module, for volatile memory modules, has high speed interface for connection with main board, and serial presence detect storage area

Info

Publication number
DE102007032765B3
DE102007032765B3 DE200710032765 DE102007032765A DE102007032765B3 DE 102007032765 B3 DE102007032765 B3 DE 102007032765B3 DE 200710032765 DE200710032765 DE 200710032765 DE 102007032765 A DE102007032765 A DE 102007032765A DE 102007032765 B3 DE102007032765 B3 DE 102007032765B3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
memory
socket
adapted
amb
characterized
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE200710032765
Other languages
German (de)
Inventor
Martin Dr. Perner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Polaris Innovations Ltd
Original Assignee
Qimonda AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qimonda AG filed Critical Qimonda AG
Priority to DE200710032765 priority Critical patent/DE102007032765B3/en
Application granted granted Critical
Publication of DE102007032765B3 publication Critical patent/DE102007032765B3/en
Application status is Expired - Fee Related legal-status Critical
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/02Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/02Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
    • G11C29/022Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in I/O circuitry
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/02Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
    • G11C29/028Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters with adaption or trimming of parameters
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/48Arrangements in static stores specially adapted for testing by means external to the store, e.g. using direct memory access [DMA] or using auxiliary access paths
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by G11C11/00
    • G11C5/02Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/04Supports for storage elements, e.g. memory modules; Mounting or fixing of storage elements on such supports
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C2029/0411Online error correction
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
    • G11C2029/5602Interface to device under test

Abstract

The adapter base has a high speed interface (2) for the connection with a main board, and a serial presence detect storage area (5) for storing configuration of a non-buffered memory module (7) that has to be adapted. A plug socket is provided to carry the non-buffered memory module and an advanced memory buffer storage (1), which has two separated address command branches. An address command branch is connected with a group of error code correction data memory chip. An independent claim is also included for a method for auto configuration of an adapter base.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Adapterkarte bzw. einen Adaptersockel für Halbleiterspeichermodule sowie ein Verfahren zur erweiterten Selbstkonfiguration von adaptierten Speichermodulen. The invention relates to an adapter card or an adapter socket for semiconductor memory modules and a method for extended self-configuring memory modules adapted.
  • Bei gegenwärtig üblichen Speichertechniken zum Speichern von Daten auf flüchtigen Speichermodulen werden üblicherweise Module eingesetzt, welche aus elektrisch parallel zusammengeschalteten DRAMs (= Dynamic Random Access Memory; dynamischer Lese-Schreibspeicher) bestehen. (Dynamic read-write memory = Dynamic Random Access Memory), in currently available storage techniques for storing data on volatile memory modules typically modules are used, which consists of parallel electrically interconnected DRAMs. Diese DRAMs weisen logisch und elektrisch gleichzeitig adressierbare Speicher auf. These DRAMs have logically and electrically simultaneously addressable memory. Dabei existieren gegenwärtig verschiedene Protokolle zum Ansteuern der DRAMs, wie z. Here, currently there are different protocols for controlling the DRAMs such. B. das SDR-Protokoll (SDR = Single Data Rate), das DDR1- sowie das DDR2-Protokoll (DDR = Double Data Rate). As the SDR Protocol (SDR = Single Data Rate), the DDR1 and the DDR2 Protocol (DDR = Double Data Rate). Beispiele solcher aus DRAMs aufgebauten Module sind SIMMs (= Single Inline Memory Module), SIPPs (= Single Inline Pin Package Module) oder auch DIMMs (= Dual Inline Memory Module). Examples of such composed of DRAM modules (SIMMs = Simm), SIPPs (= Single Inline Pin Package Modules) or DIMMs (Dual Inline Memory Module =). Durch die parallele Anordnung der DQ-Leitungen(DQ = Data Query; Datenabfrage) der einzelnen DRAM-Bausteine werden Datenbusbreiten von 32, 64 oder 72 Bits (einschließlich Error Code Correction Data (= ECC)) erreicht. The parallel arrangement of DQ lines (DQ = Data Query; data retrieval) of the individual DRAM devices are data bus widths of 32, 64, or 72 bits (including error code correction data (= ECC)) is reached.
  • Die so aufgebauten Speichermodule werden über einen Speichercontroller angesteuert, welcher die Daten an eine zentrale Recheneinheit CPU vermittelt. The thus constructed, the memory modules are controlled by a memory controller, which conveys the data to a central processing unit CPU. Für die DRAMs existieren zur Durchführung der Speicherung gegenwärtig verschiedene Speicherprotokolle, wie z. For DRAMs to perform the storage currently exist various storage protocols such. B. das Protokoll Enhanced Data Out (= EDO), das Fast-Page-Mode Protokoll (= FPM) sowie die bereits genannten Protokolle SDR, DDR1 und DDR2. As the Enhanced Data Out (EDO =) the aforementioned protocols SDR DDR1 and DDR2 protocol that fast page-mode protocol (= FPM) as well. Ein Controller ist dabei gleichzeitig für mehrere Module zuständig. A controller is also responsible for multiple modules. Durch entsprechende Aktivierung von Empfangsschaltungen der einzelnen Module ist es möglich, eine aus mehreren Modulen zusammengesteckte Modulgruppe modulspezifisch zu adressieren. By appropriate activation of receiving circuits of the individual modules, it is possible to address a plugged-together of several modules module-specific module group. Um möglichst viele Module parallel adressieren zu können, wurden so genannte "Fully Buffered" DIMMs entwickelt. In order to address many modules as parallel as possible, so-called "fully buffered" DIMMs were developed. Dabei handelt es sich um ein Buskonzept, bei dem ein schmales High-Speed-Busprotokoll einzelne Module niederkapazitiv verbindet. It is a bus concept, in which a narrow high speed bus protocol combines individual modules low capacitance. Auf dem Modul bzw. der Komponente wird dieses Busprotokoll dann in ein langsameres DRAM-Protokoll umgesetzt. On the module or the component of this bus protocol is then reacted in a slower DRAM protocol. Dabei sitzt der Controller-ASIC entweder auf dem DRAM-Interface selbst, wie z. Here, the controller ASIC either sits on the DRAM Interface itself, such. B. im Fall der DRAMs eines RAM-Bus-Speichermoduls, oder als eigenständige Komponente auf dem Modul. B. in the case of DRAMs of a RAM-bus memory module or as a standalone component on the module. In jedem Fall ist das DRAM-Protokoll zum Adressieren des Speichers vom äußeren Interface abgeschottet. In any case, the DRAM protocol is sealed off for addressing the memory from the external interface.
  • In der In the DE 102 29 120 A1 DE 102 29 120 A1 sind eine Adapterkarte und ein Verfahren zum Einbau von Speichermodulen ohne Signalkonditionierungsmittel in Systeme, welche für Speichermodule mit entsprechenden Signalkonditionierungsmitteln ausgeführt sind, beschrieben. an adapter card and a method of installing a memory module without signal conditioning agents in systems which are designed for memory modules with appropriate signal conditioning agents are described. Ein CA-Puffer für einen Adress-Comment-Zweig, sowie zwei DQ-Puffer für Datenleitungen sind dabei zwischen der Schnittstelle zum Mainboard und dem Sockel zum Adaptieren ungepufferter Speichermodule vorgesehen. A CA buffer for an address Comment branch, and two DQ buffers for data lines are provided between the interface with the motherboard and the base for adapting buffered memory modules. Gemäß dieser Druckschrift ist ein SPD-Speicherbereich für Speicherung der Konfiguration nicht vorgesehen. According to this document an SPD memory area for storage of the configuration is not provided.
  • In der In the US 6,772,261 B1 US 6,772,261 B1 ist ein Adaptersockel offenbart, welcher den Einsatz von Speichermodulen eines gewissen Standards in Systemen, welche einen anderen Standard voraussetzen, ermöglicht. is disclosed an adapter socket, which enables the use of memory modules of a certain standards in systems which require a different standard. Ein SPD-Speicher auf dem Adaptersockel dient dazu, dem Motherboard korrekte Konfigurationsdaten zu Verfügung zu stellen. An SPD memory on the adapter base serves to provide correct configuration data available to the motherboard. Pufferbausteine oder ein AMB sind nicht vorgesehen. Buffer components or AMB are not provided.
  • Die The US 6,457,155 B1 US 6,457,155 B1 offenbart Speichermoduladapter, welche es ermöglichen, Speichermodule mit geringem Funktionsumfang mit zusätzlichen Funktionen nachzurüsten. discloses memory module adapter which make it possible to retrofit modules made with low functionality with additional functions.
  • Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine Adapterkarte bzw. einen Adaptersockel anzugeben, mit dem die Eigenschaft des "Fully Buffered" auch für herkömmliche DRAM-Module simuliert werden kann. It is an object of the invention to provide an adapter card or an adapter socket, with the property of "Fully Buffered" can also be simulated for conventional DRAM modules. Mit anderen Worten sollen beliebige DRAM-Module mittels einer solchen Karte die Funktionalität eines FBDIMMs erhalten, so dass ein Bootvorgang derselben in Servern möglich ist. In other words, any DRAM modules should have the functionality of a FBDIMMS means of such a card, so that a boot operation thereof is possible in servers. Darüber hinaus ist es eine Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur erweiterten Selbstkonfiguration von adaptierten Speichermodulen anzugeben. Moreover, it is an object of the invention to provide a method for extended self-configuring memory modules adapted.
  • Diese Aufgabe wird durch eine Adapterkarte nach Anspruch 1 sowie ein Verfahren nach Anspruch 11 gelöst. This object is achieved by an adapter card according to claim 1 and a method according to claim. 11 Bevorzugte Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen angegeben. Preferred embodiments are specified in the dependent claims.
  • Ein Speichermodul, das mit einer derartigen Adapterkarte ausgestattet, dh über einen Stecksockel verbunden ist, weist demnach eine Funktionalität auf, welche derjenigen eines FBDIMMs (= Fully Buffered DIMM) entspricht. A memory module equipped with such an adapter card, that is connected via a plug-in socket, thus has a functionality which corresponds to that of an FBDIMM (Fully Buffered DIMM =). Beim Booten eines derartigen FBDIMM-adaptierten Moduls wird automatisch die passende Einstellung eines SPD-Speichers bezüglich der Hardwarekonfiguration des zu adaptierenden Moduls ermittelt und im SPD-Speicher des Adaptersockels abgelegt. At boot time of such FBDIMM-adapted module, the appropriate setting of an SPD memory is automatically determined with respect to the hardware configuration of the module to be adapted and saved in the SPD memory of the adapter socket. Auf diese Weise kann das Modul in nachfolgenden Bootvorgängen wie ein FBDIMM betrieben werden. In this way, the module can be operated in subsequent boot operations such as a FBDIMM. Dies ist sowohl auf Anwenderseite, dh beim Einsatz in Anwendersystemen, als auch in Bezug auf die Ermöglichung kostensparender Testkonzepte auf Herstellerseite von Vorteil. This is both on the user side, that when used in user systems, as well as in terms of enabling cost-saving test concepts among producers an advantage.
  • Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren beschrieben, welche lediglich der erläuternden Darstellung dienen und nicht dafür gedacht sind, den Schutzbereich der Erfindung zu beschränken. The invention will now be described with reference to the accompanying drawings, which are merely serve the explanatory illustration only and not intended to limit the scope of the invention. In den Zeichnungen zeigen: In the drawings:
  • 1 1 eine schematische Darstellung eines Standard-FBDIMMs; a schematic representation of a standard FBDIMMS;
  • 2 2 ein Ausführungsbeispiel einer einfachen FBDIMM-Adapterkarte für Speichermodule mit ECC-Speicher; an embodiment of a simple FBDIMM adapter card for memory modules with ECC memory;
  • 3A 3A und and 3B 3B weitere Ausführungsbeispiele einer FBDIMM-Adapterkarte für Speichermodule ohne ECC-Speicher; further embodiments of a FBDIMM adapter card for memory modules without ECC memory;
  • 4 4 ein Ausführungsbeispiel eines SO-DIMM-Adapters; an embodiment of a SO-DIMM adapter;
  • 5 5 ein Ausführungsbeispiel einer universellen FBDIMM-Adapterkarte; an embodiment of a universal FBDIMM adapter card;
  • 6 6 eine zweite Ausführungsform einer universellen FBDIMM-Adapterkarte; A second embodiment of a universal FBDIMM adapter card; und and
  • 7 7 ein Flussdiagramm zur Veranschaulichung der Selbstkonfiguration der FBDIMM-Adapterkarte von a flow diagram illustrating the self-configuration of the adapter card of FBDIMM 6 6 . ,
  • In den verschiedenen Figuren sind entsprechende Komponenten mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet. In the various figures, corresponding components are denoted by the same reference numerals.
  • Wie dies bekannt ist, ist die Anzahl der in einem Speichermodul parallel adressierbaren Module durch die elektrische Signallaufzeit und die verminderte Signalqualität aufgrund der durch die Schaltung entstehende RC-Last verminderte Signalqualität limitiert. As is known, the number of parallel addressable modules in a memory module is limited by the electrical signal propagation time and the reduced signal quality due to the resulting load by the circuit RC-reduced signal quality. Bei herkömmlichen Speichermodulen werden deshalb üblicherweise nur zwei bis vier UDIMMs (= Unbuffered-DIMMs) direkt an den Speichercontroller geschaltet. Therefore, in conventional memory modules only two to four UDIMMs (= Unbuffered DIMM) are usually connected directly to the memory controller. Soll diese Anzahl erhöht werden, so muss die Treiberlast minimiert werden. Should this number be increased, so the drivers load must be minimized. Hierfür werden üblicherweise parallele Kontrollsignale über Registerbausteine, die auf dem Speichermodul angebracht sind, minimiert, da diese Registerbausteine die einzelnen parallel verdrahteten DRAMs vom zugehörigen Speicherbus elektrisch abkoppeln. For this purpose, usually parallel control signals via register components which are mounted on the memory module is minimized, since these register components electrically decouple the individual DRAMs wired in parallel from the associated memory. Auf diese Weise wird es ermöglicht, dass zwischen vier und acht RDIMMs (= Registered-DIMMs) parallel betrieben werden. In this way it is possible that between four and eight RDIMMs (Registered = DIMMs) are operated in parallel.
  • Mittels der bereits beschriebenen Fully-Buffered DIMMs (FBDIMMs) kann die Zahl der parallel betriebenen DIMMs noch erheblich gesteigert werden. By means of the above-described fully-buffered DIMMs (FBDIMM) the number of DIMMs operated in parallel may be significantly increased. Ein solcher FBDIMM verfügt über einen AMB-Pufferspeicher (AMB = Advanced Memory Buffer), welcher den Datentransfer vom DRAM-Interface zum Speichercontroller vermittelt. Such FBDIMM has an AMB buffer (AMB = Advanced Memory Buffer), which mediates the transfer of data from the DRAM interface to the storage controller. Ein solcher AMB-Pufferspeicher verfügt gemäß JEDEC-Spezifikation über zwei unabhängig arbeitende Adress-Command-Zweige, welche als CA-Copy A und CA-Copy B bezeichnet und unabhängig, aber vorzugsweise gemeinsam zum Aktivieren der Schreib-Lesevorgänge verwendet werden. Such AMB buffer memory has to JEDEC specification two independently operating Address Command branches which designates and independently as CA-Copy A and CA-Copy B, but are preferably used together for activating the read-write operations. Diese zweigeteilte Architektur des AMB-Pufferspeichers hat zum einen den Vorteil einer geringen kapazitiven Belastung der CA-Busse auf dem Modul und zum anderen können Adressierungen im Zweig A komplementär zum Zweig B vorgenommen werden. This two-tier architecture of the AMB buffer firstly has the advantage of a low capacitive load on the CA busses on the module and the other addressing can be made in branch A complementary to the branch B. Aufgrund des durch die komplementäre Adressierung auftretenden Aus gleichs der entstehenden Querströme wird die Gesamtstromaufnahme merklich verringert, wodurch wiederum die Rauschanfälligkeit gesenkt wird. Due to the occurring by the complementary address from the cross-currents resulting equalization the total power consumption is significantly reduced, which in turn susceptibility to noise is reduced.
  • Unabhängig davon, von welchen der Address-Command-Zweige eine DRAM-Komponente angesteuert wird, tragen alle DRAM-Komponenten gemeinsam zu den 72 Bit breiten DQ-Daten bei. Regardless of which of the Address Command branches a DRAM device is driven to carry all DRAM components common to the 72-bit wide at DQ data. Insgesamt sollte also die Belastung der beiden Address-Command-Zweige mit möglichst vielen Komponenten gut ausbalanciert werden. Overall, the impact of the two address Command branches with as many components should be well balanced.
  • Um auf Herstellerseite die einzelnen Speichermodule testen zu können, werden auf dem AMB-Controller so genannte "BIST-Schaltungen" (= Built-In-Self-Test) integriert. To test on manufacturer side, the individual memory modules are on the AMB controller so-called "BIST circuits" (= built-in self-test) integrated. Je nach BIST-Schaltungstyp können verschiedene Funktionen verwirklicht werden. Depending on the BIST circuit type, different functions can be realized. So wird der High-Speed-Channel eines Moduls mittels eines Interface-BIST (= IBIST) getestet, während mit einem Memory-BIST die Funktionalität des DRAM-Interfaces zwischen dem Pufferspeicher und den DRAM in Bezug auf DRAN-bezogene Ausfälle getestet wird. Thus, the high-speed channel of a module by means of an interface BIST (= IBIST) is tested while using a memory BIST the functionality of the DRAM interface between the buffer memory and the DRAM is tested with respect to DRAM related failures. Hierbei werden Schreib-Lese-Algorithmen im gesamten Adressraum des Speichermoduls durchgeführt. Here, read-write algorithms in the entire address space of the memory module are performed. In diesem Zusammenhang stellt ein FBDIMM eine DRAM-Applikation dar, wobei bei angelegter Spannung Bereitstellung eines Systemtaktes Speicherzugriffe durchgeführt werden. In this context, an FBDIMM is a DRAM application, wherein conducted at an applied voltage providing a system clock memory accesses. Diese BISTs werden gemäß einer Ausführungsform der Erfindung für die Selbstkonfiguration eines Adaptersockels verwendet. This BIST be used according to an embodiment of the invention for the self-configuration of an adapter base.
  • Um zu ermöglichen, dass der AMB-Pufferspeicher über ein DDR2-Interface mit dem DRAMs kommunizieren kann, müssen die angeschlossenen DRAMs mit einem MRS und einem EMRS-Kommando konfiguriert werden. In order to allow the AMB buffer memory may communicate via a DDR2 interface to the DRAMs, the connected DRAMs must be configured with a MRS and EMRS command. Die Burst-Länge und die Latenz müssen im AMB-Pufferspeicher bezüglich der EMRS/MRS-Einstellungen angepasst werden. The burst length and latency must be adjusted in AMB buffer memory regarding the EMRS / MRS settings. Die Konfiguration der DRAMs über MRS erfolgt durch SM-Bus-Programmierung bestimmter Register des AMB-Pufferspeichers. The configuration of the DRAMs on MRS through SM bus programming certain registers of the AMB-buffer memory. Um eine Kommunikation zwischen dem AMB-Pufferspeicher und dem DRAMs zu ermöglichen, muss der Daten empfang auf Seiten des AMB-Pufferspeichers kalibriert werden. In order to enable communication between the AMB buffer memory and the DRAM, the data must be calibrated on the side of AMB buffer memory receiving. Üblicherweise sind dazu auf dem AMB-Pufferspeicher entsprechende Funktionen, dh so genannte "Machines" implementiert, gegenwärtig eine DQS-Receive-Calibration-Machine und eine DQ-Enable-Calibration-State-Machine. Usually this on the AMB buffer corresponding functions, ie so-called "Machines" implemented, currently a DQS Receive Calibration Machine and a DQ Enable Calibration state machine. Diese Kalibrierungen finden wie folgt statt: In den beiden Kalibration-State-Machines werden kurze Selbsttestmuster abgearbeitet (MEIST-Patterns), gemäß denen die DRAMs aufgefordert werden, Daten an den AMB-Pufferspeicher zu schicken. For these calibrations take place as follows: In the two calibration-state machines short self-test patterns are processed (MOST patterns), pursuant to which prompted the DRAMs to send data to the AMB buffer. Im ersten Kalibrierungsschritt wird festgestellt, ob bei dem AMB-Pufferspeicher am DDR2-Interface die nötige Anzahl an DQS-Signalen ankommt. In the first calibration step, it is determined whether the necessary number arrives at DQS signals in the buffer memory AMB at the DDR2 interface. Hierzu werden RD-Kommandos an die DRAMs gesendet. To this end, RD commands are sent to the DRAMs. Im zweiten Kalibrierungsschritt wird festgestellt, ob bei den 72 Bit DQ-Interface DQ-Daten synchron zu den 18 DQS-Signalen (bzw. 9 DQS-Signalen, je nach Organisation der DRAMs) ankommen. In the second calibration step is determined whether or not synchronous with the 18 DQS signals in the 72-bit interface DQ DQ data (or 9 DQS signals depending on the organization of DRAMs) arrive. Der AMB-Pufferspeicher besitzt 18 (bzw. 9) unabhängig arbeitende DQS-Receiver und Treiber, um die gesendeten Daten von 18 unabhängig arbeitenden DRAMs zeitgenau zu erfassen. The AMB buffer memory has 18 (or 9) independently operating DQS receiver and driver in order to detect the transmitted data of 18 independently operating DRAMs time exactly. Nachdem beide Kalibrierungsschritte erfolgreich durchgeführt wurden, kann das DDR2-Interface zur Datenübertragung auf der vollen Breite von 72 Bit verwendet werden. After both calibration steps have been successfully carried out, the DDR2 interface can be used for data transmission on the full width of 72 bits.
  • Vorstehend wurde die Kalibrierung am Beispiel eines DDR2-Interfaces angegeben. Above the calibration was given the example of a DDR2 interface. Es ist jedoch für den Fachmann offensichtlich, wie eine entsprechende Kalibrierung für andere Interfaces in diesem Zusammenhang abläuft. However, it is obvious to the skilled person as a corresponding calibration for other interfaces in this connection expires.
  • Damit spezielle Treiberstärken bezüglich des CA-Busses eingestellt werden können, werden so genannte "Personality Bytes" verwendet. So special drive strengths can be adjusted with respect to the CA bus, will be "Personality bytes" used so-called. Hierbei handelt es sich um 14 Bytes im SPD-Speicher, welche beim Bootvorgang vom BIOS-Betriebssystem gelesen und in den AMB-Pufferspeicher geschrieben werden. This is up 14 bytes in the SPD memory which is read during the boot process by the BIOS operating system and written to the AMB buffer. Durch entsprechende Verwendung der genannten Bytes können verschiedene Konfigurationen, Stromsparmechanismen oder Fixes verwirklicht werden. By appropriate use of said bytes different configurations, power saving mechanisms or fixes can be realized. Welche dieser Einstellungen realisiert wird, liegt im Ermessen des Herstellers des AMB-Pufferspeichers. Which of these settings is implemented at the discretion of the manufacturer of AMB buffer memory.
  • Zur Erläuterung der Funktionsweise der Ausführungsbeispiele der Erfindung ist in To explain the function of the embodiments of the invention is in 1 1 ein standardisierter FBDIMM gezeigt. a standardized FBDIMM shown. Eine wesentliche Komponente dieses FBDIMMs ist ein AMB-Pufferspeicher, welcher mit dem Bezugszeichen An essential component of this FBDIMMS AMB is a buffer memory which by reference numeral 1 1 gekennzeichnet ist. is characterized. Dieser AMB-Pufferspeicher This AMB buffer 1 1 ist über einen HS-(= high speed)-Datenbus is a HS - (= high speed) data 3 3 sowie über ein Hochfrequenz-Interface as well as a high-frequency interface 2 2 mit einem Speichercontroller (nicht gezeigt) des FBDIMM verbunden. with a memory controller (not shown) of the FBDIMM connected. Zur Initialisierung des AMB-Pufferspeichers To initialize the AMB buffer memory 1 1 und von DRAMs and DRAMs 4 4 , . 4' 4 ' des Moduls (hier sind neun DRAMs mit den Ziffern 0 bis 8 dargestellt) wird der Inhalt eines SPD-Speichers of the module (here nine DRAMs with the digits 0 to 8 are shown), the contents of an SPD memory 5 5 über einen SM-Bus a SM Bus 6 6 ausgelesen. read. Der SM-Bus The SM Bus 6 6 steuert des Weiteren den AMB-Pufferspeicher further controls the buffer memory AMB 1 1 dahingehend, dass über ihn die beschriebenen MRS-Befehle an die DRAMs in that over it the described MRS commands to the DRAMs 4 4 , . 4' 4 ' gesendet werden, um diese zu konfigurieren. are sent to configure them.
  • In der Figur ist der FBDIMM in einen Teil A, dem FBDIMM-Interface und einen Teil B, dem DDR-Interface unterteilt. In the figure, the FBDIMM in part A, the FBDIMM interface and a part B, the DDR interface is divided.
  • Üblicherweise sind FBDIMMs aus ECC-Speicherbausteinen aufgebaut, welche den 72 Bit breiten SM-Datenbus Typically FBDIMMS are composed of ECC memory devices, which the 72-bit wide data bus SM 6 6 (64 + 8 Bit) unterstützen. (64 + 8 bits) support.
  • 2 2 stellt ein Beispiel einer einfachen Adapterkarte bzw. eines Sockels provides an example of a simple adapter card or a pedestal 8 8th dar, welcher einen AMB-Pufferspeicher represents that an AMB buffer 1 1 aufweist. having. Auf der Adapterkarte bzw. dem Sockel On the adapter card or the socket 8 8th ist ein zu adaptierendes ungepuffertes Modul is too adaptierendes unbuffered module 7 7 aufgesteckt. attached. Dieses ungepufferte Modul This unbuffered Module 7 7 weist ebenfalls neun DRAMs also has nine DRAMs 4 4 , . 4' 4 ' auf, von denen eines , of which one 4' 4 ' ein ECC-DRAM ist. an ECC DRAM. Die Kalibrierung des Interfaces zu den DRAMs The calibration of the interface to the DRAMs 4 4 ist unabhängig von der Montage ausführbar. is independent of the mounting feasible.
  • Eine weitere Ausführungsform einer einfachen Adapterkarte ist in den Another embodiment of a simple adapter card is in the 3a 3a und and 3b 3b gezeigt. shown. Im Unterschied zu der Ausführungsform von In contrast to the embodiment of 2 2 handelt es sich bei den hier zu adaptierenden ungepufferten Modulen is it in here to be adapted unbuffered modules 7 7 um solche, welche nicht über einen eigenen ECC-Speicherbaustein verfügen. to those which do not have their own ECC memory module. Aus diesem Grund beträgt die Datenbreite bei diesem Modul For this reason, the data width is in this module 7 7 lediglich 64 Bit. only 64 bits. Die fehlenden ECCs müssen nunmehr auf der Adapterkarte vorhanden sein. The missing ECCs must be available now on the adapter card. In In 3a 3a ist ein Beispiel mit zwei ECC-Speicherbausteinen is an example with two ECC memory modules 9 9 gezeigt, welche eine x8 Organisation aufweisen, wohingegen shown having a x8 organization, whereas 3b 3b die Adaption eines sogenannten "Zweibankmoduls" (Two-Rank Modul) zeigt, für welches 4 ECC-Speicherbausteine the adaptation of a so-called "two-bank module" (Two-Rank cartridge), for which 4-ECC memory modules 9 9 in x4 Organisation auf dem Adaptersockel notwendig sind. in x4 organization are necessary on the adapter socket. Idealerweise sollte die Organisation der Dqs der ECC-Speicherbausteine Ideally, the organization DQS ECC memory modules 9 9 des Adapters mit derjenigen des ungepufferten Moduls übereinstimmen, wenn eine einfache 1:1 Adaption angestrebt wird. of the adapter with that of the unbuffered module match, if a simple 1: 1 adaptation is sought.
  • In In 4 4 ist ein weiteres Beispiel einer Adapterkarte bzw. eines Sockels is another example of an adapter card and a base 8 8th dargestellt, welcher dazu dient, einen sogenannten SO-DIMM, welcher ein x16 organisierter DRAM ist, als DRAM-Modul shown, which serves a so-called SO-DIMM, which is a x16 DRAM organized as DRAM module 7 7 FBDIMM-kompatibel zu adaptieren. to adapt FBDIMM compatible. Da jedoch die heute üblichen DDR2-Pinleisten für SO-DIMMs nur 200 Pins aufweisen, und nicht 240 Pins, wie dies für LDIMMs (Legacy-DIMMs) der Fall ist, muss ein solcher Sockel getrennt konfiguriert werden. However, since the usual today DDR2-pin headers for SO-DIMMs have only 200 pins, and not 240 pins, as for LDIMMs (Legacy-DIMMs) of the case, such a socket to be configured separately. Wenn, es sich, wie in If it is, as in 4 4 gezeigt, bei der Adapterkarte um einen Sockel shown, wherein the adapter card to a socket 8 8th handelt, dessen ECC-Speicherbausteine is, the ECC memory modules 9 9 in x8 Ordnung organisiert sind, müssen die DQS Data-Strobe-Leitungen, welche den AMB-Speicher are organized in order x8 must DQS data strobe lines connecting the AMB memory 1 1 mit den DRAMs to DRAMs 4 4 verbinden, auf 8 aufgedoppelt werden. connect be doubled on. 8
  • Wollte man nun alle diese potentiellen zu adaptierenden Module FBDIMM-kompatibel adaptieren, so benötigte man eine Vielzahl von Adapterkarten, wie die nachstehende Tabelle 1 verdeutlicht. If one wanted to adapt all this potential to be adapted modules FBDIMM compatible, so you needed a plurality of adapter cards, such as Table 1 below illustrates.
    FBDIMM-Sockel FBDIMM sockets für For
    a) ungep.(ohne ECC) a) ungep. (without ECC) x4/x8 org. x4 / x8 org. ungep. ungep. ECC 240 Pin ECC 240 pin
    b) x4 org. b) x4 org. ECC 1 R Rank ECC 1 R Rank x4 org. x4 org. ungep. ungep. ohne ECC 240 Pin without ECC 240 pin
    c) x8 org. c) x8 org. ECC 1 R Rank ECC 1 R Rank x8 org. x8 org. ungep. ungep. ohne ECC 240 Pin without ECC 240 pin
    d) x8 org. d) x8 org. ECC 1 R Rank ECC 1 R Rank x16 org. x16 org. ungep. ungep. ohne ECC 200 Pin without ECC 200 Pin
    (Tabelle 1) (Table 1)
  • Die Vielfalt dieser notwendigen Adaptersockel soll nun durch einen einzigen Sockel verwirklicht werden, insbesondere für die üblichen 200-Pin- und 240-Pin-Module. The diversity of these necessary adapter base will now be realized by a single base, in particular for the usual 200-pin 240-pin modules.
  • Ein erstes Ausführungsbeispiel einer solchen universalen Adapterkarte bzw. eines solchen universalen Adaptersockels ist in A first embodiment of such a universal adapter card or such a universal adapter base is in 5 5 gezeigt. shown. Bei diesem Adaptersockel handelt es sich um einen manuell für Betrieb mit ECC-Speichern konfigurierbaren Sockel In this socket adapter is a manually-configurable for operation with ECC storing base 8 8th . ,
  • Der AMB-Pufferspeicher AMB buffer 1 1 des Sockels the base 8 8th ist mit einem HS-Interface is a HS-Interface 2 2 verbunden. connected. Die Address-Command-Zweige The Address Command Branches 10a 10a und and 10b 10b werden im folgenden auch als CA-Copy A und CA-Copy B bezeichnet. are hereinafter referred to as CA-Copy A and CA-B Copy. Jeder dieser Address-Command-Zweige Each of these address Command Branches 10a 10a , . 10b 10b sollte sämtliche Steuerpins beinhalten, um einen Zugriff auf den AMB-Pufferspeicher all control pins should include an access to the buffer memory AMB 1 1 zu ermöglichen. allow. Wie bereits erwähnt, werden die beiden Zweige As already mentioned, the two branches are 10a 10a , . 10b 10b in herkömmlichen Anwendungen normalerweise gemeinsam betrieben. normally operated together in conventional applications. Jeder der Address-Command-Zweige Each of the address Command Branches 10a 10a , . 10b 10b dient dem Zugriff auf die am jeweiligen Zweig über DQ-Leitungen und DQS-Leitungen angeschlossenen DRAMs is used to access the most relevant branch over DQ lines and DQS lines connected DRAMs 4 4 des zu adaptierenden Moduls the module to be adapted 7 7 . , Beispielsweise können DRAMs For example, DRAMs 4 4 , die dem Zweig CA-Copy A zugeordnet sind, über Lei tungen DQ0–31 und CB0–3 versorgt werden, während DRAMs That are associated with the branch CA copy A, DQ0-31 are supplied and CB0-3 via Lei obligations, while DRAMs 4 4 , die dem Zweig CA-Copy B zugeordnet sind, über Leitungen DQ32–63 und CB4–7 versorgt werden. That are associated with the branch CA-Copy B, are supplied via lines DQ32-63 and CB4-7. Die Datenleitungsströme sind in The data line currents are 5 5 durch Hohlpfeile angedeutet. indicated by hollow arrows.
  • Wie dies zu erkennen ist, sind in der Ausführungsform der As can be seen, in the embodiment of 5 5 drei Stecksockel three socket 11a 11a , . 11b 11b , . 11c 11c , ausgebildet, die der Aufnahme verschiedener DRAM-Module dienen. , Formed, which serve to receive different DRAM modules.
  • In den Ausführungsbeispielen der Erfindung werden die beiden Address-Copy-Zweige In the embodiments of the invention, the two address Copy-branches are 10a 10a , . 10b 10b gezielt getrennt eingesetzt, um getrennt verschieden organisierte ECC-Speicherbausteine used selectively separated to different organized separately ECC memory modules 9 9 zu adressieren. To address. In den gezeigten Beispielen handelt es sich um x4 und x8 organisierte ECC-Speicherbausteine In the examples shown is x4 and x8 organized ECC memory modules 9 9 . , Der Grund hierfür liegt darin, dass gegenwärtig ausschließlich FBDIMM-Module dieser Organisationsform im Handel erhältlich sind. The reason for this is that only FBDIMM modules of this organization are commercially available at present. Natürlich kann, wenn andere Arten von FBDIMMs adaptiert werden sollen, auch eine entsprechend andere Organisationsform der ECC-Speicherbausteine Of course, if other types are to be adapted by FBDIMMs, also a correspondingly different form of organization of ECC memory modules 9 9 des Adaptersockels gewählt werden. the adapter socket can be selected. In der Praxis sollten die ECC-Speicherbausteine In practice, the ECC memory modules should 9 9 so groß gewählt werden, dass alle Speicherdichten kompatibel bezüglich der Parameter Row/Column/Address ergänzt werden können, auch wenn nur ein Bruchteil des Speichers benutzt wird. be chosen so large that all the storage densities of the parameters Row / Column / Address can be supplemented compatible respect, even if only a fraction of the memory is used.
  • Im gezeigten Ausführungsbeispiel ist über den Copy-Address-Zweig In the illustrated embodiment is about the Copy Address branch 10a 10a ein Stecksockel a socket 11a 11a mit 200 Pin angeschlossen, der in der Organisationsform x16 verwendet wird. is used in the form of organization x16 connected with pin 200. Über den Copy-Address-Zweig About the Copy Address branch 10b 10b auf der rechten Seite der Darstellung sind ein Stecksockel on the right side of the illustration is a plug-in base 11b 11b mit 240 Pin sowie in dessen Verlängerung (in Serie geschaltet) ein Stecksockel Pin 240 and in its extension (connected in series) is a plug-in base 11c 11c mit 200 Pin angeschlossen, wobei letzterer für die Adaption von x8 organisierten SODIMMs eingesetzt wird. the latter is used for the adaptation of x8 organized SODIMMs connected with pin 200. Es ist anzumerken, dass, obwohl mehrere Stecksockel It should be noted that although a number of plug-in base 11a 11a , . 11b 11b , . 11c 11c vorhanden sind, jeweils nur ein zu adaptierendes pufferloses Modul eingesetzt werden kann. are present, only one buffer to adaptierendes loose module can be used.
  • Was den Signalaustausch zwischen dem eingesetzten zu adaptierenden Modul und dem AMB-Pufferspeicher What signal exchange between the employed to be adapted module and the AMB buffer 1 1 betrifft, so erwartet letzterer bei Einsatz eines Interfaces, welches nach dem DDR2-Protokoll arbeitet, 18 bzw. 9 Signale des Typs DQS für die dargestellte Konfiguration von x4 und x8 organisierten ECC-Speicherbausteinen, sowie 72 Signale des Typs DQ. is concerned, the latter expected when using an interface that operates according to the DDR2 protocol, 18 and 9 of the type DQS signals for the illustrated configuration of x4 and x8 organized ECC memory devices, as well as 72 type signals DQ. In diesem Zusammenhang ist ein virtueller Sockel In this context, a virtual base 11' 11 ' gezeigt, welcher die Organisationsform x4/x8 aufweist. shown having the form of organization x4 / x8.
  • Die derzeit erhältlichen AMB-Pufferspeicher unterstützen keine x16 organisierten Interfaces. The currently available AMB buffers do not support x16-organized interface. Werden jedoch von einem zu adaptierenden Modul des Typs SODIMM nur 4 DQS-Signale geliefert, so können diese Signale auf 8 bzw. 16 DQS-Pins des AMB-Pufferspeichers parallel verteilt werden, um mit den derzeitig erhältlichen Dateninterfaces des AMB-Pufferspeichers kompatibel zu sein. However supplied from a to be adapted module of the type SODIMM only 4 DQS signals, these signals can be distributed in parallel at 8 and 16 DQS pins of the AMB-buffer memory in order to be compatible with the currently available data interfaces of the AMB-buffer ,
  • Für den Fall, dass ein zu adaptierendes Modul selbst mit einem ECC-Speicherbaustein ausgestattet ist, aber dennoch mit einer Adapterkarte, wie sie hier beschrieben und gezeigt ist, adaptiert werden soll, ist es vorteilhaft, dass die ECC-Speicherbausteine In the event that a too adaptierendes module itself is equipped with an ECC memory module, but should nevertheless be, adapted by an adapter card, as described and illustrated herein, it is advantageous that the ECC memory modules 9 9 des Sockels the base 8 8th manuell an die Address-Command-Zweige manually to the address Command Branches 10a 10a , . 10b 10b des AMB-Pufferspeichers the AMB buffer memory 1 1 koppelbar sind. can be coupled. Mit anderen Worten soll die Kopplung eine lösbare sein. In other words, the coupling is to be releasable. Dies ist möglich, da sowohl die 240/200 Pin-Stecksockel This is possible because both the 240/200 pin socket 11a 11a , . 11b 11b , . 11c 11c als auch die EEC-Speicherbausteine and the ECC memory modules 9 9 mit dem jeweiligen CA-Bus versorgt werden. are supplied with the respective CA bus. Eine Deaktivierung oder manuelle Entkoppelung von ECC-Speicherbausteinen Deactivation or manual uncoupling of ECC memory modules 9 9 kann beispielsweise erfolgen, wenn diese mittels lösbarer Lötbrücken can occur for example when these solder bridges by means of releasable 12 12 oder sogenannter Jumper mit dem AMB-Pufferspeicher or so-called jumpers with the AMB buffer 1 1 verbunden sind. are connected. Durch einfaches Ablöten einer Steuersignalleitung ist dann eine Deaktivierung der entsprechenden Speicherbausteine und eine Anpassung des Adaptersockels By simply Unsoldering a control signal line is then a deactivation of the corresponding memory blocks and an adaptation of the adapter socket 8 8th an entsprechende zu adaptierende Module möglich. possible to appropriate modules to be adapted. Eine andere Möglichkeit besteht im Vorsehen von Steckverbindungen für die ECC-Speicherbausteine Another possibility is the provision of connectors for ECC memory modules 9 9 . , Man spricht in diesem Zusammenhang auch von "Sockelung". One speaks in this context of "sock Lung". Diese Tatsache ist in den Figuren durch die strichlierten Linien angedeutet, mit denen die ECC-Speicherbausteine This fact is indicated in the figures by the dashed lines, to which the ECC memory modules 9 9 zu Gruppen zusammengefasst sind. are grouped together. Die parasitären noch vorhandenen Zuleitungen bilden erfahrungsgemäß keine Beeinträchtigungen der Signalqualität oder zusätzliche Aktivierungen. The parasitic remaining supply lines form experience shows no signal quality degradation or additional activations.
  • Durch die geschilderte Maßnahme können sowohl DRAMS adaptiert werden, welche keinen eigenen ECC-Speicher aufweisen, da im Adaptersockel The described measure both DRAMs can be adapted, which do not have their own ECC memory, as in the adapter socket 8 8th bereits x4 bzw. x8 organisierte ECC-Speicherbausteine already x4 or x8 organized ECC memory modules 9 9 vorhanden sind, welche aber selektiv gelöst bzw. deaktiviert werden können, als auch jede Art von UDIMMs. are available, but which can be selectively released or deactivated, as well as any type of UDIMMs.
  • Mit nunmehrigem Bezug auf With reference now to 6 6 wird eine zweite Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Adapterkarte bzw. eines Sockels A second embodiment of an adapter card according to the invention and a socket 8 8th gezeigt. shown. Ebenso wie die vorstehend beschriebene bevorzugte Ausführungsform ist es auch hier möglich, sowohl Module mit integriertem ECC-Speicher als auch solche ohne derartige Speicher zu adaptieren. As well as the preferred embodiment described above, it is also possible here to adapt both modules with integrated ECC memory as well as those without such memory. Auch bei dieser Ausführungsform arbeiten die beiden Zweige des AMB-Pufferspeichers In this embodiment, the two branches of AMB buffer memory work 1 1 getrennt voneinander. separated from each other. Hier wird der rechte Address-Copy-Zweig Here is the right address Copy branch 10b 10b oder Address-Copy B für die Kontrolle der ECC-Speicherbausteine or Copy address B for the control of ECC memory modules 9 9 verwendet, während der rechte Address-Copy-Zweig used, while the right branch address Copy- 10a 10a oder Address-Copy A das zu adaptierende Modul anspricht, wofür gegebenenfalls kein EEC-Speicherbaustein or Copy address A responsive to the adapting module, for which there may be no ECC memory module 9 9 notwendig ist (siehe oben). is necessary (see above).
  • Für die Aufnahme eines zu adaptierenden Moduls sind hier zwei Stecksockel are here to receive a module to be adapted two socket 11a 11a , . 11b 11b vorhanden, z. No such. B. ein 200 Pin-Sockel und ein 240 Pin-Sockel, die in Serie geschaltet sind. For example, a pin socket 200 and a 240-pin socket, which are connected in series. Selbstverständlich können auch nur ein Stecksockel Of course, even a socket 11 11 oder mehr als zwei Stecksockel vorhanden sein. be or more than two sockets available. Es ist anzumerken, dass die exakte Pinzahl der Stecksockel (dh deren Format) nicht wesentlich ist. It should be noted that the exact number of pins of connectors (ie their size) is not essential. Der Fachmann wird generell die handelsüblichen Formate hierfür wählen. The skilled person will generally choose the standard formats for this.
  • Bei dieser Ausführungsform ist der AMB-Pufferspeicher dafür ausgelegt, über ein Mainboard zur Ermittlung der Konfiguration des in den Stecksockel In this embodiment the buffer memory AMB is adapted over a motherboard to determine the configuration of the plug socket 11a 11a , . 11b 11b eingeführten zu adaptierenden ungepufferten Speichermoduls angesteuert zu werden. introduced to be driven to be adapted unbuffered memory module. Hierdurch wird eine Erweiterung der AMB-Funktionalität bezüglich der Selbstkonfiguration gegeben. In this way, an extension of the AMB-functionality with respect to the self-configuration is given.
  • Vom Mainboard aus wird das Verfahren der Selbstkonfiguration durch dessen Betriebssystem unterstützt, im gegenwärtigen Fall das BIOS-Betriebssystem. The mainboard of the process of self-configuration is supported by the operating system, in the present case, BIOS operating system. Bei der Selbstkonfiguration ermittelt der AMB-Pufferspeicher When the self-configuration of the AMB buffer determined 1 1 , in welcher Organisation ein zu adaptierendes Modul, das in einem der Stecksockel In which organization to adaptierendes module in one of the sockets 11a 11a , . 11b 11b aufgenommen ist, betrieben wird. is received, is operated. Zudem wird die Speichergröße des Moduls ermittelt, so dass das Modul in seiner vollen ECC-Funktionalität erkannt und betrieben werden kann, auch wenn die zu diesem Modul gehörige Einstellung des SPD-Speichers In addition, the memory size of the module is determined, so that the module can be appreciated in its full ECC functionality and operated, even if the corresponding to this module setting the SPD memory 5 5 nicht bekannt oder nicht gültig ist. is not known or not valid.
  • Ein Beispiel einer Selbstkonfiguration einer solchen Adapterkarte ist in An example of a self-configuration of such an adapter card in 7 7 dargestellt. shown.
  • Normalerweise ist auf jedem Modul ein SPD-Set, dh eine Einstellung abgelegt, durch die das betreffende Modul auf ideale Weise konfiguriert betrieben werden kann. Usually, a SPD set on each module, ie a setting stored by the respective module can be operated configured in an ideal way.
  • Beim Booten eines FBDIMM, das hier als erster Schritt S1 bezeichnet ist, wird durch das externe BIOS jedes in einem der Stecksockel When booting an FBDIMM, which is referred to herein as the first step S1, by the external BIOS each in one of the sockets 11a 11a , . 11b 11b aufgenommende Modul über den Zugang des SM-Busses aufgenommende module concerning access by the SM-bus 6 6 ( ( 6 6 ) geprüft (Schritt S2). ) Is checked (step S2). Wird ein gültiger Eintrag im SPD-Speicher If a valid entry in the SPD memory 5 5 des Sockels the base 8 8th gefunden, so wird der Ablauf der Selbstkonfigurierung übersprungen (linke Seite in found, the flow of the self-configuration is skipped (left side in 7 7 ) und das System geht zum nächsten FBDIMM über. ) And the system goes to the next FBDIMM.
  • Wird jedoch ein Modul entdeckt, dessen SPD-Set gelöscht, unvollständig ist oder nicht zu einem Bootup führt (rechte Seite in However, a module is discovered deleted whose SPD set, is incomplete or not results in a bootup (right side in 7 7 ) so wird versucht, anhand der Vendor-ID des AMB-Pufferspeichers ) An attempt is made based on the vendor ID of the buffer memory AMB 1 1 ein sogenanntes Default-SPD-Set für die geringste Geschwindigkeitsklasse der Datenübermittlung zu erzeugen und diesen nach Abschluss der Selbstkonfigurierung als gültige Einstellung im SPD-Speicher to create a so-called default SPD set for the lowest speed level of data transmission and this after completing the self-configuration as a valid setting in the SPD memory 5 5 anzulegen (Schritt S3). applying (step S3).
  • Solche Standardeinstellungen können beispielsweise die gängigen Personality-Bytes und die Inhalte der S3-Restore-Register für erfolgreiche Kalibrierungen unter dem DDR2-Protokoll sein, so dass zumindest einfache Zugriffe auf den zu adaptierenden DRAM zur anschließenden Bestimmung des Modulspeichers möglich sind. Such defaults may be for example the common Personality bytes and the contents of the S3 Restore tab for successful calibrations under the DDR2 protocol so that simple access is at least possible to to be adapted DRAM for subsequent determination of module memory.
  • Üblicherweise sind beim Betrieb des AMB-Pufferspeichers Typically, the operation of the AMB-buffer 1 1 beide Address-Copy-Zweige both address Copy branches 11a 11a und and 11b 11b aktiv. active. Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform werden in Schritt According to an advantageous embodiment, in step 3 3 daher zunächst die Address-Copy-Zweige deaktiviert. therefore first disabled the Address Copy branches. Auf diese Weise kann anschließend zunächst der Address-Copy-Zweig In this way, then first of all address this copy branch 10a 10a aktiviert werden, im Fehlerfall dann der Address-Copy-Zweig be activated on failure then the Address Copy branch 10b 10b und im erneuten Fehlerfall die Address-Copy-Zweige and again an error, the address Copy branches 10a 10a und and 10b 10b gemeinsam (Schritte together (steps 2a 2a und and 3a 3a ). ).
  • Bei jedem dieser Versuche wird eine Erkennung des DDR2-Speichers (Schritt S5) sowie eine MRS-Konfigurierung angestrebt, so dass im Anschluss eine Kalibrierung ausführbar wird, mittels der der Empfang von DQS-Signalen ermöglicht wird. In each of these tests an identification of the DDR2 memory (step S5) and an MRS-configuration is desired, so that, following a calibration is executed by means of the receiving DQS signals is made possible.
  • Das Erkennen der DQS-Signale (Schritt S6) führt dazu, dass der AMB-Pufferspeicher Detecting the DQS signals (step S6) causes the AMB buffer 1 1 beispielsweise bei einem x16 organi siertem SODIMM mit DQS0–3 die entsprechenden Gruppen 0–15, 16–31, 32–47, 48–63 erkannt und bewertet werden könnten. could be seen for example in a x16 organic siertem SODIMM with DQS0-3 the appropriate groups 0-15, 16-31, 32-47, 48-63 and evaluated. Somit kann festgestellt werden, ob alle 64 bzw. 72 Bit vorhanden sind und ob die Aktivierung der ECC-Speicherbausteine Thus, if all the 64 or 72 bits are present, and whether the activation of the ECC memory modules can be detected, 9 9 durch eine Aktivierung des Address-Copy-Zweigs by activation of the Address copy branch 10b 10b notwendig ist. necessary is.
  • Der nächste Schritt S7 stellt eine besonders bevorzugte Ausführungsform dar. Würde bei diesem Schritt ein konstanter Bit-Burst der Länge 4 auf alle DQs geschrieben und wieder ausgelesen, vorzugsweise auf der Adresse #0/#0, wobei nur 2 Bit beim Lesen bewertet werden, so wäre es möglich, auch RDIMMs zu initialisieren, deren CA-Bus aufgrund der Register eine zusätzliche Latenz aufweisen. The next step S7 represents a particularly preferred embodiment. If at this step, a constant bit burst length of 4 to all DQs written and read out again, preferably on the address # 0 / # 0, only 2 bits are evaluated in the reading, so it would be possible to initialize RDIMMs, the CA bus have an additional latency due to register. In dem Fall, dass es sich bei dem zu adaptierenden Modul um einen UDIMM handelt, so würden die im MRS und die im AMB-Pufferspeicher In the event that it is in the module to be adapted to a UDIMM, they would in the MRS and the AMB in buffer 1 1 programmierte Latenzen übereinstimmen. match programmed latency. Im Falle eines RDIMMs würde die DRAM Latenz um einen Takt verkürzt gegenüber dem AMB-Pufferspeicher In the case of the RDIMMs DRAM latency would be one clock shorter than the AMB buffer 1 1 eingestellt werden, da die DRAMS erst einen Takt verzögert den CA-Befehl erhalten würden. be set as the DRAM only delayed a clock would receive the CA command.
  • Wie schon beschrieben, wird in dem Fall, dass nicht alle DQ-Bits aktiv sind, zu den Schritten As already described, in the case that not all DQ bits are active to steps 2a 2a und gegebenenfalls and possibly 3a 3a übergegangen. passed.
  • Nachdem in Schritt S8 durch Auffinden des Burst-Beginns die jeweiligen Latenzen automatisch aufgefunden wurden und der AMB-Pufferspeicher After in step S8, the respective latencies were automatically found by finding the burst commencement and AMB buffer 1 1 entsprechend eingestellt wurde, sind nunmehr die Latenz, die DQ-Breite sowie die DQS-Breite bekannt. was set according to the latency, the DQ and the DQS width width are now known. Somit können nun einzelne der schon beschriebenen MEIST-WR-RD-Zugriffe eingesetzt werden, um die kleinste gemeinsame Adressbreite für das Lesen der 72 Bit (64 Bit) in den Bereichen Row, Column, Chip-Bank und Module-Rank zu bestimmen (Schritt S8). Thus, individual ones of the MOST-WR-RD accesses already described can be used now to (64 bits) in the areas Row, Column, chip bank and modules rank to determine the least common address width for the reading of 72 bits (step S8). Dieser Schritt des Startens der verschiedenen MBISTs kann entweder vom BIOS-System gesteuert werden oder direkt auf dem AMB-Pufferspeicher This step of starting the various MBISTs can either be controlled by the system BIOS or directly on the buffer memory AMB 1 1 als komplexer Selbstkonfigurierungsablauf implementiert werden. be implemented as complex Selbstkonfigurierungsablauf.
  • Optional können in Schritt S10 noch einmal die Standard-DQ-DQS-Kalibrierungen über dem gesamten ermittelten Speicherbereich durchgeführt werden, ebenso es wie bei der Ermittlung einer gültigen SPD-Einstellung erfolgte. Optionally, the standard DQ-DQS calibration over the entire determined storage area can be performed in step S10 again, as it was carried out as in the determination of a valid SPD setting.
  • Nach dem Abschluss der Selbstkonfigurierung wird vorzugsweise die durch den AMB-Pufferspeicher After the completion of the self-configuration is preferably defined by the AMB buffer 1 1 ermittelte DRAM-Konfiguration im SPD-Speicher determined DRAM configuration in the SPD memory 5 5 FBDIMM-gültig abgelegt, so dass beim nächsten Bootvorgang darauf zurückgegriffen werden kann. FBDIMM valid stored, so the next boot may be resorted to.
  • Der Benutzer einer so konfigurierten Adapterkarte muss sich somit keine Gedanken machen, ob es sich bei den zu adaptierenden Modulen beispielsweise um RDIMMs oder UDIMMs handelt, ob mit oder ohne ECC-Speicher. The user of a thus configured adapter card must therefore not have to worry, whether it is in the modules to be adapted, for example, RDIMMs or UDIMMs, with or without ECC memory. Die maximal adressierbare Speicherdichte wird anhand der beschriebenen sukzessiv ablaufenden MEIST-Testschritte ermittelt, insbesondere der Bereich Row/Coloumn/Bank/Rank. The maximum addressable storage density is determined using the procedures described successively running Most-test steps, in particular the region Row / Coloumn / bank / Rank.
  • Mit der universalen Adapterkarte der Erfindung können kostengünstig ungepufferte Module mit dem AMB-Pufferspeicher auf Herstellerseite auf günstigen Tischtestern getestet werden. With the universal adapter card of the invention cost unbuffered modules with the AMB-buffer memory may be tested for manufacturing side on favorable table testers. Einfache Fehleranalysen können auf der Adapterkarte durchgeführt werden, ohne dass der Einsatz kostenintensiver Produktionstester notwendig ist. Simple error analysis can be performed on the adapter card without the use of costly production tester is necessary. Der Endbenutzer dagegen erhält mit der Adapterkarte die Möglichkeit, handelsübliche DRAMs kostengünstig für FBDIMM-Applikationen einzusetzen, ohne dass hierfür ein Austausch von Seichern notwendig ist. The end user receives against the adapter card the ability to use standard DRAMs cost for FBDIMM applications without the need for an exchange of Seichern is necessary.

Claims (14)

  1. Adaptersockel für flüchtige Speichermodule, aufweisend eine HS-Schnittstelle ( Adapter base for volatile memory modules comprising an HS interface ( 2 2 ) für die Verbindung mit einem Mainboard, einen SPD-Speicherbereich ( ) (For the connection with a motherboard, a SPD storage area 5 5 ) zur Speicherung der Konfiguration eines zu adaptierenden ungepufferten Speichermoduls, mindestens einen Stecksockel ( ) (For storing the configuration of a to be adapted unbuffered memory module, at least one socket 11a 11a , . 11b 11b , . 11c 11c ) zum Aufnehmen eines zu adaptierenden ungepufferten Speichermoduls ( ) (To be adapted for receiving a non-buffered memory module 7 7 ) sowie einen AMB-Speicher ( ) And a memory AMB ( 1 1 ), welcher mindestens zwei getrennt arbeitende Address-Command-Zweige ( (), Which at least two separately operating Address Command branches 10a 10a , . 10b 10b ) aufweist, wobei mindestens einer der beiden Address-Command-Zweige ( ), Wherein at least one of the two address Command branches ( 10a 10a , . 10b 10b ) mit einer Gruppe von ECC-Speicherbausteinen ( ) (With a group of ECC memory modules 9 9 ) verbunden ist und wobei der mindestens eine Stecksockel ( ) And the at least one socket ( 11a 11a , . 11b 11b , . 11c 11c , . 11d 11d ) über DQ- und DQS-Leitungen mit dem AMB-Speicher verbunden ist. ) Is connected via DQ and DQS lines to the memory AMB.
  2. Adaptersockel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die ECC-Speicherbausteine ( Adapter base according to claim 1, characterized in that the ECC memory blocks ( 9 9 ) manuell an die Address-Command-Zweige ( ) Manually (on the Address Command branches 10a 10a , . 10b 10b ) des AMB-Speichers koppelbar sind. ) Of the AMB memory are coupled.
  3. Adaptersockel nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die ECC-Speicherbausteine ( Adapter base according to claim 2, characterized in that the ECC memory blocks ( 9 9 ) über eine Steckverbindung lösbar auf dem Adaptersockel angebracht sind. ) Are attached via a plug connection removably on the adapter socket.
  4. Adaptersockel nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die ECC-Speicherbausteine ( Adapter base according to claim 2, characterized in that the ECC memory blocks ( 9 9 ) über lösbare Lötbrücken mit den Address-Command-Zweigen ( ) Via releasable solder bridges (with the Address Command branches 10a 10a , . 10b 10b ) des AMB-Speichers ( () Of the memory AMB 1 1 ) verbunden sind. ) are connected.
  5. Adaptersockel nach mindestens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein erster Address-Command-Zweig ( Adapter base according to at least one of the preceding claims, characterized in that a first address Command branch ( 10a 10a ) mit einer Gruppe von x4 organisierten ECC-Speicherbausteinen ( ) With a group of x4 organized ECC memory modules ( 9 9 ) verbunden ist und ein zweiter Address-Command-Zweig ( ) And a second address Command branch ( 10b 10b ) mit einer Gruppe von x8 organisierten ECC-Speicherbausteinen ( ) With a group of x8 organized ECC memory modules ( 9 9 ) verbunden ist. ) connected is.
  6. Adaptersockel nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein erster Stecksockel ( Adapter base according to claim 5, characterized in that a first socket ( 11a 11a ) ein ersten Formats aufweist und mit dem ersten Address-Command-Zweig ( ) Comprises a first format, and (with the first address Command branch 10a 10a ) verbunden ist, ein zweiter Stecksockel ( ) Is connected, a second socket ( 11b 11b ) ein zweites Format aufweist und mit dem zweiten Address-Command-Zweig ( ) Has a second format, and (with the second address Command branch 10b 10b ) verbunden ist, und ein dritter Stecksockel ( ) Is connected, and a third socket ( 11c 11c ) ein drittes Format aufweist und als Verlängerung des zweiten Stecksockels ( ) Having a third format (as an extension of the second plug socket 11b 11b ) ausgestaltet ist, wobei mindestens eines der drei Formate verschieden von den beiden anderen ist. is designed), wherein at least one of the three formats is different from the other two.
  7. Adaptersockel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass er einen Stecksockel ( Adapter base according to claim 1, characterized in that it (a plug-in base 11a 11a ) aufweist oder mehrere in Serie geschaltete Stecksockel ( ) Or has a plurality of series connectors ( 11a 11a , . 11b 11b ) aufweist, die mit einem ( ), Which (with a 10a 10a ) der beiden Address-Command-Zweige verbunden sind, wobei der andere ( ) Of the two address Command-branches are connected, wherein the other ( 10b 10b ) der beiden Address-Command Zweige für die Kontrolle der ECC-Speicherbausteine ( () Of the two branches address Command for checking the ECC memory modules 9 9 ) ausgelegt ist und wobei der AMB-Speicher ( ) Is arranged and wherein the AMB memory ( 1 1 ) dafür ausgelegt ist, über das Mainboard zur Ermittlung der Konfiguration des in den Stecksockel ( ) Is adapted to the (in the plug socket on the motherboard to identify the configuration 11a 11a , . 11b 11b ) eingeführten zu adaptierenden ungepufferten Speichermoduls angesteuert zu werden. ) Introduced to be controlled to be adapted unbuffered memory module.
  8. Adaptersockel nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die ECC-Speicherbausteine ( Adapter base according to claim 7, characterized in that the ECC memory blocks ( 9 9 ), die mit dem einen ( ), The one (with the 10a 10a ) der beiden Address-Command-Zweige verbunden sind, in einer Gruppe von vier Speicherbausteinen ( ) Of the two address Command branches are connected (in a group of four memory blocks 9 9 ) angeordnet sind, welche jeweils x4 organisiert sind. ) are arranged, which are each organized x4.
  9. Adaptersockel nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass er einen Stecksockel ( Adapter base according to claim 7 or 8, characterized in that it (a plug-in base 11a 11a ) eines ersten Formats und einen Stecksockel eines zweiten Formats aufweist. ) Of a first format and a socket having a second format.
  10. Adaptersockel nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der AMB-Speicher ( Adapter base according to claim 7, characterized in that the AMB memory ( 1 1 ) dafür ausgelegt ist, durch das BIOS-Betriebssystem zur Ermittlung der Konfiguration des in den Stecksockel ( ) Is adapted to the (by the BIOS operating system for determining the configuration in the socket 11a 11a , . 11b 11b ) eingeführten zu adaptierenden ungepufferten Speichermoduls angesteuert zu werden. ) Introduced to be controlled to be adapted unbuffered memory module.
  11. Verfahren zur Autokonfiguration eines Adaptersockels nach mindestens einem der Ansprüche 7 bis 10, aufweisend: – Überprüfen, ob ein gültiger Eintrag in einem SPD-Speicher ( A method for auto-configuration of an adapter socket according to at least one of claims 7 to 10, comprising: - checking whether a valid entry (in a SPD memory 6 6 ) im Adaptersockel vorhanden ist; ) Is present in the adapter base; – wenn dies nicht der Fall ist, dann Ausführen einer MRS/EMRS-Konfiguration des angeschlossenen zu adaptierenden ungepufferten Speichermoduls; - if this is not the case, then performing an MRS / EMRS configuration of the connected to be adapted unbuffered memory module; – Ausführen einer DQS-Kalibrierung durch Datenaustausch zwischen dem angeschlossenen zu adaptierenden ungepufferten Speichermodul und dem AMB-Speicher ( (DQS performing a calibration by exchange of data between the connected to be adapted unbuffered memory module and the memory AMB - 1 1 ). ).
  12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass bei der DQS-Kalibrierung die Latenz des angeschlossenen zu adaptierenden ungepufferten Speichermoduls, die Breite der DQ-Signale sowie die Breite der DQS-Signale ermittelt wird. A method according to claim 11, characterized in that, when the DQS calibration, the latency of the connected to be adapted unbuffered memory module, the width of the DQ signals and the width of DQS signals is determined.
  13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die kleinste gemeinsame Adressbreite durch Einsatz von MBIST-WR-RD-Zugriffen auf das angeschlossene zu adaptierende ungepufferte Speichermodul ermittelt wird. The method of claim 11 or 12, characterized in that the smallest common address width is determined by use of MBIST-WR-RD-accesses to the device connected to be adapted unbuffered memory module.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass vor der Ausführung der MRS/EMRS-Konfiguration alle Address-Command-Zweige ( A method according to any one of claims 11 to 13, characterized in that before execution of the MRS / EMRS configuration (all Address Command branches 10a 10a , . 10b 10b ) deaktiviert werden. ) Are disabled.
DE200710032765 2007-07-13 2007-07-13 Universal adapter base or adapter card for semiconductor memory module, for volatile memory modules, has high speed interface for connection with main board, and serial presence detect storage area Expired - Fee Related DE102007032765B3 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200710032765 DE102007032765B3 (en) 2007-07-13 2007-07-13 Universal adapter base or adapter card for semiconductor memory module, for volatile memory modules, has high speed interface for connection with main board, and serial presence detect storage area

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200710032765 DE102007032765B3 (en) 2007-07-13 2007-07-13 Universal adapter base or adapter card for semiconductor memory module, for volatile memory modules, has high speed interface for connection with main board, and serial presence detect storage area

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102007032765B3 true DE102007032765B3 (en) 2009-01-08

Family

ID=40092798

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200710032765 Expired - Fee Related DE102007032765B3 (en) 2007-07-13 2007-07-13 Universal adapter base or adapter card for semiconductor memory module, for volatile memory modules, has high speed interface for connection with main board, and serial presence detect storage area

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102007032765B3 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6457155B1 (en) * 1998-02-27 2002-09-24 International Business Machines Method for making a memory card adapter insertable into a motherboard memory card socket comprising a memory card receiving socket having the same configuration as the motherboard memory card socket
DE10229120A1 (en) * 2002-06-28 2004-02-05 Infineon Technologies Ag Method, adapter card and assembly for installation of memory modules
US6772261B1 (en) * 2000-04-27 2004-08-03 International Business Machines Corporation Interface that allows testing and using memory modules in computer systems not designed for the modules

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6457155B1 (en) * 1998-02-27 2002-09-24 International Business Machines Method for making a memory card adapter insertable into a motherboard memory card socket comprising a memory card receiving socket having the same configuration as the motherboard memory card socket
US6772261B1 (en) * 2000-04-27 2004-08-03 International Business Machines Corporation Interface that allows testing and using memory modules in computer systems not designed for the modules
DE10229120A1 (en) * 2002-06-28 2004-02-05 Infineon Technologies Ag Method, adapter card and assembly for installation of memory modules

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69133565T3 (en) System with a plurality of DRAMs, and a bus
DE3909896C2 (en)
US7864627B2 (en) Memory module decoder
DE60005156T2 (en) Distributed interface for parallel testing of a plurality of devices, wherein only a single channel is used test
DE10116914B4 (en) Circuit arrangement having a memory array
DE102005036528B4 (en) Memory device and method of operating a memory device
DE10228719B4 (en) Apparatus and system for adjusting the DRAM refresh timing
DE112005003106B4 (en) Buffer chip for driving current applied to a multi-rank dual inline memory module external input signals and system having a buffer chip
US7143236B2 (en) Persistent volatile memory fault tracking using entries in the non-volatile memory of a fault storage unit
DE19982871B4 (en) Memory system having a respective memory module controller containing memory modules
DE102004036888B4 (en) Flash memory system and associated data writing method
DE102005055185B4 (en) Semiconductor memory module
DE102006002526B4 (en) Control device for a solid-state drive and method of operating same
DE10304673B4 (en) Refresh circuit for dynamic memory
DE102004021267B4 (en) A method for testing a memory device, and setup
DE10255872B4 (en) Memory module and method of operating a memory module in a data storage system
DE60222947T2 (en) Semiconductor memory
DE4100670C2 (en) A semiconductor memory device with a built-in cache memory and method of operating such a
DE60317347T2 (en) Memory circuit with non-volatile ram and ram
DE10208726B4 (en) A signal processing system for use with one or more modules
DE69729771T2 (en) An integrated circuit having a built-in self-test assembly
US8116144B2 (en) Memory module having a memory device configurable to different data pin configurations
DE102006032327B4 (en) Semiconductor memory module and system
DE60001913T2 (en) Save pattern generator for a test device of packet-based
DE19851861B4 (en) Failure analysis memory for semiconductor memory test devices and storage method using the failure analysis memory

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE

Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE

Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE

Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 85579 NEUBIBERG, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee