DE102007012383A1 - Mit geführten akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement - Google Patents
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Abstract
Es wird ein mit geführten akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit mindestens einem Substrat (1) und einem mit diesem verbundenen, zur Wellenleitung geeigneten Schichtsystem (3) angegeben. Das Schichtsystem umfasst eine Metallisierungsschnd eine zweite dielektrische Schicht (32). Die Geschwindigkeit der akustischen Welle ist in der zweiten dielektrischen Schicht (32) größer als in der ersten dielektrischen Schicht (31). Mindestens eine der dielektrischen Schichten enthält TeO<SUB>2</SUB>.
Description
- Es wird ein mit GBAW oder geführten akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement angegeben. GBAW steht für Guided Bulk Acoustic Wave. Die geführten akustischen Volumenwellen werden auch „boundary acoustic waves" genannt. Mit GBAW arbeitende Bauelemente sind aus
EP 1538748 A2 ,US 2006/0175928 A1 US 6,046,656 undUS 2007/0018536 A1 - Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein mit GBAW arbeitendes Bauelement mit einem kleinen Temperaturgang der Frequenz anzugeben.
- Es wird ein mit geführten akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit mindestens einem Substrat und einem auf diesem angeordneten, zur Wellenleitung geeigneten Schichtsystem angegeben. Das Schichtsystem umfasst eine Metallisierungsschicht, eine erste dielektrische Schicht und eine zweite dielektrische Schicht. Die Geschwindigkeit der akustischen Welle ist in der zweiten dielektrischen Schicht größer als in der ersten dielektrischen Schicht. Eine der dielektrischen Schichten enthält TeO2. Die andere dielektrische Schicht enthält vorzugsweise SiO2.
- Das piezoelektrische oder eine piezoelektrische Schicht umfassende Substrat, auf dem die Metallisierungsschicht erzeugt ist, weist üblicherweise einen negativen Temperaturgang des Steifigkeitskoeffizienten auf. TeO2 weist einen entgegen gesetzten, d. h. positiven, Temperaturgang des Steifigkeitskoeffizienten auf. Daher hat TeO2 als Material für die erste dielektrische Schicht, die in einigen Bereichen an dieses Substrat angrenzt, Vorteile im Hinblick auf die Kompensation des Temperaturgangs des Substrats zur Erzielung eines niedrigen Temperaturgangs der Frequenz des gesamten Bauelements.
- Die Metallisierungsschicht ist zur Bildung von Elektrodenstrukturen elektroakustischer Wandler, Reflektoren, Leiterbahnen und vorzugsweise von außen kontaktierbarer Kontaktflächen strukturiert.
- Die Grenzfläche zwischen der ersten und der zweiten dielektrischen Schicht ist vorzugsweise uneben. Die Grenzfläche zwischen der ersten und der zweiten dielektrischen Schicht kann aber auch plan und insbesondere planarisiert sein.
- Die Unebenheiten der Oberfläche der ersten dielektrischen Schicht rühren insbesondere daher, da diese Schicht auf die strukturierte Metallisierungsschicht aufgetragen wird.
- Nachstehend sind vorteilhafte Ausgestaltungen des Bauelements gemäß der ersten und der zweiten Ausführungsform beschrieben. Die erste und zweite Ausführungsform sind miteinander kombinierbar.
- Die Metallisierungsschicht ist auf dem Substrat angeordnet. Die erste dielektrische Schicht ist zwischen der Metallisierungsschicht und der zweiten dielektrischen Schicht angeordnet. Die erste dielektrische Schicht grenzt vorzugsweise unmittelbar an die Metallisierungsschicht an. Die erste dielektrische Schicht überdeckt die Strukturen der Metallisierungsschicht und schließt in den von diesen Strukturen freien Bereichen mit dem Substrat ab.
- Die zweite dielektrische Schicht ist in einer Variante zwischen der ersten dielektrischen Schicht und einer Deckschicht angeordnet. Die zweite dielektrische Schicht weist mindestens eine elektrisch isolierende Schicht auf. Die Deckschicht enthält vorzugsweise ein zur Dämpfung akustischer Wellen geeignetes Material wie z. B. Harz, Fotolack oder ein anderes organisches Material.
- Ein relativ hoher Geschwindigkeitsunterschied zwischen den beiden dielektrischen Schichten ist zur Wellenleitung bzw. zur Konzentration der Energie der akustischen Welle auf einem (bezogen auf eine Vertikalrichtung) möglichst engen Raum vorteilhaft. Der Unterschied in der akustischen Geschwindigkeit zwischen der ersten und zweiten dielektrischen Schicht beträgt vorzugsweise mindestens den Faktor 1,5.
- Ein relativ geringer akustischer Impedanzunterschied zwischen den beiden dielektrischen Schichten ist vorteilhaft, da es in diesem Fall auf die Qualität der zwischen diesen Schichten gebildeten Grenzfläche im Hinblick auf die Erzielung von geringen Toleranzen des Bauteils nicht ankommt. Aus diesem Grund kann nach dem Frequenztrimmen, bei dem die Dicke der ersten dielektrischen Schicht zum Erreichen der vorgegebenen Frequenz des Bauteils u. U. geändert wird, auf einen kostspieligen Planarisierungsschritt zur Planarisierung der Oberfläche dieser Schicht vor dem Auftragen der zweiten dielektrischen Schicht verzichtet werden. Der Unterschied in der akustischen Impedanz zwischen der ersten und der zweiten dielektrischen Schicht beträgt vorzugsweise maximal 50%.
- Ein relativ hoher akustischer Impedanzunterschied zwischen der Metallisierungsschicht und der an sie angrenzenden dielektrischen Schicht ist zur Erzielung einer relativ hohen a kustischen Reflexion an den Kanten von Elektrodenstrukturen vorteilhaft.
- Die erste dielektrische Schicht weist vorzugsweise eine Dicke auf, die zum vollständigen Abklingen der akustischen Welle in vertikaler Richtung nicht ausreicht, so dass ein Teil der Energie der Welle in der zweiten dielektrischen Schicht vorhanden ist. Die Dicke der ersten dielektrischen Schicht beträgt vorzugsweise zwischen 0,2 λ und 1,0 λ, wobei λ die Wellenlänge bei der Betriebsfrequenz des Bauelements ist.
- Die zweite dielektrische Schicht weist eine Dicke auf, die zu einem vorzugsweise vollständigen Abklingen der akustischen Welle in vertikaler Richtung ausreichend ist. Die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht beträgt vorzugsweise mindestens λ, in einer vorteilhaften Variante mindestens 2 λ. Die Gesamtdicke des Substrats ist so gewählt, dass die Welle innerhalb des Substrats vollständig abklingen kann. Die Gesamtdicke des Substrats beträgt z. B. mindestens 5 λ.
- In einer vorteilhaften Ausführungsform enthält die erste dielektrische Schicht TeO2 und die zweite dielektrische Schicht SiO2, das eine höhere akustische Geschwindigkeit als TeO2 aufweist.
- Das Substrat kann z. B. ein Lithiumniobat-Einkristall sein. Der Kristallschnitt LiNbO3 ϕ YX mit ϕ = 5°...25°, z. B. ϕ = 15°, ist zum Erreichen einer hohen elektromechanischen Kopplung besonders vorteilhaft. Die hohe Kopplung hat Vorteile bezüglich einer großen Bandbreite des Bauelements.
- Das Substrat kann alternativ zumindest eine Schicht aus Lithiumniobat aufweisen. Alternativ kann Lithiumtantalat oder ein anderes piezoelektrisches Material verwendet werden.
- Die im Bauelement anzuregende akustische Welle ist in einer Variante eine horizontal polarisierte Scherwelle. In einer weiteren Variante ist es möglich, auch andere akustische Moden zu nutzen.
- Mindestens eine der dielektrischen Schichten weist vorzugsweise einen gegenüber dem Substrat entgegen gesetzten Temperaturgang des für die Welle maßgeblichen Steifigkeitskoeffizienten auf. Dies ist in einer Variante die erste dielektrische Schicht und in einer weiteren Variante die zweite dielektrische Schicht. In einer weiteren Variante gilt dies für beide dielektrische Schichten.
- In einer Variante gilt für mindestens eine der dielektrischen Schichten, vorzugsweise für beide dielektrische Schichten, dass die Steifigkeit des jeweiligen Materials mit zunehmender Temperatur T steigt, wobei die Steifigkeit des Substrats mit zunehmender Temperatur sinkt. Dies bedeutet, dass dc/dT > 0. c ist der für die Welle maßgebliche Steifigkeitsindex, z. B. c = c11 oder c44. Da vorzugsweise eine horizontal polarisierte Scherwelle angeregt werden soll, für die c44 maßgeblich ist, gilt vorzugsweise: dc44/dT > 0. Für ein mit Longitudinalwellen arbeitendes Bauelement gilt in entsprechender Weise: dc11/dT > 0.
- In einer weiteren Variante gilt für mindestens eine der dielektrischen Schichten, vorzugsweise für beide dielektrische Schichten, dass die Steifigkeit des jeweiligen Materials mit zunehmender Temperatur T sinkt, wobei die Steifigkeit des Substrats mit zunehmender Temperatur steigt. Dies bedeutet, dass dc/dT > 0, d. h. je nach Wellenmode dc44/dT > 0 oder dc11/dT > 0.
- Durch die Kompensation des Temperaturgangs der elastischen Eigenschaften des Substrats und des Schichtsystems gelingt es, ein mit GBAW arbeitendes Bauelement mit einem sehr kleinen Temperaturgang der Arbeitsfrequenz herzustellen.
- Die Metallisierungsschicht weist vorzugsweise mindestens eine elektrisch leitende Schicht auf, deren Material eine höhere akustische Impedanz als diejenige des Aluminiums aufweist. In Betracht kommen die folgenden Materialien: Cu, Ti, Cr, Mo, W, Mg, Au, Pt, Ta, Ni sowie andere leitfähige Materialien mit einer hohen akustischen Impedanz. Die akustische Impedanz dieser Materialien ist wesentlich höher als diejenige der ersten dielektrischen Schicht. Somit kann eine besonders hohe akustische Reflexion an den Kanten der Elektrodenstrukturen erzielt werden.
- Die Metallisierungsschicht weist in einer Variante mindestens eine elektrisch leitende Schicht auf, die Aluminium enthält. Neben mindestens einer relativ leichten Al-Schicht, deren akustische Impedanz relativ niedrig und mit derjenigen der angrenzenden dielektrischen Schicht vergleichbar ist, wird vorzugsweise mindestens eine relativ schwere Metallschicht aus den vorstehend genannten Materialien verwendet.
- Das Substrat weist mindestens eine piezoelektrische Schicht auf, auf der die Metallisierungsschicht angeordnet ist. Die Metallisierungsschicht grenzt an die piezoelektrische Schicht vorzugsweise unmittelbar an. Es ist vorteilhaft, wenn die akustische Geschwindigkeit in der piezoelektrischen Schicht größer ist als diejenige in der ersten dielektrischen Schicht, die in einigen Bereichen mit der piezoelektrischen Schicht abschließt.
- Die piezoelektrische Schicht ist in einer Variante auf einer nicht piezoelektrischen Schicht, die z. B. LTCC- oder HTCC-Keramik, Silizium, Glas, Al2O3 oder einen organischen Kunststoff wie z. B. FR4 enthält, angeordnet. In diesem Fall ist es möglich, die piezoelektrische Schicht mit einer sehr kleinen Dicke auszubilden und die nicht piezoelektrische Schicht des Substrats als ein Trägersubstrat und/oder Wachstumssubstrat für die piezoelektrische Schicht zu benutzen. Die Dicke der piezoelektrischen Schicht ist vorzugsweise so gewählt, dass die akustische Welle innerhalb dieser Schicht im Wesentlichen vollständig abklingt.
- Die akustische Geschwindigkeit in der nicht piezoelektrischen Schicht ist vorzugsweise größer als in der piezoelektrischen Schicht, damit die Welle dort möglichst schnell abklingt. Dies gilt insbesondere, wenn ein Teil der Energie in der nicht piezoelektrischen Schicht vorhanden ist. Es ist vorteilhaft, wenn der Geschwindigkeitsunterschied zwischen der piezoelektrischen Schicht und der nicht piezoelektrischen Schicht relativ groß ist und z. B. mindestens den Faktor 1,5 beträgt.
- Im Folgenden wird das angegebene Bauelement und seine vorteilhaften Ausgestaltungen anhand von schematischen und nicht maßstabgetreuen Figuren erläutert. Es zeigen:
-
1 im Querschnitt ein GBAW-Bauelement; -
2 im Querschnitt ein weiteres GBAW-Bauelement; -
3 eine Ansicht eines mit GBAW arbeitenden Resonators. - In der
1 ist ein mit geführten akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit einem Substrat1 und einem auf diesem angeordneten Schichtsystem3 gezeigt. Das Schichtsystem3 umfasst eine Metallisierungsschicht33 , eine erste dielektrische Schicht31 und eine zweite dielektrische Schicht32 . - Mit dem Schichtsystem
3 kann in einer Variante eine Deckschicht2 aus einem akustisch dämpfenden Material, d. h. einem Material mit einer geringen Steifigkeit, fest verbunden sein. Die zweite dielektrische Schicht32 ist zwischen der ersten dielektrischen Schicht31 und der Deckschicht2 angeordnet. Die zweite dielektrische Schicht32 kann aber auch eine endständige Schicht mit einer frei liegenden Oberfläche darstellen. - Auf dem Substrat
1 wird eine zur Bildung von Wandlern41 , Reflektoren42 ,43 , Leiterbahnen und elektrischen Kontaktflächen strukturierte Metallisierungsschicht33 erzeugt. Die Leiterbahnen verbinden dabei die Wandler untereinander und mit den Kontaktflächen (in den Figuren nicht gezeigt). Die Wandler41 und die Reflektoren42 ,43 weisen streifenförmige Elektrodenstrukturen auf. - Danach wird auf das Substrat mit der strukturierten Metallisierungsschicht
33 die erste dielektrische Schicht31 z. B. aus TeO2 z. B. durch Aufdampfen oder ein anderes Abscheideverfahren aufgetragen. Diese Schicht bedeckt die Elektrodenstrukturen und schließt mit der Oberfläche des Substrats1 ab. Die Oberfläche dieser Schicht ist nicht glatt, da sich die Elektrodenstrukturen „durchdrücken". Die Frequenzlage des Bauelements wird evaluiert und die erste dielektrische Schicht31 entweder zur Erhöhung der Frequenzlage abgedünnt oder zur Verringerung der Arbeitsfrequenz aufgedickt. Das Abdünnen kann in einem Ätzverfahren und das Aufdicken durch Sputtern oder ein anderes vorzugsweise kostengünstiges Verfahren erfolgen. Das Abdünnen kann auch durch mechanisches Abtragen des Materials erfolgen. Das Abstimmen der Frequenzlage des Bauelements wird als Trimmen bezeichnet. - Nach dem Trimmen wird auf der Schicht
31 die zweite dielektrische Schicht32 vorzugsweise aus Siliziumdioxid z. B. mittels Aufdampfen oder Sputtern erzeugt. - Die elektrische Kontaktierung der in der Metallisierungsschicht
33 ausgebildeten, elektroakustisch aktiven Bauelement-Strukturen41 ,42 ,43 kann von der Seite des Substrats und/oder von der anderen Seite erfolgen. Dabei wird das Substrat1 und ggf. die Deckschicht2 und ggf. die dielektrischen Schichten31 ,32 durchkontaktiert. - Die Metallisierungsschicht
33 weist in der in2 vorgestellten Variante eine erste leitfähige Schicht331 und eine auf dieser angeordnete zweite leitfähige Schicht332 auf. In einer Variante enthält die erste leitfähige Schicht331 metallisches Aluminium und die zweite leitfähige Schicht332 ein Metall mit einer höheren akustischen Impedanz. In einer weiteren Variante enthält die erste leitfähige Schicht331 ein Metall mit einer höheren akustischen Impedanz und die zweite leitfähige Schicht332 metallisches Aluminium. - In der Variante gemäß der
1 weist das Substrat1 piezoelektrische Eigenschaften auf. In der Variante gemäß der2 wird zur Bildung des Substrats1 auf einer nicht piezoelektrischen Schicht11 eine piezoelektrische Schicht12 erzeugt. - In der
3 ist ein mit GBAW arbeitender Resonator mit einem Wandler41 und zwei Reflektoren42 ,43 gezeigt. Der Wandler41 ist zwischen den Reflektoren42 ,43 angeordnet. Der Wandler41 weist streifenförmige Elektrodenstrukturen auf, die in der gezeigten Variante abwechselnd an zwei verschiedene Stormschienen angeschlossen sind. Die akustische Welle wird zwischen zwei Elektrodenstrukturen unterschiedlicher Polarität angeregt. - Das angegebene GBAW-Bauelement ist auf die in den Figuren gezeigten Ausführungsbeispiele und die angegebenen Materialien nicht beschränkt. Die genannten Materialien können durch andere Materialien mit bezüglich der akustischen Impedanz und der akustischen Geschwindigkeit ähnlichen Eigenschaften ersetzt werden.
-
- 1
- Substrat
- 11
- nicht
piezoelektrische Schicht des Substrats
1 - 12
- piezoelektrische Schicht
- 2
- Deckschicht
- 3
- Schichtsystem
- 31
- erste dielektrische Schicht
- 32
- zweite dielektrische Schicht
- 33
- Metallisierungsschicht
- 331
- erste leitfähige Schicht
- 332
- zweite leitfähige Schicht
- 41
- Wandler
- 42, 43
- Reflektoren
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- - EP 1538748 A2 [0001]
- - US 2006/0175928 A1 [0001]
- - US 6046656 [0001]
- - US 2007/0018536 A1 [0001]
Claims (19)
- Mit geführten akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement – mit mindestens einem Substrat (
1 ) und einem auf diesem angeordneten, zur Wellenleitung geeigneten Schichtsystem (3 ), – wobei das Schichtsystem (3 ) eine Metallisierungsschicht (33 ), eine erste dielektrische Schicht (31 ) und eine zweite dielektrische Schicht (32 ) umfasst, – wobei die Geschwindigkeit der akustischen Welle in der zweiten dielektrischen Schicht (32 ) größer ist als in der ersten dielektrischen Schicht (31 ), – wobei eine der dielektrischen Schichten (31 ,32 ) TeO2 enthält. - Bauelement nach Anspruch 1, – wobei die erste dielektrische Schicht (
31 ) TeO2 enthält. - Bauelement nach Anspruch 1, – wobei die zweite dielektrische Schicht (
32 ) TeO2 enthält. - Bauelement nach Anspruch 1 oder 3, – wobei die erste dielektrische Schicht (
31 ) SiO2 umfasst. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 4, – wobei die zweite dielektrische Schicht (
32 ) SiO2 umfasst. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, – wobei die Metallisierungsschicht (
33 ) auf dem Substrat (1 ) angeordnet ist, – wobei die erste dielektrische Schicht (31 ) zwischen der Metallisierungsschicht (33 ) und der zweiten dielektrischen Schicht (32 ) angeordnet ist. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, – wobei der Unterschied in der akustischen Geschwindigkeit zwischen der ersten und zweiten dielektrischen Schicht (
31 ,32 ) mindestens den Faktor 1,5 beträgt. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, – wobei der Unterschied in der akustischen Impedanz zwischen der ersten und der zweiten dielektrischen Schicht (
31 ,32 ) maximal 50% beträgt. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, – wobei der Temperaturgang der Steifigkeit der ersten und zweiten dielektrischen Schicht (
31 ,32 ) gegenüber demjenigen des Substrats (1 ) entgegengesetzt ist. - Bauelement nach Anspruch 9, – wobei für die erste und die zweite dielektrische Schicht (
31 ,32 ) gilt, dass die Steifigkeit des jeweiligen Materials mit zunehmender Temperatur steigt, – wobei die Steifigkeit des Substrats (1 ) mit zunehmender Temperatur sinkt. - Bauelement nach Anspruch 9, – wobei für die erste und die zweite dielektrische Schicht (
31 ,32 ) gilt, dass die Steifigkeit des jeweiligen Materials mit zunehmender Temperatur sinkt, – wobei die Steifigkeit des Substrats (1 ) mit zunehmender Temperatur steigt. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 11, – wobei die Dicke der ersten dielektrischen Schicht (
31 ) zwischen 0,2 λ und λ beträgt, wobei λ die Wellenlänge bei der Be triebsfrequenz des Bauelements ist. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 12, – wobei die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht (
32 ) mindestens λ beträgt. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 13, – wobei die Grenzfläche zwischen der ersten und der zweiten dielektrischen Schicht (
31 ,32 ) uneben ist. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 14, – wobei die erste dielektrische Schicht (
31 ) an die Metallisierungsschicht (33 ) angrenzt, – wobei die Metallisierungsschicht (33 ) mindestens eine elektrisch leitende Schicht aufweist, deren Material eine akustische Impedanz hat, die zumindest doppelt so groß ist wie diejenige der ersten dielektrischen Schicht. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 15, – wobei die Metallisierungsschicht mindestens eine elektrisch leitende Schicht aufweist, deren Material eine höhere akustische Impedanz als diejenige des Aluminiums aufweist.
- Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 16, – wobei die Metallisierungsschicht (
33 ) mindestens eine elektrisch leitende Schicht aufweist, die Aluminium enthält. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 17, – wobei das Substrat (
1 ) mindestens eine piezoelektrische Schicht (12 ) aufweist, auf der die Metallisierungsschicht (33 ) angeordnet ist. - Bauelement nach Anspruch 18, – wobei die piezoelektrische Schicht (
12 ) auf einer nicht piezoelektrischen Schicht (11 ) angeordnet ist.
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JP2009553135A JP2010521114A (ja) | 2007-03-14 | 2008-03-12 | 指向性バルク超音波連動素子 |
US12/558,778 US20100231330A1 (en) | 2007-03-14 | 2009-09-14 | Component Working with Guided Bulk Acoustic Waves |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010070000A1 (de) * | 2008-12-17 | 2010-06-24 | Epcos Ag | Bauelement, welches mit akustischen wellen arbeitet, und verfahren zu dessen herstellung |
DE102010056053A1 (de) * | 2010-12-23 | 2012-06-28 | Epcos Ag | Drehmomentsensor und Anordnung mit einem Gegenstand und einem Drehmomentsensor |
WO2014060263A1 (fr) * | 2012-10-19 | 2014-04-24 | Centre National De La Recherche Scientifique (C.N.R.S) | Transducteur a ondes de volume guidees en surface par des structures d'excitation synchrone |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8154171B2 (en) * | 2007-10-23 | 2012-04-10 | Panasonic Corporation | Boundary acoustic wave device |
JP5526858B2 (ja) * | 2010-02-24 | 2014-06-18 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波フィルタ装置 |
JP6124661B2 (ja) * | 2012-04-19 | 2017-05-10 | コーボ ユーエス、インコーポレイテッド | 高結合で低損失な圧電境界波デバイスおよび関連する方法 |
US9236849B2 (en) * | 2012-04-19 | 2016-01-12 | Triquint Semiconductor, Inc. | High coupling, low loss PBAW device and associated method |
DE102012105286B4 (de) * | 2012-06-18 | 2018-08-09 | Snaptrack, Inc. | Mikroakustisches Bauelement mit TCF Kompensationsschicht |
KR102313975B1 (ko) * | 2015-01-07 | 2021-10-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 지문 센서 |
US10594294B2 (en) * | 2016-04-01 | 2020-03-17 | Intel Corporation | Piezoelectric package-integrated delay lines |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6046656A (en) | 1997-05-08 | 2000-04-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Elastic boundary wave device and method of its manufacture |
EP1538748A2 (de) | 2003-11-12 | 2005-06-08 | Fujitsu Media Devices Limited | Elestische Oberflächenwellenvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
US20060138902A1 (en) * | 2004-01-19 | 2006-06-29 | Hajime Kando | Acoustic boundary wave device |
US20060175928A1 (en) | 2003-04-18 | 2006-08-10 | Hajime Kando | Boundary acoustic wave device |
US20070018536A1 (en) | 2004-03-29 | 2007-01-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave device and process for producing same |
DE102005055870A1 (de) * | 2005-11-23 | 2007-05-24 | Epcos Ag | Elektroakustisches Bauelement |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3772618A (en) * | 1972-12-15 | 1973-11-13 | Us Air Force | Low velocity zero temperature coefficient acoustic surface wave delay line |
JP4529889B2 (ja) * | 2005-02-10 | 2010-08-25 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動体、圧電振動体の調整方法、圧電アクチュエータ、時計、電子機器 |
JP2006279609A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性境界波素子、共振子およびラダー型フィルタ |
US7619347B1 (en) * | 2005-05-24 | 2009-11-17 | Rf Micro Devices, Inc. | Layer acoustic wave device and method of making the same |
DE102005055871A1 (de) * | 2005-11-23 | 2007-05-24 | Epcos Ag | Elektroakustisches Bauelement |
JP4937605B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2012-05-23 | 太陽誘電株式会社 | 弾性境界波デバイス |
JP2008109413A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイスおよびフィルタ |
-
2007
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2009
- 2009-09-14 US US12/558,778 patent/US20100231330A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6046656A (en) | 1997-05-08 | 2000-04-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Elastic boundary wave device and method of its manufacture |
US20060175928A1 (en) | 2003-04-18 | 2006-08-10 | Hajime Kando | Boundary acoustic wave device |
EP1538748A2 (de) | 2003-11-12 | 2005-06-08 | Fujitsu Media Devices Limited | Elestische Oberflächenwellenvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
US20060138902A1 (en) * | 2004-01-19 | 2006-06-29 | Hajime Kando | Acoustic boundary wave device |
US20070018536A1 (en) | 2004-03-29 | 2007-01-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave device and process for producing same |
DE102005055870A1 (de) * | 2005-11-23 | 2007-05-24 | Epcos Ag | Elektroakustisches Bauelement |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010070000A1 (de) * | 2008-12-17 | 2010-06-24 | Epcos Ag | Bauelement, welches mit akustischen wellen arbeitet, und verfahren zu dessen herstellung |
US8674583B2 (en) | 2008-12-17 | 2014-03-18 | Epcos Ag | Construction element that operates with acoustic waves, and method for the manufacture thereof |
DE102010056053A1 (de) * | 2010-12-23 | 2012-06-28 | Epcos Ag | Drehmomentsensor und Anordnung mit einem Gegenstand und einem Drehmomentsensor |
DE102010056053B4 (de) * | 2010-12-23 | 2014-12-18 | Epcos Ag | Drehmomentsensor und Anordnung mit einem Gegenstand und einem Drehmomentsensor |
WO2014060263A1 (fr) * | 2012-10-19 | 2014-04-24 | Centre National De La Recherche Scientifique (C.N.R.S) | Transducteur a ondes de volume guidees en surface par des structures d'excitation synchrone |
FR2997027A1 (fr) * | 2012-10-19 | 2014-04-25 | Centre Nat Rech Scient | Transducteur a ondes de volume guidees en suface par des structures d'excitation synchrone |
US9843304B2 (en) | 2012-10-19 | 2017-12-12 | Centre National De La Recherche Scientifique (C.N.R.S.) | Transducer with bulk waves surface-guided by synchronous excitation structures |
Also Published As
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