DE102006038526B3 - Micro strip line arrangement has substrate with conductive path-side and opposite lying surface mass side and surface mass formed - Google Patents

Micro strip line arrangement has substrate with conductive path-side and opposite lying surface mass side and surface mass formed Download PDF

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Abstract

The arrangement has two cross-running micro strip lines, which are guided past one another contactlessly in the crossing area. A substrate has a conductive path-side (5) and an opposite lying surface mass side and a surface mass formed. An electrically conducting decoupling surface (25) is arranged on the conductive path-side. The decoupling surface is formed in the crossing area at aside of another conductive path (9'), and has a gap (29) with the conductive path, which is smaller than the thickness of the substrate. The decoupling surface is coupled on the mass in high frequency manner.

Description

Die Erfindung betrifft eine Microstrip-Leitungsanordnung nach dem Oberbegriff des Anspruches 1.The The invention relates to a microstrip line arrangement according to the preamble of claim 1.

Bekanntermaßen handelt es sich bei der Microstrip-Technik um eine Leitungstechnik, bei der planare Leitungen für hochfrequente Anwendungen auf einem Substrat, vorzugsweise in Form einer Leiterplatine, angeordnet sind. Das erwähnte Substrat (die Leiterplatte) ist auf der Unterseite in der Regel vollständig metallisiert (Massefläche). Die Feldlinien verlaufen dabei zwischen dem metallisierten Streifen auf der Oberseite und der Massefläche auf der Unterseite des Substrates. Dieser Streifen wird gewöhnlich durch Bearbeitung der oberen Metallisierung durch Ätzen oder Fräsen angefertigt.As is known, it acts it is in the microstrip technology to a line technology, at the planar cables for high-frequency applications on a substrate, preferably in shape a printed circuit board, are arranged. The mentioned substrate (the printed circuit board) is usually completely metallised on the underside (ground surface). The Field lines run between the metallized strip on the top and the ground plane on the bottom of the Substrate. This strip is usually made by machining the upper metallization by etching or milling prepared.

Die Breite und Höhe der Leitung und die Höhe des Substrates sowie die Dielektrizitätskonstante des Substrates bestimmen dabei den Wellenwiderstand der Leitung.The width and height the wire and the height of the substrate and the dielectric constant of the substrate determine the characteristic impedance of the line.

In der Praxis stellt sich häufig das Problem, dass aufgrund der Anordnung der Microstrip-Leitungen auf der Platine zwei galvanisch voneinander getrennte Microstrip-Leitungen über Kreuz verlegt werden müssen, so dass ein derartiger Kreuzungspunkt durch eine Layout-Änderung nicht zu vermeiden ist. Die beiden über Kreuz verlaufenden Leitungen sollen dabei eine hohe Entkopplung aufweisen.In Practice often turns up the problem that due to the arrangement of microstrip lines on the board two galvanically separated microstrip lines across have to be relocated so that such a crossing point by a layout change can not be avoided. The two crossed lines should have a high decoupling.

Bisher sind dazu verschiedene Lösungen vorgeschlagen worden.So far Various solutions have been proposed Service.

Bekannt geworden ist die sogenannte Air-Bridge-Lösung, bei der in der Regel eine Leitung auf einer Oberfläche des Substrates weitergeführt wird, wohingegen die andere Leitung unterbrochen und die beiden unterbrochenen Leitungsabschnitte mittels einer drahtbrücken-ähnlichen Konstruktion verbunden werden.Known has become the so-called air bridge solution, in which, as a rule a lead on a surface the substrate is continued, whereas the other line was interrupted and the two interrupted Line sections connected by means of a wire bridge-like construction become.

Diese Lösung lässt sich einfach realisieren, zumal keine Durchkontaktierungen notwendig sind und es sich um eine einseitige Layout-Variante handelt. Eine einseitige Layout-Variante bedeutet dabei, dass die Platine nur auf einer Seite bearbeitet werden muss. Dies hat zur Folge, dass nur der halbe Fräsaufwand gegenüber einer auf zwei Seiten zu bearbeitenden Platine notwendig ist bzw. beim Ätzen nur ein Film benötigt wird. Nachteilig ist aber insbesondere die sich dadurch ergebende dreidimensionale Struktur und das Erfordernis von Lötstellen. Probleme und Schwierigkeiten können ferner bezüglich der Reproduzierbarkeit der Lösung auftreten, insbesondere dann, wenn die Lötplatine in einem Metallgehäuse untergebracht werden soll. Schließlich muss diese Air-Bridge-Lösung entweder von Hand oder maschinell bestückt werden.These solution let yourself easy to realize, especially since no plated-through holes necessary are and it is a one-sided layout variant. A one-sided layout variant means that the board only must be edited on one page. This has the consequence that only half the milling effort across from a board to be machined on two sides is necessary or during etching only one movie needed becomes. However, the disadvantage is in particular the resulting thereby three-dimensional structure and the requirement of solder joints. Problems and difficulties can with respect to the reproducibility of the solution occur, especially if the soldering board housed in a metal housing shall be. After all must have this air bridge solution either by hand or by machine.

Eine monolithische Struktur einer sich kreuzenden Microstreifen-Leiteranordnung mittels einer sogenannten Air-Bridge und einer zwischen den Microstreifenleitern liegenden geerdeten Entkopplungsschicht ist zudem aus der US 5,117,207 A bekannt geworden.A monolithic structure of a crossing microstrip conductor arrangement by means of a so-called air bridge and a grounded decoupling layer lying between the microstrip conductors is also known from US Pat US 5,117,207 A known.

Bekannt geworden ist auch eine sogenannte Multilayer-Platine. Bei dieser Lösung besteht die Platine aus zumindest zwei dielektrischen Schichten mit einer metallischen Schicht dazwischen. Die eine Leitung wird auf der Außenseite der einen dielektrischen Schicht und die andere Leitung auf der Außenseite der anderen dielektrischen Schicht geführt. Die Leitungen werden dann mittels Durchkontaktierungen verbunden. Ein Vorteil dieser Lösung besteht darin, dass, im Gegensatz zu vielen anderen Lösungen, bei denen mittels einer Verkleinerung der Leitungsbreite im Kreuzungspunkt die Kopplung verringert wird, diese Verkleinerung der Leitungsbreite, die den Wellenwiderstand der Microstrip-Leitung erhöht und dementsprechend eventuell wieder kompensiert werden muss, nicht notwendig ist. Es lassen sich dabei auch gute Entkopplungswerte realisieren.Known has also become a so-called multilayer board. At this solution the board consists of at least two dielectric layers with a metallic layer in between. The one line becomes on the outside one dielectric layer and the other line on the Outside of the led to another dielectric layer. The wires are then connected by vias. An advantage of this solution is in that, unlike many other solutions where using a Reduction of the line width at the crossing point the coupling is reduced, this reduction of the line width that the Characteristic impedance of the microstrip line increases and accordingly possibly must be compensated again, is not necessary. It can be thereby also realize good decoupling values.

Nachteilig ist jedoch die Notwendigkeit einer zweiten dielektrischen Schicht, wodurch ein größerer Aufwand bei der Verarbeitung und höhere Materialkosten entstehen, die schließlich auch zu höheren Gesamtkosten führt.adversely however, is the need for a second dielectric layer, which makes a greater effort in processing and higher Material costs are incurred, which eventually leads to higher overall costs leads.

Ferner bekannt geworden sind Lösungen, bei der eine der beiden sich kreuzenden Leitungen in der Nähe des Kreuzungspunktes unterbrochen ist. An der Unterbrechungsstelle ist dann ein die beiden Enden der unterbrochenen Leitung verbindender Leitungsabschnitt auf der gegenüberliegenden Platinenfläche vorgesehen, nämlich auf der sogenannten Massefläche. Dieser die durchgehenden Leitungen kreuzende Leitungsabschnitt ist durch Durchkontaktierungen mit den unterbrochenen Leitungsabschnitten verbunden, wobei der sich kreuzende, auf der Massefläche befindliche Leitungsabschnitt durch einen ihn umgebenden Schlitz von der Massefläche galvanisch getrennt ist. Diese Lösung lässt sich besonders einfach realisieren. Nachteilig ist allerdings, dass beispielsweise bei einer Leitungsbreite von 0,5 mm im Kreuzungspunkt bei einer gegebenen Substrathöhe Entkopplungen nur in einem Bereich von 35 dB bei 2 GHz erzielbar sind.Further become known solutions, in one of the two intersecting lines near the crossing point is interrupted. At the point of interruption is then one of the two ends the broken line connecting line section on the provided opposite board surface, namely on the so-called ground plane. This is the continuous lines crossing line section through vias with the broken line sections connected, with the intersecting, located on the ground surface Line section by a surrounding slot of the ground plane galvanic is disconnected. This solution let yourself very easy to realize. The disadvantage, however, is that, for example with a line width of 0.5 mm at the crossing point at a given substrate height Decoupling achievable only in a range of 35 dB at 2 GHz are.

Gemäß der US 6,097,260 A wird vorgeschlagen, die sich kreuzenden Leitungen auf zwei Ebenen aneinander vorbei laufen zu lassen (vergleichbar der Air-Bridge-Lösung), wobei zusätzlich noch zwischen den beiden sich kreuzenden Leitungen eine Metallplatte vorgesehen ist. Diese ist beispielsweise mittels Durchkontaktierung und/oder Schrauben mit der Massefläche der Platine verbunden. Alternativ kann anstelle der Metallplatte auch eine kleine Platine verwendet werden, die mit der Hauptplatine elektrisch verbunden wird.According to the US 6,097,260 A It is proposed to let the intersecting lines run past each other on two levels (comparable to the air bridge solution), wherein additionally a metal plate is provided between the two intersecting lines. This is for example by means of through-hole and / or screws with the Ground plane of the board connected. Alternatively, instead of the metal plate, a small board may be used which is electrically connected to the motherboard.

Mit einer derartigen Konstruktion lässt sich eine Entkopplung erzielen, die beispielsweise besser als 40 dB ist. Die Leitungsbreite muss am Kreuzungspunkt nicht verringert werden. Nachteilig ist aber auch hier die dreidimensionale Struktur, wodurch die Gesamtrealisation aufwendiger und teurer wird. Ein weiterer Nachteil ist der mechanische Aufwand.With such a construction leaves achieve a decoupling, for example, better than 40 dB is. The line width does not have to be reduced at the crossing point become. However, the disadvantage here is the three-dimensional structure, making the overall realization more complex and expensive. Another Disadvantage is the mechanical effort.

Aus der DE 29 43 502 C2 (insbesondere 5) ist ein gattungsbildender Stand der Technik bezüglich einer Microstreifen-Leitungsanordnung zu entnehmen, die zwei über Kreuz verlaufende Microstrip-Leitungen aufweist, die im Kreuzungsbereich kontaktfrei aneinander vorbeigeführt sind. Diese vorbekannte Microstrip-Leitungsanordnung umfasst ein Substrat, wobei das Substrat wiederum eine Leiterbahnseite und eine dazu gegenüberliegende Massefläche-Seite mit einer dort ausgebildeten Massefläche umfasst. Auf der Leiterbahnseite ist eine erste durchgängige Leiterbahn und eine zweite Leiterbahn vorgesehen, die in einem Kreuzungsbereich mit der ersten Leiterbahn eine Unterbrechung aufweist. An den zueinander beabstandeten Endbereichen der unterbrochenen zweiten Leiterbahn ist eine galvanische Verbindung 62 vorgesehen.From the DE 29 43 502 C2 (especially 5 ) is a generic state of the art with respect to a microstrip line arrangement refer to having two cross-extending microstrip lines, which are guided past each other without contact in the crossing area. This previously known microstrip line arrangement comprises a substrate, wherein the substrate in turn comprises a conductor track side and a ground plane side opposite thereto with a ground plane formed there. On the conductor track side, a first continuous track and a second track is provided, which has an interruption in an intersection area with the first track. At the spaced-apart end portions of the interrupted second conductor track, a galvanic connection 62 is provided.

Die Verwendung koaxialer Leitungen im Kreuzungspunkt und eine weitere Stripline-Variante werden in der US 5,600,285 A und in der US 6,522,214 B1 beschrieben. Bevorzugt kann dabei beispielsweise ein Leiter auf einer Ebene verlaufen, der sandwichartig von einer oberen und unteren, jeweils parallel verlaufenden Massefläche umgeben ist, wobei die sich damit kreuzende zweite Leitung im Bereich des Kreuzungspunktes mittels eines Stufenübergangs auf einer zweiten Ebene geführt ist. Diese zweite kreuzende Leitung ist ebenfalls sandwichartig mit zwei parallel verlaufenden Masseleitungen versehen.The use of coaxial lines at the intersection and another stripline variant will be in the US 5,600,285 A and in the US 6,522,214 B1 described. For example, a conductor may preferably run on a plane which is sandwiched by an upper and lower, in each case parallel, ground plane, wherein the second line crossing with it is guided in the region of the crossing point by means of a step transition on a second plane. This second crossing line is also sandwiched with two parallel ground lines.

Obgleich sich gute Entkopplungswerte realisieren lassen und die Leitungsbreite am Kreuzungspunkt bei einer derartigen Konstruktion auch nicht verringert werden muss, ist als nachteilig festzuhalten, dass es sich dabei um eine sehr aufwendige und teure Realisierung handelt. Schließlich ist auch ein Übergang von einer Microstrip-Leitung auf andere Leitungstypen notwendig. Ein Übergang von einem Leitungstyp auf einen anderen Leitungstyp ist jedoch grundsätzlich kritisch, weil dabei üblicherweise Verluste und Fehlanpassungen auftreten, die zwar durch geeignete technische Maßnahmen sehr klein gehalten werden, die aber als potentielle Störstellen und Fehlerquellen immer vorhanden sind.Although good decoupling values can be realized and the line width at the crossing point in such a construction also not reduced must be noted as detrimental to the fact that it is is a very elaborate and expensive realization. Finally is also a transition from a microstrip line to other line types necessary. A transition from one conductivity type to another conductivity type is fundamentally critical, because usually Losses and mismatches occur, although by appropriate technical measures be kept very small, but as potential impurities and sources of error are always present.

Eine demgegenüber andere Lösung wird in der US 6,028,494 A vorgeschlagen. Eine der beiden auf zwei Ebenen verlaufenden und sich so kontaktfrei kreuzenden Leitungen ist im Bereich des Kreuzungspunktes in zwei Zweige aufgespalten, die nach dem Kreuzungspunkt wieder zu einer einheitlichen Leitung zusammengeführt sind. Zudem sind noch Stripline Tuning-Pads vorgesehen, die oberhalb der ersten unverzweigten Leitung angeordnet sind, und zwar in einem Abstand von λ/4 zu dem Verzweigungsabschnitt der auf der anderen Ebene verlaufenden, im Kreuzungspunkt verzweigten Leitung. Dadurch soll erreicht sein, dass sich störende Signalanteile, hier Überkopplungen, phasenmäßig so überlagern, dass sie sich gegenseitig auslöschen. Obgleich diese Realisierung mechanisch einfacher ist, bleibt als nachteilig zu vermerken, dass sie nur schmalbandig wirkt. Zudem sind aufwendige Berechnungen zur Realisierung erforderlich. Bei der vorstehend beschriebenen Lösung werden zudem auch mehrere dielektrische Lagen verwendet, so dass auch diese Lösung mechanisch aufwendig ist.A different solution is used in the US 6,028,494 A proposed. One of the two extending on two levels and thus contact-free crossing lines is split in the region of the intersection in two branches, which are merged after the intersection point back to a single line. In addition, stripline tuning pads are provided, which are arranged above the first unbranched line, at a distance of λ / 4 to the branch portion of running on the other level, branched in the intersection point line. This is intended to ensure that disturbing signal components, here overcouplings, superimpose in phase so that they cancel each other out. Although this implementation is mechanically simpler, it should be noted as a disadvantage that it acts only narrowband. In addition, complex calculations for the realization are required. In the solution described above, moreover, a plurality of dielectric layers are used, so that this solution is mechanically complex.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es von daher, eine verbesserte Lösung für eine Microstrip-Leitungsanordnung zu schaffen, bei der auf einem Substrat kontaktfrei kreuzende Leitungen angeordnet sind, die eine hohe Entkopplung zueinander aufweisen.task The present invention is therefore an improved solution for a microstrip line arrangement to create at the contact-free crossing lines on a substrate are arranged, which have a high decoupling from each other.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß entsprechend den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.The Task is according to the invention accordingly solved the features specified in claim 1. Advantageous embodiments The invention are specified in the subclaims.

Die Erfindung basiert auf der Erkenntnis, dass bei einer einfachen Microstrip-Kreuzung zweier galvanisch nicht verbundener Leitungen, bei der die eine Leitung durchgehend auf der einen Seite des Substrates verläuft und die andere Leitung unterbrochen wird und mittels Durchkontaktierungen mit einem auf der Masseseite verlaufenden Leitungsabschnitt verbunden wird, jeweils die eine Leitung als Massefläche für die andere Leitung erscheint. Dabei wird das elektrische Feld jeweils im Substrat zwischen der einen Leitung und der als Massefläche erscheinenden anderen Leitung geführt.The Invention is based on the finding that in a simple microstrip crossing two galvanically unconnected lines, in which the one Continuously runs on one side of the substrate and the other line is interrupted and by means of vias connected to a running on the ground side line section in each case one line appears as a ground plane for the other line. In this case, the electric field is in each case in the substrate between the a line and appearing as the ground surface other line guided.

Die Erfindung schlägt vor, metallische Flächen auch auf der Leiterseite der Platine (also gegenüberliegend zur Massefläche der Platine) einzufügen, wodurch erreicht wird, dass das elektrische Feld nicht mehr im Substrat selbst, sondern zwischen der Leitung und den eingefügten metallischen Flächen verläuft.The Invention proposes in front, metallic surfaces also on the conductor side of the board (ie opposite to the ground plane of the Board), whereby it is achieved that the electric field is no longer in the substrate itself, but between the line and the inserted metallic Surfaces runs.

Dazu ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass der Abstand der eingefügten metallischen Flächen zu der Leitung kleiner ist als die Dicke des Substrates, vorzugsweise kleiner ist als 90%, insbesondere kleiner als 80%, 60% oder 50% und weniger verglichen mit der Dicke der Platinen, also dem Abstand der beiden sich kreuzenden Microstrip-Leitungen.For this purpose, the invention provides that the distance between the inserted metallic surfaces to the line is smaller than the thickness of the substrate, preferably less than 90%, in particular small ner than 80%, 60% or 50% and less compared to the thickness of the boards, so the distance between the two intersecting microstrip lines.

Die erwähnte metallische Fläche ist zumindest an einer Längsseite der auf der Leiterbahn-Seite durchgängigen Lei tung vorgesehen, vorzugsweise auf beiden Seiten dieser Leitung. Somit entstehen zumindest zwei metallische Flächen beidseitig dieser durchgehenden Leitung.The mentioned metallic surface is at least on one long side provided on the track side continuous Lei device, preferably on both sides of this line. Thus arise at least two metallic surfaces on both sides of this continuous line.

Die vorstehend erwähnten, bevorzugt an beiden Seiten vorgesehenen metallischen Flächen können aber auch in mehrere Detailflächen aufgespalten sein, wodurch ein Layout realisierbar ist, bei welchem der auf der Massefläche über eine bestimmte Wegstrecke verlaufende zweite Leitungsabschnitt mit kürzerer Gesamtlänge ausgebildet sein kann.The mentioned above, but preferably provided on both sides metallic surfaces can also in several detail areas be split, whereby a layout is feasible, in which the on the ground plane over one formed certain route extending second line section with shorter overall length can be.

Die erfindungsgemäß vorgesehenen metallischen Flächen sind zumindest HF-mäßig auf Massepotential, verglichen mit dem Massepotential auf der Masseflächen-Seite des Substrats, gelegt. Dazu sind bevorzugt zusätzliche Koppelelemente vorgesehen, die mit den Masseflächen auf der Leiterbahn-Seite galvanisch verbunden sind.The provided according to the invention metallic surfaces are at least HF-moderate on Ground potential, compared to the ground potential on the ground plane side of the substrate. For this purpose, additional coupling elements are preferably provided, the with the ground planes galvanically on the track side are connected.

Bevorzugt jedoch sind die erwähnten, auf der Leiterbahn-Seite vorgesehenen, zusätzlichen elektrisch leitfähigen oder metallischen Flächen durch eine oder durch mehrere Durchkontaktierungen mit der Massefläche auf der gegenüberliegenden Platinenseite galvanisch, also gleichstrommäßig verbunden.Prefers however, those mentioned are on the track side provided, additional electrically conductive or metallic surfaces through one or more vias to the ground plane the opposite PCB side galvanic, thus DC-connected.

Im Rahmen der Erfindung lässt sich problemlos eine Kopplung von weniger als –40 dB bei beispielsweise 2 GHz erreichen. Vor allem zeichnet sich die erfindungsgemäße Lösung dadurch aus, dass breitbandig eine hohe Entkopplung erzielt werden kann.in the Within the scope of the invention easily a coupling of less than -40 dB at, for example, 2 Reach GHz. Above all, the solution according to the invention is characterized from that broadband high decoupling can be achieved.

Die erwähnten metallischen Flächen können unterschiedlichste Form aufweisen. Sie müssen nicht zwangsläufig recht eckig oder quadratisch sein. Auch die Form der Leitungen kann in weiten Bereichen beliebig geändert werden. Beispielsweise können getaperte Leitungen verwendet werden.The mentioned metallic surfaces can be very different Have shape. You need to not necessarily be rectangular or square. Also, the shape of the lines can in many areas changed arbitrarily become. For example, you can Taped cables are used.

Die erfindungsgemäße Lösung kann auch im Zusammenhang mit einer Multilayer-Platine umgesetzt werden, ohne dass zusätzliche Elemente erforderlich sind.The inventive solution can also be implemented in the context of a multilayer board, without that extra Elements are required.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen erläutert. Dabei zeigen im Einzelnen:The Invention will be explained below with reference to embodiments. there show in detail:

1: eine schematische Draufsicht auf eine Microstrip-Leitungsanordnung mit zwei sich kreuzenden Leitungen nach dem Stand der Technik; 1 FIG. 2 is a schematic plan view of a prior art microstrip line assembly with two intersecting leads; FIG.

2: eine Unteransicht auf das Ausführungsbeispiel gemäß 1 nach dem Stand der Technik; 2 : A bottom view of the embodiment according to 1 According to the state of the art;

3: eine Querschnittsdarstellung durch die Platine im Kreuzungspunkt gemäß 1 und 2; 3 a cross-sectional view through the board in the crossing point according to 1 and 2 ;

4: eine Draufsicht auf die Leiterbahn-Seite einer Microstrip-Leitungsanordnung gemäß einem ersten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel; 4 a top view of the conductor track side of a microstrip line arrangement according to a first embodiment of the invention;

5: ein leicht abgewandeltes Ausführungsbeispiel verglichen mit dem Ausführungsbeispiel gemäß 4; 5 a slightly modified embodiment compared with the embodiment according to 4 ;

6: ein nochmals abgewandeltes Ausführungsbeispiel bezüglich eines geänderten Layouts auf der Leiterbahn-Seite mit mehreren Entkopplungsflächen; 6 a further modified embodiment with respect to a changed layout on the conductor track side with a plurality of decoupling surfaces;

7: eine Unteransicht bzw. Ansicht der Massefläche-Seiten bezüglich des Ausführungsbeispieles nach 6; und 7 : A bottom view or view of the ground plane sides with respect to the embodiment according to 6 ; and

8: eine Draufsicht auf die Leiterbahn-Seite bezüglich eines nochmals abgewandelten Ausführungsbeispiels. 8th : A plan view of the conductor track side with respect to a further modified embodiment.

Anhand der 1 bis 3 ist eine herkömmliche Microstrip-Leitungsanordnung mit voneinander separierten, sich kreuzenden Microstrip-Leitungen gezeigt, die auf einem Substrat 1, vorzugsweise in Form einer Leiterplatine mit vorgegebener Dicke 3, angeordnet sind.Based on 1 to 3 For example, a conventional microstrip line array is shown with spaced apart intersecting microstrip lines resting on a substrate 1 , preferably in the form of a printed circuit board with a predetermined thickness 3 , are arranged.

Das Substrat umfasst eine Leiterbahn-Seite 5 (die teilweise nachfolgend auch als erste oder obere Seite bezeichnet wird) und eine gegenüberliegende Massefläche-Seite 7 (die teilweise nachfolgend auch als zweite oder untere Seite bezeichnet wird). Auf dieser Massefläche-Seite 7 ist also eine elektrisch leitfähige Schicht vorgesehen, die die Massefläche 8 bildet.The substrate comprises a track side 5 (also sometimes referred to hereinafter as the first or upper side) and an opposite ground plane side 7 (sometimes referred to below as the second or lower side). On this ground plane side 7 Thus, an electrically conductive layer is provided, which is the ground plane 8th forms.

Auf der Leiterbahn-Seite 5 ist eine erste Leiterbahn 9 gezeigt, die durchgängig verläuft. Im eigentlichen Kreuzungspunkt oder Kreuzungsbereich 11 ist im gezeigten Ausführungsbeispiel diese Leiterbahn 9 mit einer schmäleren Leitungsbreite ausgestattet, verglichen mit der sonstigen Leiterbahnbreite. Am Übergang der Leiterbahn 9 zu dem schmäleren Leiterbahnabschnitt 9' im Kreuzungsbereich 11 können z.B. noch elektrisch leitfähige Anpassungsflächen (insbesondere zur Impedanzanpassung) vorgesehen sein, die aber nicht vorgesehen sein müssen.On the track side 5 is a first track 9 shown, which runs consistently. In the actual crossing point or crossing area 11 is in the illustrated embodiment, this conductor 9 equipped with a narrower line width, compared with the other strip width. At the transition of the conductor track 9 to the narrower track section 9 ' in the crossing area 11 For example, electrically conductive adjustment surfaces (in particular for impedance matching) may still be provided, but these need not be provided.

Im gezeigten Ausführungsbeispiel gemäß den 1 bis 3 verläuft diese erste Leiterbahn 9 von oben nach unten (im gezeigten Ausführungsbeispiel also senkrecht), wohingegen eine zweite Leiterbahn 109 quer dazu verläuft (im gezeigten Ausführungsbeispiel also von links nach rechts), deren Leiterbahnabschnitt 109' im Kreuzungsbereich 11 auf der zur ersten Leiterbahn-Seite 5 gegenüberliegenden Masseflächen-Seite 7 ausgebildet ist, wie dies aus der Unteransicht gemäß 2 zu ersehen ist. Dazu ist auf der Massefläche 7 ein Bereich 17 vorgesehen, der masseflächenfrei gestaltet ist. Innerhalb dieses masseflächenfrei gestalteten Bereiches 17 ist durch den umlaufenden Trennungsschlitz oder Trennungsabstandes 19 der vorstehend erwähnte zweite Leiterbahnabschnitt 109' als zurückgelassene, elektrisch leitfähige Leiterbahn oder Leiterfläche ausgebildet.In the illustrated embodiment according to the 1 to 3 runs this first trace 9 from top to bottom (in the embodiment shown so perpendicular), whereas a second conductor 109 Transversely thereto (in the embodiment shown, from left to right), the conductor track section 109 ' in the crossing area 11 on the first track side 5 opposite ground plane side 7 is formed, as shown in the bottom view 2 can be seen. This is on the ground plane 7 an area 17 provided, which is designed mass free. Within this mass area-free designed area 17 is by the circumferential separation slot or separation distance 19 the aforementioned second trace portion 109 ' formed as left behind, electrically conductive trace or conductor surface.

An den auf der ersten Leiterbahn-Seite 5 gegenüberliegenden Enden 109a und 109b der zweiten Leiterbahn 109 ist zumindest jeweils eine Durchkontaktierung 21 vorgesehen, die zu dem auf der Masseflächeseite 7 ausgebildeten Leiterbahnabschnitt 109' führt, so dass hierdurch die zweite Leiterbahn 109 unterbrechungsfrei als galvanisch durchgängige Leiterbahn ausgebildet ist. Die Durchkontaktierungen 21 sind in 1 und in 2 aber auch in der Querschnittsdarstellung gemäß 3 wiedergegeben.At the first track side 5 opposite ends 109a and 109b the second trace 109 is at least one via each 21 provided to that on the ground plane side 7 trained trace section 109 ' leads, so that thereby the second trace 109 is formed without interruption as a galvanically continuous conductor track. The vias 21 are in 1 and in 2 but also in the cross-sectional view according to 3 played.

Es hat sich nunmehr gezeigt, dass für jede der beiden Leiterbahnen 9, 109 die jeweils andere Leiterbahn 109, 9 im Kreuzungsbereich 11 als Masse wirkt, so dass im Kreuzungsbereich 11 elektrische Feldlinien zwischen den beiden Leiterbahnen 109, 9 verlaufen, die zu einer unerwünschten Verkopplung führen.It has now been shown that for each of the two tracks 9 . 109 the other conductor track 109 . 9 in the crossing area 11 acts as a mass, so that in the crossing area 11 electric field lines between the two tracks 109 . 9 run, which lead to an unwanted coupling.

Um diese Verkopplung zu verringern, sind gemäß einem ersten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel (wie in 4 dargestellt) zusätzlich metallische und/oder elektrisch leitfähige Flächen 25 vorgesehen, die der Einfachheit halber nachfolgend als Entkopplungsflächen 25 bezeichnet sind. Diese Entkopplungsflächen 25 sind auf der Leiterbahn-Seite 5 ausgebildet, und zwar im Kreuzungsbereich 11 unmittelbar benachbart zu dem schmäleren Leiterbahnabschnitt 9' der ersten Leiterbahn 9. Im gezeigten Ausführungsbeispiel weisen dabei diese Entkopplungsflächen 25 eine geeignete Länge auf, die gemäß dem gezeigten Ausführungsbeispiel geringfügig kleiner ist als die Länge der Leitungen mit verringertem Leitungsabschnitt 9' auf der Leiterbahn-Seite 5. Die Breite dieser Entkopplungsflächen 25 ist geringfügig kleiner als der Abstand zwischen der dem Leiterbahn-Abschnitt 9' auf der Leiterbahn-Seite 5 und dem jeweiligen Ende 109a bzw. 109b der quer dazu verlaufenden Leiterbahn 109.In order to reduce this coupling, according to a first embodiment of the invention (as in FIG 4 shown) additionally metallic and / or electrically conductive surfaces 25 provided, for the sake of simplicity below as decoupling surfaces 25 are designated. These decoupling surfaces 25 are on the track side 5 trained, in the crossing area 11 immediately adjacent to the narrower track section 9 ' the first trace 9 , In the embodiment shown, these decoupling surfaces 25 a suitable length, which is slightly smaller than the length of the lines with reduced line section according to the embodiment shown 9 ' on the track side 5 , The width of these decoupling surfaces 25 is slightly smaller than the distance between the track section 9 ' on the track side 5 and the respective end 109a respectively. 109b the transverse conductor track 109 ,

Diese beidseitig des Leiterbahnabschnittes 9 befindlichen Entkopplungsflächen 25 sind durch mehrere Durchkontaktierungen 27 elektrisch galvanisch mit der auf der Massefläche-Seite 7 ausgebildeten Massefläche 8 verbunden, liegen also galvanisch (also gleichstrommäßig) auf Massepotential.This on both sides of the conductor track section 9 located decoupling surfaces 25 are through multiple vias 27 electrically galvanic with the on the ground plane side 7 trained mass area 8th connected, so are galvanic (ie Gleichstrommäßig) at ground potential.

Zwischen dem Leiterbahnabschnitt 9' der ersten Leiterbahn 9 und den unmittelbar angrenzenden Entkopplungsflächen 25 ist ein nicht leitfähiger Abstand 29 gebildet, der vorzugsweise kleiner ist als die Dicke 3 des Substrates (3). Vorzugsweise beträgt dieser Abstand 29 weniger als 90%, 80%, insbesondere weniger als 60%, 50%, 40%, 30% oder sogar weniger als 20% der Dicke 3 des Substrates. Dadurch wird gewährleistet, dass die elektrischen Feldlinien, die ansonsten im Kreuzungsbereich 11 auch zwischen der Leiterbahn 9' und dem auf der gegenüberliegenden Seite des Substrats 1 ausgebildeten zweiten Leiterbahnabschnitt 109' verlaufen, nunmehr zwischen dem Leiterbahnabschnitt 9' und den benachbarten, näher liegenden Entkopplungsflächen 25 verlaufen, die ebenfalls auf Massepotential liegen.Between the track section 9 ' the first trace 9 and the immediately adjacent decoupling surfaces 25 is a non-conductive distance 29 formed, which is preferably smaller than the thickness 3 of the substrate ( 3 ). This distance is preferably 29 less than 90%, 80%, especially less than 60%, 50%, 40%, 30% or even less than 20% of the thickness 3 of the substrate. This will ensure that the electric field lines that are otherwise in the crossing area 11 also between the track 9 ' and on the opposite side of the substrate 1 formed second track section 109 ' now run between the track section 9 ' and the adjacent, closer decoupling surfaces 25 run, which are also at ground potential.

Ebenso ist ein geringer Abstand 29' zwischen dem jeweiligen Ende 109a bzw. 109b der auf der Leiterbahn-Seite des Substrats unterbrochenen Leiterbahn 109 und der angrenzenden Entkopplungsfläche 25 vorgesehen, um hier einen galvanischen Kontakt zu unterbinden. Der Abstand 29' kann beliebig groß gewählt werden, er wird nur vorzugsweise klein gemacht, um den auf der Masseseite verlaufenden Leitungsabschnitt möglichst kurz zu halten.Likewise, a small distance 29 ' between each end 109a respectively. 109b the conductor track interrupted on the track side of the substrate 109 and the adjacent decoupling surface 25 provided to prevent a galvanic contact here. The distance 29 ' can be chosen arbitrarily large, it is only made preferably small in order to keep the running on the ground side line section as short as possible.

Da bevorzugt der auf der Unterseite des Substrates vorgesehene isolierende Abstand 19 zwischen dem dort vorgesehenen Leiterbahnabschnitt 109' und der benachbarten Massefläche 8 kleiner ist als die Dicke 3 des Substrates, vorzugsweise also diese Abstandsbreite wieder weniger als 90%, 80%, 60%, 50%, 40%, 30% oder auch weniger als 20% der Dicke 3 des Substrats 1 aufweist, verlaufen auch hier die elektrischen Feldlinien nicht zu dem ersten Leiterbahnabschnitt 9, sondern zwischen diesem zweiten Leiterbahnabschnitt 109' und der benachbarten Massefläche 8 (die Un terseite des erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels nach 4 entspricht vom Grundsatz her der Untersicht-Darstellung gemäß 2, lediglich mit dem Unterschied, dass bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 4 noch die Durchkontaktierung 27 bis zur Massefläche 8 vorgesehen ist).Since preferably provided on the underside of the substrate insulating distance 19 between the conductor track section provided there 109 ' and the adjacent ground plane 8th smaller than the thickness 3 the substrate, so preferably this distance width again less than 90%, 80%, 60%, 50%, 40%, 30% or even less than 20% of the thickness 3 of the substrate 1 also here, the electric field lines do not extend to the first conductor track section 9 but between this second conductor track section 109 ' and the adjacent ground plane 8th (The Un underside of the embodiment according to the invention 4 corresponds in principle to the sub-view representation according to 2 , only with the difference that in the embodiment according to 4 still the feedthrough 27 to the ground plane 8th is provided).

Anhand von 5 ist lediglich gezeigt, dass die Entkopplungsflächen 25 nicht zwangsläufig rechteckförmig gestaltet sein müssen, sondern auch n-polygonal geformt sein können oder auch davon abweichende Formen mit kurvigen Abschnitten aufweisen können. In diesem Ausführungsbeispiel sind die Entkopplungsflächen 25 in einer solchen Längserstreckung ausgebildet, dass sie unter Ausbildung eines Stufenabsatzes auch noch seitlich zu vorgesehenen Anpassungsflächen 13 verlaufen. Ferner weisen die Entkopplungsflächen 25 noch U-förmige Vertiefungen auf, in denen die unterbrochene Leitung 109 noch ein Stückchen weiter in Richtung der ersten Leiterbahn 9 geführt ist, bis diese Leitung unterbrochen wird.Based on 5 is merely shown that the decoupling surfaces 25 not necessarily have to be designed rectangular, but may also be formed n-polygonal or even may have different shapes with curvy sections. In this embodiment, the decoupling surfaces 25 in such a longitudinal spread Training designed that they also trained laterally to provide adjustment surfaces a step shoulder 13 run. Furthermore, the decoupling surfaces 25 still U-shaped depressions on which the broken line 109 a little further in the direction of the first track 9 is guided until this line is interrupted.

Wie erwähnt, ist aus 5 zu ersehen, dass am verjüngten Leiterbahn-Abschnitt 9' am Übergang zu der breiter dimensionierten Leiterbahn 9 jeweils Anpassungsflächen 13 vorgesehen sind. Diese Anpassungsflächen 13 stellen Transformationsstufen 13 dar. Hintergrund dieser Transformations- oder Anpassstufen ist, dass gewünscht wird, dass die sich kreuzenden Leiterbahnabschnitte 9' und 109' im Kreuzungsbereich 11, also im unmittelbaren Bereich, in dem sich die Leitungen 9' und 109' überlappen, möglichst klein sind (schmal dimensioniert sind). Deshalb wird üblicherweise diese Leitungsbreite der sich kreuzenden Leiterbahnen 9' und 109' im Kreuzungspunkt verringert. Dies bedeu tet aber, dass diese Leiterbahnabschnitte 9' und 109' einen vergleichsweise hohen Wellenwiderstand aufweisen. Je nach Ausgangswiderstand kann es deshalb notwendig sein, diese hochohmige Stelle durch eine entsprechende niederohmige Stelle zu kompensieren (obgleich es nicht zwingend erforderlich ist und in bestimmten Anwendungsfällen eine hochohmige Stelle sogar vorteilhaft für die Transformation verwendet werden kann). Die minimale Leitungsbreite im Kreuzungspunkt und damit auch die erzielbare Entkopplung wird dadurch begrenzt, mit welcher Leistung die Platine gespeist wird (breitere Leitungen können höhere Leistungen übertragen) und ob es sich um eine intermodulationskritische Anwendung handelt (bezüglich Intermodulation sind sehr schmale Leitungen kritischer als breite Leitungen).As mentioned, is off 5 to see that at the tapered track section 9 ' at the transition to the broader conductor track 9 each adaptation surfaces 13 are provided. These adjustment surfaces 13 represent transformation stages 13 dar. background of these transformation or matching stages is that it is desired that the intersecting trace sections 9 ' and 109 ' in the crossing area 11 that is, in the immediate area where the wires are 9 ' and 109 ' overlap, are as small as possible (are narrow). Therefore, usually this line width of the intersecting tracks 9 ' and 109 ' reduced at the crossing point. However, this means that these track sections 9 ' and 109 ' have a comparatively high characteristic impedance. Depending on the output resistance, it may therefore be necessary to compensate for this high-impedance point by a corresponding low-impedance point (although it is not absolutely necessary and in certain applications, a high-impedance point can even be used advantageously for the transformation). The minimum line width at the crossing point and thus also the achievable decoupling is limited by which power the board is fed (wider lines can transmit higher power) and if it is an intermodulation critical application (with respect to intermodulation very narrow lines are critical than wide lines ).

Durch die erwähnten Anpass- oder Transformationsstufen 13 kann ein Ausgleich für die einen höheren Wellenwiderstand aufweisenden, schmäler ausgebildeten Leiterbahnabschnitte 9' und 109' im Kreuzungsbereich erzielt werden. Genauso kann die an den verjüngten Leiterbahnabschnitt 9' bzw. 109' angrenzenden Leiterbahnen 9 und 109 insgesamt mit einem breiten Querschnitt versehen werden, so dass auf die gezeigte Abstufung durch die Anpass- und Transformationsstufe 13 verzichtet werden kann. Durch eine entsprechende Transformation lässt sich trotz kleinerer Leitungsbreiten im Kreuzungsbereich eine große Bandbreite der Kreuzung bezüglich der Anpassung erzielen, wobei bei Verwendung von mehreren Transformationsstufen oder getaperten Leitungen sogar sehr große Bandbreiten erreicht werden können.Through the mentioned fitting or transformation stages 13 can compensate for the higher wave resistance having, narrower trace sections 9 ' and 109 ' be achieved in the crossing area. Likewise, the to the tapered track section 9 ' respectively. 109 ' adjacent tracks 9 and 109 are provided overall with a wide cross-section, so that the gradation shown by the fitting and transformation stage 13 can be waived. By means of a corresponding transformation, despite the smaller line widths in the intersection area, a large bandwidth of the intersection with respect to the adaptation can be achieved, whereby even very large bandwidths can be achieved when using several transformation stages or taped lines.

Die erwähnten Transformations- und Anpassstufen 13 müssen auch nicht, wie in 5 gezeigt, symmetrisch zum Kreuzungspunkt als kurze Leitungsabschnitte ausgebildet sein.The mentioned transformation and adaptation stages 13 do not have to, as in 5 shown to be formed symmetrically to the crossing point as a short line sections.

Beispielsweise sind auch λ/4-Stufen nur nach einer Seite hin vorstellbar, die also nur an einer Seite über den angrenzenden Leiterbahnabschnitt überstehen. Darüber hinaus ist auch eine unterschiedliche Transformation der durchgehenden Leitungen 9 und der unterbrochenen Leitungen 109 möglich. Es besteht auch die Möglichkeit, unterschiedlich breite Zuleitungen zur Kreuzung für die sich kreuzenden Leitungsbahnabschnitte 9' und 109' zu verwenden.For example, λ / 4 stages are conceivable only on one side, which thus survive only on one side over the adjacent conductor track section. In addition, there is also a different transformation of the continuous lines 9 and the broken lines 109 possible. There is also the possibility of different widths of supply lines to the intersection for the intersecting path sections 9 ' and 109 ' to use.

Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 6 ist gezeigt, dass die Entkopplungsflächen auch aus noch mehreren, galvanisch voneinander getrennten einzelnen Entkopplungsflächen 25 bestehen können, so dass beispielsweise hier beidseitig des auf der Leiterbahn-Seite 5 durchgehenden Leiterbahnabschnittes 9' zwei, im gezeigten Ausführungsbeispiel eher quadratisch gebildete Entkopplungsflächen 25 vorgesehen sind. Durch den so gebildeten Abstand zwischen zwei auf einer Seite des Leiterbahnabschnitt 9' gebildeten Entkopplungsabschnitten wird zudem die Möglichkeit geschaffen, hier noch einen weiteren Leiterbahnabschnitt 109'' vorzusehen, so dass die so gebildeten Leiterbahn-Enden dieser zweiten Leiterbahn 109 in dichterem Abstand zueinander, unmittelbar benachbart zum ersten Leiterbahnabschnitt 9' enden und hier durch Durchkontaktierungen mit dem auf der Massefläche vorgesehenen Leiterbahnabschnitt 109' galvanisch verbunden sind.In the embodiment according to 6 It is shown that the decoupling surfaces also consist of several, galvanically separated individual decoupling surfaces 25 can exist, for example, here on both sides of the on the track side 5 continuous conductor track section 9 ' two, in the illustrated embodiment rather square decoupling surfaces formed 25 are provided. By the distance thus formed between two on one side of the conductor track section 9 ' formed decoupling sections, the possibility is created, here even another trace section 109 '' provide, so that the thus formed conductor ends of this second conductor track 109 at a closer distance from each other, immediately adjacent to the first conductor track section 9 ' ends and here through vias with the provided on the ground surface trace section 109 ' are galvanically connected.

Der Abstand zwischen der auf der ersten Leiterbahn-Seite vorgesehenen Unterbrechung, also der Abstand zwischen den Enden der verlängert ausgebildeten Leiterbahnabschnitte 109'' (die das Ende der zweiten Leiterbahn 109 im Kreuzungsbereich 11 bilden), ist aber in diesem Ausführungsbeispiel größer als der seitliche schlitzförmige Abstand 29 zwischen den Entkopplungsflächen 25, zwischen denen hindurch der durchgängige Leiterbahnabschnitt 9' verläuft, wodurch eine verbesserte Entkopplung realisiert wird.The distance between the interruption provided on the first conductor side, ie the distance between the ends of the extended conductor track sections 109 '' (which is the end of the second trace 109 in the crossing area 11 form), but in this embodiment is greater than the lateral slot-shaped distance 29 between the decoupling surfaces 25 , between which the continuous strip conductor section 9 ' runs, whereby an improved decoupling is realized.

In 7 ist dabei die Massefläche-Seite 7 mit der Masse 8 wiedergegeben, aus der ersichtlich ist, dass der auf der Masseflächen-Seite 7 vorgesehene Leiterbahnabschnitt 109' bei dieser Konstruktion eine deutlich geringere Länge aufweist, verglichen mit dem Ausführungsbeispiel nach den 1 bis 5.In 7 is the ground plane side 7 with the crowd 8th reproduced, it can be seen that on the ground plane side 7 provided conductor track section 109 ' has a significantly shorter length in this construction, compared with the embodiment of the 1 to 5 ,

Anhand der Unteransicht von 7 sind ferner die Durchkontaktierungen 27 ersichtlich, die die Entkopplungsflächen 25 auf der Leiterbahn-Seite 5 mit der Massefläche 8 auf der Masseflächen-Seite 7 elektrisch-galvanisch (also gleichstrommäßig) verbinden. Ferner sind in der Darstellung gemäß 6 und 7 auch die beiden in der Mitte liegenden Durchkontaktierungen 21 zu ersehen, die die Durchkontaktierungen bilden, worüber die auf der ersten Seite befindlichen Leiterbahnabschnitte 109 bzw. 109'' mit dem auf der Masseflächen-Seite befindlichen Verbindungsabschnitt 109' elektrisch-galvanisch (also gleichstrommäßig) verbunden sind.Based on the bottom view of 7 are also the vias 27 it can be seen that the decoupling surfaces 25 on the track side 5 with the ground plane 8th on the ground plane side 7 electrically-galvanic (thus Gleichstrommäßig) ver tie. Furthermore, in the illustration according to 6 and 7 also the two in-center vias 21 to see who make the vias, about what the located on the first side trace sections 109 respectively. 109 '' with the connection section located on the ground plane side 109 ' electrically-galvanic (ie Gleichstrommäßig) are connected.

Anhand von 8 ist gezeigt, dass eine sehr gute Entkopplung auch dann noch realisiert werden kann, wenn die Entkopplungsflächen 25 selbst nicht auf Massepotential gelegt werden, also keine galvanische oder gleichstrommäßige Verbindung zwischen den Entkopplungsflächen 25 auf der ersten Leiterbahn-Seite 5 und der auf der rückwärtigen Seite des Substrates ausgebildeten Massefläche 8 gegeben ist.Based on 8th It is shown that a very good decoupling can still be realized even if the decoupling surfaces 25 Even at ground potential, so no galvanic or direct current connection between the decoupling surfaces 25 on the first track side 5 and the ground surface formed on the rear side of the substrate 8th given is.

Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 8 sind die beiden elektrisch leitfähigen Entkopplungsflächen 25 an ihren, dem Kreuzungsbereich 11 entferntest liegenden Eckbereichen 125 jeweils mit Transformationsgliedern 33 verbunden, bevorzugt elektrisch galvanisch verbunden. Diese Transformationsglieder 33 sind im gezeigten Ausführungsbeispiel kreissektorähnlich gestaltet, bilden also eine dreieckförmig zulaufenden Spitze 35, die mit den jeweiligen Eckbereichen 125 der Entkopplungsflächen 25 (auf der Leiterbahn-Seite 5) verbunden sind. Die demgegenüber entfernt liegende Rückseite 37 kann teilkreisförmig ausgebildet oder einem Teilkreis angenähert sein. Andere Ausführungsformen und geometrische Gestaltungen sind aber ebenso möglich.In the embodiment according to 8th are the two electrically conductive decoupling surfaces 25 at their, the crossing area 11 most distant corner areas 125 each with transformation elements 33 connected, preferably electrically connected electrically. These transformation elements 33 are designed circular sector similar in the illustrated embodiment, thus forming a triangular tapered tip 35 , with the respective corner areas 125 the decoupling surfaces 25 (on the track side 5 ) are connected. The opposite back side 37 can be formed part-circular or approximate a pitch circle. Other embodiments and geometric designs are also possible.

Diese Transformationsflächen 33 weisen eine Länge von annähernd λ/4 auf, so dass der am Endbereich 37 bestehende Leerlauf in einen Kurzschluss im Kreuzungsbereich 11 transformiert wird, wodurch die Entkopplungsflächen 25 hochfrequenzmäßig auf Masse gekoppelt werden. Dadurch wird die Entkopplung zwischen den beiden Microstrip-Leitungen 9 und 109 drastisch erhöht. Die Wellenlänge Lambda (λ) bezieht sich in etwa auf die Bandmitte des zu übertragenden Frequenzbereiches, bei dem eine hohe Entkopplung erzielt werden soll. Allerdings sind dabei noch zwei Faktoren zu beachten:

  • – Das Substrat sorgt für eine geometrische Verkürzung der Transformationsflächen 33, und zwar um den Faktor 1/√εr,eff, wobei εr,eff die effektive Dielektrizitätskonstante des Substrates ist.
  • – Die Dimension der Entkopplungsflächen 25 muss mit berücksichtigt werden. Es ist also nicht allein die Länge der Transformationsflächen 33 entscheidend (es wäre auch eine andere geometrische Ausbildung für die Transformationsflächen denkbar, bei der die Transformationsflächen 33 nicht so eindeutig von den Entkopplungsflächen getrennt wären), sondern entscheidend ist vielmehr die sich aus den Transformationsflächen 33 und den Entkopplungsflächen 25 insgesamt ergebenende maximale Länge.
These transformation surfaces 33 have a length of approximately λ / 4, so that at the end 37 existing idle in a short circuit in the intersection area 11 is transformed, whereby the decoupling surfaces 25 high frequency coupled to ground. As a result, the decoupling between the two microstrip lines 9 and 109 drastically increased. The wavelength lambda (λ) refers approximately to the band center of the frequency range to be transmitted, in which a high decoupling is to be achieved. However, there are two factors to consider:
  • - The substrate ensures a geometric shortening of the transformation surfaces 33 , by the factor 1 / √ε r, eff , where ε r, eff is the effective dielectric constant of the substrate.
  • - The dimension of the decoupling surfaces 25 must be taken into account. So it's not just the length of the transformation surfaces 33 crucial (it would also be another geometric design for the transformation surfaces conceivable in which the transformation surfaces 33 not so clearly separated from the decoupling surfaces), but rather decisive from the transformation surfaces 33 and the decoupling surfaces 25 total maximum length.

Aus dem Geschilderten geht auch hervor, dass die Transformationsflächen 25 nicht zwangsläufig auf der Oberseite des Substrats 1 ausgebildet sein müssen, also insbesondere parallel zur Substratfläche. Die erwähnten Transformationsglieder 33 können also auch schräg oder senkrecht zur Leitungs-Seite der Platine angeordnet sein, beispielsweise in Form von Metallkegeln oder Drähten.From the above it is also clear that the transformation surfaces 25 not necessarily on top of the substrate 1 must be formed, ie in particular parallel to the substrate surface. The mentioned transformation elements 33 can therefore also be arranged obliquely or perpendicular to the line side of the board, for example in the form of metal cones or wires.

Die erläuterten Ausführungsbeispiele sind unter Verwendung von zumindest zwei Entkopplungsflächen 25 beschrieben worden. Im Extremfall kann auch eine Ausführungsform ausreichend sein, bei der lediglich eine Entkopplungsfläche 25 vorgesehen ist, die unmittelbar benachbart lediglich auf einer Seite des ersten Leiterbahnabschnittes 9 ausgebildet ist.The illustrated embodiments are using at least two decoupling surfaces 25 been described. In extreme cases, an embodiment may be sufficient, in which only a decoupling surface 25 is provided, the immediately adjacent only on one side of the first conductor track section 9 is trained.

Es wird ferner angemerkt, dass beispielsweise auch die Entkopplungsflächen 25 weitgehend beliebige Formen aufweisen können, wie erwähnt, auch kurvige oder n-polygonale Begrenzungslinien umfassen können, wobei bevorzugt ein enger Abstand zu durchgehenden Leitungsbahnen 9, 9' zur Bewirkung der gewünschten Entkopplung eingehalten werden soll.It is further noted that, for example, the decoupling surfaces 25 may have largely arbitrary shapes, as mentioned, may also include curvy or n-polygonal boundary lines, wherein preferably a close distance to continuous conductor paths 9 . 9 ' to be achieved to effect the desired decoupling.

Anhand der verschiedenen Ausführungsbeispiele ist erläutert worden, dass an den zueinander beabstandeten Endbereichen 109a, 109b die unterbrochene zweite Leiterbahn 109 jeweils mit einer Durchkontaktierung 21 versehen ist, wodurch die auf der Leiterbahn-Seite 5 vorgesehene zweite Leiterbahn 109 mit dem auf der Massefläche-Seite 7 vorgesehenen Leiterbahnabschnitt 109' galvanisch verbunden ist. Anstelle der Durchkontaktierung können aber auch sonstige geeignete elektrischen Verbindungsmaßnahmen in Betracht kommen, beispielsweise unter Verwendung von durchgelöteten Drähten, Schrauben etc. Wichtig ist lediglich die Realisierung einer galvanischen Verbindung.Based on the various embodiments has been explained that at the spaced end portions 109a . 109b the broken second trace 109 each with a via 21 is provided, causing the on the track side 5 provided second conductor track 109 with the on the ground plane side 7 provided conductor track section 109 ' is galvanically connected. Instead of the via, however, other suitable electrical connection measures can also be considered, for example using soldered-through wires, screws etc. It is only important to realize a galvanic connection.

Claims (17)

Microstrip-Leitungsanordnung mit zwei über Kreuz verlaufenden Microstrip-Leitungen (9, 109) die im Kreuzungsbereich (11) kontaktfrei aneinander vorbei geführt sind, mit folgenden Merkmalen – mit einem Substrat (1), – das Substrat (1) umfasst eine Leiterbahn-Seite (5) und eine dazu gegenüberliegende Massefläche-Seite (7) mit einer dort ausgebildeten Massefläche (8), – auf der Leiterbahn-Seite (5) ist eine erste durchgehende Leiterbahn (9) vorgesehen, – auf der Leiterbahn-Seite (5) ist eine zweite Leiterbahn (109) vorgesehen, die in einem Kreuzungsbereich (11) mit der ersten Leiterbahn (9) eine Unterbrechung aufweist, – im Kreuzungsbereich (11) ist die unterbrochene zweite Leiterbahn (109) mit einem Leiterbahnabschnitt (109') versehen, der in einem Aussparungsbereich (17) innerhalb der Massefläche (8) auf der Massefläche-Seite (7) vorgesehen ist, – an den zueinander beabstandeten Endbereichen (109a, 109b) der unterbrochenen zweiten Leiterbahn (109) ist jeweils zumindest eine galvanische Verbindung (21) vorgesehen, wodurch die auf der Leiterbahn-Seite (5) vorgesehene zweite Leiterbahn (109) mit dem auf der Massefläche-Seite (7) vorgesehenen Leiterbahnabschnitt (109') galvanisch verbunden ist, gekennzeichnet durch die weiteren folgenden Merkmale: – auf der Leiterbahn-Seite (5) ist zumindest eine elektrisch leitfähige Entkopplungsfläche (25) vorgesehen, – die Entkopplungsfläche (25) ist im Kreuzungsbereich (11) an zumindest einer Seite des Leiterbahnabschnittes (9') ausgebildet oder angeordnet, – die Entkopplungsfläche (25) weist zu dem Leiterbahnabschnitt (9') einen Abstand (29) auf, der kleiner ist als die Dicke (3) des Substrates (1), und – die zumindest eine Entkopplungsfläche (25) ist zumindest HF-mäßig auf Masse gekoppelt.Microstrip line arrangement with two cross-section microstrip lines ( 9 . 109 ) in the crossing area ( 11 ) are guided past each other without contact, with the following features - with a substrate ( 1 ), - the substrate ( 1 ) comprises a track side ( 5 ) and an opposite ground plane side ( 7 ) with a ground surface formed there ( 8th ), - on the track side ( 5 ) is a first continuous track ( 9 ), - on the track side ( 5 ) is a second trace ( 109 ) provided in a crossing area ( 11 ) with the first trace ( 9 ) an Unterbre - in the crossing area ( 11 ) is the interrupted second trace ( 109 ) with a conductor track section ( 109 ' ) provided in a recess area ( 17 ) within the ground plane ( 8th ) on the ground plane side ( 7 ) is provided, - at the spaced-apart end regions ( 109a . 109b ) of the interrupted second conductor track ( 109 ) is in each case at least one galvanic connection ( 21 ), whereby the on the track side ( 5 ) provided second conductor track ( 109 ) with the on the ground plane side ( 7 ) provided conductor track section ( 109 ' ) is galvanically connected, characterized by the further following features: - on the track side ( 5 ) is at least one electrically conductive decoupling surface ( 25 ), - the decoupling surface ( 25 ) is in the crossing area ( 11 ) on at least one side of the conductor track section ( 9 ' ) or arranged, - the decoupling surface ( 25 ) points to the conductor track section ( 9 ' ) a distance ( 29 ), which is smaller than the thickness ( 3 ) of the substrate ( 1 ), and - the at least one decoupling surface ( 25 ) is at least HF-coupled to ground. Microstrip-Leitungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest eine Entkopplungsfläche (25) galvanisch oder gleichstrommäßig auf Masse gekoppelt ist.Microstrip line arrangement according to claim 1, characterized in that the at least one decoupling surface ( 25 ) is galvanically or DC coupled to ground. Microstrip-Leitungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest eine Entkopplungsfläche (25) zumindest eine Durchkontaktierung (27) aufweist, mit der die Entkopplungsfläche (25) mit der auf der Massefläche-Seite (7) vorgesehenen Massefläche (8) galvanisch verbunden ist.Microstrip line arrangement according to claim 2, characterized in that the at least one decoupling surface ( 25 ) at least one via ( 27 ), with which the decoupling surface ( 25 ) with the on the ground plane side ( 7 ) provided ground surface ( 8th ) is galvanically connected. Microstrip-Leitungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass auf beiden Seiten des Leiterbahnabschnittes (9') jeweils zumindest eine Entkopplungsfläche (25) vorgesehen ist, die in einem Abstand (29) zum Leiterbahnabschnitt (9') vorgesehen ist, wobei der Abstand (29) kleiner als die Dicke (3) des Substrats (1) ist.Microstrip line arrangement according to one of claims 1 to 3, characterized in that on both sides of the conductor track section ( 9 ' ) each at least one decoupling surface ( 25 ) provided at a distance ( 29 ) to the track section ( 9 ' ), the distance ( 29 ) smaller than the thickness ( 3 ) of the substrate ( 1 ). Microstrip-Leitungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand (29) kleiner als 80%, insbesondere kleiner als 60%, 50%, 40%, 30% oder insbesondere kleiner als 20% der Dicke (3) des Substrats (1) ist.Microstrip line arrangement according to one of claims 1 to 4, characterized in that the distance ( 29 ) less than 80%, in particular less than 60%, 50%, 40%, 30% or in particular less than 20% of the thickness ( 3 ) of the substrate ( 1 ). Microstrip-Leitungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass auf zumindest einer Seite des Leiterbahnabschnittes (9') zumindest zwei Entkopplungsflächen (25) und vorzugsweise auf beiden Seiten des Leiterbahnabschnittes (9') jeweils zumindest zwei Entkopplungsflächen (25) vorgesehen sind, wobei der Abstand zwischen den auf einer Seite des Leiterbahnabschnittes (9') vorgesehenen Entkopplungsflächen (25) so dimensioniert ist, dass dazwischen ein Endabschnitt (109'') der zweiten Leiterbahn (109) ausgebildet ist, wobei der Abstand dieses Leiterbahnendes (109'') zum quer dazu verlaufenden ersten Leiterbahnabschnittes (9') größer oder gleich ist als der Abstand (29).Microstrip line arrangement according to one of claims 1 to 5, characterized in that on at least one side of the conductor track section ( 9 ' ) at least two decoupling surfaces ( 25 ) and preferably on both sides of the track section ( 9 ' ) at least two decoupling surfaces ( 25 ) are provided, wherein the distance between the on one side of the conductor track section ( 9 ' ) decoupling surfaces ( 25 ) is dimensioned so that between an end portion ( 109 '' ) of the second conductor track ( 109 ) is formed, wherein the distance of this conductor track end ( 109 '' ) to the transverse thereto first conductor track section ( 9 ' ) is greater than or equal to the distance ( 29 ). Microstrip-Leitungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Begrenzungslinie der Entkopplungsfläche (25) benachbart zum Leiterbahnabschnitt (9') parallel verläuft.Microstrip line arrangement according to one of claims 1 to 6, characterized in that the boundary line of the decoupling surface ( 25 ) adjacent to the conductor track section ( 9 ' ) runs parallel. Microstrip-Leitungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass neben der parallel zu dem Leiterbahnabschnitt (9') verlaufenden Begrenzungslinie der Entkopplungsfläche (25) die verbleibenden Begrenzungslinien der Entkopplungsfläche (25) gerade und/oder kurvig verlaufende Abschnitte umfassen.Microstrip line arrangement according to one of claims 1 to 7, characterized in that in addition to the parallel to the conductor track section ( 9 ' ) extending boundary line of the decoupling surface ( 25 ) the remaining boundary lines of the decoupling surface ( 25 ) comprise straight and / or curved sections. Microstrip-Leitungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Entkopplungsflächen (25) rechteckförmig gestaltet sind.Microstrip line arrangement according to one of claims 1 to 8, characterized in that the decoupling surfaces ( 25 ) are designed rectangular. Microstrip-Leitungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Entkopplungsflächen (25) n-polygonal gestaltet sind.Microstrip line arrangement according to one of claims 1 to 9, characterized in that the decoupling surfaces ( 25 ) are designed n-polygonal. Microstrip-Leitungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Entkopplungsflächen (25) eine Länge aufweisen, die zumindest bis in den Bereich von Anpassungsflächen (13) reicht, die am Anfang und am Ende der Leiterbahn (9) im Kreuzungsbereich (11) ausgebildet sind und dazwischen liegend den Leiterbahnabschnitt (9') mit geringerer Leiterbahnbreite begrenzen.Microstrip line arrangement according to one of claims 1 to 10, characterized in that the decoupling surfaces ( 25 ) have a length which extends at least into the region of adaptation surfaces ( 13 ) at the beginning and at the end of the track ( 9 ) in the crossing area ( 11 ) are formed and lying therebetween the conductor track section ( 9 ' ) limit with less trace width. Microstrip-Leitungsanordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Entkopplungsflächen (25) eine Länge aufweisen, die zumindest der Länge des Leiterbahnabschnittes (9') entsprechen, der gegenüber der verbleibenden Leiterbahn (9) eine geringere Breite aufweist.Microstrip line arrangement according to claim 11, characterized in that the decoupling surfaces ( 25 ) have a length which at least the length of the conductor track section ( 9 ' ), which is opposite to the remaining track ( 9 ) has a smaller width. Microstrip-Leitungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass Transformationsflächen (33) auf der Leiterbahn-Seite (5) vorgesehen sind, die so geformt und/oder dimensioniert sind, dass die galvanisch von der Massefläche (8) getrennten Entkopplungsflächen (25) HF-mäßig auf Masse gekoppelt sind.Microstrip line arrangement according to one of claims 1 to 12, characterized in that transformation surfaces ( 33 ) on the track side ( 5 ) are provided, which are shaped and / or dimensioned so that the galvanic of the ground surface ( 8th ) separate decoupling surfaces ( 25 ) Are HF-moderately coupled to ground. Microstrip-Leitungsanordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Transformationsflächen (33) sektorförmig gestaltet sind.Microstrip line arrangement according to claim 13, characterized in that the transformation surfaces ( 33 ) are designed sector-shaped. Microstrip-Leitungsanordnung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Transformationsflächen (33) zumindest näherungsweise, insbesondere unter Berücksichtigung der Dimensionierung der Entkopplungsflächen (25), eine Länge oder Gesamtlänge aufweisen, die etwa λ/4 entspricht, wobei λ eine Wellenlänge aus dem zumindest einer der beiden Leiterbahnen (9, 109) zu übertragenden Frequenzband ist, vorzugsweise mit einer mittleren Wellenlänge des zu übertragenden Frequenzbandes.Microstrip line arrangement according to claim 13 or 14, characterized in that the transformation surfaces ( 33 ) at least approximately, in particular taking into account the dimensioning of the decoupling surfaces ( 25 ), have a length or overall length which corresponds approximately to λ / 4, where λ is a wavelength from the at least one of the two tracks (FIG. 9 . 109 ) to be transmitted frequency band, preferably with a mean wavelength of the frequency band to be transmitted. Microstrip-Leitungsanordnung nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Transformationsflächen (33) parallel zum Substrat (1) ausgerichtet sind.Microstrip line arrangement according to one of claims 13 to 15, characterized in that the transformation surfaces ( 33 ) parallel to the substrate ( 1 ) are aligned. Microstrip-Leitungsanordnung nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Transformationsflächen (33) schräg oder senkrecht zur Ebene des Substrats (1) ausgerichtet sind.Microstrip line arrangement according to one of claims 13 to 15, characterized in that the transformation surfaces ( 33 ) obliquely or perpendicular to the plane of the substrate ( 1 ) are aligned.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2943502C2 (en) * 1978-11-03 1988-07-21 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven, Nl
US5117207A (en) * 1990-07-30 1992-05-26 Lockheed Sanders, Inc. Monolithic microwave airbridge
US5600285A (en) * 1994-11-18 1997-02-04 Unisys Corporation Monolithic stripline crossover coupler having a pyramidal grounding structure
US6028494A (en) * 1998-01-22 2000-02-22 Harris Corporation High isolation cross-over for canceling mutually coupled signals between adjacent stripline signal distribution networks
US6097260A (en) * 1998-01-22 2000-08-01 Harris Corporation Distributed ground pads for shielding cross-overs of mutually overlapping stripline signal transmission networks
US6522214B1 (en) * 1999-06-17 2003-02-18 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Electrical transmission line arrangement with a cross-over

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2943502C2 (en) * 1978-11-03 1988-07-21 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven, Nl
US5117207A (en) * 1990-07-30 1992-05-26 Lockheed Sanders, Inc. Monolithic microwave airbridge
US5600285A (en) * 1994-11-18 1997-02-04 Unisys Corporation Monolithic stripline crossover coupler having a pyramidal grounding structure
US6028494A (en) * 1998-01-22 2000-02-22 Harris Corporation High isolation cross-over for canceling mutually coupled signals between adjacent stripline signal distribution networks
US6097260A (en) * 1998-01-22 2000-08-01 Harris Corporation Distributed ground pads for shielding cross-overs of mutually overlapping stripline signal transmission networks
US6522214B1 (en) * 1999-06-17 2003-02-18 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Electrical transmission line arrangement with a cross-over

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