DE102006027841B4 - Verfahren zur Herstellung eines III-Nitrid-Halbleiter-Bauteils - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines III-Nitrid-Halbleiter-Bauteils

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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines III-Nitrid-basierten Halbleiter-Bauteils wobei das Verfahren umfasst:
Bilden einer III-Nitrid-Wachstum-Sperre (16) auf einer Oberfläche eines Substrates (14), wobei die III-Nitrid-Wachstum-Sperre eine III-Nitrid-Halbleiter-Wachstum-Oberfläche (18) umgibt; und
Bilden eines Grabens (26) durch die III-Nitrid-Halbleiter-Wachstum-Oberfläche (18), um eine Mesa mit der III-Nitrid-Halbleiter-Wachstum-Oberfläche (18) an einer Oberseite derselben festzulegen;
Füllen des Grabens (26) mit einem Material (28), das ein III-Nitrid-Wachstum hemmt;
Aufwachsen eines III-Nitrid-Halbleiter-Körpers (20) über der Mesa, Durchschneiden der III-Nitrid-Wachstum-Sperre (16), welche die III-Nitrid-Halbleiter-Wachstum-Oberfläche (18) umgibt, um das III-Nitrid-basierte Halbleiter-Bauteil (36) zu gewinnen, wobei das III-Nitrid-basierte Halbleiterbauteil (36) die III-Nitrid-Wachstum-Sperre (16) an einem Außenumfang dieses Halbleiter-Bauteils aufweist.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Halbleiter-Bauteile und insbesondere auf III-Nitrid-Halbleiter-Bauteile und Verfahren zur Herstellung von III-Nitrid-Halbleiter-Bauteilen.
  • Ein III-V-Halbleiter ist ein Halbleitermaterial, das aus einem Element der Gruppe III und einem Element der Gruppe V besteht. III-V-Halbleiter sind für Leistungs-Anwendungen wünschenswert, wurden jedoch aufgrund von Schwierigkeiten bei der Herstellung nicht in weitem Umfang ausgenutzt.
  • Beispielsweise ist ein kommerziell wünschenswerter III-V-Halbleiter III-Nitrid. Es sei bemerkt, dass die Bezeichnung III-Nitrid-Halbleiter oder ein GaN-basierter Halbleiter sich hier auf eine Halbleiter-Legierung aus dem InAlGaN-System bezieht. Beispiele von Legierungen aus dem InAlGaN-System schließen GaN, AlGaN, AlN, InN, InGaN und InAlGaN ein. Es sei darauf hingewiesen, dass obwohl Stickstoff in jedem Legierung vorhanden ist, das Vorhandensein und der Anteil von In, Al oder Ga geändert werden kann, um eine Legierung in dem InAlGaN-System zu erhalten.
  • III-Nitrid-Halbleiter-Bauteile sind für Leistungs-Anwendungen hauptsächlich aufgrund des hohen Bandabstandes von III-Nitrid-Halbleiter-Materialien wünschenswert. Um ein III-Nitrid-Halbleiter-Bauteil herzustellen, muss zumindest eine oder III-Nitrid-Halbleiter-Legierung (d. h. eine Legierung aus dem InAlGaN-System) über einem Substrat gebildet werden. Die drei gut bekannten Substrat-Materialien für III-Nitrid-Halbleiter-Bauteile sind Saphir, SiC und Si.
  • Silizium-Substrate sind kommerziell aufgrund ihrer geringen Kosten und der hohen thermischen Leitfähigkeit wünschenswerter. Aufgrund der Gitter-Fehlanpassung und von Unterschieden in den thermischen Ausdehnungscharakteristiken von III-Nitrid-Halbleiter-Legierungen und Silizium führen dicke III-Nitrid-Halbleiter-Schichten (d. h. mehr als 1 Mikrometer dick) entweder zu Sprüngen oder Brüchen oder führen zu einem Biegen der Silizium-Scheibe. Es ist festzustellen, dass das Problem von Sprüngen oder Brüchen, das bei dicken III-Nitrid-Halbleiter-Schichten auftritt, nicht nur dann auftritt, wenn ein Silizium-Substrat verwendet wird, so dass das Problem nicht auf III-Nitrid-Halbleiter beschränkt ist, die auf Silizium-Substraten gebildet werden.
  • Das Dokument DE 198 38 810 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von Ga(In, Al)N-Lumineszenzdiodenchips.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, die mechanischen Spannungen aufgrund einer Material-Inkompatibilität bei der Herstellung eines III-Nitrid-Halbleiter-Bauteils zu verringern, um das Auftreten von Brüchen oder Sprüngen oder ähnlichen mechanischen Ausfällen zu verhindern. Insbesondere ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, mechanische Spannungen aufgrund von Material-Inkompatibilitäten zu verringern, wenn ein dicker (eine Dicke von mehr als ein Mikrometer aufweisender) III-Nitrid-Halbleiter-Körper auf einem Substrat gebildet wird.
  • Bei einem Verfahren gemäß Anspruch 1 der vorliegenden Erfindung wird ein III-Nitrid-Halbleiter-Wachstum-Sperrkörper, der in der Lage ist, das Wachstum eines III-Nitrid-Halbleiters auf dessen Oberfläche zu verhindern, in einem Muster über einer Oberfläche eines Substrats gebildet, um eine Wachstums-Oberfläche oder eine Vielzahl von Wachstums-Oberflächen auf dem Substrat zu bilden, und dann wird ein III-Nitrid-Halbleiter-Körper über der oder den so gebildeten Wachstums-Oberflächen aufgewachsen. Weil der Sperr-Körper das Wachstum des III-Nitrid-Halbleiters auf seiner Oberfläche verhindert, ist das Wachstum des III-Nitrid-Körpers auf die so gebildeten definierten Wachstums-Oberfläche oder Wachstums-Oberflächen beschränkt. Als Ergebnis können die Abmessungen der Wachstums-Oberfläche oder der Wachstums-Oberflächen so ausgewählt werden, dass das Auftreten von Sprüngen oder Brüchen in den III-Nitrid-Halbleiter aufgrund von Material-Inkompatibilitäten verhindert wird.
  • Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Graben derart gebildet werden, dass er sich unter die Wachstums-Oberfläche oder die Wachstums-Oberflächen erstreckt, um einen Mesa zu bilden, und der Graben kann mit einem Oxid oder einem ähnlichen Füllmaterial gefüllt werden. Der Graben kann die mechanischen Spannungen aufgrund der Material-Inkompatibilität weiter entlasten.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform kann ein amorpher Bereich unterhalb der Wachstums-Oberfläche oder der Wachstums-Oberflächen gebildet werden, um die mechanischen Spannungen aufgrund der Material-Inkompatibilität weiter zu entlasten.
  • Ein Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung kann für die Herstellung auf der Halbleiterscheiben-Ebene konfiguriert werden. Somit kann ein III-Nitrid-Wachstum-Sperrkörper über einer Oberfläche einer Halbleiterscheibe gebildet werden und selektiv entfernt werden, um eine Vielzahl von Wachstums-Oberflächen zu definieren. Der III-Nitrid-Halbleiter-Körper kann dann über jeder Wachstums-Oberfläche aufgewachsen werden.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung der Erfindung ersichtlich, die sich auf die beigefügten Zeichnungen bezieht.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
  • 1 zeigt schematisch eine Seitenansicht einer Zwischen-Struktur, die bei einem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung gewonnen wird.
  • 2A zeigt schematisch eine Draufsicht auf die in 1 gezeigte Struktur bei Betrachtung in Richtung der Pfeile.
  • 2B zeigt schematisch eine Draufsicht einer einzelnen Zelle in der in den 1 und 2A gezeigten Struktur.
  • 2C zeigt schematisch eine Querschnittsansicht der einzelnen in 2B gezeigten Zelle entlang der Linie 2C-2C bei Betrachtung in Richtung der Pfeile.
  • 3 zeigt schematisch eine Querschnittsansicht einer einzelnen Zelle in einer Halbleiterscheibe, die in einem Verfahren gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt wird.
  • 4 zeigt schematisch eine Querschnittsansicht einer einzelnen Zelle in einer Halbleiterscheibe, die in einem Verfahren gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt wird.
  • 5 zeigt schematisch eine Querschnittsansicht einer einzelnen Zelle in einer Halbleiterscheibe, die in einem Verfahren gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt wird.
  • 6 zeigt schematisch eine Draufsicht eines Halbleiter-Bauteil-Plättchens, das mit Hilfe eines Verfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt ist.
  • 7 zeigt schematisch eine Querschnittsansicht des in 6 gezeigten Halbleiterplättchens entlang der Linie 7-7 bei Betrachtung in Richtung der Pfeile.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
  • Gemäß 1 wird in einem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung ein III-Nitrid-Wachstum-Sperrkörper 10 über einer Oberfläche 12 eines Substrates 14 gebildet. Das Substrat 14 ist eine Halbleiterscheibe, die aus irgendeinem Material besteht, auf dem ein III-Nitrid-Halbleiter-Körper gebildet werden kann, wie z. B. Si, SiC oder Saphir. Bei der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besteht das Substrat 14 aus einem <111>-Silizium-Einkristall. Weiterhin besteht der Wachstum-Sperrkörper 10 aus einem Material, das kein Kristall-Wachstum durch ein ausgewähltes III-Nitrid-Halbleiter-Material auf seiner Oberfläche zulässt. Ein bevorzugtes Material zur Bildung des Wachstum-Sperrkörpers 10 ist Silizium-Dioxid, das durch Oxidieren der Oberfläche 12 des Substrates 14 oder durch Zersetzen eines Oxids über der Oberfläche 12 des Substrates 14 aufgewachsen werden kann. Ein weiteres Material, das zur Bildung des Wachstum-Sperrkörpers 10 geeignet ist, ist Si3N4.
  • Gemäß 2A, auf die nunmehr Bezug genommen wird, wird der Wachstum-Sperrkörper 10 dadurch mit einem Muster versehen, das selektiv Teile hiervon von der Oberfläche 12 des Substrates 14 durch Ätzen oder dergleichen entfernt werden, um eine Vielzahl von in einem Gitter angeordneten Zellen zu bilden. Gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ähnelt das Gitter in seinem Aussehen einer Waffel.
  • Als Nächstes wird auf die 2B Bezug genommen, die eine einzelne Zelle in dem Gitter nach 2A zeigt, wobei jede Zelle eine III-Nitrid-Wachstum-Sperre 16 einschließt, die eine jeweilige Wachstums-Oberfläche 18 umgibt und vorzugsweise rechtwinklig ist, obwohl auch andere geometrische Formen möglich sind. Wie dies in 2C gezeigt ist, erhebt sich die Wachstum-Sperre 16 oberhalb der Ebene der Wachstums-Oberfläche 18 auf irgendeine gewünschte Höhe. Die Höhe der Wachstum-Sperre 16 kann so ausgebildet werden, dass sie der gewünschten Dicke des III-Nitrid-Bauteils entspricht, das über ihre jeweilige Wachstums-Oberfläche 18 gebildet wird. Vorzugsweise ist ein durch ein Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung gebildetes Bauteil ein Mikrometer oder mehr dick.
  • Bei einem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung kann ein III-Nitrid-Halbleiter-Körper 20 über der Wachstums-Oberfläche 18 innerhalb der Grenzen aufgewachsen werden, die durch die Wachstum-Sperre 16 festgelegt sind. Das heißt, weil die Wachstum-Sperre 16 aus einem Material besteht, das kein Wachstum eines III-Nitrid-Halbleiter-Materials auf irgendeiner Oberfläche hiervon zulässt, der III-Nitrid-Halbleiter lediglich auf der Wachstums-Oberfläche 18 aufwächst. Als ein Ergebnis können die Abmessungen des III-Nitrid-Halbleiter-Körpers 20 durch den Bereich beschränkt werden, der durch die Wachstum-Sperre 16 definiert ist, so dass die internen mechanischen Spannungen aufgrund der Material-Inkompatibilität (Gitter-Fehlanpassung und/oder thermische Fehlanpassung) in Grenzen gehalten werden können, um Brüche oder Sprünge des III-Nitrid-Halbleiters zu vermeiden. Anders gesagt kann die Fläche der Wachstums-Oberfläche 18 durch die Wachstum-Sperre 16 festgelegt werden, um die mechanischen Spannungen aufgrund der Material-Inkompatibilität zu einem Minimum zu machen, um Sprünge oder Brüche in dem III-Nitrid-Halbleiter-Körper 20 verhindern. Die Fläche der Wachstums-Oberfläche kann vorzugsweise ein Quadratmillimeter oder mehr sein.
  • Gemäß 3 wird in einem Verfahren gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein III-Nitrid-Halbleiter-Körper 20 innerhalb des durch jede Wachstum-Sperre 16 begrenzten Raumes über der Wachstums-Oberfläche 18 gebildet. Es sei bemerkt, dass ein III-Nitrid-Halbleiter-Körper 20, auf den hier Bezug genommen wird, eine gradierte oder nicht gradierte III-Nitrid-Halbleiter-Schicht oder eine Vielzahl von III-Nitrid-Halbleiter-Schichten mit unterschiedlichen Zusammensetzungen einschließen kann. Das heißt, dass die Bezeichnung III-Nitrid-Halbleiter-Körper 20, wie sie hier verwendet wird, nicht als auf eine einzige Schicht eines III-Nitrid-Halbleiter-Körpers beschränkt betrachtet werden sollte.
  • Speziell wird bei der bevorzugten Ausführungsform eine Zwischenschicht 22 (die auch manchmal als eine Pufferschicht bezeichnet wird) zunächst auf den Wachstums-Oberflächen 18 gebildet, und dann wird ein III-Nitrid-Halbleiter-Körper 20 über der Zwischenschicht 22 gebildet. Es sei bemerkt, dass das Material zum Bilden der Wachstums-Schicht 16 so ausgewählt ist, dass es der Zwischenschicht 22 und dem III-Nitrid-Halbleiter-Körper 20 nicht ermöglicht wird, auf irgendeiner Oberfläche hiervon aufzuwachsen. Als ein Ergebnis wächst die Zwischenschicht 22 lediglich auf den Wachstums-Oberflächen 18 auf, und dann wächst der III-Nitrid-Halbleiter-Körper 20 lediglich auf der Zwischenschicht 22 auf. Es ist festzustellen, dass nach seiner Bildung der III-Nitrid-Halbleiter-Körper einen Bereich von starken Versetzungen oder Dislokationen 24 an seinem Außenumfang benachbart zu der Wachstum-Sperre 16 einschließen kann.
  • Vorzugsweise ist die Zwischenschicht 22 ein hinsichtlich ihrer Zusammensetzung gradiertes III-Nitrid-Halbleiter-Material aus dem InAlGaN-System, wie z. B. AlN, AlGaInN oder AlGaN. Die Bezeichnung ”hinsichtlich seiner Zusammensetzung gradiert”, wie sie hier verwendet wird, bedeutet, dass sich der Aluminiumgehalt entlang der Dicke der Zwischenschicht 22 vorzugsweise von einer Aluminiumreichen Zusammensetzung, beispielsweise AlN, benachbart zu der Wachstums-Oberfläche 18 zu einer Zusammensetzung ändert, die im Wesentlichen Aluminiumfrei ist, beispielsweise GaN. Alternativ kann die Zwischenschicht 22 mehrfache Schichten von III-Nitrid-Halbleiter-Körpern aus dem InAlGaN-System einschließen, die jeweils eine unterschiedliche Zusammensetzung haben.
  • Der III-Nitrid-Halbleiter-Körper 20 besteht vorzugsweise aus GaN, das mehr als 1 μm dick ist und für Leistungs-Anwendungen geeignet ist. Das heißt, der III-Nitrid-Halbleiter-Körper 20 besteht aus GaN, das dick genug ist und so konfiguriert ist, dass er als Körperbestandteil in einem Leistungshalbleiter-Bauteil dient, wie z. B. einem Transistor mit mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT), einem Metall-Isolator-Halbleiter HEMT (MISHEMT) oder einem ähnlichen Bauteil.
  • Gemäß 4, in der gleiche Bezugsziffern ähnliche Merkmale bezeichnen, wird bei einem Verfahren gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Graben 26 gebildet, der sich von der Wachstums-Oberfläche 18 bis zu einer vorgegebenen Tiefe in den Körper des Substrates 14 erstreckt. Der Graben 26 umgrenzt vorzugsweise einen Mesa mit einer Wachstums-Oberfläche 18 an dessen Oberfläche, und er wird vorzugsweise mit einem Silizium-Dioxid 28 oder dergleichen gefüllt. In einem Verfahren gemäß der zweiten Ausführungsform wird, nachdem der Graben 26 gefüllt wurde, die Zwischenschicht 22 auf der Wachstums-Oberfläche 18 gebildet. Es sei bemerkt, dass sich die Zwischenschicht 22 seitlich über das Silizium-Dioxid 28 in den Graben erstreckt und sich auch zu der Wachstum-Sperre 16 erstrecken kann. Die Zwischenschicht 22 kann einen Bereich mit hoher Dislokations-Dichte 30 an ihren Außenumfang benachbart zu der Wachstum-Sperre 16 einschließen. Die verbleibenden Schritte in einem Verfahren gemäß der zweiten Ausführungsform sind identisch zu denen der ersten Ausführungsform und werden daher nicht wiederholt. Der Graben 26 ermöglicht eine weitere Entlastung von mechanischen Spannungen aufgrund der Material-Inkompatibilität, was andererseits die Bildung von Sprüngen oder Brüchen des III-Nitrid-Halbleiter-Körpers 20 verhindert.
  • Gemäß 5 wird in einem Prozess gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Kristallstruktur des Mesa durch Ionenimplantation oder dergleichen beschädigt, um einen amorphen Bereich 32 in diesem zu bilden. Der amorphe Bereich 32 kann weiter die mechanischen Beanspruchungen verringern, die durch eine Material-Inkompatibilität hervorgerufen werden, wodurch Sprünge oder Brüche des III-Nitrid-Halbleiter-Körpers 20 verhindert werden. Es sei bemerkt, dass bei einem alternativen Verfahren der Graben 28 fortgelassen werden kann und die Kristallstruktur unterhalb der Wachstums-Oberfläche 18 amorph gemacht werden kann, um die gewünschte Entlastung mechanischer Spannungen zu erzielen. Die verbleibenden Schritte des Verfahrens gemäß der dritten Ausführungsform sind identisch zu denen der zweiten oder ersten Ausführungsform (wenn der Graben 28 fortgelassen wird), und sie werden daher aus Gründen der Kürze hier nicht wiederholt.
  • Nach der Bildung des III-Nitrid-Halbleiter-Körpers 20 kann eine weitere Bearbeitung in der gewünschten Weise ausgeführt werden, um Halbleiter-Bauteile, wie z. B. HEMTs in jeder Zelle auf dem Substrat 14 zu bilden. So kann beispielsweise eine Schicht aus AlGaN über einem GaN-Material aufgewachsen werden (wenn GaN zur Bildung des III-Nitrid-Halbleiter-Körpers 20 verwendet wird), um eine Heterojunction in einem Prozess zur Herstellung eines HEMT zu bilden.
  • Danach kann ein einzelnes Halbleiter-Bauteil-Plättchen durch Unterteilen der Halbleiterscheibe gewonnen werden. Vorzugsweise kann das Halbleiterplättchen 15 durch Schneiden durch die Wachstum-Sperren 16 hindurch unterteilt werden, um einzelne getrennte Plättchen 34 zu gewinnen, die eine Sperre 16 an ihrem Außenumfang und ein Halbleiter-Bauteil 36 innerhalb der Sperre 16 haben kann, wie dies in 6 gezeigt ist. Gemäß beispielsweise 7 kann ein Bauteil 36 einen III-Nitrid-Halbleiter-Körper 20, der aus GaN bestehen kann und einen weiteren III-Nitrid-Halbleiter-Körper 21 haben, der aus einer anderen Halbleiter-Legierung aus dem InAlGaN-System gebildet ist, wie z. B. AlGaN, der über dem Halbleiter-Körper 20 ausgebildet ist, um eine aktive III-Nitrid-Heterojunction zu gewinnen. Leistungselektroden, beispielsweise eine Drainelektrode 38 und eine Source-Elektrode 40, und eine Steuerelektrode 42 des Bauteils 36 sind ebenso gezeigt. Beispiele von III-Nitrid-basierten Bauteilen, die auf der Wachstums-Oberfläche 18 hergestellt werden können, finden sich in den US-Patenten US 5 192 987 A und US 6 878 593 B2 .

Claims (22)

  1. Verfahren zur Herstellung eines III-Nitrid-basierten Halbleiter-Bauteils wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer III-Nitrid-Wachstum-Sperre (16) auf einer Oberfläche eines Substrates (14), wobei die III-Nitrid-Wachstum-Sperre eine III-Nitrid-Halbleiter-Wachstum-Oberfläche (18) umgibt; und Bilden eines Grabens (26) durch die III-Nitrid-Halbleiter-Wachstum-Oberfläche (18), um eine Mesa mit der III-Nitrid-Halbleiter-Wachstum-Oberfläche (18) an einer Oberseite derselben festzulegen; Füllen des Grabens (26) mit einem Material (28), das ein III-Nitrid-Wachstum hemmt; Aufwachsen eines III-Nitrid-Halbleiter-Körpers (20) über der Mesa, Durchschneiden der III-Nitrid-Wachstum-Sperre (16), welche die III-Nitrid-Halbleiter-Wachstum-Oberfläche (18) umgibt, um das III-Nitrid-basierte Halbleiter-Bauteil (36) zu gewinnen, wobei das III-Nitrid-basierte Halbleiterbauteil (36) die III-Nitrid-Wachstum-Sperre (16) an einem Außenumfang dieses Halbleiter-Bauteils aufweist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das III-Nitrid-basierte Halbleiterbauteil (36) innerhalb der III-Nitrid-Wachstum-Sperre (16) gebildet wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die III-Nitrid-Wachstum-Sperre (16) aus Siliziumdioxid gebildet ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die III-Nitrid-Wachstum-Sperre aus Siliziumnitrid gebildet ist.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Substrat (14) aus Silizium gebildet ist.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Substrat (14) aus Siliziumcarbid gebildet ist.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Substrat (14) aus Saphir gebildet ist.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Verfahren weiterhin das Aufwachsen einer Zwischenschicht (22) auf die III-Nitrid-Halbleiter-Wachstum-Oberfläche (18) und das nachfolgende Aufwachsen des III-Nitrid-Halbleiter-Körpers (20) über der Zwischenschicht (22) umfasst.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Zwischenschicht (22) aus AlN gebildet ist.
  10. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Zwischenschicht (22) gradiert ist.
  11. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Zwischenschicht (22) aus gradiertem AlN gebildet ist.
  12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das III-Nitrid-basierte Halbleiter-Bauteil (36) einen GaN-Körper und einen AlGaN-Körper über dem GaN-Körper umfasst.
  13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die III-Nitrid-Wachstum-Sperre (16) einen Abschnitt eines waffelförmigen Musters auf dem Substrat (14) bildet.
  14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Graben (26) im Wesentlichen die Mesa umgibt.
  15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das den Graben (26) füllende Material (28), das ein III-Nitrid-Wachstum hemmt, Siliziumdioxid umfasst.
  16. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend einen Bereichs (32) unterhalb der III-Nitrid-Halbleiter-Wachstum-Oberfläche (18), der amorph gemacht wird.
  17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der III-Nitrid-Halbleiter-Körper (20) einen ersten III-Nitrid-Halbleiter-Körper aus einer Legierung aus dem InAlGaN-System und einen zweiten III-Nitrid-Halbleiter-Körper aus einer weiteren Legierung aus dem InAlGaN-System umfasst.
  18. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein III-Nitrid-Wachstums-Hinderungskörper selektiv entfernt wird, um ein die Wachstum-Sperre (16) umfassendes Gittermuster auf dem Substrat (14) zu bilden.
  19. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die III-Nitrid-Halbleiter-Wachstum-Oberfläche (18) zumindest einen Quadratmillimeter umfasst.
  20. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die III-Nitrid-Wachstum-Sperre (16) eine Höhe des III-Nitrid-basierten Halbleiterbauteils (36) festlegt.
  21. Verfahren nach Anspruch 20, wobei die Höhe zumindest ein Mikrometer beträgt.
  22. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Zwischenschicht (22) aus mehrfachen Schichten aus III-Nitrid-Halbleitern aus dem InAlGaN-System gebildet ist, wobei jede Schicht eine unterschiedliche Zusammensetzung hat.
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