DE102006022138A1 - Szintillatorplatte - Google Patents
Szintillatorplatte Download PDFInfo
- Publication number
- DE102006022138A1 DE102006022138A1 DE102006022138A DE102006022138A DE102006022138A1 DE 102006022138 A1 DE102006022138 A1 DE 102006022138A1 DE 102006022138 A DE102006022138 A DE 102006022138A DE 102006022138 A DE102006022138 A DE 102006022138A DE 102006022138 A1 DE102006022138 A1 DE 102006022138A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- scintillator
- transparent organic
- organic layer
- layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
Abstract
Die Erfindung betrifft eine Szintillatorplatte (1), umfassend ein strahlendurchlässiges und feuchtigkeitsundurchlässiges Substrat (2), einen auf dem Substrat (2) aufgebrachten Szintillator (3), eine erste transparente organische Schicht (11), die den Szintillator (3) bedeckt, und eine zweite transparente organische Schicht (12), die auf der ersten transparenten organischen Schicht (11) angeordnet ist, sowie eine transparente anorganische Schicht (21), die auf der zweiten transparenten organischen Schicht (12) angeordnet ist.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Szintillatorplatte.
- Eine derartige Szintillatorplatte wird in einem digitalen Röntgendetektor (Flachbilddetektor, Flat Panel Detector) in Kombination mit einer aktiven Matrix verwendet, die in eine Vielzahl von Pixel-Ausleseeinheiten mit Fotodioden unterteilt ist. Die auftreffende Röntgenstrahlung wird zunächst im Szintillator der Szintillatorplatte in sichtbares Licht umgewandelt, das von den Fotodioden in elektrische Ladung umgewandelt und ortsaufgelöst gespeichert wird. Diese so genannte indirekte Konversion ist beispielsweise in dem Aufsatz von M. Spahn et al. "Flachbilddetektoren in der Röntgendiagnostik" in "Der Radiologe 43 (2003)", Seiten 340 bis 350, beschrieben.
- Übliche Szintillatoren bestehen aus CsI:Tl, CsI:Na, NaI:Tl oder ähnlichen Materialien, die Alkali-Halogenide enthalten, wobei sich CsI besonders gut als Szintillatormaterial eignet, da es nadelförmig aufgewachsen werden kann. Dadurch erhält man trotz hoher Schichtdicke, die eine optimale Absorption der Röntgenstrahlung sicherstellt, eine gute Ortsauflösung des Röntgenbildes. Die gute Ortsauflösung resultiert aus dem so genannten "Lichtleiteffekt", der durch die Luftspalte zwischen den CsI-Nadeln erzielt wird.
- Die Szintillatormaterialien sind aufgrund ihres Gehalts an Alkali-Halogeniden zumindest leicht hygroskopisch und müssen ausreichend vor schädlichen Umwelteinflüssen (Luftfeuchtigkeit, zu hohe Temperatur) geschützt werden. Unter dem Einfluss von Temperatur Feuchtigkeit und Luft können die CsI-Nadeln beispielsweise "ineinander fließen". Der wichtige Parameter "Luftspalt" wird zumindest stark verringert. Als Folge hiervon wird die Ortsauflösung reduziert. Gleichzeitig kann bei einem Einsatz eines metallischen Substrats oder ei nes metallischen Spiegels die eindringende Feuchtigkeit zu Korrosion des Substrats führen.
- Um das Szintillatormaterial vor äußeren Umwelteinflüssen zu schützen, muss die Szintillatorplatte hermetisch verkapselt werden. In der
US 6,429,430 B2 sind hierzu auf einem Szintillator, der auf einem strahlendurchlässigen Substrat aufgebracht und vorzugsweise aus mit Tl dotiertem CsI gefertigt ist, zwei bis drei transparente Schichten aufgebracht. Zunächst ist auf dem Szintillator im CVD-Verfahren (CVD – Chemical Vapor Deposition, chemische Gasphasenabscheidung) eine organische Schicht aus Parylen aufgebracht. Auf der Parylen-Schicht ist dann eine anorganische Schicht, z.B. aus Al2O3 oder SiO2, angeordnet. Gegebenenfalls ist die anorganische Schicht mit einer weiteren organischen Schicht aus Parylen beschichtet. - Bei der Szintillatorplatte gemäß der
US 6,429,430 B2 ist die anorganische Schicht aus Al2O3 oder SiO2, welche die hermetische Abdichtung (Kapselung) gewährleistet, direkt auf der Parylen-Schicht aufgebracht. Dies ist fertigungstechnisch schwierig, da die anorganische Schicht auf der Parylen-Schicht schlecht haftet und deshalb die Oberfläche der Parylen-Schicht vor der Beschichtung mit der anorganischen Schicht aus Al2O3 oder SiO2 einer aufwändigen Plasmabehandlung unterzogen werden muss, um direkt danach die anorganische Schicht aufbringen zu können. Alternativ zur aufwändigen Plasmabehandlung kann die anorganische Schicht auf die Parylen-Schicht auch aufgebracht werden, solange sich die Oberfläche der Parylen-Schicht noch im aktiven Zustand befindet, also bevor die Polymerisation abgeschlossen ist. Die Oberfläche der Parylen-Schicht ist in ihrem aktiven Zustand allerdings hochgradig Staub anziehend, wodurch die Barrierewirkung der aufgebrachten anorganischen Schicht und der gegebenenfalls aufgebrachten weiteren Parylen-Schicht schwächt. - Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, eine Szintillatorplatte zu schaffen, die einen verbesserten Schutz vor Umwelteinflüssen, insbesondere vor Feuchtigkeit, aufweist und die gegenüber den bekannten Szintillatorplatten einen geringeren technischen Aufwand bei ihrer Herstellung erfordert.
- Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Szintillatorplatte gemäß Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Szintillatorplatte sind jeweils Gegenstand von weiteren Ansprüchen.
- Die Szintillatorplatte gemäß Anspruch 1 umfasst
- – ein strahlendurchlässiges und feuchtigkeitsundurchlässiges Substrat,
- – einen auf dem Substrat aufgebrachten Szintillator,
- – eine erste transparente organische Schicht, die den Szintillator bedeckt,
- – eine zweite transparente organische Schicht, die auf der ersten transparenten organischen Schicht angeordnet ist,
- – eine transparente anorganische Schicht, die auf der zweiten transparenten organischen Schicht angeordnet ist.
- Bei der erfindungsgemäßen Szintillatorplatte ist die transparente anorganische Schicht, die im Wesentlichen die Effizienz der Kapselung bestimmt, nicht direkt auf der ersten transparenten organischen Schicht angeordnet. Vielmehr ist auf der ersten transparenten organischen Schicht erfindungsgemäß eine zweite transparente organische Schicht aufgebracht. Die erste transparente organische Schicht hat bei der erfindungsgemäßen Lösung im Wesentlichen die Funktion, die Nadeln des Szintillators einzuhüllen. Dadurch wird eine gute Verankerung des Schutzschichtverbundes erreicht. Erst die zweite transparente organische Schicht, deren wesentliche Funktion die Planarisierung ist, bewirkt – zusammen mit der auf ihr aufgebrachten transparenten anorganischen Schicht – eine hervorragende Barriere gegen den Szintillator schädigende Umwelteinflüsse, insbesondere Feuchtigkeit. Weiterhin bietet die erfindungsgemäße Lösung eine sehr gute Kapselung gegen Sauerstoff und andere Gase. Damit können bei der erfindungsgemäßen Szintilla torplatte auch empfindliche Materialien, beispielsweise Silber als Substrat für den Szintillator verwendet werden. Auch die Ankopplung der Szintillatorplatte an eine "gasempfindliche" Fotodioden-Matrix (z.B. organische Matrix mit Ca-Kathode) ist ohne Beeinträchtigung der Lebensdauer des Szintillators und damit der Szintillatorplatte möglich.
- Eine weitere Verbesserung der Verkapselung der erfindungsgemäßen Szintillatorplatte wird gemäß Anspruch 3 mit dem Aufbringen einer vierten transparenten organischen Schicht erzielt, die auf der transparenten anorganischen Schicht angeordnet ist.
- Die hermetische Verkapselung der erfindungsgemäßen Szintillatorplatte wird gemäß einer Ausführungsform nach Anspruch 2 durch eine dritte transparente organische Schicht, die auf der transparenten anorganischen Schicht angeordnet ist, nochmals verbessert, wobei gemäß Anspruch 4 für bestimmte Anwendungsfälle auf die dritte transparente organische Schicht eine vierte transparente organische Schicht aufgebracht werden kann.
- Nach einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Szintillatorplatte ist gemäß Anspruch 5 zwischen dem Substrat und dem Szintillator eine transparente organische Zwischenschicht angeordnet.
- Eine gute Verkapselung der Szintillatorplatte wird gemäß Anspruch 6 dadurch erreicht, dass die erste transparente organische Schicht das Substrat und den Szintillator abdeckt. Diese Verkapselung wird nochmals verbessert, wenn – wie in Anspruch 7 vorgeschlagen – die erste transparente organische Schicht das Substrat und den Szintillator abdeckt und das Substrat in seinem Randbereich umschließt.
- Weist die Szintillatorplatte gemäß einer Ausgestaltung nach Anspruch 3 oder 4 eine vierte transparente organische Schicht auf, so erhält man eine besonders gute Verkapselung, wenn ge mäß einer Ausgestaltung nach Anspruch 8 die vierte transparente organische Schicht das Substrat in seinem Randbereich umschließt.
- Bei einer weiteren bevorzugten Variante der Szintillatorplatte – wie in Anspruch 9 vorgeschlagen – weisen die erste transparente organische Schicht und/oder die zweite transparente organische Schicht im Randbereich des Substrates einen flachen Kantenwinkel von vorzugsweise 30° auf, wobei dann gemäß einer Weiterbildung nach Anspruch 10 die anorganische Schicht die Kanten des Substrates permeationsdicht umschließt.
- Vorteilhafte Materialien für die transparenten organischen Schichten sowie für die transparente anorganische Schicht sind jeweils Gegenstand der Ansprüche 11 bis 15.
- Bei Parylen handelt es sich um eine vollständig lineare, teilkristalline und unvernetzte Polymergruppe, die eine geometriekonforme Beschichtung ohne Lufteinschlüsse ermöglicht.
- Parylen und insbesondere Parylen C besitzt eine der geringsten Permeationsraten für Wasserdampf in Bezug auf organische Schichten. Insbesondere Parylen C (Chloro-poly-para-Xylylen) ist deshalb die für Beschichtungen von Szintillatoren am meisten verwendete Variante. Parylen C führt zu einer guten Kombination von mechanischen und elektrischen Eigenschaften, sowie einer sehr geringen Permeabilität gegenüber Feuchtigkeit und korrosiven Gasen.
- Nachfolgend werden zwei Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäßen Szintillatorplatte anhand der Zeichnung näher erläutert, ohne jedoch darauf beschränkt zu sein. Es zeigen, jeweils in schematischer Schnittansicht:
-
1 Eine erste Ausführungsform einer Szintillatorplatte, -
2 eine zweite Ausführungsform einer Szintillatorplatte. - In den
1 und2 ist mit1 eine Szintillatorplatte1 mit einem Substrat2 bezeichnet. Das Substrat2 ist aus einem strahlendurchlässigen und feuchtigkeitsundurchlässigen Material gefertigt. Auf dem Substrat2 , das beispielsweise eine schichtdicke von ca. 300 μm bis ca. 700 μm aufweist, ist auf bekannte Weise ein Szintillator3 mit einer Schichtdicke von ca. 50 μm bis ca. 600 μm aufgebracht (aufgedampft). - In den
1 und2 ist mit4 eine Röntgenstrahlung bezeichnet, die durch das Substrat2 hindurch tritt und im Szintillator3 sichtbares Licht erzeugt. Das aus dem Szintillator2 austretende sichtbare Licht wird in einem nicht dargestellten Fotosensor, der aus einer Vielzahl von Fotodioden besteht, in elektrische Ladung umgewandelt und ortsaufgelöst gespeichert (so genannte indirekte Konversion). - In den dargestellten Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Szintillatorplatte
1 kann das Substrat2 den folgenden, in der Zeitschrift "iew Elektrowärme International 53 (1995) B 4 Nov.", Seiten 215 bis 223, beschrieben Aufbau aufweisen: Auf einem Band aus Reinst-Aluminium mit einer Schichtdicke von ca. 300 μm bis ca. 700 μm ist durch einen Eloxalprozess eine Al2O3-Schicht mit einer Schichtdicke von ca. 1 μm bis ca. 3 μm aufgebracht. Auf diese Eloxalschicht wird eine hochreflektierende Reinst-Aluminiumschicht von etwa 80 nm Dicke abgeschieden. Zur Reflexionserhöhung werden weiterhin eine niedrigbrechende Oxidschicht (SiO2) mit einer Schichtdicke von ca. 88 nm und eine hochbrechende Oxidschicht (TiO2) von ca. 55 nm abgeschieden, die beide die λ/4-Bedingung erfüllen, so dass Totalreflexionen im Bereich von 95% erreichbar sind. - Die Wirkung eines Substrates auf die Bildqualität der Schichten ist bereits in
DE 103 01 284 A1 am Beispiel Speicherleuchtstoff beschrieben. - Es versteht sich in diesem Zusammenhang von selbst, dass das Substrat
2 im Rahmen der Erfindung auch einen anderen Aufbau, beispielsweise nur eine Schicht, aufweisen und/oder aus anderen Materialien bestehen kann. - Bei der in den
1 und2 dargestellten Szintillatorplatte1 ist der Szintillator3 von einer ersten transparenten organischen Schicht11 mit einer Schichtdicke von ca. 0,5 μm bis ca. 20 μm bedeckt, die vorzugsweise aus Parylen besteht. Weiterhin ist auf der ersten transparenten organischen Schicht11 eine zweite transparente organische Schicht12 angeordnet, die eine Schichtdicke von ca. 2 μm bis ca. 20 μm aufweist und die vorzugsweise aus Epoxid besteht. Schließlich ist auf der zweiten transparenten organischen Schicht12 eine transparente anorganische Schicht21 angeordnet, die eine Schichtdicke von ca. 20 nm bis ca. 500 nm aufweist und die beispielsweise aus Al2O3, SiO2 oder Si3N4 besteht. - Durch die Kombination der Materialien Epoxid und Al2O3 erhält man ein gutes Kornwachstum mit engen Korngrenzen von Al2O3 auf dem Epoxid, wodurch eine niedrige Permeationsrate gewährleistet wird.
- Bei der in
2 gezeigten Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Szintillatorplatte1 ist auf die erste transparente anorganische Schicht21 eine dritte transparente organische Schicht13 mit einer Schichtdicke von ca. 2 μm bis ca. 10 μm aufgebracht, die vorzugsweise aus Parylen oder Epoxid besteht. - Bei der in
1 dargestellten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Szintillatorplatte1 ist als äußerste Schicht eine vierte transparente organische Schicht14 auf der transparenten anorganischen Schicht21 angeordnet. Auch die vierte transparente organische Schicht14 , deren Schichtdicke ca. 2 μm bis ca. 10 μm beträgt, besteht wiederum vorzugsweise aus Parylen. - Bei dem in
2 gezeigten Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Szintillatorplatte1 ist eine vierte transparente organische Schicht14 auf der dritten transparenten organischen Schicht13 angeordnet. Die vierte transparente organische Schicht14 , die vorzugsweise wiederum aus Parylen besteht, bildet damit auch bei der Szintillatorplatte1 gemäß2 die äußerste Schicht. - Bei den in den
1 und2 dargestellten Szintillatorplatten1 ist zwischen dem Substrat2 und dem Szintillator3 jeweils eine transparente organische Zwischenschicht22 , vorzugsweise aus Parylen oder Epoxid, angeordnet. Die Schichtdicke der organischen Zwischenschicht22 beträgt ca. 0,5 μm bis ca. 20 μm. - Durch die organische Zwischenschicht
22 kann das Substrat2 zuverlässig vor einer Korrosion geschützt werden, die bei einer punktuell gestörten Spiegelwirkung des Substrates2 , hervorgerufen durch Staubeinschluss, auftreten kann. - Eine gute Verkapselung wird bei der Szintillatorplatte
1 gemäß den1 und2 dadurch erreicht, dass die erste transparente organische Schicht11 das Substrat2 und den Szintillator3 abdeckt und die vierte transparente organische Schicht14 das Substrat2 in seinem Randbereich umschließt.
Claims (16)
- Szintillatorplatte (
1 ) mit – einem strahlendurchlässigen und feuchtigkeitsundurchlässigen Substrat (2 ), – einem auf dem Substrat (2 ) aufgebrachten Szintillator (3 ), – einer ersten transparenten organischen Schicht (11 ), die den Szintillator (3 ) bedeckt, – einer zweiten transparenten organischen Schicht (12 ), die auf der ersten transparenten organischen Schicht (11 ) angeordnet ist, – einer transparenten anorganischen Schicht (21 ), die auf der zweiten transparenten organischen Schicht (12 ) angeordnet ist. - Szintillatorplatte (
1 ) nach Anspruch 1, wobei eine dritte transparente organische Schicht (13 ) auf der transparenten anorganischen Schicht (21 ) angeordnet ist. - Szintillatorplatte (
1 ) nach Anspruch 1, wobei eine vierte transparente organische Schicht (14 ) auf der transparenten anorganischen Schicht (21 ) angeordnet ist. - Szintillatorplatte (
1 ) nach Anspruch 2, wobei eine vierte transparente organische Schicht (14 ) auf der dritten transparenten organischen Schicht (13 ) angeordnet ist. - Szintillatorplatte (
1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei zwischen dem Substrat (2 ) und dem Szintillator (3 ) eine transparente organische Zwischenschicht (22 ) angeordnet ist. - Szintillatorplatte (
1 ) nach Anspruch 1, wobei die erste transparente organische Schicht (11 ) das Substrat (2 ) und den Szintillator (3 ) abdeckt. - Szintillatorplatte (
1 ) nach Anspruch 1, wobei die erste transparente organische Schicht (11 ) das Substrat (2 ) und den Szintillator (3 ) abdeckt und das Substrat in seinem Randbereich umschließt. - Szintillatorplatte (
1 ) nach Anspruch 3 oder 4, wobei die vierte transparente organische Schicht (14 ) das Substrat (2 ) in seinem Randbereich umschließt. - Szintillatorplatte (
1 ) nach Anspruch 1, wobei die erste transparente organische Schicht (11 ) und/oder die zweite transparente organische Schicht (12 ) im Randbereich des Substrates (2 ) einen flachen Kantenwinkel von vorzugsweise 30° aufweisen. - Szintillatorplatte (
1 ) nach Anspruch 9, wobei die anorganische Schicht (22 ) die Kanten des Substrates (2 ) permeationsdicht umschließt. - Szintillatorplatte (
1 ) nach Anspruch 1, wobei die erste transparente organische Schicht (11 ) aus Parylen besteht. - Szintillatorplatte (
1 ) nach Anspruch 1, wobei die zweite transparente organische Schicht (12 ) aus Epoxid besteht. - Szintillatorplatte (
1 ) nach Anspruch 1, wobei die transparente organische Zwischenschicht (22 ) aus einem Aluminiumoxid oder einem Siliziumoxid besteht. - Szintillatorplatte (
1 ) nach Anspruch 2, wobei die dritte transparente organische Schicht (13 ) aus Epoxid besteht. - Szintillatorplatte (
1 ) nach Anspruch 3, wobei die vierte transparente organische Schicht (14 ) aus Parylen besteht. - Szintillatorplatte (
1 ) nach Anspruch 1, wobei das Substrat (2 ) für Licht im sichtbaren Bereich einen hohen Reflexionsgrad aufweist.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006022138A DE102006022138A1 (de) | 2006-05-11 | 2006-05-11 | Szintillatorplatte |
PCT/EP2007/053561 WO2007131844A1 (de) | 2006-05-11 | 2007-04-12 | Szintillatorplatte |
US12/298,973 US20090065705A1 (en) | 2006-05-11 | 2007-04-12 | Scintillator plate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006022138A DE102006022138A1 (de) | 2006-05-11 | 2006-05-11 | Szintillatorplatte |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102006022138A1 true DE102006022138A1 (de) | 2007-11-15 |
Family
ID=38137480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102006022138A Withdrawn DE102006022138A1 (de) | 2006-05-11 | 2006-05-11 | Szintillatorplatte |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090065705A1 (de) |
DE (1) | DE102006022138A1 (de) |
WO (1) | WO2007131844A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008009676A1 (de) | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Strahlungswandler und Verfahren zur Herstellung eines Strahlungswandlers |
DE102008033759A1 (de) | 2008-07-18 | 2010-01-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Szintillatorplatte |
WO2016034494A1 (de) * | 2014-09-03 | 2016-03-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Szintillatorplatte und verfahren zu deren herstellung |
EP3062127A1 (de) * | 2007-06-15 | 2016-08-31 | Hamamatsu Photonics K.K. | Strahlungsbildwandler und strahlungsbildsensor |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8575556B2 (en) * | 2009-11-09 | 2013-11-05 | West Virginia University | Method to improve three-dimensional spatial resolution of gamma scintillation events in plate scintillators by means involving fiberoptic light guides |
DE102012210487B3 (de) * | 2012-06-21 | 2013-12-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Szintillatorplatte und Verfahren zur Herstellung einer Szintillatorplatte |
JP5917323B2 (ja) * | 2012-07-20 | 2016-05-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネル及び放射線検出器 |
JP6245799B2 (ja) * | 2012-11-29 | 2017-12-13 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、及び放射線撮像システム |
JP2016038280A (ja) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | コニカミノルタ株式会社 | シンチレータパネルおよびこれを備えた放射線検出器 |
JP6670313B2 (ja) * | 2014-12-30 | 2020-03-18 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | X線検出器アセンブリ |
FR3061404B1 (fr) * | 2016-12-27 | 2022-09-23 | Packaging Sip | Procede de fabrication collective de modules electroniques hermetiques |
TWI633634B (zh) * | 2017-05-11 | 2018-08-21 | 國家中山科學研究院 | Scintillator package structure and its preparation method |
JP6433560B1 (ja) * | 2017-09-27 | 2018-12-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネル及び放射線検出器 |
JP6433561B1 (ja) * | 2017-09-27 | 2018-12-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネル及び放射線検出器 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0932053A1 (de) * | 1997-02-14 | 1999-07-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Strahlungsdetektor und verfahren zu seiner herstellung |
JP2000009846A (ja) * | 1998-06-23 | 2000-01-14 | Hamamatsu Photonics Kk | シンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法 |
US6429430B2 (en) * | 1998-06-18 | 2002-08-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel, radiation image sensor, and methods of making the same |
EP1389783A2 (de) * | 2002-08-14 | 2004-02-18 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Schirm zum Speichern eines Strahlungsbildes |
EP1398648A2 (de) * | 2002-09-11 | 2004-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Verfahren und Vorrichtung zur Strahlungsbildaufnahmen mit einer Strahlungskonversionsschicht |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4123308A (en) * | 1977-10-19 | 1978-10-31 | Union Carbide Corporation | Process for chemically bonding a poly-p-xylylene to a thermosetting resin and article produced thereby |
US5171998A (en) * | 1990-06-14 | 1992-12-15 | Engdahl John C | Gamma ray imaging detector |
US5179284A (en) * | 1991-08-21 | 1993-01-12 | General Electric Company | Solid state radiation imager having a reflective and protective coating |
DE69301867T2 (de) * | 1992-06-16 | 1996-10-02 | Agfa Gevaert Nv | Röntgenschirm |
US7019301B2 (en) * | 1997-02-14 | 2006-03-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detection device and method of making the same |
WO1999066348A1 (fr) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Panneau de scintillateur, capteur d'image radiologique et procede de production |
JP2001163314A (ja) * | 1999-12-07 | 2001-06-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 印刷装置を備えた商品包装装置 |
US6847041B2 (en) * | 2001-02-09 | 2005-01-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Scintillator panel, radiation detector and manufacture methods thereof |
US7126130B2 (en) * | 2001-12-06 | 2006-10-24 | General Electric Company | Direct scintillator coating for radiation detector assembly longevity |
US7473903B2 (en) * | 2003-02-12 | 2009-01-06 | General Electric Company | Method and apparatus for deposited hermetic cover for digital X-ray panel |
US7112802B2 (en) * | 2003-04-11 | 2006-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Scintillator panel, radiation detecting apparatus, and radiation detection system |
US7193226B2 (en) * | 2003-09-30 | 2007-03-20 | Agfa-Gevaert | Scratch resistant moisture-protecting parylene layers |
-
2006
- 2006-05-11 DE DE102006022138A patent/DE102006022138A1/de not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-04-12 US US12/298,973 patent/US20090065705A1/en not_active Abandoned
- 2007-04-12 WO PCT/EP2007/053561 patent/WO2007131844A1/de active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0932053A1 (de) * | 1997-02-14 | 1999-07-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Strahlungsdetektor und verfahren zu seiner herstellung |
US6429430B2 (en) * | 1998-06-18 | 2002-08-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel, radiation image sensor, and methods of making the same |
JP2000009846A (ja) * | 1998-06-23 | 2000-01-14 | Hamamatsu Photonics Kk | シンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法 |
EP1389783A2 (de) * | 2002-08-14 | 2004-02-18 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Schirm zum Speichern eines Strahlungsbildes |
EP1398648A2 (de) * | 2002-09-11 | 2004-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Verfahren und Vorrichtung zur Strahlungsbildaufnahmen mit einer Strahlungskonversionsschicht |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3062127A1 (de) * | 2007-06-15 | 2016-08-31 | Hamamatsu Photonics K.K. | Strahlungsbildwandler und strahlungsbildsensor |
DE102008009676A1 (de) | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Strahlungswandler und Verfahren zur Herstellung eines Strahlungswandlers |
US7915599B2 (en) | 2008-02-18 | 2011-03-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Radiation transducer and method to produce a radiation transducer |
DE102008033759A1 (de) | 2008-07-18 | 2010-01-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Szintillatorplatte |
WO2016034494A1 (de) * | 2014-09-03 | 2016-03-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Szintillatorplatte und verfahren zu deren herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007131844A1 (de) | 2007-11-22 |
US20090065705A1 (en) | 2009-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102006022138A1 (de) | Szintillatorplatte | |
DE69935199T2 (de) | Robuste abdeck-platte für strahlungsabbildung | |
DE69817035T2 (de) | Strahlungsdetektor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE60024644T2 (de) | Szintillatorpanel und strahlungsbildsensor | |
DE69926769T2 (de) | Szintillatorpanel, strahlungsbildsensor und verfahren zu deren herstellung | |
DE10256979A1 (de) | CsI-Scintillatordirektbeschichtung für eine verbesserte Lebensdauer einer digitalen Röntgenstrahldetektorbaugruppe | |
DE3100303C2 (de) | Halbleiterspeichereinrichtung | |
DE102004059576A1 (de) | Unmittelbare Szintillatorbeschichtung zum Verlängern der Lebensdauer einer Strahlungsdetektoranordnung | |
WO2005119806A2 (de) | Röntgendetektor | |
DE69927522T2 (de) | Strahlungsbildsensor und verfahren zu dessen herstellung | |
EP2194401B1 (de) | Strahlungsdetektor und verfahren zu seiner herstellung | |
DE102006038969B4 (de) | Röntgenkonverterelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE10300137A1 (de) | Verbesserte Scintillatordichtung für einen Festkörper-Röntgenstrahldetektor | |
EP1560011A1 (de) | Dehnmessstreifen mit Feuchtigkeitsschutz durch inhomogene anorganische Schicht auf glättender Polymerschicht (ORMOCER) und Schlitzanordnung | |
DE102009016708A1 (de) | Solarabsorber-Schichtsystem und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE69927481T2 (de) | Elektronischer detektor mit lichtempfindlicher matrix | |
DE4301146A1 (de) | ||
DE112016006906T5 (de) | Bildaufnahmeeinheit für ein Endoskop und Endoskop | |
DE102010020610A1 (de) | Strahlendetektor und Verfahren zur Herstellung eines Strahlendetektors | |
DE102010019439A1 (de) | Festkörper-Röntgenbilddetektor mit kreisförmiger Detektorfläche | |
DE102006015043A1 (de) | Verfahren zum Verkapseln eines organischen photoaktiven Bauteils und Verkapselung eines photoaktiven elektronischen Bauteils | |
EP3660550B1 (de) | Reflektierendes verbundmaterial mit einem aluminium-träger und mit einer silber-reflexionsschicht | |
DE102006024893A1 (de) | Szintillatorplatte | |
DE69838706T2 (de) | Umgebungbeständige und infrarotdurchlässige fensterschicht | |
EP0096156B1 (de) | Verfahren zur quasihermetischen, rückwirkungsarmen Abdeckung empfindlicher physikalischer Strukturen, insbesondere Dehnungsmessstreifen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20131203 |