DE102006019709A1 - Wafer e.g. semiconductor wafer, cutting method for manufacturing semiconductor, involves local vacuum sucking of reference cutting lines through foil for exerting bending stress on lines, such that lines are cut by bending stress - Google Patents

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Abstract

The method involves local vacuum sucking of a set of grid-shaped reference cutting lines (2) through a foil (3) for exerting a bending stress on the cutting lines, such that the cutting lines are cut by the bending stress. The cutting lines are modified areas that are produced by a crack formation in an interior of the wafer by a laser cutting. One cutting line of the set of cutting lines is successively cut in a longitudinal direction and the other cutting line of the set of cutting lines is successively cut in a transverse direction. An independent claim is also included for a device for cutting wafers along a set of reference cutting lines.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND THE INVENTION

Gebiet der ErfindungField of the invention

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Zerschneiden bzw. Zersägen von Wafern, auf denen eine Vielzahl von Chips wie z.B. Halbleiterbauelemente gebildet sind, in einzelne kleine Chips.The The present invention relates to a method and an apparatus for cutting or sawing of wafers on which a variety of chips such as e.g. Semiconductor devices are formed into individual small chips.

In einem Trennverfahren (Dicing) während der Halbleiterherstellung wird eine Streckfolie auf die Rückseite eines Wafers (Halbleiter-Wafers) geklebt, auf dem eine große Anzahl von Chips wie z.B. Halbleiterbauelemente gitterförmig angeordnet sind. Dann werden Trennrillen (Sollschnittlinien) gitterförmig auf der Vorderseite des Wafers mittels eines Trennrades oder dergleichen gebildet. Danach wird der Wafer entlang der Trennrillen in Chips zerschnitten bzw. zersägt. Andererseits werden in einem Bonding-Verfahren während der Halbleiterherstellung die vom Wafer während des Trennvorgangs abgeschnittenen Chips auf ein Substrat wie z.B. einen Anschlussrahmen gebondet. Ein Die-Bonder wird als Herstellungsmittel für das Bonden verwendet.In a separation process (dicing) during the Semiconductor manufacturing is a stretch film on the back a wafer (semiconductor wafer) glued on which a large number of chips such as e.g. Semiconductor devices are arranged in a grid shape. Then are separating grooves (Sollschnittlinien) latticed on the front of the Wafers formed by means of a separating wheel or the like. After that the wafer is cut into chips along the separating grooves sawed. On the other hand, in a bonding process during semiconductor fabrication from the wafer during of the separation process cut chips on a substrate such. a lead frame bonded. A die bonder is used as a means of production for the Bonding used.

Eines der Trennverfahren ist ein Laser-Trennverfahren, bei dem keine Trennrillen im Wafer gebildet werden. Beim Laser-Trennverfahren werden Laserstrahlen im Wafer fokussiert, um durch Rissbildung oder Schmelzen lineare modifizierte Bereiche (Sollschnittlinien) zu bilden, und dann wird der Wafer in einem späteren Verfahren entlang der modifizierten Bereiche in Chips zerschnitten bzw. zersägt. Die modifizierten Bereiche im Wafer können leicht abgetrennt werden, indem eine geringe externe Kraft auf den Wafer ausgeübt wird (siehe z.B. Patentdokument 1).One The separation process is a laser separation process that does not involve separating grooves be formed in the wafer. The laser separation process becomes laser beams focused in the wafer to be linear by cracking or melting Modified areas (Sollschnittlinien) form, and then the wafer in a later Process along the modified areas cut into chips or sawed. The modified areas in the wafer can be easily separated by applying a small external force to the wafer (See, for example, Patent Document 1).

Eine Einrichtung zum Zerschneiden des Wafers in kleine Chips nach Bildung der gitterförmig auf dem Wafer während des Laser-Trennverfahrens als modifizierte Bereiche angeordneten Sollschnittlinien, verwendet einen Expansionsmechanismus eines Die-Bonders. Wie zum Beispiel in 11(A) gezeigt, ist ein Wafer 1 im Zentrum der Fläche einer Streckfolie 3 aufgeklebt, deren Ränder von einem Haltering 4 gehalten werden. Die Ränder der Folie 3 sind auf einer zylindrischen Expansionsauflage 5 angeordnet, und dann wird der Haltering 4 abgesenkt, um die Folie 3 360° radial um den Wafer 1 zu dehnen. Durch diese Dehnung wird der auf der Folienmitte angeordnete Wafer 1 wie in 11(B) gezeigt um 360° radial gedehnt. Daraus folgt, dass alle modifizierten Bereiche auf dem Wafer 1 einer Zugspannung ausgesetzt werden, die den Wafer entlang der gitterförmig modifizierten Bereiche in Chips trennt. Eine große Anzahl von vom Wafer 1 abgetrennter Chips 1' wird zusammen mit der Folie 3 radial so gedehnt, dass ein Spalt zwischen benachbarten Chips entsteht.Means for slicing the wafer into small chips after forming the target cut lines arranged in lattice fashion on the wafer as modified regions during the laser cutting process uses a die bonder expansion mechanism. Like in 11 (A) shown is a wafer 1 in the center of the surface of a stretched film 3 glued, the edges of a retaining ring 4 being held. The edges of the film 3 are on a cylindrical expansion pad 5 arranged, and then the retaining ring 4 lowered to the slide 3 360 ° radially around the wafer 1 to stretch. This stretching causes the wafer to be arranged on the middle of the film 1 as in 11 (B) shown stretched 360 ° radially. It follows that all modified areas on the wafer 1 be subjected to a tensile stress that separates the wafer into chips along the lattice-shaped modified regions. A large number of from the wafer 1 separated chips 1' will be together with the slide 3 radially expanded so that a gap between adjacent chips is formed.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY THE INVENTION

In dem Fall, in dem die modifizierten Bereiche ausschließlich im Inneren des Wafers durch das Laser-Trennverfahren gebildet werden, weisen alle dadurch gebildeten modifizierten Bereiche keinen Abstand zwischen den Chips auf, wodurch es möglich ist, eine große Anzahl von Chips in einem einzelnen Wafer zu bilden. Dadurch wird eine Verkleinerung der Chips auf zum Beispiel 0,3 mm2 bzw. 0,25 mm2 erleichtert. In dem Fall, in dem ein Wafer mit gitterartig modifizierten Bereichen unter Verwendung eines Expansionsmechanismus in Chips zerschnitten wird, wenn der Wafer auf der Folie gedehnt wird, wird der Wafer weniger um seine Mitte herum als davon entfernt gedehnt, was zu schlechter Zerschneidbarkeit führt. Damit die Wafer-Mitte besser gedehnt werden kann, ist ein großer Expansionsmechanismus erforderlich, um eine starke Dehnung erzielen zu können. Dieses Problem fällt stärker in Betracht, da die auf einem Wafer gebildeten Chips kleiner und in größerer Zahl gebildet sind. Es gibt Fälle, bei denen ein Wafer nicht in so kleine Chips von 0,3 mm2 bzw. 0,25 mm2 Größe zerschnitten werden kann, wodurch eine Erhöhung der Ausbeute an kleinen Chips erschwert wird. Hinzu kommt, dass die Folie eine Streckfolie sein muss, die dehnbar ist, und es ist nicht möglich einen Wafer zu benutzen, der auf eine nicht-dehnbare Folie aus z.B. PET-Material geklebt ist.In the case where the modified regions are formed exclusively inside the wafer by the laser separation method, all of the modified regions formed thereby do not have a gap between the chips, whereby it is possible to supply a large number of chips in a single wafer form. This facilitates a reduction of the chips to, for example, 0.3 mm 2 or 0.25 mm 2 . In the case where a wafer having lattice-like modified regions is cut into chips using an expansion mechanism when the wafer is stretched on the film, the wafer is stretched less around its center than away from it, resulting in poor cutability. In order for the center of the wafer to stretch better, a large expansion mechanism is required to achieve high elongation. This problem is more important because the chips formed on a wafer are smaller and larger in number. There are cases where a wafer can not be cut into such small chips of 0.3 mm 2 or 0.25 mm 2 size, thereby making it difficult to increase the yield of small chips. In addition, the film must be a stretch film that is stretchable, and it is not possible to use a wafer adhered to a non-stretchable film of, eg, PET material.

In Anbetracht dieser Umstände ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, als Antwort auf die Chip-Miniaturisierung ein Verfahren zum Zerschneiden von Wafern sowie eine Schneidevorrichtung zu schaffen, die dazu geeignet ist, die Wafer unter Verwendung dieses Schneideverfahrens in kleine Chips zu trennen.In Considering these circumstances It is an object of the present invention, in response to the Chip miniaturization is a process for cutting wafers and to provide a cutting device suitable for the wafers into small chips using this cutting method to separate.

Um die vorstehend genannte Aufgabe erreichen zu können, ist das erfindungsgemäße Verfahren ein Wafer-Schneideverfahren, bei dem ein Wafer entlang einer Sollschnittlinie zerschnitten wird, die auf dem auf einer Folie aufgeklebten Wafer gebildet ist, wobei das Verfahren zum Zerschneiden von Wafern den Schritt der lokalen Vakuumansaugung der Sollschnittlinie durch die Folie umfasst, um so eine Biegespannung auf die Sollschnittlinie auszuüben, wodurch die Sollschnittlinie mittels der Biegespannung abgetrennt wird.Around To achieve the above object, is the inventive method a wafer cutting method in which a wafer is along a target cutting line is cut on the wafer glued on a foil is formed, wherein the method for cutting wafers the Step of local vacuum suction of the target cutting line through the Foil, so as to a bending stress on the Sollschnittlinie exercise, thereby the target cutting line is separated by means of the bending stress.

Die Folie kann eine nicht-dehnbare Folie aus z.B. PET-Material sein, die sich nicht ausdehnt, neben einer Streckfolie, die ausschließlich zur Dehnung in einem Expansionsmechanismus eines gegenwärtigen Die-Bonders verwendet wird, und einer Streckfolie, die in einem gegenwärtigen Vollschneidemechanismus verwendet wird. In dem Fall, in dem eine Streckfolie verwendet und gedehnt wird, wird das Zerschneiden der Sollschnittlinien des Wafers durch die Biegespannung, die durch die lokale Vakuumansaugung erzeugt worden ist, sowie durch die Zugspannung aufgrund der Dehnung der Streckfolie gewährleistet.The film may be a non-stretchable film of eg PET material that does not expand, ne a stretch film used solely for stretching in an expansion mechanism of a present die-bonder, and a stretch film used in a present full-cutting mechanism. In the case where a stretched film is used and stretched, the cutting of the target cut lines of the wafer is ensured by the bending stress generated by the local vacuum suction and the tensile stress due to the stretching of the stretched film.

Ferner wird die Streckfolie während des Schneidens gedehnt, so dass benachbarte abgeschnittene Chips sofort nach dem Schneiden voneinander getrennt werden, wodurch vermieden werden kann, dass die abgeschnittenen Chips unmittelbar nach dem Abschneiden aneinander reiben. In dem Fall, in dem andererseits eine nicht-dehnbare Folie verwendet wird, werden die Sollschnittlinien des Wafers durch die Biegespannung geschnitten, die durch die lokale Vakuumansaugung erzeugt worden ist. Bei beiden Folienarten kann der Wafer auf die Folie aufgeklebt werden, ehe er mit den Sollschnittlinien versehen wird, oder er kann mit den Sollschnittlinien versehen werden, ehe er auf die Folie aufgeklebt wird. Die Sollschnittlinien des Wafers können modifizierte Berei che sein, die im Wafer durch das Laser-Trennverfahren gebildet werden, oder sie können eingeschnittene Trennrillen sein, die an der Vorder- oder der Rückseite des Wafers nahe der Vorder- oder Rückseite des Wafers durch ein Schneidrad oder dergleichen gebildet werden. Wenn eine Sollschnittlinie auf dem Wafer durch die Folie mittels Vakuumansaugung lokal angesaugt wird, wird diese Sollschnittlinie in Dickenrichtung des Wafers einer Biegespannung ausgesetzt, welche die Sollschnittlinie sicher abschneidet. Die aufgrund einer derartigen Biegespannung entstandene Schneidekraft ist stärker als die aufgrund der Zugspannung auf die Sollschnittlinie durch Dehnen der Streckfolie ausgeübte Schneidekraft und wird auch auf die Sollschnittlinie fokussiert. Dadurch entsteht eine exzellente Zerschneidbarkeit für das Zerschneiden des Wafers in kleine Chips und die Chip-Miniaturisierung wird erleichtert, wodurch die Ausbeute an kleinen Chips stark erhöht werden kann.Further The stretch film is during of cutting stretched so that neighboring cut chips be separated immediately after cutting, thereby avoiding can be that the cut chips immediately after the Cut off each other. In the case where, on the other hand a non-stretchable film is used, the target cutting lines of the wafer cut by the bending stress caused by the local Vacuum suction has been generated. For both types of films can the wafers are glued to the foil before joining with the target cut lines is provided, or it can be provided with the nominal cutting lines, before it is glued on the foil. The nominal cutting lines of the Wafers can be modified in the wafer by the laser separation process be formed, or they can be cut separating grooves on the front or the back of the wafer near the front or back side of the wafer Cutting wheel or the like can be formed. If a target cutting line locally sucked on the wafer through the film by means of vacuum suction becomes, this target cutting line in the thickness direction of the wafer a Subjected to bending stress, which cuts off the target cutting line safely. The resulting due to such bending stress cutting force is stronger as the due to the tension on the target cutting line through Stretching the stretch film exerted cutting force and is also focused on the target cutting line. This creates excellent cutting ability for cutting the wafer into small chips and chip miniaturization is facilitated whereby the yield of small chips can be greatly increased.

Darüber hinaus können die Sollschnittlinien des Wafers so gebildet sein, dass sie nicht durch eine geringe externe Kraft zerschnitten werden können. Wenn zum Beispiel die Sollschnittlinien des Wafers modifizierte Bereiche sind, können diese modifizierten Bereiche mit geringer Tiefe ausgebildet werden. Wenn die Sollschnittlinien des Wafers eingeschnittene Trennrillen sind, können diese Rillen auch mit geringer Tiefe ausgebildet sein, so dass ein unerwünschtes Abtrennen vor dem Zersägen des Wafers in einzelne Chips vermieden wird.Furthermore can the target cutting lines of the wafer are formed so that they do not can be cut by a small external force. If for example, the target cut lines of the wafer modified areas are, can these modified areas are formed with shallow depth. If the target cut lines of the wafer are cut dividing grooves, can These grooves can also be formed with shallow depth, so that a undesirable Separating before sawing of the wafer into individual chips is avoided.

Gemäß der vorliegenden Erfindung weist der Wafer eine Vielzahl von Sollschnittlinien auf, die sowohl in Längs- als auch in Querrichtung gitterförmig angeordnet sind. Nachdem eine aus der Vielzahl von Sollschnittlinien in Längsrichtung und eine aus der Vielzahl von Sollschnittlinien in Querrichtung mittels Vakuum angesaugt und nacheinander zerschnitten worden sind, kann die nächste aus der Vielzahl von Sollschnittlinien in Längsrichtung und die nächste aus der Vielzahl von Sollschnittlinien in Querrichtung mittels Vakuum angesaugt und nacheinander zerschnitten werden.According to the present Invention, the wafer has a plurality of target cut lines, which both in longitudinal as well as arranged transversely in a grid are. After one of the plurality of target cutting lines in the longitudinal direction and one of the plurality of target cutting lines in the transverse direction sucked by vacuum and cut in succession, can the next from the plurality of Sollschnittlinien in the longitudinal direction and the next the plurality of desired cutting lines in the transverse direction by means of vacuum sucked and cut one after the other.

Wenn zum Beispiel die Sollschnittlinien in Längsrichtung des Wafers nacheinander zerschnitten werden, werden ein Mittel zur lokalen Vakuumansaugung, der Wafer, und die Folie in orthogonaler Richtung zu den Sollschnittlinien in Längsrichtung relativ bewegt, um die Schnittlinien in Längsrichtung nacheinander abzuschneiden. Dann werden das Mittel zur lokalen Vakuumansaugung, der Wafer, und die Folie jeweils um 90° gedreht, um die Sollschnittlinien in Querrichtung nacheinander abzuschneiden, wodurch der Wafer in eine große Anzahl von Chips zerschnitten wird.If For example, the target cutting lines in the longitudinal direction of the wafer successively become a means of local vacuum aspiration, the wafer, and the film in the orthogonal direction to the Sollschnittlinien longitudinally relative moved to cut the cutting lines in the longitudinal direction sequentially. Then the means for local vacuum suction, the wafer, and the film is rotated by 90 °, to cut off the target cutting lines in the transverse direction one after the other, making the wafer into a big one Number of chips is cut.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann, wenn eine aus der Vielzahl von Sollschnittlinien des Wafers mittels Vakuumansaugung zerschnitten worden ist, diese mittels Vakuumansaugung von einem Schiebeelement durch die Folie gedrückt werden.According to the present Invention may, if one of the plurality of target cutting lines of the wafer has been cut by means of vacuum suction, this by vacuum suction of a sliding element through the film depressed become.

Das Schiebeelement ist ein längliches hartes Element, das länger ist als die Sollschnittlinie, und insbesondere kann ein gestuftes Teil auf einer Arbeitsbühne (entsprechend einer später noch zu beschreibenden Schneidevorrichtung), auf der die Folie des Wafers, ein an der Arbeitsbühne befestigtes Druckelement, ein stangenähnliches Element oder dergleichen angeordnet ist, vorgesehen sein. Vorzugsweise sollte der Wafer, der auf die Folie, die das Schiebeelement berührt, aufgeklebt ist, auf der Oberfläche gegenüber der Folie Sollschnittlinien aufweisen. Wenn eine Biegespannung durch lokale Vakuumansaugung einer Sollschnittlinie des Wafers erzeugt worden ist, kann das Zerschneiden des Wafers erleichtert und stärker gewährleistet werden, indem das Schiebeelement diese Sollschnittlinie durch die Folie berührt und dann die Sollschnittlinie mittels Vakuumansaugung hochgeschoben wird, um so die Sollschnittlinie sicher zu zerschneiden.The Sliding element is an elongated hard element, the longer is as the target cutting line, and in particular can be a stepped Part on a working platform (corresponding to one later to be described cutting device) on which the film of the Wafers, one at the work platform fixed pressure element, a rod-like element or the like is arranged to be provided. Preferably, the wafer, which is glued to the film that touches the sliding element, on the surface across from the film have nominal cutting lines. When a bending stress is due generates local vacuum suction of a desired cutting line of the wafer has been made, the cutting of the wafer can be facilitated and more ensured be by the sliding element this Sollschnittlinie through the film touched and then pushed up the nominal cutting line by means of vacuum suction is so as to cut the target cutting line safely.

Gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung kann der Wafer zerschnitten bzw. zersägt werden, wobei die Folie sowohl an seiner Vorder- als auch an seiner Rückseite aufgeklebt ist. Wenn zum Beispiel der Wafer an seiner Rückseite eine aufgeklebte Folie aufweist und auch an seiner Vorderseite Sollschnittlinien ausgebildet sind, wird eine weitere Folie (im Folgenden bei Bedarf als Abdeckfolie bezeichnet) vor dem Schneiden auf die Vorderseite des Wafes aufgeklebt. Danach wird der Wafer zerschnitten, indem er von der Folienseite an seiner Rückseite lokal mittels Vakuum angesaugt wird. In diesem Fall drückt die Abdeckfolie auf der Vorderseite des Wafers den auf dem Wafer gebildeten Chip gegen die rückseitige Folie, um dadurch ein Entfernen des Chips von der rückseitigen Folie zu verhindern. Die Abdeckfolie erlaubt auch ein Anlegen von Zugspannung an die Sollschnittlinien des Wafers, wodurch das Zerschneiden der Sollschnittlinien stabilisiert wird. Diese Abdeckfolie ist vorzugsweise eine Streckfolie.According to the method of the present invention, the wafer may be cut or sawed, the foil being adhered to both its front and back surfaces. If, for example, the wafer has a glued-on foil on its rear side and target cut lines are also formed on its front side, another foil (hereinafter referred to as cover foil if required) is used is glued to the front of the wafer before cutting. Thereafter, the wafer is cut by sucking it from the side of the film on its back locally by means of vacuum. In this case, the cover film on the front side of the wafer presses the chip formed on the wafer against the backside film, thereby preventing removal of the chip from the backside film. The cover sheet also allows tensile stress to be applied to the target cutting lines of the wafer, thereby stabilizing the cutting of the target cutting lines. This cover film is preferably a stretched film.

Um die vorgenannte Aufgabe erreichen zu können, ist die erfindungsgemäße Vorrichtung eine Schneidevorrichtung zum Zerschneiden eines Wafers entlang einer Vielzahl von Sollschnittlinien, wobei der Wafer auf die Vorderseite einer Folie aufgeklebt ist und die Vielzahl der Sollschnittlinien gitterförmig auf der Fläche des Wafers ausgebildet sind, die sich gegenüber der Fläche des Wafers befindet, der auf die Vorderseite der Folie aufgeklebt ist, wobei die Vorrichtung zum Zerschneiden von Wafern folgendes umfasst:
eine Auflagefläche, die verschiebbar mit der Rückseite der Folie in Kontakt ist, um den Wafer durch die Folie zu halten;
ein Schiebeelement, das linear an der Auflagefläche so gebildet ist, dass es nicht kürzer ist als die größte aus der Vielzahl der Sollschnittlinien und einen Spalt zwischen der Auflagefläche und der Folie bildet, wenn der Wafer durch die Folie auf der Auflagefläche angeordnet wird; und
einen Einlass zur Vakuumansaugung, der auf der Auflagefläche so gebildet ist, dass er sich neben dem Schiebeelement befindet, wobei es der Einlass zur Vakuumansaugung ermöglicht, dass der Spalt mittels Vakuumansaugung evakuiert wird, wodurch der Wafer durch die Folie mittels Vakuum lokal angesaugt wird.In order to achieve the above object, the apparatus of the present invention is a cutting apparatus for slicing a wafer along a plurality of target cutting lines, the wafer being adhered to the front side of a film and the plurality of target cutting lines being formed in a lattice pattern on the surface of the wafer opposite the surface of the wafer adhered to the front side of the film, the wafer cutting apparatus comprising:
a support surface slidably in contact with the back surface of the film for holding the wafer through the film;
a sliding member linearly formed on the support surface so as not to be shorter than the largest one of the plurality of target cutting lines and forming a gap between the support surface and the film when the wafer is placed on the support surface by the film; and
a vacuum suction inlet formed on the support surface so as to be adjacent to the slide member, the vacuum suction inlet allowing the gap to be evacuated by vacuum suction, thereby locally sucking the wafer through the film by vacuum.

Die Wafer-Schneidevorrichtung ist wie eine Ansaugstation, die auf ihrer Oberfläche einen Einlass zur Vakuumansaugung aufweist und sich relativ zum Wafer und zur Folie bewegt. Wenn zum Beispiel ein Wafer auf eine Streckfolie geklebt und diese Folie gedehnt wird, damit sie zusammen mit einem Expansionsmechanismus verwendet werden kann, dann wird die Wafer-Schneidevorrichtung unter der gedehnten, horizontalen Folie so angeordnet, dass sie in horizontaler Richtung bewegbar ist. Die Oberfläche der Schneidevorrichtung ist die Auflagefläche, die mit der Unterseite der Folie in Gleitkontakt steht und sich in horizontaler Richtung bewegt. Das auf der Auflagefläche gebildete Schiebeelement gerät mit der Unterseite der Folie in linearen Kontakt und gleitet unter die Unterseite. Durch den auf der Auflagefläche entlang des Schiebeelements gebildeten Einlass zur Vakuumansaugung ist eine Vakuumansaugung möglich, um die Folie mittels Vakuum lokal anzusaugen, wodurch eine Sollschnittlinie des Wafers mittels Vakuum lokal angesaugt und eine Biegespannung darauf ausgeübt werden kann.The Wafer-cutting device is like a suction station, which on its surface has a vacuum suction inlet and relative to the wafer and moved to the slide. If, for example, a wafer on a stretched film Glued and this film is stretched, so that together with a Expansion mechanism can be used, then the wafer cutting device under the stretched, horizontal foil arranged so that they is movable in the horizontal direction. The surface of the cutting device is the bearing surface, which is in sliding contact with the underside of the film and itself moved in a horizontal direction. The formed on the support surface Sliding element device with the bottom of the slide in linear contact and slides under the Bottom. By the on the support surface along the sliding element Vacuum suction inlet formed is a vacuum suction possible, to locally suck the film by means of vacuum, whereby a target cutting line of the wafer locally sucked by vacuum and a bending stress exercised on it can be.

Die Auflagefläche umfasst ein gestuftes Teil, das aus einem oberen Teil der Stufe und einem unteren Teil der Stufe besteht, und das Schiebeelement kann der obere Teil der Stufe sein. In diesem Fall kann der Einlass für die Vakuumansaugung am unteren Teil der Stufe des gestuften Teils gebildet sein.The bearing surface includes a stepped part that comes from an upper part of the step and a lower part of the step, and the sliding element can be the upper part of the stage. In this case, the inlet for the vacuum suction be formed at the lower part of the step of the stepped part.

Die Auflagefläche der Wafer-Schneidevorrichtung umfasst einen oberen Auflageflächenbereich und einen unteren Auflageflächenbereich, deren Level sich um ungefähr die Dicke des Wafers voneinander unterscheidet, und zwischen dem oberen und dem unteren Auflageflächenbereich ist eine Stufe gebildet. Der obere Teil der Stufe, der die Grenze zwischen dem oberen Auflageflächenbereich und der Stufe darstellt, wird zu einem linearen Schiebeelement. Der untere Auflageflächenbereich des unteren Teils der Stufe, der die Grenze zwischen der Stufe und dem unteren Auflageflächenbereich darstellt, weist einen Einlass zur Vakuumansaugung auf. Wenn zum Beispiel die Auflagefläche der Wafer-Schneidevorrichtung mit der Unterseite der durch den Expansionsmechanismus gedehnten Folie in Kontakt gerät und durch diesen Einlass eine Vakuumansaugung erfolgt, wird der Wafer durch die Folie auf der Auflagefläche mittels Vakuum lokal angesaugt. Zwischen der Auflagefläche und der Folie wird ein durch Vakuumansaugung evakuierter Spalt an der Stufe zwischen dem oberen und dem unteren Auflageflächenbereich gebildet, wodurch der obere Teil der Stufe stark gegen die Unterseite der Folie gepresst wird. Während eine Sollschnittlinie des Wafers einer lokale Vakuumansaugung ausgesetzt wird, um eine Biegespannung zu erzeugen, werden die Auflagefläche und die Folie relativ bewegt. Wenn der obere der Stufe der Auflagefläche relativ bewegt wird, um direkt unter die Sollschnittlinie des Wafers zu geraten, verstärkt der Rand des oberen Teils der Stufe seinen Hochschiebe-Effekt, so dass die Sollschnittlinie zerschnitten wird.The bearing surface the wafer cutting device comprises an upper bearing surface area and a lower bearing surface area, their levels are around the thickness of the wafer is different from each other, and between the upper and lower bearing surface area is a step formed. The upper part of the stage, which is the limit between the upper contact surface area and the step becomes a linear slide element. The lower contact surface area the lower part of the stage, which is the boundary between the stage and the lower contact surface area represents, has an inlet for vacuum suction. If to Example the contact surface the wafer cutting device with the bottom of the through the expansion mechanism stretched film in contact and through this inlet, a vacuum suction takes place, the Wafer sucked through the film on the support surface by vacuum locally. Between the support surface and the film is evacuated by vacuum suction at the gap Stage between the upper and lower contact surface area formed, whereby the upper part of the step strongly against the underside the film is pressed. While exposed a target cut line of the wafer to a local vacuum suction is to produce a bending stress, the bearing surface and the film moves relatively. When the upper of the stage of the support surface moves relatively is to get directly below the target cut line of the wafer, reinforced the edge of the upper part of the stage its upshifting effect, so that the target cutting line is cut.

Das Schiebeelement der Wafer-Schneidevorrichtung kann ein vorstehendes Element sein, das teilweise von der Auflagefläche wegragt. Das vorstehende Element kann ein Druckelement oder ein Walzenelement sein, das sich in relativem Kontakt mit der Folie dreht. In diesem Fall können die Einlässe zur Vakuumansaugung an beiden Seiten des vorstehenden Element vorgesehen sein.The Sliding element of the wafer cutting device can be a projecting Be element that partially protrudes from the support surface. The above Element may be a pressure element or a roller element that is rotates in relative contact with the film. In this case, the Inlets to Vacuum suction provided on both sides of the protruding element be.

Die Auflagefläche der Wafer-Schneidevorrichtung ist eine horizontale, flache Fläche und auf diese flache Fläche kann die Folie des Wafers gleiten. Das längliche vorstehende Element ragt vom Mittelpunkt der flachen Fläche so weg, dass es um die Dicke des Wafers hochsteht. Wenn das vorstehende Element ein keilförmiges Druckelement ist, ragt sein oberes Ende ausschließlich von der flachen Auflagefläche weg, und die Einlässe zur Vakuumansaugung befinden sich entlang seiner linken und rechten Seitenflächen. Das obere Ende des keilförmigen Druckelements berührt die Unterseite der Waferfolie und die Vakuumansaugung erfolgt durch die Einlässe zur Vakuumansaugung an der linken und rechten Seitenfläche des Druckelements, so dass der Wafer von der linken und der rechten Seite des Druckelements durch die Folie mittels Vakuum angesaugt wird. Wenn sich das längliche obere Ende des Druckelements relativ bewegt und direkt unter eine Sollschnittlinie des Wafers gerät, wird diese Sollschnittlinie durch die von beiden Seiten erfolgende Vakuumansaugung einer starken Biegespannung ausgesetzt und der Hochschiebe-Effekt des Druckelements verstärkt sich. Dadurch wird das Zerschneiden der geplanten Schneidlinie gewährleistet.The bearing surface of the wafer-cutting device is a horizontal, flat surface and on this flat surface, the film of the wafer can slide. The elongated protruding element protrudes from the center of the flat surface so that it around the thickness of the wafer is high. When the protruding element is a wedge-shaped pressure element, its upper end protrudes only from the flat support surface, and the vacuum suction inlets are located along its left and right side surfaces. The upper end of the wedge-shaped pressure member contacts the underside of the wafer foil, and the vacuum suction is performed through the vacuum suction inlets on the left and right side surfaces of the pressure member so that the wafer is sucked through the film from the left and right sides of the pressure member by vacuum. When the elongated upper end of the pressing member relatively moves and gets directly under a target cut line of the wafer, this target cut line is subjected to a strong bending stress by the suction suction from both sides, and the push-up effect of the pressing member is intensified. This ensures the cutting of the planned cutting line.

Um die vorgenannte Aufgabe erreichen zu können, ist die erfindungsgemäße Vorrichtung eine Schneidevorrichtung für Wafer zum Zerschneiden eines Wafers entlang einer Vielzahl von Sollschnittlinien, wobei der Wafer auf eine Vorderseite einer Folie aufgeklebt ist und die Vielzahl der Sollschnittlinien gitterförmig auf einer Fläche des Wafers gebildet ist, der auf die Vorderseite der Folie aufgeklebt ist, wobei die Wafer-Schneidevorrichtung folgendes umfasst:
eine erste und eine zweite Auflagefläche, die mit einer Rückseite der Folie in Gleitkontakt stehen, um so den Wafer durch die Folie zu halten, wobei sich die erste und die zweite Auflagefläche in Form eines V berühren; und
einen Einlass zur Vakuumansaugung, der an einer Grenze zwischen der ersten und der zweiten Auflagefläche gebildet ist, wobei durch diesen Einlass eine Vakuumansaugung erfolgt, wodurch der Wafer durch die Folie mittels Vakuum lokal angesaugt wird.In order to achieve the above object, the apparatus of the present invention is a wafer cutting apparatus for slicing a wafer along a plurality of target cutting lines, the wafer being adhered to a front surface of a film, and the plurality of target cutting lines formed in a lattice shape on a surface of the wafer. adhered to the front side of the film, the wafer cutting device comprising:
a first and a second support surface which are in sliding contact with a back side of the film so as to hold the wafer through the film, the first and second support surfaces being in the form of a V; and
a vacuum suction inlet formed at a boundary between the first and second support surfaces, through which inlet a vacuum suction takes place, whereby the wafer is sucked locally by the film by means of vacuum.

Die Wafer-Schneidevorrichtung kann eine Ansaugstation sein, die sich relativ zum Wafer und zur Folie bewegt. Die erste und die zweite Auflagefläche der Schneidevorrichtung, die sich in Form eines V gegenseitig berühren, kreuzen sich in einem stumpfen Winkel von beinahe 180°. Diese Auflageflächen können sowohl geneigte Flächen sein als auch eine davon horizontal und die andere geneigt sein. Wenn die Folie des Wafers auf der ersten Auflagefläche angeordnet worden ist und zur zweiten Auflagefläche gleitet, kann durch die Einlässe zur Vakuumansaugung eine Vakuumansaugung an der Grenze zwischen diesen Auflageflächen erfolgen, um so den Wafer durch die Folie mittels Vakuum lokal ansaugen zu können, wodurch eine lokale Biegespannung erzeugt wird. Wenn eine Sollschnittlinie des Wafers der vorgenannten Biegespannung ausgesetzt ist, wird diese Sollschnittlinie zerschnitten.The Wafer cutting device may be a suction station, which moved relative to the wafer and to the film. The first and the second bearing surface of the cutting device, which contact each other in the form of a V cross at an obtuse angle of nearly 180 °. These bearing surfaces can both inclined surfaces be one as well as one horizontally and the other inclined. If the film of the wafer has been placed on the first support surface and to the second bearing surface slides, can through the inlets for vacuum aspiration a vacuum suction at the border between these bearing surfaces take place so as to locally suck the wafer through the film by means of vacuum to be able to whereby a local bending stress is generated. If a target cutting line the wafer is exposed to the aforementioned bending stress, this is Cut target line.

Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren wird die Sollschnittlinie des Wafers zerschnitten, indem sie durch die Folie mittels Vakuum lokal angesaugt wird, um die Sollschnittlinie so einer starken Biegespannung auszusetzen. Somit kann, wenn die Sollschnittlinie ein mittels Laserschneiden innerhalb des Wafers gebildeter modifizierter Bereich ist oder selbst dann, wenn sich die Sollschnittlinie im Zentrum des Wafers befindet, das Schneiden gewährleistet werden, wodurch die Zerschneidbarkeit des Wafers verbessert wird. Ferner wird es durch diese Verbesserung der Zerschneidbarkeit des Wafers erleichtert, die Sollschnittlinie als einen modifizierten Bereich mittels Laser schneiden zu bilden, um so eine große Anzahl von Chips bilden zu können, die eine geringe Größe von 0,3 mm2 oder 0,25 mm2 im einzelnen Wafer aufweisen. Darüber hinaus wird das Zerteilen des Wafers in derart kleine Chips durch die Erhöhung der Ausbeute an kleinen Chips stärker gewährleistet, wodurch sich ein praktischer Wert ergibt.According to the method of the invention, the target cut line of the wafer is cut by sucking it locally through the film by vacuum so as to expose the target cut line to such a strong bending stress. Thus, if the target cutting line is a modified region formed by laser cutting within the wafer or even if the target cutting line is in the center of the wafer, the cutting can be ensured, thereby improving the drossability of the wafer. Further, by this improvement of the chopability of the wafer, it is facilitated to form the target cut line as a modified area by laser cutting so as to be capable of forming a large number of chips having a small size of 0.3 mm 2 or 0.25 mm 2 have individual wafers. Moreover, dividing the wafer into such small chips is more ensured by increasing the yield of small chips, thereby providing a practical value.

Gemäß der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann ein einfacher Aufbau dort erzielt werden, wo die Auflagefläche zum Halten der Folie des Wafers Einlässe zur Vakuumansaugung aufweist, durch die die Vakuumansaugung der Folie lokal erfolgt. Dieser einfache Aufbau macht eine Wafer-Schneidevorrichtung klein und kostengünstig. Ferner kann eine derart einfache und kleine Wafer-Schneidevorrichtung leicht in einen Expansionsmechanismus in einem gegenwärtigen Die-Bonder integriert werden, wobei sich ein hoher praktischer Wert vorteilhaft auf die gegenwärtigen Die-Bonder in Bezug auf Geräteinvestitionen auswirkt.According to the device according to the invention can a simple structure can be achieved where the bearing surface for Keep the foil of the wafer inlets zum Vakuumansaugung, through which the vacuum suction of the Foil done locally. This simple construction makes a wafer cutting apparatus small and cost-effective. Furthermore, such a simple and small wafer cutting device easily into an expansion mechanism in a current die bonder be integrated, with a high practical value advantageous to the present The bonder affects equipment investment.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENSHORT DESCRIPTION THE DRAWINGS

1 ist eine Draufsicht auf einen Wafer und eine Vorrichtung zur Erläuterung eines ersten Verfahrens und einer ersten Vorrichtung zum Zerschneiden von Wafern gemäß der vorliegenden Erfindung. 1 FIG. 12 is a plan view of a wafer and an apparatus for explaining a first method and a first apparatus for dicing wafers according to the present invention. FIG.

2(A) und 2(B) sind vergrößerte Querschnittsansichten bei jedem Arbeitsvorgang der in 1 gezeigten Wafer-Schneidevorrichtung. 2 (A) and 2 B) are enlarged cross-sectional views at each operation of in 1 shown wafer cutting device.

3 ist eine perspektivische Ansicht der Wafer-Schneidevorrichtung von 1. 3 FIG. 15 is a perspective view of the wafer cutting apparatus of FIG 1 ,

4 ist eine Querschnittsansicht eines Wafers und einer Vorrichtung in Betrieb zur Erläuterung eines Verfahrens und einer Vorrichtung zum Zerschneiden von Wafern. 4 FIG. 12 is a cross-sectional view of a wafer and apparatus in operation for explaining a method and apparatus for dicing wafers. FIG.

5 ist eine perspektivische Teilansicht der Wafer-Schneidevorrichtung von 4. 5 is a partial perspective view of the wafer cutting device of 4 ,

6 ist eine Querschnittsansicht eines Wafers und einer Vorrichtung in Betrieb zur Erläuterung eines dritten Verfahrens und einer Vorrichtung zum Zerschneiden von Wafern. 6 is a cross-sectional view of a Wa and a device in operation for explaining a third method and an apparatus for cutting wafers.

7 ist eine Querschnittsansicht eines Wafers und einer Vorrichtung in Betrieb zur Erläuterung eines vierten Verfahrens und einer Vorrichtung zum Zerschneiden von Wafern. 7 FIG. 12 is a cross-sectional view of a wafer and apparatus operating to explain a fourth method and apparatus for dicing wafers. FIG.

8 ist eine Querschnittsansicht eines Wafers und einer Vorrichtung in Betrieb zur Erläuterung eines fünften Verfahrens und einer Vorrichtung zum Zerschneiden von Wafern. 8th FIG. 10 is a cross-sectional view of a wafer and apparatus operating to explain a fifth method and apparatus for dicing wafers. FIG.

9 ist eine Teilquerschnittsansicht der Wafer-Schneidevorrichtung von 8. 9 FIG. 10 is a partial cross-sectional view of the wafer cutting apparatus of FIG 8th ,

10 ist eine auseinandergezogene Darstellung des Wafers und der Folie von 8. 10 is an exploded view of the wafer and the film of 8th ,

11(A) und 11(B) sind Querschnittsansichten in jedem Arbeitsvorgang zur Erläuterung des Wafer-Schneideverfahrens, wobei ein Expansionsmechanismus eines Die-Bonders verwendet wird. 11 (A) and 11 (B) FIG. 15 are cross-sectional views in each operation for explaining the wafer cutting method using an expansion mechanism of a die bonder. FIG.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMENDESCRIPTION THE PREFERRED EMBODIMENTS

Im Folgenden werden erfindungsgemäße Ausführungsformen mit Bezug auf die 1 bis 10 beschrieben.Hereinafter, embodiments of the invention with reference to the 1 to 10 described.

Ein erstes Verfahren und eine Vorrichtung zum Zerschneiden von Wafern wird anhand von 1 bis 3 beschrieben. 1 ist eine Draufsicht auf den Umriss eines Wafer-Ringteils 6 und eine Wafer-Schneidevorrichtung 10, die in einem Expansionsmechanismus eines Die-Bonders verwendet wird. Das Wafer-Ringteil 6 ist das gleiche wie das in 11 dargestellte. Die Rückseite eines Halteringes 4 ist mittels Kleber an den Rän dern einer Streckfolie 3 fixiert und die Rückseite eines Wafers 1 ist im Zentrum der Fläche der Folie 3 aufgeklebt. Die Vorderseite des Wafers 1 weist gitterartig angeordnete Sollschnittlinien 2 auf. Der Wafer 1 wird entlang sämtlicher Schnittlinien 2 in eine große Anzahl rechteckiger Chips zerschnitten.A first method and apparatus for dicing wafers is described with reference to FIG 1 to 3 described. 1 is a plan view of the outline of a wafer ring part 6 and a wafer cutting device 10 used in an expansion mechanism of a die bonder. The wafer ring part 6 is the same as the one in 11 shown. The back of a retaining ring 4 is by means of adhesive to the Rän countries a stretch film 3 fixed and the back of a wafer 1 is in the center of the surface of the film 3 glued. The front of the wafer 1 has lattice-like arranged cut lines 2 on. The wafer 1 becomes along all cutting lines 2 cut into a large number of rectangular chips.

Die Sollschnittlinien 2 des Wafers 1 sind modifizierte Bereiche, die durch das Laser-Trennverfahren auf der Vorderseite des Wafers 1 gebildet worden sind. Die gitterförmig angeordneten Sollschnittlinien 2 bestehen aus einer Vielzahl von Längslinien 2a und einer Vielzahl von Querlinien 2b. Da der Wafer 1 fast rund ist, unterscheiden sich die Sollschnittlinien 2 in der Länge voneinander. Das Wafer-Ringteil 6 ist horizontal in einen nicht dargestellten Expansionsmechanismus integriert, und die Folie 3 verläuft 360° um den Wafer 1 herum. Die Wafer-Schneidevorrichtung 10 ist so an der Unterseite der Folie 3 angeordnet, dass sie in horizontaler Richtung zur Folie 3 relativ bewegbar ist.The target cutting lines 2 of the wafer 1 are modified areas created by the laser separation process on the front of the wafer 1 have been formed. The lattice-shaped target cutting lines 2 consist of a variety of longitudinal lines 2a and a variety of cross lines 2 B , Because the wafer 1 almost round, the nominal cutting lines differ 2 in the length of each other. The wafer ring part 6 is horizontally integrated into an expansion mechanism, not shown, and the film 3 runs 360 ° around the wafer 1 around. The wafer cutting device 10 is so at the bottom of the slide 3 arranged them horizontally to the foil 3 is relatively movable.

Die Wafer-Schneidevorrichtung 10 ist ein flacher, rechteckiger Block aus einem harten Material und etwas länger als die längste der Sollschnittlinien 2 des Wafers 1. Eine vergrößerte Querschnittsansicht der Wafer-Schneidevorrichtung 10 ist in 2(A) dargestellt. Die Wafer-Schneidevorrichtung 10 weist als Oberfläche eine Auflagefläche 11 auf. Die Auflagefläche 11 steht in Gleitkontakt mit der Unterfläche der horizontalen Folie 3 auf dem in 1 dargestellten Wafer-Ringteil 6, um den Wafer 1 durch die Folie 3 zu halten. Die Auflagefläche 11 umfasst einen oberen Auflageflächebereich 11a und einen unteren Auflageflächenbereich 11b, deren Level sich um ungefähr die Dicke des Wafers 1 voneinander unterscheidet, wodurch eine beinahe senkrechte Stufe 11c zwischen dem oberen und dem unteren Auflageflächenbereich 11a und 11b gebildet wird. An der Grenze zwischen dem oberen Auflageflächenbereich 11a und der Stufe 11c ist ein oberes Teil 12a der Stufe gebildet, dessen Rand ein lineares Schiebeelement 12 ist. Der Rand des linearen oberen Teils 12a der Auflage ist länger als die längste aus der Vielzahl von Sollschnittlinien 2. Andererseits ist an der Grenze zwischen der Stufe 11c und dem unteren Auflageflächenbereich 11b ein unterer Teil der Stufe gebildet. Im unteren Auflageflächenbereich 11b des unteren Teils der Stufe befinden sich Einlässe 13 zur Vakuumansaugung. Diese Einlässe 13 zur Vakuumansaugung verlaufen durch die Wafer-Schneidevorrichtung 10 und sind an ein externes System 14 zur Vakuumansaugung angeschlossen.The wafer cutting device 10 is a flat, rectangular block made of a hard material and slightly longer than the longest of the nominal cutting lines 2 of the wafer 1 , An enlarged cross-sectional view of the wafer cutting device 10 is in 2 (A) shown. The wafer cutting device 10 has a surface as a surface 11 on. The bearing surface 11 is in sliding contact with the lower surface of the horizontal foil 3 on the in 1 illustrated wafer ring part 6 to the wafer 1 through the foil 3 to keep. The bearing surface 11 includes an upper deck area 11a and a lower bearing surface area 11b whose level is about the thickness of the wafer 1 different from each other, creating a nearly vertical step 11c between the upper and lower bearing surface area 11a and 11b is formed. At the border between the upper bearing surface area 11a and the stage 11c is an upper part 12a formed the step whose edge is a linear sliding element 12 is. The edge of the linear upper part 12a the overlay is longer than the longest of the multitude of target cut lines 2 , On the other hand, at the border between the stage 11c and the lower bearing surface area 11b a lower part of the step formed. In the lower contact surface area 11b the lower part of the step has inlets 13 for vacuum suction. These inlets 13 for vacuum suction pass through the wafer cutting device 10 and are connected to an external system 14 connected to the vacuum suction.

Die gesamte Auflagefläche 11 der Wafer-Schneidevorrichtung 10 gerät mit der Unterseite der horizontalen Folie 3 in Kontakt. Wenn die Folie 3, auf die der Wafer 1 aufgeklebt ist, mit dem oberen Auflageflächenbereich 11a der Auflagefläche 11 in Kontakt gerät, wird zwischen dem unteren Teil der Stufe fast im Zentrum der Auflagefläche 11 und der Folie 3 ein Spalt „g" gebildet. Der Spalt „g" ist durch die Einlässe 13 zur Vakuumansaugung mittels Vakuum angesaugt worden, so dass die Folie 3 auch mit dem unteren Auflageflächenbereich 11b in Kontakt gerät. Die im Zentrum der Auflagefläche 11 gebildeten Einlässe 13 zur Vakuumansaugung sind rechteckige oder halbrunde Öffnungen und an vielen Stellen entlang der Stufe 11c gebildet, wie in 3 dargestellt. Die Öffnungen an beiden Enden des unteren Teils der Stufe an der Grenze zwischen der Stufe 11c und dem unteren Auflageflächenbereich 11b sind mit Dichtelementen 11d verstopft, die fast dreieckig sind. Somit sind die Öffnungen an beiden Enden des Spalts „g", der gebildet wird, wenn die Folie 3 in der gesamten Auflagefläche 11 mittels Vakuum angesaugt wird, durch die Dichtelemente 11d verstopft, wodurch eine Minderung der Vakuumansaugung im Spalt „g" verhindert wird.The entire contact surface 11 the wafer cutting device 10 device with the underside of the horizontal foil 3 in contact. If the slide 3 to which the wafer 1 is glued, with the upper bearing surface area 11a the bearing surface 11 In contact, between the lower part of the stage is almost in the center of the bearing surface 11 and the foil 3 a gap "g" is formed. The gap "g" is through the inlets 13 sucked for vacuum suction by means of vacuum, so that the film 3 also with the lower contact surface area 11b in contact. The in the center of the bearing surface 11 formed inlets 13 for vacuum suction are rectangular or semicircular openings and in many places along the step 11c formed as in 3 shown. The openings at both ends of the lower part of the step at the boundary between the step 11c and the lower bearing surface area 11b are with sealing elements 11d clogged, which are almost triangular. Thus, the openings at both ends of the gap are "g" which is formed when the film 3 in the entire contact surface 11 is sucked in by vacuum, through the sealing elements 11d clogged, causing a reduction in vacuum suction in the Gap "g" is prevented.

Im Folgenden wird der Vorgang des Zerschneidens bzw. Zersägens des Wafers 1 durch die Wafer-Schneidevorrichtung 10 beschrieben. Wie in 2(A) dargestellt, gerät die Auflagefläche 11 so mit der Unterseite der gedehnten horizontalen Folie 3 in Kontakt, dass der Rand des linearen oberen Teils 12a der Stufe der Wafer-Schneidevorrichtung 10 mit den Längs-Schnittlinien 2a des Wafers 1 parallel verlaufen kann. Während durch die Einlässe 13 der Auflagefläche 11 eine Vakuumansaugung erfolgt, wird die gesamte Vorrichtung horizontal nach links gemäß 2 bewegt. Die Wafer-Schneidevorrichtung 10 gleitet unter die Unterseite der Folie 3, wobei die Folie 3 lokal mittels Vakuum auf die Auflagefläche 11 angesaugt worden ist. Wenn das Ende des Wafers 1 direkt über den Einlässen 13 zur Vakuumansaugung ankommt, beginnt die Vakuumansaugung des Waferendes. Wenn die Wafer-Schneidevorrichtung 10 weiter bewegt wird, wie in 2(B) gezeigt, und die erste Sollschnittlinie 2 vom Waferende direkt über dem Rand des linearen oberen Teils 12a der Stufe ankommt, wird eine starke Biegespannung auf die erste Längsschnittlinie 2 ausgeübt. Diese Biegespannung schneidet den Wafer 1 entlang der ersten Sollschnittlinie 2. Das wie in 2(B) dargestellt geschnittene Waferende 1'' bleibt auf der Folie 3 kleben und wird sicher vom ursprünglichen Wafer 1 getrennt, während es gleichzeitig durch die Dehnung der Folie 3 abgetrennt wird. Genauer gesagt: diese Solllängsschnittlinie 2a wird zerschnitten, indem sie erstens einer Zugspannung aufgrund der Dehnung der Folie 3 und zweitens der Biegespannung aufgrund der Vakuumansaugung und letztendlich der Biegespannung aufgrund des Hochschieben des Randes des oberen Teils 12a der Stufe ausgesetzt wird. Diese Sequenz gewährleistet ein sicheres Schneiden kleiner Chips.The following is the process of cutting or sawing the wafer 1 through the wafer cutting device 10 described. As in 2 (A) shown, the support surface gets 11 so with the bottom of the stretched horizontal slide 3 in contact that the edge of the linear upper part 12a the stage of the wafer cutting device 10 with the longitudinal cutting lines 2a of the wafer 1 can run parallel. While through the inlets 13 the bearing surface 11 a vacuum suction takes place, the entire device is moved horizontally to the left according to 2 emotional. The wafer cutting device 10 slides under the bottom of the film 3 , where the film 3 locally by vacuum on the support surface 11 has been sucked. If the end of the wafer 1 directly above the inlets 13 For vacuum suction arrives, the vacuum suction of the wafer end begins. When the wafer cutting device 10 is moved further, as in 2 B) shown, and the first target cutting line 2 from the wafer end directly above the edge of the linear upper part 12a the stage arrives, a strong bending stress on the first longitudinal section line 2 exercised. This bending stress cuts the wafer 1 along the first target cutting line 2 , That as in 2 B) illustrated cut wafer end 1'' stays on the slide 3 Stick and be safe from the original wafer 1 separated, while at the same time by the stretching of the film 3 is separated. More precisely: this nominal longitudinal section line 2a is cut by, firstly, a tensile stress due to the stretching of the film 3 and secondly, the bending stress due to the vacuum suction and finally the bending stress due to the pushing up of the edge of the upper part 12a is exposed to the stage. This sequence ensures safe cutting of small chips.

Unter den in 2(B) dargestellten Bedingungen wird die Wafer-Schneidevor-richtung 10 horizontal zur Folie 3 bewegt, um die Vielzahl der Sollschnittlinien in Längsrichtung 2a nacheinander zu zerschneiden. Nachdem sämtliche Längsschnittlinien 2a zerschnitten worden sind, wird die Wafer-Schneidevorrichtung 10 mit der Folie 3 um 90° in horizontaler Richtung gedreht, da auf diese Weise der Rand des linearen oberen Teils 12a der Stufe parallel zu den Sollschnittlinien in Querrichtung 2b verläuft. Dann wird die Wafer-Schneidevorrichtung 10 auf vorstehend genannte Weise horizontal in Querrichtung zur Folie 3 bewegt. Durch diese horizontale Bewegung wird die Vielzahl der Querschnittlinien 2b des Wafers 1 nacheinander zerschnitten, wodurch der Wafer 1 schließlich in eine große Anzahl rechteckiger Chips zerschnitten wird.Among the in 2 B) The conditions shown will be the wafer cutter 10 horizontal to the slide 3 moves to the plurality of target cutting lines in the longitudinal direction 2a to cut one after the other. After all longitudinal cutting lines 2a become the wafer cutting device 10 with the foil 3 rotated by 90 ° in the horizontal direction, as in this way the edge of the linear upper part 12a the step parallel to the desired cutting lines in the transverse direction 2 B runs. Then the wafer cutter becomes 10 in the above-mentioned manner horizontally in the transverse direction to the film 3 emotional. By this horizontal movement, the plurality of cross-sectional lines 2 B of the wafer 1 sliced one after the other, causing the wafer 1 finally cut into a large number of rectangular chips.

Ein zweites Verfahren und eine Vorrichtung zum Zerschneiden von Wafern wird im Folgenden mit Bezug auf die 4 und 5 beschrieben. Die Wafer-Schneidevorrichtung 10, deren Querschnitt in 4 gezeigt ist, umfasst als Schiebeelement 12 ein vorstehendes Element 12b, das im Zentrum der flachen Auflagefläche 11 so gebildet ist, dass es von der Auflagefläche 11 wegragt. Das vorstehende Element 12b ist ein oberer Endrand eines keilförmigen Druckelements 12'b, das an seinen beiden Seiten Einlässe 13, 13 zur Vakuumansaugung aufweist. Die Folie 3 des Wafers 1 gleitet über die flache Auflagefläche 11. Im Zentrum der Auflagefläche 11 ragt das längliche vorstehende E lement 12b um die Dicke des Wafers von der Auflagefläche 11 hoch. Das längliche vorstehende Element 12b ist etwas länger als die längste der Sollschnittlinien 2 des Wafers 1. Die Folie 3 des Wafers 1 befindet sich auf der Auflagefläche 11, und dann wird die Folie 3 durch die Einlässe 13,13 mittels Vakuumansaugung auf die Auflagefläche 11 aufgenommen. Dadurch schiebt das vorstehende Element 12b die Folie 3 lokal nach oben, um Spalten „g" zwischen der Auflagefläche 11 und sich selbst zu bilden. Damit beide Enden der Spalten „g" verstopft werden können, sind an beiden Enden des Druckelement 12'b Dichtungselemente 11e gebildet, wie in 5 gezeigt, wodurch eine Minderung der Vakuumansaugung in den Spalten „g" vermieden wird.A second method and apparatus for dicing wafers will be described below with reference to FIGS 4 and 5 described. The wafer cutting device 10 whose cross-section is in 4 is shown comprises as a sliding element 12 a protruding element 12b in the center of the flat bearing surface 11 is formed so that it is from the bearing surface 11 projecting. The above element 12b is an upper end edge of a wedge-shaped pressure element 12'b , which has inlets on both sides 13 . 13 for vacuum suction has. The foil 3 of the wafer 1 slides over the flat support surface 11 , In the center of the support surface 11 juts out the elongated protruding element 12b by the thickness of the wafer from the support surface 11 high. The elongated protruding element 12b is slightly longer than the longest of the target cutting lines 2 of the wafer 1 , The foil 3 of the wafer 1 is located on the support surface 11 , and then the film 3 through the inlets 13 . 13 by vacuum suction on the support surface 11 added. This will push the protruding element 12b the foil 3 Locally up to columns "G" between the bearing surface 11 and to form oneself. So that both ends of the columns "g" can be clogged, are at both ends of the pressure element 12'b sealing elements 11e formed as in 5 shown, whereby a reduction of the vacuum suction in the columns "g" is avoided.

Wie in 4 dargestellt, ist die Folie 3 des Wafers 1 auf der Auflagefläche 11 angeordnet, und gleichzeitig erfolgt eine Vakuumansaugung durch die Einlässe 13, 13, die sowohl an der Vorder- als auch an der Rückseite des Druckelements 12'b vorgesehen sind. Danach gleitet die Auflagefläche 11 unter die Folie 3, um die Wafer-Schneidevorrichtung 10 horizontal zu bewegen, bis das längliche vorstehende Element 12b direkt unter einer Längs- oder einer Querschnittlinie 2 ankommt. Sobald das längliche vorstehende Element 12b direkt unter einer Sollschnittlinie 2 ankommt, werden die Bereiche der Folie 3, die sich auf beiden Seiten des vorstehenden Elements 12b befinden, mittels Vakuum nach unten angesaugt. Daraus folgt, dass eine starke Biegespannung auf diese Sollschnittlinie 2 auf der Waferoberfläche ausgeübt wird, so dass die Schnittlinie 2 zerschnitten werden kann. Diese Abtrennung erfolgt, indem das vorstehende Element 12b den Wafer 1 lokal von unten in die Form eines umgekehrten V schiebt, so dass mehr Druck auf den Wafer 1 ausgeübt werden kann, als bei der in 2 gezeigten Vorrichtung. Dadurch kann tatsächlich eine Zerteilung in kleinere Chips gewährleistet werden (von einer geringen Größe von 0,25 mm2).As in 4 shown, is the film 3 of the wafer 1 on the support surface 11 arranged, and at the same time there is a Vakuumansaugung through the inlets 13 . 13 , which are on both the front and the back of the printing element 12'b are provided. Then the support surface slides 11 under the film 3 to the wafer cutting device 10 move horizontally until the elongated protruding element 12b directly under a longitudinal or a cross-section line 2 arrives. Once the elongated protruding element 12b directly below a target cutting line 2 arrives, the areas of the film 3 that are on both sides of the protruding element 12b are sucked down by means of vacuum. It follows that a strong bending stress on this Sollschnittlinie 2 is exerted on the wafer surface, leaving the cutting line 2 can be cut. This separation is done by the above element 12b the wafer 1 locally pushes from below into the shape of an inverted V, leaving more pressure on the wafer 1 can be exercised than at the 2 shown device. This can actually ensure a division into smaller chips (of a small size of 0.25 mm 2 ).

Ein drittes Verfahren und eine Vorrichtung zum Zerschneiden von Wafern wird im Folgenden mit Bezug auf 6 beschrieben. Bei dem in 6 dargestellten Wafer 1 ist eine weitere Streckfolie 3' auf seiner Vorderseite aufgeklebt. Die Wafer-Schneidevorrichtung 10 von 6 ist mit derjenigen von 2 identisch. Die Folie 3' an der Vorderseite des Wafers 1 ist eine Abdeckfolie und wird nach der Bildung der Soll schnittlinien 2 auf die Vorderseite des Wafers 1 aufgeklebt. Die Folie 3 an der Rückseite des Wafers 1 wird über die Auflagefläche 11 der Wafer-Schneidevorrichtung 10 geschoben und es erfolgt eine Vakuumansaugung durch die Einlässe 13. Genau wie in 2 wird, sobald eine Sollschnittlinie 2 des Wafers 1 direkt über dem Schiebeelement 12 ankommt, eine starke Biegespannung auf diese Sollschnittlinie 2 ausgeübt, so dass diese dann zerschnitten wird. Sobald die Sollschnittlinie 2 auf diese Weise abgetrennt worden ist, drückt die Abdeckfolie 3' den Wafer 1 und den abgeschnittenen Chip von der Vorderseite, um dadurch ein Entfernen des Chips von der Folie 3 zu verhindern. Darüber hinaus ermöglicht es die vorherige Dehnung der Folie 3 an der Rückseite und der Abdeckfolie 3', dass die Zugspannung von der Abdeckfolie 3' auf die Waferoberfläche ausgeübt wird, wodurch das Zerschneiden der Sollschnittlinien gewährleistet und stabilisiert wird. Dieser Effekt der Abdeckfolie 3' wird wirkungsvoller, da der Wafer in kleinere Chips zerteilt wird, wodurch die Chip-Miniaturisierung erleichtert wird.A third method and apparatus for dicing wafers will be described below with reference to FIG 6 described. At the in 6 represented wafers 1 is another stretch film 3 ' glued on its front. The wafer cutting device 10 from 6 is with that of 2 identical. The foil 3 ' at the front of the wafer 1 is a masking foil and will after the formation of the Shall cut lines 2 on the front of the wafer 1 glued. The foil 3 at the back of the wafer 1 is over the support surface 11 the wafer cutting device 10 pushed and there is a Vakuumansaugung through the inlets 13 , Just like in 2 becomes, as soon as a Sollschnittlinie 2 of the wafer 1 directly above the sliding element 12 arrives, a strong bending stress on this Sollschnittlinie 2 exercised so that it is then cut. Once the target cutting line 2 has been separated in this way, presses the cover 3 ' the wafer 1 and the cut chip from the front side, thereby removing the chip from the film 3 to prevent. In addition, it allows the previous stretching of the film 3 on the back and the cover 3 ' that the tension of the cover 3 ' is applied to the wafer surface, whereby the cutting of the target cutting lines is ensured and stabilized. This effect of the cover film 3 ' becomes more effective as the wafer is divided into smaller chips, thereby facilitating chip miniaturization.

Ein viertes Verfahren und eine Vorrichtung zum Zerschneiden von Wafern wird im Folgenden anhand von 7 beschrieben. Bei dem in 7 dargestellten Wafer 1 sind, wie bei dem in 6 dargestellten Wafer 1, die Folien 3 und 3' jeweils an dessen Vorder- und Rückseite aufgeklebt. Die in 7 dargestellte Wafer-Schneidevorrichtung 10 ist mit der in 4 dargestellten identisch, und das keilförmige Druckelement 12'b von 4 ist als Schiebeelement 12 durch eine Walze 12c ersetzt worden. An beiden Seiten der Walze 12c befinden sich Einlässe 13, 13 zur Vakuumansaugung. Die Walze 12c ragt von der Auflagefläche 11 um etwa die Dicke des Wafers 1 weg. Wenn die Wafer-Schneidevorrichtung 10 horizontal bewegt wird, wobei die wegragende Außenfläche mit der Folie 3 in Kontakt steht, beginnt die Walze 12c sich zu drehen.A fourth method and apparatus for dicing wafers will be described below with reference to FIG 7 described. At the in 7 represented wafers 1 are, like the one in 6 represented wafers 1 , the slides 3 and 3 ' glued to each of its front and back. In the 7 illustrated wafer cutting device 10 is with the in 4 shown identical, and the wedge-shaped pressure element 12'b from 4 is as a sliding element 12 through a roller 12c been replaced. On both sides of the roller 12c there are inlets 13 . 13 for vacuum suction. The roller 12c protrudes from the support surface 11 about the thickness of the wafer 1 path. When the wafer cutting device 10 is moved horizontally, with the protruding outer surface with the film 3 is in contact, the roller begins 12c to turn.

Bei der in 7 dargestellten Vorrichtung steht die Folie 3 an der Rückseite des Wafers 1 in Kontakt mit der Auflagefläche 11 und gleichzeitig erfolgt eine Vakuumansaugung durch die Einlässe 13, 13, die sowohl an der Vorder- als auch an der Rückseite der Walze 12c gebildet sind. In diesem Zustand wird die Wafer-Schneidevorrichtung 10 horizontal bewegt, während die Auflagefläche 11 unter die Folie 3 geschoben wird. Diese horizontale Bewegung ermöglicht eine Drehung der linearen Walze 12c aufgrund des Kontaktwiderstandes mit der Folie 3, wodurch sich die lineare Walze 12c unter die Unterseite der Folie 3 bewegt. Dadurch wird die Bewegung der Wafer-Schneidevorrichtung 10 glatter. Die Walze 12c wird nacheinander direkt unter die längs bzw. quer verlaufenden Sollschnittlinien 2 des Wafers 1 bewegt. Sobald die Walze 12c direkt unter einer Schnittlinie 2 ankommt, werden die Bereiche der Folie 3, die sich an beiden Seiten der Walze 12c befinden, mittels Vakuum nach unten angesaugt. Folglich wird eine starke Biegespannung auf diese Sollschnittlinie 2 auf der Waferoberfläche ausgeübt, wodurch die Sollschnittlinie 2 abgetrennt wird. Ähnlich wie bei der Vorrichtung von 4, erfolgt diese Abtrennung ebenfalls dadurch, dass die Walze 12c den Wafer 1 lokal von unten in die Form eines umgekehrten V hochschiebt, so dass mehr Druck auf den Wafer 1 ausgeübt werden kann, als bei der in 2 dargestellten Vorrichtung. Darüber hinaus bewegt sich die Walze 12c, die den Wafer 1 mit der darauf befindlichen Folie 3' lokal in Form eines umgekehrten V hochschiebt, unter die Unterseite der Folie 3 an der Rückseite des Wafers 1, während sie selbst sich dreht. Dadurch können Schäden an der Folie 3 vermieden werden.At the in 7 The device is shown the film 3 at the back of the wafer 1 in contact with the support surface 11 and at the same time there is a Vakuumansaugung through the inlets 13 . 13 at both the front and the back of the roller 12c are formed. In this state, the wafer cutting device becomes 10 moved horizontally while the bearing surface 11 under the film 3 is pushed. This horizontal movement allows rotation of the linear roller 12c due to contact resistance with the foil 3 , which causes the linear roller 12c under the bottom of the film 3 emotional. This will cause the movement of the wafer cutter 10 smoother. The roller 12c is successively directly below the longitudinal or transverse nominal cutting lines 2 of the wafer 1 emotional. Once the roller 12c directly under a cutting line 2 arrives, the areas of the film 3 , which are on both sides of the roller 12c are sucked down by means of vacuum. Consequently, a strong bending stress on this target cutting line 2 exerted on the wafer surface, whereby the target cutting line 2 is separated. Similar to the device of 4 , this separation also takes place in that the roller 12c the wafer 1 locally pushed from below into the shape of an inverted V, leaving more pressure on the wafer 1 can be exercised than at the 2 illustrated device. In addition, the roller moves 12c that the wafer 1 with the film on it 3 ' locally in the form of an inverted V, under the bottom of the film 3 at the back of the wafer 1 while she turns herself. This can damage the film 3 be avoided.

Ein fünftes Verfahren und eine Vorrichtung zum Zerschneiden von Wafern wird im Folgenden anhand von 8 bis 10 beschrieben.A fifth method and apparatus for dicing wafers will be described below with reference to FIG 8th to 10 described.

Der in 8 dargestellte Wafer 1 weist gitterförmig angeordnete Sollschnittlinien 2 auf einer seiner Flächen auf, auf der die Folie 3 aufgeklebt ist. So werden beispielsweise die Sollschnittlinien 2 zunächst auf der Vorderseite des Wafers 1 gebildet, welche die Unterseite in 10 ist, und dann wird die Folie 3 auf die gleiche Vorderseite des Wafers 1 geklebt. Der Wafer 1 wird umgedreht, so dass sich die Folie 3 unten befindet, und die Folie 3 wird auf die Auflagefläche 11 gebracht, welche die Oberseite der in 9 dargestellten Wafer-Schneidevorrichtung 10 ist.The in 8th represented wafers 1 has lattice-shaped target cutting lines 2 on one of its faces, on which the slide 3 is glued on. For example, the target cutting lines 2 first on the front of the wafer 1 made the base in 10 is, and then the slide 3 on the same front of the wafer 1 glued. The wafer 1 is turned over, leaving the film 3 located below, and the slide 3 is on the support surface 11 brought the top of the in 9 represented wafer cutting device 10 is.

Die Auflagefläche 11 der in 9 dargestellten Wafer-Schneidevorrichtung 10 besteht aus einer ersten Auflagefläche 11p und einer zweiten Auflagefläche 11q. Die erste und die zweite Auflagefläche 11p und 11q sind nebeneinander in Form eines V ausgebildet und stehen in Gleitkontakt mit der Rückseite der Folie 3, um den Wafer 1 durch die Folie 3 halten zu können. An der Grenze zwischen der ersten und der zweiten Auflagefläche 11p und 11q sind Einlässe 13 zur Vakuumansaugung ausgebildet. Die erste und die zweite Auflagefläche 11p und 11q, die nebeneinander in Form eines V liegen, kreuzen sich in einem stumpfen Winkel von fast 180°. Die in 8 dargestellte erste und zweite Auflagefläche 11p und 11q weisen im Querschnitt die Form eines V in einem stumpfen Winkel von fast 180° auf. Das flache Tal zwischen den Seitenflächen der V-Form weist eine Vielzahl von linear ausgerichteten Einlässen 13 zur Vakuumansaugung auf. Das Tal ist etwas länger als die längste aus der Vielzahl von Sollschnittlinien 2.The bearing surface 11 the in 9 represented wafer cutting device 10 consists of a first bearing surface 11p and a second bearing surface 11q , The first and the second contact surface 11p and 11q are formed side by side in the form of a V and are in sliding contact with the back of the film 3 to the wafer 1 through the foil 3 to be able to hold. At the border between the first and the second support surface 11p and 11q are inlets 13 designed for vacuum suction. The first and the second contact surface 11p and 11q , which lie side by side in the form of a V, intersect at an obtuse angle of almost 180 °. In the 8th illustrated first and second bearing surface 11p and 11q have in cross section the shape of a V at an obtuse angle of almost 180 °. The shallow valley between the side surfaces of the V-shape has a plurality of linearly aligned inlets 13 for vacuum suction on. The valley is slightly longer than the longest of the multitude of target cutting lines 2 ,

Die Folie des Wafers wird auf die erste Auflagefläche 11p gebracht und relativ zur zweiten Auflagefläche 11q bewegt. Dann erfolgt über die Einlässe 13 eine Vakuumansaugung. Als Ergebnis dessen wird eine starke Biegespannung durch die Folie 3 auf den Wafer 1 ausgeübt. Sobald eine Sollschnittlinie 2 des Wafers 1 relativ bewegt wird, um die Einlässe 13 zur Vakuumansaugung erreichen zu können, wird diese Sollschnittlinie 2, die an der Unterseite des in 8 dargestellten Wafers 1 gebildet ist, nach unten gebogen und einer Biegespannung ausgesetzt. Durch diese Biegespannung wird die Sollschnittlinie zerschnitten.The foil of the wafer is placed on the first bearing surface 11p brought and relative to the second bearing surface 11q emotional. Then via the inlets 13 a vacuum suction. As a result, a strong bending stress is caused by the film 3 on the wafer 1 exercised. Once a target cutting line 2 of the wafer 1 is relatively moved to the inlets 13 to achieve vacuum suction, this is Sollschnittlinie 2 at the bottom of the in 8th represented wafers 1 is formed, bent down and exposed to a bending stress. By this bending stress, the target cutting line is cut.

Selbstverständlich ist die vorliegende Erfindung nicht auf die vorstehenden Ausführungsformen begrenzt und kann auf verschiedene Weise innerhalb des Geistes und des Umfangs der vorliegenden Erfindung modifiziert werden.Of course it is the present invention is not limited to the above embodiments and can be different in spirit and scope modified according to the present invention.

Claims (10)

Verfahren zum Zerschneiden von Wafern entlang einer Sollschnittlinie, die auf dem Wafer gebildet ist, der auf eine Folie aufgeklebt ist, wobei das Wafer-Schneideverfahren folgenden Schritt umfasst: lokale Vakuumansaugung der Sollschnittlinie (2) durch die Folie (3), um so eine Biegespannung auf die Sollschnittlinie (2) auszuüben, wodurch die Sollschnittlinie (2) durch die Biegespannung zerschnitten wird.A method of dicing wafers along a target cut line formed on the wafer adhered to a foil, the wafer cutting method comprising the step of: local vacuum aspiration of the target cut line (FIG. 2 ) through the film ( 3 ) so as to apply a bending stress to the target cutting line (FIG. 2 ), whereby the nominal cutting line ( 2 ) is cut by the bending stress. Verfahren zum Zerschneiden von Wafern nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Sollschnittlinie (2) ein modifizierter Bereich ist, der durch Rissbildung im Innern des Wafers (1) mittels Laserschneiden erzeugt worden sind.Process for cutting wafers according to claim 1, characterized in that the nominal cutting line ( 2 ) is a modified region that is cracked inside the wafer ( 1 ) have been produced by means of laser cutting. Verfahren zum Zerschneiden von Wafern nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer (1) eine Vielzahl von gitterförmig sowohl in Längs- als auch in Querrichtung angeordneten Sollschnittlinien (2) umfasst, und dass, nachdem eine aus der Vielzahl von Sollschnittlinien in Längsrichtung (2a) und eine aus der Vielzahl von Sollschnittlinien in Querrichtung (2b) nacheinander zerschnitten worden ist, eine weitere aus der Vielzahl von Sollschnittlinien in Längsrichtung (2a) und aus der Vielzahl der Sollschnittlinien in Querrichtung (2b) nacheinander mittels Vakuum angesaugt wird.Process for cutting wafers according to claim 1 or 2, characterized in that the wafer ( 1 ) a plurality of lattice-shaped in both the longitudinal and in the transverse direction arranged Sollschnittlinien ( 2 ), and that after one of the plurality of target cutting lines in the longitudinal direction ( 2a ) and one of the plurality of desired cutting lines in the transverse direction ( 2 B ) has been cut one after another, another one of the plurality of target cutting lines in the longitudinal direction ( 2a ) and from the plurality of desired cutting lines in the transverse direction ( 2 B ) is sucked in successively by means of vacuum. Verfahren zum Zerschneiden von Wafern nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass eine aus der Vielzahl von Sollschnittlinien (2) mittels Vakuum angesaugt wird und ein Schiebeelement (12) die eine aus der Vielzahl von Sollschnittlinien (2) mittels Vakuumansaugung durch die Folie (3) schiebt.A method of slicing wafers according to claim 3, characterized in that one of the plurality of desired cutting lines ( 2 ) is sucked by vacuum and a sliding element ( 12 ) one of the plurality of target cutting lines ( 2 ) by vacuum suction through the film ( 3 ) pushes. Verfahren zum Zerschneiden von Wafern nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer (1) sowohl an seiner Vorder- als auch an seiner Rückseite eine aufgeklebte Folie (3) aufweist.Process for cutting wafers according to one of Claims 1 to 4, characterized in that the wafer ( 1 ) at both its front and on its back a glued foil ( 3 ) having. Vorrichtung zum Zerschneiden von Wafern entlang einer Vielzahl von Sollschnittlinien, wobei der Wafer auf eine Vorderseite einer Folie aufgeklebt ist und wobei die Vielzahl von Sollschnittlinien gitterförmig auf einer Fläche des Wafers gebildet sind, die gegenüber einer Fläche des Wafers liegt, der auf die Vorderseite der Folie geklebt ist, wobei die Wafer-Schneidevorrichtung folgendes umfasst: eine Auflagefläche (11), die mit einer Rückseite der Folie (3) in Gleitkontakt steht, um den Wafer (1) durch die Folie (3) zu halten; ein Schiebeelement 12), das linear auf der Auflagefläche (11) so geformt ist, dass es nicht kürzer ist als eine der längsten aus der Vielzahl von Sollschnittlinien (2) und einen Spalt (g) zwischen der Auflagefläche (11) und der Folie (3) bildet, wenn der Wafer (1) durch die Folie (3) auf der Auflagefläche (11) angeordnet ist; und einen Einlass (13) zur Vakuumansaugung, der so auf der Auflagefläche (11) gebildet ist, dass er sich neben dem Schiebeelement (12) befindet, wobei es der Einlass (13) zur Vakuumansaugung ermöglicht, den Spalt (g) mittels Vakuumansaugung zu evakuieren, wodurch der Wafer (1) durch die Folie (3) mittels Vakuum lokal angesaugt wird.An apparatus for slicing wafers along a plurality of target cutting lines, the wafer being adhered to a front surface of a film, and wherein the plurality of target cutting lines are formed in a lattice pattern on a surface of the wafer opposite to a surface of the wafer facing the front side of the film glued, wherein the wafer cutting device comprises: a support surface ( 11 ), with a back of the film ( 3 ) is in sliding contact with the wafer ( 1 ) through the film ( 3 ) to keep; a sliding element 12 ), which is linear on the support surface ( 11 ) is shaped so that it is not shorter than one of the longest of the plurality of target cutting lines ( 2 ) and a gap (g) between the support surface ( 11 ) and the film ( 3 ) forms when the wafer ( 1 ) through the film ( 3 ) on the support surface ( 11 ) is arranged; and an inlet ( 13 ) for vacuum suction, so on the support surface ( 11 ) is formed, that he next to the sliding element ( 12 ), whereby the inlet ( 13 ) for vacuum aspiration allows to evacuate the gap (g) by means of vacuum suction, whereby the wafer ( 1 ) through the film ( 3 ) is locally sucked by vacuum. Vorrichtung zum Zerschneiden von Wafern nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Auflagefläche (11) einen gestuften Teil umfasst, der aus einem oberen (12a) und einem unteren Teil der Stufe besteht, und dass das Schiebeelement (12) der obere Teil der Stufe ist.Device for cutting wafers according to claim 6, characterized in that the bearing surface ( 11 ) comprises a stepped part consisting of an upper ( 12a ) and a lower part of the step, and that the sliding element ( 12 ) is the upper part of the step. Vorrichtung zum Zerschneiden von Wafern nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Schiebeelement (12) ein vorstehendes Element ist, das teilweise von der Auflagefläche (11) wegragt.Device for cutting wafers according to claim 6, characterized in that the sliding element ( 12 ) is a projecting element that partially from the support surface ( 11 ). Vorrichtung zum Zerschneiden von Wafern nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das vorstehende Element an seinen beiden Seiten Einlässe (13) zur Vakuumansaugung aufweist.Device for cutting wafers according to claim 8, characterized in that the projecting element has inlets ( 13 ) for vacuum suction. Vorrichtung zum Zerschneiden von Wafern entlang einer Vielzahl von Sollschnittlinien, wobei der Wafer auf eine Vorderseite einer Folie aufgeklebt ist und wobei die Vielzahl von Sollschnittlinien gitterförmig auf einer Fläche des Wafers ausgebildet sind, der auf die Vorderseite der Folie geklebt ist, wobei die Wafer-Schneidevorrichtung folgendes umfasst: eine erste Auflagefläche (11p) und eine zweite Auflagefläche (11q), die mit einer Rückseite der Folie in Gleitkontakt stehen, um so den Wafer (1) durch die Folie (3) zu halten, wobei die erste und die zweite Auflagefläche (11p, 11q) nebeneinander in Form eines V angeordnet sind; und einen Einlass (13) zur Vakuumansaugung, der an einer Grenze zwischen der ersten Auflagefläche (11p) und der zweiten Auflagefläche (11q) gebildet ist, wobei der Einlass (13) eine Vakuumansaugung ermöglicht, wodurch eine Vakuumansaugung des Wafers (1) durch die Folie (3) lokal erfolgt.Apparatus for slicing wafers along a plurality of target cut lines, wherein the wafer is adhered to a front side of a film, and wherein the plurality of target cut lines are formed in a lattice pattern on a surface of the wafer adhered to the front side of the foil, the wafer cutting apparatus comprising: a first bearing surface ( 11p ) and a second bearing surface ( 11q ) which are in sliding contact with a back side of the film so as to seal the wafer ( 1 ) through the film ( 3 ), wherein the first and the second bearing surface ( 11p . 11q ) are arranged side by side in the form of a V; and an inlet ( 13 ) for vacuum suction, which at a boundary between the first bearing surface ( 11p ) and the second bearing surface ( 11q ), wherein the inlet ( 13 ) allows vacuum aspiration, whereby vacuum suction of the wafer ( 1 ) through the film ( 3 ) locally.
DE102006019709A 2005-06-10 2006-04-27 Wafer e.g. semiconductor wafer, cutting method for manufacturing semiconductor, involves local vacuum sucking of reference cutting lines through foil for exerting bending stress on lines, such that lines are cut by bending stress Withdrawn DE102006019709A1 (en)

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MY (1) MY147978A (en)
TW (1) TWI393180B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014098771A1 (en) * 2012-12-17 2014-06-26 Agency For Science, Technology And Research Wafer dicing apparatus and wafer dicing method

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9019498B2 (en) * 2009-11-20 2015-04-28 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Method for inspecting defects, inspected wafer or semiconductor device manufactured using the same, method for quality control of wafers or semiconductor devices and defect inspecting apparatus
JP5414486B2 (en) * 2009-12-01 2014-02-12 シチズン電子株式会社 Semiconductor manufacturing equipment
JP5546873B2 (en) * 2010-01-12 2014-07-09 キヤノンマシナリー株式会社 Semiconductor wafer dividing method and apparatus
CN102194652B (en) * 2010-03-11 2013-04-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Method for preventing warping of wafers and wafers therefrom
US8658436B2 (en) * 2010-04-19 2014-02-25 Tokyo Electron Limited Method for separating and transferring IC chips
JP6029334B2 (en) * 2012-06-07 2016-11-24 株式会社ディスコ Splitting device
US10090430B2 (en) 2014-05-27 2018-10-02 Sunpower Corporation System for manufacturing a shingled solar cell module
JP6091335B2 (en) * 2013-05-28 2017-03-08 株式会社ディスコ Dividing method and dividing apparatus
JP6301658B2 (en) * 2014-01-15 2018-03-28 株式会社ディスコ Wafer processing method
CN108091705B (en) * 2014-05-27 2019-07-02 太阳能公司 Stacking formula solar cell module
CL2016003045A1 (en) * 2014-05-27 2017-06-09 Sunpower Corp Stepped solar cell module
US11949026B2 (en) 2014-05-27 2024-04-02 Maxeon Solar Pte. Ltd. Shingled solar cell module
US11482639B2 (en) 2014-05-27 2022-10-25 Sunpower Corporation Shingled solar cell module
JP1661435S (en) * 2014-05-27 2020-06-08
CN104409386B (en) * 2014-10-20 2018-05-15 上海技美电子科技有限公司 Wafer sliver apparatus
US10861999B2 (en) 2015-04-21 2020-12-08 Sunpower Corporation Shingled solar cell module comprising hidden tap interconnects
US10084104B2 (en) 2015-08-18 2018-09-25 Sunpower Corporation Solar panel
JP6576735B2 (en) * 2015-08-19 2019-09-18 株式会社ディスコ Wafer division method
JP7125650B2 (en) * 2018-03-27 2022-08-25 株式会社東京精密 Wafer dividing apparatus and method
CN112701066B (en) * 2021-01-07 2021-07-20 深圳市粤海翔精密科技有限公司 Splitting knife equipment for wafer splitting and use method thereof
CN112847853B (en) * 2021-01-20 2022-12-27 中国科学院微电子研究所 Lobe of a leaf device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE759715A (en) * 1969-12-12 1971-06-02 Shell Int Research BLOCK COPOLYMERS AS VISCOSITY INDEX IMPROVING AGENTS
JPH0574933A (en) * 1991-09-17 1993-03-26 Seiko Epson Corp Dicing apparatus
JP3276506B2 (en) * 1994-03-16 2002-04-22 株式会社日立製作所 Method for manufacturing semiconductor device
JPH0817767A (en) * 1994-06-29 1996-01-19 Hitachi Ltd Braking method and device of semiconductor wafer
JP3408805B2 (en) * 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 Cutting origin region forming method and workpiece cutting method
KR20040009802A (en) * 2002-07-25 2004-01-31 삼성전자주식회사 A package sawing apparatus having rubber plate for fixing frame that having bended type mount surface
TWI274406B (en) * 2003-07-16 2007-02-21 Freescale Semiconductor Inc Dual gauge leadframe
JP7254577B2 (en) * 2019-03-27 2023-04-10 積水化学工業株式会社 Piping material

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014098771A1 (en) * 2012-12-17 2014-06-26 Agency For Science, Technology And Research Wafer dicing apparatus and wafer dicing method

Also Published As

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TWI393180B (en) 2013-04-11
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