DE102006017423A1 - Semiconductor wafer`s edge determining device, has illumination device arranged such that reflection point is produced with light beam at hitting point at wafer, and position-sensitive sensor arranged so that point is represented on sensor - Google Patents

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Abstract

The device has an illumination device (18), which partially illuminates a wafer (10) e.g. semiconductor wafer, that is placed on a rotary table (14). The illumination device is arranged in such a manner that a reflection point (22) is produced with a light beam (20) at a hitting point at the wafer. A position-sensitive sensor (24) is arranged in such a manner that the reflection point is represented on the sensor. An optics (26) e.g. lens or lens system, is provided for the representation of the reflection point on the sensor. An independent claim is also included for a method for determination of a position of an edge of a wafer.

Description

Die Erfindung betrifft ein Vorrichtung zum Erkennen der Lage einer Kante eines Wafers nach dem Oberbegriff von Anspruch 1 sowie ein Verfahren zum Erkennen der Lage einer Kante eines Wafers nach dem Oberbegriff von Anspruch 5.The The invention relates to a device for detecting the position of an edge a wafer according to the preamble of claim 1 and a method for detecting the position of an edge of a wafer according to the preamble of claim 5.

In der Halbleiterfertigung werden Wafer während des Fertigungsprozesses in einer Vielzahl von Prozessschritten sequentiell bearbeitet, wobei auf einem Wafer eine Vielzahl gleicher wiederkehrenden Strukturelemente, die so genannten Dies, hergestellt wird. Mit zunehmender Integrationsdichte steigen die Anforderungen an die Qualität der auf den Wafern ausgebildeten Strukturen. Um die Qualität dieser Strukturen überprüfen und eine exakte Positionierung der Strukturen auf dem Wafer während seiner Herstellung gewährleisten sowie eventuelle Defekte finden zu können, ist das Erfordernis an die Genauigkeit und die Reproduzierbarkeit der den Wafer handhabenden Bauteile und Prozessschritte entsprechend hoch.In Semiconductor manufacturing becomes wafers during the manufacturing process processed sequentially in a plurality of process steps, wherein on a wafer a multiplicity of identical recurring structural elements, the so-called Dies, is produced. With increasing integration density the quality requirements of the wafers are increasing Structures. To the quality check these structures and an exact positioning of the structures on the wafer during its manufacture guarantee and to be able to find any defects is the requirement the accuracy and reproducibility of the wafer handling Components and process steps are correspondingly high.

Daher wird auf das exakte Erkennen der Lage des Wafers auf der Bearbeitungsstation, insbesondere auf einem Drehtisch besonderes Augenmerk gerichtet. Ein Verfahren zum Erkennen der Position eines Wafers ist beispielsweise aus der DE 102 34 943 A1 bekannt, in der ein Verfahren beschrieben wird, die Position des Wafers anhand von Positionsmerkmalen auf dem Wafer zu ermitteln.Therefore, special attention is paid to the exact detection of the position of the wafer on the processing station, in particular on a turntable. A method for detecting the position of a wafer is, for example, from DE 102 34 943 A1 in which a method is described for determining the position of the wafer based on position features on the wafer.

Zur Ausrichtung eines Wafers auf einem Drehtisch, dem so genannten Prealignement, sind aus der DE 28 54 824 C2 ein Verfahren und eine Vorrichtung bekannt. Dabei wird ein Wafer auf einem Drehtisch aufgebracht und gedreht.To align a wafer on a turntable, the so-called prealignement, are from the DE 28 54 824 C2 a method and a device are known. In this case, a wafer is applied to a turntable and rotated.

Der Wafer wird dann mit Hilfe von Einstellelementen in die gewünschte Position gebracht.Of the Wafer is then using adjustment elements in the desired position brought.

Zur Ermittlung der Lage der Kante eines Wafers auf einem Drehtisch sind aus der US 2004/0056216 A1 weiterhin ein Verfahren und eine Vorrichtung bekannt. Dabei wird der auf einem Drehtisch liegende Wafer senkrecht von unten radial nach außen über seine Kante hinweg beleuchtet. Ein über dem Wafer angebrachter CCD-Sensor kann bei transparenten Wafern die Lage der Änderung der Absorption oder bei nicht transparenten Wafern die Lage des Schattens ermitteln. Daraus lässt sich die Lage der Kante des Wafers ermitteln. Allerdings gestaltet sich die Auswertung der exakten Lage des Schattens wegen der Halbschatteneffekte oft schwierig.to Determining the location of the edge of a wafer on a turntable from US 2004/0056216 A1 furthermore a method and a device known. In this case, the wafer lying on a turntable is vertical from below radially outward over his Illuminated edge. One above the Wafer-mounted CCD sensor can with transparent wafers the Location of change absorption or, for non-transparent wafers, the location of the Determine shadow. Leave it determine the location of the edge of the wafer. However, designed the evaluation of the exact position of the shadow because of the penumbra effects often difficult.

Aus „Sensors and Actuators", 17 (1989), Seiten 259–266 ist weiterhin ein optoelektronischer Sensor zum Erfassen der Struktur zweidimensionaler Objekte bekannt. Mit diesem Sensor kann die Kante von transparenten oder nicht-transparenten Wafern ermittelt werden. Hierbei wird mit einer Optik das Licht einer IR-Diode auf eine Fotodiode fokussiert. Der Wafer wird rotierend in den Strahlengang der Optik eingebracht. Abhängig von der Exzentrität des Wafers variiert damit die auf die Fotodiode fallende Lichtmenge. Da diese Lichtmenge proportional zur Position der Kante des Wafers ist, lassen sich daraus wiederum die Polarkoordinaten des Wafers für alle Drehwinkel berechnen. Damit kann zum einen auf die Form des Wafers geschlossen werden und zum anderen die Exzentrität des Wafers ermittelt werden.From "Sensors and Actuators ", 17 (1989), pages 259-266 is also an optoelectronic sensor for detecting the structure known two-dimensional objects. With this sensor, the edge of transparent or non-transparent Wafers are determined. This is the optics with a light an IR diode focused on a photodiode. The wafer becomes rotating introduced into the optical path of the optics. Depending on the eccentricity of the wafer thus varies the amount of light falling on the photodiode. This one Amount of light is proportional to the position of the edge of the wafer in turn, the polar coordinates of the wafer for all angles of rotation to calculate. Thus, on the one hand closed on the shape of the wafer and on the other hand the eccentricity of the wafer can be determined.

Bei diesem Verfahren ist es allerdings erforderlich, als Beleuchtungsquelle einen bestimmten IR-LED zu verwenden. Zudem wird erheblicher Bauraum unterhalb und oberhalb der Ebene der Oberfläche des Wafers benötigt.at however, this method is required as a source of illumination to use a specific IR LED. In addition, considerable space needed below and above the plane of the surface of the wafer.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Erkennen der Lage einer Kante eines Wafers vorzuschlagen, das ein genaues Ermitteln der Lage der Kante ermöglicht und mit dem der erforderliche Bauraum verkleinert werden kann.task The present invention is therefore a method and a To propose a device for detecting the position of an edge of a wafer, which allows a precise determination of the position of the edge and with which the required Installation space can be reduced.

Diese Aufgabe wird gemäß der vorliegenden Erfindung durch eine Vorrichtung zur Bestimmung der Lage der Kante eines Wafers mit den Merkmalen gemäß Anspruch 1 gelöst. Im Hinblick auf das Verfahren wird die Aufgabe durch ein Verfahren zur Bestimmung der Lage der Kante eines Wafers mit den Merkmalen gemäß Anspruch 5 gelöst.These Problem is in accordance with the present invention by a device for determining the position of the edge of a wafer with the features according to claim 1 solved. With regard to the procedure, the task is solved by a procedure for determining the position of the edge of a wafer with the features according to claim 5 solved.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Bestimmung der Lage einer Kante umfasst also eine Beleuchtungseinrichtung, die den Wafer zumindest teilweise beleuchtet. Die Beleuchtungseinrichtung wird dabei so positioniert, dass mit den von der der Beleuchtungseinrichtung ausgehenden Lichtstrahlen an deren Auftreffpunkt am Wafer ein Reflexionspunkt erzeugt wird. Zusätzlich wird der Sensor so angeordnet, dass der Reflexionspunkt auf den Sensor abgebildet wird.The inventive device for determining the position of an edge thus comprises a lighting device, which at least partially illuminates the wafer. The lighting device will In doing so, positioned with those of the lighting device outgoing light rays generated at the point of impact on the wafer a reflection point becomes. additionally the sensor is placed so that the reflection point on the Sensor is mapped.

Zur Abbildung des Reflexionspunktes auf den Sensor kann eine Optik, insbesondere eine Linse oder ein Linsensystem vorgesehen werden. Bevorzugt wird die Beleuchtungseinrichtung radial außerhalb des Wafers im Wesentlichen in der Ebene der Oberfläche des Wafers angeordnet. Allerdings kann die Beleuchtungseinrichtung auch schräg unterhalb der Oberfläche des Wafers angeordnet werden.to Illustration of the reflection point on the sensor can be an optic, In particular, a lens or a lens system may be provided. Preferably, the illumination device is radially outward of the wafer essentially in the plane of the surface of the wafer Wafers arranged. However, the lighting device can also aslant below the surface of the wafer.

Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird die Kante eines Wafers erfasst, der auf einem Drehtisch aufgebracht ist. Die Beleuchtungseinrichtung zur Beleuchtung des Wafers sowie ein positionsempfindlicher Sensor sind dabei derart positioniert, dass mit der Beleuchtungseinrichtung am Wafer ein Reflektionspunkt erzeugt und ein Bild des Reflexionspunktes auf den Sensor übertragen wird.In the method according to the invention, the edge of a wafer is detected, which is applied to a turntable. The illumination device for illuminating the wafer and a position-sensitive sensor are positioned in such a way that with the illumination device on the wafer generates a reflection point and an image of the reflection point is transmitted to the sensor.

In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird der Reflexionspunkt an der Kante des Wafers erzeugt und der Wafer während der Bestimmung der Lage der Kante mit dem Drehtisch gedreht.In a preferred embodiment According to the invention, the reflection point is generated at the edge of the wafer and the wafer during the determination of the position of the edge turned with the turntable.

Weiterhin kann das Verfahren dadurch verbessert werden, dass aus der Lage der Kante des Wafers dessen Exzentrität berechnet und aus der Exzentrität die Lage der Mitte des Wafers und/oder dessen rotatorische Ausrichtung ermittelt wird.Farther The process can be improved by being out of the situation the edge of the wafer whose eccentricity is calculated and the eccentricity the position the center of the wafer and / or its rotational orientation determined becomes.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es nun möglich, bauraumsparend und präzise die Lage der Kante eines Wafers sowie dessen Form genau zu ermitteln.With the method according to the invention is it possible now space-saving and precise to accurately determine the position of the edge of a wafer and its shape.

Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind Gegenstand der nachfolgenden Figuren sowie deren Beschreibungen, bei deren Darstellung zugunsten der Übersichtlichkeit auf eine maßstabsgetreue Wiedergabe verzichtet wurde.Further Advantages and advantageous embodiments The invention are the subject of the following figures and their Descriptions, in their representation in favor of clarity on a scale Play was omitted.

Es zeigen im Einzelnen:It show in detail:

1 schematisch der Messaufbau zum Erkennen der Kante eines Wafers 1 schematically the measurement setup for detecting the edge of a wafer

2 schematisch der Messaufbau zum Erkennen der Kante eines Wafers in einer alternativen Ausführungsform 2 schematically the measurement setup for detecting the edge of a wafer in an alternative embodiment

In 1 ist schematisch der Messaufbau zum Erkennen der Kante eines Wafers in Seitenansicht. Ein Wafer 10 der eine Kante 12 aufweist, ist auf einem Drehtisch 14 aufgebracht. Die Kante 12 des Wafers 10 rotiert mit dem Wafer 10 in Drehrichtung A. Radial außerhalb der Oberfläche 16 des Wafers 10 ist eine Beleuchtungseinrichtung 18 so angeordnet, das Lichtstrahlen 20, von an sich beliebiger Wellenlänge, auf die Kante 12 des Wafers fallen. Wie in 1 gezeigt kann hierzu die Lichtquelle 20 so angeordnet werden, dass sie im Wesentlichen in der Ebene der Oberfläche 16 des Wafers liegt.In 1 is schematically the measurement setup for detecting the edge of a wafer in side view. A wafer 10 the one edge 12 is on a turntable 14 applied. The edge 12 of the wafer 10 rotates with the wafer 10 in direction of rotation A. Radially outside the surface 16 of the wafer 10 is a lighting device 18 so arranged the rays of light 20 , of any wavelength, on the edge 12 of the wafer. As in 1 this can be shown the light source 20 be arranged so that they are essentially in the plane of the surface 16 of the wafer.

Die auf die Kante 12 des Wafers 10 fallenden Lichtstrahlen 20 erzeugen am Auftreffpunkt auf dem Wafer 10 einen Reflexionspunkt 22, der als heller Lichtpunkt erkennbar ist. Zur Abbildung des Reflexionspunktes 22 auf einen positionsempfindlichen Sensor 24 ist eine Optik 26 vorgesehen. Als positionsempfindlicher Sensoren 24 kann dabei bevorzugt ein CCD-Zeilen-Sensoren oder ein PSD (Position Sensitive Device) verwendet werden, sodass damit der Auftreffpunkt des Bildes des Reflexionspunktes 22 auf dem Sensor 24 ermittelt werden kann. Der positionsempfindliche Sensor 24 wird dabei so ausgewählt, dass mit seiner Hilfe das Abbild des Reflexionspunktes 22 erfasst werden kann. Damit muss also das Paar Beleuchtungsquelle 18 und Sensor 24 auf einander abgestimmt sein.The on the edge 12 of the wafer 10 falling light rays 20 generate at the point of impact on the wafer 10 a reflection point 22 , which is recognizable as a bright spot of light. For mapping the reflection point 22 on a position sensitive sensor 24 is an optic 26 intended. As position-sensitive sensors 24 For example, it is possible to use a CCD line sensor or a PSD (Position Sensitive Device), so that the point of impact of the image of the reflection point 22 on the sensor 24 can be determined. The position sensitive sensor 24 is chosen so that with its help the image of the reflection point 22 can be detected. So that needs the pair of illumination source 18 and sensor 24 be attuned to each other.

Da sich der Wafer 10 auf dem Drehteller 14 dreht bewegt sich der Reflexionspunkt 22 periodisch mit einer Periode von 2π, linear was durch den Doppelpfeil 28 angedeutet ist. Mit der Optik 26 wird der Reflexionspunkt 22 und damit auch dessen Bewegung auf den Sensor 24 abgebildet und als eine, mit der Rotation periodische Bewegung auf dem Sensor 24 erfasst, was durch den Doppelpfeil 30 angedeutet ist.Because the wafer 10 on the turntable 14 rotates the reflection point 22 periodically with a period of 2π, linear through the double arrow 28 is indicated. With the optics 26 becomes the reflection point 22 and thus also its movement on the sensor 24 pictured and as one, with the rotation periodic movement on the sensor 24 captures what is indicated by the double arrow 30 is indicated.

Da die Bewegung des Reflexionspunktes 22 zu der Exzentrität des Wafers 10 proportional ist, lässt sich daraus die Exzentrität ebenso ermitteln, wie die rotatorische Ausrichtung des Wafers. Hierzu können die aus dem Prealignement bekannten mathematischen Verfahren angewendet werden.Because the movement of the reflection point 22 to the eccentricity of the wafer 10 is proportional, it can be determined from the eccentricity as well as the rotational orientation of the wafer. For this purpose, the mathematical methods known from prealignement can be used.

Wie in 2 dargestellt ist, kann die Beleuchtungseinrichtung 18 auch außerhalb der Ebene der Oberfläche 16 des Wafers 10 und hier insbesondere unterhalb des Wafers 10, also axial in Richtung des Drehtellers 14, angeordnet werden. Wesentlich dabei ist lediglich, dass die Beleuchtungseinrichtung 18 so angeordnet wird, dass die Lichtstrahlen 20 am Auftreffpunkt auf dem Wafer 10 einen Reflexionspunkt 22 erzeugen, der mit dem Sensor 24 erfassbar und damit auswertbar ist. Dabei liegt der Auftreffpunkt der Lichtstrahlen bevorzug an der Kante 12 des Wafers 10 um einen Lichtpunkt zu erzeugen, der ausreichend hell ist.As in 2 is shown, the lighting device 18 also outside the level of the surface 16 of the wafer 10 and here especially below the wafer 10 , ie axially in the direction of the turntable 14 , to be ordered. It is essential only that the lighting device 18 arranged so that the light rays 20 at the point of impact on the wafer 10 a reflection point 22 generate that with the sensor 24 detectable and thus evaluable. The point of impact of the light rays is preferably at the edge 12 of the wafer 10 to create a spot of light that is sufficiently bright.

Claims (12)

Vorrichtung zur Bestimmung der Lage einer Kante (12) eines Wafers (10), insbesondere auf einem Drehtisch (14) mit einer Beleuchtungseinrichtung (18), die den Wafer zumindest teilweise beleuchtet und einem positionsempfindlichen Sensor (24) dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinrichtung (18) so angeordnet ist, dass mit den von der der Beleuchtungseinrichtung (18) ausgehenden Lichtstrahlen (20) an deren Auftreffpunkt am Wafer (10) ein Reflexionspunkt (22) erzeugt wird und dass der Sensor (24) so angeordnet ist, dass der Reflexionspunkt (22) auf den Sensor (24) abgebildet wird.Device for determining the position of an edge ( 12 ) of a wafer ( 10 ), in particular on a turntable ( 14 ) with a lighting device ( 18 ) which at least partially illuminates the wafer and a position-sensitive sensor ( 24 ), characterized in that the illumination device ( 18 ) is arranged so that with that of the lighting device ( 18 ) outgoing light rays ( 20 ) at the impact point on the wafer ( 10 ) a reflection point ( 22 ) and that the sensor ( 24 ) is arranged so that the reflection point ( 22 ) on the sensor ( 24 ) is displayed. Vorrichtung zur Bestimmung der Lage einer Kante (12), nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass eine Optik (26), insbesondere eine Linse oder ein Linsensystem, zur Abbildung des Reflexionspunktes (22) auf den Sensor (24) vorgesehen ist.Device for determining the position of an edge ( 12 ), according to claim 1, characterized in that an optic ( 26 ), in particular a lens or a lens system, for imaging the reflection point ( 22 ) on the sensor ( 24 ) is provided. Vorrichtung zur Bestimmung der Lage einer Kante (12), nach Anspruch 1 oder 2 dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinrichtung (18) radial außerhalb des Wafers (10) im Wesentlichen in der Ebene der Oberfläche (16) des Wafers (10) angeordnet ist.Device for determining the position of a Edge ( 12 ), according to claim 1 or 2, characterized in that the illumination device ( 18 ) radially outside the wafer ( 10 ) substantially in the plane of the surface ( 16 ) of the wafer ( 10 ) is arranged. Vorrichtung zur Bestimmung der Lage einer Kante (12), nach einem der Ansprüche 1 oder 2 dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinrichtung (18) radial außerhalb des Wafers (10) und außerhalb der Ebene der Oberfläche (16) des Wafers (10), insbesondere schräg unterhalb der Ebene der Oberfläche (16) des Wafers (10) angeordnet ist.Device for determining the position of an edge ( 12 ), according to one of claims 1 or 2, characterized in that the illumination device ( 18 ) radially outside the wafer ( 10 ) and outside the plane of the surface ( 16 ) of the wafer ( 10 ), in particular obliquely below the plane of the surface ( 16 ) of the wafer ( 10 ) is arranged. Verfahren zur Bestimmung der Lage der Kante (12) eines Wafers (10), wobei der Wafer (10) auf einem Drehtisch (14) aufgebracht ist und eine Beleuchtungseinrichtung (18) zur Beleuchtung des Wafers (10) sowie ein positionsempfindlicher Sensor (24) vorgesehen ist, dadurch ge kennzeichnet, dass mit der Beleuchtungseinrichtung am Wafer (10) ein Reflektionspunkt (22) erzeugt und ein Bild des Reflexionspunktes (22) auf dem Sensor (24) erfasst wird.Method for determining the position of the edge ( 12 ) of a wafer ( 10 ), the wafer ( 10 ) on a turntable ( 14 ) is applied and a lighting device ( 18 ) for illuminating the wafer ( 10 ) as well as a position sensitive sensor ( 24 ), characterized in that with the illumination device on the wafer ( 10 ) a reflection point ( 22 ) and an image of the reflection point ( 22 ) on the sensor ( 24 ) is detected. Verfahren zur Bestimmung der Lage der Kante (12) eines Wafers (10) nach Anspruch 5 dadurch gekennzeichnet, dass der Reflexionspunkt (22) an der Kante (12) des Wafers (10) von der Beleuchtungseinrichtung (18) erzeugt wird.Method for determining the position of the edge ( 12 ) of a wafer ( 10 ) according to claim 5, characterized in that the reflection point ( 22 ) on the edge ( 12 ) of the wafer ( 10 ) of the illumination device ( 18 ) is produced. Verfahren zur Bestimmung der Lage der Kante (12) eines Wafers (10) nach Anspruch 5 oder 6 dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinrichtung (18) zur Erzeugung des Reflexionspunkts (22) radial außerhalb des Wafers (10) und im wesentlichen in der Ebene der Oberfläche (16) des Wafers (10) positioniert wird.Method for determining the position of the edge ( 12 ) of a wafer ( 10 ) according to claim 5 or 6, characterized in that the illumination device ( 18 ) for generating the reflection point ( 22 ) radially outside the wafer ( 10 ) and essentially in the plane of the surface ( 16 ) of the wafer ( 10 ) is positioned. Verfahren zur Bestimmung der Lage der Kante (12) eines Wafers (10) nach Anspruch 5 oder 6 dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinrichtung (18) zur Erzeugung des Reflexionspunkts (22) radial außerhalb des Wafers (10) und außerhalb der Ebene der Oberfläche (16) des Wafers (10), insbesondere schräg unterhalb der Oberfläche (16) positioniert wird.Method for determining the position of the edge ( 12 ) of a wafer ( 10 ) according to claim 5 or 6, characterized in that the illumination device ( 18 ) for generating the reflection point ( 22 ) radially outside the wafer ( 10 ) and outside the plane of the surface ( 16 ) of the wafer ( 10 ), in particular obliquely below the surface ( 16 ) is positioned. Verfahren zur Bestimmung der Lage der Kante (12) eines Wafers (10) nach einem der Ansprüche 5 bis 8 dadurch gekennzeichnet, dass der Reflexionspunkt (22) mit einer Optik (26), insbesondere einer Linse oder einem Linsensystem auf den Sensor (24) abgebildet wird.Method for determining the position of the edge ( 12 ) of a wafer ( 10 ) according to one of claims 5 to 8, characterized in that the reflection point ( 22 ) with an optic ( 26 ), in particular a lens or a lens system on the sensor ( 24 ) is displayed. Verfahren zur Bestimmung der Lage der Kante (12) eines Wafers (10) nach einem der Ansprüche 5 bis 9 dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer (10) während der Bestimmung der Lage der Kante (12) mit dem Drehtisch (14) gedreht wird.Method for determining the position of the edge ( 12 ) of a wafer ( 10 ) according to one of claims 5 to 9, characterized in that the wafer ( 10 ) during the determination of the position of the edge ( 12 ) with the turntable ( 14 ) is rotated. Verfahren zur Bestimmung der Lage der Kante (12) eines Wafers (10) nach Anspruch 10 dadurch gekennzeichnet, dass aus der Lage der Kante (12) des Wafers (10) die Exzentrität des Wafers (10) berechnet wird.Method for determining the position of the edge ( 12 ) of a wafer ( 10 ) according to claim 10, characterized in that from the position of the edge ( 12 ) of the wafer ( 10 ) the eccentricity of the wafer ( 10 ) is calculated. Verfahren zur Bestimmung der Lage der Kante (12) eines Wafers (10) nach Anspruch 10 dadurch gekennzeichnet, dass aus der Exzentrität des Wafers (10) die Lage der Mitte des Wafers (10) und/oder die rotatorische Ausrichtung des Wafers ermittelt wird.Method for determining the position of the edge ( 12 ) of a wafer ( 10 ) according to claim 10, characterized in that from the eccentricity of the wafer ( 10 ) the position of the center of the wafer ( 10 ) and / or the rotational orientation of the wafer is determined.
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