DE102006016548A1 - Blue to yellow orange emitting phosphor substance of orthosilicate class, comprises a composition and a stiochiometric equation - Google Patents
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Abstract
Description
Technisches Gebiettechnical area
Die Erfindung geht aus von einem Blau bis Gelb emittierenden Leuchtstoff und betrifft außerdem eine Lichtquelle, insbesondere LED, mit einem derartigen Leuchtstoff. Der Leuchtstoff gehört der Klasse der Orthosilikate an.The The invention is based on a blue to yellow emitting phosphor and also concerns one Light source, in particular LED, with such a phosphor. The phosphor belongs the class of orthosilicates.
Bisher existiert nur eine geringe Zahl von technisch einsetzbaren Leuchtstoffen, die im UV- und vor allem im blauen Spektralbereich anregbar sind und im Blauen bis Orange-Gelben (Dominanzwellenlänge 450 bis 590 nm) emittieren. Insbesondere stabile grüne Leuchtstoffe mit einem Emissionsmaximum von 525 bis 530 nm stehen kaum zur Verfügung. Das erschwert den Einsatz von Lumineszenzkonversions-LEDs bei der Display-Hinterleuchtung und schränkt die Optimierung von LED mit hoher Farbwiedergabe oder niedriger Lichtfarbe wie warmweiß ein. Bisher wurden in derartigen Produkten hauptsächlich übliche Orthosilikate als Grünleuchtstoff für diese Anwendungen eingesetzt. Sie sind aber vor allem im Blauen nur mäßig gut anregbar. Eine Optimierung der Emission kann zwar durch Mischung der Kationen Ba, Sr, Ca erreicht werden. Ein Beispiel ist SrCaSiO4:Eu. Leider aber führt diese Mischung häufig zu einer Verschlechterung der Quanteneffizienz, hier im Vergleich zu reinem Sr2SiO4:Eu.So far exists only a small number of technically usable phosphors, which are excitable in the UV and especially in the blue spectral range and in the blue to orange-yellow (dominance wavelength 450 to 590 nm) emit. In particular, stable green Phosphors having an emission maximum of 525 to 530 nm are available hardly available. This complicates the use of luminescence conversion LEDs in the display backlighting and restricts the optimization of LED with high color rendering or lower Light color as warm white. So far, in such products mainly conventional orthosilicates as green phosphor for this Applications used. But they are only moderately good, especially in the blue excitable. Optimization of the emission can be achieved by mixing the cations Ba, Sr, Ca can be achieved. An example is SrCaSiO4: Eu. Unfortunately, but leads this mixture often to a deterioration of quantum efficiency, here in comparison to pure Sr2SiO4: Eu.
Ein derartiges Orthosilikate ist beispielsweise aus der WO 03/080763 bekannt. Dort handelt es sich um ein (Ba,Sr,Ca)SiO4:Eu, das im Grünen bei etwa 530 nm emittiert. Es wird zusammen mit weiteren Leuchtstoffen eingesetzt.One Such orthosilicates are known, for example, from WO 03/080763 known. There is a (Ba, Sr, Ca) SiO4: Eu, which in the green at about 530 nm emitted. It is used together with other phosphors.
Darstellung der Erfindungpresentation the invention
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Leuchtstoff, der blau bis gelborange emittiert, bereitzustellen, der insbesondere im Emissionsbereich typischer UV-, und Blau-LEDs anregbar ist. Eine weitere Aufgabe ist es, einen Leuchtstoff mit hoher Effizienz bereitzustellen.It It is an object of the present invention to provide a phosphor which is blue to yellow-orange emitted to provide, in particular in the emission range typical UV, and blue LEDs is excitable. Another task is to provide a phosphor with high efficiency.
Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen finden sich in den abhängigen Ansprüchen.These The object is achieved by the characterizing features of claim 1 solved. Particularly advantageous embodiments can be found in the dependent claims.
Eine weitere Aufgabe ist die Bereitstellung einer Lichtquelle, insbesondere einer LED, mit einem derartigen Leuchtstoff.A Another object is the provision of a light source, in particular an LED, with such a phosphor.
Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 6 gelöst. Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen finden sich in den abhängigen Ansprüchen.These The object is achieved by the characterizing features of claim 6 solved. Particularly advantageous embodiments can be found in the dependent claims.
Die erfindungsgemäßen Leuchtstoffe können auch im Zusammenhang mit anderen UV- oder Blau-Lichtquellen wie Molekularstrahlern (z.B. In-Entladungslampe), blauen OLEDs oder in Kombination mit blauen EL-Leuchtstoffen eingesetzt werden.The phosphors according to the invention can also in connection with other UV or blue light sources such as Molecular radiators (e.g., in-discharge lamp), blue OLEDs, or used in combination with blue EL phosphors.
Der erfindungsgemäße Leuchtstoff ist ein neuartiges Nitrido-Orthosilikat und ermöglicht die Herstellung von farbstabilen, effizienten LEDs bzw. LED-Modulen auf Basis einer Konversions-LED. Weitere Anwendungsbereiche sind in LEDs mit guter Farbwiedergabe, Color-on-demand LEDs oder weißen OLEDs zu finden.Of the phosphor according to the invention is a novel nitrido-orthosilicate and enables the production of color-stable, efficient LEDs or LED modules based on a Conversion LED. Other applications include LEDs with good color rendering, Color-on-demand LEDs or white To find OLEDs.
Der neu synthetisierte Leuchtstoff xEA2SiO4:Eu·ySEN emittiert mit hoher Effizienz, wobei das Maximum im Blauen bis Orange-Gelben liegt. Die Dominanzwellenlänge liegt im Falle einer Anregung bei 400 nm bei etwa 460 bis 581 nm. Dabei ist die typische Eu-Dotierung 3 %. Sie lässt sich durch eine Erhöhung des Eu-Gehalts noch langwellig verschieben. Umgekehrt verschiebt sich die Emission bei geringem Eu-Gehalt zu kürzeren Wellenlängen hin. In stöchiometrischer Darstellung lässt sich der neuartige Leuchtstoff darstellen als EA2-x-aSExEuaSiO4-xNx mit EA = zumindest eines der EA-Elemente Sr, Ca, Ba, Mg. Die Abkürzung EA steht für Erdalkali. SE steht für Seltene Erden, insbesondere La und/oder Y. Dabei liegt a bevorzugt im Bereich 0,02 bis 0,45. Außerdem liegt x bevorzugt im Bereich 0,003 bis 0,02.The newly synthesized xEA2SiO 4 : Eu · ySEN luminescent material emits with high efficiency, with the maximum ranging from blue to orange-yellow. The dominant wavelength in the case of excitation at 400 nm is about 460 to 581 nm. The typical Eu doping is 3%. It can be delayed by increasing the Eu content even long wave. Conversely, the emission shifts to shorter wavelengths with low Eu content. In stoichiometric representation of the novel phosphor can be represented as EA 2-xa SE x Eu a SiO 4-x N x with EA = at least one of the EA elements Sr, Ca, Ba, Mg. The abbreviation EA stands for alkaline earth. SE stands for rare earths, in particular La and / or Y. In this case, a is preferably in the range from 0.02 to 0.45. In addition, x is preferably in the range of 0.003 to 0.02.
Der Leuchtstoff ist im Bereich 250–500 nm sowie im extremen UV unterhalb 220 nm ab 140 mit gut anregbar.Of the Fluorescent is in the range 250-500 nm and in the extreme UV below 220 nm from 140 with good excitable.
Der erfindungsgemäße Leuchtstoff basiert auf der Möglichkeit eines partiellen, ladungsneutralen Austausches der Erdalkalioxide EAO mit EA = (Sr,Ca,Ba,Mg) durch Seltenerdnitride SEN, wobei insbesondere SE = (La,Y) gilt. Damit kann der Farbort der normalen Orthosilikate an spezielle Erfordernisse angepasst werden, ohne dass sich dabei die Quanteneffizienz verschlechtert. Ganz im Gegenteil lassen sich bei einer Vielzahl derartiger Verbindungen, insbesondere moderatem Einbau von LaN oder YN, sogar höhere Quanteneffizienzen erzielen. Insbesondere sollte der Anteil (SE)N:(EA)O für eine möglichst hohe Quanteneffizienz bei etwa 0,005:0,995 liegen. Bewährt hat sich eine Spannbreite von 0,003 bis 0,013 für SEN, in Einzelfällen sind auch höhere Konzentrationen bis 0,020 SEN anwendbar. Dies gilt auch für diejenigen Verbindungen, die keine ausgeprägte Farbortverschiebung zeigen.Of the phosphor according to the invention based on the possibility a partial, charge-neutral exchange of alkaline earth oxides EAO with EA = (Sr, Ca, Ba, Mg) by rare earth nitrides SEN, in particular SE = (La, Y) holds. This allows the color location of normal orthosilicates adapted to special requirements, without being involved the quantum efficiency deteriorates. On the contrary, it is possible in a variety of such compounds, especially moderate Installation of LaN or YN, even higher Achieve quantum efficiencies. In particular, the proportion of (SE) N: (EA) O for as possible high quantum efficiency is about 0.005: 0.995. Has proven range from 0.003 to 0.013 for SEN, in individual cases are too higher Concentrations up to 0.020 SEN applicable. This also applies to those Compounds that are not pronounced Show color locus shift.
Wesentlich für die hervorragenden Eigenschaften ist die grundsätzliche Struktur des Leuchtstoffs, ohne dass es auf eine exakte Einhaltung der Stöchiometrie ankommt. Der Leuchtstoff ist sehr strahlungsstabil, was den Einsatz in High-Brightness LEDs ermöglicht.Essential for the excellent properties is the basic structure of the phosphor, without the need for exact compliance with the stoichiometry. The phosphor is very stable to radiation, which makes it suitable for use in high-brightness LEDs allows.
Bevorzugt ist das EA-Ion Ba und/oder Sr in einem molaren Anteil von mindestens 66 mol-%. Das bevorzugte EA-Ion, beispielsweise Sr, kann teilweise mit einem anderen EA-Ion, hier also Mg und/oder Ca, substituiert sein, so dass auch andere Wellenlängen erreichbar sind. Insbesondere wird jedoch als EA-Ion Sr und Ba verwendet, wobei höchstens kleine Teilmengen an anderen EA-Ionen wie Ca und Mg eingeführt werden. Bevorzugt ist ein maximaler Anteil unter 5 mol-% für Ca und unter 30 mol-% für Mg.Prefers For example, the EA ion is Ba and / or Sr in a molar proportion of at least 66 mol%. The preferred EA ion, for example Sr, may be partially with another EA ion, here Mg and / or Ca, be substituted, so that other wavelengths can be reached are. In particular, however, is used as EA ion Sr and Ba, wherein at the most small subsets of other EA ions such as Ca and Mg are introduced. A maximum proportion of less than 5 mol% of Ca and is preferred below 30 mol% for Mg.
Je nach relativem Größenverhältnis der beteiligten EA- und SE-Ionen nimmt die Gitterkonstante des ursprünglichen Orthosilikat-Wirtsgitters ab oder zu. Die prinzipielle Struktur bleibt dabei aber erhalten. Durch die Verzerrung des Gitters sowie den Einbau von N3- statt O2- in die Koordinationssphäre des Aktivators, bevorzugt Eu allein, kommt es im allgemeinen zu einer Rotverschiebung des Emissionsspektrums. Es hat sich gezeigt, dass die Effekte besonders groß sind, wenn die Substitution in einem Gitter mit orthorhombischer Struktur erfolgen kann. Die Kristallisation der Orthosilikate in der orthorhombischen Struktur kann mittels geeigneter Kationen-Zusammensetzung und/oder geeigneter Glühbedingungen erreicht werden, wie an sich bekannt.Depending on the relative size ratio of the EA and SE ions involved, the lattice constant of the original orthosilicate host lattice decreases or decreases. The basic structure is retained. Due to the distortion of the lattice as well as the incorporation of N 3- instead of O 2- in the coordination sphere of the activator, preferably Eu alone, there is generally a red shift of the emission spectrum. It has been found that the effects are particularly great when the substitution can be done in a grid with orthorhombic structure. The crystallization of the orthosilicates in the orthorhombic structure can be achieved by means of suitable cationic composition and / or suitable annealing conditions, as known per se.
Insbesondere kann dieser Leuchtstoff von einer blau emittierenden LED, vor allem vom Typ InGaN, effizient angeregt werden. Er eignet sich auch für die Anwendung bei anderen Lichtquellen, und insbesondere für die Anwendung zusammen mit anderen Leuchtstoffen zum Erzeugen von weißem Licht mit sehr hohem Ra.Especially This phosphor can be made of a blue emitting LED, especially of InGaN type, efficiently excited. It is also suitable for the application in other light sources, and in particular for use with other phosphors for producing very high Ra white light.
Mit mehreren, insbesondere drei, Leuchtstoffen, deren typische Quanteneffizienz deutlich über 70 % liegt, und die sehr gut im Bereich kurzwelliger UV bzw. blauer Strahlung absorbieren, vor allem auch bei 450 bis 455 nm, wo die stärksten Chips zur Verfügung stehen, lassen sich effiziente, insbesondere auch warmweiße, LEDs mit einem Farbwiedergabeindex Ra von bis zu 97 bereitstellen. Ein typischer Ra-Wert liegt je nach gewünschter Optimierung bei 88 bis 95. Dabei ist neben dem neuen grüngelben Leuchtstoff ein roter, insbesondere nitridischer, Leuchtstoff hinzugefügt. Als rotemittierende Komponente mit Peakemission bei 600 bis 650 nm, insbesondere 605 bis 615 nm, eignet sich beispielsweise ein Nitridosilikat wie (Sr,Ca)2Si5N8:Eu oder ein Sulfid.With several, especially three, phosphors whose typical quantum efficiency clearly over 70%, and very good in the range of short-wave UV or blue Absorb radiation, especially at 450 to 455 nm, where the most Chips available stand, can be efficient, especially warm white, LEDs with a color rendering index Ra of up to 97. One typical Ra value is depending on the desired Optimization at 88 to 95. It is next to the new green-yellow phosphor a red, especially nitridic, phosphor added. When red-emitting component with peak emission at 600 to 650 nm, in particular 605 to 615 nm, for example, a nitridosilicate is suitable such as (Sr, Ca) 2Si5N8: Eu or a sulfide.
Im einzelnen wird weiterhin eine LED vorgeschlagen, die als blau bis gelb emittierende Lumineszenzkonversions-LED ausgeführt ist, mit einer Primär-Strahlungsquelle, die ein Chip ist, der im blauen oder UV-Spektralbereich emittiert, und einer davor geschalteten Schicht eines Leuchtstoffs, der die Strahlung des Chips teilweise oder vollständig konvertiert, wobei der Leuchtstoff aus der Klasse der oben beschriebenen Nitrido-Orthosilikate stammt, mit einer Dotierung von Europium.in the individual will continue to be proposed an LED that is as blue up yellow emitting luminescence conversion LED is executed, with a primary radiation source, which is a chip that emits in the blue or UV spectral range, and a layer of a phosphor preceding it that transmits the radiation the chip partially or completely wherein the phosphor is of the class described above Nitrido-orthosilicates originated with a doping of europium.
Als Lichtquelle eignet sich insbesondere eine LED. Bevorzugt liegt die Emission des Chips so, dass er eine Peakwellenlänge im Bereich 445 bis 465 nm, insbesondere 450 bis 455 nm, hat. Damit lassen sich die höchsten Effizienzen der Primärstrahlung erzielen.When Light source is particularly suitable an LED. Preferably lies the Emission of the chip so that it has a peak wavelength in the range 445 to 465 nm, in particular 450 to 455 nm. This can be the highest efficiencies the primary radiation achieve.
Ein weiteres Einsatzgebiet ist eine farbig emittierende LED (color-on-demand), deren Emission im blauen bis gelben Bereich des Spektrums angesiedelt ist.One Another field of application is a color-emitting LED (color-on-demand), whose emission is located in the blue to yellow region of the spectrum is.
Für den Einsatz in der LED können Standardverfahren eingesetzt werden. Insbesondere ergeben sich folgende Realisierungsmöglichkeiten.For use in the LED can Standard methods are used. In particular, the following results Implementation options.
Erstens
das Eindispergieren des Leuchtstoffs in den LED-Verguss, beispielsweise
ein Silikon oder Epoxidharz, und anschließendes Aufbringen durch beispielsweise
Vergießen,
Drucken, Spritzen o.ä.
Zweitens das Einbringen des Leuchtstoffs in eine sog. Pressmasse
und anschließendes
Spritzpressverfahren. Drittens Methoden der chipnahen Konversion,
d.h. Aufbringen der Leuchtstoffe bzw. deren Mischung auf der Wafer-Prozessings-Ebene,
nach dem Vereinzeln der Chips und nach der Mon tage im LED-Gehäuse. Hierzu
wird insbesondere auf
Derartige Lichtquellen sind insbesondere UV oder blau emittierende LEDs des Typs InGaN oder auch InGaAlP, außerdem Entladungslampen, die Leuchtstoffe verwenden, wie an sich bekannt, insbesondere Hochdruckentladungslampen, die einen hohen Farbwiedergabeindex Ra aufweisen, oder die auf Indiumlampen basieren, die entweder mit Hochdruck oder Niederdruck betrieben werden können. Aufgrund seiner Strahlungsstabilität eignet sich der neue Leuchtstoff aber außerdem für Entladungslampen, insbesondere für Indium-Entladungslampen und insbesondere als stabiler Leuchtstoff für Entladungslampen mit hohem Ra, beispielsweise über Ra=90. Beispielsweise eignet sich die schmalbandige Emission eines überwiegend Ba enthaltenden Orthosilikats für LED, die grün emittieren und für LCD-anwendungen eingesetzt werden können.such Light sources are in particular UV or blue emitting LEDs of the Type InGaN or InGaAlP, as well as discharge lamps, the phosphors use, as known per se, in particular high-pressure discharge lamps, which have a high color rendering index Ra or those on indium lamps based on either high pressure or low pressure can be. by virtue of its radiation stability However, the new phosphor is also suitable for discharge lamps, in particular for indium discharge lamps and especially as a stable phosphor for discharge lamps with high Ra, for example about Ra = 90th For example, the narrowband emission of a predominantly Ba-containing orthosilicate for LED, the green emit and for LCD applications can be used.
Figurencharacters
Im folgenden soll die Erfindung anhand mehrerer Ausführungsbeispiele näher erläutert werden. Es zeigen:in the The following is the invention based on several embodiments be explained in more detail. It demonstrate:
Beschreibung der Zeichnungendescription the drawings
Ein
konkretes Beispiel für
den erfindungsgemäßen Leuchtstoff
ist in
In
Der
Aufbau einer Lichtquelle für
grünes
Licht ist in
Im allgemeinen wird die Effizienz und der Farbwiedergabeindex Ra außerdem durch die Höhe der Dotierung mit Eu angepasst, bevorzugt ist ein Wert für Eu von 2 bis 4 mol-% des EA.in the In general, the efficiency and the color rendering index Ra also go through the high of Adjustment with Eu adapted, preferably a value for Eu of 2 to 4 mol% of the EA.
Bei einer weißen LED mit drei Leuchtstoffen wird neben grün emittierenden Leuchtstoff xBa2SiO4·yLaN mit 3 % Eu als rot emittierender Leuchtstoff hier insbesondere das Nitridosilikat MaSiyNz:Eu verwendet, das als Komponente M Ca und und/oder Sr aufweist. Anders ausgedrückt ist das Nitridosilikat beispielsweise durch die Formel (SrxCa1-x)2Si5N8 charakterisiert, wobei insbesondere x = 0 bis 0,1 oder x = 0,3 bis 0,7 gewählt wird. Die Kombination der blauen Primär- und roten, gelbgrünen Sekundärstrahlung mischt sich zu warmweiß mit hohem Ra.In the case of a white LED with three phosphors, in addition to the green-emitting phosphor xBa2SiO4.yLaN with 3% Eu as the red-emitting phosphor, in particular the nitridosilicate M a Si y N z : Eu is used, which has Ca and / or Sr as component M. In other words, the nitridosilicate is characterized, for example, by the formula (Sr x Ca 1-x ) 2 Si 5 N 8 , where in particular x = 0 to 0.1 or x = 0.3 to 0.7. The combination of blue primary and red, yellow-green secondary radiation mixes to warm white with high Ra.
Das
Emissionsspektrum eines typischen Leuchtstoffs BaSrSiO4:Eu ist in
Schließlich zeigen
die
Ein
wieder anderes Bild zeigt sich für
reines Ca-Orthosilikat Ca2SiO4:Eu gemäß
Ganz ähnliches
gilt für
das Mischsilikat Ba1,5Mg0,5SiO4:Eu, dessen Verhalten in den
Insgesamt zeigt die Untersuchung eine starke Abhängigkeit des Verhaltens des Leuchtstoffs von der relativen Größe der Kationen. Die SEN-Zugabe ist ein außerordentlich wirksames Mittel zur Abstimmung der gewünschten Eigenschaften eines Leuchtstoffs.All in all the study shows a strong dependence of the behavior of the Phosphor of the relative size of the cations. The SEN addition is an extraordinary effective means of tuning the desired properties of a Phosphor.
In
Ähnlich ist
gemäß
Das Verfahren zur Herstellung eines derartigen hocheffizienten Leuchtstoffs, verwendet folgende Verfahrensschritte:
- a) Bereitstellen der Ausgangsstoffe SiO2 und SEN, EA-Vorläufers, insbesondere mindestens einer aus SrCO3, BaCO3, CaCO3 und MgO, sowie eines Eu-Vorläufers, insbesondere Eu2O3, in im wesentlichen stöchiometrischen Verhältnis;
- b) Mischen der Ausgangsstoffe und Glühung in einem Al2O3-, AlN- oder W- oder Mo-Tiegel unter Verwendung eines Flussmittels, insbesondere SrF2 oder BaF2;
- c) wobei das Glühen der Mischung bei etwa 1300 bis 1700 °C, bevorzugt 1500 bis 1600 °C erfolgt.
- a) providing the starting materials SiO 2 and SEN, EA precursor, in particular at least one of SrCO 3 , BaCO 3 , CaCO 3 and MgO, and an Eu precursor, in particular Eu2O3, in substantially stoichiometric ratio;
- b) mixing the starting materials and annealing in an Al 2 O 3 , AlN or W or Mo crucible using a flux, in particular SrF 2 or BaF 2;
- c) wherein the annealing of the mixture at about 1300 to 1700 ° C, preferably 1500 to 1600 ° C takes place.
Claims (9)
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Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008021662A1 (en) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh | LED with multi-band phosphor system |
WO2013041377A1 (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-28 | Osram Ag | Light source comprising a luminescent substance and associated illumination unit |
WO2013116697A1 (en) | 2012-02-03 | 2013-08-08 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Light emitting diode device and method for production thereof containing conversion material chemistry |
WO2013130610A1 (en) | 2012-02-29 | 2013-09-06 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Polycarbonate compositions containing conversions material chemistry and having enhanced optical properties, methods of making and articles comprising the same |
WO2013130606A2 (en) | 2012-02-29 | 2013-09-06 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Polycarbonate made from low sulfur bisphenol a and containing converions material chemistry, and articles made therefrom |
DE102012213467A1 (en) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Osram Gmbh | DEVICE FOR PROVIDING ELECTROMAGNETIC RADIATION |
WO2014066784A1 (en) | 2012-10-25 | 2014-05-01 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Light emitting diode devices, method of manufacture, uses thereof |
WO2014186548A1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-20 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Branched polycarbonate compositions having conversion material chemistry and articles thereof |
WO2015018474A1 (en) * | 2013-08-08 | 2015-02-12 | Merck Patent Gmbh | Luminescent substances |
US8962117B2 (en) | 2011-10-27 | 2015-02-24 | Sabic Global Technologies B.V. | Process for producing bisphenol A with reduced sulfur content, polycarbonate made from the bisphenol A, and containers formed from the polycarbonate |
US9006378B2 (en) | 2013-05-29 | 2015-04-14 | Sabic Global Technologies B.V. | Color stable thermoplastic composition |
US9290618B2 (en) | 2011-08-05 | 2016-03-22 | Sabic Global Technologies B.V. | Polycarbonate compositions having enhanced optical properties, methods of making and articles comprising the polycarbonate compositions |
US9346949B2 (en) | 2013-02-12 | 2016-05-24 | Sabic Global Technologies B.V. | High reflectance polycarbonate |
WO2017077446A1 (en) | 2015-11-05 | 2017-05-11 | Sabic Global Technologies B.V. | Process for manufacturing a polymer composition comprising a densified polymer and a conversion material |
US9772086B2 (en) | 2013-05-29 | 2017-09-26 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Illuminating devices with color stable thermoplastic light transmitting articles |
WO2018005440A1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-04 | Sabic Global Technologies B.V. | Method to improve remote phosphor optical properties in polycarbonate |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4810938A (en) | 1987-10-01 | 1989-03-07 | General Electric Company | High efficacy electrodeless high intensity discharge lamp |
TW383508B (en) | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
DE19963806C2 (en) | 1999-12-30 | 2002-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Process for producing a light-emitting diode white light source, use of a plastic molding compound for producing a light-emitting diode white light source and surface-mountable light-emitting diode white light source |
DE10129464A1 (en) | 2001-06-19 | 2003-01-02 | Philips Corp Intellectual Pty | Low pressure gas discharge lamp with mercury-free gas filling |
DE10153615C1 (en) | 2001-10-31 | 2003-07-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electronic component manufacturing method has several components formed on components sections of lead frame before separation from latter |
EP1490453B1 (en) | 2002-03-25 | 2012-08-15 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Tri-color white light led lamp |
EP1413618A1 (en) | 2002-09-24 | 2004-04-28 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Luminescent material, especially for LED application |
CN1886483B (en) | 2003-09-24 | 2010-06-16 | 电灯专利信托有限公司 | Highly efficient LED-based illumination system featuring improved color rendering |
WO2005068584A1 (en) | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and including the same, light emitting apparatus, illuminating apparatus and image display |
-
2006
- 2006-04-07 DE DE102006016548.9A patent/DE102006016548B9/en active Active
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008021662A1 (en) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh | LED with multi-band phosphor system |
US9290618B2 (en) | 2011-08-05 | 2016-03-22 | Sabic Global Technologies B.V. | Polycarbonate compositions having enhanced optical properties, methods of making and articles comprising the polycarbonate compositions |
US9957351B2 (en) | 2011-08-05 | 2018-05-01 | Sabic Global Technologies B.V. | Polycarbonate compositions having enhanced optical properties, methods of making and articles comprising the polycarbonate compositions |
WO2013041377A1 (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-28 | Osram Ag | Light source comprising a luminescent substance and associated illumination unit |
US9761767B2 (en) | 2011-09-23 | 2017-09-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light source comprising a luminescent substance and associated illumination unit |
US8962117B2 (en) | 2011-10-27 | 2015-02-24 | Sabic Global Technologies B.V. | Process for producing bisphenol A with reduced sulfur content, polycarbonate made from the bisphenol A, and containers formed from the polycarbonate |
US9490405B2 (en) | 2012-02-03 | 2016-11-08 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Light emitting diode device and method for production thereof containing conversion material chemistry |
US9711695B2 (en) | 2012-02-03 | 2017-07-18 | Sabic Global Technologies B.V. | Light emitting diode device and method for production thereof containing conversion material chemistry |
WO2013116697A1 (en) | 2012-02-03 | 2013-08-08 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Light emitting diode device and method for production thereof containing conversion material chemistry |
US9299898B2 (en) | 2012-02-29 | 2016-03-29 | Sabic Global Technologies B.V. | Polycarbonate compositions containing conversion material chemistry and having enhanced optical properties, methods of making and articles comprising the same |
WO2013130606A2 (en) | 2012-02-29 | 2013-09-06 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Polycarbonate made from low sulfur bisphenol a and containing converions material chemistry, and articles made therefrom |
US9287471B2 (en) | 2012-02-29 | 2016-03-15 | Sabic Global Technologies B.V. | Polycarbonate compositions containing conversion material chemistry and having enhanced optical properties, methods of making and articles comprising the same |
WO2013130610A1 (en) | 2012-02-29 | 2013-09-06 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Polycarbonate compositions containing conversions material chemistry and having enhanced optical properties, methods of making and articles comprising the same |
US9771452B2 (en) | 2012-02-29 | 2017-09-26 | Sabic Global Technologies B.V. | Plastic composition comprising a polycarbonate made from low sulfur bisphenol A, and articles made therefrom |
EP3284802A1 (en) | 2012-02-29 | 2018-02-21 | SABIC Global Technologies B.V. | Polycarbonate compositions containing conversion material chemistry and having enhanced optical properties, methods of making and articles comprising the same |
US9903541B2 (en) | 2012-07-31 | 2018-02-27 | Osram Gmbh | Device for providing electromagnetic radiation |
DE102012213467A1 (en) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Osram Gmbh | DEVICE FOR PROVIDING ELECTROMAGNETIC RADIATION |
DE102012213467B4 (en) | 2012-07-31 | 2023-12-07 | Coretronic Corporation | DEVICE FOR PROVIDING ELECTROMAGNETIC RADIATION |
WO2014066784A1 (en) | 2012-10-25 | 2014-05-01 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Light emitting diode devices, method of manufacture, uses thereof |
US9821523B2 (en) | 2012-10-25 | 2017-11-21 | Sabic Global Technologies B.V. | Light emitting diode devices, method of manufacture, uses thereof |
US9346949B2 (en) | 2013-02-12 | 2016-05-24 | Sabic Global Technologies B.V. | High reflectance polycarbonate |
WO2014186548A1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-20 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Branched polycarbonate compositions having conversion material chemistry and articles thereof |
US9553244B2 (en) | 2013-05-16 | 2017-01-24 | Sabic Global Technologies B.V. | Branched polycarbonate compositions having conversion material chemistry and articles thereof |
US9772086B2 (en) | 2013-05-29 | 2017-09-26 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Illuminating devices with color stable thermoplastic light transmitting articles |
US9006378B2 (en) | 2013-05-29 | 2015-04-14 | Sabic Global Technologies B.V. | Color stable thermoplastic composition |
US9745511B2 (en) | 2013-08-08 | 2017-08-29 | Merck Patent Gmbh | Phosphors |
WO2015018474A1 (en) * | 2013-08-08 | 2015-02-12 | Merck Patent Gmbh | Luminescent substances |
WO2017077446A1 (en) | 2015-11-05 | 2017-05-11 | Sabic Global Technologies B.V. | Process for manufacturing a polymer composition comprising a densified polymer and a conversion material |
WO2018005440A1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-04 | Sabic Global Technologies B.V. | Method to improve remote phosphor optical properties in polycarbonate |
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