DE102005041877A1 - A process for producing silicon-containing surfaces and optoelectronic devices - Google Patents

A process for producing silicon-containing surfaces and optoelectronic devices

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Abstract

Es wird ein Verfahren beschrieben zur Texturierung von siliziumhaltigen Oberflächen und Bauelementen. There is described a method for texturing of silicon-containing surfaces and components. Dazu wird eine metallhaltige Schicht auf die siliziumhaltige Oberfläche gebracht und diese Oberfläche dann in einer Lösung aus HF oder NH 4 F oder Mischungen davon und einem Oxidationsmittel geätzt. For this purpose, a metal-containing layer is applied to the silicon-containing surface and this surface then etched in a solution of HF or NH 4 F or mixtures thereof, and an oxidizing agent. Die Oberfläche zeigt nach der Texturierung eine Oberflächenstruktur mit typischen Strukturgrößen von 50 bis 250 nm. Die Reflektivität der siliziumhaltigen Oberfläche wird durch das Verfahren typischerweise auf weniger als 5% reduziert, wie in der Abbildung am Beispiel der Reflexion einer mit dem Verfahren texturierten einkristallinen Siliziumoberfläche gezeigt ist. The surface facing the texturing a surface structure with typical structure sizes of 50 to 250 nm. The reflectivity of the silicon-containing surface is typically reduced by the process to less than 5%, such as a textured in the illustration the example of the reflection with the method shown monocrystalline silicon surface is. Das Verfahren lässt sich auf Materialien unterschiedlicher struktureller Modifikation (ein-, poly-, mikro-, nano-, protokristallin oder amorph), Orientierung, Legierung und Dotierung anwenden und ist insbesondere auch für Bauelemente geeignet, die mit Hilfe von Dünnschichttechnik hergestellt werden. The method can be applied to materials of different structural modification (mono-, poly-, micro-, nano-, proto crystalline or amorphous), apply orientation alloy and dopant and is particularly suitable for components which are manufactured using thin film technology. Bauelemente, deren Oberflächen mit Hilfe dieses Verfahrens texturiert sind, können vorteilhaft als Solarzellen, Photodetektoren, Leuchtdioden oder zur Ein- und Auskopplung von Licht in Wellenleitern verwendet werden. Components whose surfaces are textured by this method can be advantageously used as solar cells, photodetectors, light emitting diodes or for coupling in and out light in waveguides.

Description

  • Silizium ist das am meisten verwendete Ausgangsmaterial für die Herstellung von Solarzellen für die photovoltaische Energieumwandlung und von Photodetektoren. Silicon is the most commonly used raw material for the production of solar cells for the photovoltaic energy conversion and of photodetectors. Jedoch zeigen flache, ebene Siliziumoberflächen eine hohe Reflektivität, die im für photovoltaische Anwendungen interessanten Spektralbereich von 1000 bis 400 nm Wellenlänge von 35 auf 53% anwächst. However, flat, planar silicon surfaces exhibit a high reflectivity, which increases the interest for photovoltaic applications spectral range 1000-400 nm wavelength of 35 to 53%. Diese Reflektivität führt dazu, dass nicht alle, auf die Oberfläche einfallenden Photonen auch in das optoelektronische Bauelement eindringen und dort absorbiert werden können. This reflectivity means that do not penetrate all the light incident on the surface of photons in the optoelectronic component and can be absorbed there. Die Gesamteffizienz der Energieumwandlung ist deshalb geringer als theoretisch möglich. The overall efficiency of energy conversion is therefore lower than theoretically possible. Daher werden seit Jahren andere Oberflächen und Verfahren zu ihrer Herstellung entwickelt, die eine möglichst niedrige Reflektivität besitzen und somit einen möglichst vollständigen Übertritt des einfallenden Lichtes in das Bauelement ermöglichen. Therefore, for years other surfaces and procedures are developed for their preparation, which have a very low reflectivity and thus enable the fullest possible transfer of the incident light into the component.
  • Sehr häufig werden zur Reduktion der Reflektivität Antireflexschichten verwendet, die auf Interferenz beruhen. Very often, anti-reflective coatings are used to reduce the reflectivity based on interference. Solche Schichten reduzieren die Reflektivität allerdings nur in einem beschränkten Spektralbereich. However, such coatings reduce the reflectivity only in a limited spectral range. Verschiedene Metalloxide oder Dielektrika wie SiO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , ZnS, ZnO, Indium-Zinn-Oxid (ITO) und Si 3 N 4 werden als Antireflexschichten auf Si verwendet und werden iA durch Gasphasenabscheidung, Aufdampfen oder Sputtern auf die Oberfläche der optoelektronischen Bauelemente aufgebracht. Various metal oxides or dielectrics such as SiO 2, TiO 2, Ta 2 O 5, ZnS, ZnO, indium tin oxide (ITO) and Si 3 N 4 are used as anti-reflective layers on Si and iA by vapor deposition, vapor deposition or sputtering on the applied to the surface of the optoelectronic components. Typischerweise kann durch die Verwendung solcher Antireflexschichten die über den relevanten Spektralbereich gemittelte Reflektivität auf 10 bis 15% reduziert werden. Typically, the averaged over the relevant spectral reflectivity can be reduced to 10 to 15% by the use of such anti-reflection layers. Diese Reduktion ist aber noch nicht zufriedenstellend, eine weitere Reduktion der Reflektivität auf 0 würde eine Erhöhung der Energiewandlungseffizienz der Solarzellen um 10 bis 15% erlauben. but this reduction is not yet satisfactory, a further reduction in reflectivity to 0 would allow an increase in energy conversion efficiency of solar cells by 10 to 15%. Vorteil dieser Antireflexschichten ist, dass sie auf den unterschiedlichsten Siliziummaterialien aufgebracht werden können (ua ein-, multi- oder poly-, mikro-, nano-, protokristallines und amorphes Silizium), unterschiedlicher Orientierung und Dotierung. The advantage of this anti-reflective layers, they can be applied to a wide variety of silicon materials (such as mono-, multi- or poly-, micro-, nano-, proto crystalline and amorphous silicon), a different orientation and doping.
  • Eine alternative Methode der Herstellung solcher Antireflexschichten wird in A. Prasad et al., J. Electrochemical Society Vol. 129, S. 596 (1982) beschrieben. An alternative method of preparing such anti-reflection layers will be described in A. Prasad et al., J. Electrochemical Society Vol. 129, p 596 (1982). In diesem Verfahren werden zunächst durch elektrochemisches Ätzen nanoporöse Siliziumschichten hergestellt, die dann in einem zweiten Schritt oxidiert werden. In this method, nanoporous silicon layers are first prepared by electrochemical etching, which are then oxidized in a second step. Die optischen Eigenschaften solcher Antireflexschichten, die aus dem Siliziummaterial des optoelektronischen Bauelementes hergestellt werden, sind vergleichbar mit den Eigenschaften von SiO x -Schichten, die auf die optoelektronischen Bauelemente aufgebracht werden. The optical properties of such anti-reflection layers that are made of the silicon material of the optoelectronic component, are comparable with the properties of SiO x layers, which are applied to the optoelectronic components.
  • Antireflexschichten können auch aus mehreren Lagen unterschiedlicher Materialien bestehen. Anti-reflection layers may also consist of several layers of different materials. Solche Antireflexschichten können eine wesentlich niedrigere Reflektivität auch über einen größeren Spektralbereich hinweg erzeugen, sind jedoch technologisch wesentlich aufwendiger. Such anti-reflective layers can produce a much lower reflectivity also over a wider spectral range, but are technologically much more complex. Hinzu kommt, dass die Reflektivität solcher Schichten oft stark vom Einfallswinkel des Lichtes abhängt. In addition, the reflectivity of such layers often highly dependent on the angle of incidence of light.
  • Ein alternativer Zugang zur Unterdrückung der Reflektion über einen großen Spektralbereich stellt die Oberflächentexturierung dar. Aufgrund von Vielfachreflektion an verkippten Bereichen der Oberfläche, die zB durch pyramidale Strukturen realisiert werden können, erhöht sich die Wahrscheinlichkeit, dass Photonen in das optoelektronische Bauelement eindringen. An alternative approach for suppressing the reflection over a wide spectral range represents the surface texturing. Because of multiple reflection at tilted portions of the surface, for example, can be realized by pyramidal structures, increases the likelihood that photons penetrate into the optoelectronic component. Die typische Kantenlänge solcher Strukturen, die durch anisotropes Ätzen in KOH/C 2 H 5 OH erzeugt werden, liegt im Bereich einiger Mikrometer. The typical length of such edge structures 5 OH are produced by anisotropic etching in KOH / H 2 C is in the range of several micrometers. Die Anwendung dieses Verfahrens ist jedoch auf einkristallines Si mit einer (100)-Orientierung beschränkt. The application of this method is, however, limited to monocrystalline Si having a (100) orientation. Wegen der großen Tiefe von einigen Mikrometern der mit diesem Verfahren gewonnenen Strukturen ist das Verfahren auch nur begrenzt auf Dünnschicht-Bauelemente anwendbar. Because of the large depth of several micrometers of the structures obtained with this method, the method is also limited applicable to thin film devices.
  • Die Texturierung von Siliziumorberflächen mit Strukturen, deren typische Größe kleiner als ein Mikrometer ist, wird in The texturing of Siliziumorberflächen with structures whose typical size is less than one micron, is in US 8.091.021 US 8,091,021 beschrieben. described. In diesem Verfahren werden technologisch aufwendige Schritte wie reaktives Ionenätzen und Mikromasken aus SiO 2 benötigt, die mittels Gasphasenabscheidung hergestellt werden. In this method, technologically complicated steps such as reactive ion etching and micro masks made of SiO 2 are needed, which are produced by vapor deposition. PCT/L1S41/24340 beschreibt ein alternatives Verfahren, bei dem ebenfalls reaktives Ionenätzen eingesetzt wird. PCT / L1S41 / 24340 describes an alternative method in which also reactive ion etching is used. In diesem Verfahren müssen in der Ätzkammer Cr, Au, Cu, Al, Pd oder Ti vorhanden sein, die durch den Ionenätzprozess abgetragen werden und auf die zu texturierende Oberfläche aufgebracht werden. In this method, Cr, Au, Cu, Al, Pd or Ti have to be present in the etching chamber, which are eroded by the ion etching process and applied to the surface to be textured. Die so entstehende Mikromaske erlaubt dann die Bildung einer Oberflächentextur, die die gewünschte Reduktion der Reflektivität zeigt. The resulting micro-mask then allows the formation of a surface texture which exhibits the desired reduction of reflectivity. Dieses Verfahren hat jedoch verschiedene Nachteile. However, this method has several disadvantages. So ist zB eine gleichmäßige Textur entscheidend von der genauen Positionierung der Metalltargets in der Ätzkammer abhängig, Flächen größer als etwa 10 × 10 cm 2 lassen sich mit diesem Verfahren nur schwer lateral homogen texturieren. Thus, a uniform texture is for example critically dependent on the accurate positioning of the metal target in the etch chamber, areas greater than about 10 x 10 cm 2 can be textured with this method difficult to laterally homogeneous. Hinzu kommen Defekte aufgrund des Ionenätzvorgangs, die die elektronischen Eigenschaften des Bauelementes negativ beeinflussen können, und die ggf. eine nachfolgende Entfernung der obersten Schicht zB durch einen nasschemischen Ätzprozess notwendig machen. Added defects due to ion etching, which may adversely affect the electronic properties of the component, and if necessary, make the subsequent removal of the uppermost layer, for example, by a wet chemical etching process is necessary.
  • Im Gegensatz zu diesen Verfahren stellt das im folgenden offengelegte Verfahren eine Methode dar, mit dem auf Oberflächen von Silizium-haltigen Materialien und Bauelementen eine Texturierung mit Strukturgrößen unterhalb eines Mikrometers erzeugt werden kann, wobei die Materialien und Bauelemente unterschiedliche strukturelle Modifikation (einkristallin, multi- oder polykristallin, mikrokristallin, protokristallin, amorph), chemische Zusammensetzung (reines Silizium bzw. Legierungen des Siliziums mit Kohlenstoff, Germanium, Sauerstoff und/oder Wasserstoff), Dotierung und ggf. Orientierung besitzen können. In contrast to these methods, the disclosed in the following procedure presents a method, on surfaces of silicon-containing materials and components texturing with feature sizes below one micron can be produced by, the materials and devices different structural modification (single crystalline, multi- or polycrystalline, microcrystalline, proto crystalline, amorphous), chemical composition (pure silicon or alloys of silicon with carbon, germanium, oxygen and / or hydrogen), and optionally can have doping orientation. Das Verfahren führt zu einer drastischen Verringerung der Reflektivität und besteht aus möglichst einfachen Prozessschritten, die sich insbesondere mühelos auf die Bearbeitung großer Flächen skalieren lassen. The method leads to a drastic reduction in the reflectivity and consists of simple process steps as possible, which can be particularly easily scalable for processing large surfaces.
  • Das Verfahren besteht erfindungsgemäß aus zwei Schritten: (i) dem Aufbringen einer dünnen, metallhaltigen Schicht auf die Oberfläche und (ii) einem Ätzschritt, bei dem die so gewonnene Oberfläche einer Lösung ausgesetzt wird, die HF oder NH 4 F oder Mischungen daraus und ein Oxidationsmittel enthält. The process consists according to the invention consists of two steps: (i) the application of a thin, metal-containing layer on the surface, and (ii) an etching step in which the surface thus obtained is exposed to a solution containing HF or NH 4 F or mixtures thereof and a contains an oxidizing agent.
  • In dem ersten Schritt wird eine dünne metallhaltige Schicht aufgebracht. In the first step, a thin metal-containing layer is applied. Diese Schicht kann aus den chemischen Elementen Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Cs, Ba, Hf Ta, W, Re, os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Bi, oder aus Lanthaniden bestehen, bevorzugt aus Au, Pt, Pd, Ag, Cr oder Ni. This layer may be composed of the chemical elements Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag , Cd, In, Sn, Cs, Ba, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Bi, or of the lanthanides are made, preferably made of Au, Pt, Pd, Ag, Cr or Ni. Die metallhaltige Schicht kann aber auch aus Mischungen dieser chemischen Elemente bestehen, aus metallorganischen Molekülen oder aus metallhaltigen Polymeren bestehen, die ua diese chemischen Elemente beinhalten. However, the metal-containing layer can also consist of mixtures of these chemical elements, consist of organometallic molecules or from metal-containing polymers include, among others, these chemical elements. Bevorzugt haben diese Schichten eine effektive Dicke von 0.001 bis 100 nm, lateral gemittelt über die zu strukturierende Oberfläche. these layers preferably have an effective thickness of 0001-100 nm, lateral averaged over the surface to be patterned.
  • Diese Schichten können erfindungsgemäß durch Sputtern, bevorzugt in einer Argonatmosphäre bei einem Druck von 0.005 bis 50 mbar, durch Aufdampfen aus thermisch oder durch Elektronenstrahl geheizten Quellen, durch elektrodenlose Abscheidung, bevorzugt aus einer Lösung, die HF und Metallionen enthält, besonders bevorzugt aus einer Lösung, die KPtCl 6 , KAuCl 4 , HAuCl 4 , K 2 PdCl 6 , AgNo 3 oder NiSO 4 oder Mischungen davon enthält, durch chemische, physikalische oder thermische Gasphasenabscheidung, ausgehend zB von metallorganischen Verbindungen oder Metallhydriden, durch Selbstassemblierung von Polymeren, bevorzugt von metallhaltigen Diblock-Copolymeren, durch Eintauchen oder Drucken aufgebracht werden. These layers may according to the invention by sputtering, preferably in an argon atmosphere at a pressure from 0005 to 50 mbar, by evaporation from the heated thermally or by electron beam sources, by electroless deposition, preferably from a solution containing HF and metal ions, particularly preferably from a solution containing KPtCl 6, KAuCl 4, HAuCl 4, K 2 PdCl 6, AgNO 3 or NiSO 4 or mixtures thereof, metal-containing chemical, physical or thermal vapor deposition, starting, for example, organometallic compounds or metal hydrides, by self-assembly of polymers, preferably from diblock copolymers may be applied by dipping or printing.
  • Die Silizium-haltige Oberfläche wird während des Aufbringens der metallhaltigen Schicht erfindungsgemäß auf Temperaturen von –50°C bis 800°C gehalten, bevorzugt auf Temperaturen von –50°C bis 200°C. The silicon-containing surface is maintained during deposition of the metal-containing layer according to the invention at temperatures of -50 ° C to 800 ° C, preferably to temperatures of -50 ° C to 200 ° C. Besonders bevorzugt wird die Temperatur der Silizium-haltigen Oberfläche während dieses Verfahrensschrittes nicht kontrolliert, die Oberflächentemperatur beträgt in diesem Fall zwischen 0°C bis 100°C. the temperature of the silicon-containing surface is preferably not controlled during this process step, the surface temperature in this case is between 0 ° C to 100 ° C.
  • Bevorzugt ist die metallhaltige Schicht vor dem Ätzschritt lateral strukturiert, dh ihre Dicke ist nicht konstant. the metal-containing layer is preferably laterally structured before the etching step, that is, its thickness is not constant. Besonders bevorzugt wird eine metallhaltige Schicht, die nicht durchgängig (oder diskontinuierlich) ist und aus einzelnen metallhaltigen Inseln oder Clustern aus besteht. a metal-containing layer is not continuous (or discontinuous) and consists of individual metal-containing islands or clusters from being particularly preferred. Ganz besonders bevorzugt werden metallhaltige Strukturen, deren typische Strukturgröße (Kantenlänge bzw. Durchmesser) kleiner als 200 nm ist. metal-containing structures, the typical feature size (side length or diameter) is smaller than 200 nm are most preferred. Solche Strukturen lassen sich durch lithographische Methoden (Photolithographie oder Elektronenstrahllithographie, gefolgt von nasschemischem oder ggf. Ionenätzen) erzeugen. Such structures can be produced by lithographic methods (photolithography or electron beam lithography followed by wet-chemical or ion etching if necessary) produce. Bevorzugt wird die Bildung solcher Strukturen durch die Wahl der Prozessparameter direkt bei der Herstellung der metallhaltigen Schicht, durch thermische Nachbehandlung der metallhaltigen Schicht, bevorzugt bei Temperaturen von 100°C bis 800°C, durch Ätzprozesse wie zB den RCA Standard Clean 2-Prozess ohne vorhergehende Lithographie oder durch Ätzprozesse, die organische Molekülreste oder Polymere entfernen. the formation of such structures by the choice of the process parameters directly in the preparation of the metal-containing layer, by thermal after-treatment of the metal-containing layer, preferably at temperatures of 100 ° C to 800 ° C, by etching processes such as is preferred the RCA Standard Clean 2 process without previous lithography or etching processes remove organic molecule residues or polymers.
  • Der zweite erfindungsgemäße Schritt ist das nasschemische Ätzen der so gewonnenen metallisierten Oberfläche in einer Lösung, die HF oder NH 4 F oder Mischungen daraus und ein Oxidationsmittel enthält. The second step of the invention is the wet chemical etching of the thus obtained metallized surface in a solution containing HF or NH 4 F or mixtures thereof and containing an oxidizing agent. Bevorzugt werden wässrige Lösungen von HF oder NH 4 F mit Konzentrationen von 1 bis 40%. Aqueous solutions of HF or NH 4 F at concentrations of 1 to 40% are preferred. Bevorzugte Oxidationsmittel sind H 2 O 2 , O 3 , O 2 , K 2 Cr 2 O 7 , CrO 3 , KIO 3 , KBro 3 , NaNO 2 , HNO 3 , KMnO 4 oder eine Mischung davon, besonders bevorzugt ist H 2 O 2 in einer Konzentration von 1 bis 30%. Preferred oxidizing agents are H 2 O 2, O 3, O 2, K 2 Cr 2 O 7, CrO 3, KIO 3, KBrO 3, NaNO 2, HNO 3, KMnO 4, or a mixture thereof, most preferably H 2 O 2 in a concentration of 1 to 30%. Bevorzugt wird dieser zweite Prozessschritt bei Temperaturen von –50°C bis 200°C durchgeführt. This second process step is preferably carried out at temperatures of from -50 ° C to 200 ° C. Besonders bevorzugt ist, dass die Temperatur der Lösung in diesem Prozessschritt nicht kontrolliert wird, die Temperatur der Lösung beträgt dann zwischen 0°C und 100°C. that the temperature of the solution is not controlled in this process step is particularly preferred, the temperature of the solution is then between 0 ° C and 100 ° C.
  • Fakultativ kann das Verfahren durch Reinigungsschritte, bevorzugt in Wasser, und durch Prozessschritte, die die metallhaltige Schicht entfernen, abgeschlossen werden. Optionally, the method can be completed by purification steps, preferably in water, and by process steps that remove the metal-containing layer.
  • In Abwesenheit einer Metallisierungsschicht auf der Silizium-haltigen Oberfläche, führt das Einbringen in die HF-haltige Ätzlösung iA nicht zu einer Oberflächentexturierung. In the absence of a metallization layer on the silicon-containing surface, placing in the HF-containing etching solution does not iA to surface texturing. Die einzige Ausnahme bildet stark p-Typ dotiertes Silizium, auf dessen Oberfläche sich langsam ein poröser Siliziumfilm bildet. The only exception is heavily p-type doped silicon, slowly forms on the surface of a porous silicon film. Alle Siliziumoberflächen werden von der HF-haltigen Ätzlösung langsam, isotrop und ohne Strukturbildung poliert, mit einer Ätzrate von etwa 0.15 nm/min. All silicon surfaces are slowly from the HF-containing etching solution, isotropic and polished without forming structure, at an etch rate of about 0.15 nm / min. Bei Anwesenheit einer Metallisierung erfolgt jedoch mit einer Ätzgeschwindigkeit von 150 bis 250 nm/min eine Texturierung der Silizium-haltigen Oberflächen. In the presence of a metallization, however, surfaces is carried out with an etching speed of 150 to 250 nm / min, a texturing of the silicon-containing. Dieser, auf eine katalytische Wirkung der Metalle zurückzuführende Ätzprozess ist wesentlich schneller als die Ätzprozesse ohne Metallisierung, sodass die langsamen Prozesse selbst im Fall von p-Typ dotiertem Silizium die Texturbildung und die damit einhergehende Veränderung der optischen Eigenschaften nicht stören. This, due to a catalytic effect of the metal etching process is much faster than the etching processes without metallization, so the slow process even in the case of p-type doped silicon not disturb the texture formation and the associated change in optical properties. Die Edelmetalle Au, Pt und Pd zeigen eine höhere Resistenz gegen die HF-haltige Ätzlösung als zB Cr, Ni oder Ag, sodass die für die Texturierung notwendige effektive Dicke der metallhaltigen Schicht bei den Edelmetallen geringer sein kann. The noble metals Au, Pt and Pd have a higher resistance to the HF-containing etching solution than, for example Cr, Ni or Ag, so that the time necessary for the texturing effective thickness of the metal-containing layer may be lower in the precious metals.
  • Wegen des isotropen Ätzcharakters der HF-haltigen Ätzlösung (im Gegensatz zu den bisher zur nasschemischen Texturierung verwendeten, anisotropen Ätzlösungen auf der Basis von KOH), ist das hier beschriebene Verfahren anwendbar auf alle strukturellen Modifikationen Silizium-haltiger Materialien: Oberflächen von Einkristallen aller Orientierungen, Oberflächen von multi- oder polykristallinen Materialien (bestehend aus Einkristallen mit typischen Kantenlängen von 1 μm bis 10 cm mit unterschiedlicher Orientierung), Oberflächen von mikrokristallinen Filmen (bestehend aus Kristalliten mit typischen Kantenlängen von 0.1 bis 100 μm), Oberflächen von nanokristallinen Filmen (bestehend aus Kristalliten mit typischen Kantenlängen von 1 bis 1000 nm), Oberflächen von amorphen Filmen und Oberflächen von protokristallinen Filmen, die kristallähnlich geordnete Bereiche mit einer Kantenlänge von 0.2 bis 1 nm in einer amorphen Matrix besitzen, sowie auf Oberflächen und Grenzflächen v Because of the isotropic Ätzcharakters the HF-containing etching solution (as opposed to the previously used for wet-chemical texturing, the anisotropic etching solutions on the basis of KOH), the method described herein is applicable to any structural modifications silicon-containing materials: surfaces of single crystals of all orientations, surfaces of multi- or polycrystalline materials (consisting of single crystals with typical edge lengths of 1 micron to 10 cm with different orientation), surface of micro-crystalline films (consisting of crystallites with typical edge lengths of 0.1 to 100 microns), the surfaces of the nanocrystalline films (consisting crystallites with typical edge lengths of 1 to 1000 nm), the surfaces of amorphous films and surfaces of proto crystalline films possess in an amorphous matrix, the crystal similarly ordered regions with an edge length of 0.2 to 1 nm, as well as on surfaces and interfaces v on optoelektronischen Bauelementen, die aus diesen Modifikationen Silizium-haltiger Materialien bestehen. on optoelectronic devices, which consist of these modifications, silicon-containing materials. Die Texturierung ist unabhängig von der Dotierung (Art und Konzentration des Dotanden) und kann deshalb auf Oberflächen von Silizium-haltigen Materialien oder von Schichten optoelektronischer Bauelemente angewendet werden, die dotiert sind. The texturing is independent of the doping (type and concentration of the dopant), and therefore can be applied to surfaces of silicon-containing materials or layers of optoelectronic devices that are doped. Die zu texturierenden Materialien können dabei erfindungsgemäß mit jedem, die elektronischen Eigenschaften verändernden chemischen Element, bevorzugt mit B, Al, Ga, In, P, As, Sb, S oder Se dotiert sein. The materials can be textured according to the invention be doped with each, the electronic properties of changing chemical element, preferably B, Al, Ga, In, P, As, Sb, S or Se. Darüberhinaus eignet sich das offenbarte Verfahren, Silizium-haltige Legierungen mit Wasserstoff, Sauerstoff, Germanium, Kohlenstoff oder Mischungen davon zu texturieren, in denen bis zu 90% der Atome nicht Siliziumatome sind. In addition, the disclosed method, silicon-containing alloys with hydrogen, oxygen, germanium, carbon or mixtures suitable to texture thereof in which up to 90% of the atoms are not silicon atoms. Insbesondere eignet sich das Verfahren zur Texturierung amorpher hydrogensierter Siliziumfilme und amorpher hydrogenisierter SiGe- bzw. SiC-Legierungen, sowie zur Texturierung der entsprechenden mikrokristallinen Filme. In particular the method is suitable for texturing amorphous silicon films and amorphous hydrogen lized hydrogenisierter SiGe or SiC alloys, as well as for texturing of the corresponding microcrystalline films.
  • Dieses Verfahren benutzt wohletablierte und einfache Prozessschritte, die kompatibel mit herkömmlichen Verfahren zur Herstellung von optoelektronsichen Bauelementen auf der Basis von Silizium sind. This method utilizes well established and simple process steps, which are compatible with conventional methods for the production of opto-electro Sichen components on the basis of silicon. Wegen der geringen Strukturhöhe eignet sich das Verfahren auch hervorragend zur Herstellung von nichtreflektierenden Oberflächen dünner Halbleiterfilme oder von Bauelementen, die mit Dünnfilmtechnik hergestellt werden. Because of the small structural height, the method is also eminently suitable for the preparation of non-reflective surfaces of semiconductor thin films or of components that are manufactured with thin film technology. Das Verfahren benötigt in den meisten Realisierungen keine erhöhten Prozesstemperaturen, und ist damit geeignet, auf metastabile Materialien wie zB amorphe Dünnfilme angewendet zu werden. The process requires in most implementations not elevated process temperatures, making it suitable to be applied to metastable materials such as amorphous thin films. Auf der anderen Seite halten die gewonnenen Strukturen nachfolgende Prozessschritte bei hohen Temperaturen ohne eine entscheidende Änderung der strukturellen und optischen Eigenschaften aus. On the other hand, the structures obtained keep from subsequent process steps at high temperatures without a significant change of the structural and optical properties. In diesem Verfahren kann die Herstellung der metallhaltigen Schicht von dem Ätzprozess getrennt werden, sodass die Teilschritte unabhängig optimiert werden können und damit die gewünschten optische Eigenschaften der texturierten Oberflächen und Bauelemente erreicht werden können. In this method, the preparation of the metal-containing layer from the etching process may be separated so that the individual steps may be optimized independently, and hence the desired optical properties of the textured surfaces, and components can be achieved.
  • Die metallhaltige Schicht kann erfindungsgemäß durch Aufdampfen oder Sputtern erzeugt werden. The metal-containing layer can be produced according to the invention by vapor deposition or sputtering. Um direkt bei dem Aufbringen der Schicht eine lateral strukturierte Metallschicht zu erhalten, werden dünne Filme, bevorzugt mit einer nominellen Schichtdicke von unter 5 nm, bei sehr geringen Depositionsraten aufgebracht, vorzugsweise unter 1 nm/s. In order to obtain a laterally patterned metal layer directly to the application of the layer are thin films, preferably applied at a nominal film thickness of less than 5 nm, at very low deposition rates, preferably below 1 nm / s. Zusätzlich fördert eine Argonatmosphäre bei höherem Druck während des Sputtervorgangs oder ein schlechtes Hintergrundvakuum während des Aufdampfprozesses die Bildung inhomogener Filme. In addition, at higher pressure during the sputtering or a bad background vacuum during the deposition process an argon atmosphere promotes the formation of inhomogeneous films. Im Falle der Verwendung von Goldfilmen beträgt der Anteil der Siliziumatome an der Oberfläche, die nicht durch Goldatome bedeckt sind, etwa 50% bei einer nominellen Schichtdicke des Goldfilms von 0.5 nm und etwa 10% bei einer nominellen Schichtdicke des Goldes von 4 nm, jeweils lateral gemittelt über die Oberfläche. In the case of using gold films, the proportion of silicon atoms on the surface that are not covered by gold atoms, about 50% at a nominal thickness of the gold film of 0.5 nm and about 10% at a nominal thickness of gold of 4 nm, respectively laterally averaged over the surface.
  • Ausführungsbeispiel 1: Embodiment 1:
  • Einkristalline Siliziumsubstrate beliebiger Orientierung und Dotierung werden gereinigt entweder mittels Aceton und Methanol oder durch den Piranha-Prozess (Ätzen für 10 min in H 2 SO 4 und H 2 O 2 im Verhältnis 3:1 bei 100°C). Single crystal silicon substrates of arbitrary orientation and doping are purified either by means of acetone and methanol or by Piranha process (etching for 10 min in H 2 SO 4 and H 2 O 2 in a ratio of 3: 1 at 100 ° C). Daraufhin werden die Substrate durch Ätzen für 1 min in verdünnter HF (5 Volumenprozent in H 2 O) vom Oxid befreit, in deionisiertem Wasser gespült und in einem N 2 -Gasstrahl getrocknet. Thereafter, the substrates by etching for 1 min are in diluted HF (5 volume percent in H 2 O) freed from the oxide, rinsed in deionized water and in a N 2 -Gasstrahl dried. Danach werden die Substrate unverzüglich in eine Sputteranlage eingebaut, die mit einem Goldtarget ausgestattet ist. Thereafter, the substrates are incorporated immediately in a sputtering system, which is equipped with a gold target. Durch Sputtern für 10 s bei einer Argonatmosphäre von 0.1 mbar, bei Zimmertemperatur und bei einer Depositionsrate von 0.3 nm/s wird ein diskontinuierlicher Goldfilm auf die Siliziumsubstrate aufgebracht. By sputtering for 10 seconds at an argon atmosphere of 0.1 mbar, at room temperature and at a deposition rate of 0.3 nm / s, a discontinuous gold film is deposited on the silicon substrates. Die nominelle Dicke des Goldfilms, lateral gemittelt über die Fläche des Substrates, beträgt dann etwa 3 nm. Die so metallisierten Siliziumsubstrate werden aus der Vakuumkammer entnommen, auf geeignete Probenhalter aus Teflon montiert und vertikal in die Ätzlösung (HF und H 2 O 2 in H 2 O, Volumenanteile 1:5:10) eingebracht. The nominal thickness of the gold film, laterally averaged over the surface of the substrate then is about 3 nm. The thus metallized silicon substrates are removed from the vacuum chamber mounted on suitable sample holder made of Teflon and vertically (in the etching solution HF and H 2 O 2 in H 2 O, by volume of 1: 5: 10) introduced. Der Ätzvorgang wird bei Zimmertemperatur unter leichtem Rühren durchgeführt. The etching is carried out at room temperature with gentle stirring. Der Ätzvorgang wird nach etwa 60 bis 90 s beendet, wenn die Siliziumoberflächen eine gleichförmige, tiefschwarze Färbung angenommen haben. The etching process is to about 60 to 90 s terminated when the silicon surfaces have assumed a uniform, deep black color. Dazu werden die Substrate aus der Ätzlösung entfernt und in deionisiertem Wasser gespült. For this, the substrates are removed from the etching solution and rinsed in deionized water. Zum Entfernen der Goldschicht werden die Siliziumsubstrate schließlich für 2 min bei Zimmertemperatur in eine Standart-Goldätze (25 g I und 100 g KI pro Liter H 2 O) eingebracht, wiederum in deionisiertem Wasser gewaschen und trockengeblasen. To remove the gold layer, the silicon substrates are finally (25 g I and 100 g KI per liter H 2 O) was introduced for 2 min at room temperature in a standard-gold etch, again washed in deionized water and blown dry.
  • Alternativ kann die metallhaltige Schicht auch zunächst dicker, bevorzugt mit einer nominellen Dicke von 5 bis 15 nm, auf das Silizium-haltige Substrat aufgebracht werden und in einem Zwischenschritt strukturiert werden, zB durch Ätzen oder durch Tempern. Alternatively, the metal-containing layer may also be thicker at first, are preferably applied at a nominal thickness of 5 to 15 nm, the silicon-containing substrate and patterned in an intermediate step, for example by etching or by annealing. Die so gewonnenen diskontinuierlichen Filme sind ebenfalls zur Oberflächentexturierung geeignet. The thus obtained discontinuous films are also suitable for surface texturing.
  • Ausführungsbeispiel 2: Embodiment 2:
  • Siliziumsubstrate werden wie im Ausführungsbeispiel 1 gereinigt und mit Gold besputtert. Silicon substrates are cleaned as in Example 1 and sputtered with gold. Jedoch wird der Sputterprozess 35 s lang durchgeführt und so ein Goldfilm mit einer Dicke von etwa 10 nm erhalten. However, the sputtering process is 35 seconds long performed, and so obtain a gold film having a thickness of about 10 nm. Die metallisierten Substrate werden dann für 60 s auf eine Temperatur von 300°C erwärmt, nach dem Abkühlen auf geeignete Probenhalter montiert, in die HF-haltige Ätzlösung des Ausführungsbeispiels 1 transferiert und wie dort beschrieben weiter prozessiert. The metallized substrates are then heated for 60 seconds to a temperature of 300 ° C, mounted on a suitable sample holder, after cooling, transferred to the HF-containing etchant solution of the embodiment 1 and as described further processed there. Die so erhaltenen Oberflächen zeigen eine sehr homogene Texturierung und ein fast vollständiges Verschwinden der Reflektivität. The surfaces thus obtained show a very homogeneous texturizing and an almost complete disappearance of the reflectivity.
  • Ausführungsbeispiel 3: Embodiment 3:
  • Siliziumsubstrate werden wie im Ausführungsbeispiel 1 gereinigt und mit Gold besputtert. Silicon substrates are cleaned as in Example 1 and sputtered with gold. Jedoch wird der Sputterprozess 35 s lang durchgeführt und so ein Goldfilm mit einer Dicke von 10 nm erhalten. However, the sputtering process is 35 seconds carried out and obtain a gold film having a thickness of 10 nm. Die metallisierten Substrate werden dann auf geeignete Probenhalter montiert und für 10 min bei 70 bis 80°C einer Ätzlösung (RCA Standrad Clean 2) aus HCl und H 2 O 2 in Wasser (Volumenanteile 1:1:6) ausgesetzt, die Filme dieser Dicke nur teilweise entfernt. The metallized substrates are then mounted in a suitable sample holder, and for 10 min at 70 to 80 ° C an etching solution (RCA Standard Clean 2) of HCl and H 2 O 2 in water (by volume of 1: 1: 6) exposed, the films of this thickness only partially removed. Die so gewonnenen Substrate werden dann in die HF-haltige Ätzlösung des Ausführungsbeispiels 1 transferiert und wie dort beschrieben weiter prozessiert. The substrates thus obtained are then transferred to the HF-containing etchant solution of the embodiment 1 and as described further processed there.
  • Die metallhaltige Schicht kann auch durch Methoden aufgebracht werden, die nicht auf Vakuumtechnik basieren. The metal-containing layer can be applied by methods that are not based on vacuum technology. Eine erfindungsgemäße Möglichkeit stellt die elektrodenlose Abscheidung von Metallen dar, zB aus wässrigen Lösungen von HF und Metallionen. One way according to the invention, the electroless deposition of metals are, for example, from aqueous solutions of HF and metal ions. Zur Bildung der benötigten Metallionen können ua KPtCl 6 , KAuCl 4 , HAuCl 4 , K 2 PdCl 6 , AgNO 3 oder NiSO 4 verwendet werden. In order to form the required metal ions KAuCl 4, HAuCl 4, K 2 PdCl 6, AgNO 3 or NiSO 4 may be used, inter alia, KPtCl 6. Die Abscheidung kann bei Zimmertemperatur ohne Rühren erfolgen, bevorzugt auf ein vertikal orientiertes Substrat. The deposition can be done without stirring at room temperature, preferably to a vertically oriented substrate. Erfindungsgemäß werden Lösungen mit niedrigen Konzentrationen (0.0001 bis 0.01 molare Lösung der Salze und weniger als 5 Gewichtsprozent HF) bevorzugt. According to the invention solutions with low concentrations (0.0001 to 0.01 molar solution of the salts and less than 5 weight percent HF) are preferred. Die Abscheidung wird typischerweise nach 1 bis 10 min vor der Bildung eines kontinuierlichen Filmes durch Waschen in deionisiertem Wasser unterbrochen. The deposition is typically after 1 to 10 min interrupted by washing in deionized water prior to the formation of a continuous film. Die Herstellung der Oberflächentextur erfolgt dann in einer HF-haltigen Ätzlösung. The preparation of the surface texture is then carried out in an HF-containing etchant. Da die elektrodenlos gewonnenen metallhaltigen Schichten nur schwach auf den Oberflächen haften, ist es vorteilhaft, das Verfahren so durchzuführen, dass sich die Substrate immer in einer Flüssigkeit befinden. Since the electrodeless obtained metal-containing layers adhere only weakly to the surfaces, it is advantageous to carry out the process that the substrates are always in a liquid.
  • Ausführungsbeispiel 4: Embodiment 4:
  • Siliziumsubstrate werden wie im Beispiel 1 gereinigt. be cleaned as in Example 1 silicon substrates. Die Metalldeposition und das anschließende Ätzen werden im gleichen Gefäß durchgeführt, das mit Zu- und Ablauf ausgestattet ist. The metal deposition and subsequent etching, are performed in the same vessel, equipped with inlet and outlet. Das Gefäß wird zunächst mit einer Ätzlösung zum Entfernen des Oxids vom Siliziumsubstrat gefüllt (HF in H 2 O mit Volumenverhältnis 1:10). The vessel is first treated with an etching solution of the oxide removal from the silicon substrate is filled (HF in H 2 O with a volume ratio of 1:10). Die gereinigten Substrate werden in einem geeigneten Probenhalter vertikal in die Ätzlösung bei Zimmertemperatur eingebracht. The cleaned substrates are introduced into a suitable sample holder vertically in the etching solution at room temperature. Nach 30 s wird die Metallisierungslösung (0.1 g K 2 PdCl 6 in 1 l H 2 O) eingebracht, so dass 1% des Volumens der ursprünglichen Ätzlösung durch die Metallisierungslösung ersetzt wird. After 30 s, the plating solution is (0.1 g K 2 PdCl 6 in 1 l H 2 O) are introduced, so that 1% of the volume of the initial etching solution is replaced with the plating solution. Nach 30 min Reaktionszeit bei Zimmertemperatur ohne Rühren, während der sich ein diskontinuierlicher Pd-Film auf dem Substrate bildet, werden 25% des ursprünglichen Volumens durch eine H 2 O 2 Lösung (30 Volumenprozent in H 2 O) ersetzt. After 30 min reaction time at room temperature without stirring during which a discontinuous Pd film forms on the substrates, 25% of the original volume to be replaced by a H 2 O 2 solution (30 percent by volume in H 2 O). Der Texturierungsprozess wird nach etwa 60 bis 90 s unterbrochen, wenn die Siliziumoberflächen eine gleichförmige, tiefschwarze Färbung angenommen haben. The texturing is by about 60 to 90 s interrupted, when the silicon surfaces have assumed a uniform, deep black color. Die Substrate werden dann aus der Lösung genommen, unter einem Strahl deionisiertem Wasser, der auch die Pd-Metallisierung entfernt, gewaschen und in N 2 getrocknet. The substrates are then removed from the solution, deionized water under a beam, which also removes the Pd metallization, washed and dried in N 2.
  • In einer weiteren, erfindungsgemäßen Methode, die nicht auf Vakuumtechnik beruht, wird die metallhaltige Schicht durch Aufbringen von metallorganischen Substanzen oder durch Aufbringen von Polymeren, die Metalle in elementarer oder ionischer Form enthalten, auf die Oberfläche der Silizium-haltigen Schicht erzeugt. In a further inventive method which is not based on vacuum technology, the metal-containing layer, by applying metallo-organic substances, or by application of polymers, the metals contained in elementary or ionic form, formed on the surface of the silicon-containing layer. Dieses Aufbringen kann bevorzugt durch Aufdampfen, Drucken oder Eintauchen erfolgen. This application can preferably be effected by vapor deposition, printing or dipping. Erfindungsgemäß können auch zunächst Polymere aufgebracht werden, in die in einem zweiten Schritt Metalle in elementarer oder ionischer Form eingebracht werden. According to the invention polymers may also be applied first, be introduced into the in a second step metals in elemental or ionic form. Zur Entfernung der organischen Reste, der Umwandlung von Metallionen in elementare Cluster oder der Entfernung der Polymere kann die metallhaltige Schicht nachbehandelt werden, zB durch geeigneten Ionenbeschuß, Ätzen, Aufheizen oder Kombinationen davon. To remove the organic residues, the conversion of metal ions in elementary clusters or removal of the polymers of the metal-containing layer may be post-treated, for example by suitable ion bombardment, etching, heating or combinations thereof.
  • Ein erfindungsgemäß bevorzugtes Beispiel für ein solches Verfahren zum Aufbringen von metallhaltigen Polymeren auf Halbleiteroberflächen auf der Basis von Diblock-Copolymeren, die mit Edelmetallsalzen versetzt werden, wird in JP Spatz et al., Adv. Mater. An inventively preferred example of such a method of applying metal-containing polymers on semiconductor surfaces on the basis of diblock copolymers, which are mixed with the noble metal salts, Adv in JP Spatz et al.,. Mater. Vol. 11, S. 149 (1999) beschrieben. Vol. 11, p 149 (1999). Der Vorteil der Verwendung von Metallversetzten Diblock-Copolymeren ist ihre Selbstorganisation, die eine regelmäßige räumliche Anordnung von Metallclustern auf der Silizium-haltigen Schicht erzeugt und zu einer lateral homogenen Änderung der Reflektion führt. The advantage of the use of metal offset diblock copolymers is their self-organization, which produces a regular spatial arrangement of metal clusters on the silicon-containing layer, leading to a laterally homogeneous change of the reflection. Im Gegensatz zu dem in Spatz et al. In contrast to the in Sparrow et al. beschriebenen Verfahren, die mit Diblock-Copolymeren beschichteten Halbleiteroberflächen mit Hilfe von Ionenstrahlen zu strukturieren, verwendet die hier offenbarte Methode ein nasschemisches Ätzen, bei dem die Bildung von Defekten durch Ionenbeschuß vermieden wird. A method to structure the coated diblock copolymers semiconductor surfaces by means of ion beam described, the presently disclosed method uses a wet chemical etching, in which the formation of defects is avoided by ion bombardment.
  • Ausführungsbeispiel 5: Embodiment 5:
  • Siliziumsubstrate werden wie im Ausführungsbeispiel 1 gereinigt. are purified as in the embodiment 1, silicon substrates. 500 mg Polystyrene(1700)-block-poly(2-vinylpyridine)(450) (die Zahl in Klammern gibt die Anzahl der Monomereinheiten in jedem Block an) wird in 100 ml Toluen gelöst. Polystyrene 500 mg (1700) -block-poly (2-vinylpyridine) (450) (the number in parentheses indicates the number of monomer units in each block on) is dissolved in 100 ml toluene. In die Lösung wird HAuCl 4 in einem stoichiometrischen Verhältnis von HAuCl 4 /2-vinylpyridine von 2 zu 5 gegeben. In the solution of HAuCl 4 is added in a stoichiometric ratio of HAuCl 4/2-vinylpyridine of 2 to 5 hours. Die Siliziumsubstrate werden vertikal in die Polymerlösung eingebracht und mit einer Geschwindigkeit von 10 mm/min herausgezogen, wobei sich ein Polymerfilm bildet. The silicon substrates are vertically introduced into the polymer solution and withdrawn at a rate of 10 mm / min, thereby forming a polymer film. Der Polymerfilm wird bei einer Temperatur von 130°C für 2 h getempert, nach dem Abkühlen auf geeignete Probenhalter montiert, in die HF-haltige Ätzlösung des Ausführungsbeispiels 1 transferiert und wie dort beschrieben weiter prozessiert. The polymer film is annealed at a temperature of 130 ° C for 2 h, after cooling, mounted on suitable sample holder, transferred to the HF-containing etchant solution of the embodiment 1 and as described further processed there.
  • 1 1 zeigt die Oberflächenstruktur eines einkristallinen Siliziumsubstrats nach Durchführung des Verfahrens in Ausführungsbeispiel 1, bestimmt mit Hilfe von Rasterkraftmikroskopie. showing the surface structure of a single crystal silicon substrate after the process in Embodiment 1, as determined using atomic force microscopy. Eine Textur mit typischen lateralen Strukturgrößen von 50 bis 250 nm und typischer Strukturhöhe von 50 bis 250 nm ist erkennbar. A texture with typical lateral feature sizes of 50 to 250 nm, and typical structure height of 50 to 250 nm can be seen. Die Strukturen sind so klein, dass die optischen Eigenschaften durch ein Effektiv-Medium-Modell beschrieben werden können. The structures are so small that the optical properties can be described by an effective medium model.
  • 2 2 zeigt eine Analyse des Volumenanteils ( (Shows an analysis of the volume fraction 1 1 ) des Siliziums in der texturierten Oberfläche aus ) Of silicon in the textured surface 1 1 als Funktion des Abstandes von der höchsten Erhebung der Oberfläche. as a function of the distance from the highest elevation of the surface. Daraus berechnet wurde der effektive Brechungsindex n (2, gestrichelt), mit n Luft = 1 und n Si = 4 bei einer Photonenenergie von 2.2 eV. The effective refractive index n was calculated therefrom (2, dashed line), with n air = 1 and n = 4 Si at a photon energy of 2.2 eV. Die graduelle Variation des Brechungsindexes auf einer Längenskala von etwa 200 nm erzeugt die gewünschte optische Eigenschaft der nahezu verschwindenden Reflektivität. The gradual variation of the refractive index on a length scale of about 200 nm to produce the desired optical property of the nearly vanishing reflectivity.
  • 3 3 zeigt die optischen Eigenschaften der Oberfläche aus shows the optical properties of the surface of 1 1 . , Dabei zeigt Here shows 3a 3a die totale ungerichtete Reflektion und the total reflection and undirected 3b 3b die totale ungerichtete Transmission, jeweils bestimmt mit Hilfe einer integrierenden Sphäre (Ulbricht-Kugel) als Detektor. the non-directional Transmission total, in each case determined with the help of an integrating sphere (Ulbricht sphere) as a detector.
  • Der gezeigte spektrale Bereich umfasst sowohl den Bereich bei Wellenlängen unterhalb 1100 nm, in dem Silizium absorbiert, sowie den Bereich oberhalb von 1100 nm, bei dem Silizium transparent ist, und in dem die optischen Eigenschaften ausschließlich durch die Oberflächen bestimmt werden. The spectral range is shown to include both the region at wavelengths below 1100 nm is absorbed in the silicon, as well as the range above 1100 nm in which silicon is transparent, and in which the optical properties are determined solely by the surfaces. Verglichen werden die optischen Eigenschaften eines Siliziumsubstrates, das auf beiden Oberflächen poliert ist ( comparing the optical properties of a silicon substrate, which is polished on both surfaces ( 3 3 , durchgezogene Linie), die Eigenschaften eines Siliziumsubstrates, das auf einer Oberfläche (Vorderseite) nach Ausführungsbeispiel 1 behandelt wurde und das auf der zweiten Oberfläche (Rückseite) poliert ist ( , Solid line), the properties of a silicon substrate, which on a surface (front side) was treated according to Embodiment 1 and the (on the second surface back) is polished ( 4 4 , offene Kreise) und die Eigenschaften eines Siliziumsubstrates, das auf beiden Oberflächen nach Ausführungsbeispiel 1 behandelt wurde ( , Open circles) and the properties of a silicon substrate which has been treated on both surfaces according to Embodiment 1 ( 5 5 , geschlossene Kreise). Closed circles). Die Reflektion der nach Ausführungsbeispiel 1 behandelten Siliziumoberflächen verschwindet fast vollständig für Wellenlängen kürzer als 1100 nm. Im Bereich oberhalb 1100 nm zeigt ( The reflection of the treated according to Embodiment 1 of silicon surfaces almost completely disappears for wavelengths shorter than 1100 nm. In the region above 1100 nm shows ( 4 4 ) noch eine deutliche Reflektion, die auf die unbehandelte polierte Rückseite zurückzuführen ist. ) Nor a clear reflection of that is due to the untreated polished back. In diesem Spektralbereich wird die Reflektion von ( In this spectral range, the reflection of (is 5 5 ) durch die Texturierung der Rückseite nochmals wesentlich reduziert. ) Significantly reduced by texturing the back again. Dementsprechend steigt die Transmission in diesem Spektralbereich mit der Anzahl der texturierten Oberflächen an ( Accordingly, the transmittance increases in this spectral range with the number of textured surfaces on ( 3b 3b ). ). Dies zeigt, dass die texturierten Oberflächen nicht absorbieren, sondern hochgradig transmittieren. This shows that the textured surfaces do not absorb but transmit highly. 3c 3c zeigt die aus is selected from 3a 3a und b berechnete Absorption, die im Bereich zwischen 400 und 1000 nm von etwa 60% für polierte Siliziumsubstrate ( and b calculated absorption (in the range between 400 and 1000 nm of about 60% for polished silicon substrates 3 3 , grau unterlegt) auf über 97% für Siliziumsubstrate ansteigt, bei denen die Vorderseite nach Ausführungsbeispiel 1 texturiert wurde ( , Gray) to rise to about 97% for silicon substrates, where the front side has been textured according to Embodiment 1 ( 4 4 , schwarz unterlegt). , In black). Die in allen dargestellten Spektren auftretende Struktur bei etwa 830 nm ist ein Artefakt des verwendeten Spektrometers. Which occurs in all of the spectra structure at about 830 nm is an artifact of the spectrometer used.
  • 4a 4a zeigt die Oberflächenstruktur eines einkristallinen Siliziumsubstrats nach Durchführung des Verfahrens in Ausführungsbeispiel 2, bestimmt mit Hilfe von Rasterkraftmikroskopie. showing the surface structure of a single crystal silicon substrate after the process in Embodiment 2, as determined using atomic force microscopy. 4b 4b vergleicht die totale ungerichtete Reflektion von Siliziumsubstraten, deren Vorderseite nach Ausführungsbeispiel 1 ( compares the total non-directional reflection of silicon substrates, the front face (of Embodiment 1 4 4 , offene Kreise) und nach Ausführungsbeispiel 2 ( Open circles) and after Embodiment 2 ( 6 6 , geschlossene Kreise) texturiert wurde, mit der Reflektion von Substraten mit polierter Vorderseite ( Closed circles) was textured (with reflection of substrates having polished front side 3 3 , durchgezogene Linie). , solid line). Die Rückseiten der Substrate sind jeweils poliert. The rear sides of the substrates are each polished.
  • 5a 5a zeigt die Oberflächenstruktur eines 500 nm dicken Films amorphen hydrogenisierten Siliziums (a-Si:H) auf einem Glassubstrat nach Durchführung des Verfahrens in Ausführungsbeispiel 1, bestimmt mit Hilfe von Rasterkraftmikroskopie. showing the surface structure of a 500 nm thick film of amorphous hydrogenated silicon (a-Si: H) on a glass substrate after the process in Embodiment 1, as determined using atomic force microscopy. Die Strukturhö he ist etwas kleiner als im Falle der Texturierung eines einkristallinen Siliziumsubstrates. The Strukturhö he is slightly smaller than in the case of texturing a monocrystalline silicon substrate. Abbildung Sb vergleicht die aus Messungen der totalen, ungerichteten Reflektion und Transmission gewonnene Absorption eines untexturierten a-Si:H-Filmes auf Glas ( Figure Sb compares the absorption derived from measurements of the total, non-directional reflection and transmission of an untextured a-Si: H film on glass ( 7 7 , grau unterlegt) mit der Absorption eines Filmes, dessen Vorderseite texturiert wurde ( , Gray) with the absorption of a film, the front of which was textured ( 8 8th , schwarz unterlegt). , In black). Für Wellenlängen, die kürzer sind als 600 nm, wird die Absorption von max. For wavelengths shorter than 600 nm, the absorption of max. 60% durch die Texturierung auf über 95% erhöht. 60% increased by texturing to over 95%. Darüberhinaus steigt die Absorption auch bei längeren Wellenlängen. Moreover, the absorption also increases at longer wavelengths. Dies führt zu einer zusätzlichen Erhöhung der photovoltaischen Umwandlungseffizienz. This leads to an additional increase of the photovoltaic conversion efficiency.
  • 6 6 zeigt die Auswirkungen verschiedener Antireflexschichten auf der Vorderseite von Teststrukturen auf deren totale ungerichtete Reflektion: n-Typ dotiertes kristallines Silizium ( shows the effects of different anti-reflection layers on the front of test structures on the total non-directional reflection: n-type doped crystalline silicon ( 9 9 , gepunktet), hoch p-Typ dotiertes kristallines Silizium ( , Dotted), high p-type doped crystalline silicon ( 10 10 , gestrichelt) und multikristallines Silizium ( , Dashed lines) and multi-crystalline silicon ( 11 11 , strichpunktiert), jeweils texturiert nach Ausführungsbeispiel 1, kommerzielle einkristalline Silizium-Solarzelle ( Dot-dashed lines), each textured according to Embodiment 1, commercial single-crystal silicon solar cell ( 12 12 , weit gepunktet), die durch anisotropes Ätzen texturiert wurde, und kommerzielle multikristalline Silizium-Solarzelle ( Far dotted), which has been textured by anisotropic etching, and commercial multi-crystalline silicon solar cell ( 13 13 , weit gestrichelt), die eine Antireflexbeschichtung besitzt. Far dashed), which has an anti-reflection coating. Die durchgezogene Linie ( The solid line ( 3 3 ) zeigt die Reflektion eines beidseitig polierten Siliziumsubstrates zum Vergleich. ) Shows the reflection of a polished on both sides silicon substrate for comparison.
  • Das hier offenbarte Verfahren zur Texturierung von Oberflächen kann an verschiedenen Stellen des Prozessablaufes der Herstellung von optoelektronischen Bauelementen eingesetzt werden, zu Beginn, in einem mittleren Stadium oder als letzter Schritt der Herstellung. The method disclosed herein for texturing of surfaces can be used at various points of the process flow of the manufacturing of optoelectronic devices, at the beginning, at an intermediate stage or as the last step of manufacture. So können bereits Oberflächen des Ausgangsmaterials texturiert werden. So surfaces of the starting material can already be textured. Das Texturierungsverfahren kann aber auch zur Strukturierung von ansonsten fertigen Bauelementen eingesetzt werden, oder zur Herstellung von Oberflächen von Bauelementen, die in weiteren Prozessschritten durch eine oder mehrere nachträglich aufgebrachte Schichten vergraben werden, sodass die texturierten Oberflächen dann interne Grenzflächen darstellen. However, the texturing can also be used to structure otherwise finished components, or for the preparation of surfaces of components, which in further process steps by one or more subsequently applied layers are buried, so that the textured surfaces then represent internal interfaces.
  • Für die Herstellung von ein- oder polykristallinen Photodetektoren und Solarzellen lässt sich bereits die Oberfläche des Ausgangsmaterials vor der eigentlichen Fabrikation des optoelektronischen Bauelementes texturieren, wenn die Oberfläche durch die nachfolgenden Prozessschritte nicht wesentlich in ihrer Struktur und Funktion beeinträchtigt wird. already allows for the production of mono- or polycrystalline photodetectors and solar cells, the surface of the raw material prior to the actual manufacture of the optoelectronic component texture if the surface is not significantly affected by the following process steps in their structure and function. Bevorzugt wird zunächst nach dem hier offenbarten Verfahren eine texturierte Oberfläche ( Preferably, a textured surface is first (according to the methods disclosed herein 14 14 ) auf einem ein- oder polykristalinem Substrat ( ) (On a one- or substrate polykristalinem 15 15 ) gebildet, das besonders bevorzugt p- Typ dotiert ist ( formed), which particularly preferably p-type doped ( 7 7 ). ). In nachfolgenden Schritten werden Dotieratome, besonders bevorzugt Atome, die zu einer n-Typ Dotierung führen, durch die texturierte Oberfläche eindiffundiert, sodass sich direkt unter der texturierten Oberfläche im besonders bevorzugten Fall eine n-Typ dotierte Schicht ( In subsequent steps are doping atoms, particularly preferably atoms that lead to an n-type impurity, is diffused by the textured surface, so that directly below the textured surface in the most preferred case, an n-type doped layer ( 16 16 ) bildet. ) Forms. Metallkontakte ( Metal contacts ( 17 17 ), bevorzugt in Fingerstruktur, werden zB durch Aufdampfen durch Schattenmasken oder Siebdruck auf die texturierte Oberfläche aufgebracht und ein Rückkontakt ( ), Preferably in the finger structure, for example, be applied by vapor deposition through shadow masks or screen printing on the textured surface and a back contact ( 18 18 ) wird gebildet. ) gets formed. Die geringe Strukturhöhe der texturierten Oberfläche lässt sich leicht mit Metall füllen, sodass die elektrischen Eigenschaften der Kontakte ( The low structural height of the textured surface is easy to fill with metal, so that the electrical properties of the contacts ( 17 17 ) durch die Textur nicht verschlechtert werden. ) Are not deteriorated by the texture. Alternativ können die Kontakte ( Alternatively, the contacts can ( 17 17 ) auch durch elektrodenlose Metalldeposition realisiert werden, wie bei Solarzellen mit vergrabenem Frontkontakt üblich. ) Be realized by electroless metal deposition as in solar cells buried front contact common.
  • Andererseits erlaubt die geringe Strukturhöhe der texturierten Schicht auch die Anwendung des hier offenbarten Verfahrens während oder nach der Herstellung des Bauelementes. On the other hand, the low structural height of the textured layer also allows the application of the method disclosed herein, during or after the production of the component. 8 8th zeigt die bevorzugte Herstellung eines Bauelementes mit einer texturierten Oberfläche, bei der die hier offenbarte Texturierung den letzen Prozessschritt darstellt. shows the preferred manufacture of a component with a textured surface, wherein the texturing disclosed herein represents the last process step. In diesem Fall muss die dotierte Schicht ( In this case, the doped layer must ( 16 16 ) eine Dicke von mindestens 200 nm, bevorzugt von 500 nm, haben, um die Raumladungszone am np-Kontakt nach der Texturierung zu erhalten. ) Has a thickness of at least 200 nm, preferably 500 nm, in order to obtain the space-charge zone at the np contact after texturing. Während der Texturierung können die Kontakte ( During texturing the contacts ( 17 17 ) gegen die Ätzlösung geschützt werden, zB durch Photolack. ) Are protected from the etching solution, for example by photoresist.
  • 9 9 zeigt schließlich eine bevorzugte Anwendung des offenbarten Verfahrens auf die Herstellung von Dünnschichtbauelementen, zB aus amorphem oder mikrokristallinem Silizium. finally shows a preferred application of the disclosed process to the production of thin film devices, for example of amorphous or microcrystalline silicon. Besonders bevorzugt wird hier das Verfahren in einem mittleren Stadium des gesamten Herstellungsprozesses des Bauelementes verwendet, nachdem mittels Gasphasenabscheidung ein intrinsischer Film ( The process is particularly preferred here used in a middle stage of the entire manufacturing process of the device after (an intrinsic film by vapor deposition 19 19 ) und ein dotierter Kontakt ( ) And a doped contact ( 20 20 ) auf einem Glassubstrat ( ) (On a glass substrate 22 22 ) aufgewachsen wurden, das mit einem transparenten leitfähigen Oxid ( ) Were grown, which (with a transparent conductive oxide 21 21 ) beschichtet ist. ) Is coated. Die Texturierung wird dann vor der Abscheidung der zweiten dotierten Schicht mit entgegengesetzter Dotierung ( The texturing is then (before the deposition of the second doped layer of opposite doping 23 23 ) vorgenommen. ) performed. Die Oberfläche ( The surface ( 24 24 ) der Schicht ( () Of the layer 23 23 ) übernimmt die Textur ( ) Accepts the texture ( 14 14 ). ). Kontakte auf der Oberfläche ( Contacts on the surface ( 24 24 ) der Schicht ( () Of the layer 23 23 ) können nachfolgend durch Fingerstrukturen oder dünne transparente leitfähige Oxide realisiert werden. ) May subsequently be realized by finger structures or thin transparent conductive oxides.
  • Die so gewonnenen Oberflächen können durch Funktionsschichten überwachsen werden, die die optischen Eigenschaften der texturierten Oberflächen aber möglichst wenig beeinträchtigen. The surfaces thus obtained can be overgrown by functional layers that affect the optical properties of the textured surfaces but as little as possible.
  • Optoelektronische Bauelemente auf der Basis von ein-, poly-, mikro-, nano- oder protokristallinem bzw. amorphem Silizium oder Silizium-Legierungen mit Wasserstoff, Sauerstoff, Germanium oder Kohlenstoff lassen sich mit dem hier offenbarten Verfahren vorteilhaft herstellen und zeigen zB eine stark reduzierte Reflektivität, die die Effizienz des Durchtritts von Licht durch die Oberfläche verbessert. Optoelectronic devices based on mono-, poly-, micro-, nano- or protokristallinem or amorphous silicon or silicon alloys with hydrogen, oxygen, germanium or carbon can be produced advantageously with the methods disclosed herein and demonstrate, for example, a greatly reduced reflectivity which improves the efficiency of the passage of light through the surface. Solche Bauelemente und Strukturen lassen sich ua als Solarzellen für die photovoltaische Energieumwandlung, als Photodetektoren, als lichtemittierende Bauelemente wie zB Leuchtdioden oder zur Ein- bzw. Auskopplung von Licht in Wellenleitern über einen spektralen Bereich von 200 bis 1000 nm vorteilhaft verwenden. Such devices and structures can be, inter alia, as solar cells for the photovoltaic energy conversion, as photodetectors, as light-emitting devices such as light emitting diodes or for coupling in and out light in waveguides over a spectral range of 200 to 1000 nm used advantageously.

Claims (29)

  1. Ein Verfahren zur Herstellung siliziumhaltiger Oberflächen, dadurch gekennzeichnet , dass eine metallhaltige Schicht auf die Oberfläche gebracht wird, und dass die so gewonnene Oberfläche einer Lösung ausgesetzt wird, die HF oder NH 4 F oder Mischungen daraus sowie ein Oxidationsmittel enthält. A process for the preparation of silicon surfaces, characterized in that a metal-containing layer is brought to the surface, and that the surface thus obtained is exposed to a solution containing HF or NH 4 F or mixtures thereof, and an oxidizing agent.
  2. Ein Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die metallhaltige Schicht eines oder mehrere der chemischen Elemente Au, Pt, Pd, Ag, Cr oder Ni enthält. A method according to claim 1, characterized in that the metal-containing layer of one or more of the chemical elements Au, Pt, Pd, Ag, Cr or Ni.
  3. Ein Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die metallhaltige Schicht durch Sputtern auf die Oberfläche gebracht wird. A method according to claim 1 or 2, characterized in that the metal-containing layer is brought by sputtering on the surface.
  4. Ein Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Sputterprozess in einer Argonatmosphäre mit einem Druck von 0.005 bis 50 mbar durchgeführt wird. A method according to claim 3, characterized in that the sputtering is performed in an argon atmosphere having a pressure from 0005 to 50 mbar.
  5. Ein Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die die metallhaltige Schicht durch Aufdampfen auf die Oberfläche gebracht wird. A method according to claim 1 or 2, characterized in that the metal-containing layer is brought by evaporation on the surface.
  6. Ein Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die metallhaltige Schicht durch elektrodenlose Abscheidung auf die Oberfläche gebracht wird. A method according to claim 1 or 2, characterized in that the metal-containing layer is brought by electroless plating on the surface.
  7. Ein Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Abscheidung aus einer wässrigen Lösung erfolgt, die HF und Metallionen enthält. A method according to claim 6, characterized in that the deposition is effected from an aqueous solution containing HF and metal ions.
  8. Ein Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Lösung KPtCl 6 , KAuCl 4 , HAuCl 4 , K 2 PdCl 6 , AgNO 3 oder NiSO 4 oder Mischungen davon enthält. A method according to claim 7, characterized in that the solution contains KPtCl 6, KAuCl 4, HAuCl 4, K 2 PdCl 6, AgNO 3 or NiSO 4 or mixtures thereof.
  9. Ein Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die metallhaltige Schicht aus metallorganischen Verbindungen oder metallhaltigen Polymeren besteht. A method according to claim 1 or 2, characterized in that the metal-containing layer consists of organometallic compounds or metal-containing polymers.
  10. Ein Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die metallorganischen Verbindungen oder metallhaltigen Polymere durch Selbstassemblierung, Drucken oder Eintauchen auf die siliziumhaltige Oberfläche gebracht werden. A method according to claim 9, characterized in that the organometallic compounds or metal-containing polymers by self-assembly, printing or dipping be brought to the silicon-containing surface.
  11. Ein Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass die metallorganischen Verbindungen oder metallhaltigen Polymere auf der siliziumhaltigen Oberfläche durch eine Ätzlösung oder thermisch zersetzt werden. A method according to claim 9 or 10, characterized in that the organometallic compounds or metal-containing polymers of the silicon-containing surface by an etching solution or be thermally decomposed.
  12. Ein Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1–11, dadurch gekennzeichnet, dass die metallhaltige Schicht bei Temperaturen von –50°C bis 200°C aufgebracht wird. A method according to one or more of claims 1-11, characterized in that the metal-containing layer is applied at temperatures of from -50 ° C to 200 ° C.
  13. Ein Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1–11, dadurch gekennzeichnet, dass die metallhaltige Schicht eine effektive Dicke von 0.001 bis 100 nm hat, gemittelt über die siliziumhaltige Oberfläche. A method according to one or more of claims 1-11, characterized in that the metal-containing layer has, averaged over the silicon-containing surface has an effective thickness 0001-100 nm.
  14. Ein Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1–11, dadurch gekennzeichnet, dass die metallhaltige Schicht durch nasschemisches Ätzen oder Ionenätzen lateral strukturiert wird. A method according to one or more of claims 1-11, characterized in that the metal-containing layer is structured laterally by wet chemical etching or ion etching.
  15. Ein Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1–11, dadurch gekennzeichnet, dass die metallhaltige Schicht nach dem Aufbringen auf Temperaturen von 100°C bis 800°C aufgeheizt wird. A method according to one or more of claims 1-11, characterized in that the metal-containing layer is heated after application to temperatures of 100 ° C to 800 ° C.
  16. Ein Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass durch das Aufheizen die metallhaltige Schicht lateral strukturiert wird. A method according to claim 15, characterized in that the metal-containing layer is structured laterally by heating.
  17. Ein Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet dass HF oder NH 4 F sowie das Oxidationsmittel in einer wässrigen Lösung verwendet werden. A method according to claim 1, characterized in that HF or NH 4 F, and the oxidizing agent be used in an aqueous solution.
  18. Ein Verfahren nach Anspruch 1 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Oxidationsmittel H 2 O 2 , O 3 , O 2 , K 2 Cr 2 O 7 , CrO 3 , KIO 3 , KBrO 3 , NaNO 2 , HNO 3 , KMnO 4 oder eine Mischung davon ist. A method according to claim 1 or 17, characterized in that the oxidizing agent is H 2 O 2, O 3, O 2, K 2 Cr 2 O 7, CrO 3, KIO 3, KBrO 3, NaNO 2, HNO 3, KMnO 4, or is a mixture thereof.
  19. Ein Verfahren nach Anspruch 1 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Oxidationsmittel H 2 O 2 in einer Konzentration von 1 bis 30% ist. A method according to claim 1 or 17, characterized in that the oxidizing agent is H 2 O 2 in a concentration of 1 to 30%.
  20. Ein Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die siliziumhaltige Oberfläche die Oberfläche eines Einkristalls oder eines Polykristalls ist. A method according to claim 1, characterized in that the silicon-containing surface is the surface of a single crystal or a polycrystal.
  21. Ein Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die siliziumhaltige Oberfläche die Oberfläche einer mikrokristallinen, nanokristallinen, amorphen oder protokristallinen Schicht ist. A method according to claim 1, characterized in that the silicon-containing surface is the surface of a microcrystalline, nanocrystalline, amorphous, or proto-crystalline layer.
  22. Ein Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die siliziumhaltige Oberfläche die Oberfläche eines optoelektronischen Bauelementes ist. A method according to claim 1, characterized in that the silicon-containing surface is the surface of an optoelectronic component.
  23. Ein Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die siliziumhaltige Oberfläche bei der Herstellung des optoelektonischen Bauelementes mit wenigstens einer weiteren Schicht bedeckt wird. A method according to claim 1, characterized in that the silicon-containing surface is covered in the manufacture of the optoelectronic component with at least one further layer.
  24. Ein Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die siliziumhaltige Schicht vornehmlich aus Silizium besteht. A method according to claim 1, characterized in that the silicon-containing layer consists mainly of silicon.
  25. Ein Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet dass die siliziumhaltige Schicht Kohlenstoff, Germanium, Sauerstoff oder Wasserstoff oder Mischungen davon in einer Konzentration von bis zu 90% enthält. A method according to claim 1, characterized in that the silicon-containing layer of carbon, germanium, oxygen or hydrogen or mixtures thereof in a concentration of up to 90%.
  26. Ein Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1, 24 und 25, dadurch gekennzeichnet, dass die siliziumhaltige Schicht dotiert ist. A method according to one or more of claims 1, 24 and 25, characterized in that the silicon-containing layer is doped.
  27. Optoelektronische Bauelemente, gekennzeichnet dadurch dass sie eine siliziumhaltige Oberfläche oder Grenzfläche beinhalten, die nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 26 hergestellt wurden. Optoelectronic devices, characterized in that they contain a silicon-containing surface or interface, which were prepared according to one or more of claims 1 to 26th
  28. Optoelektronische Bauelemente nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass sie zur photovoltaischen Energieumwandlung verwendet werden. Optoelectronic Devices according to claim 27, characterized in that they are used for the photovoltaic energy conversion.
  29. Optoelektronische Bauelemente nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass sie zur Detektion von elektromagnetischer Strahlung mit Wellenlängen zwischen 200 und 1000 nm verwendet werden. Optoelectronic Devices according to claim 27, characterized in that they are used for the detection of electromagnetic radiation having wavelengths between 200 and 1000 nm.
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