DE102005029495A1 - Integrated power circuit for e.g. measuring on-state resistance of MOSFET, has power component with ports, and internal switch connecting ports of MOSFET with one internal circuit point that is connected with one external circuit point - Google Patents

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Abstract

A circuit has external circuit points and internal circuit points (18). The internal circuit points are connected with corresponding external circuit points by a bond conductor. An MOSFET (T1) is provided with ports that are connected with one of the external and internal circuit points. An internal switch connects the ports of the MOSFET with another internal circuit point that is connected with another external circuit point.

Description

Die Erfindung betrifft einen integrierten Leistungsschaltkreis, umfassend externe Anschlüsse, interne Anschlüsse, die über Bondleiter mit entsprechenden externen Anschlüssen verbunden sind, und ein Leistungsbauelement mit Leistungsanschlüssen, die mit ersten internen Anschlüssen verbunden sind, die mit ersten externen Anschlüssen verbunden sind.The The invention relates to an integrated power circuit comprising external connections, internal connections, the above Bonding conductors are connected to corresponding external terminals, and a Power component with power connections, with the first internal connections are connected, which are connected to first external terminals.

Nachdem der Chip in seinem Gehäuse angebracht und die Chip-Pads über Bonddrähte mit den entsprechenden Ein-/Ausgängen des Gehäuses verbunden wurden, müssen mehrere Kenngrößen von integrierten Leistungsschaltkreisen gemessen werden. Da die Chip-Pads nicht mehr direkt kontaktiert werden können, beeinflussen die Bonddrähte alle Messungen durch ihre Widerstandswerte und/oder ihre Induktivitäten. Eine industrielle Messausrüstung umfasst normalerweise Messfühler („measuring probes") oder Kontaktgeber („contactors"), die gegen die externen Anschlüsse gedrückt werden, um das Bauelement, das getestet wird, mit der erforderlichen Stromversorgung und den Messinstrumenten zu verbinden. Der elektrische Kontakt zwischen den Messfühlern und den Ein-/Ausgängen ist nicht optimal. Er kann durch Schmutz oder auf dem Anschlussmetall gebildetes Oxid beeinträchtigt werden. Des Weiteren hängt der elektrische Kontakt von der Kontaktkraft ab. Dies führt zu einem Kontaktwiderstand zwischen dem Fühler und dem Anschluss, der zwischen 10 mOhm und 5 Ohm schwankt.After this the chip in his case attached and the chip pads over Bond wires with the corresponding inputs / outputs of the housing have been connected several parameters of integrated Power circuits are measured. Because the chip pads are not anymore can be contacted directly affect the bonding wires all measurements by their resistance values and / or their inductances. A includes industrial measuring equipment normally sensor ( "Measuring probes ") or contactor ("Contactors") who are against the external connections depressed be the component that is being tested with the required power supply and to connect the measuring instruments. The electrical contact between the sensors and the inputs / outputs is not optimal. It can be formed by dirt or on the terminal metal Oxide impaired become. Furthermore, depends the electrical contact from the contact force. This leads to a Contact resistance between the probe and the connection, which varies between 10 mOhm and 5 ohms.

Eine in einem Leistungs-MOS-FET zu messende, wichtige Kenngröße stellt der Drain-Source-Widerstand dar, wenn der MOS-FET sich in seinem leitenden Zustand befindet. Dieser Drain-Source-Widerstand RDSon liegt in der Größenordnung von einigen Dutzend mOhm. Zur Messung dieses Widerstands wird ein definierter Strom zwischen Drain und Source eines Leistungs-MOS-FET, der sich in einem leitenden Zustand befindet, angelegt. Die Drain-Source-Spannung wird gemessen, und der Drain-Source-Widerstand RDSon wird mittels des ohmschen Gesetzes berechnet. Aber der relativ hohe Strom, der durch den Transistor fließt, fließt auch durch die Bonddrähte und die Kontaktwiderstände an dem Eingangs- und an dem Ausgangsanschluss. Deshalb führt der Spannungsabfall an den Bonddrahtwiderständen und an den Kontaktwiderständen zu einem beträchtlichen Messfehler bei der Messung des Spannungsabfalls zwischen den Anschlüssen.An important parameter to be measured in a power MOSFET is the drain-source resistance when the MOS-FET is in its conducting state. This drain-source resistor R DSon is on the order of tens of mOhms. To measure this resistance, a defined current is applied between the drain and source of a power MOS-FET which is in a conducting state. The drain-source voltage is measured, and the drain-source resistance R DSon is calculated by Ohm's law. But the relatively high current flowing through the transistor also flows through the bonding wires and the contact resistances at the input and output terminals. Therefore, the voltage drop across the bond wire resistors and the contact resistors results in a significant measurement error in the measurement of the voltage drop between the terminals.

Um dieses Problem zu lösen, ist es nach dem Stand der Technik bekannt, eine den hohen Strom leitende separate starke Stromleitung („force line") und eine separate hochohmige Messleitung („sensing line") für die Spannungsmessung zu verwenden. So genannte Kelvin-Klemmen („Kelvin probes") sind Messfehler, die zwei nebeneinander angeordnete Leiter bereitstellen. Mit einer Kelvin-Klemme werden eine starke Stromleitung und eine Messleitung mit den externen Anschlüssen verbunden, wobei einer der Leiter als Belastungskontakt zur Lieferung des Stroms und der andere hochohmige Leiter als Messkontakt verwendet werden. Somit wird der Spannungsabfall an dem Kontaktwiderstand auf Grund des hohen Stroms nicht von dem Messkontakt bemerkt, aber der Spannungsabfall an den Bonddrähten bleibt noch immer als Fehlerquelle übrig. Eine Kelvin-Klemme wird in US 5,565,787 beschrieben. Leider sind Kelvin-Klemmen sehr teuer und lösen das Problem des Spannungsabfalls an den Bonddrähten nicht. Zur Verringerung des Bonddrahtwiderstands können zwei Bonddrähte parallel verwendet werden, aber bei Hochstrommessungen bleibt der Messfehler auf Grund des Bonddrahtwiderstands noch immer erheblich. Deshalb ist ein anderer Weg zur Messung des Drain-Source-Widerstands vorzuziehen.To solve this problem, it is known in the art to use a high current conducting separate strong power line and a separate high impedance measuring line for voltage measurement. So-called Kelvin probes are measurement errors that provide two juxtaposed conductors: a Kelvin terminal connects a heavy current line and a test lead to the external terminals, with one of the conductors acting as a load contact to supply the current and Thus, the voltage drop at the contact resistance due to the high current is not noticed by the measuring contact, but the voltage drop across the bond wires still remains as a source of error US 5,565,787 described. Unfortunately, Kelvin clamps are very expensive and do not solve the problem of voltage drop across the bond wires. To reduce the bond wire resistance, two bond wires can be used in parallel, but with high current measurements, the measurement error due to the bond wire resistance still remains significant. Therefore, another way to measure the drain-source resistance is preferable.

In einem alternativen Ansatz sind die Drain- und die Source-Anschlüsse eines in einem integrierten Schaltkreis integrierten Leistungs-MOS-FET jeweils mit zwei separaten Anschlüssen des Gehäuses verbunden, oder anders gesagt, mit einem Belastungsanschluss und einem Messanschluss. Somit werden beide Fehlerquellen, der Spannungsabfall an den Kontaktwiderständen und an den Bonddrahtwiderständen, beseitigt. Aber heutzutage sind Bauteile mit einer niedrigen Anzahl von Anschlüssen gefordert, und es ist nicht möglich, zwei separate Messanschlüsse für jedes zu testende Leistungsbauelement zu reservieren.In In an alternative approach, the drain and source terminals are one in an integrated circuit integrated power MOS FET each connected to two separate terminals of the housing, or in other words, with a load connection and a test connection. Thus, both sources of error, the voltage drop across the contact resistors and at the bond wire resistance, eliminated. But nowadays, there are components with a low number of connections demanded and it is not possible two separate measuring connections for each to reserve to be tested power device.

Deshalb wird ein integrierter Leistungsschaltkreis mit einer geringen Anzahl von Anschlüssen benötigt, der keine Kelvin-Klemmen für solche Messungen, die separate starke Strom- und Messleitungen benötigen, erfordert. Des Weiteren sollte die Fehlerquelle auf Grund der Bonddrähte beseitigt werden.Therefore becomes an integrated power circuit with a small number of connections needed the no Kelvin terminals for Such measurements, which require separate strong power and measurement lines, requires. Furthermore, the source of error due to the bonding wires should be eliminated become.

Die Erfindung stellt einen integrierten Leistungsschaltkreis bereit, der ein Leistungsbauelement mit Leistungsanschlüssen umfasst, die mit ersten internen Anschlüssen verbunden sind, die mit ersten externen Anschlüssen verbunden sind. Der integrierte Leistungsschaltkreis umfasst ferner interne Schalter zur wahlweisen Verbindung der Leistungsanschlüsse des Leistungsbauelements mit zweiten internen Anschlüssen lediglich in einem ersten Testmodus, wobei die zweiten internen Anschlüsse mit zweiten externen Anschlüssen verbunden sind. Die internen Schalter ermöglichen es, separate Messanschlüsse für die Messung zu haben, ohne die Gesamtanzahl der Anschlüsse zu erhöhen. Sobald die Schalter geöffnet werden, können die externen Anschlüsse, die als Messanschlüsse verwendet wurden, mit einer anderen Funktionalität in einem Betriebsmodus verwendet werden.The invention provides an integrated power circuit comprising a power device having power terminals connected to first internal terminals connected to first external terminals. The integrated power circuit further includes internal switches for selectively connecting the power terminals of the power device to second internal terminals only in a first test mode, the second internal terminals being connected to second external terminals. The internal switches make it possible to have separate measurement connections for the measurement without the Ge increase the total number of connections. Once the switches are opened, the external connectors used as the measurement connectors can be used with a different functionality in one operating mode.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen enthalten.preferred embodiments of the invention are in the dependent claims contain.

Einzelheiten und Vorteile der Erfindung werden nun unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren beschrieben, in denendetails and advantages of the invention will now be with reference to the accompanying figures described in which

1 schematisch einen Leistungsschaltkreis gemäß der Erfindung zeigt; und 1 schematically shows a power circuit according to the invention; and

2 die Messanordnung zur Messung des Drain-Source-Widerstands RDSon eines Leistungs-MOS-FET zeigt. 2 shows the measuring arrangement for measuring the drain-source resistance R DSon of a power MOS-FET.

1 zeigt einen integrierten Leistungsschaltkreis 12 in seinem Gehäuse 14. Das Gehäuse 14 umfasst zehn externe Anschlüsse 16a–16j, auf jeder Seite fünf, während der integrierte Schaltkreis interne Anschlüsse 18 umfasst, die über Bondleiter 20 mit entsprechenden externen Anschlüssen verbunden sind. Die Anzahl von Bondleitern pro Anschluss hängt von der Funktion des entsprechenden Anschlusses und von der Menge des durchfließenden Stroms ab. Bei dem integrierten Leistungsschaltkreis 12 kann es sich um einen DC-DC-Wandler handeln. Der integrierte Leistungsschaltkreis 12 umfasst zwei Leistungs-MOS-FETs T1 und T2, sowie eine Diode D und vier interne Schalter SW1 bis SW4. Dies sind die Bauelemente, die zum Verständnis der Erfindung erforderlich sind. Natürlich umfasst der integrierte Schaltkreis weitere Bauelemente und Schaltungen, die nicht abgebildet sind. 1 shows an integrated power circuit 12 in his case 14 , The housing 14 includes ten external connections 16a - 16j , on each side five, while the integrated circuit internal connections 18 Includes, via bond conductors 20 are connected to corresponding external terminals. The number of bonding conductors per terminal depends on the function of the corresponding terminal and the amount of current flowing through it. In the integrated power circuit 12 it can be a DC-DC converter. The integrated power circuit 12 comprises two power MOS FETs T1 and T2, and one diode D and four internal switches SW1 to SW4. These are the components required to understand the invention. Of course, the integrated circuit includes other components and circuits that are not shown.

Einer der Leistungsanschlüsse des MOS-FET T1, der Drain, ist über einen internen Anschluss 18 und eine Bondleitung 20 mit dem externen Anschluss 16a verbunden, und der andere Leistungsanschluss des MOS-FET T1, die Source, ist über einen anderen internen Anschluss 18 und eine Bondleitung mit dem externen Anschluss 16j verbunden. Der Drain ist ferner mit einer Seite des Schalters SW1 verbunden, dessen andere Seite mit dem externen Anschluss 16d verbunden ist. Die Source des MOS-FET T1 ist über den Schalter SW3 mit dem externen Anschluss 16i verbunden.One of the power terminals of the MOS-FET T1, the drain, is via an internal terminal 18 and a bond line 20 with the external connection 16a connected, and the other power terminal of the MOS-FET T1, the source, is via another internal terminal 18 and a bond line to the external terminal 16j connected. The drain is further connected to one side of the switch SW1, the other side to the external terminal 16d connected is. The source of the MOS-FET T1 is connected to the external terminal via the switch SW3 16i connected.

Der Drain des zweiten MOS-FET-Transistors T2 ist über einen internen Anschluss 18 und eine Bondleitung 20 mit dem externen Anschluss 16i und über den Schalter SW3 mit dem externen Anschluss 16j verbunden. Die Source des MOS-FET T2 ist über einen anderen internen Anschluss 18 und eine Bondleitung 20 mit dem externen Anschluss 16f verbunden. Sein Drain ist ferner mit einer Seite eines Schalters SW2 verbunden, dessen andere Seite mit dem externen Anschluss 16d verbunden ist.The drain of the second MOS-FET transistor T2 is via an internal terminal 18 and a bond line 20 with the external connection 16i and via the switch SW3 with the external connection 16j connected. The source of the MOS-FET T2 is via another internal terminal 18 and a bond line 20 with the external connection 16f connected. Its drain is further connected to one side of a switch SW2, the other side to the external terminal 16d connected is.

Die Diode D ist zwischen die externen Anschlüsse 16i und 16h geschaltet. Ihre Anode ist ferner über den Schalter SW3 mit dem externen Anschluss 16j verbunden, während ihre Kathode über den Schalter SW4 mit dem externen Anschluss 16d verbunden ist.Diode D is between the external terminals 16i and 16h connected. Its anode is also connected via switch SW3 to the external connection 16j while its cathode is connected via switch SW4 to the external terminal 16d connected is.

1 zeigt die Konfiguration zur Messung des Drain-Source-Widerstands RDSon des Transistors T1. Der externe Anschluss 16a ist über einen Kontaktgeber mit einer Spannungsquelle 22 verbunden. Der Kontaktwiderstand des Kontaktgebers ist als R1 gezeigt. Wenn durch den MOS-FET T1 ein Strom fließt, gibt es einen Spannungsabfall V1 an dem Widerstand R1, und einen Spannungsabfall, der nicht angezeigt wird, an dem Bondleiterwiderstand. Der externe Anschluss 16j ist über einen anderen Kontaktgeber mit einer Stromquelle 24 verbunden, die einen Feststrom bereitstellt. Der Kontaktwiderstand dieses Kontaktgebers ist als Widerstand R4 mit einem Spannungsabfall V2 gezeigt. Wiederum gibt es auch einen Spannungsabfall an dem Bondleiterwiderstand. Die beiden externen Anschlüsse 16a und 16j werden in dieser Messung als Stromversorgungsanschlüsse oder Belastungsanschlüsse verwendet. Deshalb fließt der durch den MOS-FET T1 fließende hohe Strom durch die Widerstände R1 und R4, sowie durch die Bondleiter, die die externen Anschlüsse 16a und 16j mit den internen Anschlüssen verbinden, und mit einem hohen Strom sind die Spannungen V1 und V2 relativ hoch, ebenso wie die Spannungsabfälle an den Bondleiterwiderständen. 1 shows the configuration for measuring the drain-source resistance R DSon of the transistor T1. The external connection 16a is via a contactor with a voltage source 22 connected. The contact resistance of the contactor is shown as R1. When a current flows through the MOSFET T1, there is a voltage drop V1 across the resistor R1, and a voltage drop, which is not indicated, at the bond conductor resistance. The external connection 16j is about another contactor with a power source 24 connected, which provides a fixed current. The contact resistance of this contactor is shown as a resistor R4 with a voltage drop V2. Again, there is also a voltage drop across the bond conductor resistance. The two external connections 16a and 16j are used in this measurement as power supply connections or load connections. Therefore, the high current flowing through the MOS-FET T1 flows through the resistors R1 and R4, as well as through the bonding conductors connecting the external terminals 16a and 16j To connect to the internal terminals, and with a high current, the voltages V1 and V2 are relatively high, as well as the voltage drops across the bonding conductor resistors.

Die internen Schalter SW1 und SW3 werden geschlossen und verbinden den Drain des MOS-FET T1 mit dem externen Anschluss 16d und dessen Source mit dem externen Anschluss 16i. Die externen Anschlüsse 16d und 16i werden als Messanschlüsse verwendet und sind beide mit einem Voltmeter 26 verbunden. Da diese Verbindungen durch Messfühler bewerkstelligt werden, gibt es einen Kontaktwiderstand R2 an dem externen Anschluss 16d und einen Kontaktwiderstand R3 an dem externen Anschluss 16i. Ein Voltmeter ist ein Gerät mit einer hohen Impedanz, deshalb fließt lediglich ein geringer Strom durch den Widerstand R2 und den Widerstand R3 und durch die entsprechenden Bondleiter, und somit ist der Spannungsabfall an den Widerständen R2 und R3 und an den Bondleiterwiderständen vernachlässigbar.The internal switches SW1 and SW3 are closed and connect the drain of the MOS-FET T1 to the external terminal 16d and its source with the external terminal 16i , The external connections 16d and 16i are used as test leads and are both with a voltmeter 26 connected. Since these connections are made by probes, there is a contact resistance R2 at the external terminal 16d and a contact resistance R3 at the external terminal 16i , A voltmeter is a device with a high impedance, therefore, only a small current flows through the resistor R2 and the resistor R3 and through the corresponding bonding conductors, and thus the voltage drop across the resistors R2 and R3 and the bonding conductor resistances is negligible.

2 veranschaulicht die Messanordnung gemäß 1 im Detail. Ein Messstrom Imeasure fließt durch den Kontaktwiderstand R1, durch den Bondleiterwiderstand RB1, durch den MOS-FET T1 mit dessen Drain-Source-Widerstand RDSon, durch den Bondleiterwiderstand RB4 und durch den Kontaktwiderstand R4. Es gibt die Spannung V1 an dem Widerstand R1, eine Spannung VB1 an dem ersten Bondleiter, eine Spannung VT1 an dem Drain-Source-Widerstand RDSon, eine Spannung VB4 an dem zweiten Bondleiter und die Spannung V2 an dem Widerstand R4. Das Voltmeter ist zwischen den Widerstand RB1 und den Drain-Source-Widerstand RDSon geschaltet, und daher wird zwischen dem Drain-Source-Widerstand RDSon und dem Widerstand RB4 lediglich die Spannung VT1 durch das Voltmeter gemessen. Die Kontaktwiderstände R2 und R4 und die Bondleiterwiderstände an diesen Anschlüssen können vernachlässigt werden, da der hohe Strom Imeasure nicht durch diese fließt. 2 illustrates the measuring arrangement according to 1 in detail. A measuring current I measure flows through the contact resistance R1, through the bonding conductor resistance R B1 , through the MOS-FET T1 with the sen drain-source resistor R DSon , through the bonding conductor resistance R B4 and through the contact resistance R4. There is the voltage V1 at the resistor R1, a voltage VB1 at the first bonding conductor, a voltage VT1 at the drain-source resistor R DSon , a voltage VB4 at the second bonding conductor, and the voltage V2 at the resistor R4. The voltmeter is connected between the resistor R B1 and the drain-source resistor R DSon , and therefore only the voltage VT1 is measured by the voltmeter between the drain-source resistor R DSon and the resistor R B4 . The contact resistances R2 and R4 and the bonding conductor resistances at these terminals can be neglected because the high current I measure does not flow through them.

Sobald die Messung erzielt wurde, werden die Schalter SW1 und SW3 in 1 geöffnet, und die externen Anschlüsse 16d und 16i werden von den Drain- und Source-Transistorleistungsanschlüssen des MOS-FET T1 getrennt. Deshalb können diese externen Anschlüsse in dem Betriebsmodus für andere Zwecke verwendet werden, in einem DC-DC-Wandler zum Beispiel als Rückkopplungsanschluss oder als Schalteranschluss.Once the measurement has been made, switches SW1 and SW3 are turned on 1 opened, and the external connections 16d and 16i are separated from the drain and source transistor power terminals of the MOSFET T1. Therefore, these external terminals in the operation mode can be used for other purposes, in a DC-DC converter, for example, as a feedback terminal or as a switch terminal.

1 veranschaulicht auch, dass die Erfindung nicht auf lediglich ein Leistungsbauteil in dem integrierten Schaltkreis begrenzt ist. Zur Messung des Drain-Source-Widerstands des MOS-FET T2 werden die Schalter SW2 und SW3 geschlossen. Die externen Anschlüsse 16i und 16f werden dann als Belastungsanschlüsse verwendet, an die die Stromversorgung angeschlossen wird, und die externen Anschlüsse 16j und 16d werden als Messanschlüsse verwendet. In diesem Fall wird der externe Anschluss 16i, der in einem ersten Testmodus als Messanschluss zur Messung von MOS-FET T1 verwendet wurde, nun als Belastungsanschluss in einem zweiten Testmodus verwendet und kann z.B. als Schalteranschluss in dem Betriebsmodus verwendet werden. Der Widerstand einer Leistungsdiode kann auch gemessen werden. Um den Widerstand der Diode D zu messen, müssen die Schalter SW3 und SW4 geschlossen sein. Die externen Anschlüsse 16h und 16i werden dann als Belasungsanschlüsse verwendet, und die externen Anschlüsse 16d und 16j werden als Messanschlüsse verwendet. 1 also illustrates that the invention is not limited to only one power device in the integrated circuit. For measuring the drain-source resistance of the MOSFET T2, the switches SW2 and SW3 are closed. The external connections 16i and 16f are then used as load connections to which the power supply is connected and the external connections 16j and 16d are used as measuring connections. In this case, the external connection 16i used in a first test mode as a measurement terminal for measuring MOS-FET T1, now used as a load terminal in a second test mode, and may be used as a switch terminal in the operation mode, for example. The resistance of a power diode can also be measured. To measure the resistance of diode D, switches SW3 and SW4 must be closed. The external connections 16h and 16i are then used as Belasungsanschlüsse, and the external connections 16d and 16j are used as measuring connections.

Der erfindungsgemäße Schaltkreis ermöglicht es nicht nur, den Durchlasswiderstand von Leistungsbauteilen zu messen, sondern auch die sich tatsächlich auf dem Chip befindliche Eingangsspannung zu verifizieren. Wenn der Eingangsstrom z.B. 200 mA beträgt, und es einen mit einem Bondleiterwiderstand kombinierten Kontaktwiderstand von zusammen 5 Ohm gibt, gibt es an diesen Widerständen einen Spannungsabfall von 1 Volt. Messfehler können auftreten, wenn die Spannung an den Eingangsanschlüssen eine niedrigere Spannung darstellt, als von der Testerquelle an die externen Anschlüsse angelegt wird.Of the inventive circuit allows It's not just about the on-resistance of power components but also the ones actually on the chip Verify input voltage. If the input current is e.g. 200 mA is, and a contact resistance combined with a bond conductor resistance of altogether 5 ohms, there is one at these resistors Voltage drop of 1 volt. Measurement errors can occur when the voltage at the input terminals represents a lower voltage than from the tester source the external connections is created.

Claims (7)

Integrierter Leistungsschaltkreis (12), umfassend: – externe Anschlüsse (16a–16j); – interne Anschlüsse (18), die durch Bondleiter (20) mit entsprechenden externen Anschlüssen (16a–16j) verbunden sind; – ein Leistungsbauelement (T1) mit Leistungsanschlüssen, die mit ersten internen Anschlüssen (18) verbunden sind, die mit ersten externen Anschlüssen (16a, 16j) verbunden sind; – interne Schalter (SW1, SW3) zur wahlweisen Verbindung der Leistungsanschlüsse des Leistungsbauelements (T1) mit zweiten internen Anschlüssen (18) lediglich in einem ersten Testmodus, wobei die zweiten internen Anschlüsse (18) mit zweiten externen Anschlüssen (16d, 16f) verbunden sind.Integrated power circuit ( 12 ), comprising: - external connections ( 16a - 16j ); - internal connections ( 18 ), which by Bondleiter ( 20 ) with corresponding external connections ( 16a - 16j ) are connected; A power device (T1) having power terminals connected to first internal terminals ( 18 ) connected to first external connections ( 16a . 16j ) are connected; Internal switches (SW1, SW3) for selectively connecting the power terminals of the power device (T1) to second internal terminals ( 18 ) only in a first test mode, the second internal connections ( 18 ) with second external connections ( 16d . 16f ) are connected. Leistungsschaltkreis gemäß Anspruch 1, bei dem in dem Testmodus die ersten externen Anschlüsse (16a, 16j) als Belastungsanschlüsse verwendet werden, und die zweiten externen Anschlüsse (16d, 16f) als Messanschlüsse verwendet werden.Power circuit according to Claim 1, in which, in the test mode, the first external connections ( 16a . 16j ) are used as load terminals, and the second external terminals ( 16d . 16f ) can be used as measuring connections. Leistungsschaltkreis gemäß Anspruch 1 oder Anspruch 2, bei dem die zweiten externen Anschlüsse (16d, 16f) als Messanschlüsse in dem Testmodus und in einer unterschiedlichen Funktionalität in einem Betriebsmodus verwendet werden.Power circuit according to claim 1 or claim 2, wherein the second external connections ( 16d . 16f ) can be used as measuring terminals in the test mode and in a different functionality in an operating mode. Leistungsschaltkreis gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Leistungsbauelement ein Leistungs-MOS-FET ist, der einen Drain-Source-Widerstand RDSon aufweist, wobei der Drain-Source-Widerstand RDSon in dem Testmodus gemessen wird.Power circuit according to one of the preceding claims, wherein the power device is a power MOS-FET having a drain-source resistor R DSon , wherein the drain-source resistor R DSon is measured in the test mode. Leistungsschaltkreis gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem das Leistungsbauelement eine Diode (D) ist, wobei der Durchlasswiderstand der Diode (D) in dem Testmodus gemessen wird.Power circuit according to one of claims 1 to 3, wherein the power device is a diode (D), wherein the On resistance of the diode (D) is measured in the test mode. Leistungsschaltkreis gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Leistungsschaltkreis ein DC-DC-Wandler ist.Power circuit according to one of the preceding Claims, wherein the power circuit is a DC-DC converter. Leistungsschaltkreis gemäß Anspruch 1, ferner umfassend: – ein zweites Leistungsbauelement (T2) mit Leistungsanschlüssen, die mit dritten internen Anschlüssen (18) verbunden sind, die mit dritten externen Anschlüssen (16i, 16f) verbunden sind; – interne Schalter (SW2, SW3) zur wahlweisen Verbindung der Leistungsanschlüsse des Leistungsbauelements (T2) mit vierten internen Anschlüssen (18) lediglich in einem zweiten Testmodus, wobei die vierten internen Anschlüsse (18) mit vierten externen Anschlüssen (16d, 16j) verbunden sind, wobei zumindest einer der internen Schalter (SW2) in dem ersten und in dem zweiten Testmodus verwendet wird, und zumindest einer der ersten externen Anschlüsse (16j) einer der vierten externen Anschlüsse ist.Power circuit according to claim 1, further comprising: - a second power device (T2) having power terminals connected to third internal terminals ( 18 ) connected to third external connections ( 16i . 16f ) are connected; - internal switches (SW2, SW3) for the optional connection of the power connections of the power construction elements (T2) with fourth internal connections ( 18 ) only in a second test mode, with the fourth internal connections ( 18 ) with fourth external connections ( 16d . 16j ), wherein at least one of the internal switches (SW2) is used in the first and in the second test mode, and at least one of the first external connections (SW2) 16j ) is one of the fourth external connections.
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