DE102004060557A1 - Flash lamp mirror arrangement - Google Patents
Flash lamp mirror arrangement Download PDFInfo
- Publication number
- DE102004060557A1 DE102004060557A1 DE200410060557 DE102004060557A DE102004060557A1 DE 102004060557 A1 DE102004060557 A1 DE 102004060557A1 DE 200410060557 DE200410060557 DE 200410060557 DE 102004060557 A DE102004060557 A DE 102004060557A DE 102004060557 A1 DE102004060557 A1 DE 102004060557A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- flash lamp
- mirror
- mirror assembly
- flashlamps
- substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Abstract
Die Erfindung betrifft eine Blitzlampenspiegelanordnung als Teil einer Strahlungsbeheizungsanordnung zur kurzzeitigen Erwärmung von vorzugsweise scheibenförmigen Halbleitersubstraten mittels stabförmiger Blitzlampen. DOLLAR A Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Blitzlampenspiegelanordnung vorzuschlagen, die eine homogene und schnelle Erwärmung von Halbleitersubstraten bei unwesentlich erhöhten Anlagenkosten ermöglicht. DOLLAR A Die Erfindung beinhaltet, dass mindestens über die gesamte Substratoberfläche mehrere Blitzlampen einzeln justierbar in jeweils einem hohlzylinderförmigen Spiegel parabelförmigen Querschnitts angeordnet sind und dass die einzelnen Spiegel im Winkel zueinander und ihrer Höhe zum Substrat justierbar angeordnet sind, wobei die Lage der Blitzlampen parallel zueinander, bezogen auf ihre Längsachse, und zu den Substraten ist.The invention relates to a flashlamp mirror assembly as part of a radiation heating arrangement for the short-term heating of preferably disc-shaped semiconductor substrates by means of rod-shaped flashlamps. DOLLAR A The invention has for its object to provide a flashlamp mirror assembly that allows a homogeneous and rapid heating of semiconductor substrates at immaterial increased system costs. DOLLAR A The invention includes that at least over the entire substrate surface a plurality of flashlamps individually adjustable in each case a hollow cylindrical mirror parabolic cross-section are arranged and that the individual mirrors are arranged at an angle to each other and their height to the substrate adjustable, the position of the flashlamps parallel to each other, relative to its longitudinal axis, and to the substrates.
Description
Die Erfindung betrifft eine Blitzlampenspiegelanordnung als Teil einer Strahlungsbeheizungsanordnung zur kurzzeitigen Erwärmung von vorzugsweise scheibenförmigen Halbleitersubstraten mittels stabförmiger Blitzlampen.The The invention relates to a flashlamp mirror assembly as part of a Radiation heating arrangement for short-term heating of preferably disc-shaped Semiconductor substrates by means of rod-shaped flash lamps.
Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen werden zunehmend sogenannte RTP-Prozessschritte (rapid thermal processing) anstelle der konventionellen Ofentemperung eingesetzt. Innerhalb dieser Methoden besitzt die rapide Erhitzung von Halbleitersubstraten mit Hilfe von intensiver optischer Strahlung, beispielsweise der von Blitzlampen, gegenüber der weit verbreiteten Kurzzeitausheilung in Halogenlampenanlagen eine Reihe gravierender Vorteile (Panknin, D.; Stoemenos, J.; Eickhoff, M.; Heera, V.; Voelskow, M.; Skorupa, W., The beneficial role of flash lamp annealing on the epitaxial growth of the 3C-SiC on Si, Appl. Surf. Sc. 184 (2001) 377–382). Zum ersten erfolgt hierbei, aufgrund der kurzzeitig verfügbaren, extrem hohen Leistung derartiger Lampen bis in den Megawattbereich, verglichen mit der Leistung von Halogenlampen im Kilowattbereich, eine ultraschnelle Aufheizung der Substrate. Zum zweiten besitzen derartige Lampen keine Trägheit wie Glühlampen, d.h., sobald die Entladung erlischt, kühlt sich die Probe aufgrund von Wärmestrahlung sehr schnell ab. Ein Problem, welches sich bei der Blitzlampenbestrahlung, wie auch bei allen anderen, auf einer Anordnung von mehreren Lampen basierenden Strahlungsheizungen, gegenüber der Temperung in konventionellen Rohröfen ergibt, ist die Erzielung einer einheitlichen Temperatur (Temperaturhomogenität) über die gesamte Halbleiteroberfläche bei maximaler Ausnutzung der Lichtenergie.at The production of semiconductor devices are becoming increasingly so-called RTP process steps (rapid thermal processing) instead of conventional furnace annealing used. Within these methods, the rapid heating of Semiconductor substrates by means of intense optical radiation, For example, the flash lamps, compared to the widespread short-term annealing in Halogen lamps a number of serious advantages (Panknin, D .; Stoemenos, J .; Eickhoff, M .; Heera, V .; Voelskov, M .; Skorupa, W., The beneficial role of flash lamp annealing on the epitaxial growth of the 3C-SiC on Si, Appl. Surf. Sc. 184 (2001) 377-382). To the first takes place, due to the short-term available, extremely high power of such lamps up to the megawatt range, compared to the power of halogen lamps in the kilowatt range, an ultrafast heating of the substrates. For the second own such lamps no inertia like light bulbs, that is, as soon as the discharge ceases, the sample cools due to of heat radiation very quickly. A problem with flashbulbs, as with all others, on an arrangement of several lamps based radiant heaters, compared to the annealing in conventional Tube Furnaces results in the achievement of a uniform temperature (temperature homogeneity) over the entire semiconductor surface at maximum utilization of light energy.
Insbesondere jedoch bei der Blitzlampenbestrahlung, mit Prozesszeiten im Bereich von Millisekunden, und dem aufgrund der kurzen Zeit nicht stattfindenden lateralen Temperaturausgleich während der Bestrahlung, führen Bestrahlungsinhomogenitäten zu extremen thermischen Spannungen innerhalb der Scheiben, was wiederum zu bleibender Verbiegung oder sogar zum Bersten derselben führen kann. Aber schon eine geringe Verbiegung kann dazu führen, dass nachfolgende photolithographische Prozessschritte bei der Bauelementeherstellung nicht mehr durchführbar sind.Especially however, in flash lamp irradiation, with process times in the range of milliseconds, and due to the short time not taking place lateral temperature compensation during the Irradiation, lead Bestrahlungsinhomogenitäten to extreme thermal stresses within the discs, which in turn can lead to permanent bending or even bursting of the same. But even a slight bend can cause subsequent photolithographic Process steps in the device manufacturing are no longer feasible.
Die Erhöhung der Homogenität der Lichteinstrahlung bei Blitzlampenanlagen dient somit in hohem Maße der Erhöhung der Ausbeute in der Bauelementeherstellung.The increase homogeneity The light irradiation in flash lamp systems thus serves in high Dimensions of increase the yield in component manufacturing.
Üblicherweise wird die Erhöhung der Homogenität bei der Blitzlampenbestrahlung durch einen großen Abstand der Lampen zu den zu bestrahlenden Scheiben und durch ein entsprechend ausgedehntes Lampenfeld (Mehrfaches des Scheibendurchmessers) erreicht. Die damit zwangsläufig verbundene notwendige Vergrößerung der Bestrahlungskammer und des Lampenfeldes und damit auch der Kondensatorbatterie, als Energiequelle für die Blitzlampen, führt jedoch zu einer außerordentlichen Steigerung der Anlagekosten.Usually will be the increase homogeneity when the flash lamp irradiation by a large distance of the lamps to the to be irradiated discs and by a correspondingly extended Lamp field (multiple of the disc diameter) reached. The so inevitably associated necessary enlargement of the Irradiation chamber and the lamp field and thus also the capacitor bank, as an energy source for the flashlamps, leads but to an extraordinary increase the investment costs.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Blitzlampenspiegelanordnung vorzuschlagen, die eine homogene und schnelle Erwärmung von Halbleitersubstraten bei unwesentlich erhöhten Anlagenkosten ermöglicht.Of the Invention is based on the object, a flashlamp mirror assembly to propose a homogeneous and rapid heating of semiconductor substrates at insignificantly increased Plant costs enabled.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe mit den in den Patentansprüchen dargelegten Merkmalen gelöst.According to the invention Problem solved by the features set out in the claims.
Dabei ist wesentlich, dass jede einzelne zylinderförmige Lampe mit ihrer Achse justierbar im Brennpunktes eines parabelförmigen Zylinderspiegels angeordnet ist und außerdem jede Spiegel/Lampe-Einheit parallel zur benachbarten angeordnet ist, wobei die einzelnen Einheiten in ihrem Abstand zueinander und in ihrem Abstand zur Probe und der axialen Ausrichtung frei justierbar sind. Dadurch wird die Möglichkeit geschaffen, die durch die parabelförmigen Spiegel erzeugten, in ihrer Intensität homogenen einzelnen Lichtbündel durch Justierung der einzelnen Spiegel so auf die Probe zu positionieren, dass sich eine einheitliche, gleichmäßig beleuchtete Fläche ergibt.there is essential that every single cylindrical lamp with its axis adjustable arranged in the focal point of a parabolic cylinder mirror is and besides each mirror / lamp unit is arranged parallel to the adjacent one is, with the individual units in their distance from each other and freely adjustable in their distance from the sample and the axial orientation are. This will be the possibility created by the parabolic mirrors, in their intensity homogeneous single light beam by adjusting the individual mirrors so as to position the sample, that results in a uniform, uniformly illuminated area.
Bei der Projektion des Lichtes auf das Substrat werden zwei Fälle unterschieden:
- – Das Licht aller Blitzlampen wird gebündelt. Damit wird die Substratoberfläche mit einer hohen Energiedichte bestrahlt. Die mit einem Blitz modifizierte Fläche ist klein.
- – Das Licht der Blitzlampen wird parallel auf das Substrat projiziert. Die in dieser Anordnung erreichbaren Energiedichten sind geringer, jedoch kann die gleichzeitig bestrahlte Fläche nahezu beliebig vergrößert werden.
- - The light of all flash lamps is bundled. Thus, the substrate surface is irradiated with a high energy density. The area modified with a flash is small.
- - The light of the flash lamps is projected parallel to the substrate. The energy densities achievable in this arrangement are lower, but the surface irradiated at the same time can be increased almost arbitrarily.
Der wesentliche Vorteil der beschriebenen Blitzlampenspiegelanordnung gegenüber den herkömmlichen Anordnungen mit einem einzigen Spiegel besteht in der Eliminierung des Intensitätsabfalles zum Rand der zu bestrahlenden Scheibe hin, wie er bei ei nem Feld aus freiliegenden parallelen Lampen zwangsläufig zu beobachten ist. Die Lampenlänge sollte dabei mindestens das Doppelte des Durchmessers der zu bestrahlenden Scheiben betragen, damit auch die Homogenität der Bestrahlung in Richtung der Lampenachsen gewährleistet ist.Of the significant advantage of the flash lamp mirror assembly described across from the conventional one Single mirror arrays consist of elimination intensity drop to Edge of the disk to be irradiated out, as he in egg nem field exposed parallel lamps is inevitably observed. The Lamp length should be while at least twice the diameter of the irradiated Slices amount, thereby also the homogeneity of the irradiation in direction ensures the lamp axes is.
Ein weiterer Vorteil ist, dass die Gesamtenergie des Lichtimpulses nicht oder kaum erhöht werden muss.One Another advantage is that the total energy of the light pulse is not or hardly raised must become.
Nachstehend wird die Erfindung an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.below the invention is based on an embodiment explained in more detail.
In der zugehörigen Zeichnung zeigenIn the associated Show drawing
Über einem
massiven Probenhalter
Der
Probenhalter
Es
lassen sich aber auch in dieser Spiegelanordnung zwecks Erhöhung der
Energiedichte auf bestimmten Substratbereichen oder zur intensiven Bestrahlung
kleinerer Substrate
Die
Blitzlampen
Claims (5)
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200410060557 DE102004060557A1 (en) | 2004-12-16 | 2004-12-16 | Flash lamp mirror arrangement |
DE112005003465T DE112005003465A5 (en) | 2004-12-16 | 2005-12-09 | Flash lamp mirror arrangement |
PCT/DE2005/002215 WO2006063563A1 (en) | 2004-12-16 | 2005-12-09 | Flash tube mirror arrangement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200410060557 DE102004060557A1 (en) | 2004-12-16 | 2004-12-16 | Flash lamp mirror arrangement |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102004060557A1 true DE102004060557A1 (en) | 2006-06-29 |
Family
ID=35717591
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE200410060557 Withdrawn DE102004060557A1 (en) | 2004-12-16 | 2004-12-16 | Flash lamp mirror arrangement |
DE112005003465T Withdrawn DE112005003465A5 (en) | 2004-12-16 | 2005-12-09 | Flash lamp mirror arrangement |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112005003465T Withdrawn DE112005003465A5 (en) | 2004-12-16 | 2005-12-09 | Flash lamp mirror arrangement |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (2) | DE102004060557A1 (en) |
WO (1) | WO2006063563A1 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020148824A1 (en) * | 2001-04-17 | 2002-10-17 | Markus Hauf | Rapid thermal processing system for integrated circuits |
DE10136501C1 (en) * | 2001-07-27 | 2002-11-07 | Gunther Ackermann | Substrate heating device using electromagnetic radiation has cooling medium feed with integrated flow channel directing cooling medium onto substrate outside heated area |
DE10132974A1 (en) * | 2001-07-06 | 2003-01-30 | Trilux Lenze Gmbh & Co Kg | Optics for room lights |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6771895B2 (en) * | 1999-01-06 | 2004-08-03 | Mattson Technology, Inc. | Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers |
US20020179589A1 (en) * | 2000-02-08 | 2002-12-05 | Yukihiro Morita | Lamp annealing device and substrate for a display element |
JP3896395B2 (en) * | 2001-06-20 | 2007-03-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Heat treatment equipment |
-
2004
- 2004-12-16 DE DE200410060557 patent/DE102004060557A1/en not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-12-09 WO PCT/DE2005/002215 patent/WO2006063563A1/en not_active Application Discontinuation
- 2005-12-09 DE DE112005003465T patent/DE112005003465A5/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020148824A1 (en) * | 2001-04-17 | 2002-10-17 | Markus Hauf | Rapid thermal processing system for integrated circuits |
DE10132974A1 (en) * | 2001-07-06 | 2003-01-30 | Trilux Lenze Gmbh & Co Kg | Optics for room lights |
DE10136501C1 (en) * | 2001-07-27 | 2002-11-07 | Gunther Ackermann | Substrate heating device using electromagnetic radiation has cooling medium feed with integrated flow channel directing cooling medium onto substrate outside heated area |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
PANKNIN,D. u.a.: The beneficial role of flash lamp annealing on the epitaxral growth of the 3C-Sil m Si. In: Appl. Surface Science, 2001, Vol.184, S.377-382 |
PANKNIN,D. u.a.: The beneficial role of flash lampannealing on the epitaxral growth of the 3C-Sil m Si. In: Appl. Surface Science, 2001, Vol.184, S.377-382 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112005003465A5 (en) | 2007-11-22 |
WO2006063563A1 (en) | 2006-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0505928B1 (en) | Process for the rapid thermal annealing of a semiconductor wafer using irradiation | |
DE3136105C2 (en) | ||
WO2002095804A1 (en) | Method and device for the thermal treatment of substrates | |
DE10297622B4 (en) | Temperature measurement and methods and systems for heat treatment | |
EP0345443B1 (en) | Process for the rapid thermal annealing of a semiconductor wafer using irradiation | |
DE102012200665B4 (en) | Process for producing a low-emitting layer system | |
DE19938807A1 (en) | Uniform short wave IR heating equipment for glass and/or glass-ceramic, e.g. for ceramicizing or heating prior to shaping, includes an arrangement for indirect incidence of most of the IR radiation | |
WO2000056674A1 (en) | Method of forming glass-ceramic parts and/or glass parts | |
EP3338301A1 (en) | Radiator module and use of the radiator module | |
DE4306398A1 (en) | Device for heating a substrate | |
DE10024709B4 (en) | Device for the thermal treatment of substrates | |
EP0554538B1 (en) | Process and device for the heating of a material | |
DE10197002B3 (en) | Method and system for heat treatment | |
DE102012106667B3 (en) | Device for irradiating a substrate | |
DE10163087B4 (en) | Infrared radiator for the thermal treatment of goods | |
DE102004060557A1 (en) | Flash lamp mirror arrangement | |
DE3139712A1 (en) | Annealing device | |
WO2002033735A2 (en) | Device for thermally treating substrates | |
DE3139711A1 (en) | Annealing device | |
DE10156915B4 (en) | Apparatus for homogeneous heating of substrates or surfaces and their use | |
DE4142466C2 (en) | Process for rapid cooling during short-term tempering of a semiconductor wafer | |
DE19852321C2 (en) | Optical radiation measuring device | |
WO2017220272A1 (en) | Substrate support element for a support rack | |
DE10147952A1 (en) | Process for drying coatings on substrates for lamps | |
DE3926028C2 (en) | Device for controlling the thickness of a web of material passing through a nip |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: FORSCHUNGSZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V., 0, DE |
|
8130 | Withdrawal |