DE102004052461A1 - Ätzverfahren - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung hat die Aufgabe, ein Ätzverfahren bereitzustellen, welches das Ätzen und Entfernen mit einer ausreichenden Rate von einer feinen Ätzöffnung einer zu opfernden Schicht erlaubt und wodurch man eine Struktur bilden kann, die einen großen hohlen Bereich oder einen kompliziert gebildeten Raum und außerdem eine Struktur mit einem hohen Seitenverhältnis mit ausgezeichneter Formgenauigkeit und ohne Verschlechterung eines Oberflächenzustandes hat. Bei dem Ätzverfahren ist ein Werkstück einem Bearbeitungs-Fluid ausgesetzt, welches eine Ätzreaktionssorte enthält, und das Bearbeitungs-Fluid wird in einem Zustand gehalten, wo dieses in bezug auf das Werkstück fließt. In diesem Zustand wird auf eine Fläche des Werkstücks Bestrahlungslicht intermittierend gestrahlt, um das Werkstück intermittierend zu erwärmen. Dadurch wird das Bearbeitungs-Fluid in der Nachbarschaft des Werkstücks intermittierend erwärmt und dadurch expandiert und kontrahiert, um zu ätzen. Als Bearbeitungs-Fluid kann vorzugsweise eine Substanz, welche eine Ätzreaktionssorte enthält und in einem überkritischen Zustand ist, verwendet werden.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Ätzverfahren, insbesondere auf ein Ätzverfahren, welches angewandt wird, wenn beim Herstellen einer Halbleitereinrichtung oder einer Mikromaschine eine zu opfernde Schicht selektiv geätzt und entfernt wird, um eine feine dreidimensionale Struktur zu bilden.
  • Mit dem Fortschritt der Miniaturisierungs-Technologie haben Mikromaschinen (Micro Electro Mechanical Systems: MEMS) und kleine Einrichtungen, in welche eine Mikromaschine montiert wird, die Aufmerksamkeit an sich gezogen. Eine Mikromaschine ist ein Element, bei dem ein sich bewegendes Teil, das aus einer dreidimensionalen Struktur hergestellt ist, das auf einem Substrat gebildet ist, beispielsweise einem Siliziumsubstrat oder einem Glassubstrat, und eine Halbleiterintegrationsschaltung usw., welche die Ansteuerung des sich bewegenden Bereichs steuert, elektrisch und mechanisch kombiniert sind, und sie bildet ein Resonatorelement usw. beispielsweise als ein optisches Element und einen FBAR (Film Bulk Acoustic Resonator).
  • Insoweit wurde auf dem Gebiet dieser Mikromaschinen und Halbleiter ein Verfahren in einer Weise ausgeführt, dass eine zu opfernde Schicht vorher auf dem Substrat gebildet wird, eine Strukturschicht auf der zu opfernden Schicht gebildet wird, auf welches das Musterbilden folgt, wonach die zu opfernde Schicht selektiv geätzt und entfernt wird, und dadurch eine dreidimensionale Struktur, in welcher unter einer gemusterten Strukturschicht ein hohler Bereich angeordnet ist oder ein dreidimensionale Struktur mit einem hohen Seitenverhältnis gebildet wird. Als zu opfernde Schicht wird Siliziumoxid (SiO2) oder Silizium (Si) verwendet, und, wenn die zu opfernde Schicht geätzt und entfernt wird, wird ein Ätzmittel, welches schnell und selektiv die zu opfernde Schicht ätzen kann, zum Ätzen verwendet. In dem Fall, wo beispielsweise eine zu opfernde Schicht aufgrund von Siliziumoxid gebildet ist, wird ein Fluor (F), welches Ätzflüssigkeit enthält, zum Ätzen verwendet, und in dem Fall, wo eine zu opfernde Schicht aus Silizium gebildet ist, wird ein Ätzgas, beispielsweise gasförmiges Xenon-Fluorid (XeF2) oder Brom-Fluorid (BrF3) zum Ätzen verwendet.
  • Wenn weiter beispielsweise eine dreidimensionale Struktur mit einem hohlen Bereich unter der Strukturschicht gebildet wird, wird zunächst, wie in 6A gezeigt ist, eine zu opfernde Schicht 2 auf einem oberen Bereich eines Substrats 1 bemustert, und eine Strukturschicht 3 wird so gebildet, dass sie das Substrat 1 und die zu opfernde Schicht 2 überdeckt. An nächster Stelle wird die Strukturschicht 3 in einer Form gemäß der Notwendigkeit bemustert, und in der Strukturschicht 3 wird eine Ätzöffnung 3a, die die zu opfernde Schicht 2 erreicht, gebildet. Danach wird, wie in 6B gezeigt ist, durch die Ätzöffnung 3a die zu opfernde Schicht 2 geätzt und beseitigt. Dadurch kann eine dreidimensionale Struktur mit einem hohlen Bereich a unter der Strukturschicht 3 erhalten werden.
  • In dem Fall außerdem, wenn eine Halbleitereinrichtung eine untere Elektrode eines zylindrischen Kondensators gebildet wird, wird zunächst, wie in 7A gezeigt ist, über einem Substrat 1 eine erste zu opfernde Schicht 2 gebildet, auf die das Aufbringen eines Lochmusters 2a folgt, und weiter wird, wobei eine Innenwand des Hohlmusters 2a abgedeckt ist, eine Elektrodenschicht 5 abgelagert. Um die Innenseite des hohlen Musters 2a aufzufüllen, wird nachfolgend auf einer unteren Elektrodenschicht 5 eine zweite zu opfernde Schicht 6 aufgebracht, auf die das Polieren und das Entfernen eines Kopfbereichs der zu opfernden Schicht 6 und der unteren Elektrodenschicht 5 darunter folgt und wodurch die untere Elektrodenschicht 5 als Zylinder gebildet ist. Danach werden, wie in 7B gezeigt ist, die zu opfernden Schichten 2 und 6 selektiv geätzt und entfernt, und dadurch wird auf dem Substrat 1 eine zylindrische untere Elektrode 5a als dreidimensionale Struktur gebildet.
  • Wenn bei dem oben erwähnten Ätzprozess eine chemische Flüssigkeit als Ätzmittel verwendet wird, wird beim Trocknungsprozess in einigen Fällen eine Struktur (beispielsweise die untere Elektrode), die aufgrund von Ätzen gebildet ist, aufgrund der Oberflächenspannung einer Spülflüssigkeit zerstört. Als Verfahren, um dies zu verhindern, wird ein Verfahren, bei dem eine Spülflüssigkeit durch ein überkritisches Fluid ersetzt wird, welches die Diffusion von einem Gas und die Lösbarkeit einer Flüssigkeit kombiniert, wobei das extrem kritische Fluid verdampft wird, vorgeschlagen. Wenn insbesondere die Spülflüssigkeit in das Muster imprägniert wird, wenn, nachdem die Spülflüssigkeit durch flüssiges Kohlendioxid ersetzt wurde, ein Substrat, auf dem das Muster gebildet wird, erhitzt und dadurch wird das Muster auf eine Temperatur erhitzt, die höher ist als eine Temperatur der Innenseite eines Behälters, in dem flüssiges Kohlendioxid gefüllt ist, wobei die Spülflüssigkeit im Muster schnell nach außen abgelassen werden kann (JP-A 2002-313 773).
  • Außerdem wurde ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem, wenn ein Bearbeitungs-Fluid, bei dem eine Ätzreaktionssorte in einem überkritischen Fluid enthalten ist, zum Ätzen verwendet wird, ein Trockenverfahren unnötig werden kann.
  • Diese Ätzverfahren haben jedoch Probleme, die anschließend erläutert werden. Beispielsweise wird es bei der Bildung der dreidimensionalen Struktur, die einen hohlen Bereich a hat, was mit Hilfe von 6A und 6B erläutert wurde, wenn der hohle Bereich a, der gemäß dem Ätzen gebildet wird, in bezug auf die Ätzöffnung 3a größer wird, schwierig, die zu opfernde Schicht 2 mittels Ätzen zu entfernen. Bei der dreidimensionalen Struktur (untere Elektrode des zylindrischen Kondensators), die mit Hilfe von 7A und 7B erläutert wurde, wird, da ein Seitenverhältnis einer zylindrischen Form größer wird, es schwierig, die zu opfernde Schicht 2 und 6 zu ätzen und zu beseitigen.
  • Dies liegt am Ätzmechanismus, der anschließend beschrieben wird. Das heißt, bei dem Verfahren zum Ätzen der zu opfernden Schichten 2 und 6 wird eine Ätzreaktionssorte, welche im Ätzmittel vorhanden ist, verbraucht. Um das Ätzen weiter vorwärts zu bringen ist es folglich notwendig, das Ätzmittel, welches die deaktivierte Ätzsorte hat, von der Ätzöffnung zu entfernen und ein neues Ätzmittel von der Ätzöffnung zuzuführen. Bei dem Verfahren zum Ätzen wird jedoch der hohle Bereich größer, und das Seitenverhältnis der zylindrischen Form wird höher. Folglich wird es schwierig, das Ätzmittel über die feine Ätzöffnung auszutauschen, und die Austauscheffektivität des Ätzmittels gegenüber dem geätzten Bereich wird niedrig. Als Folge davon wird mit dem Fortschritt des Ätzens der zu opfernden Schichten 2 und 6 die Ätzrate bemerkenswert abgesenkt, und es wird schwierig, die zu opfernden Schichten 2 und 6 zu ätzen und zu beseitigen.
  • Wie oben erwähnt wird in dem Fall der zu opfernden Schichten 2 und 6 es schwierig, diese vollständig zu ätzen und zu beseitigen, wodurch ein Rest der zu opfernden Schichten 2 und 6 erzeugt wird und die Formgenauigkeit des Ätzens, d.h., die Formgenauigkeit der dreidimensionalen Struktur wird verschlechtert. Dadurch wird die Betriebskenngröße einer Mikromaschine oder einer Halbleitereinrichtung, die die dreidimensionale Struktur hat, verschlechtert.
  • Weiter wird aufgrund der oben erwähnten Verschlechterung der Ätzrate die Ätzzeit insgesamt verlängert. Folglich wird sogar auf einer Fläche der Strukturschicht ein Einfluss des Ätzens ausgeübt, und dadurch wird in einigen Fällen die Kenngröße der Mikromaschine, welche mit der dreidimensionalen Struktur versehen ist, verschlechtert. Beispielsweise besteht bei einer Lichtmodulations-Mikromaschine eine Fläche der Strukturschicht aus einer Lichtreflexionsschicht, beispielsweise einem Aluminiumfilm. In diesem Fall wird es, wenn eine Fläche des Aluminiumfilms durch Ätzen beeinträchtigt wird, schwierig, die ursprüngliche Reflexionscharakteristik zu erhalten.
    •
  • In diesem Zusammenhang hat die vorliegende Erfindung die Aufgabe, einen Atzprozess bereitzustellen, der Ätzen und Beseitigen einer zu opfernden Schicht mit einer ausreichenden Rate von einer feinen Ätzöffnung erlaubt und dadurch eine Struktur bilden kann, welche einen großen hohlen Bereich oder Raum hat, und der einen komplizierten Aufbau hat und eine Struktur, die ein hohes Seitenverhältnis hat mit einer ausgezeichneten Formgenauigkeit und ohne einen Flächezustand zu verschlechtern.
  • Bei einem Ätzverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zum Lösen dieser Aufgabe wird bei einem Werkstück, welches einem Bearbeitungs-Fluid ausgesetzt ist, welches eine Ätzreaktionssorte enthält, Licht intermittierend auf eine Fläche des Werkstücks, um dieses zu erwärmen, gestrahlt. Dadurch wird das Bearbeitungs-Fluid in der Nachbarschaft des Werkstücks intermittierend erhitzt und dadurch expandiert oder kontrahiert. In diesem Zeitpunkt wird das Bearbeitungs-Fluid in einem Zustand gehalten, wo es relativ zum Werkstück fließt.
  • Bei einem derartigen Ätzprozess wird eine Fläche des Werkstücks intermittierend mit Licht bestrahlt, und dadurch wird das Bearbeitungs-Fluid in der Nachbarschaft des Werkstücks indirekt aufgrund der thermischen Leitung vom Werkstück erhitzt. Dadurch wird das Bearbeitungs-Fluid von einer Seite in Kontakt mit dem Werkstück wirksam erhitzt und dehnt sich aus. Aufgrund der Ausdehnung wird die Dichte des Bearbeitungs-Fluids in der Nachbarschaft des Werkstücks abgesenkt. Sogar, wenn das Werkstück einen hohlen Bereich auf seiner einen Fläche aufweist, oder wenn das Werkstück ein Loch oder eine Nut hat, wird das Bearbeitungs-Fluid im hohlen Bereich, im Loch oder in der Nut ebenfalls von einer Fläche des Werkstücks erwärmt, die in Kontakt mit dem Bearbeitungs-Fluid ist und dadurch expandiert und dadurch von dem hohlen Bereich, dem Loch oder der Nut ausgestoßen. Da außerdem das Heizen intermittierend angewandt wird, wird zwischen dem Heizen und dem Heizen die Wärme des Werkstücks auf das Werkstück selbst und auf das Bearbeitungs-Fluid, welches relativ zum Werkstück fließt, abgeleitet. Im Anschluss an die Wärmeableitung wird das Bearbeitungs-Fluid im hohlen Bereich, im Loch oder in der Nut abgekühlt und kontrahiert, ein Bearbeitungs-Fluid, welches einer Fläche des Werkstücks fließend zugeführt wird und eine neue Ätzreaktionssorte enthält, wird zwangsweise in den hohlen Bereich, in das Loch oder in die Nut eingeführt, um das Bearbeitungs-Fluid zu ersetzen. Folglich wird aufgrund des inter mittierenden Erwärmens aufgrund der Lichtbestrahlung der oben erwähnte zwangsweise Ersatz des Bearbeitungs-Fluids wiederholt und effizient ausgeführt. Als Folge davon kann die Ätzrate im hohlen Bereich, im Loch oder in der Nut beibehalten werden.
  • Daher kann gemäß dem Ätzverfahren nach der Erfindung das Ätzen durchgeführt werden, ohne eine zu opfernde Schicht in einem hohlen Bereich, der eine komplizierte Form hat oder groß gegenüber einer Ätzöffnung ist und außerdem bezüglich eines Lochs oder einer Nut, die ein hohen Seitenverhältnis hat, zurückzulassen. Folglich kann eine Verbesserung der Genauigkeit der Ätzform erreicht werden, und, da die Ätzzeit abgekürzt werden kann, kann verhindert werden, dass die Oberflächenbeschaffenheit aufgrund des Ätzens verschlechtert wird. Als Ergebnis kann beispielsweise eine Mikromaschine oder eine Halbleitereinrichtung, die mit einem dreidimensionalen Strukturbereich versehen ist, bezüglich der Arbeitskenngröße verbessert werden.
    •
  • 1 ist ein Aufbaudiagramm einer Bearbeitungsvorrichtung, die bei einem Ätzverfahren gemäß der Ausführungsform verwendet wird;
  • 2 ist ein Flussdiagramm, welches ein Ätzverfahren gemäß einer Ausführungsform zeigt;
  • 3 ist eine grafische Darstellung, welche intermittierende Bestrahlung von Bestrahlungslicht in einem Ätzverfahren gemäß einer Ausführungsform zeigt;
  • 4A und 4B sind Diagramme, um Wirkungen eines Ätzverfahrens gemäß einer Ausführungsform zu erläutern;
  • 5 ist eine grafische Darstellung, welche Effekte eines Ätzverfahrens gemäß einer Ausführungsform zeigt;
  • 6A und 6B sind Querschnittsansichten, um ein Beispiel eines vorhandenen Ätzverfahrens zu erläutern; und
  • 7A und 7B sind Querschnittsansichten zum Erläutern eines weiteren Beispiels eines existierenden Ätzverfahrens.
  • Anschließend werden Ausführungsformen eines Ätzverfahrens nach der vorliegenden Erfindung erläutert. Bevor Ausführungsformen des Ätzverfahrens erläutert werden, wird ein Beispiel eines Aufbaus einer Bearbeitungsvorrichtung, die bei der Ätzvorrichtung vorzugsweise verwendet wird, erläutert.
  • 1 ist ein schematisches Diagramm eines Aufbaus, welches ein Beispiel einer Bearbeitungsvorrichtung zeigt, die bei einem Ätzverfahren nach der Erfindung verwendet wird. Die Bearbeitungsvorrichtung besitzt eine Bearbeitungskammer 11, wo das Ätzen ausgeführt wird. In der Bearbeitungskammer 11 kann ein Substrat S, welches ein Werkstück ist, untergebracht werden, und die Temperatur im Innenraum kann auf einem vorher festgelegten Wert gehalten werden. Weiter ist an einer Position, welche einer Fläche (Fläche, die zu ätzen ist) des Substrats S zugewandt ist, welches in der Bearbeitungskammer 11 untergebracht ist, ein optisches Fenster 12, welches Bestrahlungslicht (beispielsweise Laserlicht oder Lampenlicht) h, welches auf das Substrat S gestrahlt wird, angeordnet. Für das optische Fenster 12 kann vorzugsweise bekanntes synthetisches Quarz oder Fluorkalzium verwendet werden.
  • Weiter sind mit der Bearbeitungskammer 11 über ein Ventil b ein Auslassrohr 13 und ein Fluid-Zufuhrrohr 14 verbunden, wodurch die Innenseite der Bearbeitungskammer 11 so aufgebaut ist, dass sie auf einen vorher festgelegten atmosphärischen Druck gehalten wird. Unter anderem ist mit dem Fluid-Zufuhrrohr 14 über eine Pumpe 15 ein Kohlenstoffdioxid-Tank (CO2) verbunden, um CO2 zur Innenseite der Bearbeitungskammer 11 mit einem vorher festgelegten Druck zu liefern. Parallel mit einem Verbindungsrohr 17 zwischen der Pumpe 15 und dem Fluid-Zufuhrrohr 14 ist über das Ventil b ein Mischtank 18 verbunden. Mit dem Mischtank 18 ist über das Ventil b eine Zufuhrquelle 19 zum Liefern eines Entziehungsmittels, beispielsweise einer Ätzreaktionssorte (beispielsweise Hydrofluor-Säuredampf und Wasserdampf) oder eines Lösungsmittels, verbunden, und im Mischtank 18a ist ein Bearbeitungs-Fluid L, in welches das Entziehungsmittel in CO2 bei einer vorher festgelegten Konzentration verteilt (aufgelöst) ist, unter einer vorher festgelegten Temperatur und Druck aufbewahrt.
  • Außerdem ist mit der Bearbeitungsvorrichtung eine Lichtquelle 21, die Bestrahlungslicht h impulsartig in Schwingung versetzt, angeordnet. Auf einem Lichtpfad des Bestrahlungslichts h, welcher von der Lichtquelle 21 bestrahlt wird, sind wiederum von einer Seite der Lichtquelle 21 ein Dämpfungsorgan 22, ein Kollimator 23 und zwei freibewegbare Spiegel 24 und 35 angeordnet. Aufgrund der beiden Spiegel 24 und 25 läuft das Bestrahlungslicht h, welches impulsartig schwingt, von der Lichtquelle 21 in das optische Fenster 12 und wird auf eine Fläche des Substrats S gestrahlt, welches in der Bearbeitungskammer 11 untergebracht ist, und außerdem aufgrund des Antriebs der beiden Spiegel 24 und 25 tastet das Bestrahlungslicht h einen gesamten Bereich der Fläche des Substrats S ab. Außerdem wird die Energiedichte des Bestrahlungslichts h, welches auf das Substrat S gestrahlt wird, auf einen vorher festgelegten Wert unter Verwendung des Dämpfungsorgans 22 und des Kollimators 23 gesteuert.
  • Gemäß einer derartigen Bearbeitungsvorrichtung kann CO2, welches keine Verunreinigung, beispielsweise ein Entziehungsmittel enthält, oder ein Bearbeitungs-Fluid L, welches auf einer vorher festgelegten Temperatur und Druck mit dem Entziehungsmittel gehalten wird, beispielsweise Flourwasserstoff-Säure-Dampf oder Wasserdampf, die in CO2 bei einer vorher festgelegten Konzentration dispergiert sind, in die Bearbeitungskammer 11 geliefert werden, die auf einer vorher festgelegten Temperatur und einem vorher festgelegten Druck gehalten wird. Folglich kann CO2 in der Bearbeitungskammer 11 auch einen überkritischen Zustand beibehalten. Auf das Substrat S, welches einer vorher festgelegten Atmosphäre in der Bearbeitungskammer 11 ausgesetzt ist, kann das Bestrahlungslicht h, welches impulsartig schwingt, mit einer vorher festgelegten Energiedichte gestrahlt werden.
  • Der Aufbau des oben erläuterten Bearbeitungsvorrichtung ist lediglich ein Beispiel, gemäß dem eine Substanz, die als Bearbeitungs-Fluid L verwendet wird, der CO2-Behälter 16 durch einen anderen Gastank ausgetauscht werden kann und ein Entziehungsmittel, welches von der Lieferquelle 19 geliefert wird, geeignet ausgewählt werden kann.
  • Wenn das Bestrahlungslicht h, welches impulsartig schwingt, von der Lichtquelle 21 eine gesamte Fläche des Substrats abtasten kann, kann anstelle der Spiegel 24 und 25 eine optische Faser verwendet werden. Weiter kann als Lichtquelle 21, welches das Bestrahlungslicht h impulsartig zum Schwingen bringt, eine, bei der eine Laserlichtquelle oder ein Lampe, die Licht emittiert, welches eine Wellenlänge in einem UV-Bereich hat, impulsartig schwingt, verwendet werden. Bei der Bearbeitungsvorrichtung jedoch, der bei dem Ätzverfahren gemäß der Erfindung verwendet wird, soweit das Beleuchtungslicht h intermittierend auf das Substrat S, welches in der Bearbeitungskammer 11 untergebracht ist, beleuchtet werden kann, ist diese nicht auf die Verwendung der Lichtquelle 21 beschränkt, welche das Bestrahlungslicht h impulsartig zum Schwingen bringt. Sogar beispielsweise, wenn eine Lichtquelle 21, die kontinuierlich Licht emittiert, beispielsweise eine dielektrische Sperrschichtentladelampe verwendet wird, wenn zwischen der Lichtquelle 21 und dem optischen Fenster 12 eine Schirmplatte, welche innerhalb einer vorher festgelegten Periode frei geöffnet und geschlossen werden kann, angeordnet ist, kann das Bestrahlungslicht h intermittierend auf das Substrat S gestrahlt werden. Damit kann eine Bearbeitungsvorrichtung mit einer derartigen Konfiguration ebenfalls verwendet werden.
  • Anschließend wird eine erste Ausführungsform eines Ätzprozesses, bei dem eine Bearbeitungsvorrichtung verwendet wird, die einen derartigen Aufbau hat, auf der Basis eines Flussdiagramms, welches in 2 gezeigt ist, in bezug auf 1 erläutert. Hier wird unter der Annahme eines Falls, wo in einer vorderen Flächenseite des Substrats S von einer feinen Ätzöffnung eine zu opfernde Schicht selektiv geätzt und entfernt wird, eine Ausführungsform eines Ätzprozesses erläutert.
  • Hier wird in einem ersten Schritt S1 ein Substrat S, welches ein Werkstück ist, in einer Bearbeitungskammer 11 untergebracht und angeordnet und der Einlass des Substrats S wird verschlossen, um den Innenraum der Bearbeitungskammer 11 hermetisch abzudichten.
  • Nachfolgend wird in einem zweiten Schritt S2 von einem Fluid-Zufuhrrohr 14 reines CO2 in die Bearbeitungskammer 11, das kein Entziehungsmittel oder eine andere Substanz hat, geliefert. Hier wird die Bearbeitungskammer 11 simultan evakuiert. Bis der Innenraum der Bearbeitungskammer 11 vollständig durch CO2 ersetzt ist, wird somit die Evakuierung des Innenraums der Bearbeitungskammer 11 und die Zufuhr von CO2 fortgesetzt.
  • Danach wird in einem dritten Schritt S3, wenn die Evakuierung des Innenraums der Bearbeitungskammer 11 angehalten wird, die Zufuhr von CO2 in die Bearbeitungskammer 11 fortgesetzt und eine Temperatur innerhalb der Bearbeitungskammer 11 wird gesteuert, wodurch der Druck innerhalb der Bearbeitungskammer 11 zum kritischen Druck von CO2 oder mehr und eine Temperatur zur kritischen Temperatur oder mehr gemacht werden. Dadurch wird die Bearbeitungskammer 11 mit einem überkritischen Fluid aus CO2 gefüllt.
  • An nächster Stelle wird in einem vierten Schritt S4 ein Bearbeitungs-Fluid L, in welchem eine Ätzreaktionssorte in CO2 dispergiert (oder aufgelöst) ist, fortlaufend in die Bearbeitungskammer 11 geliefert. In diesem Zeitpunkt wird das Bearbeitungs-Fluid L, welches im Mischtank 18 vorher erwärmt und vorher unter Druck ist, von dem Fluid-Zufuhrrohr 14 in die Bearbeitungskammer 11 geliefert. Außerdem ist der Innenraum der Bearbeitungskammer 11 passend evakuiert, und dadurch wird erlaubt, dass der Druck und die Temperatur innerhalb der Bearbeitungskammer 11 einen Zustand des dritten Schritts S3 beibehalten. Im Bearbeitungs-Fluid L kann, wenn die Notwendigkeit auftritt, die Ätzreaktionssorte aufgelöst werden, welche mit einem Lösungsmittel vermischt ist. Außerdem können im Bearbeitungs-Fluid L als anderes Entziehungsmittel als die Ätzreaktionssorte und das Lösungsmittel bei einem überkritischen Fluid CO2-Reinigen bekannte Chemikalien, beispielsweise Methanol, Hexan, Oktan oder eine Mischung davon hinzugefügt werden.
  • Nachfolgend wird in einem fünften Schritt S5 wie im vierten Schritt S4, wobei das Bearbeitungs-Fluid L weiter in die Bearbeitungskammer 11 geliefert wird, Bestrahlungslicht h, welches im impulsartig schwingt, von der Lichtquelle 21 durch das optische Fenster 12 auf das Substrat S in der Bearbeitungskammer 11 gestrahlt. In diesem Zeitpunkt wird, wie durch eine durchgezogene Linie in 3 gezeigt ist, zu den entsprechenden Bereichen des Substrats S Bestrahlungslicht h mit einer vorher festgelegten Wellenlänge wiederholt mit einer vorher festgelegten Bestrahlungszeit A und einer vorher festgelegten Schwingungsperiode B gestrahlt.
  • Hier werden eine Wellenlänge und eine Bestrahlungszeit A des Bestrahlungslichts h mit einer Absicht eines Beheizens nur einer äußersten Fläche des Substrats S bestimmt, wobei eine thermische Beschädigung des Substrats S verhindert. Insbesondere ist es, damit ein Heizbereich aufgrund des Bestrahlungslichts h in einem Bereich schmaler als die Tiefe bis zu 100 nm von einer Fläche des Substrats S begrenzt werden kann, vorteilhaft, dass eine Wellenlänge des Bestrahlungslichts h in einem UV-Bereich festgelegt ist und die Bestrahlungszeit A des Bestrahlungslichts h auf 100 ns oder weniger festgelegt wird. Wenn beispielsweise das Substrat S aus einem Siliziumsubstrat hergestellt ist, wird eine dritte Harmonische (Wellenlänge: 355 nm) von Nd: JAG-Laserlicht vorzugsweise als Bestrahlungslicht h verwendet, wodurch eine Absorptionstiefe des Bestrahlungslichts h innerhalb im Wesentlichen auf 10 nm begrenzt ist, d.h., der Heizbereich des Substrats S ist lediglich auf eine sehr kleine Fläche begrenzt.
  • Außerdem ist die Schwingungsperiode B des Bestrahlungslichts h auf eine Zeit festgelegt, die für eine Flächentemperatur eines Substrats S notwendig ist, welches aufgrund des Bestrahlungslichts h erwärmt wird, die bis zu einem Ausmaß abnimmt, das einen Gleichgewichtszustand mit der Innentemperatur des Substrats S oder mehr ergibt, beispielsweise 0,1 s oder mehr.
  • Die intermittierende Bestrahlung des Bestrahlungslichts h auf die entsprechenden Bereiche des Substrats S wird wie oben erwähnt mit einer vorher festgelegten Anzahl von Perioden wiederholt, bis eine zu opfernde Schicht, die durch Ätzen beseitigt werden soll, volständig entfernt ist, und die Anzahl wird vorher durch einen Versuch festgelegt. Damit die intermittierende Bestrahlung des Bestrahlungslichts h auf die entsprechenden Bereiche des Substrats S über einen gesamten Bereich einer Fläche des Substrats S ausgeführt werden kann, werden die Spiegel 24 und 25 so angetrieben, eine Beleuchtungsposition abzutasten. Damit in diesem Zeitpunkt das Bestrahlungslicht h mit einer gleichförmigen Energiedichte über einen Gesamtbereich der Fläche des Substrats S gestrahlt werden kann, wird das Bestrahlungslicht h abgesucht.
  • Wenn die zu opfernden Schichten innerhalb und außerhalb eines hohlen Musters oder eines Nutmusters mit einem hohen Seitenverhältnis, beispielsweise eine niedrigere Elektrodenschicht 5, wie mit 7 erläutert wurde, geätzt werden, wird, damit das Bestrahlungslicht h auf eine Seitenwand eines hohlen Musters oder eines Nutmusters allmählich aufgrund des Ätzens gestrahlt werden kann, vorzugsweise ein Bestrahlungswinkel des Bestrahlungslichts h gesteuert.
  • Wie oben erwähnt, nachdem das Bestrahlungslicht h intermittierend auf das Substrat S gestrahlt wird, wird in einem sechsten Schritt S6 reines CO2, in welches eine Ätzreaktionssorte nicht gemischt ist, von dem Fluid-Zufuhrrohr 14 in die Bearbeitungskammer 11 geführt und dadurch der Innenraum der Bearbeitungskammer 11 durch CO2 ersetzt. In diesem Zeitpunkt wird der Innenraum der Bearbeitungskammer 11 auf einer vorher festgelegten Temperatur und Druck gehalten, wobei das CO2 in einem überkritischen Zustand gehalten wird.
  • Danach wird in einem siebten Schritt S7 der Innenraum der Bearbeitungskammer 11 evakuiert, um diesen auf einen im Wesentlichen atmosphärischen Druck bezüglich des Drucks zu entlüften. Um zu verhindern, dass in diesem Zeitpunkt die Struktur, welche im Ätzschritt des fünften Schritts S5 gebildet wurde, zerstört wird, ist es wichtig, dass der Innenraum der Bearbeitungskammer 11 bei einer Temperatur entlüftet wird, die gesteuert wird, und dadurch CO2 innerhalb der Bearbeitungskammer 11 unmittelbar vom überkritischen Zustand zu einem gasförmigen Zustand übergeht. Nachdem der Innenraum der Bearbeitungskammer 11 auf im Wesentlichen atmosphärischen Druck entlüftet ist, wird nachfolgend die Temperatur innerhalb der Bearbeitungskammer 11 auf im Wesentlichen der Raumtemperatur abgesenkt.
  • Danach wird in einem achten Schritt S8 das Substrat S aus der Bearbeitungskammer 11 befördert, wodurch eine Folge der Ätzschritte zu einem Abschluss kommt.
  • Gemäß dem oben erläuterten Ätzverfahren wird im fünften Schritt S5 das Bestrahlungslicht h intermittierend auf eine Fläche des Substrats S gestrahlt, wodurch eine Flächenschicht des Substrats S intermittierend erwärmt wird. Dadurch wird das Bearbeitungs-Fluid L in der Nachbarschaft der Fläche des Substrats S indirekt aufgrund der thermischen Leitung von der Flächenschicht des erwärmten Substrats S erhitzt. Dadurch wird, wie in einem Bereich (1) einer doppelt-gestrichelten Kettenlinie von 3 gezeigt ist, das Bearbei tungs-Fluid L effektiv von einer Seite erwärmt, die mit dem Substrat S in Kontakt ist, um sich auszudehnen. Eine derartige Volumenerweiterung des Bearbeitungs-Fluids L, welche indirekt eine aufgrund der Wärmeableitung vom Substrat S ist, welches durch das Bestrahlungslicht erwärmt wird, tritt von der Bestrahlungszeit A des Bestrahlungslichts h verspätet auf. Aufgrund dieser Volumenerweiterung des Bearbeitungs-Fluids L expandiert, sogar wenn das Substrat S einen hohlen Bereich auf einer seiner Seitenflächen hat, wie mit einer Pfeilmarkierung in der Zeichnung gezeigt ist, das Bearbeitungs-Fluid L im hohlen Bereich a und wird gewaltsam vom Innenraum des hohlen Bereichs a entfernt. Wenn in diesem Fall eine Fläche der Struktur 3 aufgrund der intermittierenden Bestrahlung des Bestrahlungslichts h erwärmt wird, breitet sich die Wärme schnell durch die Struktur aus und erwärmt das Bearbeitungs-Fluid L auf einer Seite des Lochbereichs a.
  • Dadurch wird das Bearbeitungs-Fluid L, welches die Ätzreaktionssorte enthält, aufgrund des Ätzens deaktiviert und ein Reaktionsprodukt wird von dem hohlen Bereich a ausgeschieden. Außerdem wird in die Bearbeitungskammer 11 das Bearbeitungs-Fluid L fließend zugeführt. Folglich wird das Bearbeitungs-Fluid L, welches vom Innenraum des Lochbereichs a ausgeschieden wird, vom Innenraum der Bearbeitungskammer 11 ausgestoßen, wenn das Bearbeitungs-Fluid L fließt.
  • Da die Flächenschicht des Substrats S somit intermittierend erwärmt wird, wird zwischen dem Heizen und dem Heizen die Wärme des Substrats S an das Substrat S selbst und das Bearbeitungs-Fluid L abgeleitet, wodurch das Substrat S gekühlt wird. Daher beginnt, wie in einem Bereich (2) einer Doppelkettenlinien-Grafik von 3 gezeigt ist, das Bearbeitungs-Fluid L damit, sich abzukühlen und sich zusammenzuziehen. Dann wird, wie in 4B gezeigt ist, in den hohlen Bereich a das Bearbeitungs-Fluid L gepresst. In diesem Fall wird das Bearbeitungs-Fluid L fließend der Bearbeitungskammer 11 zugeführt. Folglich fließt ein Bearbeitungs-Fluid L, welches eine neue Ätzreaktionssorte enthält, in den hohlen Bereich a. Dadurch wird das Bearbeitungs-Fluid L im hohlen Bereich a ersetzt, und aufgrund des Bearbeitungs-Fluids L, welches dann neu in die zu opfernde Schicht 2 geflossen ist, wird weiter geätzt. Ein derartiger Ersatz des Bearbeitungs-Fluids L ohne Beschränkung in bezug auf den hohlen Bereich a kann sogar im Fall einer zu opfernden Schicht in einem feinen Lochmuster oder in einem feinen Nutmuster, die zu ätzen sind, in ähnlicher Weise durchgeführt werden.
  • Folglich wird aufgrund des oben erwähnten intermittierenden Erwärmens der oben erwähnte zwangsweise Ersatz des Bearbeitungs-Fluids L wiederholt ausgeführt. Als Ergebnis kann die Ätzrate innerhalb des hohlen Bereichs a (Loch und Nut) beibehalten werden.
  • Wie in einer grafischen Darstellung in 3 gezeigt ist, können im Unterschied zu Ätztiefen (durchgezogene Linie) bei einem existierenden Ätzverfahren, wie mit den gestrichelten Linien in der Zeichnung gezeigt ist, wenn die Häufigkeit der Wiederholung der Lichtbestrahlung ansteigt, die Ätztiefen vertieft werden, und dadurch kann durch Wiederholen der vorher festgelegten Häufigkeit eine notwendige Ätztiefe erhalten werden. Die Ätztiefe ist hier ein Abstand von einer Ätzöffnung.
  • Da außerdem die Ätzrate gesichert werden kann, kann die Ätzzeit insgesamt abgekürzt werden. Dadurch kann eine Außenfläche des Werkstücks und ein Bereich, der auf der Fläche erscheint, in einem frühen Zustand des Ätzens bei einer Belichtungszeit gegenüber dem Bearbeitungs-Fluid abgekürzt werden, was eine Reduzierung eines nachteiligen Effekts, beispielsweise Korrison und Ätzen zur Folge hat.
  • Gemäß obiger Ausführung kann gemäß dem Ätzverfahren nach der ersten Ausführungsform aufgrund des Ätzens durch eine feine Ätzöffnung ein hohler Bereich, der kompliziert geformt ist, oder ein hohler Bereich, der groß in bezug auf die Ätzöffnung ist, außerdem der Innenraum eines Loches und einer Nut mit einem hohen Seitenverhältnis ohne verbleibenden Ätzrest mit einer ausgezeichneten Formgenauigkeit und ohne einen Flächenzustand zu verschlechtern gebildet werden. Als Folge davon kann beispielsweise die Betriebskenngröße einer Mikromaschine oder einer Halbleitereinrichtung, die mit einem dreidimensionalen Strukturbereich versehen ist, verbessert werden.
  • Anschließend wird ein Ätzverfahren gemäß einer zweiten Ausführungsform erläutert. Das Ätzverfahren gemäß der zweiten Ausführungsform ist ein Verfahren, bei dem lediglich ein Bereich eines Substrats S, welches durch ein Maskenmuster-Bestrahlungslicht h ausgewählt wird, bestrahlt wird, und eine Schrittfolge ist ähnlich der der ersten Ausführungsform, die mit einem Flussdiagramm von 2 erläutert wurde.
  • In diesem Fall wird bei der Bearbeitungsvorrichtung, die mit Hilfe von 1 erläutert wurde, mit einer Maske, bei der ein Muster, welches einen Bestrahlungsbereich des Bestrahlungslichts h beschränkt, geformt ist, welche auf einem optischen Pfad des Bestrahlungslichts h zwischen der Lichtquelle 21 und dem Substrat s angeordnet ist, der fünfte Schritt S5 ausgeführt.
  • Dadurch kann in einem Bereich einer Aufnahme, während der Bestrahlungslicht h gestrahlt wird, die Intensitätsverteilung des Bestrahlungslichts h gebildet werden. Folglich kann beispielsweise in dem Fall, wie in 4A und 4B beispielsweise gezeigt ist, ein hohler Bereich a, der unter einer Strukturschicht 3 aufgrund des Ätzens der zu opfernden Schicht 2 gebildet ist, wenn eine zu komplizierte Strukturschicht 3 das Bestrahlungslicht h nicht in der Nachbarschaft der Ätzöffnung 3a und lediglich auf eine Position entfernt von der Ätzöffnung 3a des hohlen Bereichs a innerhalb des schon gebildeten hohlen Bereich a gestrahlt wird, die Konvektion eines Bearbeitungs-Fluids L lokal erzeugt werden. Folglich kann die Ersatzeffektivität des Bearbeitungs-Fluids L in einem schon gebildeten hohlen Bereich a weiter verbessert werden.
  • Bei den oben erläuterten ersten und zweiten Ausführungsformen wird ein Beispiel, bei dem ein Bearbeitungs-Fluid L, in welchem eine Ätzreaktionssorte in einem überkritischen Fluid (CO2-extra-kritisches Fluid) enthalten ist, zum Ätzen verwendet wird, gezeigt. Das Ätzverfahren gemäß der Erfindung kann jedoch ohne Beschränkung auf das Ätzverfahren, bei das Bearbeitungs-Fluid, welches diese Form hat, verwendet wird, ein Ätzprozess sein, bei dem gasförmiges oder flüssiges Bearbeitungs-Fluid verwendet wird. Weiter kann in dem Fall, wo die Ätzreaktionssorte selbst ein Fluid ist, anders als das überkritische Fluid oder Gas, und außerdem ein Träger-Fluid beispielsweise eine Flüssigkeit verwendet werden, wenn die Notwendigkeit auftritt.

Claims (6)

  1. Ätzverfahren, welches aufweist: Intermittierendes Bestrahlen mit Licht einer Fläche eines Werkstücks, um dieses zu erwärmen, während das Werkstück einem Bearbeitungs-Fluid ausgesetzt ist, welches eine Ätzreaktionssorte enthält, und um dadurch das Bearbeitungs-Fluid in der Nachbarschaft des Werkstücks intermittierend zu erwärmen, um dieses zu expandieren oder zu kontrahieren; und im gleichen Zeitpunkt Halten des Bearbeitungs-Fluids in einem Zustand, wo es in bezug auf das Werkstück fließt.
  2. Ätzverfahren nach Anspruch 1, wobei das Bearbeitungs-Fluid eine Ätzreaktionssorte in einer Substanz in einem überkritischen Zustand enthält.
  3. Ätzverfahren nach Anspruch 1, wobei das Bestrahlungslicht auf eine ausgewählte Position auf einer Fläche des Werkstücks über ein Maskenmuster gestrahlt wird.
  4. Ätzverfahren nach Anspruch 1, wobei das Bestrahlen mit Licht unter Verwendung einer Impulsschwingung von Lampenlicht oder Laserlicht durchgeführt wird.
  5. Ätzverfahren nach Anspruch 4, wobei das Bestrahlen mit Licht unter Verwendung der Impulsschwingung mit einer Bestrahlungszeit von 100 ns oder weniger ausgeführt wird.
  6. Ätzverfahren nach Anspruch 1, wobei das Licht, welches auf eine Fläche des Werkstücks gestrahlt wird, UV-Licht ist.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080070860A (ko) * 2005-11-18 2008-07-31 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 습윤 에칭 방법 및 습윤 에칭 장치
US8084367B2 (en) 2006-05-24 2011-12-27 Samsung Electronics Co., Ltd Etching, cleaning and drying methods using supercritical fluid and chamber systems using these methods
JP2009149959A (ja) * 2007-12-21 2009-07-09 Ulvac Japan Ltd エッチング装置、エッチング方法
DE102010000666A1 (de) * 2010-01-05 2011-07-07 Robert Bosch GmbH, 70469 Bauelement mit einer mikromechanischen Mikrofonstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung
KR102311732B1 (ko) * 2018-07-23 2021-10-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW371775B (en) * 1995-04-28 1999-10-11 Siemens Ag Method for the selective removal of silicon dioxide
GB9616225D0 (en) * 1996-08-01 1996-09-11 Surface Tech Sys Ltd Method of surface treatment of semiconductor substrates
US6162367A (en) * 1997-01-22 2000-12-19 California Institute Of Technology Gas-phase silicon etching with bromine trifluoride
DE19941042A1 (de) * 1999-08-28 2001-03-15 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung oberflächenmikromechanischer Strukturen durch Ätzung mit einem dampfförmigen, flußsäurehaltigen Ätzmedium
DE60238752D1 (de) * 2001-03-29 2011-02-10 Toyota Chuo Kenkyusho Kk Ein verfahren zum erzeugen einer hohlen struktur aus einer silizium-struktur
US6919158B2 (en) * 2001-08-03 2005-07-19 Fuji Photo Film Co., Ltd. Conductive pattern material and method for forming conductive pattern
US20040118812A1 (en) * 2002-08-09 2004-06-24 Watkins James J. Etch method using supercritical fluids

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