DE102004045231A1 - Halbleitervorrichtung, die eine Fehlfunktion verhindern kann, welche von einem in einer Pegelschiebeschaltung erzeugten falschen Signal verursacht ist - Google Patents

Halbleitervorrichtung, die eine Fehlfunktion verhindern kann, welche von einem in einer Pegelschiebeschaltung erzeugten falschen Signal verursacht ist Download PDF

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Abstract

Eine Falschsignalerfassungsschaltung (3) ist parallel zu einer Pegelschiebeschaltung (2) geschaltet. Die Falschsignalerfassungsschaltung (3) hat den gleichen Aufbau wie diejenige der EIN-Pegelschiebe- und der AUS-Pegelschiebeschaltungen in der Pegelschiebeschaltung (2), außer dass ein HVMOS (32) eine Dummyschaltvorrichtung ist. Ein in einem Falschsignalerfassungswiderstand (31) entwickelter Spannungsabfall wird als ein Falschsignalanzeigesignal (SD), welches auf die Erzeugung eines Falschsignals in der Pegelschiebeschaltung (2) hinweist, über ein NOT-Gatter (35) an eine Fehlfunktionsverhinderungsschaltung (4) gesendet. Als Antwort auf die Eingabe des Flaschsignalanzeigesignals (SD) führt die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung (4) die vorbestimmte Verarbeitung für die Fehlfunktionsverhinderung durch.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung und insbesondere auf eine Technologie zum Verhindern einer Fehlfunktion als Folge eines falschen Signals, das in einer Pegelschiebeschaltung erzeugt ist.
  • Ein Leistungshalbleiterelement wie ein MOSFET oder ein IGBT, das eine Leistungshalbleitervorrichtung bildet, wird von einer integrierten Hochspannungsschaltung (im folgenden als eine "HVIC" bezeichnet) angesteuert. Als ein Beispiel wird, wenn zwei Leistungshalbleiterelemente des oberen und des unteren Arms, die einen Halbbrückeninverter bilden, anzusteuern sind, ein HVIC mit zwei Treiberschaltungen einschließlich einer Hochseiten (Hochpotentialseiten)-Treiberschaltung zum Treiben des Leistungshalbleiterelements des oberen Arms und einer Niederseitentreiberschaltung zum Treiben des Leistungshalbleiterelements des unteren Arms verwendet. Solch ein HVIC umfasst eine sogenannte Pegelschiebeschaltung zum Übertragen eines Treibersignals auf die Hochseitentreiberschaltung. Eine allgemein verwendete Pegelschiebeschaltung beinhaltet einen Hochspannungs-MOSFET (im folgenden auch als ein "HVMOS" bezeichnet), der von einem Treibersignal angesteuert wird und einen Pegelschiebewiderstand, der in Serie mit dem HVMOS geschaltet ist. Der in dem Pegelschiebewiderstand entwickelte Spannungsabfall wird als ein Hochseitentreibersignal übertragen.
  • In vielen Fällen verwendet der von dem HVIC angesteuerte Halbbrückeninverter eine induktive Last (L) wie z.B. einen Motor oder eine Fluoreszenzlampe. Der Inverter beinhaltet auch eine parasitäre Induktivität in einer Verbindung auf einer Leiterplatte. In einer Schaltzeitspanne des Halbbrückeninverters, und insbesondere wenn das Leistungshalbleiterelement des unteren Arms eingeschaltet wird, bewirken diese Induktivitäten, dass das Mittelpunktpotential der Halbbrückenverbindung, nämlich ein Hochseitenreferenzpotential VS des HVIC (das Potential VS in 1) einen vorübergehenden Übergang von einer negativen Seite bezüglich eines Potentials GND (ein Substratpotential, nämlich das niedrigste Potential des HVIC) macht. Wenn der Halbbrückeninverter über die Last L mit einer Zweiphasen- oder einer Dreiphasen-Inverterschaltung verbunden ist, verursacht das Schalten dieser Inverter verschiedener Phasen auch einen vorübergehenden Übergang des Hochseitenreferenzpotentials VS auf die negative Seite. Im folgenden wird ein solcher Übergang des Hochseitenreferenzpotential VS zur negativen Seite als ein "negatives Rauschen" bezeichnet werden.
  • Das negative Rauschen des Hochseitenreferenzpotentials auf einem hohen Pegel verursacht das folgende Problem. Der Übergang des Hochseitenreferenzpotentials VS zu der negativen Seite bewirkt, dass ein Hochseitenversorgungspotential VB (Potential VB in 1) einen Übergang zu der negativen Seite bezüglich des Potentials GND macht. Dies bewirkt, dass eine parasitäre Diode zwischen der Hochseite und der Masse und eine parasitäre Diode zwischen Drain und Source des HVMOS eingeschaltet wird, wodurch ein großer Stromfluss von dem Substrat des HVIC zu der Spannungsversorgung der Hochseite auftritt. Die Erholung des Hochseitenreferenzpotentials VS wird begleitet von einem Erholungsstrom als eine Folge des Ausschaltens der parasitären Dioden. Insbesondere fließt der Erholungsstrom in der parasitären Diode des HVMOS durch den Pegelschiebewiderstand, wodurch ein Spannungsabfall in dem Pegelschiebewiderstand verursacht wird. Die Hochseite des HVIC erkennt diesen Spannungsabfall fälschlicherweise als ein Treibersignal für die Hochseite, was zu einer Fehlfunktion der Hochseitentreiberschaltung führt. Als Folge wird das Leistungshalbleiterelement des oberen Arms unnötig eingeschaltet, was ein Problem wie z.B. einen Kurzschluss zwischen den Armen verursacht.
  • Solch eine Fehlfunktion kann auch von einer Änderung der Spannung dv/dt kommen, die an den Mittelpunkt angelegt ist. Wenn eine parasitäre Kapazität Cp, die zwischen Drain und Source des HVMOS der mit der Hochseite des HVIC verbundenen Pegelschiebeschaltung vorhanden ist, die Änderung der von außerhalb angelegten Spannung dv/dt erfährt, wird die parasitäre Kapazität Cp einem Stromfluss Ip unterzogen, der sich nach der folgenden Formel berechnet: Ip = Cp × dv/dt.
  • Der Strom Ip fließt weiter in den Pegelschiebewiderstand, wodurch ein Spannungsabfall in dem Pegelschiebewiderstand entwickelt wird. Die Hochseite des HVIC erkennt diesen Spannungsabfall fälschlicherweise als ein Treibersignal für die Hochseite, wodurch das gleiche Problem wie oben beschrieben verursacht wird. Als Antwort wird allgemein ein CR-Filter verwendet, um zwischen einem Treibersignal und einem falschen Signal zu unterscheiden.
  • In vielen Fällen beinhaltet ein Treibersignal in dem HVIC ein EIN-Impulssignal und ein AUS-Impulssignal zum jeweiligen Einschalten und Ausschalten eines Leistungshalbleiterelements. In diesem Fall beinhaltet die Pegelschiebeschaltung eine Pegelschiebeschaltung für eine EIN-Impulssignalübertragung (EIN-Pegelschiebeschaltung) und eine Pegelschiebeschaltung für AUS-Impulssignalübertragung (AUS-Pegelschiebeschaltung). Der vorhergehende Erholungsstrom und der durch die Spannungsänderung dv/dt erzeugte Strom fließen in jeden HVMOS der EIN-Pegelschiebe- und der AUS-Pegelschiebeschaltungen, die theoretisch in gleichzeitiger Art und Weise falsche Signal in den EIN-Pegelschiebe- und in den AUS-Pegelschiebeschaltungen erzeugen. D.h. die Beseitigung der gleichzeitig von den EIN-Pegelschiebe- und den AUS-Pegelschiebeschaltungen gesendeten Signale führt zu einer Beseitigung der falschen Signale, wodurch eine Fehlfunktion verhindert wird. Eine ein logisches Filtersystem verwendete logische Schaltung ist vorgeschlagen worden, die dazu dient, die gleichzeitige Eingabe von EIN- und AUS-Impulssignalen in einen RS-Flipflop zum Übertragen eines Treibersignals an die Hochseitentreiberschaltung, von dessen Technologie ein Beispiel in der Japanischen Patentoffenlegungsschrift JP 2001-145370 angegeben ist.
  • Der Erfinder dieser Erfindung hat den Unterschied der Stromwellenform des Erholungsstroms nach der Erzeugung des negativen Rauschens und des von dem normalen Treibersignal erzeugten Stroms bemerkt und hat die Unterscheidung eines Treibersignals und eines falschen Signals durch Vorsehen einer passiven Schaltung mit zwei Arten von Schwellwerten in der Pegelschiebeschaltung vorgeschlagen. Ein Beispiel einer solchen Technik ist in der Japanischen Patentoffenlegungsschrift JP 2003-133927 angegeben.
  • Während ein allgemein verwendeter CR-Filter zum Beseitigen von falschen Signalen einer Hochfrequenzkomponente dient, hat er Schwierigkeiten beim Entfernen eines falschen Signals einer Tieffrequenzkomponente. Als Antwort kann der CR eine verringerte Grenzfrequenz haben, was umgekehrt zu einem Problem wie z.B. der Verzögerung beim Übertragen eines normalen Treibersignals führt.
  • Wenn die EIN-Pegelschiebe- und AUS-Pegelschiebeschaltungen verschiedene parasitäre Kapazitäten Cp der HVMOSs haben, fallen die in den EIN-Pegelschiebe- und in den AUS-Pegelschiebeschaltungen erzeugten Signale nicht zeitlich zusammen. Als Folge kann das logische Filtersystem, welches in der Japanischen Patentoffenlegungsschrift JP 2001-145370 eingeführt wird, unfähig sein, die falschen Signale gänzlich zu entfernen. Entwurfsänderungen bei dem HVMOS oder Änderungen beim Widerstand des Pegelschiebewiderstandes in der Pegelschiebeschaltung zur Steuerung der Erfassungsempfindlichkeit eines Falschsignals kann eine Antwort auf dieses Problem sein, die umgekehrt den normalen Betrieb der Pegelschiebeschaltung nachteilig beeinflusst. Das in der Japanischen Patentoffenlegungsschrift JP 2001-145370 eingeführte logische Filtersystem benötigt zwei Pegelschiebeschaltungen einschließlich EIN-Pegelschiebe- und AUS-Pegelschiebeschaltungen als eine Voraussetzung und ist daher nicht auf den Fall anwendbar, bei dem eine einzelne Pegelschiebeschaltung zum Übertragen sowohl der AN- als auch der AUS-Impulssignale verwendet wird.
  • Gemäß dem in der Japanischen Patentoffenlegungsschrift JP 2003-133927 eingeführten System ist ein Pegelschiebewiderstand in zwei Widerstandselemente aufgeteilt, um zu bewirken, dass der Widerstand des Pegelschiebewiderstandes zunimmt. Dies verursacht eine geringere Bandbreite von Fehlfunktion im normalen Betrieb.
  • Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleitervorrichtung bereitzustellen, die erlaubt, eine Fehlfunktion zu verhindern, während keine Auswirkung auf den normalen Betrieb einer Pegelschiebeschaltung verursacht wird, wobei die Fehlfunktion von einem in einer Pegelschiebeschaltung verursachten falschen Signal kommt.
  • Die Aufgabe wird gelöst durch eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1. Weiterentwicklungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung beinhaltet die Halbleitervorrichtung eine Pegelschiebeschaltung, eine Falschsignalerfassungsschaltung und eine Fehlfunktionsverhinderungsschaltung. Die Pegelschiebeschaltung wandelt ein erstes Signal in ein zweites Signal um, das zu einer Zielschaltung auf einer Hochseite übertragen werden kann. Die Falschsignalerfassungsschaltung erfasst die Erzeugung eines falschen Signals in der Pegelschiebeschaltung, um ein Falschsignalanzeigesignal auszugeben, welches die Erzeugung eines falschen Signals anzeigt. Die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung empfängt das zweite Signal und das Falschsignalanzeigesignal. Die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung dient zum Übertragen des zweiten Signals zu der Zielschaltung. Die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung dient weiter dem Erkennen des zweiten Signals als ein Falschsignal, um die Übertragung von zumindest einem Teil des zweiten Signals zu der Zielschaltung zu beenden, während sie der Eingabe des Falschsignalanzeigesignals unterzogen wird, um dadurch eine Fehlfunktion zu verhindern. Die Pegelschiebeschaltung beinhaltet eine Serienschaltung eines ersten Widerstandes und einer ersten Schaltvorrichtung, die das erste Signal empfängt. Die Pegelschiebeschaltung gibt einen Spannungsabfall aus, der in dem ersten Widerstand als das zweite Signal entwickelt ist. Die Falschsignalerfassungsschaltung ist parallel zu der Pegelschiebeschaltung geschaltet. Die Falschsignalerfassungsschaltung beinhaltet eine Serienschaltung eines zweiten Widerstands und einer zweiten Schaltvorrichtung, die im normalen Betrieb fest in einem Sperrzustand ist. Die Falschsignalerfassungsschaltung gibt einen Spannungsabfall aus, der in dem zweiten Widerstand als das Falschsignalerfassungssignal entwickelt ist.
  • Wenn die zweite Schaltvorrichtung z.B. gleich der ersten Schaltvorrichtung ist, kann die Ausgabe des Falschsignalerfassungssignals von der Falschsignalerfassungsschaltung gleichzeitig mit der Erzeugung eines Falschsignals sein, das von einer parasitären Diode oder einer parasitären Kapazität der ersten Schaltvorrichtung resultiert. Als Folge kann ein fehlerfreier Betrieb der Fehlfunktionsverhinderungsschaltung bereitgestellt werden, was eine verbesserte Betriebszulässigkeit zur Folge hat. Die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung ist eine von der Pegelschiebeschaltung getrennte Schaltung und daher kann die Erfassungsempfindlichkeit einer Fehlfunktion gesteuert werden, während keine Auswirkung auf den normalen Betrieb der Pegelschiebeschaltung verursacht wird.
  • Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der beigefügten Zeichnungen.
  • Von den Figuren zeigen:
  • 1 und 2 den Aufbau einer Halbleitervorrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 3 den Aufbau einer Fehlfunktionsverhinderungsschaltung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform;
  • 4 den Aufbau einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 5 den Aufbau einer Fehlfunktionsverhinderungsschaltung gemäß einer dritten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 6 den Aufbau einer Fehlfunktionsverhinderungsschaltung gemäß einer vierten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 7 den Aufbau einer Fehlfunktionsverhinderungsschaltung gemäß einer fünften bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 8 eine Abwandlung der Fehlfunktionsverhinderungsschaltung gemäß der fünften bevorzugte Ausführungsform;
  • 9 den Aufbau einer Halbleitervorrichtung gemäß einer sechsten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 10 den Aufbau einer Fehlfunktionsverhinderungsschaltung gemäß der sechsten bevorzugten Ausführungsform; und
  • 11 den Aufbau einer Halbleitervorrichtung gemäß einer siebten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Erste bevorzugte Ausführungsform
  • 1 zeigt eine Halbleitervorrichtung nach einer ersten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die ein Leistungsvorrichtungstreiber vom Bootstrap-Typ ist, welcher eine integrierte Hochspannungsschaltung (HVIC) verwendet. Der HVIC dient zum Ansteuern der Leistungshalbleiterelemente 100 und 101, wie z.B. MOSFETs oder IGBTs, die bei einer Halbbrückenverbindung zwischen einer Hochspannungsversorgung HV und der Masse dazwischen eingebracht sind. Das Leistungshalbleiterelement 101 des unteren Arms ist mit einer induktiven Last 102 (L), wie z.B. einem Motor oder einer Fluoreszenzlampe, verbunden.
  • Der HVIC umfasst eine Treibersignalerzeugungsschaltung 1 zum Erzeugen eines Treibersignals (einschließlich von EIN- und AUS-Impulssignalen) als ein erstes Signal zum Ansteuern des Leistungshalbleiterelements 100 des oberen Arms. Dieses Treibersignal wird an eine Pegelschiebeschaltung 2 gesendet zum Umwandeln (Pegelschieben) in ein zweites Signal, das an jede Schaltung auf einer Hochseite übertragen werden kann. Eine Falschsignalerfassungsschaltung 3 erfasst die Erzeugung eines falschen Signals in der Pegelschiebeschaltung 2 und gibt ein Falschsignalerfassungssignal SD an eine Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 während der Erzeugung des falschen Signals aus. Die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 sendet das Treibersignal, nachdem es in der Pegelschiebeschaltung 2 einer Pegelverschiebung unterzogen wurde, an eine Treiberschaltung (Zielschaltung) 5. Wenn das Falschsignalerfassungssignal SD von der Falschsignalerfassungsschaltung 3 gesendet ist, erkennt die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 das von der Pegelschiebeschaltung 2 gesendete Signal als ein Falschsignal und beendet die Übertragung davon an die Treiberschaltung 5. Mit Bezug auf 1 beinhaltet die Treiberschaltung 4 MOS-Transistoren 51 und 52 und ein NOT-Gatter 53. Als Antwort auf das von der Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 gesendete Signal dient die Treiberschaltung 5 dazu, das Leistungshalbleiterelement 100 anzusteuern. Das in der Pegelschiebeschaltung 2 erzeugte Falschsignal wird nicht an die Treiberschaltung 5 gesendet, und daher verursacht dieses Falschsignal keine Fehlfunktion des Leistungshalbleiterelements 100.
  • Eine Treibersignalerzeugungsschaltung 11 dient dem Erzeugen eines Treibersignals zum Ansteuern des Leistungshalbleiterelements 101 des unteren Arms. Das erzeugte Treibersignal wird direkt an eine Treiberschaltung 15 gesendet. Mit Bezug auf 1 beinhaltet die Treiberschaltung 15 MOS-Transistoren 151 und 152 sowie ein NOT-Gatter 153. Als Antwort auf das von der Treibersignalerzeugungsschaltung 11 gesendete Treibersignal dient die Treiberschaltung 15 dem Ansteuern des Leistungshalbleiterelements 101.
  • Bei der in 1 gezeigten Halbleitervorrichtung ist der in 2 gezeigte Aufbau verantwortlich für das Verfahren in dem HVIC von dem Eingang in die Pegelschiebeschaltung 2 zu dem Ausgang von der Hochseite. Bei der ersten bevorzugten Ausführungsform dient die in 1 gezeigte Treibersignalerzeugungsschaltung 1 dazu, die AN- und AUS-Impulssignale getrennt als ein Treibersignal auszugeben zum jeweiligen Bringen des Leistungshalbleiterelements 100 in einen EIN-Zustand (Durchlasszustand) und in einen AUS-Zustand. Die Pegelschiebeschaltung 2 beinhaltet eine EIN-Pegelschiebeschaltung und eine AUS-Pegelschiebeschaltung zum jeweiligen Empfangen der EIN- und AUS-Impulssignale.
  • Die EIN-Pegelschiebeschaltung beinhaltet eine Serienschaltung eines Pegelschiebewiderstandes 21a und eines HVMOS 22a als eine erste Schaltvorrichtung, sowie ein NOT-Gatter 25a, welches mit einem Ende des Pegelschiebewiderstandes 21a verbunden ist. Die Bezugszeichen 23a und 24a in 2 kennzeichnen eine parasitäre Diode bzw. eine parasitäre Kapazität, welche dem HVMOS 22a eigen sind. Der HVMOS 22a besitzt ein das EIN-Impulssignal empfangendes Gate, ein mit einem Massepotential-GND verbundenes Source und ein über den Pegelschiebewiderstand 21a mit einem Hochseitenversorungspotential VB verbundenes Drain. Der HVMOS 22a wird ein- und ausgeschaltet als Antwort auf ein erstes Impulssignal (erstes Signal). Der dabei in dem ersten Pegelschiebewiderstand 21a entwickelte Spannungsabfall wird als ein erstes EIN-Signal für die Hochseite (zweites Signal) genommen, wobei das Signal danach über das NOT-Gatter 25a als einen Puffer an die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 gesendet wird.
  • Die AUS-Pegelschiebeschaltung beinhaltet eine Serienschaltung eines Pegelschiebewiderstandes 21b und eines HVMOS 22b als die erste Schaltvorrichtung, sowie ein NOT-Gatter 25b, das mit dem einen Ende des Pegelschiebewiderstandes 21b verbunden ist. Die Bezugszeichen 23b und 24b in 2 stellen jeweils eine parasitäre Diode bzw. eine parasitäre Kapazität dar, welche dem HVMOS 22b eigen sind. Der HVMOS 22b hat ein das AUS-Impulssignal empfangendes Gate, ein mit dem Massepotential-GND verbundenes Source und ein über den Pegelschiebewiderstand 21b mit dem Hochseitenversorgungspotential VB verbundenes Drain. Der HVMOS 22b wird als Antwort auf das AUS-Impulssignal (erstes Signal) ein- und ausgeschaltet. Der dabei in dem Pegelschiebewiderstand 21b entwickelte Spannungsabfall wird als ein AUS-Signal für die Hochseite (zweites Signal) genommen, wobei das Signal danach über das NOT-Gatter 25b an die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 gesendet wird.
  • Die Falschsignalerfassungsschaltung 3 beinhaltet eine Serienschaltung eines Falschsignalerfassungswiderstands 31 und eines HVMOS 32 als eine zweite Schaltvorrichtung, sowie ein NOT-Gatter 35, das mit dem einen Ende des Falschsignalerfassungswiderstandes 31 verbunden ist. Die Bezugszeichen 33 und 34 in 2 stellen jeweils eine parasitäre Diode bzw. eine parasitäre Kapazität dar, die dem HVMOS 32 eigen sind. Der HVMOS 32 hat ein Gate und ein Source, die beide mit dem Massepotential GND verbunden sind, sowie ein über den Falschsignalerfassungswiderstand 31 mit dem Hochseitenversorgungspotential VB verbundenes Drain. D.h. der HVMOS 32 ist eine Dummy-Schaltvorrichtung, die in dem normalen Betrieb fest in einem AUS-Zustand (Sperrzustand) ist und dessen Gate kein Treibersignal empfängt. Der in dem Falschsignalerfassungswiderstand 31 entwickelte Spannungsabfall wird als das Falschsignalerfassungssignal SD genommen (weiter unten im Detail diskutiert), wobei das Signal danach über das NOT-Gatter 35 an die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 gesendet wird.
  • Wie aus 2 ersichtlich, besitzt die Falschsignalerfassungsschaltung 3 den gleichen Aufbau wie derjenige der EIN- Pegelschiebe- und AUS-Pegelschiebeschaltungen der Pegelschiebeschaltung 2, außer dass der HVMOS 32 eine Dummy-Schaltvorrichtung ist. Bei der ersten bevorzugten Ausführungsform ist der HVMOS 32 als die zweite Schaltvorrichtung (zweiter Transistor) gleich den HVMOSs 22a und 22b als den ersten Schaltvorrichtungen (erste Transistoren). D.h. die parasitären Dioden 23a, 23b und 33 sind hinsichtlich ihren elektrischen Eigenschaften gleich, und die parasitären Kapazitäten 24a, 24b und 34 sind hinsichtlich ihren elektrischen Eigenschaften gleich.
  • Als nächstes wird diskutiert, wie eine Fehlfunktion in der Halbleitervorrichtung nach der ersten bevorzugten Ausführungsform verhindert wird. Zuerst wird angenommen, dass ein Hochseitenreferenzpotential VS ein negatives Rauschen auf einem hohen Pegel erfährt. Wie bei der Beschreibung des Standes der Technik diskutiert, wird die Erholung des Hochseitenreferenzpotentials VS von einem Erholungsstrom als eine Folge des Ausschaltens der parasitären Dioden 23a und 23b in der Pegelschiebeschaltung 2 begleitet, wodurch Spannungsabfälle in den Pegelschiebewiderständen 21a und 21b verursacht werden, welche jeweilige Schwellwerte der NOT-Gatter 25a und 25b erreichen. Als Folge wird ein Falschsignal von der Pegelschiebeschaltung 2 ausgegeben.
  • Die Falschsignalerfassungsschaltung 3 ist parallel zu der Pegelschiebeschaltung 2 geschaltet und besitzt den gleichen Aufbau wie diejenigen der EIN-Pegelschiebe- und AUS-Pegelschiebeschaltungen, welche die Pegelschiebeschaltung 2 bilden. Dementsprechend bewirkt die Erholung des Hochseitenreferenzpotentials VS von dem negativen Rauschen auch, dass ein Erholungsstrom in die parasitäre Diode 33 des HVMOS 32 sowie in die parasitären Dioden 23a und 23b fließt. Der Erholungsstrom in der Falschsignalerfassungsschaltung 3 geht durch den Falschsignalerfassungswiderstand 31. Der Falschsignalerfassungswiderstand 31 erfährt daher einen Spannungsabfall, der zeitlich mit der Erzeugung des Falschsignals an der Pegelschiebeschaltung 2 zusammenfällt. D.h. der Spannungsabfall in dem Falschsignalerfassungswiderstand 31 ist wirksam zum Wirken als Falschsignalerfassungssignal SD, welches die Erzeugung des Falschsignals anzeigt. Das Falschsignalerfassungssignal SD wird über das NOT-Gatter 35 an die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 gesendet.
  • Es wird auch angenommen, dass die parasitären Kapazitäten 24a und 24b der HVMOSs 22a und 22b in den Pegelschiebeschaltungen 2 einem Stromfluss als Folge einer Änderung in der an den Mittelpunkt der Halbbrückenschaltung angelegten Spannung dv/dt unterzogen werden, wobei der Strom als ein "Strom dv/dt" bezeichnet werden wird. wenn der Strom dv/dt Spannungsabfälle in dem Pegelschiebewiderstand 21a und 21b verursacht, die jeweilige Schwellwerte der NOT-Gatter 25a und 25b erreichen, wird ein Falschsignal von der Pegelschiebeschaltung 2 ausgegeben.
  • Wie diskutiert, ist die Falschsignalerfassungsschaltung 3 parallel zu der Pegelschiebeschaltung 2 geschaltet und besitzt den gleichen Aufbau wie derjenige der EIN-Pegelschiebe- und AUS-Pegelschiebeschaltungen, welche die Pegelschiebeschaltung 2 bilden. Dementsprechend wird auch die parasitäre Kapazität 34 dem Stromfluss dv/dt gleichzeitig mit dem Fluss des Stroms dv/dt in den parasitären Kapazitäten 24a und 24b unterzogen. Der Strom dv/dt in der Falschsignalerfassungsschaltung 3 geht durch den Falschsignalerfassungswiderstand 31. Dementsprechend erfährt auch der Falschsignalerfassungswiderstand 31 einen Spannungsabfall, der zeitlich mit der Erzeugung des Falschsignals an der Pegelschiebeschaltung 2 zusammenfällt. D.h. das Falschsignalerfassungssignal SD wird auch in dem Fall des Erzeugens des von dem Strom dv/dt resultierenden Falschsignals ausgegeben.
  • Wie diskutiert, ist das von der Falschsignalerfassungsschaltung 3 ausgegebene Falschsignalerfassungssignal SD hinweisend auf die Erzeugung sowohl des Falschsignals in der Pegelschiebeschaltung 2, das von dem in den parasitären Dioden fließenden Erholungsstrom resultiert, als auch des von dem Strom dv/dt resultierenden Falschsignals.
  • Wenn das Falschsignalerfassungssignal SD von der Falschsignalerfassungsschaltung 3 gesendet wird, erkennt die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 das von der Pegelschiebeschaltung 2 gesendete Signal als ein Falschsignal und beendet die Übertragung davon an die Treiberschaltung 5. Als Folge wird das Leistungshalbleiterelement 100 vor Fehlfunktion geschützt.
  • Bei der ersten bevorzugten Ausführungsform umfasst die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 einen logischen Abschnitt 41 und ein RS-Flipflop 42. 3 zeigt einen beispielhaften Aufbau der Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4. Bei der ersten bevorzugten Ausführungsform bilden drei logische Gatter, welche die AND-Gatter 1 und 2 sowie ein NOT-Gatter 1 enthalten, den logischen Abschnitt 41 der Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4. Das EIN-Impulssignal von der Pegelschiebeschaltung 2 wird an einen Eingangsanschluss des AND-Gatters 1 gesendet, wohingegen das AUS-Impulssignal von der Pegelschiebeschaltung 2 an den einen Eingangsanschluss des AND-Gatters 2 gesendet wird. Das Falschsignalanzeigesignal SD von der Falschsignalerfassungsschaltung 3 wird über das NOT-Gatter 1 an den anderen Eingangsanschluss des AND-Gatters 1 und an den anderen Eingangsanschluss des AND-Gatters 2 gesendet. Der Ausgang des AND-Gatters 1 wird an den S-Eingang des RS-Flipflops 42 gesendet, wohingegen der Ausgang des AND-Gatters 2 an den R-Eingang des RS-Flipflops 42 gesendet wird. Der Ausgang des RS-Flipflops 42 wird an die Treiberschaltung 5 gesendet.
  • Wenn die Pegelschiebeschaltung 2 in dem normalen Betrieb ist, wobei sie keine Erzeugung eines falschen Signals erfährt, tritt keine Eingabe des Falschsignalerfassungssignals SD von der Falschsignalerfassungsschaltung 3 auf (das Falschsignaler fassungssignal SD ist auf einen tiefen Pegel gesetzt). Die an den logischen Abschnitt 41 übertragenen EIN- und AUS-Impulssignale werden daher direkt an die S- bzw. den R-Eingang des RS-Flipflops 42 gesendet, wobei sie danach über den RS-Flipflop 42 in die Treiberschaltung 5 eingehen.
  • Wenn das Falschsignal in der Pegelschiebeschaltung 2 erzeugt ist als eine Folge des durch die parasitären Dioden 23a und 23b fließenden Erholungsstroms oder des durch die parasitären Kapazitäten 24a und 24b fließenden Stroms dv/dt, wird gleichzeitig mit der Erzeugung des Falschsignals das Falschsignalerfassungssignal an den logischen Abschnitt 41 gesendet (das Falschsignalerfassungssignal SD wird auf einen hohen Pegel gesetzt). Wenn das Falschsignalerfassungssignal SD auf einem hohen Pegel ist, wird das von der Pegelschiebeschaltung 2 (falsches Signal) gesendete Signal dem Maskieren an den AND-Gattern 1 und 2 unterzogen und wird damit nicht an den RS-Flipflop 42 übertragen. Die Fehlfunktion, welche von dem in der Pegelschiebeschaltung 2 erzeugten Falschsignal resultiert, wird dadurch verhindert.
  • Der Schaltungsaufbau der in 3 gezeigten Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 ist lediglich ein Beispiel. Solange die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 derart wirksam ist, dass sie das von der Pegelschiebeschaltung 2 gesendete Signal überdeckt, während sie der Eingabe des Falschsignalanzeigesignals SD unterzogen ist, ist ein anderer Aufbau anwendbar.
  • Bei der ersten bevorzugten Ausführungsform kann die Erfassungsempfindlichkeit des Falschsignals an der Falschsignalerfassungsschaltung 3 leicht gesteuert werden durch Einstellen der Impedanz des Falschsignalerfassungswiderstandes 31 oder des Schwellwertes des NOT-Gatters 35. Als ein Beispiel unterscheidet sich die Falschsignalerzeugung hinsichtlich der Zeit bei der EIN-Pegelschiebe- und der AUS-Pegelschiebeschaltung aufgrund verschiedener Werte der parasitären Kapazitäten 24a und 24b. Erhöhte Erfassungsempfindlichkeit des Falschsignals an der Falschsignalerfassungsschaltung 3 dient der Kompensation für eine solche zeitliche Verzögerung. Die Entwurfsänderung einer Schaltungsumsetzung kann verantwortlich sein für die Erhöhung der Erfassungsempfindlichkeit des Falschsignals, wie z.B. eine Erhöhung der Impedanz der Falschsignalerfassungswiderstandes 31 oder eine Erhöhung des Schwellwertes des NOT-Gatters 35. Hierbei muss kein einzelnes Element der Pegelschiebeschaltung 2 einer Entwurfsänderung unterzogen werden, wodurch die Erfassungsempfindlichkeit des Falschsignals gesteuert wird, während keine Auswirkung auf den normalen Betrieb der Pegelschiebeschaltung 2 verursacht wird. Als Folge wird eine Falschsignalentfernung mit einem hohen Grad an Präzision erlaubt ohne Verschlechterung der Zuverlässigkeit des normalen Betriebs der Halbleitervorrichtung.
  • Zweite bevorzugte Ausführungsform
  • Bei einer Halbleitervorrichtung nach einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist der in 4 gezeigte Aufbau verantwortlich für den Prozess in einem HVIC von dem Eingang in eine Pegelschiebeschaltung zu dem Ausgang von einer Hochseite. Die zweite bevorzugte Ausführungsform unterscheidet sich nur im Aufbau der Falschsignalerfassungsschaltung 3 von der ersten bevorzugten Ausführungsform. Der Aufbau der anderen Elemente und der Betrieb der Halbleitervorrichtung als Ganzes sind die gleichen wie diejenigen der ersten bevorzugten Ausführungsform und daher wird die Beschreibung davon ausgelassen werden.
  • Mit Bezug auf 4 beinhaltet die Falschsignalerfassungsschaltung 3 der zweiten bevorzugten Ausführungsform eine Diode 36 als die zweite Schaltvorrichtung, welche in Serie mit dem Falschsignalerfassungswiderstand 31 geschaltet ist. Die Diode 36 und der Kondensator 37 sind parallel geschaltet. Die Diode 36 besitzt eine mit dem Massepotential GND verbundene Anode und eine über den Falschsignalerfassungswiderstand 31 mit dem Hochseitenversorgungspotential VB verbundene Kathode. D.h. die Diode 36 ist im normalen Betrieb fest in Sperrrichtung gepolt. Wie bei der ersten bevorzugten Ausführungsform wird der in dem Falschsignalerfassungswiderstand 31 entwickelte Spannungsabfall als das Falschsignalanzeigesignal SD genommen, wobei das Signal danach über das NOT-Gatter 35 zu der Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 gesendet wird.
  • Die Diode 36 besitzt die gleichen elektrischen Eigenschaften wie die parasitären Dioden 23a und 23b. Der Kondensator 37 besitzt die gleichen elektrischen Eigenschaften wie die parasitären Kapazitäten 24a und 24b. Dementsprechend gibt die Falschsignalerfassungsschaltung 3 der zweiten bevorzugten Ausführungsform das Falschsignalanzeigesignal SD aus, welches in der gleichen Art und Weise wirkt wie das eine bei der ersten bevorzugten Ausführungsform, nämlich wie das Falschsignalanzeigesignal SD, das hinweisend ist auf die Erzeugung sowohl des Falschsignals in der Pegelschiebeschaltung 2, das von dem in den parasitären Dioden fließenden Strom resultiert, als auch des Falschsignals, das von dem in den parasitären Kapazitäten fließenden Strom dv/dt resultiert.
  • Wie diskutiert, verwirklicht die zweite bevorzugte Ausführungsform die Fehlfunktionsverhinderung in der gleichen Art und Weise wie bei der ersten bevorzugten Ausführungsform, wodurch der gleiche Effekt erzeugt wird. Die zweite bevorzugte Ausführungsform ersetzt charakteristischerweise den HVMOS 32, der bei der ersten bevorzugten Ausführungsform mit der Diode 36 und dem Kondensator 37 benötigt wird, womit eine erhöhte Flexibilität beim Schaltungsentwurf bereitgestellt wird. Weiter erlaubt das Schaltungsdesign bei der zweiten bevorzugten Ausführungsform vorteilhaft, dass der Wert des Kondensators 37 unabhängig abgeändert wird, wodurch die Erfassungsgenauigkeit an der Falschsignalerfassungsschaltung 3 mit einem höheren Grad an Leichtigkeit gesteuert werden kann.
  • Dritte bevorzugte Ausführungsform
  • 5 zeigt den Aufbau der Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 nach einer dritten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Mit Bezug auf 5 beinhalten die den logischen Abschnitt 41 der Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 bildenden logischen Gatter ein AND-Gatter 3 und ein NOT-Gatter 2. Das EIN-Impulssignal von der Pegelschiebeschaltung 2 wird zu einem Eingangsanschluss des AND-Gatters 3 gesendet, wohingegen das AUS-Impulssignal von der Pegelschiebeschaltung 2 direkt zu dem R-Eingang des RS-Flipflops 42 gesendet wird. Das Falschsignalanzeigesignal SD von der Falschsignalerfassungsschaltung 3 wird über das NOT-Gatter 2 zu einem anderen Eingangsanschluss des AND-Gatters 3 gesendet. Der Ausgang des AND-Gatters 3 wird zu dem S-Eingang des RS-Flipflops 42 gesendet.
  • Wenn die Pegelschiebeschaltung 2 in dem keine Erzeugung eines Falschsignals erfahrenden normalen Betrieb ist, tritt kein Eingang des Falschsignalanzeigesignals SD von der Falschsignalerfassungsschaltung 3 auf (das Falschsignalanzeigesignal SD ist auf einen tiefen Pegel gesetzt). Die EIN- und AUS-Impulssignale, die an den logischen Abschnitt 41 übertragen sind, werden direkt an den S- bzw. R-Eingang des RS-Flipflops 42 gesendet, wobei sie danach über den RS-Flipflop 42 in die Treiberschaltung 5 gehen.
  • Wenn das Falschsignalanzeigesignal SD an den logischen Abschnitt 41 gesendet ist (das Falschsignalanzeigesignal SD ist auf einen hohen Pegel gesetzt), wird das von der Pegelschiebeschaltung 2 übertragene EIN-Impulssignal an dem AND-Gatter 3 einem Maskieren unterzogen, und somit wird es nicht an den RS-Flipflop 42 gesendet. Dementsprechend verursacht ein Falschsignal nicht, dass das Leistungshalbleiterelement 100 durch die Treiberschaltung 5 eingeschaltet wird, während es verursa chen kann, dass das Leistungshalbleiterelement 100 ausgeschaltet wird.
  • Als ein Beispiel verlangt eine Vorrichtung, wie z.B. ein Einzelphasenhalbbrückentreiber, nur, dass "kein Kurzschluss auftritt" als ein Minimalerfordernis für die Fehlfunktionsverhinderung. Die auf eine solche Vorrichtung angewendete dritte bevorzugte Ausführungsform realisiert die Fehlfunktionsverhinderung.
  • Wie aus dem Vergleich mit 3 der ersten bevorzugten Ausführungsform ersichtlich, vermeidet die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 der dritten bevorzugten Ausführungsform eine Schaltung (das in 3 gezeigte AND-Gatter 2) zum Entfernen eines in der AUS-Pegelschiebeschaltung erzeugten Falschsignals, wobei die Schaltung nicht notwendigerweise eine Voraussetzung in der Vorrichtung ist, die nur erfordert, dass "kein Kurzschluss auftritt". Die dritte bevorzugte Ausführungsform realisiert daher eine geringere Elementanzahl als die erste bevorzugte Ausführungsform, was zu einer Verringerung der Kosten führt.
  • Der in 5 gezeigte Schaltungsaufbau der Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 ist lediglich ein Beispiel. Solange die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 dahingehend wirksam ist, das von der Pegelschiebeschaltung 2 gesendete Signal zu überdecken, während sie dem Eingang des Falschsignalanzeigesignals SD unterzogen ist, ist ein alternativer Aufbau anwendbar.
  • Vierte bevorzugte Ausführungsform
  • 6 zeigt den Aufbau der Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 nach einer vierten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Mit Bezug auf 6 bildet nur ein einzelnes logisches Gatter, nämlich ein OR-Gatter 1 den logischen Abschnitt 41 der Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4. Das EIN-Impulssignal von der Pegelschiebeschaltung 2 wird direkt an den S-Eingang des RS-Flipflops 42 gesendet. Das AUS-Impulssignal von der Pegelschiebeschaltung 2 und das Falschsignalanzeigesignal SD von der Falschsignalerfassungsschaltung 3 werden an das R-Gatter 1 gesendet. Der Ausgang des R-Gatters 1 wird an den R-Eingang des RS-Flipflops 42 gesendet.
  • Wenn die Pegelschiebeschaltung 2 in dem normalen Betrieb ist, in dem sie keine Erzeugung eines Falschsignals erfährt, tritt kein Eingang des Falschsignalanzeigesignals SD von der Falschsignalerfassungsschaltung 3 auf (das Falschsignalanzeigesignal SD ist auf einen tiefen Pegel gesetzt). Die von dem logischen Abschnitt 41 übertragenen EIN- und AUS-Impulssignale werden daher direkt an den S- bzw. den R-Eingang des RS-Flipflops 42 gesendet, wobei sie danach über den RS-Flipflop 42 in die Treiberschaltung 5 gehen.
  • Wenn das Falschsignalanzeigesignal SD an den logischen Abschnitt 41 gesendet wird (das Falschsignalanzeigesignal SD ist auf einen hohen Pegel gesetzt), wird das Falschsignalanzeigesignal SD als das AUS-Impulssignal an den RS-Flipflop 42 gesendet. Dementsprechend bringt die Erzeugung eines Falschsignals notwendigerweise durch die Treiberschaltung 5 das Leistungshalbleiterelement 100 in einen ausgeschalteten Zustand (Sperrzustand).
  • Die vierte bevorzugte Ausführungsform realisiert die Fehlfunktionsverhinderung auch, wenn sie auf eine Vorrichtung angewendet wird, die nur erfordert, dass "kein Kurzschluss auftritt". Wie aus dem Vergleich mit 3 der ersten bevorzugten Ausführungsform gesehen, realisiert die vierte bevorzugte Ausführungsform eine geringere Elementanzahl als die erste bevorzugte Ausführungsform, was zu einer Verringerung der Kosten führt.
  • Der Schaltungsaufbau der in 6 gezeigten Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 ist lediglich ein Beispiel. Solange die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 derart wirksam ist, dass sie das AUS-Impulssignal an den RS-Flipflop 42 sendet, während sie dem Eingang des Falschsignalanzeigesignals SD unterworfen ist, ist ein alternativer Aufbau anwendbar.
  • Fünfte bevorzugte Ausführungsform
  • 7 zeigt den Aufbau der Fehlfunktionsverhinderungsschaltung nach einer fünften bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die fünfte bevorzugte Ausführungsform ist eine Kombination der vorliegenden Erfindung und des logischen Filtersystems, das in der oben diskutierten Japanischen Patentoffenlegungsschrift JP 2001-145370 eingeführt ist.
  • Mit Bezug auf 7 beinhalten die logischen Gatter, die den logischen Abschnitt 41 der Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 bilden, AND-Gatter 4, 5, 6, 7 und 8 sowie NOT-Gatter 3 und 4. Das EIN-Impulssignal von der Pegelschiebeschaltung 2 wird zu einem Eingangsanschluss des AND-Gatters 4 gesendet, wohingegen das AUS-Impulssignal von der Pegelschiebeschaltung 2 zu einem Eingangsanschluss des AND-Gatters 5 gesendet wird. Das Falschsignalanzeigesignal SD von der Falschsignalerfassungsschaltung 3 wird über das NOT-Gatter 3 zu einem anderen Eingangsanschluss des AND-Gatters 4 und zu einem anderen Eingangsanschluss des AND-Gatters 5 gesendet. Das AND-Gatter 6 empfängt jeweilige Ausgänge der AND-Gatter 4 und 5. Das AND-Gatter 7 empfängt den Ausgang des AND-Gatters 4 und den Ausgang des AND-Gatters 6, nachdem es durch das NOT-Gatter 4 gegangen ist. Der Ausgang des AND-Gatters 7 wird an den S-Eingang des RS-Flipflops 42 gesendet. Das AND-Gatter 8 empfängt den Ausgang des AND-Gatters 5 und den Ausgang des AND-Gatters 6, nachdem er durch das NOT-Gatter 4 gegangen ist. Der Ausgang des AND-Gatters 8 wird an den R-Eingang des RS-Flipflops 42 gesendet.
  • Wenn die Pegelschiebeschaltung 2 in dem normalen Betrieb ist, in dem sie keine Erzeugung eines Falschsignals erfährt, tritt kein Eingang des Falschsignalanzeigesignals SD von der Falschsignalanzeigeschaltung 3 auf (das Falschsignalanzeigesignal SD ist auf einen tiefen Pegel gesetzt). Die von dem logischen Abschnitt 41 übertragenen AN- und AUS-Impulssignale werden daher direkt an den S- bzw. den R-Eingang des RS-Flipflops 42 gesendet, wobei sie danach über den RS-Flipflop 42 in die Treiberschaltung 5 gehen. Wenn die EIN- und AUS-Impulssignale gleichzeitig zu dem logischen Abschnitt 41 gesendet werden, wird ein durch die AND-Gatter 6, 7, 8 und das NOT-Gatter 4 gebildeter logischer Filter dahingehend wirksam, dass er diese Impulssignale als Falschsignale erkennt, um dadurch die Übertragung dieser Signale an den RS-Flipflop 42 zu beenden. Als Folge verursachen die gleichzeitig in den EIN-Pegelschiebe- und AUS-Pegelschiebeschaltungen erzeugten Falschsignale keine Fehlfunktion.
  • Wenn das Falschsignalanzeigesignal SD an den logischen Abschnitt 41 gesendet wird (das Falschsignalanzeigesignal SD wird auf einen hohen Pegel gesetzt), wird das von der Pegelschiebeschaltung 2 gesendete Signal (Falschsignal) an den AND-Gattern 4 und 5 dem Maskieren unterzogen, und wird daher nicht zu dem vorhergehenden logischen Filter gesendet. Eine Fehlfunktion, die von dem in der Pegelschiebeschaltung 2 erzeugten Falschsignal resultiert, wird dadurch verhindert.
  • Wie diskutiert, erlaubt die vorliegende Erfindung in Kombination mit dem logischen Filtersystem eine Fehlfunktionsverhinderung mit einem höheren Grad an Zuverlässigkeit.
  • Bei dem in 7 gezeigten Aufbau wird die Eingangsstufe des logischen Filters (mit den AND-Gattern 6, 7, 8 und dem NOT-Gatter 4) mit der Schaltung der vorliegenden Erfindung (mit den AND-Gattern 4, 5 und dem NOT-Gatter 3) vorgesehen, die da hingehend wirksam ist, dass das Signal von der Pegelschiebeschaltung 2 überdeckt wird, während sie dem Eingang des Falschsignalanzeigesignals SD unterworfen wird. Jedoch kann der logische Abschnitt 41 der fünften bevorzugten Ausführungsform einen alternativen Schaltungsaufbau haben. Mit Bezug auf 8 kann die Ausgangsstufe eines logischen Filters (mit den AND-Gattern 9, 10, 11 und einem NOT-Gatter 5) versehen sein mit der Schaltung der vorliegenden Erfindung (mit den AND-Gattern 12, 13 und einem NOT-Gatter 6), die dahingehend wirksam ist, dass das Signal von dem logischen Filter überdeckt wird, während sie dem Eingang des Falschsignalanzeigesignals SD unterworfen wird. Ein solcher alternativer Schaltungsaufbau erlaubt auch eine Fehlfunktionsverhinderung mit einem höheren Grad an Zuverlässigkeit durch eine Kombination der vorliegenden Erfindung und des logischen Filters, die der Entfernung eines Falschsignals dient.
  • Sechste bevorzugte Ausführungsform
  • Bei den vorhergehenden bevorzugten Ausführungsformen wurde die Pegelschiebeschaltung 2 als eine Kombination von zwei Pegelschiebeschaltungen für die jeweilige Verarbeitung der EIN- und der AUS-Impulssignale beschrieben. Allgemein werden die EIN- und die AUS-Impulse abwechselnd gesendet. In Anbetracht dessen dient auch eine einzelne Pegelschiebeschaltung, welche ein Impulssignal einschließlich der EIN- und der AUS-Impulse empfängt, dazu, die Hochseite der HVIC anzusteuern durch z.B. Erkennen von ungeradzahligen Impulsen als die EIN-Impulse und von geradzahligen Impulsen als die AUS-Impulse.
  • 9 zeigt eine Halbleitervorrichtung nach einer sechsten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Bei der in 1 gezeigten Halbleitervorrichtung ist der Aufbau aus 9 verantwortlich für den Prozess in dem HVIC von dem Eingang in die Pegelschiebeschaltung zu dem Ausgang von der Hochseite. Eine Pegelschiebeschaltung 20 der sechsten bevor zugten Ausführungsform empfängt ein Impulssignal einschließlich sowohl der EIN- und der AUS-Impulse (im folgenden auch als ein "EIN/AUS-Impulssignal" bezeichnet). D.h. die EIN- und AUS-Impulse werden abwechselnd zu der Pegelschiebeschaltung 20 gesendet.
  • Die Pegelschiebeschaltung 20 ist durch eine einzelne Pegelschiebeschaltung ausgebildet. D.h. die Pegelschiebeschaltung 20 beinhaltet eine Serienschaltung eines Pegelschiebewiderstandes 201 und eines HVMOS 202 als die erste Schaltvorrichtung sowie ein NOT-Gatter 205, welches mit dem einen Ende des Pegelschiebewiderstandes 201 verbunden ist. Bezugszeichen 203 und 204 in 9 stellen jeweils eine parasitäre Diode und eine parasitäre Kapazität dar, die dem HVMOS 202 eigen sind. Der HVMOS 202 besitzt ein das AN/AUS-Impulssignal empfangendes Gate, ein mit dem Massepotential GND verbundenes Source und ein über den Pegelschiebewiderstand 201 mit dem Hochseitenversorgungspotential V verbundenes Drain. Der HVMOS 202 wird EIN- und AUS-geschaltet als Antwort auf das EIN/AUS-Impulssignal (erstes Signal). Der dadurch in dem Pegelschiebewiderstand 201 entwickelte Spannungsabfall wird als das AN/AUS-Signal für die Hochseite genommen (zweites Signal) genommen, wobei das Signal danach über das NOT-Gatter 205 als einen Puffer zu der Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 4 gesendet wird.
  • Die Falschsignalerfassungsschaltugn 3 in der sechsten bevorzugten Ausführungsform hat den gleichen Aufbau wie die der ersten bevorzugten Ausführungsform und daher wird die Beschreibung davon ausgelassen. Wie aus 9 ersichtlich, hat die Falschsignalerfassungsschaltung 3 den gleichen Aufbau wie die der Pegelschiebeschaltung 20, außer, dass der HVMOS 32 eine Dummyschaltvorrichtung ist. Der HVMOS 32 der sechsten bevorzugten Ausführungsform als der zweiten Schaltvorrichtung (zweiter Transistor) ist gleich dem HVMOS 202 als die erste Schaltvorrichtung (erster Transistor). D.h. die parasitären Dioden 33 und 303 haben gleiche elektrische Eigenschaften und die parasitären Kapazitäten 34 und 204 haben gleiche elektrische Eigenschaften.
  • Als Folge ist das Falschsignalanzeigesignal SD, das von der Falschsignalerfassungsschaltung 3 ausgegeben wird, hinweisend auf die Erzeugung sowohl des Falschsignals in der Pegelschiebeschaltung 20, das von dem in der parasitären Diode fließenden Erholungsstrom resultiert, als auch das Falschsignal, das von dem Strom dv/dt resultiert.
  • Die das Falschsignalanzeigesignal SD empfangende Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 40 erkennt das von der Pegelschiebeschaltung 20 gesendete Signal als ein Falschsignal, während sie dem Eingang des Falschsignalanzeigesignals SD von der Falschsignalerfassungsschaltung 3 unterworfen wird, und beendet die Übertragung davon an die Treiberschaltung 5. Das Leistungshalbleiterelement 100 ist daher vor Fehlfunktion geschützt. Bei der sechsten bevorzugten Ausführungsform umfasst die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 40 einen logischen Abschnitt 401 und einen T-Flipflop 402, welcher derart wirksam ist, dass er als ein Frequenzteil dient.
  • 10 zeigt einen exemplarischen Aufbau der Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 40. Bei der sechste bevorzugten Ausführungsform bilden logische Gatter einschließlich einem AND-Gatter 14 und einem NOT-Gatter 7 den logischen Abschnitt 401 der Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 40. Das EIN/AUS-Impulssignal von der Pegelschiebeschaltung 20 wird an einen Eingangsanschluss des AND-Gatters 14 gesendet. Das Falschsignaleingangssignal SD wird über das NOT-Gatter 7 zu dem anderen Eingangsanschluss des AND-Gatters 14 gesendet. Der Ausgang des AND-Gatters 14 wird an den T-Eingang des T-Flipflops 402 gesendet. Jedes Mal, wenn das EIN/AUS-Impulssignal empfangen wird, dient der T-Flipflop 402 dazu, den Ausgang zu invertieren (d.h. der T-Flipflop 402 teilt die Frequenz an dem Eingang durch zwei), um dadurch ein Signal zu der Treiberschaltung 5 als Antwort auf das EIN/AUS-Impulssignal zu übertragen.
  • Wenn die Pegelschiebeschaltung 20 in dem keine Erzeugung eines Falschsignals erfahrenden normalen Betrieb ist, tritt kein Eingang des Falschsignalanzeigesignals SD von der Falschsignalerfassungsschaltung 3 auf (das Falschsignalanzeigesignal SD ist auf einen tiefen Pegel gesetzt). Das an den logischen Abschnitt 401 übertragene AN/AUS-Impulssignal wird daher direkt zu dem T-Flipflop 402 gesendet, wonach es über den T-Flipflop 402 in die Treiberschaltung 5 geht.
  • Wenn das Falschsignalanzeigesignal SD an den logischen Abschnitt 401 gesendet wird (das Falschsignalanzeigesignal ist auf einen hohen Pegel gesetzt), wird das von der Pegelschiebeschaltung 20 gesendete Signal (Falschsignal) an dem AND-Gatter 14 einem Maskieren unterzogen und wird nicht an den T-Flipflop 402 gesendet. Eine Fehlfunktion, die von dem in der Pegelschiebeschaltung 20 erzeugten Falschsignal resultiert, wird dadurch verhindert.
  • Wie diskutiert, ist das in der Japanischen Patentoffenlegungsschrift JP 2001-145370 eingeführte logische Filtersystem nicht auf den Fall anwendbar, bei dem eine einzelne Pegelschiebeschaltung zum Übertragen eines Impulssignals einschließlich sowohl der EIN- und der AUS-Impulse verwendet wird, wohingegen die vorliegende Erfindung auf einen solchen Fall angewendet werden kann. Wie aus dem Vergleich zwischen 2 und 10 ersichtlich, stellt eine einzelne Pegelschiebeschaltung, welche zum Übertragen eines Impulssignals einschließlich sowohl der EIN- als auch der AUS-Impulse dient, einen einfacheren Schaltungsaufbau bereit. Die sechste bevorzugte Ausführungsform realisiert daher eine Verkleinerung des Schaltungsaufbaus und Verringerung von Kosten.
  • Der Schaltungsaufbau der in 10 gezeigten Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 40 ist lediglich ein Beispiel. Solange die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung 40 dahingehend wirksam ist, dass das von der Pegelschiebeschaltung 20 gesendete Signal überdeckt wird, während sie dem Eingang des Falschsignalanzeigesignals SD unterzogen wird, ist ein alternativer Aufbau anwendbar.
  • Siebte bevorzugte Ausführungsform
  • 11 zeigt den Aufbau einer Halbleitervorrichtung nach einer siebten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und zeigt insbesondere den Aufbau, der für den Prozess in einem HVIC von dem Eingang in eine Pegelschiebeschaltung zu dem Ausgang von einer Hochseite verantwortlich ist. Die siebte bevorzugte Ausführungsform ist eine Kombination der sechsten bevorzugten Ausführungsform und der Falschsignalerfassungsschaltung 3 nach der zweiten bevorzugten Ausführungsform (4). Insbesondere beinhaltet die Falschsignalerfassungsschaltung 3 die Diode 36 als die zweite Schaltvorrichtung, welche in Serie mit dem Falschsignalerfassungswiderstand 31 verbunden ist. Die Diode 36 und der Kondensator 37 sind parallel geschaltet. Die Diode 36 und die parasitäre Diode 203 des HVMOS 202 besitzen gleiche elektrische Eigenschaften, und der Kondensator 37 und die parasitäre Kapazität 204 besitzen gleiche elektrische Eigenschaften.
  • Dementsprechend ist das von der Falschsignalserfassungsschaltung 3 ausgegebene Falschsignalerfassungssignal SD hinweisend auf die Erzeugung sowohl des Falschsignals in der Pegelschiebeschaltung 20, das von dem in der parasitären Diode fließenden Erholungsstrom resultiert, als auch des Falschsignals, das von dem Strom dv/dt resultiert.
  • Die siebe bevorzugte Ausführungsform ist daher in der gleichen Art und Weise wirksam für die Fehlfunktionsverhinderung wie die sechste bevorzugte Ausführungsform, um dadurch den gleichen Effekt zu erzeugen. Die siebte bevorzugte Ausführungsform ersetzt charakteristischerweise den bei der sechsten bevorzugten Ausführungsform benötigten HVMOS 32 durch die Diode 36 und den Kondensator 37, womit eine erhöhte Flexibilität im Schaltungsdesign bereitgestellt wird. Weiter erlaubt das Schaltungsdesign bei der siebten bevorzugten Ausführungsform vorteilhaft, dass der Wert des Kondensators 37 unabhängig geändert wird, wodurch die Erfassungsempfindlichkeit der Falschsignalserfassungsschaltung 3 mit einem höheren Grad an Leichtigkeit gesteuert werden kann.

Claims (9)

  1. Halbleitervorrichtung mit: einer Pegelschiebeschaltung (2) zum Umwandeln eines ersten Signals in ein zweites Signal, das fähig ist, an eine Zielschaltung (5) auf einer Hochseite übertragen zu werden; eine Falschsignalerfassungsschaltung (3) zum Erfassen der Erzeugung eines Falschsignals in der Pegelschiebeschaltung (2) und zum Ausgeben eines Falschsignalerfassungssignals (SD), das die Erzeugung des falschen Signals anzeigt; und einer Fehlfunktionsverhinderungsschaltung (4), die das zweite Signal und das Falschsignalerfassungssignal (SD) empfängt, wobei die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung (4) dazu dient, das zweite Signal zu der Zielschaltung (5) zu übertragen, wobei die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung (4) weiter dazu dient, das zweite Signal als das falsche Signal zu erkennen, um die Übertragung von zumindest einem Teil des zweiten Signals an die Zielschaltung (5) zu beenden, während sie dem Eingang des Falschsignalanzeigesignals (SD) unterzogen wird, um dadurch eine Fehlfunktion zu verhindern, wobei die Pegelschiebeschaltung (2) eine Serienschaltung des ersten Widerstandes (21a, 21b, 201) und einer ersten Schaltvorrichtung (22a, 22b, 202), die das erste Signal empfängt, enthält, wobei die Pegelschiebeschaltung (2) den in dem ersten Widerstand (21a, 21b, 201) entwickelten Spannungsabfall als das zweite Signal ausgibt, wobei die Falschsignalerfassungsschaltung (3) parallel zu der Pegelschiebeschaltung (2) geschaltet ist, und wobei die Falschsignalerfassungsschaltung (3) eine Serienschaltung eines zweiten Transistors (31) und einer zweiten Schaltvorrichtung (32, 36), die im normalen Betrieb fest in einem nichtleitenden Zustand ist, enthält, wobei die Falschsignalerfassungsschaltung (3) einen in dem zweiten Widerstand (31) entwickelten Spannungsabfall als das Falschsignalanzeigesignal (SD) ausgibt.
  2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die zweite Schaltvorrichtung (32, 36) ein Diodenelement und ein kapazitives Element besitzt, die gleich denen der ersten Schaltvorrichtung (22a, 22b, 202) sind.
  3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste Schaltvorrichtung (22a, 22b, 202) ein erster Transistor ist, und wobei die zweite Schaltvorrichtung (32, 36) ein zweiter Transistor ist.
  4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, wobei der zweite Transistor eine parasitäre Diode und eine parasitäre Kapazität besitzt, die gleich denen des ersten Transistors sind.
  5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die zweite Schaltvorrichtung (32, 36) eine parallel zu einem Kondensator geschaltete Diode ist.
  6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, wobei der Kondensator die gleichen elektrischen Eigenschaften wie eine parasitäre Kapazität der ersten Schaltvorrichtung (22a, 22b, 202) besitzt, und wobei die Diode die gleichen elektrischen Eigenschaften wie einer parasitäre Diode der ersten Schaltvorrichtung (22a, 22b, 202) besitzt.
  7. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung (4) das Maskieren des zweiten Signals durchführt, während sie dem Eingang des Falschsignalanzeigesignals (SD) unterzogen wird, um ein resultierendes Signal an die Zielschaltung (5) abzugeben.
  8. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Zielschaltung (5) eine Treiberschaltung zum Ansteuern einer dritten Schaltvorrichtung (100) ist, und wobei die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung (4) das Maskieren eines Signals als Teil des zweiten Signals durchführt, während sie dem Eingang des Falschsignalanzeigesignals (SD) unterzogen wird, wobei das Signal als Teil des zweiten Signals verursacht, dass die dritte Schaltvorrichtung (100) eingeschaltet wird, um ein resultierendes Signal an die Zielschaltung (5) auszugeben.
  9. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Zielschaltung (5) eine Treiberschaltung zum Ansteuern einer dritten Schaltvorrichtung (100) ist, und wobei die Fehlfunktionsverhinderungsschaltung (4) ein Signal an die Zielschaltung (5) ausgibt, während sie dem Eingang des Falschsignalanzeigesignals (SD) unterzogen wird, wobei das Signal an die Zielschaltung (5) die dritte Schaltvorrichtung (100) in einen Sperrzustand bringt.
DE102004045231A 2003-12-15 2004-09-17 Halbleitervorrichtung, die eine Fehlfunktion verhindern kann, welche von einem in einer Pegelschiebeschaltung erzeugten falschen Signal verursacht ist Active DE102004045231B4 (de)

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