DE102004039870A1

DE102004039870A1 - Light-emitting component used as a light emitting diode comprises an adhesion layer formed on a substrate, and a nitride-based light emitting stack formed on the adhesion layer

Info

Publication number: DE102004039870A1
Application number: DE200410039870
Authority: DE
Inventors: Min-Hsun Hsieh
Original assignee: Epistar Corp
Current assignee: Epistar Corp
Priority date: 2003-08-20
Filing date: 2004-08-17
Publication date: 2005-03-24
Also published as: JP2005072585A; TW200509408A

Abstract

Light-emitting component (1) comprises an adhesion layer (11) formed on a substrate (10), and a nitride-based light emitting stack formed on the adhesion layer and having a first surface which lies closer to the adhesion layer and a second surface joined to a rough region.

Description

Priorität: 20. August 2003, Taiwan (ROC), Nr. 92123005 Priority: 20th August 2003, Taiwan (ROC), No. 92123005

Durch die Erfindung ist ein Licht emittierendes Bauteil geschaffen, spezieller ein Licht emittierendes Bauteil auf Nitridbasis mit hohem Wirkungsgrad.By The invention is a light emitting device, more specifically a nitride-based light-emitting device with high efficiency.

Die Anwendungen Licht emittierender Dioden (LEDs) sind umfangreich, und dazu gehören Anwendungen wie optische Anzeigevorrichtungen, Verkehrssignale, Datenspeichervorrichtungen, Kommunikationsvorrichtungen, Beleuchtungsvorrichtungen und medizinische Geräte.The Applications of light-emitting diodes (LEDs) are extensive, and belong to it Applications such as optical displays, traffic signals, Data storage devices, communication devices, lighting devices and medical equipment.

LED-Licht läuft in allen Richtungen, anstatt dass es auf eine Stelle fokussiert wäre. Jedoch wird das von einer LED erzeugte Licht nicht leicht von dieser emittiert. Gemäß dem Snellschen Gesetz wird nur Licht vollständig heraus emittiert, das mit einem Winkel innerhalb des kritischen Winkels βc emittiert wird, und anderes Licht wird reflektiert und absorbiert. Anders gesagt, muss der Winkel von LED-Licht innerhalb eines Kegels von 2βc liegen, damit es vollständig heraus emittiert wird. Licht unter einem Winkel über 2βc wird reflektiert. Wenn LED-Licht von einem Material mit hohem Brechungsindex zu einem Material mit niedrigem Brechungsindex läuft, ist der Winkel von emittiertem Licht aufgrund des Effekts der Brechungsindizes eingeschränkt. Daher besteht ein wichtiger Punkt darin, wie die Effizienz der Lichtemission verbessert werden kann.LED light runs in all directions instead of being focused on one place. however For example, the light generated by an LED is not easily emitted therefrom. According to Snellschen Law will only light completely emitted at an angle within the critical Angle βc is emitted, and other light is reflected and absorbed. In other words, the angle of LED light must be within a cone from 2βc lie to it completely is emitted out. Light at an angle greater than 2βc is reflected. When LED light from a high refractive index material to a material having low refractive index is running, is the angle of emitted light due to the effect of refractive indices limited. Therefore, there is an important issue, such as the efficiency of the light emission can be improved.

In US-PN-5,040,044 ist ein Verfahren zum Herstellen einer LED offenbart, gemäß dem durch eine chemisch geätzte, raue Oberfläche die Gesamtreflexion verringert wird und die Lichtemission erhöht wird. Jedoch ist das Verfahren nicht mit einer aus Galliumnitrid (GaN) bestehenden Materialgruppe, wegen dessen Härte, verträglich, so dass es durch ein anderes Verfahren, induktiv gekoppeltes Plasma (ICP), ersetzt wird.In US-PN-5,040,044 discloses a method of manufacturing an LED, according to the by a chemically etched, rough surface the total reflection is reduced and the light emission is increased. However, the process is not with one of gallium nitride (GaN) existing material group, because of its hardness, compatible, making it through a other method, inductively coupled plasma (ICP) is replaced.

Die bekannte Nitrid-LED verfügt über ein Saphirsubstrat, einen auf diesem hergestellten ersten Nitridstapel, eine auf diesem hergestellte Licht emittierende Nitridschicht sowie einen auf dieser hergestellten zweiten Nitridstapel. Der zweite Nitridstapel emittiert direkt Licht von der Licht emittierenden Nitridschicht. Aufgrund der Einschränkungen bei Nitridepitaxie kann der zweite Nitridstapel bei Epitaxie nur bis zu einer akkumulierten festen Dicke wachsen, was die erste Nitridstapelschicht anfällig für ein Durchätzen während des ICP-Prozesses macht. Im Ergebnis werden Strukturen und Funktionen der LED zerstört.The known nitride LED has a Sapphire substrate, a first nitride stack made thereon, a nitride layer formed on the same, and a second nitride stack made thereon. The second Nitride stack directly emits light from the light-emitting Nitride layer. Due to limitations in nitride epitaxy For epitaxy, the second nitride stack can only accumulate up to one solid thickness grow, making the first nitride stack layer prone to throughput during the process ICP process makes. The result is structures and functions the LED destroyed.

Daher ist es eine Hauptaufgabe der beanspruchten Erfindung, ein Licht emittierendes Bauteil auf Nitridbasis mit hohem Wirkungsgrad zu schaffen.Therefore It is a primary object of the claimed invention to provide a light high-efficiency nitride-based emitting device create.

Das Licht emittierende Bauteil auf Nitridbasis verfügt über ein Saphirsubstrat, einen auf diesem hergestellten ersten Stapel auf Nitridbasis, eine auf dieser hergestellte Licht emittierende Schicht auf Nitridbasis sowie einen auf dieser hergestellten zweiten Stapel auf Nitridbasis. Eine Haftschicht sorgt dafür, dass das Substrat am zweiten Stapel auf Nitridbasis des Licht emittierenden Bauteils auf Nitridbasis haftet, und das Saphirsubstrat wird entfernt. Die Kontaktfläche zwischen dem ersten Stapel auf Nitridbasis und dem Saphirsubstrat wird auf Rauheit geätzt, so dass die Oberfläche des ersten Stapels auf Nitridbasis eine raue Fläche wird. Da die Epitaxiedicke der ersten Stapelschicht auf Nitridbasis 2 bis 10 μm beträgt, reicht die Dicke dazu aus, ein Ätzen zu ermöglichen. Daher kann das Problem überwunden werden, dass die Dicke der Stapelschicht zu gering wäre, um ein Ätzen zu ermöglichen. Durch die raue Fläche kann die Leuchteffizient eines Licht emittierenden Bauteils erhöht werden.The Nitride-based light-emitting device has a sapphire substrate, a on this produced first nitride-based stack, one on this one prepared nitride-based light-emitting layer and a on this produced nitride based second stack. An adhesive layer makes sure that the substrate on the second nitride-based stack of the light-emitting Nitride-based component adheres, and the sapphire substrate is removed. The contact surface between the first nitride-based stack and the sapphire substrate is etched to roughness, so that the surface of the first nitride-based stack becomes a rough surface. Because the epitaxy thickness the first nitride-based stack layer is 2 to 10 μm, is enough the thickness to an etching to enable. Therefore, the problem can be overcome will be that the thickness of the stack layer would be too low to allow for etching enable. Due to the rough surface can the luminous efficiency of a light-emitting component can be increased.

Ein erfindungsgemäßes Licht emittierendes Bauteil auf Nitridbasis mit hohem Wirkungsgrad verfügt über ein Substrat, eine auf diesem hergestellte transparente Haftschicht und eine auf dieser hergestellte transparente, leitende Schicht. Die Oberfläche der transparenten, leitenden Schicht verfügt über ein erstes Gebiet und ein zweites Gebiet, eine auf dem ersten Gebiet der transparenten, leitenden Schicht hergestellte erste Kontaktschicht auf Nitridbasis, eine auf dieser hergestellte erste Mantelschicht auf Nitridbasis, eine auf dieser hergestellte Licht emittierende Schicht auf Nitridbasis, eine auf dieser hergestellte zweite Mantelschicht auf Nitridbasis und eine auf dieser hergestellte Pufferschicht auf Nitridbasis. Die Pufferschicht auf Nitridbasis verfügt über ein raues Gebiet und ein Elektrodenkontaktgebiet, ein auf dem zweiten Gebiet hergestellte erste Elektrode und eine auf dem Elektrodenkontaktgebiet hergestellte zweite Elektrode.One light according to the invention High-efficiency nitride-based emitting device has a Substrate, a transparent adhesive layer prepared on this and a transparent conductive layer formed thereon. The surface of the transparent, conductive layer has a first area and a second area, one in the first area of transparent, conductive Layer produced first nitride-based contact layer, one on this produced first nitride-based cladding layer, one on this produced nitride-based light-emitting layer, a nitride-based second cladding layer made thereon and a nitride-based buffer layer made thereon. The nitride-based buffer layer has a rough area and a Electrode contact area, one produced in the second area first electrode and a manufactured in the electrode contact area second electrode.

Bei der obigen Anordnung enthält das Substrat mindestens ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus Si, GaAs, Glas, Quarz, GaP, Ge, AlGaAs, Al2O3, SiC, ZnO, GaN, Cu und CuW besteht. Die transparente Haftschicht enthält mindestens ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus PI, BCB und PFCB besteht. Die erste Mantelschicht enthält mindestens ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus AlN, GaN, AlGaN, InGaN und AlInGaN besteht. Die Licht emittierende Schicht enthält mindestens ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus GaN, InGaN und AlGaN besteht. Die zweite Mantelschicht enthält mindestens ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus AlN, GaN, AlGaN, InGaN und AlInGaN besteht. Die erste Kontaktschicht enthält mindestens ein Material, das aus einer Materialgrup pe ausgewählt ist, die aus GaN, InGaN und AlGaN besteht. Der Puffer enthält mindestens ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus GaN, InGaN und AlGaN besteht. Die transparente, leitende Schicht enthält mindestens ein Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus Indiumzinnoxid, Cadmiumzinnoxid, Antimonzinnoxid, Zinkoxid und Zinkzinnoxid besteht.In the above arrangement, the substrate contains at least one material selected from a group of materials consisting of Si, GaAs, glass, quartz, GaP, Ge, AlGaAs, Al 2 O 3, SiC, ZnO, GaN, Cu and CuW. The transparent adhesive layer contains at least one material selected from a group of materials consisting of PI, BCB and PFCB. The first cladding layer contains at least one material selected from a material group consisting of AlN, GaN, AlGaN, InGaN and AlInGaN. The light-emitting layer contains at least one material selected from a group of materials consisting of GaN, InGaN and AlGaN consists. The second cladding layer contains at least one material selected from a material group consisting of AlN, GaN, AlGaN, InGaN and AlInGaN. The first contact layer contains at least one material selected from a group of materials consisting of GaN, InGaN and AlGaN. The buffer contains at least one material selected from a group of materials consisting of GaN, InGaN and AlGaN. The transparent conductive layer contains at least one material selected from a group of materials consisting of indium tin oxide, cadmium tin oxide, antimony tin oxide, zinc oxide and zinc tin oxide.

Diese und andere Aufgaben der beanspruchten Erfindung werden dem Fachmann zweifelsfrei ersichtlich sein, nachdem er die folgende detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform gelesen hat, die in den verschiedenen Figuren und Zeichnungen veranschaulicht ist.These and other objects of the claimed invention will become apparent to those skilled in the art beyond doubt, after reading the following detailed Description of the preferred embodiment has read is illustrated in the various figures and drawings.

1 zeigt ein schematisches Diagramm eines erfindungsgemäßen Licht emittierenden Bauteils auf Nitridbasis mit hohem Wirkunsgrad. 1 shows a schematic diagram of a nitride-based light emitting device according to the invention with a high degree of efficiency.

2 zeigt ein schematisches Diagramm eines erfindungsgemäßen Licht emittierenden Bauteils auf Nitridbasis mit hohem Wirkunsgrad. 2 shows a schematic diagram of a nitride-based light emitting device according to the invention with a high degree of efficiency.

3 zeigt ein schematisches Diagramm eines erfindungsgemäßen Licht emittierenden Bauteils auf Nitridbasis mit hohem Wirkunsgrad. 3 shows a schematic diagram of a nitride-based light emitting device according to the invention with a high degree of efficiency.

Es ist auf die 1 Bezug zu nehmen, die ein schematisches Diagramm eines erfindungsgemäßen Licht emittierenden Bauteils 1 auf Nitridbasis mit hohem Wirkungsgrad zeigt. Das Licht emittierende Bauteil 1 auf Nitridbasis verfügt über ein Substrat 10, eine auf diesem hergestellte transparente Haftschicht 11 sowie eine transparente, leitende Schicht 12. Die Oberfläche der transparenten, leitenden Schicht 12 verfügt über ein erstes Gebiet, ein zweites Gebiet, eine auf dem ersten Gebiet der transparenten, leitenden Schicht 12 hergestellte erste Kontaktschicht 13 auf Nitridbasis, eine auf dieser hergestellte erste Mantelschicht 140 auf Nitridbasis, eine auf dieser hergestellte Licht emittierende Schicht 141 auf Nitridbasis, eine auf dieser hergestellte zweite Mantelschicht 142 auf Nitridbasis und eine auf dieser hergestellte Pufferschicht 15 auf Nitridbasis. Die Pufferschicht 15 auf Nitridbasis verfügt über ein raues Gebiet 151 und ein Elektrodenkontaktgebiet 152, eine auf dem zweiten Gebiet der transparenten leitenden Schicht 12 hergestellte erste Elektrode 16 und eine auf dem Elektrodenkontaktgebiet 152 hergestellte zweite Elektrode 17.It is on the 1 Reference is a schematic diagram of a light emitting device according to the invention 1 nitride-based with high efficiency shows. The light-emitting component 1 nitride-based has a substrate 10 , a transparent adhesive layer made thereon 11 and a transparent, conductive layer 12 , The surface of the transparent conductive layer 12 has a first region, a second region, one in the first region of the transparent, conductive layer 12 produced first contact layer 13 based on nitride, a first coat layer produced thereon 140 nitride-based, a light-emitting layer produced thereon 141 nitride-based, a second coat layer produced thereon 142 nitride-based and a buffer layer made thereon 15 based on nitride. The buffer layer 15 nitride-based has a harsh area 151 and an electrode contact area 152 one on the second region of the transparent conductive layer 12 produced first electrode 16 and one in the electrode contact area 152 prepared second electrode 17 ,

Es ist auf die 2 Bezug zu nehmen, die ein schematisches Diagramm eines erfindungsgemäßen Licht emittierenden Bauteils 2 auf Nitridbasis mit hohem Wirkungsgrad zeigt. Die Konfiguration dieses Licht emittierenden Bauteils 2 auf Nitridbasis ist der des Licht emittierenden Bauteils 1 auf Nitridbasis ähnlich, jedoch verfügt eine Pufferschicht 25 auf Nitridbasis des Licht emittierenden Bauteils 2 auf Nitridbasis über eine raue Oberfläche 251, eine auf dieser hergestellte transparente, leitende Schicht 28, eine auf einem zweiten Gebiet hergestellte erste Elektrode 16 und eine auf einem Elektrodenkontaktgebiet hergestellte zweite Elektrode 17.It is on the 2 Reference is a schematic diagram of a light emitting device according to the invention 2 nitride-based with high efficiency shows. The configuration of this light-emitting device 2 nitride-based is that of the light-emitting component 1 similar to nitrite, but has a buffer layer 25 nitride based light emitting device 2 nitride based on a rough surface 251 , a transparent, conductive layer produced on this 28 , a first electrode made in a second area 16 and a second electrode made in an electrode contact area 17 ,

Bei den oben genannten Licht emittierenden Bauteilen 1 und 2 mit hohem Wirkungsgrad können zwischen den Substraten und den transparenten Haftschichten erste Reaktionsschichten hergestellt werden, zwischen den transparenten Haftschichten und den ersten Kontaktschichten auf Nitridbasis können zweite Reaktionsschichten hergestellt werden, um die Haftungskraft zu erhöhen. Ferner können zwischen den Substraten und den ersten Reaktionsschichten, den ersten Kontaktschichten auf Nitridbasis und den zweiten Reaktionsschichten oder einer Fläche des Substrats, die von der transparenten Haft schicht abgewandt ist, metallische Reflexionsschichten hergestellt werden, um die Helligkeit zu erhöhen.In the above-mentioned light-emitting components 1 and 2 With high efficiency, first reaction layers can be formed between the substrates and the transparent adhesive layers, and second reaction layers can be formed between the transparent adhesive layers and the first nitride-based contact layers to increase the adhesive force. Further, between the substrates and the first reaction layers, the first nitride-based contact layers and the second reaction layers or a surface of the substrate facing away from the transparent adhesive layer, metallic reflection layers can be formed to increase the brightness.

Es ist auf die 3 Bezug zu nehmen, die ein schematisches Diagramm eines erfindungsgemäßen Licht emittierenden Bauteils 3 auf Nitridbasis mit hohem Wirkungsgrad mit einer reflektierenden Haftschicht zeigt. Das Licht emittierende Bauteil 3 auf Nitridbasis verfügt über ein Substrat 30, eine auf diesem hergestellte transparente Haftschicht 31, eine auf dieser hergestellte transparente, leitende Schicht 32, eine auf dieser hergestellte erste Kontaktschicht 33 auf Nitridbasis, eine auf dieser hergestellte erste Mantelschicht 340 auf Nitridbasis, eine auf dieser hergestellte Licht emittierende Schicht 341 auf Nitridbasis, eine auf dieser hergestellte zweite Mantelschicht 342 auf Nitridbasis und eine auf dieser hergestellte Pufferschicht 35 auf Nitridbasis. Die Pufferschicht 35 auf Nitridbasis verfügt über ein raues Gebiet 351 und ein Elektrodenkontaktgebiet 352, eine auf einer Fläche des Substrats 30, die von der transparenten Haftschicht 31 abgewandt ist, hergestellte erste Elektrode 36 sowie eine auf dem Elektrodenkontaktgebiet 352 hergestellte zweite Elektrode 37.It is on the 3 Reference is a schematic diagram of a light emitting device according to the invention 3 nitride-based high efficiency with a reflective adhesive layer shows. The light-emitting component 3 nitride-based has a substrate 30 , a transparent adhesive layer made thereon 31 , a transparent, conductive layer produced on this 32 , a first contact layer formed thereon 33 based on nitride, a first coat layer produced thereon 340 nitride-based, a light-emitting layer produced thereon 341 nitride-based, a second coat layer produced thereon 342 nitride-based and a buffer layer made thereon 35 based on nitride. The buffer layer 35 nitride-based has a harsh area 351 and an electrode contact area 352 one on one surface of the substrate 30 taken from the transparent adhesive layer 31 turned away, prepared first electrode 36 and one in the electrode contact area 352 prepared second electrode 37 ,

Beim oben genannten Licht emittierenden Bauteil 3 mit hohem Wirkungsgrad kann zwischen dem Substrat und der transparenten Haftschicht eine erste Reaktionsschicht hergestellt werden, und zwischen der transparenten Haftschicht und der ersten Kontaktschicht auf Nitridbasis kann eine zweite Reaktionsschicht hergestellt werden, um die Haftungskraft zu erhöhen. Ferner kann zwischen dem Substrat und der ersten Reaktionsschicht oder der ersten Kontaktschicht auf Nitridbasis und den zweiten Reaktionsschichten eine metallische Reflexionsschicht hergestellt werden, um die Helligkeit zu erhöhen. Zusätzlich kann die transparente, leitende Haftschicht durch eine metallische Haftschicht oder eine metallische, reflek tierende Haftschicht ersetzt werden.In the above-mentioned light-emitting component 3 With high efficiency, a first reaction layer can be formed between the substrate and the transparent adhesive layer, and between the transparent adhesive layer and the first nitride-based contact layer, a second reaction layer can be formed to increase the adhesive force. Furthermore, between the substrate and the first reaction layer or the first Nitride-based contact layer and the second reaction layers are made a metallic reflection layer to increase the brightness. In addition, the transparent, conductive adhesive layer can be replaced by a metallic adhesive layer or a metallic, reflective adhesive layer.

Bei den obigen Ausführungsformen können transparente, leitende Schichten zwischen den Pufferschichten auf Nitridbasis und den zweiten Elektroden als Ohmsche Kontaktschichten und Stromverteilungsschichten hergestellt werden.at the above embodiments can transparent, conductive layers between the nitride-based buffer layers and the second electrodes as ohmic contact layers and current distribution layers getting produced.

Bei den obigen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Herstellen der rauen Oberfläche ein Ätzverfahren sein, wobei ein Trockenätzverfahren bevorzugt ist.at the above embodiments For example, a method for producing the rough surface may be an etching method with a dry etching preferred is.

Bei den obigen Ausführungsformen besteht das Substrat aus mindestens einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus Si, GaAs, Glas, Quarz, GaP, Ge, AlGaAs, Al2O3, SiC, ZnO, GaN, Cu und CuW besteht. Die transparente Haftschicht besteht aus mindestens einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus PI, BCB und PFCB besteht. Die leitende Haftschicht besteht aus mindestens einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus einem eigenleitenden Polymer und einem mit leitenden und metallischen Materialien dotierten Polymer besteht, wobei das leitende Material aus mindestens einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, besteht, die aus Indiumzinnoxid, Cadmiumzinnoxid, Antimonzinnoxid, Zinkoxid, Zinkzinnoxid, Au und Ni/Au besteht. Die erste Reaktionsschicht besteht aus mindestens einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus SiNx, Ti und Cr besteht, und dies gilt auch für die zweite Reaktionsschicht. Die metallische, reflektierende, die metallische Haftschicht oder die metallische, reflektierende Haftschicht besteht aus mindestens einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ge, Ag, Ti, Pb, Pd, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn und AuSn besteht. Die erste Mantelschicht besteht aus mindestens einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus AlN, GaN, InGaN, InGaN und AlInGaN besteht. Die Licht emittierende Schicht auf Nitridbasis besteht aus mindestens einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus GaN, InGaN und AlGaN besteht. Die zweite Mantelschicht besteht aus mindestens einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus AlN, GaN, AlGaN, InGaN und AlInGaN besteht. Die erste Kontaktschicht besteht aus mindestens einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus GaN, InGaN und AlGaN besteht. Der Puffer besteht aus mindestens einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus GaN, InGaN und AlGaN besteht. Die transparente, leitende Schicht besteht aus mindestens einem Material, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus Indiumzinnoxid, Cadmiumzinnoxid, Antimonzinnoxid, Zinkoxid und Zinnzinkoxid besteht.at the above embodiments the substrate consists of at least one material that consists of a Material group selected consisting of Si, GaAs, glass, quartz, GaP, Ge, AlGaAs, Al 2 O 3, SiC, ZnO, GaN, Cu and CuW. The transparent adhesive layer consists of at least one material selected from a material group, which consists of PI, BCB and PFCB. The conductive adhesive layer exists at least one material selected from a material group, made of an intrinsic polymer and one with conductive and metallic ones Materials doped polymer, wherein the conductive material at least one material selected from a material group, consisting of indium tin oxide, cadmium tin oxide, antimony tin oxide, Zinc oxide, zinc tin oxide, Au and Ni / Au. The first reaction layer consists of at least one material that consists of a material group selected is made of SiNx, Ti and Cr, and so is the second one Reaction layer. The metallic, reflective, metallic Adhesive layer or the metallic, reflective adhesive layer consists at least one material selected from a material group, consisting of In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ge, Ag, Ti, Pb, Pd, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn and AuSn. The first cladding layer consists of at least a material selected from a material group, which consists of AlN, GaN, InGaN, InGaN and AlInGaN. The light-emitting Nitride-based layer consists of at least one material, the selected from a material group is, which consists of GaN, InGaN and AlGaN. The second cladding layer consists of at least one material that consists of a material group selected is composed of AlN, GaN, AlGaN, InGaN and AlInGaN. The first Contact layer consists of at least one material that consists of a material group selected is, which consists of GaN, InGaN and AlGaN. The buffer consists of at least one material selected from a material group, which consists of GaN, InGaN and AlGaN. The transparent, conductive Layer consists of at least one material that consists of a material group selected is that of indium tin oxide, cadmium tin oxide, antimony tin oxide, zinc oxide and tin zinc oxide.

Claims

High-nitride-based light-emitting device Efficiency, with: - one substrate; - one on the substrate produced adhesive layer and - one on the adhesive layer produced light emitting stack Nitride based, over a first area, the closer on the adhesive layer, and a second area with a rough area features.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 1, wherein the adhesive layer is a transparent one Adhesive layer is.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 2, wherein the transparent adhesive layer a transparent conductive adhesive layer.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 2, wherein the transparent adhesive layer a transparent, insulating adhesive layer.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 1, wherein the adhesive layer is an opaque one Adhesive layer is.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 5, wherein the opaque adhesive layer is an opaque conductive adhesive layer.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 5, wherein the opaque adhesive layer is an opaque, insulating adhesive layer.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 1, further comprising a first reaction layer between the substrate and the adhesive layer.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 1, further comprising a second reaction layer between the adhesive layer and the emitting layer.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 8, further comprising a metallic reflective layer between the substrate and the first reaction layer.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 9, further comprising a metallic reflective layer between the second reaction layer and the light-emitting Layer.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 11, further comprising a transparent, conductive Layer between the metallic reflection layer and the light emitting nitride-based stack.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 1, further comprising a transparent, conductive Layer between the adhesive layer and the light-emitting stack based on nitride.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 1, wherein the adhesive layer is a metallic one Adhesive layer is.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 1, wherein the adhesive layer comprises a metallic, reflective adhesive layer is.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 1, further comprising an electrode disposed over the rough area of the light-emitting layer is made.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 16, further comprising an electrode mounted on the transparent conductive layer is made.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 1, further comprising an electrode contact area, made on the nitride-based light-emitting stack is.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 18, further comprising one in the electrode contact area produced electrode.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 1, wherein the light-emitting layer Has: - one first nitride-based stack; A multi quantum well light emitting layer based on nitride and - one second nitride-based stack.

High-nitride-based light-emitting device Efficiency with: - one substrate; - one on the substrate produced transparent adhesive layer and - one on the transparent adhesive layer produced transparent conductive Layer; being an area the transparent, conductive layer over an epitaxial region and has a first electrode contact area; - a first contact layer nitride based in the field of epitaxy; - one first produced on the first nitride-based contact layer Nitride based cladding layer; - One on the first cladding layer nitride-based nitride-based light-emitting layer; - one produced on the nitride-based light-emitting layer second nitride-based cladding layer; - One on the second cladding layer nitride-based buffer layer made of nitride with a rough area and a second electrode contact area; - one on the first electrode contact area produced first electrode and - one on the second electrode contact area produced second electrode.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 21, further comprising a first reaction layer between the substrate and the transparent adhesive layer.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 21, further comprising a second reaction layer between the transparent adhesive layer and the transparent, conductive Layer.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 22, further comprising a metallic reflective layer between the substrate and the first reaction layer.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 23, further comprising a metallic reflective layer between the second reaction layer and the transparent, conductive Layer.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 21, further comprising a transparent, conductive Layer on the rough area of the nitride-based buffer layer between the second electrode contact region and the second electrode is made.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 21, further comprising a transparent, conductive Layer between the first electrode contact area and the first Electrode.

Light-emitting component based on nitride with high efficiency with: - a substrate; A transparent adhesive layer formed on the substrate; A first nitride-based contact layer formed on the transparent adhesive layer; A first nitride-based cladding layer formed on the first nitride-based contact layer; A nitride-based light-emitting layer formed on the first nitride-based cladding layer; A nitride-based second cladding layer formed on the nitride-based light-emitting layer; A nitride-based buffer layer having a rough area and an electrode contact area formed on the second nitride-based cladding layer; A first electrode formed on the substrate; and a second electrode formed on the electrode contact area.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 28, further comprising a first reaction layer between the substrate and the conductive adhesive layer.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 28, further comprising a second reaction layer between the conductive adhesive layer and the first contact layer based on nitride.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 29, further comprising a metallic reflective layer between the substrate and the first reaction layer.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 30, further comprising a metallic reflective layer between the second reaction layer and the first contact layer based on nitride.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 28, further comprising a transparent, conductive Layer on the rough area of the nitride-based buffer layer between the second electrode contact region and the second electrode is made.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 28, further comprising a transparent, conductive Layer between the conductive adhesive layer and the first electrode contact area.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 1, 21 or 28, wherein the substrate is made of at least one material selected from the group, made of Si, GaAs, glass, quartz, GaP, Ge, AlGaAs, Al 2 O 3, SiC, ZnO, GaN, Cu, CuW and the like.

High-nitride-based light-emitting device Efficiency according to claim 1, wherein the adhesive layer comprises at least a material selected from the group, from PI, BCB, PFCB, intrinsic polymers, with conductive and metallic ones Materials doped polymers and the like.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 21, wherein the transparent adhesive layer consists of at least one material selected from the group, which consists of PI, BCB, PFCB and the like.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 28, wherein the conductive adhesive layer consists of at least one material selected from the group, made of intrinsic polymers, with conductive and metallic ones Materials doped polymers and the like.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 28, wherein the conductive material is made at least one material selected from the group indium tin oxide, Cadmium tin oxide, antimony tin oxide, zinc oxide, zinc tin oxide, Au, Ni / Au and the like.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 38, wherein the metallic material consists of at least one material selected from the group, made of In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ge, Ag, Ti, Pb, Pd, Cu, alloys consists of these metals and the like.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 1, wherein the light-emitting layer is composed of at least one material selected from the group consisting of consists of GaN, InGaN, AlInGaN and the like.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 21 or 28, wherein the first cladding layer nitride-based material consisting of at least one material selected from Group selected is composed of AlN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN and the like.

High-nitride-based light-emitting device An efficiency according to claim 21 or 28, wherein the light-emitting Nitride-based layer consists of at least one material, the selected from the group is, which consists of GaN, InGaN, AlInGaN and the like.

High-nitride-based light-emitting device An efficiency according to claim 21 or 28, wherein the second cladding layer nitride-based material consisting of at least one material selected from the group selected is, which consists of GaN, InGaN, AlInGaN and the like.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 21 or 28, wherein the first contact layer nitride-based material consisting of at least one material selected from Group selected is, which consists of GaN, InGaN, AlInGaN and the like.

High-nitride-based light-emitting device An efficiency according to claim 21 or 28, wherein the buffer layer nitride-based material consisting of at least one material selected from Group selected is, which consists of GaN, InGaN, AlInGaN and the like.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 8, 22 or 29, wherein the first reaction layer consists of at least one material selected from the group, which consists of SiNx, Ti, Cr and the like.

High-nitride-based light-emitting device The efficiency of claim 9, 23 or 30, wherein the second reaction layer consists of at least one material selected from the group, which consists of SiNx, Ti, Cr and the like.