DE102004019428A1 - Semiconductor component with hollow space housing as for sensor chips has plastic housing and carrier for wiring plate - Google Patents

Semiconductor component with hollow space housing as for sensor chips has plastic housing and carrier for wiring plate

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DE102004019428A1
DE102004019428A1 DE200410019428 DE102004019428A DE102004019428A1 DE 102004019428 A1 DE102004019428 A1 DE 102004019428A1 DE 200410019428 DE200410019428 DE 200410019428 DE 102004019428 A DE102004019428 A DE 102004019428A DE 102004019428 A1 DE102004019428 A1 DE 102004019428A1
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DE
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Application
Patent type
Prior art keywords
cavity
semiconductor
wiring board
characterized
walls
Prior art date
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Withdrawn
Application number
DE200410019428
Other languages
German (de)
Inventor
Alfred Dipl.-Ing. Gottlieb
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Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
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    • H01L2924/19043Component type being a resistor

Abstract

A semiconductor component comprises a hollow housing (7) with floor (13), walls (15) and cover (16). The walls are of plastic and there is a wiring plate (17) and structure (19) on a plastic carrier (18). An electrically connected chip (20) is attached on the base of the space. An independent claim is also included for a production process for the above.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil mit Hohlraumgehäuse und ein Verfahren zu seiner Herstellung. The invention relates to a semiconductor device having cavity housing and a method for its preparation.
  • Ein elektronisches Bauteil mit Hohlraumgehäuse, insbesondere für Hochfrequenzleistungsmodule, ist aus der Druckschrift An electronic component having cavity housing, in particular for high-frequency power modules, is known from the publication DE 102 23 035 A1 DE 102 23 035 A1 bekannt. known. Dieses bekannte Hohlraumgehäuse ist aus drei Gehäusemodulen aufgebaut, wobei ein erstes Modul einen nach oben und nach unten offenen Gehäuserahmen aufweist, der horizontal angeordnete Flachleiter besitzt. This known cavity housing is made up of three housing modules comprising a first module an upwardly and downwardly open housing frame, the horizontally arranged flat conductor has. Ein zweites Modul weist eine Chipinsel mit einem Halbleiterchip auf und bildet das Bodenteil des Hohlraumgehäuses und ein drittes Modul bildet einen Gehäusedeckel, der den Gehäusehohlraum abdeckt. A second module includes a chip island having a semiconductor chip and forms the bottom part of the cavity housing, and a third module forms a housing cover covering the housing cavity. Ein derartiges elektronisches Bauteil ist komplex aufgebaut und basiert auf einem teuren Flachleiterrahmen, der mit dem nach oben und unten offenen Gehäuserahmen zu verbinden ist, ohne dass bereits ein stabilisierender Gehäuseboden zur Verfügung steht. Such an electronic component is complex and expensive based on a flat conductor frame, which is to be connected to the open housing frame up and down, without already is a stabilizing housing floor is available. Ein derart komplex aufgebautes elektronisches Bauteil ist für eine Massenfertigung nur bedingt geeignet, sodass diese Technik auf die Herstellung von HF-Leistungsmodulen beschränkt ist. Such a complex structure electronic device is only suitable for mass production, so that this technique is limited to the production of RF power modules.
  • Ein weiteres elektronisches Bauteil mit Hohlraumgehäuse ist aus der Druckschrift Another electronic component having cavity housing is known from the publication DE 102 28 593 A1 DE 102 28 593 A1 bekannt, wobei das Hohlraumgehäuse durch eine Gehäusepackung aus mehreren Kunststofflagen mit mindestens einer vergrabenen Leiterbahnlage gebildet ist. known, wherein the cavity housing is formed by a pack housing a plurality of plastic layers with at least a buried conductor layer. Mindestens ein Halbleiterchip, der spitzkegelige Flipchip-Kontakte aufweist, durchsticht eine der Kunststofflagen mit diesen Außenkontaktspitzen und kontaktiert die vergrabene Leiterbahnlage. At least one semiconductor chip having flip chip contacts ogive, pierces one of the plastic layers with these outer contact tips and contacts the buried conductor layer. Das Hohlraumgehäuse wird in dieser Technologie dadurch realisiert, dass die durchstoßene Kunststofflage im Bereich der spitzkegeligen Außenkontakte des Halbleiterchips eine Kunststoffmasse aufweist und im Mittelbereich des Halbleiterchips eine Aussparung bildet, die einen Hohlraum zwischen den Kunststofflagen ermöglicht. The cavity housing is realized in this technology by the fact that the pierced plastic layer comprises a plastic mass in the region of spitzkegeligen external contacts of the semiconductor chip and forms a recess in the central region of the semiconductor chip that allows a cavity between the plastic layers. Dieses elektronische Bauteil hat den Nachteil, dass die Randbereiche des Halbleiterchips, welche die Außenkontakte aufweisen, vollständig in Kunststoffmasse eingebettet sind, sodass die Einsatzmöglichkeiten des bekannten elektronischen Bauteils mit Hohlraumgehäuse begrenzt sind. This electronic device has the drawback that the edge portions of the semiconductor chip having the external contacts are completely embedded in plastic material, so that the application possibilities of the known electronic component is limited with cavity housing. Darüber hinaus ist die Fertigung elektronischer Bauteile schwierig, da diese von der Fertigung speziell geformter Flipchip-Kontakte abhängen. In addition, the manufacture of electronic components is difficult because these specially formed by the manufacturing flip-chip contacts depend.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, ein Halbleiterbauteil mit einem Hohlraumgehäuse zu schaffen und ein Verfahren zu seiner Herstellung anzugeben, das preiswert ist. The object of the invention is to provide a semiconductor member having a cavity housing and to provide a process for its preparation, which is inexpensive. Dabei soll das Halbleiterbauteil in großer Stückzahl zuverlässig und kostengünstig gefertigt werden. In this case, the semiconductor device to be manufactured reliably and inexpensively in large quantities. Dazu sollen weder teure metallische Flachleiterrahmen noch eine von teuren Flipchip-Kontakten zu durchstoßende Kunststofflage die Basistechnologie für das Halbleiterbauteil mit Hohlraumgehäuse bilden. These are to form the basic technology for the semiconductor device with cavity housing neither expensive metallic leadframe still-thrusting of expensive flip-chip contacts plastic layer.
  • Gelöst wird diese Aufgabe mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche. This object is achieved with the subject matter of the independent claims. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen. Advantageous further developments of the invention emerge from the dependent claims.
  • Erfindungsgemäß wird ein Halbleiterbauteil mit einem Hohlraumgehäuse, das einen Hohlraumboden und einen Hohlraum umgebende Wände aufweist, geschaffen. According to the invention, a semiconductor device with a cavity housing having a cavity floor and a cavity surrounding walls is provided. Der Hohlraum des Hohlraumgehäuses ist von einer Abdeckung mindestens teilweise bedeckt. The cavity of the housing cavity is at least partially covered by a cover. Die Wände des Hohlraums sind aus Kunststoff und auf einer Oberseite einer den Hohlraumboden bildenden Verdrah tungsplatte fixiert. The walls of the cavity are made of plastic and fixed on an upper surface of a cavity bottom forming Wire the tung plate. Die Verdrahtungsplatte besteht aus einem Kunststoffträger und mindestens einer Verdrahtungsstruktur. The wiring board is composed of a plastic support and at least one wiring pattern. Auf dem Hohlraumboden ist mindestens ein Halbleiterchip angeordnet und elektrisch angeschlossen. On the cavity floor, at least one semiconductor chip is mounted and electrically connected.
  • Ein derartiges Halbleiterbauteil hat den Vorteil, dass es in großen Mengen gefertigt werden kann, zumal das Hohlraumgehäuse als Hohlraumboden eine Verdrahtungsplatte aufweist, die einerseits dem Halbleiterbauteil Stabilität gibt und andererseits derart dimensioniert sein kann, dass viele Halbleiterbauteile auf einer derartigen Verdrahtungsplatte im Parallelverfahren strukturiert werden können, was die Herstellungskosten eines derartigen Halbleiterbauteils vermindert. Such a semiconductor device has the advantage that it can be manufactured in large quantities, especially since the cavity housing having a cavity floor, a wiring board, on the one hand gives the semiconductor component stability and can be sized on the other hand that a lot of semiconductor devices can be patterned on such a wiring board in the parallel method , which reduces the manufacturing cost of such a semiconductor device. Darüber hinaus hat das Halbleiterbauteil den Vorteil einer hohen mechanischen Stabilität, zumal der Hohlraumboden aus einem Kunststoffträger zusätzlich mit Fasermaterial verstärkt sein kann. In addition, the semiconductor device has the advantage of high mechanical stability, especially since the cavity floor can be reinforced from a plastic carrier with additional fiber material. Darüber hinaus ist es möglich, dass die Verdrahtungsplatte aus mehreren Verdrahtungsschichten aufgebaut wird, um komplexere Schaltungen in der Verdrahtungsplatte und damit in dem Halbleiterbauteil unterzubringen. Moreover, it is possible that the wiring board is composed of several layers of wiring to accommodate more complex circuits in the wiring board and thus in the semiconductor device. Diese Verdrahtungsschichten sind in einer derartigen Verdrahtungsplatte durch Isolationsschichten elektrisch voneinander getrennt und über Durchkontakte durch die Isolationsschichten elektrisch miteinander verknüpft. These wiring layers are in such a wiring board electrically separated by insulating layers from each other and connected electrically to each other through vias through the insulating layers. Außerdem ist es möglich, ohne jede Kostensteigerung Halbleiterbauteile zu realisieren, die mehrere Hohlräume aufweisen, die über die Verdrahtungsstruktur der Verdrahtungsplatte und somit über die Hohlraumböden elektrisch miteinander kommunizieren. Moreover, it is possible to realize semiconductor devices without any increase in cost, which have a plurality of cavities communicating with each other electrically on the wiring pattern of the wiring board and thus on the hollow floors.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist das Halbleiterbauteil in dem Hohlraum einen Sensorchip auf, der mit der Verdrahtungsplatte elektrisch in Verbindung steht. In a preferred embodiment of the invention, the semiconductor device in the cavity of a sensor chip on which is electrically connected to the wiring board. Da der Hohlraum des Hohlraumgehäuses beliebig auf der Verdrah tungsplatte gestaltet werden kann, ist dieser Hohlraum für die unterschiedlichsten Funktionen eines Sensorchips prädestiniert. Since the cavity of the cavity housing can be designed as desired on the Wire the tung plate, said cavity for the various functions of a sensor chip is ideal. Auf diese Weise können Sensorchips für Druckmessungen, für Schwingungsmessungen, für Gaszusammensetzungsmessungen usw. auf der Verdrahtungsstruktur der Verdrahtungsplatte elektrisch verknüpft werden und über Durchkontakte in der Verdrahtungsplatte mit Außenkontaktflächen auf der Unterseite der Verdrahtungsplatte korrespondieren. In this manner, the sensor chip can be electrically connected and correspond via through contacts in the wiring board to external contact areas on the underside of the wiring board for pressure measurements, for vibration measurements for gas composition measurements, etc. on the wiring pattern of the wiring board.
  • Neben Sensorchips können in dem frei gestaltbaren Hohlraum des erfindungsgemäßen Hohlraumgehäuses auch aktive Bauteilkomponenten zusätzlich untergebracht werden. In addition to the sensor chip and active component parts can also be accommodated in the freely configurable cavity of the cavity housing the invention. Derartige aktive Bauteilkomponenten können integrierte Schaltungen sein, die entweder eine Verstärkerschaltung, eine Speicherschaltung oder eine Auswerteschaltung in Form eines integrierten Schaltkreises aufweisen und neben dem Sensorchip in dem Hohlraum angeordnet sind. Such active device components can be integrated circuits having either an amplifier circuit, a memory circuit or an evaluation circuit in the form of an integrated circuit and are arranged adjacent to the sensor chip in the cavity. Weiterhin ist es möglich, dass der Hohlraum einen Sensorchip und zusätzliche passive Bauteilkomponenten, wie Kondensatoren, Widerstände oder Spulen, aufweist, um einerseits den Sensorchip vor Störspannungen zu schützen und andererseits die Signale des Sensorchips zu filtern. Furthermore, it is possible that the cavity, having a sensor chip and additional passive structural components, such as capacitors, resistors or coils on the one hand to protect the sensor chip from noise voltages and filter on the other hand, the signals of the sensor chip. Somit hat das Halbleiterbauteil den Vorteil, dass sowohl passive als auch aktive Bauteilkomponenten neben einem Sensorchip in dem Hohlraum eingebracht und dort verschaltet werden können. Thus, the semiconductor device has the advantage that both passive and active device components can be incorporated in addition to a sensor chip in the cavity and connected there.
  • Darüber hinaus weist bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung das Halbleiterbauteil in den Hohlraumwänden eingebettete passive und/oder aktive Bauteilkomponenten auf. Moreover, in a further embodiment of the invention, the semiconductor device in the cavity walls to embedded passive and / or active device components. Diese passiven oder aktiven Bauteilkomponenten, die in den Hohlraumwänden eingebettet sind, können über die Verdrahtungsstruktur der Verdrahtungsplatte mit einem Halbleiterchip in dem Hohlraum elektrisch in Verbindung stehen. These passive or active device components that are embedded in the cavity walls can be electrically connected via the wiring pattern of the wiring board with a semiconductor chip in the cavity. Ein derartiges Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform hat den Vorteil, dass die passiven und/oder aktiven Bauteilkomponenten durch die isolierenden Kunststoffwände des Hohlraumes, in die sie eingebettet sind, mechanisch und elektrisch geschützt sind. Such a semiconductor device of this embodiment has the advantage that the passive and / or active device components through the insulating plastic walls of the cavity, in which they are embedded, are mechanically and electrically protected. Somit ist nur der Halbleiterchip mit der Umgebung über den Hohlraum in Verbindung, der externe Parameter, wie Druck, Temperatur, Schwingungserscheinung und anderes prüfen oder messen soll. Thus, only the semiconductor chip with the environment through the cavity, the external parameters such as pressure, temperature, vibration phenomenon and examine other or to measure. Dazu kann der Halbleiterchip in dem Hohlraum in eine gummielastische Abdeckmasse eingebettet sein. For this, the semiconductor chip can be embedded in the cavity in a rubber-elastic covering compound. Diese gummielastische Abdeckmasse kann einen Sensorchip schützen und dennoch beispielsweise Druckschwankungen zum Sensorchip übertragen, ohne eine erhebliche Verfälschung der Messwerte zu bewirken. This rubber-elastic covering compound can protect a sensor chip and still transmitted as pressure fluctuations to the sensor chip, without causing significant distortion of the measured values.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die Abdeckung des Hohlraums eine Kunststoffplatte mit einer Öffnung auf. In a further embodiment of the invention, the cover of the cavity comprises a plastic plate with an opening. Eine derartige Abdeckung des Hohlraumes ist dann von Vorteil, wenn der Sensorchip mit der Umgebung in Kontakt zu bringen ist, sodass durch die Öffnung entweder Flüssigkeiten oder Gase mit dem Sensorchip in Berührung kommen. Such a covering of the cavity is then advantageous if the sensor chip with the environment is brought into contact, so that come into contact through the opening of either liquids or gases with the sensor chip.
  • Um die Stabilität des Hohlraumgehäuses zu erhöhen, können die Hohlraumwände Verankerungselemente in kraftschlüssigem, formschlüssigem und/oder stoffschlüssigem Zusammenwirken mit der Verdrahtungsplatte aufweisen, wobei sich die Verankerungselemente teilweise durch die Verdrahtungsplatte hindurch erstrecken. In order to increase the stability of the cavity housing, the cavity walls can have anchoring elements in frictional, form-locking and / or stoffschlüssigem cooperation with the wiring board, wherein the anchoring elements extend partially through the wiring plate. Dazu werden in vorteilhafter Weise Durchgangsöffnungen in der Verdrahtungsplatte vorgesehen. These advantageously through-holes are provided in the wiring board. Dabei werden die Verankerungselemente von dem Kunststoffmaterial der Hohlraumwände selbst gebildet, wobei ein Kraftschluss durch eine Presse hergestellt werden kann und ein Formschluss durch entsprechende Formgebung der Ankerungselemente möglich wird. The anchoring elements are formed by the plastic material of the cavity walls themselves, wherein a frictional connection may be made by a press and a positive fit by appropriate design of the anchoring elements is possible. Ein stoffschlüssiges Zusammenwirken kann dadurch erreicht werden, wenn als Grenzschicht zwischen der Kunststoffmasse der Hohl raumwände und den Durchgangsöffnungen in der Verdrahtungsplatte eine zusätzliche Klebeschicht aus adhesivem Material oder die Kunststoffmasse eine adhesive Komponente aufweist. A material-locking interaction can be achieved when the hollow chamber walls as a boundary layer between the plastics material and an additional adhesive layer of adhesivem material or plastics material having the through-holes in the wiring board an adhesive component.
  • Weiterhin kann vorgesehen werden, dass die Verankerungselemente aus der Unterseite der Verdrahtungsplatte herausragen und einen Abstandshalter für die Außenkontakte des Halbleiterbauteils bilden. Furthermore, it can be provided that the anchoring elements protrude from the underside of the wiring board and forming a spacer for the external contacts of the semiconductor device. Derartige Abstandshalter weisen eine Länge 1 h auf, die kürzer ist als die Höhe h a der Außenkontakte, sodass bei einem sogenannten "Reflow-Prozess" die Außenkontakte nur bis zu der Länge 1 h des Abstandshalters, mit der sie aus der Unterseite der Verdrahtungsplatte herausragen, zusammengeschmolzen werden können. Such spacers have a length 1 h, which is shorter than the height h a of the external contacts, so that in a so-called "reflow" the external contacts only up to the length 1 h of the spacer with which they protrude from the underside of the wiring board can be fused together.
  • Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft einen Nutzen mit in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterbauteilposition, die Hohlraumgehäuse aufweisen. Another aspect of the invention relates to a benefit with arranged in rows and columns semiconductor device position having the cavity housing. Dabei haben die Hohlraumgehäuse als Hohlraumboden eine gemeinsame Verdrahtungsplatte mit einem Kunststoffträger und mindestens einer Verdrahtungsstruktur. The cavity housing having a cavity floor, a common wiring board having a plastics carrier and at least one wiring pattern. In den Hohlräumen sind auf der Verdrahtungsplatte Halbleiterchips angeordnet und mit einer Verdrahtungsstruktur der Verdrahtungsplatte des Nutzens elektrisch verbunden. In the cavities of semiconductor chips are arranged and electrically connected to a wiring pattern of the wiring board of the benefits on the wiring board. Außerdem kann der Nutzen bereits die Abdeckung in jeder der Halbleiterbauteilpositionen aufweisen, die mindestens teilweise die Halbleiterchips in den Hohlräumen der Hohlraumgehäuse abdecken. In addition, the benefit can already have the cover in each of the semiconductor device positions at least partially cover the semiconductor chips in the cavities of the cavity housing.
  • Die Hohlraumgehäuse bilden auf dem Nutzen eine Struktur aus Kunststoffmasse und sind auf der Verdrahtungsplatte fixiert. The cavity housing forming on the benefits of a structure from plastic material and are fixed on the wiring board. Dazu kann die Verdrahtungsplatte mehrere Verdrahtungsschichten aufweisen, die durch Isolationsschichten elektrisch voneinander getrennt sind und über Durchkontakte durch die Isolationsschichten elektrisch miteinander in Verbindung stehen. For this purpose, the wiring board may comprise a plurality of wiring layers, which are separated by insulating layers electrically from each other and stand over vias through the insulating layers electrically connected to each other.
  • Außerdem kann der Nutzen in den Hohlraumwänden eingebettete passive und/oder aktive Bauteilkomponenten in den jeweiligen Bauteilpositionen aufweisen. In addition, the benefit in the cavity walls may have embedded passive and / or active device components in the component positions. Diese aktiven und/oder passiven Bauteilkomponenten, die in den Hohlraumwänden des Nutzens eingebettet sind, stehen mit den Halbleiterchips in den Hohlräumen des Nutzens in Verbindung. These active and / or passive device components that are embedded in the cavity walls of the benefits associated with the semiconductor chips in the cavities of the benefit.
  • Die Verdrahtungsplatte kann vorzugsweise Durchgangsöffnungen in den Bereichen der Hohlraumwände aufweisen, die von dem Material der Hohlraumwände gefüllt sind und somit Verankerungselemente für die Hohlraumwände bilden. The wiring board may preferably have through holes in the regions of the cavity walls, which are filled by the material of the cavity walls and thus form anchoring elements for the cavity walls. Auch können diese Verankerungselemente aus der Unterseite der Verdrahtungsplatte des Nutzens herausragen und Abstandshalter für die Außenkontakte der Halbleiterbauteile bilden. These anchoring elements may protrude from the underside of the wiring board of the benefits and form spacers for the outer contacts of the semiconductor components. Ein derartiger Nutzen hat den Vorteil, dass eine durch die Größe der Umverdrahtungsplatte gegebene Anzahl von Halbleiterbauteilen mit Hohlraumgehäusen gleichzeitig realisiert werden kann. Such a benefit has the advantage that a given by the size of rewiring number of semiconductor components with cavity housings can be realized simultaneously. Ferner kann der Nutzen in eine Vielzahl von Halbleiterbauteilen nach seiner Vollendung getrennt werden. Further, the benefit can be separated into a plurality of semiconductor devices after its completion. Ein derartiger Nutzen kann ein Handelsobjekt darstellen, sofern der Käufer des Nutzens über geeignete Werkzeuge zum Vereinzeln des Nutzens in einzelne Halbleiterbauteile verfügt. Such benefits can be an object of trade, provided that the buyer of the benefits about adequate tools for separating the utility features into individual semiconductor components. Ferner können mehrere Nutzen zu einem Streifen aneinander gefügt sein, auf dem die Nutzen auf einer lang gestreckten Verbundplatte hintereinander angeordnet sind. Furthermore, several benefits may be joined together to form a strip that has the benefits of an elongate composite panel are arranged one behind the other.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines Nutzens mit in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterbauteilpositionen mit entsprechenden Hohlraumgehäusen weist nachfolgende Verfahrensschritte auf. A method for producing a panel having arranged in rows and columns of semiconductor device positions with corresponding cavity casings has the following method steps. Zunächst wird eine Verdrahtungsplatte mit in Zeilen und/oder Spalten angeordneten Bauteilpositionen mit Durchkontakten zu Außenkontaktflächen auf der Unterseite der Verdrahtungsplatte hergestellt. First, a wiring board is made with arranged in rows and / or columns component positions with through contacts to external contact areas on the underside of the wiring board. Anschließend werden Wände für Hohl raumgehäuse aus Kunststoff auf die Verdrahtungsplatte in den Halbleiterbauteilpositionen aufgebracht. Subsequently walls of hollow chamber housing are made of plastic on the wiring board in the semiconductor device positions applied. Dieses Aufbringen kann mit einem Kunststoffspritzgussschritt erfolgen, der auch "Mold-Prozess" genannt wird. This application can be done with a plastic injection molding step, which is also called "Mold Process". Nach dem Fertigstellen der Hohlraumgehäuse werden die Hohlräume der Hohlraumgehäuse eines Nutzens in den Halbleiterbauteilpositionen mit Halbleitersensorchips unter elektrischem Verbinden der Halbleitersensorchips mit der Verdrahtungsstruktur der Verdrahtungsplatte bestückt. After the completion of the cavity housing the cavities of the cavity housing a panel are fitted into the semiconductor component positions with the semiconductor sensor chip with electrical connection of the semiconductor sensor chip to the wiring pattern of the wiring board. Anschließend wird eine Abdeckung auf die Hohlräume in den Halbleiterbauteilpositionen aufgebracht. Subsequently, a cover on the cavities in the semiconductor device positions is applied.
  • Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass zunächst nur ein Nutzen entsteht, der eine Vielzahl von Halbleiterbauteilen in den Halbleiterbauteilpositionen in Zeilen und Spalten aufweist. This method has the advantage that initially only a benefit arises, comprising a plurality of semiconductor devices in the semiconductor device positions in rows and columns. Das Besondere ist, dass mit einem einzigen "Mold-Schritt" diese Vielzahl von erforderlichen Hohlraumgehäusen auf der Verdrahtungsplatte parallel entstehen können. The special feature that can occur in parallel by necessary cavity housings on the wiring board with a single "step mold" this variety. Das anschließende Bestücken der Hohlräume mit entsprechenden Halbleiterchips ist jedoch ein serielles Verfahren, bei dem nacheinander ein Halbleiterchip nach dem anderen in Position gebracht wird und die elektrischen Verbindungen, in Form von beispielsweise Bondverbindungen, mit der Verdrahtungsstruktur der Verdrahtungsplatte hergestellt werden. However, the subsequent loading of the cavities of corresponding semiconductor chips is a serial process in which successively a semiconductor chip after the other is brought into position and the electrical connections, in the form of, for example, bonding connections are made to the wiring pattern of the wiring board. Das Aufbringen der Abdeckung kann wiederum parallel für alle Halbleiterbauteilpositionen des Nutzens gleichzeitig erfolgen. The application of the cover can again be carried out simultaneously in parallel for all positions of the semiconductor device benefits.
  • Bei einer weiteren Durchführungsform des Verfahrens ist vorgesehen, beim Herstellen der Verdrahtungsplatte in Bereichen, die für Hohlraumwände vorgesehen sind, Durchgangsöffnungen einzubringen. In a further form of implementation of the method is provided to introduce through-holes in the manufacture of the wiring board in areas which are intended for cavity walls. Diese Durchgangsöffnungen können durch einen einfachen Stanzschritt oder einen Ätzschritt in die Verdrahtungsplatte, insbesondere in den Kunststoffträger, eingebracht werden und werden bei dem anschließenden Aufbringen von Wänden für Hohlraumgehäuse mit der Kunststoffmasse der Wände aufgefüllt, sodass sie eine Einheit mit den Wänden bilden. These through-openings can by a simple punching step or an etching step in the wiring board, particularly in the plastic support, are introduced and are filled with the plastics material of the walls, so that they form a unit with the walls during the subsequent deposition of walls for the cavity housing. Dabei wird die Stabilität und die Fixierung der Wände auf der Verdrahtungsplatte verbessert. The stability and fixation of the walls will be improved on the wiring board.
  • Weiterhin ist es vorgesehen, dass nach dem Herstellen der Verdrahtungsplatte die Verdrahtungsplatte zunächst noch vor dem Aufbringen von Wänden mit den in Kunststoffmasse einzubettenden aktiven und/oder passiven Bauteilkomponenten bestückt wird, jedoch nicht in den vorgesehenen Hohlraumbereichen, sondern in Bereichen der zu bildenden Gehäusewände. Furthermore, it is provided that after forming the wiring board, the wiring board is loaded initially before the application of walls with embedded in plastics material active and / or passive device components, but not in the intended cavity areas, but in areas of for forming the housing walls. Nach dem Bestücken erfolgt wiederum ein Verbinden der aktiven und/oder passiven Bauteilkomponenten mit der Verdrahtungsstruktur der Verdrahtungsplatte. After assembly connecting the active and / or passive device components to the wiring pattern of the wiring board made again. Mit dem Aufbringen der Kunststoffwände, werden gleichzeitig die in diesen Bereichen angeordneten aktiven und/oder passiven Bauteilkomponenten in die Kunststoffwände eingebettet. With the application of the plastic walls, which are arranged in these areas, active and / or passive device components are embedded in the plastic walls simultaneously. Durch dieses Einbetten der zusätzlichen aktiven und/oder passiven Bauteilkomponenten werden diese vor mechanischer Beschädigung in den weiteren Fertigungsschritten geschützt. By this embedding of the additional active and / or passive device components they are protected against mechanical damage in the subsequent production steps. Darüber hinaus ergibt sich der Vorteil, dass die Medien, die in dem Hohlraum mit dem Halbleiterbauteil im Hohlraum in Berührung kommen, nicht die zusätzlichen aktiven und/oder passiven Bauteilkomponenten erreichen bzw. benetzen können. In addition, the advantage that the media, which are in the cavity with the semiconductor component in the cavity in contact, can not reach the additional active and / or passive device components or moisten results.
  • Ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen aus einem derartigen Nutzen weist dann die nachfolgenden Verfahrensschritte auf: Zunächst wird der Nutzen gemäß der obigen Ausführungen hergestellt, anschließend werden Außenkontakte auf die Außenkontaktflächen des Nutzens noch vor dem Auftrennen in einzelne Halbleiterbauteile aufgebracht und schließlich wird der Nutzen in einzelne Halbleiterbauteile aufgetrennt. A process for the production of semiconductor devices from such a utility then has the following method steps: First, the benefits according to the above embodiments is produced, then external contacts to external contact areas of the benefits can be applied to individual semiconductor devices before the separating and finally, the benefit is in single semiconductor devices separated. Bei diesem Verfahren können somit die Außenkontakte in einem parallelen Schritt gleichzeitig in den verschiedenen Positionen des Nutzens synchron aufgebracht werden. In this method, the external contacts can thus be applied in synchronization in a parallel step simultaneously in the different positions of the benefit.
  • Alternativ können Halbleiterbauteile aus dem oben geschilderten Nutzen dadurch hergestellt werden, dass dieser Nutzen zunächst in einzelne Halbleiterbauteile aufgetrennt wird und anschließend auf die einzelnen Halbleiterbauteile die Außenkontakte aufgebracht werden. Alternatively, semiconductor devices of the above-described benefits can be produced in that this benefit is first separated into individual semiconductor devices and are subsequently applied to the individual semiconductor components, the external contacts. Dieses hat den Vorteil, dass völlig unterschiedliche Außenkontakte auf die einzelnen Halbleiterbauteile je nach Kundenspezifikation aufgebracht werden können. This has the advantage that very different external contacts to the individual semiconductor components can be applied depending on customer specification. So ist es möglich, einerseits flächige Außenkontakte aufzubringen und anderseits ballförmige oder höckerförmige Außenkontakte je nach Kundenspezifikation zu realisieren. Thus it is possible, on the one hand to apply flat external contacts and to realize the other hand, ball-shaped or cusp-shaped external contacts depending on customer specifications.
  • Zusammenfassend ist festzustellen, dass elektronische Bauteile allgemein gegen Umwelteinflüsse zu schützen und somit zu kapseln sind. In summary determine that electronic components are generally protected against environmental influences and thus to encapsulate. Jedoch bei Anwendungen, bei denen mindestens eines der Bauteilkomponenten ein Sensorchip ist, welcher direkten Kontakt zur Umwelt haben muss, ist ein von außen zugänglicher Hohlraum in der Kunststoffmasse freizuhalten. However, in applications in which at least one of the device components is a sensor chip that direct contact with the environment must have an externally accessible cavity must be kept free in the plastic mass. Demgemäß wird bisher der Halbleiterbauteil in einem Hohlraum montiert, der bereits auf einem Metall-Systemträger, in Form eines Flachleiterrahmens, vormontiert ist. the semiconductor device is previously mounted in a cavity accordingly, which is already pre-assembled on a metal leadframe, in the form of a leadframe. Dieser vormontierte Hohlraum ist nicht nur aufwendig herzustellen, sondern stellt auch ein Problem bei der Fertigung dar, sodass mit einem erhöhten Grad von Ausschuss gerechnet werden muss. This pre-assembled cavity is not only expensive to produce, but also represents a problem in manufacturing, so that must be reckoned with an increased level of committee. Mit einem derartigen Metall-Systemträger ist es kaum möglich, ein so genanntes "Low-Cost"-Hohlraumgehäuse, in Form einer Massenfertigung, herzustellen. With such a metal lead frame, it is hardly possible, a so-called "low-cost" -Hohlraumgehäuse, to produce in the form of mass production. Darüber hinaus wird der Hohlraum bei dieser Technologie im Wesentlichen als Einzelgehäuse angefertigt, was die Kosten ebenfalls in die Höhe treibt. In addition, the void with this technology is mainly produced as a single case, which also drives the cost up.
  • Ein Umsetzen einer elektrischen Schaltung mit aktiven und/oder passiven Bauelementen auf dem metallischen Systemträger oder Flachleiterrahmen kann nur bedingt mit derartigen Flachleiterrahmen verwirklicht werden, da die Flexibilität der Fachleiter bei der so genannten "Leadframe"-Technik sehr begrenzt ist. Reacting an electrical circuit with the active and / or passive components on the metal leadframe or leadframe can be realized with such leadframes only partially, since the flexibility of the multiple conductors in the so-called "lead frame" technology is very limited. Auch sind Multichip-Module mithilfe einer "Leadframe"-Technik schwierig, oder überhaupt nicht, realisierbar. Also, multi-chip modules are difficult using a "lead frame" technique, or not at all feasible. Die Gehäusekosten bleiben trotz mittlerer oder hoher Stückzahlen weiterhin hoch und können bei dieser Technik nicht wesentlich reduziert werden. The housing costs remain despite medium or high numbers remain high and can not be significantly reduced with this technique. Schwierig wird es bei den herkömmlichen Systemträgern aus Metall, beliebig kleine Hohlräume kostengünstig herzustellen. It becomes difficult in the conventional system carriers made of metal, to produce arbitrarily small cavities inexpensive. Auch Halbleitermodule mit mehreren Hohlräumen sind schwierig darzustellen. Also, semiconductor modules with a plurality of cavities are difficult to visualize.
  • Demgegenüber kann der Hohlraum eines Halbleitergehäuses auf einer Verdrahtungsplatte, die typischerweise aus einem FR-4 Material ist, mit einfachen Mitteln an- oder aufgespritzt werden. In contrast, the cavity of a semiconductor package can be applied to a wiring board, the FR-4 is typically made of a material arrival with simple means or be sprayed. Durch Verwendung eines Nutzens können in einer Matrixanordnung viele gleiche, bzw. durch entsprechende Moldwerkzeuge unterschiedliche, Hohlräume ausgebildet werden. By using a benefit many of the same or different by means of appropriate Moldwerkzeuge, cavities can be formed in a matrix arrangement. Die Anzahl der Hohlräume pro Halbleiterbauteil kann beliebig erhöht werden, ohne die Kosten steigern zu müssen. The number of cavities per semiconductor device can be increased at will without having to increase the cost. Nach dem Molden der Gehäuse auf der Oberseite einer Verdrahtungsplatte kann der Nuten vereinzelt werden. After Molden the housing on top of a wiring board of the grooves can be isolated. Dazu können Standardprozesse der Halbleiterfertigungslinien eingesetzt werden. These standard processes of semiconductor production lines can be used. Der Vorteil dieses Verfahrens und der entsprechenden Bauteile besteht darin, dass The advantage of this method and of the corresponding components is that
    • 1. die Gehäuse entsprechend einem Standardgehäuse-Outlines und Gehäuse-Layouts in einem "Moldprozess" gemoldet werden können; 1. The housing can be gemoldet corresponding to a standard housing Outlines and housing layouts in a "molding process";
    • 2. kleinere "Foodprints" und kleinere Gehäusemaße möglich sind; 2. smaller "Foodprints" and smaller housing dimensions are possible;
    • 3. durch Verwendung von Leiterplatten als Verdrahtungsplatten und Systemträger Multichip-Module, die z. 3 by use of printed circuit boards as wiring boards and system carrier multi-chip modules, the z. B. Sensoren und ASIC's und/oder passive Komponenten aufweisen, flexibel verwirklicht werden können. have as sensors and ASIC's and / or passive components can be implemented flexibly. Auch können Drahtverbindungen von Chip zu Chip unter Umständen in den Hohlräumen des erfindungsgemäßen Hohlraumgehäuses untergebracht werden; Also wire connections from chip to chip may be housed in the cavities of the cavity housing the invention;
    • 4. vorhandene Standardmoldprozesse ohne weiteres eingesetzt werden können, was die Fertigungskosten derartiger Halbleiterbauteile vermindert. 4. Available Standardmoldprozesse can readily be used, which reduces the manufacturing costs of such semiconductor components. So können z. Thus, can. B. das "Die-Bonden", das "Wire-Bonden", das "Molden", das "Dispensen", das "Ballplacement", das "Singulieren" und das "Testing", usw. standardmäßig durchgeführt werden. For example, the "die-bonding", the "wire bonding" the "Molden," the "dispensing", the "ball placement", which are performed by default "singulation" and the "Testing", and so on.
    • 5. durch Verwenden von Verdrahtungsplatten anwenderspezifische Schaltungen schnell und einfach erstellt werden können; can be created quickly and easily by using the fifth wiring boards application-specific integrated circuits;
    • 6. durch Verwendung eines maximalen Nutzenformats die Anzahl an Hohlraumgehäusen je "Handling-Format" optimiert werden, indem z. optimized as "Handling format" 6 by using a maximum value format, the number of hollow housings by z. B. ein Mehrfachdosieren beim Vergießen vermieden wird; As a multiple dosing is avoided during the casting;
    • 7. die Verdrahtungsplatte mit der Schaltung, wie bisher extern, beschafft werden kann, ohne dass der Lieferant einen neuen Prozess einzuführen hat. 7. the wiring board to the circuit, as in the past can be externally procured without the supplier has to introduce a new process. Dabei bleibt die Zuständigkeit für das "Molden" beim Hersteller der Halbleiterbauteile; The responsibility for the "Molden" is the manufacturer of semiconductor devices;
    • 8. das Nutzenformat bei den verschiedenen Montageprozessen als Handlingsmedium verwendet werden kann; 8. the benefit format can be used in the various assembly processes as handling media;
    • 9. die Gehäusekosten für mittlere und hohe Stückzahlvolumina sehr gering sind; 9. The housing costs for medium and high quantity volumes are very low;
    • 10. der Einsatz von Verdrahtungsplatten sich bereits "im Automotive-Bereich" qualifiziert hat; 10. The use of wiring boards has already qualified "in the automotive sector";
    • 11. der Hohlraum für das Auffüllen mit Vergussmasse, z. 11 of the cavity for the filling with sealing compound such. B. bei einem Drucksensor, oder mit Chip-On-Board-Anwendungen durch einen "Globetop" Damm oder der Hohlraumrand für eine Deckelmontage, z. As with a pressure sensor, or chip-on-board applications through a "globetop" dam or the cavity edge for a cover mounting, eg. B. für Mikrofone, ausgebildet werden kann; B. for microphones can be formed;
    • 12. für die Sensorfunktion ein Hohlraum gemoldet werden kann, wobei zusätzliche elektrische Nichtsensorbauelemente, wie ASIC's, Kondensatoren, Widerstände standardmäßig komplett mit Kunststoffmasse der Hohlraumwände umhüllt werden können; 12, a cavity can be gemoldet for the sensor function, said additional electrical non-sensor devices, such as ASIC's, capacitors, resistors can be default completely coated with plastics material of the cavity walls;
    • 13. extrem kleine Hohlräume mit der vorhandenen Spritztechnik ausgebildet werden können und eine Verankerung von Hohlraumwänden durch entsprechende "Moldstege", durch die Verdrahtungsplatte verstärkt werden kann; 13. extremely small cavities with existing spray technology can be formed and an anchoring cavity walls by appropriate "Moldstege" by the wiring board can be enhanced;
    • 14. definierte Abstandshalter, sogenannte "Spacer" an die Verdrahtungsplatte oder durch die Verdrahtungsplatte hindurch, durch Bohren von Durchgangslöchern, und durch Auffüllen mit Kunststoffmasse realisiert werden können. 14 defined spacer "spacer" can be realized on the wiring board or the wiring board therethrough, by drilling through-holes, and by filling with plastics material so-called. Somit kombiniert die vorliegende Erfindung eine mit einer Matrix von Bauteilpositionen versehene Verdrahtungsplatte und das Ausbilden von Hohlräumen durch entsprechendes Kunststoffmolden, wobei ein Hohlraum verbleibt, der für einen Sensorchip vorbehalten sein kann. Thus, the present invention combines a provided with a matrix of device positions the wiring board and the formation of cavities by appropriate plastic Molden wherein a cavity remains, which may be reserved for a sensor chip. Die restliche Bauteilkomponenten, können komplett von der Moldmasse der Hohlraumwände umhüllt sein. The remaining structural components can be completely enveloped by the molding compound of the cavity walls. Dabei erfolgt ein paralleles Bearbeiten dieser Verdrahtungsplatte in der Größenordnung eines Nutzens für mehrere Halbleiterbauteile gleichzeitig. Here, a parallel modify this wiring board is of the order of a benefit for multiple semiconductor devices simultaneously.
  • Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert. The invention will now be explained in more detail with reference to the accompanying figures.
  • 1 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung; shows a schematic cross section through a semiconductor device according to a first embodiment of the invention;
  • 2 2 zeigt eine schematische Draufsicht auf einen Nutzen mit in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterbauteilpositionen zur Herstellung von Halbleiterbauteilen der ersten Ausführungsform der Erfindung; shows a schematic plan view of a benefit with arranged in rows and columns of semiconductor device positions for the manufacture of semiconductor components to the first embodiment of the invention;
  • 3 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung; shows a schematic cross section through a semiconductor device according to a second embodiment of the invention;
  • 4 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung; shows a schematic cross section through a semiconductor device according to a third embodiment of the invention;
  • 5 5 zeigt eine schematische Draufsicht auf einen Nutzen mit in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterbauteilpositionen zur Herstellung von Halbleiterbauteilen der dritten Ausführungsform der Erfindung; shows a schematic plan view of a benefit with arranged in rows and columns of semiconductor device positions for the manufacture of semiconductor devices of the third embodiment of the invention;
  • 6 6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil gemäß einer vierten Ausführungsform der Erfindung; shows a schematic cross section through a semiconductor device according to a fourth embodiment of the invention;
  • 7 7 zeigt eine Draufsicht auf einen Nutzen mit in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterbauteilpositionen zur Herstellung von Halbleiterbauteilen gemäß einer fünften Ausführungsform der Erfindung; shows a plan view of a benefit with arranged in rows and columns of semiconductor device positions for the manufacture of semiconductor devices according to a fifth embodiment of the invention;
  • 8 8th zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil gemäß einer fünften Ausführungsform der Erfindung; shows a schematic cross section through a semiconductor device according to a fifth embodiment of the invention;
  • 9 9 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil gemäß einer sechsten Ausführungsform der Erfindung. shows a schematic cross section through a semiconductor device according to a sixth embodiment of the invention.
  • 1 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil shows a schematic cross section through a semiconductor device 1 1 gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung. according to a first embodiment of the invention. Das Halbleiterbauteil The semiconductor device 1 1 ist in diesem Fall ein Sensor, der in einem Hohlraumgehäuse in this case, a sensor in a cavity housing 7 7 einen Sensorchip a sensor chip 20 20 und als zusätzliche Bauteilkomponente and as an additional device component 23 23 einen Treiber- und Auswertechip aufweist. having a driver and evaluation chip. Das Hohlraumgehäuse The cavity housing 7 7 ist auf einer Verdrahtungsplatte is on a wiring board 17 17 aufgebaut, die den Hohlraumboden constructed, the cavity bottom to 13 13 bildet und eine Verdrahtungsstruktur and forming a wiring structure 19 19 auf dem Hohlraumboden on the cavity floor 13 13 besitzt. has. Die Verdrahtungsplatte The wiring board 17 17 weist einen Kunststoffträger comprises a plastic carrier 18 18 auf, der auf seiner Oberseite on which on its upper side 21 21 die Verdrahtungsstruktur the wiring structure 19 19 trägt und auf seiner Unterseite and carries on its underside 30 30 Außenkontaktflächen External contact areas 37 37 aufweist, die über Durchkontakte which are connected via through contacts 22 22 mit der Verdrahtungsstruktur to the wiring pattern 19 19 auf dem Hohlraumboden on the cavity floor 13 13 elektrisch in Verbindung stehen. are electrically connected.
  • Die Verdrahtungsplatte The wiring board 17 17 bildet die stabilisierende Basis des Hohlraumgehäuses forming the base stabilizing the cavity housing 7 7 , das einen Hohlraum Defining a cavity 14 14 mit Hohlraumwänden with cavity walls 15 15 umgibt. surrounds. Nach oben wird der Hohlraum To the top of the cavity is 14 14 von einer Abdeckung by a cover 14 14 aus einer Kunststoffplatte from a plastic plate 25 25 teilweise verschlossen. partially closed. Die Kunststoffplatte The plastic plate 25 25 weist eine Öffnung has an opening 26 26 auf, über die ein Medium in Kontakt mit dem Hohlraum , via which a medium in contact with the cavity 14 14 und dem Sensor and the sensor 20 20 treten kann. can occur. Die Kunststoffabdeckplatte the plastic cover 25 25 liegt auf den Seitenwänden is located on the side walls 15 15 auf, die ihrerseits auf der Oberseite der Verdrahtungsplatte to, in turn, on top of the wiring board 17 17 fixiert sind und den Hohlraum are fixed and the cavity 14 14 umgeben. surround. Der Sensorchip The sensor chip 20 20 und die Bauteilkomponente and the structural component 23 23 mit Treiber- und Auswerteschaltung sind über Bonddrähte with driver and evaluation circuit are bonding wires 38 38 mit der Verdrahtungsstruktur to the wiring pattern 19 19 elektrisch verbunden. electrically connected. Darüber hinaus sind beide Halbleiterchips Moreover, both semiconductor chips 20 20 und and 23 23 untereinander über Bonddrähte with each other through bonding wires 39 39 intern verknüpft. internally linked.
  • Zur Herstellung eines derartigen Halbleiterbauteils wird zunächst ein Nutzen For producing such a semiconductor device is first a benefit 35 35 , wie ihn How it 2 2 zeigt, hergestellt. is prepared.
  • 2 2 zeigt eine schematische Draufsicht auf einen Nutzen shows a schematic plan view of a benefit 35 35 mit in Zeilen with in-line 33 33 und in Spalten and in columns 34 34 angeordneten Halbleiterbauteilpositionen arranged semiconductor device positions 36 36 zur Herstellung von Halbleiterbauteilen der ersten Ausführungsform der Erfindung. for the production of semiconductor devices of the first embodiment of the invention. Dieser Nutzen this benefit 35 35 ist auf einem streifenförmigen Kunststoffträger is on a strip-shaped plastic carrier 17 17 aufgebracht, wobei die applied, the 2 2 die auf den Träger on the carrier 17 17 aufgebrachten Seitenwände applied side walls 15 15 der Hohlraumgehäuse the cavity housing 7 7 zeigt. shows. Die Hohlraumgehäuse The cavity housing 7 7 sind bei dem Nutzen are at the benefit 35 35 für die erste Ausführungsform der Erfindung gemäß for the first embodiment of the invention according to 1 1 recheckförmig ausgebildet, um die beiden Halbleiterchips aus einem Sensorchip und einer aktiven Bauteilkomponente nebeneinander im Hohlraum der Bauteilpositionen recheckförmig formed to the two semiconductor chips from a sensor chip and an active device component adjacent to each other in the cavity of the component positions 36 36 unterzubringen. accommodate. Dazu sind die Halbleiterchips, wie sie in These are the semiconductor chips as defined in 1 1 gezeigt werden, auf den Hohlraumboden be shown on the cavity floor 13 13 in den Halbleiterbauteilpositionen in the semiconductor device positions 36 36 aufgeklebt. glued.
  • Nach dem Einbringen der Halbleiterchips auf dem Gehäuseboden After introduction of the semiconductor chips on the housing base 13 13 werden diese über Bonddrahtverbindungen mit einer Verdrahtungsstruktur auf dem Gehäuseboden these via bonding wire connections with wiring structure on the case back 13 13 elektrisch verbunden. electrically connected.
  • Über die in About in 1 1 gezeigten internen Bondverbindungen internal bond connections shown 39 39 werden die integrierten Schaltungen der Halbleiterchips are the integrated circuits of the semiconductor chips 20 20 und and 23 23 untereinander verbunden. interconnected. Nach diesem Herstellen der Bondverbindungen werden die Hohlräume After this forming the bonds, the cavities 14 14 des Nutzens the benefits 35 35 mit einer Kunststoffplatte with a plastic plate 25 25 , wie sie , as 1 1 zeigt, abgedeckt, wobei eine Öffnung is covered with an opening 26 26 in der Kunststoffplatte in the plastic plate 25 25 für einen Medienaustausch zwischen Umgebung und Hohlraum a media exchange between the environment and the cavity 14 14 sorgt. provides. Bei dem hier dargestellten Nutzen In the illustrated Benefits 35 35 sind fünf Halbleiterbauteilpositionen in den Zeilen und sieben Halbleiterbauteilpositionen Five semiconductor device positions in the rows and seven semiconductor device positions 36 36 in den Spalten in columns 34 34 des Nutzens the benefits 35 35 angeordnet, sodass beim Auftrennen des Nutzens arranged so that when separation of the panel 35 35 in einzelne Halbleiterbauteile insgesamt fünfunddreißig Halbleiterbauteile entnommen werden können. thirty-five semiconductor devices can be found in individual semiconductor devices. Dazu wird die Trennspur bei dem Trennschritt in den Bereich der Hohlraumwände For this, the track separation in the separation step into the area of ​​the cavity walls 15 15 gelegt, ohne die Hohlräume set, without the cavities 14 14 selbst zu beschädigen. damaging itself.
  • 3 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil shows a schematic cross section through a semiconductor device 2 2 gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. according to a second embodiment of the invention. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorangegangenen Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Components having the same functions as in the preceding figures are identified by like reference numerals and are not discussed.
  • Die hier gezeigte zweite Ausführungsform der Erfindung zeigt gegenüber der ersten Ausführungsform der Erfindung gemäß The second embodiment of the invention shown here is compared to the first embodiment of the invention according to 1 1 einen anders aufgebauten Sensorchip a differently configured sensor chip 20 20 in einem Hohlraumgehäuse in a cavity housing 8 8th , wobei der Sensorchip Wherein the sensor chip 20 20 als Drucksensor a pressure sensor 27 27 in dieser Ausführungsform der Erfindung Druckschwankungen erfassen soll. in this embodiment of the invention is to detect pressure variations. Die Abdeckung the cover 16 16 besteht aus einem gummielastischen Material consists of a rubber elastic material 24 24 , in das sowohl der Sensorchip In which both the sensor chip 20 20 als auch die Bauteilkomponente and the structural component 23 23 eingebettet sind. are embedded. Dieses gummielastische Material This rubber-elastic material 24 24 der Abdeckung the cover 16 16 überträgt die äußeren Druckschwankungen auf den Sensorchip transmits the external pressure variations to the sensor chip 20 20 , der diese detektiert und über die interne Verdrahtung Which detects this and the internal wiring 39 39 an die als Bauteilkomponente to a device component 23 23 eingebaute Auswerteschaltung überträgt. built evaluation circuit transmits. Sowohl der Sensorchip Both the sensor chip 20 20 als auch die Bauteilkomponente and the structural component 23 23 sind über Bonddrähte are bonding wires 38 38 mit der Verdrahtungsstruktur to the wiring pattern 19 19 , wie wir sie bereits aus dem ersten Ausführungsbeispiel der As we already from the first embodiment of the 1 1 kennen, verbunden. know, connected. Jedoch sind die Außenkontakte However, the external contacts are 32 32 in dieser Ausführungsform der Erfindung als flächige Außenkontakte in this embodiment of the invention as a flat external contacts 32 32 ausgebildet und weisen somit eine niedrigere Höhe h a auf als es die Außenkontakte formed and thus have a lower height h a on than the external contacts 32 32 der of the 1 1 zeigen. demonstrate.
  • Die Gehäusewände The housing walls 15 15 sind, wie in der ersten Ausführungsform der Erfindung gemäß are, as in the first embodiment of the invention according to 1 1 , auf der Oberseite , on the top 21 21 der Verdrahtungsplatte the wiring board 17 17 fixiert. fixed. Diese Fixierung kann durch eine adhesive Verbindung beim Aufbringen von geschmolzener Kunststoffmasse der Gehäusewände This fixing can be achieved by adhesive connection in the application of molten plastics material of the housing walls 15 15 auf die Oberseite on top 21 21 der Verdrahtungsplatte the wiring board 17 17 auftreten, sodass zwischen Verdrahtungsplatte occur between the wiring board so that 17 17 und Gehäusewände and housing walls 15 15 eine stoffschlüssige Verbindung besteht. a bonded connection.
  • 4 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil shows a schematic cross section through a semiconductor device 3 3 gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung. according to a third embodiment of the invention. Die dritte Ausführungsform der Erfindung gemäß The third embodiment of the invention according to 4 4 unterscheidet sich von der Ausführungsform gemäß differs from the embodiment according to 3 3 in Bezug auf das Hohlraumgehäuse with respect to the cavity housing 9 9 dadurch, dass nicht nur eine stoffschlüssige Verbindung zwischen den Gehäusewänden in that not only an integral connection between the housing walls 15 15 und der Verdrahtungsplatte and the wiring board 17 17 besteht, sondern eine formschlüssige Verbindung, die dadurch geschaffen wird, dass eine Durchgangsöffnung exists, but a positive connection which is created by the fact that a through opening 29 29 durch den Kunststoffträger by the plastic support 18 18 der Verdrahtungsplatte the wiring board 17 17 vor dem Aufbringen der Kunststoffwände before application of the plastic walls 15 15 angebracht wird. is attached. Beim Aufbringen der Kunststoffwände When applying the plastic walls 15 15 wird diese Durchgangsöffnung is this passage opening 29 29 mit Kunststoffmasse der Kunststoffwände with plastics material of the plastic walls 15 15 aufgefüllt und somit eine Verankerung der Wände filled and thus anchor the walls 15 15 in dem Kunststoffträger in the plastic support 18 18 erreicht. reached. Weiterhin unterscheidet sich diese dritte Ausführungsform der Erfindung gegenüber den vorhergehenden Ausführungsformen dadurch, dass in dem Hohlraum Further, this third embodiment of the invention over the previous embodiments, differs in that in the cavity 14 14 keine zusätzliche Bauteilkomponente No additional device component 23 23 untergebracht ist, wie sie mit dem Bezugszeichen is set as the reference numeral 23 23 in in 1 1 und and 3 3 zu sehen ist, sodass mehr Bauteile auf einem Nutzen angeordnet werden können. can be seen, so that more components can be arranged on a benefit.
  • 5 5 zeigt eine schematische Draufsicht auf einen Nutzen shows a schematic plan view of a benefit 35 35 mit in Zeilen with in-line 33 33 und Spalten and columns 34 34 angeordneten Halbleiterbauteilpositionen arranged semiconductor device positions 36 36 zur Herstellung von Halbleiterbauteilen der dritten Ausführungsform der Erfindung. for the production of semiconductor devices of the third embodiment of the invention. Da bei diesen Halbleiterbauteilen nur ein Sensorchip in den Hohlräumen Since these semiconductor devices only one sensor chip in the cavities 14 14 der Hohlraumgehäuse the cavity housing 7 7 anzuordnen sind, können mehr Bauteile in den Zeilen are to be arranged, more components can in lines 33 33 und den Spalten and the column 34 34 des Nutzens the benefits 35 35 untergebracht werden. be accommodated. So sind auf dem streifenförmigen Kunststoffträger Thus, on the strip-shaped plastic carrier 17 17 in den Zeilen in lines 33 33 zehn Halbleiterbauteilpositionen ten half conductor component positions 36 36 angeordnet und in den Spalten and arranged in columns 34 34 sind neun derartige Halbleiterbauteilpositionen are nine such semiconductor device positions 36 36 untergebracht, sodass beim Auftrennen des Nutzens housed, so that when separation of the panel 35 35 insgesamt neunzig Halbleiterbauteile entstehen. a total of 90/2 state components formed.
  • 6 6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil shows a schematic cross section through a semiconductor device 4 4 gemäß einer vierten Ausführungsform der Erfindung. according to a fourth embodiment of the invention. Komponenten mit gleichen Funktionen, wie in den vorangegangenen Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Components having the same functions as in the preceding figures are identified by like reference numerals and are not discussed. Der äußere Gehäuseaufbau entspricht dem Gehäuseaufbau der ersten Ausführungsform der Erfindung, jedoch ist auch hier in dem Hohlraum The outer housing structure corresponds to the case structure of the first embodiment of the invention, however, is also here in the cavity 14 14 nur ein Sensorchip only one sensor chip 20 20 untergebracht, sodass eine höhere Anzahl von Halbleiterbauteilen aus einem Nutzen herausgearbeitet werden können. accommodated, so that a higher number of semiconductor devices can be machined out of a benefit. Ferner sind die Kunststoffwände Furthermore, the plastic walls 15 15 über Verankerungselemente about anchoring elements 28 28 mit dem Kunststoffträger with the plastic carrier 18 18 formschlüssig verbunden. positively connected.
  • Die Verankerungselemente The anchoring elements 28 28 dieser vierten Ausführungsform der Erfindung unterscheiden sich von den Verankerungselementen this fourth embodiment of the invention differ from the anchoring elements 28 28 der dritten Ausführungsform der Erfindung, wie es of the third embodiment of the invention, as 4 4 zeigt, dadurch, dass die Verankerungselemente shows, characterized in that the anchoring elements 28 28 über die Unterseite on the bottom 30 30 der Verdrahtungsplatte the wiring board 17 17 hinausragen, um eine Länge 1 h . extend to a length h. 1 Diese Länge 1 h ist kleiner als die Höhe h a eines Außenkontaktes This length 1 is h smaller than the height h a of an external contact 32 32 dieser Ausführungsform der Erfindung. this embodiment of the invention. Somit bildet der aus der Unterseite Thus forms the bottom of the 30 30 der Verdrahtungsplatte the wiring board 17 17 hinausragende Bereich des Verankerungselements protruding portion of the anchoring element 28 28 einen Abstandshalter a spacer 31 31 , der dafür sorgt, dass beim Auflöten dieses Halbleiterbauteils Which ensures that the soldering of this semiconductor device 4 4 auf eine übergeordnete Schaltungsplatte die Außenkontakte a parent circuit board, the external contacts 32 32 in Form von Lotbällen nicht beliebig zusammengepresst werden können. can not be compressed arbitrarily in the form of solder balls.
  • 7 7 zeigt eine Draufsicht auf einen Nutzen shows a plan view of a benefit 35 35 mit in Zeilen with in-line 33 33 und Spalten and columns 34 34 angeordneten Halbleiterbauteilpositionen arranged semiconductor device positions 36 36 zur Herstellung von Halbleiterbauteilen for the manufacture of semiconductor devices 5 5 gemäß einer fünften Ausführungsform der Erfindung, die in according to a fifth embodiment of the invention shown in 8 8th gezeigt wird. will be shown. Die Halbleiterbauteilpositionen The semiconductor device positions 36 36 sind in dieser Darstellung einerseits durch offene Flächen und durch mit Punkten umrandete Flächen gekennzeichnet. are marked in this view one hand by open spaces and by-frame with points surfaces. Die mit Punkten umrandeten Flächen sollen Bereiche der Wände The rimmed with dots surfaces are portions of the walls 15 15 des Hohlraumgehäuses the cavity housing 11 11 zeigen, in denen aktive und/oder passive zusätzliche Bauteilkomponenten in eine Kunststoffmasse eingebettet sind, die zwar den Sensor durch Signalverstärkung, Auswertung oder Speicherung unterstützen aber nicht selbst sensorische Eigenschaften aufweisen. show in which active and / or passive additional component parts are embedded in a plastic mass which, while supporting the sensor by signal amplification, analysis, or storage but do not themselves have sensory properties.
  • Somit bleibt der Hohlraum Thus, the cavity remains 14 14 allein dem Sensorhalbleiterchip vorbehalten, während die übrigen passiven und/oder aktiven Bauteilkomponenten in die Kunststoffmasse der Hohlraumwände Only reserved for the sensor semiconductor chip, while the other passive and / or active device components in the plastics material of the cavity walls 15 15 eingebettet sind. are embedded.
  • 8 8th zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil shows a schematic cross section through a semiconductor device 5 5 gemäß der fünften Ausführungsform der Erfindung. according to the fifth embodiment of the invention. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorangegangenen Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Components having the same functions as in the preceding figures are identified by like reference numerals and are not discussed.
  • Mit diesem Querschnitt wird gezeigt, dass diese Ausführungsform der Erfindung gehäusetechnisch weitgehendst der ersten Ausführungsform der Erfindung gemäß With this cross section of the first embodiment of the invention is shown that this embodiment of the invention largely housing according technically 1 1 entspricht, jedoch ist mindestens eine Bauteilkomponente corresponds to, but is at least one structural component 23 23 , die nicht als Sensor ausgebildet ist, in die Kunststoffmasse der Hohlraumwände Which is not formed as a sensor in the plastics material of the cavity walls 15 15 eingebettet. embedded. Das hat den Vorteil, dass diese Komponenten vor mechanischer Beschädigung geschützt werden und auch nicht mit dem Medium, das durch die Öffnung This has the advantage that these components are protected from mechanical damage and also not with the medium through the opening 26 26 in der Abdeckung in the cover 16 16 aus einer Kunststoffplatte from a plastic plate 25 25 in dem Hohlraum in the cavity 14 14 , zu dem Sensor vordringen und nicht die geschützte Bauteilkomponente , Penetrate to the sensor and not the protected device component 23 23 in dem Kunststoff berühren wird. will touch in the plastic.
  • 9 9 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil shows a schematic cross section through a semiconductor device 6 6 gemäß einer sechsten Ausführungsform der Erfindung. according to a sixth embodiment of the invention. Diese sechste Ausführungsform der Erfindung weist ein Hohlraumgehäuse This sixth embodiment of the invention, a cavity housing 12 12 auf und unterscheidet sich von den vorhergehenden Ausführungsformen dadurch, dass einerseits flache Außenkontakte and differs from the preceding embodiments by the fact that on the one hand flat outer contacts 32 32 die Verbindung zu übergeordneten Leiterplatten herstellen können und dass die Abdeckung can connect to the higher-level printed circuit boards and that the cover 16 16 aus einer gummielastischen Kunststoffmasse from a rubber-elastic plastic material 24 24 besteht, sodass auch dieser Sensor Druckschwankungen, beispielsweise in einem Motoröl, aufnehmen kann, ohne selbst mit dem Motoröl in Berührung zu kommen. there, so that this sensor pressure fluctuations can receive, for example, in an engine oil, even without coming into contact with the engine oil. Darüber hinaus ist in den Wänden In addition, in the walls 15 15 des Hohlraumgehäuses the cavity housing 7 7 eine zusätzliche Bauteilkomponente an additional device component 23 23 eingebettet, die über Bonddrähte embedded, the bonding wires 38 38 mit der Verdrahtungsstruktur to the wiring pattern 19 19 und damit mit dem Sensorchip and thus to the sensor chip 20 20 elektrisch in Verbindung steht. is electrically connected.
  • 1 1
    Halbleiterbauteil (1. Ausführungsform) A semiconductor device (Embodiment 1)
    2 2
    Halbleiterbauteil (2. Ausführungsform) A semiconductor device (Embodiment 2)
    3 3
    Halbleiterbauteil (3. Ausführungsform) A semiconductor device (Embodiment 3)
    4 4
    Halbleiterbauteil (4. Ausführungsform) The semiconductor device (fourth embodiment)
    5 5
    Halbleiterbauteil (5. Ausführungsform) The semiconductor device (the fifth embodiment)
    6 6
    Halbleiterbauteil (6. Ausführungsform) A semiconductor device (Embodiment 6)
    7 7
    Hohlraumgehäuse (1. Ausführungsform) Cavity housing (Embodiment 1)
    8 8th
    Hohlraumgehäuse (2. Ausführungsform) Cavity housing (Embodiment 2)
    9 9
    Hohlraumgehäuse (3. Ausführungsform) Cavity housing (Embodiment 3)
    10 10
    Hohlraumgehäuse (4. Ausführungsform) Cavity housing (fourth embodiment)
    11 11
    Hohlraumgehäuse (5. Ausführungsform) Cavity housing (fifth embodiment)
    12 12
    Hohlraumgehäuse (6. Ausführungsform) Cavity housing (Embodiment 6)
    13 13
    Hohlraumboden Raised floor
    14 14
    Hohlraum cavity
    15 15
    Wände des Hohlraums Walls of the cavity
    16 16
    Abdeckung des Hohlraums Cover the cavity
    17 17
    Verdrahtungsplatte wiring board
    18 18
    Kunststoffträger Plastic carrier
    19 19
    Verdrahtungsstruktur wiring structure
    20 20
    Halbleiterchip (Sensorchip) Semiconductor chip (sensor chip)
    21 21
    Oberseite der Verdrahtungsplatte Upper surface of the wiring board
    22 22
    Durchkontakte durch die Verdrahtungsplatte Through contacts through the wiring board
    23 23
    Bauteilkomponente device component
    24 24
    gummielastische Abdeckmasse rubber-elastic covering compound
    25 25
    Kunststoffabdeckplatte plastic cover
    26 26
    Öffnung in der Kunststoffabdeckplatte Opening in the plastic cover
    27 27
    Drucksensor pressure sensor
    28 28
    Verankerungselement anchoring element
    29 29
    Durchgangsöffnung in der Verdrahtungsplatte Through opening in the wiring board
    30 30
    Unterseite der Verdrahtungsplatte Underside of the wiring board
    31 31
    Abstandshalter spacer
    32 32
    Außenkontakte external contacts
    33 33
    Zeilen (des Nutzens) Line (of the benefits)
    34 34
    Spalten (des Nutzens) Columns (of the benefits)
    35 35
    Nutzen Use
    36 36
    Halbleiterbauteilposition Semiconductor component position
    37 37
    Außenkontaktfläche External contact area
    38 38
    Bonddrahtverbindungen Bonding wire connections
    39 39
    interne Bonddrahtverbindungen internal bonding wire connections
    1 h 1 hour
    Länge des Abstandshalters Length of the spacer
    h a h a
    Höhe eines Außenkontaktes Height of an external contact

Claims (23)

  1. Halbleiterbauteil mit einem Hohlraumgehäuse ( A semiconductor device (having a cavity housing 7 7 ), das einen Hohlraumboden ( ) Which (a cavity floor 13 13 ) und einen Hohlraum ( ) And a cavity ( 14 14 ) umgebende Wände ( ) Surrounding the walls ( 15 15 ) aufweist, wobei der Hohlraum ( ), Wherein the cavity ( 14 14 ) von einer Abdeckung ( ) (By a cover 16 16 ) mindestens teilweise bedeckt ist, wobei die Wände ( ) Is at least partially covered, wherein the walls ( 15 15 ) aus Kunststoff sind und auf einer Oberseite ( ) Are made of plastic and (on an upper side 21 21 ) einer den Hohlraumboden ( ) Of one (the cavity floor 13 13 ) bildenden Verdrahtungsplatte ( ) Forming wiring board ( 17 17 ) aus einem Kunststoffträger ( ) (From a plastic carrier 18 18 ) und einer Verdrahtungsstruktur ( ) And a wiring structure ( 19 19 ) fixiert sind, und wobei auf dem Hohlraumboden ( ) Are fixed, and where (on the cavity floor 13 13 ) ein Halbleiterchip ( ), A semiconductor chip ( 20 20 ) angeordnet und elektrisch angeschlossen ist. ) is arranged and electrically connected.
  2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Verdrahtungsplatte ( The semiconductor device according to claim 1, characterized in that the wiring board ( 17 17 ) mehrere Verdrahtungsschichten aufweist, die durch Isolationsschichten elektrisch voneinander getrennt sind und über Durchkontakte ( ) Having a plurality of wiring layers, which are separated by insulating layers from each other and electrically (via through contacts 22 22 ) durch die Isolationsschichten elektrisch miteinander in Verbindung stehen. ) Are provided through the insulating layers electrically connected to each other.
  3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterbauteil ( The semiconductor device according to claim 1 or claim 2, characterized in that the semiconductor component ( 1 1 ) mehrere Hohlräume ( ) A plurality of cavities ( 14 14 ) aufweist. ) having.
  4. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterbauteil ( The semiconductor device according to any one of the preceding claims, characterized in that the semiconductor component ( 1 1 ) in dem Hohlraum ( ) In the cavity ( 14 14 ) einen Sensorchip ( ) A sensor chip ( 20 20 ) aufweist, der mit der Verdrahtungsplatte ( ), Which (with the wiring board 17 17 ) elektrisch in Verbindung steht. ) Is electrically connected.
  5. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterbauteil ( The semiconductor device according to any one of the preceding claims, characterized in that the semiconductor component ( 1 1 ) in dem Hohlraum ( ) In the cavity ( 14 14 ) einen Sensorchip ( ) A sensor chip ( 20 20 ) und eine aktive Bauteilkomponente ( ) And an active device component ( 23 23 ) aufweist. ) having.
  6. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterbauteil ( The semiconductor device according to any one of the preceding claims, characterized in that the semiconductor component ( 1 1 ) in dem Hohlraum ( ) In the cavity ( 14 14 ) einen Sensorchip ( ) A sensor chip ( 20 20 ) und eine passive Bauteilkomponente ( ) And a passive device component ( 23 23 ) aufweist. ) having.
  7. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterbauteil ( The semiconductor device according to any one of the preceding claims, characterized in that the semiconductor component ( 1 1 ) in den Hohlraumwänden ( ) (In the cavity walls 15 15 ) eingebettete passive und/oder aktive Bauteilkomponenten ( ) Embedded passive and / or active device components ( 23 23 ) aufweist, die über die Verdrahtungsplatte ( ), Which (on the wiring board 17 17 ) mit einem Halbleiterchip ( ) (Having a semiconductor chip 20 20 ) in dem Hohlraum ( ) In the cavity ( 14 14 ) elektrisch in Verbindung stehen. ) Are electrically connected.
  8. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip ( The semiconductor device according to any one of the preceding claims, characterized in that the semiconductor chip ( 20 20 ) in dem Hohlraum ( ) In the cavity ( 14 14 ) in eine gummielastische Abdeckmasse ( ) (In a rubber-elastic covering compound 24 24 ) eingebettet ist. ) Is embedded.
  9. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Abdeckung ( Semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized in that the cover ( 16 16 ) des Hohlraumes ( () Of the cavity 14 14 ) eine Kunststoff platte ( ) Is a plastic plate ( 25 25 ) mit einer Öffnung ( ) With an opening ( 26 26 ) aufweist. ) having.
  10. Halbleiterbauteil nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip ( The semiconductor device according to claim 8, characterized in that the semiconductor chip ( 1 1 ) in dem Hohlraum ( ) In the cavity ( 14 14 ) der gummielastischen Abdeckmasse ein Drucksensor ( ) Of the rubber-elastic covering composition, a pressure sensor ( 27 27 ) ist. ) Is.
  11. Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Hohlraumwände ( The semiconductor device according to any one of the preceding claims, characterized in that the cavity walls ( 15 15 ) Verankerungselemente ( ) Anchoring elements ( 28 28 ) in kraftschlüssigem, formschlüssigem und/oder stoffschlüssigem Zusammenwirken mit der Verdrahtungsplatte ( ) In frictional, form-locking and / or stoffschlüssigem interaction (with the wiring board 17 17 ) aufweisen, die sich teilweise durch die Verdrahtungsplatte ( ), Which is (partially through the wiring board 17 17 ) hindurch in entsprechenden Durchgangsöffnungen ( ) Through (in corresponding through holes 29 29 ) der Verdrahtungsplatte ( () The wiring board 17 17 ) erstrecken. ) Extend.
  12. Halbleiterbauteil nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Verankerungselemente ( The semiconductor device according to claim 11, characterized in that the anchoring elements ( 28 28 ) aus der Unterseite ( ) (From the bottom 30 30 ) der Verdrahtungsplatte ( () The wiring board 17 17 ) herausragen und einen Abstandshalter ( protrude) and a spacer ( 31 31 ) für die Außenkontakte ( ) (For the external contacts 32 32 ) des Halbleiterbauteils ( () Of the semiconductor component 4 4 ) bilden. ) form.
  13. Nutzen mit in Zeilen ( Use with (in lines 33 33 ) und Spalten ( () And columns 34 34 ) angeordneten Halbleiterbauteilen ( ) Arranged semiconductor components ( 1 1 bis to 6 6 ), die Hohlraumgehäuse ( (), The cavity housing 7 7 bis to 12 12 ) aufweisen, wobei die Hohlraumgehäuse ( ), Wherein the cavity housing ( 7 7 bis to 12 12 ) als Hohlraumboden ( ) (As cavity floor 13 13 ) eine gemeinsame Verdrahtungsplatte ( ) Have a common wiring board ( 17 17 ) mit Kunststoffträger ( ) (With plastic support 18 18 ) und Verdrahtungsstruktur ( (), And wiring structure 19 19 ) aufweisen, und wobei die Hohlräume ( ), And wherein the cavities ( 14 14 ) Halbleiterchips ( ) Semiconductor chip ( 20 20 ) aufweisen und von einer Abdeckung ( ), And by a cover ( 16 16 ) mindestens teilweise abgeschlossen sind, und wobei die Wände ( ) Are at least partially completed, and wherein the walls ( 15 15 ) der Hohlraumgehäuse ( () Of the cavity housing 7 7 bis to 12 12 ) aus Kunststoff sind und auf der Verdrahtungsplatte ( ) Are made of plastic, and (on the wiring board 17 17 ) fixiert sind. ) Are fixed.
  14. Nutzen nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Verdrahtungsplatte ( Use according to claim 13, characterized in that the wiring board ( 17 17 ) mehrere Verdrahtungsschichten aufweist, die durch Isolationsschichten elektrisch voneinander getrennt sind und über Durchkontakte ( ) Having a plurality of wiring layers, which are separated by insulating layers from each other and electrically (via through contacts 22 22 ) durch die Isolationsschichten elektrisch miteinander in Verbindung stehen. ) Are provided through the insulating layers electrically connected to each other.
  15. Nutzen nach Anspruch 13 oder Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Nutzen in den Hohlräumen ( Use according to claim 13 or claim 14, characterized in that the benefit (in the cavities 14 14 ) der Hohlraumgehäuse ( () Of the cavity housing 7 7 bis to 12 12 ) Sensorchips ( ) Sensor chip ( 20 20 ) aufweist. ) having.
  16. Nutzen nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Nutzen in den Hohlraumwänden ( Use according to any one of claims 13 to 15, characterized in that the benefit (in the cavity walls 15 15 ) eingebettete passive und/oder aktive Bauteilkomponenten ( ) Embedded passive and / or active device components ( 23 23 ) aufweist, die über die Verdrahtungsplatte ( ), Which (on the wiring board 17 17 ) mit den Halbleiterchips ( ) (With the semiconductor chips 20 20 ) in den Hohlräumen ( ) (In the cavities 14 14 ) elektrisch in Verbindung stehen. ) Are electrically connected.
  17. Nutzen nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Hohlraumwände ( Use according to any one of claims 13 to 16, characterized in that the cavity walls ( 14 14 ) Verankerungselemente ( ) Anchoring elements ( 28 28 ) aufweisen, die sich teilweise durch die Verdrahtungsplatte ( ), Which is (partially through the wiring board 17 17 ) hindurch in entsprechenden Durchgangsöffnungen ( ) Through (in corresponding through holes 29 29 ) in der Verdrahtungsplatte ( ) (In the wiring board 17 17 ) erstrecken. ) Extend.
  18. Nutzen nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Verankerungselemente ( Use according to claim 17, characterized in that the anchoring elements ( 28 28 ) aus der Unterseite ( ) (From the bottom 30 30 ) der Verdrahtungsplatte ( () The wiring board 17 17 ) des Nutzens ( () Of the benefits 35 35 ) herausragen und Abstandshalter ( protrude) and spacers ( 31 31 ) für die Außenkontakte ( ) (For the external contacts 32 32 ) der Halbleiterbauteile ( () Of the semiconductor components 4 4 ) bilden. ) form.
  19. Verfahren zur Herstellung eines Nutzens ( A process for the preparation of a benefit ( 35 35 ) mit in Zeilen ( ) With (in rows 33 33 ) und Spalten ( () And columns 34 34 ) angeordneten Halbleiterbauteilpositionen ( ) Arranged semiconductor component positions ( 36 36 ) mit Hohlraumgehäusen ( ) (With hollow housings 7 7 bis to 12 12 ), wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen einer Verdrahtungsplatte ( ), The method comprising the following method steps: - manufacturing a wiring board ( 17 17 ) mit in Zeilen ( ) With (in rows 33 33 ) und/oder Spalten ( () And / or columns 34 34 ) angeordneten Bauteilpositionen ( ) Component arranged position ( 36 36 ), mit Durchkontakten ( ), (With vias 22 22 ) zu Außenkontaktflächen ( ) (To external contact areas 37 37 ) auf der Unterseite ( ) (On the bottom 30 30 ) der Verdrahtungsplatte ( () The wiring board 17 17 ); ); – Aufbringen von Wänden ( - applying walls ( 15 15 ) für Hohlraumgehäuse ( ) (For cavity housing 7 7 bis to 12 12 ) aus Kunststoff auf die Verdrahtungsplatte ( ) Of plastic (on the wiring board 17 17 ) in den Halbleiterbauteilpositionen ( ) (In the semiconductor device positions 36 36 ); ); – Bestücken der Hohlräume ( (Loading of the cavities - 14 14 ) der Hohlraumgehäuse ( () Of the cavity housing 7 7 bis to 12 12 ) in den Halbleiterbauteilpositionen ( ) (In the semiconductor device positions 36 36 ) mit Halbleitersensorchips ( ) (With the semiconductor sensor chip 20 20 ) unter elektrischem Verbinden der Halbleitersensorchips ( ) (Under electric connecting the semiconductor sensor chip 20 20 ) mit der Verdrahtungsplatte ( ) (With the wiring board 17 17 ); ); – Aufbringen einer Abdeckung ( (Applying a cover - 16 16 ) auf die Hohlräume ( ) (On the cavities 14 14 ) in den Halbleiterbauteilpositionen ( ) (In the semiconductor device positions 36 36 ). ).
  20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass bei dem Herstellen der Verdrahtungsplatte ( A method according to claim 19, characterized in that, in the production of the wiring board ( 17 17 ) in die Verdrahtungsplatte ( ) (In the wiring board 17 17 ) in den für die Hohlraumgehäusewände ( ) In the (cavity for the housing walls 14 14 ) vorgesehenen Bereichen der Wände ( ) Designated areas of the walls ( 14 14 ) Durchgangsöffnungen ( ) Through openings ( 29 29 ) eingebracht werden. ) Are introduced.
  21. Verfahren nach Anspruch 19 oder Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Herstellen der Verdrahtungsplatte ( The method of claim 19 or claim 20, characterized in that (after the production of the wiring board 17 17 ) die Verdrahtungsplatte ( ) The wiring board ( 17 17 ) mit in Kunststoffmasse einzubettende aktive und/oder passive Bauteilkomponenten ( ) (With embedded in plastics material active and / or passive device components 23 23 ) in den Halbleiterbauteilpositionen ( ) (In the semiconductor device positions 36 36 ) bestückt wird, und die aktiven und/oder passiven Bauteilkomponenten ( ) Is loaded, and the active and / or passive device components ( 23 23 ) mit der Verdrahtungsplatte ( ) (With the wiring board 17 17 ) elektrisch verbunden werden, sodass bei dem anschließenden Aufbringen von Wänden ( ) Are electrically connected, so that (during the subsequent application of walls 15 15 ) die aktiven und/oder passiven Bauteilkomponenten ( ), The active and / or passive device components ( 23 23 ) in die Kunststoffmasse der Wände ( ) (In the plastics material of the walls 15 15 ) eingebettet werden. ) Are embedded.
  22. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen ( A process for the production of semiconductor components ( 1 1 bis to 6 6 ), wobei das Verfahren nachfolgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen eines Nutzens ( (Manufacture of a benefit: -), the method comprising the following method steps 35 35 ) gemäß einem der Ansprüche 19 bis 21; ) According to one of claims 19 to 21; – Aufbringen von Außenkontakten ( - applying external contacts ( 32 32 ) auf die Außenkontaktflächen ( ) (On the outer contact surfaces 37 37 ) des Nutzens ( () Of the benefits 35 35 ); ); – Auftrennen des Nutzens ( (Separation of the panel - 35 35 ) in einzelne Halbleiterbauteile ( ) (In individual semiconductor devices 1 1 bis to 6 6 ). ).
  23. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen ( A process for the production of semiconductor components ( 1 1 bis to 6 6 ), wobei das Verfahren nachfolgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen eines Nutzens ( (Manufacture of a benefit: -), the method comprising the following method steps 35 35 ) gemäß einem der Ansprüche 19 bis 21; ) According to one of claims 19 to 21; – Auftrennen des Nutzens ( (Separation of the panel - 35 35 ) in einzelne Halbleiterbauteile ( ) (In individual semiconductor devices 1 1 bis to 6 6 ); ); – Aufbringen von Außenkontakten ( - applying external contacts ( 32 32 ) auf die Außenkontaktflächen ( ) (On the outer contact surfaces 37 37 ) der einzelnen Halbleiterbauteile ( () Of the individual semiconductor devices 1 1 bis to 6 6 ). ).
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