DE10153211A1 - Electronic component comprises a semiconductor chip and a wiring plate connected to the active surface of the chip using a double-sided adhering film - Google Patents

Electronic component comprises a semiconductor chip and a wiring plate connected to the active surface of the chip using a double-sided adhering film

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DE10153211A1
DE10153211A1 DE2001153211 DE10153211A DE10153211A1 DE 10153211 A1 DE10153211 A1 DE 10153211A1 DE 2001153211 DE2001153211 DE 2001153211 DE 10153211 A DE10153211 A DE 10153211A DE 10153211 A1 DE10153211 A1 DE 10153211A1
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electronic component
bonding
according
system carrier
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DE2001153211
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Christian Hauser
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Abstract

Electronic component comprises a semiconductor chip (2) and a wiring plate (3). The surface of the wiring plate is connected to the active surface (5) of the chip using a double-sided adhering film (6). Electronic component comprises a semiconductor chip (2) and a wiring plate (3). The surface of the wiring plate is connected to the active surface (5) of the chip using a double-sided adhering film (6). The wiring plate has a metal layer (9) structured in wiring lines (8) on its lower side (7). Each wiring line has a bond end (10) and an outer contact surface (11). Each wiring line has a solder stop surface (12) on its transition to the bond end and/or on its transition to the outer contact surface. Independent claims are also included for the following: (1) a system support for several electronic components; a process for the production of the system support; and (2) a process for the production of the electronic component.

Description

  • Elektronisches Bauteil und Systemträger sowie Verfahren zur Herstellung derselben. The electronic component and the carrier system as well as methods for making same.
  • Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil und einen Systemträger sowie Verfahren zu deren Herstellung gemäß der Gattung der unabhängigen Ansprüche. The invention relates to an electronic component and a system carrier, as well as processes for their preparation according to the preamble of the independent claims.
  • Elektronische Bauteile, die im wesentlichen aus einem Halbleiterchip mit darauf angeordneter Umverdrahtungsplatte bestehen, werden auch als Bauteile mit einem BOC-Gehäuse (board-on-chip-Gehäuse) bezeichnet, wie sie aus US 6,048,755 bekannt sind. Electronic components which consist essentially of a semiconductor chip having disposed thereon rewiring are also referred to as components, with a BOC-housings (board-on-chip package), such as are known from US 6,048,755. Diese elektronischen Bauteile zeigen häufig Ausfallerscheinungen in Form von Verwölbungen der Umverdrahtungsplatte gegenüber der Oberseite des Halbleiterchips bei den verschiedenen Temperaturprozessen, die zur Herstellung derartiger elektronischer Bauteile erforderlich sind. These electronic components often show deficits in the form of warpage of the rewiring plate opposite the upper surface of the semiconductor chip with the different temperature processes, which are necessary for the preparation of such electronic components. Derartige Verwölbungen können zum vollständigen Versagen des elektronischen Bauteils führen. Such warping can lead to complete failure of the electronic component. Um derartige Verwölbungen zu vermeiden, werden im Stand der Technik die Umverdrahtungsplatten sowohl auf der Oberseite als auch auf der Unterseite durch ein Lötstopppolymer beschichtet. To avoid such warpage, the Umverdrahtungsplatten be coated on both the top and on the bottom by a Lötstopppolymer in the art. Dabei erfüllt das Lötstopppolymer auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte eine Funktion, indem es die Umverdrahtungsleitungen auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte vor einem Benetzen mit Lötmaterial der Außenkontakte schützt. Here, the Lötstopppolymer on the underside of the rewiring plate has a function by protecting the wiring lines on the underside of the rewiring before wetting with solder of the external contacts.
  • Auf der Oberseite der Umverdrahtungsplatte, die über eine doppelseitig klebende Folie mit der aktiven Oberseite des Halbleiterchips verbunden ist, hat die Lötstoppschicht keine Schutzfunktion, da die Oberseite der Umverdrahtungsplatte keine zu schützende strukturierte Metallschichtung aufweist. On top of the rewiring, which is connected via a double-sided adhesive film with the active top side of the semiconductor chip, the solder resist layer has no protective function, since the upper surface of the rewiring does not have to be protected structured metal stratification. Somit dient die Lötstoppschicht auf der Oberseite der Umverdrahtungsplatte lediglich der Kompensation der thermischen Spannungen, die von der Lötstoppschicht auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte ausgehen und vergrößert nachteilig die Höhe und den Raumbedarf für das elektronische Bauteil. Thus, the solder resist layer is used on top of the rewiring only the compensation of the thermal stresses, originating from the solder resist layer on the bottom of rewiring and disadvantageously increased and the height of the space required for the electronic component. Außerdem wird durch das Erfordernis einer Lötstoppschicht auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte die Herstellung von derartigen elektronischen Bauteilen und den zugehörigen Systemträgern, aus denen die Umverdrahtungsplatten gesägt werden, äußerst kostenintensiv. In addition, the preparation of such electronic components and the corresponding lead frames, from which the Umverdrahtungsplatten be cut, extremely cost-intensive due to the requirement of a solder resist layer on the underside of the rewiring.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verwölben der Umverdrahtungsplatte bei den verschiedenen Temperaturprozessen weitgehend zu vermeiden und die Ausfallrate der elektronischen Bauteile herabzusetzen sowie insgesamt die Herstellung derartiger Bauteile zu verbilligen. The object of the invention is to avoid warping of the rewiring in the different temperature processes largely and reduce the failure rate of the electronic components as well as a total to cheapen the manufacture of such components. Ferner ist es Aufgabe der Erfindung, die Bauteilhöhe zu reduzieren. It is another object of the invention to reduce the component height.
  • Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. This object is achieved by the subject matter of the independent claims. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen. Advantageous further developments of the invention emerge from the dependent claims.
  • Zur Lösung der obigen Aufgabe wird ein elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip und einer Umverdrahtungsplatte vorgeschlagen, wobei die Oberseite der Umverdrahtungsplatte mit der aktiven Oberseite des Halbleiterchips durch eine doppelseitig klebende Folie verbunden ist. To achieve the above object, an electronic component is provided with a semiconductor chip and a rewiring plate, wherein the upper surface of the rewiring plate is connected to the active top side of the semiconductor chip by a double-sided adhesive film. Die Umverdrahtungsplatte weist auf ihrer Unterseite eine in Umverdrahtungsleitungen strukturierte Metallschicht auf. The rewiring has a structured wiring lines in metal layer on its underside. Jede Umverdrahtungsleitung weist ihrerseits ein Bondende und eine Außenkontaktfläche auf. Any redistribution in turn has a bonding end and an outer contact surface. Dabei weist jede Umverdrahtungsleitung an ihrem Übergang zu dem Bondende und/oder an ihrem Übergang zu der Außenkontaktfläche eine Lötstoppfläche auf. In this case, each redistribution at its transition to the bonding end and / or at its transition to the outer contact surface on a Lötstoppfläche.
  • Die Lötstoppflächen dieser Erfindung stehen jedoch nicht untereinander in Verbindung und bilden damit keine geschlossene Lötstoppschicht, da sie nur an den Übergängen der Umverdrahtungsleitungen zu Außenkontaktflächen und oder zu Bondenden angeordnet sind. However, the Lötstoppflächen this invention are not with one another in connection and thus form a closed solder resist layer, since they are arranged only on the transitions of the wiring lines to external contact areas and or to be bonded. Dieses hat den Vorteil, dass eine, das Ausdehnungsverhalten der Lötstoppschicht kompensierende Lötstoppschicht auf der Oberseite der Umverdrahtungsplatte nicht mehr erforderlich ist. This has the advantage that, the expansion behavior of the solder resist layer compensating solder resist layer on top of the rewiring is no longer required. Damit wird in vorteilhafter Weise einmal die Gesamthöhe des Bauteils vermindert und zum anderen treten keine Verwölbungen der Umverdrahtungsplatte auf, obgleich nun nur noch einseitig Lötstoppflächen auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte vorhanden sind. This will again reduce advantageously the total height of the component and on the other, no warping of rewiring occur, although now only Lötstoppflächen on the underside of the rewiring are present on one side.
  • Ein weiterer Vorteil ist, dass die isolierten einzelnen Lötstoppflächen an den Übergängen der Umverdrahtungsleitungen zu ihren Bondenden und/oder zu ihren Außenkontaktflächen mit einem Schritt zum Freilegen der Außenkontaktflächen und der Bondenden der Umverdrahtungsleitungen strukturiert werden können. A further advantage is that the isolated individual Lötstoppflächen can be patterned at the transitions of the wiring lines to their bonding ends and / or their outer contact surfaces having a step for exposing the external contact areas and the bonding ends of the wiring lines. Das bedeutet, es bedarf nicht eines zusätzlichen Verfahrensschrittes, um isolierte Lötstoppflächen an den Übergängen zu den Bondenden und/oder an den Übergängen zu den Außenkontaktflächen der Umverdrahtungsleitungen anzuordnen. This means there is no need for an additional process step to position isolated Lötstoppflächen at the transitions to the bond ends and / or at the transitions to the outer contact surfaces of the rewiring. Außerdem entfällt der Verfahrensschritt, die Oberseite der Umverdrahtungsplatte mit einer entsprechenden Lötstoppschicht zu versehen. In addition, the process step to provide the upper surface of the rewiring with a corresponding solder resist layer is omitted. Das Weglassen der Lötstoppschicht auf der den Außenkontakten gegenüberliegenden Seite bringt weitere Vorteile, nämlich: The omission of the solder resist layer on the opposite side of the external contacts has further advantages, namely:
    • - Verringerung der Gehäusedicke, - Reducing the thickness of the housing,
    • - erhöhte Zuverlässigkeit des Gehäuses, da die hygroskopischen Eigenschaften der Lötstoppschicht nicht mehr den Halbleiterchip und die Halbleiterstruktur gefährden können, - Increased reliability of the package because the hygroscopic properties of the solder resist layer can no longer threaten the semiconductor chip and the semiconductor structure,
    • - erhöhte Haftung der doppelseitig klebenden Folie auf dem Kernmaterial der Umverdrahtungsplatte anstelle der verminderten Haftung durch eine Lötstoppschicht auf der Oberseite der Umverdrahtungsplatte, - increased adhesion of the double-sided adhesive film on the core material of the rewiring instead of the reduced adhesion by a solder resist layer on the upper surface of the rewiring,
    • - geringere Gefahr von Delamination durch eine geringere Anzahl von Schichten im Gesamtaufbau des elektronischen Bauteils, - lower risk of delamination by a smaller number of layers in the overall structure of the electronic component,
    • - verbesserte Wärmeableitung durch Weglassen der Lötstoppschicht zwischen Umverdrahtungsplatte und doppelseitig klebender Folie. - improved heat dissipation by omitting the solder resist layer between the rewiring and double-sided adhesive film.
  • In einer Ausführungsform der Erfindung sind die Lötstoppflächen auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte und auf der Metallschicht lediglich Lötstoppflecken, welchen die Umverdrahtungsleitung an ihrem Übergang zu den Bondenden und/oder an ihrem Übergang zu den Außenkontaktflächen abdecken. In one embodiment of the invention, the Lötstoppflächen on the underside of rewiring and on the metal layer only Lötstoppflecken, which cover the redistribution at its transition to the bond ends and / or at its transition to the outer contact surfaces. Durch diese Lötstoppflecken wird ein Minimum an Lötstopp-Polymer auf die Unterseite und auf die strukturierte Metallschicht des elektronischen Bauteils aufgebracht. By this Lötstoppflecken a minimum of solder resist polymer is applied to the bottom and the patterned metal layer of the electronic component. Da die Lötstoppflecken untereinander keine geschlossene Schicht bilden, wird weiterhin vorteilhaft keine Verwölbung der Umverdrahtungsplatte auftreten. Since the Lötstoppflecken with each other do not form a continuous layer, no warpage of the rewiring is also advantageous occur. Somit eine Delamination unterbunden und eine Gefährdung des elektronischen Bauteils vermindert. Thus prevented delamination and reduces a danger of the electronic component.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind die Lötstoppflächen Lötstoppringe, die mindestens um jede Außenkontaktfläche ringförmig angeordnet sind. In a further embodiment of the invention, the Lötstoppflächen Lötstoppringe which are annularly arranged at least around each outer contact surface are. Diese Ausführungsform hat den Vorteil, dass die Außenkontaktflächen, die später Außenkontakte in Form von Lötbällen aufnehmen sollen, auf ihrer gesamten Umfangsflächen von einem Lötstopp-Polymer umgeben sind, und damit können die Lötbälle ihre Form beim Einlöten beibehalten. This embodiment has the advantage that the external contact areas which are to receive the external contacts in the form of solder balls later, are surrounded over their entire peripheral surfaces of a solder resist polymer, and thus the solder balls can retain their shape during soldering.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist im Bereich eines zentralen Bondkanals der Umverdrahtungsplatte ein den Bondkanal umgebender Ring aus einem Lötstopp-Polymer angeordnet, der eine Kunststoffabdeckmasse des Bondkanals örtlich begrenzt. In a further embodiment of the invention in the region of a central bonding channel of a rewiring the bonding channel surrounding ring of a solder resist polymer is arranged, which defines a Kunststoffabdeckmasse of the bonding channel locally. Mit diesem den Bondkanal umgebenden Ring aus einem Lötstopp-Polymer wird gewährleistet, dass beim Herstellen der Kunststoffabdeckung des Bondkanals dieses Polymer auf den vorbestimmten Innenraum des Ringes begrenzt bleibt und somit die Außenkontaktflächen der strukturierten Metallschicht vor der Kunststoffabdeckmasse geschützt sind, da die Ausbreitung der Kunststoffabdeckmasse durch den Ring aus Lötstopp-Polymer begrenzt und behindert wird. With this the bonding channel surrounding ring of a solder resist polymer ensures that this polymer remains in the manufacture of the plastic covering of the bonding channel is limited to the predetermined inner space of the ring and hence the external contact areas of the patterned metal layer are protected from the Kunststoffabdeckmasse, since the propagation of Kunststoffabdeckmasse by is limited to the ring of solder resist polymer and hindered.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umgeben drei Lötstoppflecken jede der Außenkontaktflächen. In a further embodiment of the invention, three Lötstoppflecken surrounding each of the outer contact areas. Dieses hat ähnlich wie ein Ring den Vorteil, dass der Lötball beim Einschmelzen und Anlöten in seiner Form stabil bleibt und nicht auseinanderfließt. This is similar to a ring the advantage that the solder ball remains stable during melting and soldering in its form and not deal flows. Gegenüber dem Ring haben die drei Lötstoppflecken den Vorteil, dass der Anteil an Lötstoppschicht auf der Unterseite der Lötstopp-Platte vermindert wird. Opposite the ring have the three Lötstoppflecken that the proportion of the solder resist layer is decreased to the bottom of the solder resist plate advantage.
  • Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die Umverdrahtungsplatte Leiterbahnbrücken über einer Bondkanalöffnung aufweist, die auf Kontaktflächen des Halbleiterchips gebonded sind. A further embodiment of the invention provides that the rewiring conductor bridges having about a bonding channel opening, which are bonded to contact pads of the semiconductor chip. Eine derartige Bondtechnik hat den Vorteil, dass keine Bonddrähte einzusetzen sind und somit die Bondenden unmittelbar in die Leiterbahnbrücken übergehen. Such a bonding technique has the advantage that no bonding wires are to be used, and thus the bonding ends pass directly into the conductor bridges. Damit kann die Höhe des Bauteils weiter vermindert werden, da in dem Bereich des Bondkanals die Höhe der Kunststoffabdeckmasse minimiert werden kann. Thus the height of the component can be further reduced, since in the area of ​​the bonding channel the amount of Kunststoffabdeckmasse can be minimized.
  • Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die Umverdrahtungsplatte Bonddrähte aufweist, die zwischen den Bondenden der Umverdrahtungsleitungen und Kontaktflächen auf dem Halbleiterchip in einem Bondkanal angeordnet sind und elektrisch die Außenkontaktflächen mit der elektronischen Schaltung auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips verbinden. A further embodiment of the invention provides that the rewiring bonding wires which are arranged between bonding ends of the wiring lines and contact surfaces on the semiconductor chip in a bonding channel and electrically connect the outer contact surfaces of the electronic circuit on the active top side of the semiconductor chip. Bei dieser Technik kann mit normalen Bondanlagen die Verbindung zwischen den Kontaktflächen auf der Oberseite des Halbleiterchips und den Außenkontaktflächen über Bonddrähte und Umverdrahtungsleitungen geschaffen werden. In this technique with normal bond systems, the connection between the contact pads on the top surface of the semiconductor chip and the external contact areas of bonding wires and wiring lines can be created. Ein weiterer Vorteil dieser Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass der Bondkanal aus der Umverdrahtungsplatte unmittelbar ausgestanzt werden kann, ohne Rücksicht auf Leiterbahnbrücken, die den Bondkanal in der obenerwähnten alternativen Technologie überspannen. Another advantage of this embodiment of the invention is that the bonding channel from the rewiring can be immediately punched out, regardless of conductor bridges which span the bonding channel in the above-mentioned alternative technology.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die Umverdrahtungsplatte eine Kernplatte aus einem glasfaserverstärkten, duroplastischen Kunststoff auf. In a further embodiment of the invention, the rewiring on a core plate of a glass fiber reinforced thermoset plastic. Durch die Glasfaser kann der duroplastische Kunststoff in seinem Ausdehnungsverhalten eingestellt werden. Through the glass fiber to the thermosetting resin can be adjusted in its expansion behavior. Es kann das duroplastische Kunststoffmaterial bis zu 80 Vol.% an Glasfasermaterial enthalten. It may contain up to 80 vol.% Of fiber material, the thermosetting plastic material. Mit einem derartigen Füllgrad des duroplastischen Kunststoffes ist es möglich, das Ausdehnungsverhaltung der Kernplatt an den thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Halbleiterchips anzunähern. With such a degree of filling of the thermosetting resin, it is possible to approximate the Ausdehnungsverhaltung the core slab to the thermal expansion coefficient of the semiconductor chip.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die doppelseitig klebende Folie ein Kernmaterial aus einem Polytetrafluorethylengewebe auf, das beidseitig von einem Klebstoff auf Epoxidharzbasis beschichtet ist. In a further embodiment of the invention, the double-sided adhesive film on a core material made of a polytetrafluoroethylene, which is coated on both sides of an adhesive based on epoxy resin. Eine derartige doppelseitig klebende Folie ist mit ihren Klebstoffschichten zähviskos und kann somit verbleibende Fehlanpassungen zwischen dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Umverdrahtungsplatte und dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Halbleiterchips ausgleichen. Such a double-sided adhesive foil is highly viscous with their adhesive layers, and thus can compensate for residual mismatch between the thermal expansion coefficients of the rewiring and the thermal expansion coefficient of the semiconductor chip. Damit wird gleichzeitig die Ausfallrate für elektronische Bauteile bei thermischer Belastung vermindert. Thus the failure rate of electronic components is reduced under thermal stress simultaneously.
  • Die Bondenden und/oder die Außenkontaktflächen sind mit einem kupferdiffusionshemmenden Metall und mit einem Edelmetall in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung beschichtet. The bonding member and / or the outer contact surfaces are coated with a copper-diffusion-inhibiting metal, and with a noble metal in a further embodiment of the invention. Diese Materialkombination verhindert, dass Kupfer insbesondere zu den Bondverbindungen diffundieren kann und damit die Bondverbindung verspröden könnte, so dass ein derartiges Bauelement mit derartig veredelten Bondflächen eine größere Lebensdauer erwarten läßt. This material combination prevents copper can diffuse to the bonds in particular and the bond could become brittle, so that makes such a device with such refined Bond faces a good life expectancy. In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist das kupferdiffusionshemmende Metall Nickel oder eine Legierung desselben auf, während die Edelmetallbeschichtung aus Gold oder Silber oder Legierungen derselben bestehen kann. In a further embodiment of the invention, the copper diffusion preventive metal is nickel or an alloy thereof, while the noble metal coating of gold or silver or alloys thereof may be made.
  • Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft einen Systemträger für mehrere elektronische Bauteile. Another aspect of the invention relates to a system carrier for a plurality of electronic components. Dazu weist der Systemträger auf seiner Oberseite mehrere Bauteilpositionen zum Positionieren einer doppelseitig klebenden Folie und zum Anbringen jeweils eines Halbleiterchips in jeder Bauteilposition auf. For this purpose, the system carrier on its upper surface a plurality of device positions for positioning a double-sided adhesive sheet and for attaching each of a semiconductor chip in each device position. Auf der Unterseite weist der Systemträger auf einer Kernplatte eine strukturierte Metallbeschichtung auf, die in jeder Bauteilposition Umverdrahtungsleitungen mit jeweils einem Bondende und einer Außenkontaktfläche aufweist. On the bottom side of the system carrier on a core plate of a patterned metal coating which has in each component position wiring lines each having a bonding end and an outer contact surface. Jede Umverdrahtungsleitung ihrerseits weist an ihrem Übergang zu dem Bondende und/oder an ihrem Übergang zu der Außenkontaktfläche jeweils eine Lötstoppfläche auf. Each redistribution in turn has at its transition to the bonding end and / or at its transition to the outer contact face in each case a Lötstoppfläche.
  • Der Vorteil dieses Systemträgers ist es, dass er nur noch einseitig und nur noch partiell Lötstoppflächen aufweist. The advantage of this system carrier is that it has only one side and only partially Lötstoppflächen. Er hat weder auf seiner Oberseite eine geschlossene Lötstoppschicht, noch auf seiner Unterseite und damit auf den Umverdrahtungsleitungen eine in sich geschlossene Lötstoppschicht. He has neither on its top a closed solder resist, nor on its underside and the rewiring a self-contained solder resist layer. Somit wird das Ausdehnungsverhalten nur von der Kernplatte aus glasfaserverstärkter Kunststoffmasse bestimmt, die im wesentlichen auf das Ausdehnungsverhalten des Halbleiterchips abgestimmt ist. Thus, the expansion behavior is determined only by the core plate made of glass fiber reinforced plastics material which is substantially matched to the expansion behavior of the semiconductor chip.
  • Eine Verwölbung des Systemträgers ist somit nicht mehr möglich. Warpage of the lead frame is no longer possible. Auch Maßnahmen durch Mehrschichtigkeit und Symmetrie, um eine Verwölbung zu vermeiden, sind nicht mehr erforderlich. Also measures by multiple layers and symmetry to prevent warping, are no longer necessary. Dieser Systemträger kann folglich mit weniger Verfahrensschritten und mit geringerer Dicke hergestellt werden. This system module can thus be prepared with less process steps and with reduced thickness. Aufgrund der isolierten Lötstoppflächen bleibt der Systemträger formstabil und eben und wird nicht während des Herstellungsverfahrens verbogen oder verwölbt, so dass Halbleiterchips auf ihm zuverlässig plaziert werden können. Due to the isolated Lötstoppflächen the system carrier remains dimensionally stable and flat and is not bent or warped so that semiconductor chips can be placed reliably on it during the manufacturing process. Die Ausfallwahrscheinlichkeit eines derartig strukturierten Systemträgers ist somit vermindert. The probability of failure of such a structured lead frame is thus reduced. Die Produktivität des Herstellungsverfahrens mit einem derartigen Systemträger für elektronische Bauteile wird damit gleichzeitig erhöht. The productivity of the manufacturing process with such a system carrier for electronic components is thus increased simultaneously.
  • In einer weiteren Ausführungsform des Systemträgers weisen die Lötstoppflächen lediglich Lötstoppflächen auf, welche die Umverdrahtungsleitung an ihrem Übergang zu den Bondenden und an ihrem Übergang zu den Außenkontaktflächen abdecken. In a further embodiment of the system support the Lötstoppflächen only have Lötstoppflächen covering the redistribution at its transition to the bonding member and at its transition to the external contact areas. Damit wird sichergestellt, dass beim Einlöten der Lötbälle, das heißt der Außenkontakte auf den Außenkontaktflächen, die Umverdrahtungsleitungen geschützt bleiben. This ensures that when soldering the solder balls, that is the external contacts on the external contact surfaces remain protected rewiring. Gleichzeitig kann sich das Lot nicht auf den Umverdrahtungsleitungen ausdehnen und damit die Höhe der Außenkontakte vermindern. At the same time, the solder can not expand the rewiring lines and thus reduce the amount of external contacts.
  • In einer weiteren Ausführungsform des Systemträgers sind die Lötstoppflächen Lötstoppringe, die mindestens jede Außenkontaktfläche ringförmig umgeben. In a further embodiment of the system support the Lötstoppflächen Lötstoppringe surrounding at least each outer contact surface are annular. Mit diesem Systemträger wird sichergestellt, dass eine Vielzahl von Lötbällen auf den Außenkontaktflächen gleichzeitig verteilt werden können, ohne dass sich das Lot über die Lötstoppringe hinaus ausbreiten kann. With this system, carriers will ensure that a large number of solder balls on the external contact areas can be distributed simultaneously without the solder can spread over the Lötstoppringe out.
  • In einer weiteren Ausführungsform des Systemträgers ist im Bereich eines zentralen Bondkanals einer jeden Bauteilposition ein den Bondkanal umgebender Ring aus einem Lötstopp- Polymer angeordnet. In a further embodiment of the system carrier in the region of a central bonding channel of each component position surrounding the bonding channel ring is arranged from a solder resist polymer. Diese Anordnung eines Ringes aus einem Lötstopp-Polymer um den Bondkanal herum hat den Vorteil, dass beim Abdecken des Bondkanals mit einer Kunststoffabdeckmasse, diese Kunststoffabdeckmasse auf den Bereich des Bondkanals beschränkt werden kann, da der den. This arrangement of a ring made of a solder resist polymer to the bonding channel around has the advantage that when covering the bonding channel, this Kunststoffabdeckmasse can be limited to the area of ​​the bonding channel with a Kunststoffabdeckmasse because of the. Bondkanal umgebende Ring aus einem Lötstopp-Polymer ein Ausbreiten der Kunststoffabdeckmass~ in Richtung auf die Außenkontaktflächen des Systemträgers verhindert. Bonding channel surrounding ring of a solder resist polymer to spread the Kunststoffabdeckmass ~ prevented in the direction of the external contact areas of the system carrier.
  • In einer weiteren Ausführungsform des Systemträgers ist jede Außenkontaktfläche von mindestens drei Lötstoppflecken umgeben. In a further embodiment of the system carrier, each external contact area is surrounded by at least three Lötstoppflecken. Derartige Lötstoppflecken, die gleichmäßig auf den Umfang der Außenkontaktfläche verteilt sind, erfüllen eine ähnliche Funktion wie die Lötstoppringe, haben jedoch den Vorteil, dass die Unterseite der Umverdrahtungsplatte mit weniger Lötstopp-Polymer bedeckt ist. Such Lötstoppflecken which are distributed uniformly on the circumference of the outer contact surface, perform a similar function as the Lötstoppringe, but have the advantage that the underside of the rewiring plate is covered with less solder resist polymer.
  • Sobald die Außenkontaktflächen und die Bondenden frei zugänglich sind, kann ein kupferdiffusionshemmendes Metall und ein Edelmetall auf den Außenkontaktflächen und auf den Bondenden abgeschieden werden. As soon as the outer contact surfaces and the bonding ends are freely accessible, a copper diffusion-inhibiting metal, and a noble metal can be deposited on the external contact areas and on the bond ends. Damit werden diese Flächen veredelt, vor Oxidation geschützt und eine Diffusion von Kupfer, beispielsweise in dem empfindlichen Bondbereich, wird verhindert. Thus, these surfaces are coated, protected against oxidation and diffusion of copper, for example in the sensitive bond area is prevented. Gleichzeitig wird durch die Veredelung der Oberseite, beispielsweise durch eine Gold- oder Silberlegierungsbeschichtung, die Zwischenlagerfähigkeit eines derartigen Systemträgers verlängert. At the same is extended through the finishing of the top, for example, by a gold or silver-alloy coating, the intermediate bearing capability of such a system carrier.
  • Zur Herstellung eines Systemträgers wird zunächst eine Kernplatte aus glasfaserverstärktem Kunststoff mit einer strukturierten Metallschicht auf der Unterseite bereitgestellt. For the preparation of a leadframe a core plate made of glass fiber reinforced plastics is first provided with a patterned metal layer on the bottom. Diese Kernplatte weist auf ihrer Unterseite Umverdrahtungsleitungen mit Bondenden und mit Außenkontaktflächen in mehreren Bauteilpositionen auf. These core plate has on its underside with rewiring Bond ends and with external contact areas in a plurality of device positions. Auf die Unterseite der Kernplatte wird eine in Lötstoppflächen strukturierte Lötstopp-Polymerschicht aufgebracht, wobei gleichzeitig die Bondenden und die Außenkontaktflächen freigelegt werden. a structured in Lötstoppflächen solder resist polymer layer is applied to the bottom of the core plate, at the same time are exposed, the bonding member and the outer contact areas. Danach wird mindestens eine Durchgangsöffnung in jeder Bauteilposition als Bondkanal eingebracht. Thereafter, at least one through opening is introduced into each component position as the bonding channel.
  • Mit einem derartigen Verfahren wird die Herstellung des Systemträgers vereinfacht, zumal auf thermischen kompensierende Schichten auf der Oberseite des Systemträgers verzichtet wird und lediglich die Lötstoppschicht auf der Unterseite des Systemträgers stärker als bisher strukturiert wird. With such a method the manufacture of the lead frame is simplified, especially since dispensed thermal compensating layers on the top side of the system carrier and only the solder resist layer on the bottom side of the system carrier is stronger than previously patterned. Als weiterer Schritt nach dem Freilegen der Bondenden und/oder der Außenkontaktflächen kann sich eine Veredelung dieser Oberflächen durch Aufbringen einer kupferdiffusionshemmenden Metallschicht und einer Edelmetallschicht anschließen. As a further step after exposing the bonding member and / or the outer contact surfaces, a finishing of these surfaces by applying a copper diffusion-inhibiting metal layer and a noble metal layer may be followed. Für das Anbringen der Außenkontakte auf den Außenkontaktflächen kann ein Flussmittel auf die Außenkontaktflächen nach Freilegen dieser Außenkontaktflächen aufgebracht werden. For attaching the outer contacts to the outer contact surfaces of a flux can be applied to the external contact areas by exposing said external contact surfaces.
  • Sofern für das Herstellen des elektronischen Bauteils eine Bonddrahtverbindung im Bondkanal vorgesehen ist, kann durch einfaches Stanzen das Einbringen einer Bondkanalöffnung in jeder Bauteilposition erfolgen. a bonding wire connecting the bonding channel is provided provided for producing the electronic component, the introduction of a bonding channel opening may take place by simple punching in each device position. Soll jedoch eine Bondverbindung mit Hilfe von Leitungsbrücken über der Bondkanalöffnung durchgeführt werden, so erfolgt das Einbringen einer Bondkanalöffnung in jeder Bauteilposition des Systemträgers mittels einer Laserabtragtechnik. However, if a bonding connection by means of cable bridges are performed through the bonding channel opening, so the introduction of a bonding channel opening is performed in every part position of the system carrier by means of a Laserabtragtechnik. Diese Technik hat den Vorteil, dass sie die Strukturierung der Metallbeschichtung auf dem Kernmaterial schont und lediglich das Kernmaterial im Bereich der Bondkanalöffnung abträgt. This technique has the advantage of being easy on the structuring of the metal coating on the core material and only erodes the core material in the bonding channel opening.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils weist außer den obenerwähnten Verfahrensschritten zur Herstellung eines Systemträgers zusätzliche Verfahrensschritte auf. A method for manufacturing an electronic component includes additional process steps other than the above-mentioned process steps for making a leadframe. Nach dem Bereitstellen eines Systemträgers wird als nächstes eine strukturierte, doppelseitig klebende Folie mit Bondkanalöffnungen in jeder Bauteilposition auf die Oberseite des Systemträgers aufgebracht. After providing a system carrier a structured double-sided adhesive film with a bonding channel openings in each device position is applied to the upper surface of the leadframe next. Anschließend werden Halbleiterchips mit ihren aktiven Oberseiten auf die doppelseitig klebende Folie in jeder Bauteilposition aufgebracht. Subsequently, semiconductor chips are applied to the double-sided adhesive foil in each device position with its active upper sides. Danach werden Bondverbindungen zwischen den Umverdrahtungsleitungen auf der Unterseite des Systemträgers und Kontaktflächen auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips im Bereich des Bondkanals in jeder Bauteilposition des Systemträgers hergestellt. Thereafter bonding connections between the wiring lines on the bottom side of the leadframe and contact areas on the active top side of the semiconductor chips are produced in the area of ​​the bonding channel in each position component of the system carrier.
  • Nach dem Herstellen der Bondverbindung wird der Bondkanal mit einer Kunststoffabdeckmasse in jeder Bauteilposition des Systemträgers aufgefüllt. After the production of the bond connection, the bonding channel is filled with a Kunststoffabdeckmasse in each component position of the system carrier. Nach diesem Schritt kann das Auftrennen des Systemträgers mit mehreren Halbleiterchips in einzelne elektronische Bauteile erfolgen. After this step, the separation of the lead frame can be made into individual electronic components with a plurality of semiconductor chips. Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass preiswert elektronische Bauteile hergestellt werden können, die einerseits weniger Funktionsfehler zeigen, da ein Systemträger eingesetzt wird, der vor Verwölbungen bei thermischer Belastung geschützt ist, und zum anderen hat dieses Verfahren den Vorteil, dass hiermit elektronische Bauteile hergestellt werden können, die lediglich aus dem Halbleiterchip und einer Umverdrahtungsplatte bestehen, wobei der Halbleiterchip die Umverdrahtungsplatte trägt. This method has the advantage that inexpensive electronic components can be prepared, on the one hand show less malfunction as a system carrier is used which is protected from warping under thermal stress, and on the other hand, this method has the advantage that hereby electronic components are manufactured may consist only of the semiconductor chip and a rewiring, wherein the semiconductor chip transmits the rewiring.
  • Derartige Bauteile sind insbesondere dann vorteilhaft, wenn die erforderliche Halbleiterfläche für eine entsprechende Schaltung, wie einer Logikschaltung oder einer Speicherschaltung oder für entsprechende Sensorschaltungen, eine Größe erreicht, bei welcher der Halbleiterchip die maßgebende Flächenausdehnung für das Gehäuse des elektronischen Bauteils darstellt. Such components are particularly advantageous when the required semiconductor surface for a corresponding circuit as a logic circuit or a memory circuit or for respective sensor circuits, a size is reached, in which the semiconductor chip constitutes the surface area for the housing of the electronic component.
  • In einem Ausführungsbeispiel der des erfindungsgemäßen Verfahrens können zum Herstellen von Bondverbindungen zwischen den Bondenden auf der Unterseite des Systemträgers und den Kontaktflächen auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips Leitungsbrücken, die den Bondkanal in jeder Bauteilposition überbrücken, auf die Kontaktflächen gebonded werden. In one embodiment of the method according to the invention can be bonded to the contact areas for making bonds between the bonding member on the underside of the lead frame and the contact areas on the active top side of the semiconductor chip jumpers, which bridge the bonding channel in each device position. Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass keine Bonddrähte einzusetzen sind. This method has the advantage that no bonding wires are to be used. Diese Bauteile können im Bereich des Bondkanals äußerst flach ausgebildet werden, da die Leiterbahnbrücken verlängerte Umverdrahtungsleitungen sind, die über den Bondkanal geführt werden und eine Sollbruchstelle aufweisen, die beim Bonden durchbrochen wird. These components can be formed extremely flat in the area of ​​the bonding channel, since the conductor bridges are extended wiring lines, which are guided through the bonding channel, and have a predetermined breaking point, which is broken during bonding. Somit ist die Höhe der Bondverbindungsschleifen nicht höher als die Ebene der Metallschicht für die Umverdrahtungsleitungen. Thus, the height of the bond loops is not higher than the plane of the metal layer for the wiring lines.
  • Ein weiteres Durchführungsbeispiel des Verfahrens sieht vor, dass zum Herstellen von Bondverbindungen zwischen den Bondenden auf der Unterseite des Systemträgers und Kontaktflächen auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips Bonddrähte durch ein Thermosonicbonden, ein Ultraschallbonden oder ein Thermokompressionsbonden aufgebracht werden. Another exemplary implementation of the method provides that for the production of bonds between the bonding member on the underside of the leadframe and contact areas on the active top side of the semiconductor chip bonding wires by a thermosonic bonding, ultrasonic bonding or thermocompression bonding can be applied. Diese Bondtechniken haben sich bewährt und führen zu einer zuverlässigen Bondverbindung zwischen den Bondenden der Umverdrahtungsleitungen und den Kontaktflächen des Halbleiterchips. These bonding techniques have proved effective and lead to a reliable bond between the bonding ends of the wiring lines and the contact pads of the semiconductor chip.
  • Zum Auffüllen des mit Bondverbindungen ausgestatteten Bondkanals mit einer Kunststoffabdeckmasse in jeder Bauteilposition wird in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung eine Schablonendrucktechnik eingesetzt. To fill the equipped with bonds bonding channel with a Kunststoffabdeckmasse in each component position in a further embodiment of the invention, a stencil printing technique is used. Bei der Schablonendrucktechnik werden Schablonen über den. In the stencil printing technology template over the will. Systemträger gelegt, welche die Durchgangsöffnungen in den Bereichen aufweisen, in denen die Bondkanäle positioniert sind. System carrier set, which have the through holes in the areas in which the bonding channels are positioned. Durch Rakeln der Druckmasse beziehungsweise der Kunststoffabdeckmasse kann von der Schablone aus jeder Bondkanal mit der Kunststoffabdeckmasse gefüllt werden. By knife coating the pressure or the mass Kunststoffabdeckmasse can be filled from the template from each bonding channel with the Kunststoffabdeckmasse. Der Vorteil dieses Verfahrens ist, dass die Schablone als Maske mehrfach eingesetzt werden kann und keine verlorene Maske ist, wie bei Photolacktechniken herzustellen ist. The advantage of this method is that the mask can be used repeatedly as a mask, and no mask is lost, as is to be produced in photoresist techniques.
  • Bei einem weiteren Durchführungsbeispiel des Verfahrens kann auf der Oberseite des Systemträgers eine Kunststoffgehäusemasse aufgebracht werden, die entweder die Ränder der Halbleiterchips umgibt oder die gesamte Rückseite der Halbleiterchips mit abdeckt. In a further exemplary implementation of the method, a plastic housing composition may be applied to the upper side of the system carrier, which either surrounds the edges of the semiconductor chip or the entire back surface of the semiconductor chips with covers. Das Aufbringen der Kunststoffgehäusemasse kann mit Hilfe eines Spritzgußverfahrens erfolgen, bei dem eine einfache Spritzgußform aus lediglich einer Kavität die gesamte Oberseite des Systemträgers mit den Halbleiterchips abdeckt. The application of the plastic housing composition can be done using an injection molding method in which a simple injection mold consisting of only a cavity covering the entire upper side of the system carrier with the semiconductor chip. Nach Herstellung einer solchen geschlossenen Schicht aus Kunststoffgehäusemasse kann dann der Systemträger in Einzelbauteile getrennt werden. After producing such a closed layer of the plastic housing composition of the system support can then be separated into individual components.
  • Eine andere Möglichkeit besteht darin, dass lediglich die Zwischenräume zwischen den Halbleiterchips mit Kunststoffgehäusemasse aufgefüllt werden, so dass beim Zertrennen des Systemträgers in einzelne elektronische Bauteile die jeweiligen Halbleiterchips einen Kantenschutz aufweisen. Another possibility is that only the gaps between the semiconductor chips are filled with plastic housing composition, so that the respective semiconductor chips have an edge protector when dividing the system carrier into individual electronic components. Anstelle einer Hochdruck-Spritzgusstechnik zum Aufbringen der Kunststoffgehäusemasse kann auch ein Vakuumsdruckverfahren eingesetzt werden, bei dem unter Vakuum die Kunststoffgehäusemasse auf die mit Halbleiterchips bestückte Oberseite des Substratträgers gedruckt wird. Instead of a high-pressure injection molding technique for applying the plastic housing composition and a vacuum printing method may be used in which under vacuum, the plastic housing composition is printed on the semiconductor chip equipped with upper surface of the substrate support.
  • Noch vor dem Auftrennen des Systemträgers in einzelne Bauteile können Außenkontakte in Form von Lotbällen auf die Außenkontaktflächen aufgelötet werden. Before the separation of the leadframe into individual components external contacts in the form of solder balls can be soldered to the outer contact surfaces. Diese Verfahrensvariante hat den Vorteil, dass für einen gesamten Systemträger sämtliche elektronische Bauteile in den einzelnen Bauteilpositionen in einem Verfahrensschritt mit Außenkontakten versehen werden können. This process variant has the advantage that all the electronic components can be provided in the various component positions in one process step with external contacts for an entire system carrier.
  • Zusammenfassend ist festzustellen, dass der Schichtaufbau von BOC-Gehäusen mit einem Laminat als Umverdrahtungsplatte im allgemeinen aus folgendem Schichtaufbau von der Unterseite beginnend besteht. In summary, it should be noted that the layer structure of BOC-housings is composed starting from a laminate as rewiring generally of the following layer structure of the bottom. Zunächst eine Lötstoppschicht oder Lötstoppmaske, danach eine strukturierte Metallschicht aus Kupfer und schließlich eine Kernplatte aus glasfaserverstärktem Kunststoff und zum Abschluß erneut auf der Oberseite eine der Kernplatte eine Lötstoppschicht. First, a solder resist layer or solder mask, after a patterned metal layer of copper and finally a core plate made of glass fiber reinforced plastic and the outcome again to the top of one of the core plate, a solder resist layer. Die Lötstoppschicht auf der Oberseite Kernplatte hat jedoch keine Lötstoppfunktion, sondern weist lediglich die gleichen Materialeigenschaften wie die Lötstoppschicht auf der Unterseite in bezug auf das thermische Ausdehnungsverhalten auf, um eine thermische Fehlanpassung zwischen Kernplatte und Lätstoppschicht zu kompensieren. However, the solder resist layer on top of core plate has no Lötstoppfunktion, but merely has the same material properties as the solder resist layer on the bottom with respect to the thermal expansion behavior to compensate for the thermal mismatch between the core plate and Lätstoppschicht. Mit einem derartigen symmetrischen Aufbau wird ein Verwölben des Schichtaufbaus oder Laminatstreifens aufgrund der unterschiedlichen thermischen Bearbeitungsschritte, bei denen Temperatureinflüsse auftreten, vermindert. With such a symmetrical structure, a warping of the layered structure or laminate strip is due to the different thermal processing steps in which temperature effects occur, is reduced.
  • Um eine vollständige Symmetrie herzustellen, müßte auch eine Umverdrahtungsstruktur auf der Oberseite der Kernplatte vorgesehen werden, die jedoch ebenfalls keine Funktion hätte und lediglich für eine perfekte thermische Symmetrie vorzusehen ist. To establish a complete symmetry, a rewiring structure on top of the core plate would have to be provided, but also would have no function and is provided for a perfect thermal symmetry only. Jedoch ist die Dicke der Metallschicht für die Umverdrahtungsleitungen und die Flächendichte aus Umverdrahtungsleitung derart gering, dass auf eine gegenüberliegende Kupferschicht verzichtet werden kann. However, the thickness of the metal layer for the wiring lines and the areal density of redistribution is so small that can be dispensed with an opposing copper layer.
  • Während die Kernplatte das eigentliche Trägermaterial darstellt, bildet die strukturierte Metallschicht Kupferleiterbahnen und die Lötstoppschicht bildet eine Maske, um sicherzustellen, dass die Außenkontakte in Form von Lötbällen definiert auf die Kupferleiterbahnen aufbringbar sind. While the core plate constitutes the actual support material, forms the patterned metal layer of copper conductor tracks and the solder resist layer forms a mask to ensure that the external contacts in the form of solder balls defined on the copper traces can be applied to ensure. Durch die erfindungsgemäße Lösung wird auf der Lotballseite nur eine sehr geringe Menge an Lötstopp-Polymer aufgetragen. Due to the inventive solution, only a very small amount is applied on solder resist polymer on the Lotballseite. Auf der gegenüberliegenden Seite kann deshalb auf eine kompensierende Schicht wegen der nur sehr geringen Menge, die erfindungsgemäß nötig ist, verzichtet werden. On the opposite side can therefore be dispensed with a compensating layer because of the very small amount which is necessary according to the invention.
  • Die Lötstoppmaske befindet sich somit nur noch in derartigen Bereichen, in denen die Lotbälle angebracht werden, indem sie beispielsweise ringförmig oder mit drei Lötstoppflecken begrenzt werden. The solder mask is thus only in such areas where the solder balls are attached by being limited, for example annular or three Lötstoppflecken. Damit ist gewährleistet, dass eine problemlose Montage der Lotbälle und auch kein Verlaufen auf Leiterbahnen durch die klar definierten Grenzen in den Übergängen zur Umverdrahtungsleitung und auch keine Kurzschlüsse der Leiterbahnen untereinander durch Verlaufen des Lotes der Lötbälle auftreten kann. This ensures that a smooth installation of the solder balls and no running on conducting paths through the clearly defined boundaries in the transitions for redistribution and no shorts conductor paths together by running of the solder of the solder balls may occur. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass nun die doppelseitig klebende Folie direkt auf der Kernplatte aufgebracht werden kann. Another advantage is that now the double-sided adhesive film may be applied directly to the core plate. Durch das Verringern der Anteile der Lötstoppschicht auf der Umverdrahtungsplatte und durch das Weglassen der gegenüberliegenden Lötstoppschicht auf der Oberseite der Kernplatte ergeben sich zusammenfassend folgende Vorteile: By reducing the proportions of the solder resist layer on the rewiring and by the omission of the opposite solder resist layer on top of the core plate collectively result the following advantages:
    • 1. Das Herstellen der Umverdrahtungsplatte und des Systemträgers kann unter Einsparung eines Verfahrensschrittes, nämlich der Beschichtung der Oberseite mit einer Lötstoppschicht, schneller und damit kostensparender erfolgen. 1. The production of the rewiring of the system carrier and may be saving a process step, namely the coating of the upper side with a solder resist layer, faster and thus more cost-efficient.
    • 2. Die Haftung zwischen Umverdrahtungsplatte und doppelseitig klebender Folie kann verbessert werden, da die doppelseitig klebende Folie nun unmittelbar auf die Kernplatte aufgebracht werden kann und keine Lötstoppschicht, die schlechtere Hafteigenschaften aufweist, dazwischenliegt. 2. The adhesion between the rewiring and double-sided adhesive sheet can be improved since the double-sided adhesive film may be applied directly to the core plate and is now no solder resist layer having poorer adhesive properties therebetween.
    • 3. Die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit des elektronischen Bauteils wird erhöht, da eine hygroskopisch wirkende Lötstoppschicht auf der dem Halbleiterchip zugewandten Seite nicht mehr vorhanden ist. 3. The reliability and durability of the electronic component is increased as a hygroscopic acting solder resist layer on the side facing the semiconductor chip side is no longer present.
    • 4. Durch die Verringerung der Anzahl der aufeinander laminierten Schichten wird die Gefahr der Delamination verhindert. 4. By reducing the number of successive laminated layers, the risk of delamination is prevented.
    • 5. Aufgrund der geringeren Anzahl der wärmeisolierenden Schichten wird eine verbesserte Wärmeableitung erreicht. 5. Due to the lower number of heat insulating layers an improved heat dissipation is achieved.
  • Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsformen mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. The invention will now be explained in more detail by way of embodiments with reference to the accompanying drawings.
  • Fig. 1 zeigt einen schematischen Querschnitt eines Bereich eines elektronischen Bauteils einer ersten Ausführungsform der Erfindung, Fig. 1 shows a schematic cross section of a portion of an electronic component to a first embodiment of the invention,
  • Fig. 2 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teilbereichs eines elektronischen Bauteils einer zweiten Ausführungsform der Erfindung, Fig. 2 shows a schematic cross-sectional view of a portion of an electronic component to a second embodiment of the invention,
  • Fig. 3 zeigt eine schematische Unteransicht eines elektronischen Bauteils der zweiten Ausführungsform der Erfindung, Fig. 3 shows a schematic bottom view of an electronic component of the second embodiment of the invention,
  • Fig. 4 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teilbereichs eines elektronischen Bauteils einer dritten Ausführungsform der Erfindung, Fig. 4 shows a schematic cross-sectional view of a portion of an electronic component of a third embodiment of the invention,
  • Fig. 5 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teilbereichs eines elektronischen Bauteils einer vierten Ausführungsform der Erfindung, Fig. 5 shows a schematic cross-sectional view of a portion of an electronic component of a fourth embodiment of the invention,
  • Fig. 6 zeigt eine schematische Unteransicht eines elektronischen Bauteils einer fünften Ausführungsform der Erfindung, Fig. 6 shows a schematic bottom view of an electronic component of a fifth embodiment of the invention,
  • Fig. 7 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teilbereichs eines elektronischen Bauteils aus dem Stand der Technik. Fig. 7 shows a schematic cross-sectional view of a portion of an electronic component of the prior art.
  • Fig. 1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teilbereichs eines elektronischen Bauteils 1 einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Fig. 1 shows a schematic cross-sectional view of a portion of an electronic component 1 of a first embodiment of the invention. Das Bezugszeichen 2 kennzeichnet einen Halbleiterchip, auf dem eine Umverdrahtungsplatte 3 angeordnet ist. The reference numeral 2 denotes a semiconductor chip on which a rewiring plate 3 is arranged. Diese Umverdrahtungsplatte 3 ist ein Laminat aus mehreren Schichten. This rewiring plate 3 is a lamination of multiple layers. Das Bezugszeichen 21 kennzeichnet eine Kernplatte des Laminats, die aus einem glasfaserverstärkten Kunststoff aufgebaut ist. Reference numeral 21 denotes a core plate of the laminate, which is composed of a glass fiber reinforced plastic. Auf dieser Kernplatte 21 ist eine strukturierte Metallschicht 9 aufgebracht, die in Umverdrahtungsleitungen 8 strukturiert ist. On this core plate 21, a patterned metal layer 9 is deposited, which is structured in rewiring. 8 Von den Umverdrahtungsleitungen 8 ist jeweils ein Bondende 10 im Randbereich eines Bondkanals 15 angeordnet und jeweils eine Außenkontaktfläche an dem anderen Ende der Umverdrahtungsleitungen 8 angeordnet. Of the wiring lines 8, a bonding end 10 is in each case arranged in the edge region of a bonding channel 15 and arranged in each case one external contact area at the other end of the wiring lines. 8 Die in Fig. 1 gezeigte Ausführungsform der Erfindung weist sechzig Außenkontaktflächen auf, die auf der Umverdrahtungsplatte 3 in Zeilen und Spalten verteilt sind. The embodiment of the invention shown in Fig. 1 has sixty external contact areas, which are distributed on the rewiring 3 in rows and columns.
  • Das Bezugszeichen 5 kennzeichnet die aktive Oberseite des Halbleiterchips 2 , die mit einer elektronischen Schaltung versehen ist, deren Kontaktflächen 19 im Bondkanal 15 angeordnet sind. The reference numeral 5 identifies the active top side of the semiconductor chip 2, which is provided with an electronic circuit whose contact surfaces 19 are arranged in the bonding channel 15 °. Von den Kontaktflächen 19 führt ein Bonddraht 20 in dieser ersten Ausführungsform der Erfindung zu dem Bondende 10 einer Umverdrahtungsleitung 8 . Of the contact surfaces 19, a bonding wire 20 carries in this first embodiment of the invention, to the bonding end 10 of a redistribution. 8 Dieses Bondende 10 ist mit einer bondbaren Beschichtung 36 versehen, die in dieser Ausführungsform der Erfindung aus einer kupferdiffusionshemmenden Metallschicht 22 und einer darauf befindlichen Edelmetallbeschichtung 23 besteht. This bond end 10 is provided with a bondable coating 36 consisting in this embodiment of the invention consists of a copper-diffusion-inhibiting layer of metal 22 and a noble metal coating 23 thereon.
  • Die kupferdiffusionshemmende Schicht 22 weist in dieser Ausführungsform eine Nickellegierung auf, die dafür sorgt, dass keine Kupferatome zu der Bondverbindung 29 diffundieren können, so dass die Bondverbindung elastisch bleibt und nicht durch Bildung intermetallischer Phasen versprödet. The copper diffusion-inhibiting layer 22 in this embodiment, a nickel alloy, which ensures that no copper atoms to the bond 29 may be diffused, so that the bond remains flexible and does not become brittle intermetallic phases by formation.
  • Über die Umverdrahtungsleitung 8 ist die Kontaktfläche 19 des Halbleiterchips 2 mit der Außenkontaktfläche 11 und dem auf ihr positionierten Außenkontakt 30 verbunden. Via the redistribution 8, the contact surface 19 of the semiconductor chip 2 with the outer contact surface 11 and positioned on their outer contact 30 is connected. Somit können eine Vielzahl von mikroskopisch kleinen Kontaktflächen 19 im Bondkanal 15 zu makroskopisch großen Außenkontaktflächen 11 und Außenkontakten 30 mit Hilfe der Umverdrahtungsplatte 3 geführt werden. Thus, 3 are guided a plurality of microscopically small contact surfaces 19 in the bonding channel 15 to macroscopically large outer contact surfaces 11 and external contacts 30 by means of the rewiring. In diesem Zusammenhang ist unter mikroskopisch klein eine Dimension zu verstehen, die im Mikrometerbereich liegt und nur unter einem Lichtmikroskop meßbar ist. In this context, microscopically small is understood to be a dimension which is in the micrometer range and can be measured only under a light microscope.
  • Unter makroskopisch groß werden Komponenten verstanden, die mit bloßem Auge sichtbar und meßbar sind. Under macroscopically large components are understood, which are visible and measurable with the naked eye.
  • Jeder Außenkontakt 30 auf der Außenkontaktfläche 11 ist von einem Ring aus einer Lötstoppschicht 28 umgeben. Each external contact 30 on the outer contact surface 11 is surrounded by a ring of a solder resist layer 28th Ein derartiger Lötstoppring 14 wirkt als Lötstoppmaske für den Außenkontakt 30 , der aus einem Lotball besteht. Such Lötstoppring 14 acts as a solder mask for the external contact 30, which consists of a solder ball. Der Lötstoppring 14 verhindert, dass sich beim Einlöten der Außenkontakte 30 auf der Außenkontaktfläche 11 das Lot auf die Umverdrahtungsleitung 8 verteilt und teilweise zwischen den Umverdrahtungsleitungen 8 Kurzschlüsse verursacht. The Lötstoppring 14 prevents the solder spreads during soldering of the external contacts 30 on the outer contact surface 11 on the redistribution line 8 and partly caused 8 short circuits between the wiring lines.
  • Die Außenkontakte 30 sind gleichzeitig mit den Bondenden 10 nach dem Aufbringen der Lötstoppringe 14 auf ihren Oberseiten durch eine Kombination aus kupferdiffusionshemmender Metallschicht 22 und Edelmetallschicht 23 veredelt. The external contacts 30 are finished simultaneously with the bonding ends 10 after applying the Lötstoppringe 14 on their top sides by a combination of copper diffusion-inhibiting layer of metal 22 and the noble metal layer 23rd Um ein sicheres Auflöten auf einer derartig veredelten Oberfläche zu gewährleisten, wird in den Bereichen der Außenkontaktflächen 11 eine Beschichtung 31 aus einem Fluss des einführen sind Sie mich mittel aufgebracht. In order to ensure a safe soldering on of such a finished surface, a coating applied in the areas of the outer contact surfaces 11 31 of a flow of the insert are me medium.
  • Das Bezugszeichen 17 kennzeichnet eine Kunststoffabdeckmasse, die im Bondkanal 15 angeordnet ist und die Bondverbindung 29 in Kunststoff einbettet. Reference numeral 17 denotes a Kunststoffabdeckmasse, which is arranged in the bonding channel 15 and the bonded connection 29 embedded in plastic. Diese Kunststoffabdeckmasse 17 kann noch vor dem Aufbringen und Einlöten der Außenkontakte 30 mittels Schablonendruck in den Bondkanal 15 eingebracht werden. This Kunststoffabdeckmasse 17 can be introduced before the application and soldering of the external contacts 30 by means of stencil printing in the bonding channel 15 °. Dabei muß die Kunststoffabdeckmasse 17 auf den Bereich des Bondkanals 15 begrenzt werden und darf nicht die Außenkontaktflächen 11 benetzen, da sonst ein Aufbringen der Außenkontakte 30 erschwert wird. The Kunststoffabdeckmasse 17 must be limited to the area of the bonding channel 15 and may not wet the outer contact surfaces 11, otherwise an application of the external contacts is difficult 30th
  • Wie die schematische Querschnittsansicht der Fig. 1 zeigt, ist dieser Gehäuseaufbau eines elektronischen Bauteils 1 äußerst kompakt, da unmittelbar auf der aktiven Oberseite 5 des Halbleiterchips 2 die Kernplatte 21 der Umverdrahtungsplatte 3 über eine doppelt klebende Folie 6 angeordnet ist. As the schematic cross-sectional view of FIG. 1, this housing structure of an electronic component 1 is very compact, since the core plate 21 of the rewiring plate 3 is disposed via a double-adhering foil 6 directly on the active top side 5 of the semiconductor chip 2. Ferner wird die Kompaktheit dieses Aufbaus dadurch erreicht, dass die Umverdrahtungsplatte 3 lediglich aus drei Schichten besteht, nämlich der Kernplatte 21 , der Metallschicht 9 und den Lötstoppflächen 12 . Further, the compactness of this structure is achieved in that the rewiring 3 only consists of three layers, namely, the core plate 21, the metal layer 9 and the Lötstoppflächen 12th Dabei sind die Lötstoppflächen 12 auf die notwendigen Bereiche als Lötstopplackflecken 13 oder Lötstopplackringe 14 um jede Außenkontaktfläche 11 begrenzt. The Lötstoppflächen 12 are limited to the necessary areas as Lötstopplackflecken Lötstopplackringe 13 or 14 to each outer pad. 11
  • Eine Verwölbung der Kernplatte 21 und damit eine Verwölbung der Umverdrahtungsplatte 3 ist aufgrund der Strukturierung sowohl der Metallschicht als auch der Lötstoppflächen 12 unterbunden. Warpage of the core plate 21, and thus warping of the rewiring plate 3 is prevented due to the structuring of the metal layer and the Lötstoppflächen 12th Dies hat besondere Vorteile für die Zuverlässigkeit des elektronischen Bauteils 1 , für die Lebensdauer des elektronischen Bauteils 1 und insbesondere für die Bereitstellung der Umverdrahtungsplatte 3 , die ein Teil eines Systemträgers 24 für mehrere elektronische Bauteile 1 ist. This has particular advantages for the reliability of the electronic component 1, for the lifetime of the electronic component 1 and in particular for providing the rewiring plate 3, which is a part of a lead frame 24 for a plurality of electronic components. 1 Dieser Systemträger 24 kann aufgrund dieser erfindungsgemäßen Stukturierung sowohl der Metallschicht 9 als auch der Lötstoppflächen 12 vollständig eben hergestellt werden, so dass eine parallele Herstellung von mehreren elektronischen Bauteilen 1 gleichzeitig möglich wird. This system carrier 24 can be precisely made entirely due to this structuring is according to the invention both the metal layer 9 and the Lötstoppflächen 12 so that parallel manufacture of a plurality of electronic components 1 is simultaneously possible.
  • Fig. 2 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teilbereichs eines elektronischen Bauteils 1 einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Fig. 2 shows a schematic cross-sectional view of a portion of an electronic component 1 of a second embodiment of the invention. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in Fig. 1 werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Components having the same functions as in Fig. 1 are identified with same reference numerals and are not discussed.
  • Ein Unterschied zwischen der ersten Ausführungsform nach Fig. 1 und der zweiten Ausführungsform nach Fig. 2 besteht im wesentlichen darin, dass die Ausbreitung der Kunststoffabdeckmasse 17 für den Bondkanal 15 durch einen Ring 16 , der den Bondkanal 15 umgibt, begrenzt wird. A difference between the first embodiment shown in FIG. 1 and the second embodiment shown in Fig. 2 consists essentially in the fact that the spread of the Kunststoffabdeckmasse 17 for the bonding channel 15 by a ring 16 that surrounds the bonding channel 15 is limited. Damit wird gewährleistet, dass beim Schablonendruck der Kunststoffabdeckmasse 17 für den Bondkanal 15 das Ausbreiten der Kunststoffabdeckung definiert begrenzt wird und somit die Außenkontaktflächen 11 vor der Kunststoffabdeckmasse 17 für den Bondkanal 15 geschützt bleiben. So that the spreading of the plastic cover is limited defined in stencil printing of Kunststoffabdeckmasse 17 for the bonding channel 15 and thus the external contact areas 11 remain protected from the Kunststoffabdeckmasse 17 for the bonding channel 15 is ensured.
  • Fig. 3 zeigt eine schematische Untersicht eines elektronischen Bauteils 1 der zweiten Ausführungsform der Erfindung. Fig. 3 shows a schematic bottom view of an electronic component 1 of the second embodiment of the invention. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Components having the same functions as in the previous figures are identified by like reference numerals and are not discussed.
  • Auf der schematischen Untersicht eines elektronischen Bauteils 1 nach der zweiten Ausführungsform der Erfindung sind einerseits die Lötstoppringe 14 um jede der Außenkontaktflächen 11 zu sehen. In the schematic bottom view of an electronic component 1 according to the second embodiment of the invention, the Lötstoppringe one hand 14 to see each of the external contact areas. 11 Ferner wird ein Ring 16 aus Lötstopp- Polymer um den Bondkanal 15 gezeigt. Further, a ring 16 is shown made of solder resist polymer to the bonding channel 15 °. Die Außenkontakte 30 aus Lötbällen 33 sind in zehn Zeilen 37 und sechs Spalten 38 auf der Unterseite des elektronischen Bauteils 1 angeordnet. The external contacts 30 of solder balls 33 are arranged in ten rows 37 and six columns 38 on the underside of the electronic component. 1 Jeder Außenkontakt 30 ist über Umverdrahtungsleitungen 9 , den Bondenden 10 der Umverdrahtungsleitungen und über die Bonddrähte 20 mit Kontaktflächen 19 auf der Oberseite 5 des Halbleiterchips 2 verbunden. Each external contact 30 is connected via wiring lines 9, the bonding ends 10 of the wiring lines and the bonding wires 20 to contact pads 19 on the upper surface 5 of the semiconductor chip. 2 Der Umriß des Halbleiterchips 2 ist durch eine strichpunktierte Linie 39 markiert. The outline of the semiconductor chip 2 is marked by a dash-dotted line. 39 Aufgrund der Kunststoffabdeckmasse 17 in der Bondkanalöffnung 18 sind die dort skizzierten Kontaktflächen 19 und die Bondverbindungen 29 nicht sichtbar, es sei denn die Kunststoffabdeckung ist transparent. Due to the Kunststoffabdeckmasse 17 in the bonding channel opening 18 which outlined there contact surfaces 19 and the bonds 29 are not visible unless the plastic cover is transparent.
  • Fig. 4 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teilbereichs eines elektronischen Bauteils 1 einer dritten Ausführungsform der Erfindung. Fig. 4 shows a schematic cross-sectional view of a portion of an electronic component 1 of a third embodiment of the invention. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Components having the same functions as in the previous figures are identified by like reference numerals and are not discussed.
  • Ein Unterschied der dritten Ausführungsform der Erfindung nach Fig. 4 gegenüber der zweiten Ausführungsform der Erfindung, wie sie in den Fig. 2 und 3 gezeigt wird, besteht darin, dass die Kanten 40 vom Außenrand 41 des Halbleiterchips 2 durch eine Kunststoffgehäusemasse 32 geschützt sind. A difference of the third embodiment of the invention according to Fig. 4 with respect to the second embodiment of the invention, as shown in FIGS. 2 and 3, is that the edges 40 are protected from the outer edge 41 of the semiconductor chip 2 by a plastic housing mass 32. Diese Kunststoffgehäusemasse kann noch vor dem Zersägen eines Systemträgers 24 in einzelne elektronische Bauteile 1 in die Zwischenräume zwischen den Halbleiterchips 2 auf der Oberseite 4 des Systemträgers 24 aufgebracht werden. This plastic housing composition can be applied into individual electronic components 1 in the spaces between the semiconductor chips 2 on the top side 4 of the leadframe 24 before the sawing of a leadframe 24th Die Phase 42 zum Brechen der Kunststoffkante kann durch Profilsägen beim Trennen des Systemträgers 24 in einzelne elektronische Bauteile 1 erreicht werden. The phase 42 for breaking the plastic edge profile can be achieved by sawing in separating the lead frame 24 into individual electronic components. 1
  • Fig. 5 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teilbereichs eines elektronischen Bauteils 1 einer vierten Ausführungsform der Erfindung. Fig. 5 shows a schematic cross-sectional view of a portion of an electronic component 1 of a fourth embodiment of the invention. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Components having the same functions as in the previous figures are identified by like reference numerals and are not discussed.
  • Ein Unterschied zwischen der vierten Ausführungsform der Erfindung und der dritten Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass nicht nur ein Kantenschutz durch eine Kunststoffgehäusemasse 32 bei diesem elektronischen Bauteil 1 gewährleistet wird, sondern auch die Rückseite des Halbleiterchips 2 durch die Kunststoffgehäusemasse 32 geschützt wird. A difference between the fourth embodiment and the third embodiment of the invention is that not only an edge protection is ensured by a plastic housing composition 32 in this electronic component 1, but also the back of the semiconductor chip 2 is protected by the plastic housing composition 32nd Diese Kunststoffgehäusemasse 32 kann zunächst auf den Systemträger 24 als geschlossene Schicht auf die Oberseite des Systemträgers und die Rückseite 43 der Halbleiterchips 2 aufgebracht werden, so dass eine einfache Spritzgußform mit nur einer einzigen Kavität für alle elektronischen Bauteile erforderlich ist. This plastic housing composition 32 can first be applied to the system carrier 24 as a closed layer on the upper side of the system carrier and the back side 43 of the semiconductor chip 2, so that a simple injection mold with only one cavity is required for all electronic components.
  • Fig. 6 zeigt eine schematische Untersicht eines elektronischen Bauteils 1 einer fünften Ausführungsform der Erfindung. Fig. 6 shows a schematic bottom view of an electronic component 1 of a fifth embodiment of the invention. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Components having the same functions as in the previous figures are identified by like reference numerals and are not discussed.
  • Ein Unterschied zu den vorhergehenden Ausführungsformen besteht darin, dass bei der fünften Ausführungsform der Erfindung lediglich der Übergang von den Außenkontaktflächen 11 auf die Umverdrahtungsleitungen 8 mit einem Lötstoppflecken 13 als Lötstoppfläche 12 bedeckt ist. One difference from the previous embodiments is that in the fifth embodiment of the invention, only the transition from the outer contact surfaces 11 on the wiring lines 8 with a Lötstoppflecken 13 as Lötstoppfläche 12 is covered. Diese minimale Aufbringung eines Lötstoppfleckens am Übergang von der Außenkontaktfläche 11 zu den Umverdrahtungsleitungen 8 reicht aus, um das Lot des Lotballs auf die Außenkontaktflächen 11 zu beschränken. This minimal application of a Lötstoppfleckens at the transition from the outer contact surface 11 to the wiring lines 8 is sufficient to limit the solder of the solder balls to the external contact areas. 11 Insbesondere reicht es dann aus, wenn das Material der Kernplatte 21 kein Benetzen durch Lotmaterial zuläßt. Then, in particular, it is sufficient if the material of the core plate 21 does not permit wetting by solder material. Darüber hinaus weist die fünfte Ausführungsform, ähnlich wie die zweite, dritte und vierte Ausführungsform, einen Ring 16 aus Lötstopp-Polymer auf, der den Bondkanal 15 umgibt, um die Kunststoffabdeckmasse 17 für den Bondkanal 15 auf diesen zu beschränken. In addition, the fifth embodiment, similar to the second, third and fourth embodiment, a ring 16 made of solder resist polymer, which surrounds the bonding channel 15, 17 to limit the Kunststoffabdeckmasse for the bonding channel 15 thereon.
  • Fig. 7 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teilbereichs eines elektronischen Bauteils 1 aus dem Stand der Technik. Fig. 7 shows a schematic cross-sectional view of a portion of an electronic component 1 from the prior art. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Components having the same functions as in the previous figures are identified by like reference numerals and are not discussed.
  • Wie Fig. 7 zeigt, weist das elektronische Bauteil 1 zwei nahezu geschlossene Lötstoppschichten 34 und 35 auf, nämlich eine geschlossene obere Lätstoppschicht 34 , die zwischen der doppelseitig klebenden Folie 6 auf der Kernplatte 21 angeordnet ist und eine nahezu geschlossene Lötstoppschicht 35 auf der Unterseite der Kernplatte 21 auf. As shown in FIG. 7 shows, the electronic component 1, two nearly closed Lötstoppschichten 34 and 35, namely a closed upper Lätstoppschicht 34, which is arranged between the double-sided adhesive sheet 6 to the core plate 21 and a nearly closed solder resist layer 35 on the underside of the core plate 21. Durch diese zusätzlichen geschlossenen großflächigen Lötstoppschichten ist einerseits die Zuverlässigkeit des elektronischen Bauteils 1 gefährdet, da die Lötstoppschichten hygroskopisch sind. These additional closed large Lötstoppschichten the reliability of the electronic component 1 on the one hand at risk because the Lötstoppschichten are hygroscopic. Zum anderen ist das elektronische Bauteil 1 dicker, und zum weiteren sind zur Herstellung des elektronischen Bauteils 1 mehr Verfahrensschritte erforderlich als bei dem erfindungsgemäßen elektronischen Bauteil 1 . On the other hand, the electronic component 1 is thicker, and further more process steps for manufacturing the electronic component 1 as required in the inventive electronic device. 1 Bezugszeichenliste 1 elektronisches Bauteil Reference Signs List 1 electronic component
    2 Halbleiterchip 2 Semiconductor chip
    3 Umverdrahtungsplatte 3 rewiring
    4 Oberseite der Umverdrahtungsplatte 4 upper side of the rewiring
    5 aktive Oberseite des Halbleiterchips 5 active top side of the semiconductor chip
    6 doppelseitig klebende Folie 6 double-sided adhesive film
    7 Unterseite der Umverdrahtungsplatte 7 underside of the rewiring
    8 Umverdrahtungsleitungen 8 rewiring
    9 Metallschicht 9 metal layer
    10 Bondende 10 Bond End
    11 Außenkontaktfläche 11 external contact area
    12 Lötstoppfläche 12 Lötstoppfläche
    13 Lötstoppflecken 13 Lötstoppflecken
    14 Lötstoppringe 14 Lötstoppringe
    15 Bondkanal 15 Bond channel
    16 Ring um den Bondkanal 16 ring around the bonding channel
    17 Kunststoffabdeckmasse 17 Kunststoffabdeckmasse
    18 Bondkanalöffnung 18 Bond channel opening
    19 Kontaktflächen des Halbleiterchips 19 contact surfaces of the semiconductor chip
    20 Bonddrähte 20 bond wires
    21 Kernplatte 21 core plate
    22 kupferdiffusionshemmendes Metall(schicht) 22 copper diffusion-inhibiting metal (layer)
    23 Edelmetall(schicht) 23 noble metal (layer)
    24 Systemträger 24 system carrier
    25 Oberseite des Systemträgers 25 top side of the system carrier
    26 Bauteilpositionen 26 component positions
    27 Unterseite des Systemträgers 27 bottom side of the system carrier
    28 Lötstopp-Polymerschicht 28. The solder resist polymer layer
    29 Bondverbindungen 29 bonds
    30 Außenkontakte 30 external contacts
    31 Beschichtung aus Flußmittel 31 coating of flux
    32 Kunststoffgehäusemasse 32 plastic housing composition
    33 Lotbälle 33 solder balls
    34 obere Lötstoppschicht 34 upper solder resist layer
    35 untere Lötstoppschicht 35 lower solder resist layer
    36 bondbare Beschichtung 36 bondable coating
    37 Zeilen 37 lines
    38 Spalten 38 columns
    39 strichpunktierte Linie 39 dash-dotted line
    40 Kante 40 edge
    41 Außenrand 41 outer edge
    42 Phase 42 phase
    43 Rückseite des Halbleiterchips 43 rear side of the semiconductor chip

Claims (32)

  1. 1. Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip ( 2 ) und einer Umverdrahtungsplatte ( 3 ), wobei die Oberseite ( 4 ) der Umverdrahtungsplatte ( 3 ) mit der aktiven Oberseite ( 5 ) des Halbleiterchips ( 2 ) durch eine doppelseitig klebende Folie ( 6 ) verbunden ist, und wobei die Umverdrahtungsplatte ( 3 ) auf ihrer Unterseite ( 7 ) eine in Umverdrahtungsleitungen ( 8 ) strukturierte Metallschicht ( 9 ) aufweist, wobei jede Umverdrahtungsleitung ( 8 ) ein Bondende ( 10 ) und eine Außenkontaktfläche ( 11 ) aufweist, und wobei jede Umverdrahtungsleitung ( 8 ) an ihrem Übergang zu dem Bondende ( 10 ) und/oder an einem Übergang zu der Außenkontaktfläche ( 11 ) jeweils eine Lötstoppfläche ( 12 ) aufweist. 1. An electronic component comprising a semiconductor chip (2) and a rewiring plate (3), wherein the top surface (4) is connected to the rewiring plate (3) with the active top side (5) of the semiconductor chip (2) by a double-sided adhesive foil (6) and wherein the rewiring plate (3) on its underside (7) in rewiring lines (8) has structured metal layer (9), each redistribution (8), a bonding end (10) and an outer contact surface (11), and wherein each redistribution (8) comprises at its transition to the bonding end (10) and / or at a transition to the outer contact surface (11) each have a Lötstoppfläche (12).
  2. 2. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Lötstoppflächen ( 12 ) Lötstoppflecken ( 13 ) sind, welche die Umverdrahtungsleitung ( 8 ) an ihrem Übergang zu den Bondenden ( 10 ) und/oder an ihrem Übergang zu den Außenkontaktflächen ( 11 ) abdecken. 2. The electronic component according to claim 1, characterized in that the Lötstoppflächen (12) Lötstoppflecken (13) that the redistribution (8) at their transition to the bonding ends (10) and / or at its transition to the external contact areas (11) cover.
  3. 3. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Lötstoppflächen ( 12 ) Lötstoppringe ( 14 ) sind, die mindestens jede Außenkontaktfläche ( 11 ) ringförmig umgeben. 3. The electronic component of claim 1 or claim 2, characterized in that the Lötstoppflächen (12) Lötstoppringe (14) surrounding at least each outer contact surface (11) is annular.
  4. 4. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass im Bereich eines zentralen Bondkanals ( 15 ) der Umverdrahtungsplatte ( 3 ) ein den Bondkanal ( 15 ) umgebender Ring ( 16 ) aus einem Lötstopp-Polymer angeordnet ist, der eine Kunststoffabdeckmasse ( 17 ) des Bondkanals ( 15 ) örtlich begrenzt. 4. The electronic component according to claim 1 or claim 2, characterized in that in the region of a central bonding channel (15) of rewiring plate (3) the bonding channel (15) surrounding the ring (16) is arranged from a solder resist polymer having a Kunststoffabdeckmasse (17) of the bonding channel (15) locally.
  5. 5. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass jede Außenkontaktfläche ( 11 ) von mindestens drei Lötstoppflecken ( 13 ) umgeben ist. 5. The electronic component according to claim 4, characterized in that each outer contact surface (11) is surrounded by at least three Lötstoppflecken (13).
  6. 6. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Umverdrahtungsplatte ( 13 ) Leiterbahnbrücken über einer Bondkanalöffnung ( 18 ) aufweist, die auf Kontaktflächen ( 19 ) des Halbleiterchips ( 2 ) gebonded sind. 6. The electronic component according to any one of the preceding claims, characterized in that the rewiring (13) conductor bridges over a bonding channel opening (18), the contact surfaces (19) of the semiconductor chip (2) are bonded.
  7. 7. Elektronisches Bauteil einem der Anspruche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Umverdrahtungsplatte ( 3 ) Bonddrähte ( 20 ) aufweist, die zwischen den Bondenden ( 10 ) der Umverdrahtungsleitungen ( 8 ) und Kontaktflächen ( 19 ) auf dem Halbleiterchip ( 2 ) in einem Bondkanal ( 15 ) angeordnet sind und die Außenkontaktflächen ( 11 ) mit der elektronischen Schaltung auf der aktiven Oberseite ( 5 ) des Halbleiterchips ( 2 ) elektrisch verbinden. 7. The electronic component as in one of claims 1 to 5, characterized in that the rewiring plate (3) bonding wires (20) disposed between the bonding ends (10) of the rewiring lines (8) and contact surfaces (19) on the semiconductor chip (2) in a bonding channel (15) are arranged and the outer contact surfaces (11) connected to the electronic circuit on the active top side (5) of the semiconductor chip (2) electrically.
  8. 8. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Umverdrahtungsplatte ( 3 ) eine Kernplatte ( 21 ) aus einem glasfaserverstärkten duroplastischen Kunststoff aufweist. 8. The electronic component according to any one of the preceding claims, characterized in that the rewiring plate (3) has a core plate (21) of a glass fiber-reinforced thermosetting plastic.
  9. 9. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die doppelseitig klebende Folie ( 6 ) ein Kernmaterial aus einem Polytetrafluorethylengewebe aufweist, das beidseitig von einem Klebstoff auf Epoxidharzbasis beschichtet ist. 9. The electronic component according to any one of the preceding claims, characterized in that the double-sided adhesive foil (6) having a core material made of a polytetrafluoroethylene, which is coated on both sides of an adhesive based on epoxy resin.
  10. 10. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Bondenden ( 10 ) und/oder die Außenkontaktflächen ( 11 ) mit einem kupferdiffusionshemmenden Metall ( 22 ) und mit einem Edelmetall ( 23 ) beschichtet sind. 10. The electronic component according to any one of the preceding claims, characterized in that the bonding member (10) and / or the outer contact surfaces (11) having a copper diffusion preventive metal (22) and with a noble metal (23) are coated.
  11. 11. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das kupferdiffusionshemmende Metall ( 22 ) Nickel oder eine Legierung desselben aufweist. 11. The electronic component of claim 10, characterized in that the diffusion-inhibiting copper metal (22) comprises nickel or an alloy thereof.
  12. 12. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 10 oder Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Bondenden und/oder die Außenkontaktflächen als Edelmetallbeschichtung ( 23 ) Gold oder Silber oder Legierungen derselben aufweisen. 12. The electronic component of claim 10 or claim 11, characterized in that the bonding member and / or the outer contact surfaces of the noble metal coating (23) of gold or silver or alloys having the same.
  13. 13. Systemträger für mehrere elektronische Bauteile ( 1 ), wobei der Systemträger ( 24 ) auf seiner Oberseite ( 25 ) mehrere Bauteilpositionen ( 26 ) zum Positionieren einer doppelseitig klebenden Folie ( 6 ) und zum Anbringen jeweils eines Halbleiterchips ( 2 ) in jeder Bauteilposition ( 26 ) aufweist, und wobei der Systemträger ( 24 ) auf seiner Unterseite ( 27 ) auf einer Kernplatte ( 21 ) eine strukturierte Metallschicht ( 9 ) aufweist, die in jeder Bauteilposition ( 26 ) Umverdrahtungsleitungen ( 8 ) mit jeweils einem Bondende ( 10 ) und einer Außenkontaktfläche ( 11 ) aufweist, und wobei jede Umverdrahtungsleitung ( 8 ) an ihrem Übergang zu dem Bondende ( 10 ) und an ihrem Übergang zu der Außenkontaktfläche ( 11 ) jeweils eine Lötstoppfläche ( 12 ) aufweist. 13. The system carrier for a plurality of electronic components (1), wherein the system carrier (24) on its upper side (25) a plurality of device positions (26) for positioning a double-sided adhesive foil (6) and for attaching each of a semiconductor chip (2) in each device position ( 26), and wherein the system carrier (24) has on its underside (27) on a core plate (21) comprises a patterned metal layer (9) (in each device position 26) wiring lines (8) each having a bonding end (10) and having an outer contact surface (11), and wherein each redistribution (8) comprises at its transition to the bonding end (10) and at its transition to the outer contact surface (11) each have a Lötstoppfläche (12).
  14. 14. Systemträger nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Lötstoppflächen ( 12 ) Lötstoppflecken ( 13 ) sind, welche die Umverdrahtungsleitung ( 8 ) an ihrem Übergang zu dem Bondende ( 10 ) und/oder an ihrem Übergang zu der Außenkontaktfläche ( 11 ) abdecken. 14. The system carrier according to claim 13, characterized in that the Lötstoppflächen (12) Lötstoppflecken (13) covering the redistribution (8) at their transition to the bonding end (10) and / or at its transition to the outer contact surface (11) ,
  15. 15. Systemträger nach Anspruch 13 oder Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Lötstoppflächen ( 12 ) Lötstoppringe ( 13 ) sind, die mindestens jede Außenkontaktfläche ( 11 ) ringförmig umgeben. 15. The system carrier according to claim 13 or claim 14, characterized in that the Lötstoppflächen (12) Lötstoppringe (13) surrounding at least each outer contact surface (11) is annular.
  16. 16. Systemträger nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass im Bereich eines zentralen Bondkanals ( 15 ) einer jeden Bauteilposition ( 26 ) ein den Bondkanal ( 15 ) umgebender Ring ( 16 ) aus einem Lötstopp-Polymer angeordnet ist. 16. The system carrier according to any one of claims 13 to 15, characterized in that in the region of a central bonding channel (15) of each component position (26) the bonding channel (15) surrounding the ring (16) is arranged from a solder resist polymer.
  17. 17. Systemträger nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass jede Außenkontaktfläche ( 11 ) von mindestens drei Lötstoppflecken ( 13 ) umgeben ist. 17. The system carrier according to any one of claims 13 to 16, characterized in that each outer contact surface (11) of at least three Lötstoppflecken (13) is surrounded.
  18. 18. Systemträger nach einem der Ansprüche die 13 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Bondenden ( 10 ) und/oder die Außenkontaktflächen ( 11 ) mit einem kupferdiffusionshemmenden Metall ( 22 ) und mit einem Edelmetall ( 23 ) beschichtet sind. 18. The system carrier according to any one of claims 13 to 17, characterized in that the bonding member (10) and / or the outer contact surfaces (11) having a copper diffusion preventive metal (22) and with a noble metal (23) are coated.
  19. 19. Systemträger nach einem der Ansprüche 13 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass das kupferdiffusionshemmende Metall ( 22 ) Nickel oder eine Legierung desselben aufweist. 19. The system carrier according to any one of claims 13 to 18, characterized in that the diffusion-inhibiting copper metal (22) comprises nickel or an alloy thereof.
  20. 20. Systemträger nach einem der Ansprüche 13 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Bondenden ( 10 ) und/oder die Außenkontaktflächen ( 11 ) als Edelmetallbeschichtung ( 23 ) Gold oder Silber oder Legierungen derselben aufweisen. 20. The system carrier according to any one of claims 13 to 19, characterized in that the bonding member (10) and / or the outer contact surfaces (11) as the noble metal coating (23) of gold or silver or alloys having the same.
  21. 21. Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers, das folgende Verfahrensschritte aufweist: 21. A method of manufacturing a system carrier, comprising the steps of:
    - Bereitstellen einer Kernplatte ( 21 ) aus glasfaserverstärktem Kunststoff mit einer strukturierten Metallschicht ( 9 ), die Umverdrahtungsleitungen ( 8 ) mit Bondenden ( 10 ) und mit Außenkontaktflächen ( 11 ) in mehreren Bauteilpositionen ( 26 ) auf der Unterseite der Kernplatte ( 21 ) aufweist, Comprising providing a core plate (21) made of fiberglass reinforced plastic with a structured metal layer (9), the rewiring lines (8) with bonding ends (10) and with external contact areas (11) in a plurality of device positions (26) on the bottom of the core plate (21), -
    - Aufbringen einer in Lötstoppflächen ( 12 ) strukturierten Lötstopp-Polymerschicht ( 28 ) auf der Unterseite der Kernplatte ( 21 ) unter Freilassen der Bondenden ( 10 ) und der Außenkontaktflächen ( 11 ) für Bondverbindungen ( 29 ) bzw. für Außenkontakte ( 30 ) auf Enden der Umverdrahtungsleitungen ( 8 ), wobei die Lötstopplackflächen ( 12 ) mindestens die Übergänge von den Umverdrahtungsleitungen ( 8 ) zu den Außenkontaktflächen ( 11 ) bedecken, - (29) applying an in Lötstoppflächen (12) structured solder resist polymer layer (28) on the bottom of the core plate (21) while leaving the bonding ends (10) and the outer contact surfaces (11) for bonding connections or for external contacts (30) on ends the rewiring lines (8), wherein the Lötstopplackflächen (12) cover at least the transitions from the rewiring lines (8) to the outer contact surfaces (11),
    - Einbringen mindestens einer Durchgangsöffnung in jeder Bauteilposition ( 26 ) als Bondkanal ( 15 ). - introducing at least one through hole in each component position (26) as a bonding channel (15).
  22. 22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Freilegen der Bondenden ( 10 ) und/oder der Außenkontaktflächen ( 11 ) auf diese eine kupferdiffusionshemmende Metallschicht ( 22 ) und eine Edelmetallschicht ( 23 ) aufgebracht wird. 22. The method according to claim 21, characterized in that is applied after the exposure of the bonding member (10) and / or the outer contact surfaces (11) on this, a copper diffusion-inhibiting metal layer (22) and a noble metal layer (23).
  23. 23. Verfahren nach Anspruch 21 oder Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass eine Beschichtung ( 31 ) aus Flussmittel auf die Außenkontaktflächen ( 11 ) nach dem Freilegen der Außenkontaktflächen ( 11 ) aufgebracht wird. 23. The method of claim 21 or claim 22, characterized in that a coating (31) of flux to the outer contact surfaces (11) is applied after the exposure of the external contact areas (11).
  24. 24. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass das Einbringen einer Bondkanalöffnung ( 18 ) in jeder Bauteilposition ( 26 ) des Systemträgers ( 24 ) mittels Stanztechnik erfolgt. 24. The method according to any one of claims 21 to 23, characterized in that the introduction of a bonding channel opening (18) in each device position (26) of the system carrier (24) by means of stamping technology.
  25. 25. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass das Einbringen einer Bondkanalöffnung ( 18 ) in jeder Bauteilposition ( 26 ) des Systemträgers ( 24 ) mittels Laserabtrag erfolgt. 25. The method according to any one of claims 21 to 24, characterized in that the introduction of a bonding channel opening (18) in each device position (26) of the system carrier (24) by means of laser ablation.
  26. 26. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils, das folgende Verfahrensschritte aufweist, 26. A method for manufacturing an electronic component, comprising the following method steps,
  27. - Herstellen eines Systemträgers ( 24 ) nach einem der Ansprüche 21 bis 25, - manufacturing a system carrier (24) according to any one of claims 21 to 25,
    - Aufbringen einer strukturierten doppelseitig klebenden Folie ( 6 ) mit Bondkanalöffnungen ( 18 ) in jeder Bauteilposition ( 26 ) auf die Oberseite des Systemträgers ( 24 ), - applying a patterned double-sided adhesive foil (6) with bonding channel openings (18) in each device position (26) on the top side of the system carrier (24),
    - Aufbringen eines Halbleiterchips ( 2 ) mit seiner aktiven Oberseite ( 5 ) auf die doppelseitig klebende Folie ( 6 ) in jeder Bauteilposition ( 26 ), - applying a semiconductor chip (2) with its active upper side (5) on the double-sided adhesive foil (6) in each device position (26),
    - Herstellen von Bondverbindungen ( 29 ) zwischen den Umverdrahtungsleitungen ( 8 ) auf der Unterseite ( 27 ) des Systemträgers ( 24 ) und Kontaktflächen ( 19 ) auf der aktiven Oberseite ( 5 ) des Halbleiterchips ( 2 ) im Bereich des Bondkanals ( 15 ) in jeder Bauteilposition ( 26 ) des Systemträgers ( 24 ), - producing bonding connections (29) between the rewiring lines (8) on the underside (27) of the system carrier (24) and contact surfaces (19) on the active top side (5) of the semiconductor chip (2) in the region of the bonding channel (15) in each component position (26) of the system carrier (24),
    - Auffüllen des Bondkanals ( 15 ) mit einer Kunststoffabdeckmasse ( 17 ) in jeder Bauteilposition ( 26 ) des Systemträgers ( 24 ), - filling of the bonding channel (15) having a Kunststoffabdeckmasse (17) in each device position (26) of the system carrier (24),
    - Auftrennen des Systemträgers ( 24 ) mit mehreren Halbleiterchips ( 2 ) in einzelne elektronische Bauteile ( 1 ). - separation of the system carrier (24) having a plurality of semiconductor chips (2) into individual electronic components (1).
  28. 27. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass zum Herstellen von Bondverbindungen ( 29 ) zwischen den Bondenden ( 10 ) auf der Unterseite ( 27 ) des Systemträgers ( 24 ) und Kontaktflächen ( 19 ) auf der aktiven Oberseite ( 5 ) des Halbleiterchips ( 2 ) Leitungsbrücken, die den Bondkanal ( 15 ) in jeder Bauteilposition ( 26 ) überbrücken, auf die Kontaktflächen ( 19 ) gebondet werden. 27. The method according to claim 26, characterized in that for producing bonding connections (29) between bonding ends (10) on the underside (27) of the system carrier (24) and contact surfaces (19) (on the active top side (5) of the semiconductor chip 2) cable bridges that bridge the bonding channel (15) (in each device position 26) to the contact surfaces (19) are bonded.
  29. 28. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass zum Herstellen von Bondverbindungen ( 29 ) zwischen den Bondenden ( 10 ) auf der Unterseite ( 27 ) des Systemträgers ( 24 ) und Kontaktflächen ( 19 ) auf der aktiven Oberseite ( 5 ) des Halbleiterchips ( 2 ) aus Bonddrähten ( 20 ) ein Thermosonicbonden, ein Ultraschallbonden oder ein Thermokompressionsbonden eingesetzt wird. 28. The method according to claim 26, characterized in that for producing bonding connections (29) between bonding ends (10) on the underside (27) of the system carrier (24) and contact surfaces (19) (on the active top side (5) of the semiconductor chip 2) (from bonding wires 20), a thermosonic bonding, ultrasonic bonding or a thermal compression bonding is employed.
  30. 29. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass das Auffüllen des Bondkanals ( 15 ) mit einer Kunststoffabdeckmasse ( 17 ) in jeder Bauteilposition ( 26 ) des Systemträgers ( 24 ) mittels einer Schablonendrucktechnik erfolgt. 29. The method according to any one of claims 26 to 28, characterized in that the filling of the bonding channel (15) having a Kunststoffabdeckmasse (17) in each device position (26) of the system carrier (24) by means of a stencil printing technique.
  31. 30. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass der Systemträger ( 24 ) vor dem Auftrennen in einzelne Bauteile ( 1 ) auf der Seite der Halbleiterchips ( 2 ) mit einer Kunststoffgehäusemasse ( 32 ) versehen wird. 30. The method according to any one of claims 26 to 29, characterized in that the system carrier (24) prior to the separation into individual components (1) on the side of the semiconductor chip (2) is provided with a plastic housing composition (32).
  32. 31. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 30, dadurch gekennzeichnet, dass zum Aufbringen von Außenkontakten ( 30 ) auf die freiliegenden Außenkontaktflächen ( 11 ) Lotbälle ( 33 ) auf die Unterseite ( 27 ) des Systemträgers ( 24 ) aufgebracht und gelötet werden. 31. A method according to any one of claims 26 to 30, characterized in that for applying external contacts (30) (11) solder balls are applied to the underside (27) of the system carrier (24) and soldered to the exposed outer contact surfaces (33).
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