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DE10148864A1 - Process for reducing adhesion in micromechanical components based on a semiconductor material comprises changing the impurity sites of the semiconductor material used - Google Patents

Process for reducing adhesion in micromechanical components based on a semiconductor material comprises changing the impurity sites of the semiconductor material used

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Publication number
DE10148864A1
DE10148864A1 DE2001148864 DE10148864A DE10148864A1 DE 10148864 A1 DE10148864 A1 DE 10148864A1 DE 2001148864 DE2001148864 DE 2001148864 DE 10148864 A DE10148864 A DE 10148864A DE 10148864 A1 DE10148864 A1 DE 10148864A1
Authority
DE
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
material
semiconductor
sites
impurity
based
Prior art date
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Ceased
Application number
DE2001148864
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German (de)
Inventor
Frank Fischer
Arnold Rump
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Robert Bosch GmbH
Max-Planck-Gesellschaft zur Forderung der Wissenschaften
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Max-Planck-Gesellschaft zur Forderung der Wissenschaften
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Publication date

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0002Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
    • B81B3/0008Structures for avoiding electrostatic attraction, e.g. avoiding charge accumulation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/016Passivation

Abstract

Process for reducing adhesion in micromechanical components based on a semiconductor material comprises changing the impurity sites of the semiconductor material used. Preferred Features: The impurity sites are deactivated, or changed so that the resulting state does not lie in the band gap of the semiconductor material. The impurity sites are compensated by ion implantation, diffusion or epitaxy, preferably using Ti, Cr, Au, Ag, Ni or Cu. Deactivation is carried out by tempering at 350-550 deg C using a gas, preferably hydrogen, forming gas, water vapor or nitrogen oxides.

Description

  • [0001]
    Die Erfindung betrifft adhäsionsverminderte, mikromechanische Bauelemente, derartige Bauelemente enthaltende Einrichtungen, die Herstellung und Verwendung dieser Bauelemente sowie ein Verfahren zur Behandlung der Oberflächen sowie der Herstellung von mikromechanischen Bauelementen. The invention relates to adhäsionsverminderte, micromechanical devices, such devices containing means, the preparation and use of these components as well as a method for the treatment of surfaces as well as the manufacture of micromechanical devices. Unter derartigen mikromechanischen Bauelementen werden hierbei in der Regel Bauelemente verstanden, die eine Größe von weniger als 1 mm haben. Under such micromechanical components components are understood here as a rule, have a size of less than 1 mm.
  • Stand der Technik State of the art
  • [0002]
    Das Phänomen der Festkörperadhäsion bei mikromechanischen Bauelementen, das in der Fachliteratur als "Stiction" bezeichnet wird, ist die Neigung von in mechanischem Kontakt befindlichen Festkörperoberflächen zur Adhäsion. The phenomenon of Festkörperadhäsion in micromechanical components, referred to in the literature as "stiction" is the tendency of in mechanical contact solid surfaces for adhesion. Zu diesem Phänomen findet sich eine Übersicht bei Maboudian und Howe [Maboudian, R., Howe, RT; For this phenomenon is an overview at Maboudian and Howe [Maboudian, R. Howe, RT; Critical Review.: Adhesion in surface micromechanical structures; Critical Review .: Adhesion in surface micro mechanical structures; J. Vac. J. Vac. Sci. Sci. Technol. Technol. B 15( 1 ), ( 1997 )] sowie bei Komvopoulos [Komvopoulos, K.; B 15 (1), (1997)] as well as in Komvopoulos [Komvopoulos, K .; Surface engineering and microtribology for microelectromechanical systems; Surface engineering and microtribology for microelectromechanical systems; Wear 200 ( 1996 ), 305-327]. Wear 200 (1996), 305-327].
  • [0003]
    Aus dem Stand der Technik ist bekannt, dass es an der Oberfläche von Halbleitern zur Ausbildung von elektronischen Zuständen kommt. From the prior art it is known that there is on the surface of semiconductors for forming electronic states. Die Gründe dafür werden unter anderem darin gesehen, dass es erstens an der Oberfläche von Halbleitern zu einem Abbruch der kristallinen Periodizität kommt, dass zweitens nicht abgesättigte freie Bindungsarme auftreten und dass es drittens auf Grund von Adsorbaten zu elektronischen Störungen sowie viertens zu Kristallfehlstellen und/oder ausgedehnten Kristallfehlern (beispielsweise Versetzungen) kommt. The reasons for this are seen, among other things, that there is an interruption of the crystalline periodicity firstly on the surface of semiconductors, secondly dangling free bonding arms occur and that thirdly, due to adsorbates to electronic interference, and fourthly, to crystal defects and / or extended crystal defects (such as dislocations) comes. Weitere Ursache sind kompensierende Punkteffekte in dem Halbleitermaterial. Another cause are compensating point defects in the semiconductor material.
  • [0004]
    Eine derartige Festkörperadhäsion oder "Stiction" wird in den vorstehend wiedergegebenen Druckschriften und auch nachfolgend im Wesentlichen als Oberflächeneffekt gedeutet, der auf die Ausbildung von von der Waals- und Kapillarkräften sowie auf elektrostatische Wechselwirkung, Festkörper- und Wasserstoffbrückenbindungen zurückgeführt wird. Such Festkörperadhäsion or "stiction" is interpreted in the reproduced above references and also below substantially as a surface effect which is attributed to the formation of van der Waals and capillary forces, as well as electrostatic interaction, solid state and hydrogen bonds.
  • [0005]
    In der Literatur werden verschiedene Verfahren zur Reduzierung dieser Festkörperadhäsion vorgeschlagen. Various methods for reducing these Festkörperadhäsion are proposed in the literature. Die vorgeschlagenen Verfahren beinhalten verschiedene Varianten, die nachfolgend aufgeführt sind: a) Bei der ersten Variante werden die Oberflächen durch Passivierungsschichten chemisch stabilisiert (beispielsweise auf dem Wege der so genannten "self-assembling monolayer"); The proposed methods include various variants that are mentioned below: a) In the first variant, the surfaces are chemically stabilized by passivation layers (for example, by way of so-called "self-assembling monolayer"); b) bei der zweiten Variante werden die Oberflächen durch Beschichtung gehärtet (zum Beispiel bei sogenannten "diamond like carbons") oder c) bei der dritten Variante wird die Oberflächentopografie (Kontaktflächen, Oberflächenrauhigkeit) optimiert. b) in the second variant, the surfaces are hardened by coating (for example, so-called "diamond-like carbon") or c) in the third variant, the surface topography (contact surfaces, surface roughness) is optimized.
  • [0006]
    Die in der vorstehend genannten Literatur geführte Diskussion zu elektrostatischen Kräften bezieht sich auf solche Ladungen, die in Oberflächenschichten (zum Beispiel in Oxiden) eingebaut beziehungsweise von außen auf derartige Oberflächen geleitet sind. The guided in the above-mentioned literature discussion of electrostatic forces refers to such charges are built into the surface layers (for example oxides) and passed from the outside to such surfaces. Die weltweiten Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten konzentrieren sich dabei auf die chemischen und mechanischen Eigenschaften der Oberflächen. The global research and development activities are concentrated on the chemical and mechanical properties of the surfaces.
  • [0007]
    Gegenwärtig wird die Technologie der Mikromechanik bei den Kraftfahrzeugherstellern beziehungsweise ihren Zulieferbetrieben insbesondere dafür eingesetzt, Beschleunigungs- und Drehratensensoren herzustellen, welche die klassischen piezoelektrischen Beschleunigungs- und Drehratensensoren ersetzen. Currently, the technology of micromechanics with vehicle manufacturers or their suppliers will be used in particular to produce acceleration and angular rate sensors, which replace the traditional piezoelectric acceleration and angular rate sensors. Die grundlegende Prozesssequenz für derartige Anwendungen ist beispielsweise bei Offenberg et al. The basic process sequence for such applications, for example, at Offenberg et al. beschrieben [M. described [M. Offenberg et al.; Offenberg et al .; Acceleration Sensor in Surface Micromachining for Airbag Applications with High Signal/Noise Ratio; Acceleration Sensor in Surface Micromachining for Airbag Applications with high signal / noise ratio; Sensors and Actuators; Sensors and Actuators; ( 1996 ) S. 35]. (1996), p 35].
  • [0008]
    Das verwendete Material, in dem die mechanischen Elemente strukturiert werden, ist in der Regel polykristallines Silicium, das bevorzugt stark mit Phosphor dotiert wird. The material used in which the mechanical elements are patterned, is generally polycrystalline silicon, which is preferably heavily doped with phosphorus. Die Charakterisierung der Adhäsionsneigung im Verfahren beziehungsweise Prozess erfolgt zum einen durch mechanisches Auslenken der Sensoren und zum anderen durch elektrische Anregung. Characterization of the adhesion tendency in the method or process is on the one hand by the mechanical deflection of the sensors and on the other by electrical excitation.
  • [0009]
    Bei einer externen Beschleunigung, die nahezu ausschließlich bei der Montage der Sensoren kritische Werte erreichen kann, kann ein mechanisches Berühren zwischen den Oberflächen der beweglichen Teile erzielt werden. If the external acceleration, which can reach critical values ​​almost exclusively during the assembly of the sensors, a mechanical touching between the surfaces of the moving parts can be obtained. Dies erfolgt etwa beispielsweise durch einen Falltest oder während der Montage der Sensoren. This is done about for example by a drop test or during the mounting of the sensors.
  • [0010]
    Die elektrische Anregung erfolgt durch Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen den kapazitiven Elementen bis zu einer mechanischen Maximalauslenkung. The electrical stimulation is accomplished by applying an electrical voltage between the capacitive elements to a mechanical maximum deflection. Wird die Anregungsspannung langsam zurückgenommen, liefert das Kräftegleichgewicht am Ablösepunkt zwischen der mechanischen Rückstellkraft durch die Federelemente, der elektrostatischen Anziehungskraft zwischen den vorgespannten Elektroden und der Festkörperadhäsionskraft einen ungefähren Wert für die Adhäsion der sich berührenden Oberflächen. If the excitation voltage to be withdrawn slowly, the balance of power supplies at the point of separation between the mechanical restoring force by the spring elements, the electrostatic attraction between the biased electrode and the Festkörperadhäsionskraft an approximate value for the adhesion of the contacting surfaces.
  • [0011]
    Hierbei tritt jedoch das Problem auf, dass insbesondere bei den so genannten Nieder-g-Sensoren, das heißt bei Sensoren, die unter Bedingungen eingesetzt werden, bei denen die Beschleunigung lediglich Werte erreicht, die einem niedrigen Vielfachen des Wertes für die Erdbeschleunigung g entsprechen, die Adhäsion ein größeres Problem darstellt als bei Hoch-g-Sensoren, das heißt bei Sensoren, die unter Bedingungen eingesetzt werden, bei denen die Beschleunigung Werte erreicht, die einem großen Vielfachen des Wertes für die Erdbeschleunigung g entsprechen, da die Rückstellkräfte, etwa einer zur Messung verwendeten Feder, kleiner sind. Here, the problem that in particular in the so-called low-g sensor, that is, with sensors, which are used under conditions where the acceleration only reaches values ​​corresponding to a low multiple of the value for the acceleration due to gravity g, however, occurs the adhesion is a greater problem than in high-g sensors, that is, with sensors, which are used under conditions in which the acceleration reaches values ​​which correspond to a large multiple of the value for the acceleration due to gravity g, since the restoring forces, such as a spring used for measurement, are small.
  • [0012]
    Bisherige übliche Maßnahmen zur Reduzierung der Adhäsion umfassen die Oberflächenbeschichtung mit CVD-Oxid, federnde Anschläge und Untersuchungen zur Form der Kontaktfläche. Previous conventional measures for reducing the adhesion include surface coating with CVD oxide, resilient stops, and studies on the shape of the contact surface. Derartige Maßnahmen berücksichtigen aber lediglich der chemischen und physikalischen Eigenschaften von der für Beschleunigungssensoren verwendeten Materialien. But such measures only consider the chemical and physical properties of a kind used for acceleration sensors materials.
  • Vorteile der Erfindung Advantages of the Invention
  • [0013]
    Im Unterschied dazu beruht die Erfindung darauf, dass auch die elektronischen Eigenschaften von Materialien für beispielsweise Beschleunigungssensoren berücksichtigt werden. In contrast, the invention resides in that the electronic properties of materials for example, accelerometers are considered.
  • [0014]
    Erfindungsgemäß wird nämlich ein Verfahren zur Verminderung der Adhäsion - in beispielsweise mikromechanischen Bauelementen auf der Basis eines Halbleitermaterials - bereitgestellt, das dadurch gekennzeichnet ist, dass das Verfahren den Schritt umfasst, dass die Störstellen des verwendeten Halbleitermaterials verändert werden. According to the invention process is a process for reducing the adhesion - provided, which is characterized in that the method comprises the step that the impurities of the semiconductor material used be changed - in, for example, micromechanical devices, based on a semiconductor material. Unter Störstellen werden hierbei elektronische Störstellen verstanden. Under impurities electronic defects are understood.
  • [0015]
    Das erfindungsgemäße Verfahren wird insbesondere bei mikromechanischen Bauelementen eingesetzt, bei denen es sich um strukturierte mikromechanische Bauelemente handelt. The inventive method is used in particular in micro-mechanical devices in which it is structured micromechanical components.
  • [0016]
    Insbesondere wird das erfindungsgemäße Verfahren an einem Halbleitermaterial eingesetzt, welches ein Halbleitermaterial auf der Basis von Si ist. In particular, the inventive method is used in a semiconductor material which is a semiconductor material based on Si. Das erfindungsgemäße Verfahren ist aber auf keinen Fall als auf derartige Materialien beschränkt anzusehen; The process of the invention must be regarded as in no way limited to such materials; dass das erfindungsgemäße Verfahren nachfolgend schwerpunktmäßig im Zusammenhang mit Halbleitermaterialien auf der Basis von Si erläutert wird, hat lediglich einen beispielhaften Charakter. that the inventive method is described below mainly in connection with semiconductor materials on the basis of Si, has only an exemplary character. Als solche ist die Erfindung also nicht auf mikromechanische Bauelemente auf der Basis von Silicium beschränkt, vielmehr ist die Erfindung auf beliebige mikromechanische Bauelemente anwendbar. As such, the invention thus is not limited to micro-mechanical devices based on silicon, but the invention to any micromechanical devices is applicable.
  • [0017]
    Durch die Erfindung wird ein Verfahren bei der Herstellung von mikromechanischen Bauelementen zur Verfügung gestellt, mit dem die Art und Konzentration von Oberflächenzuständen und tiefen Störstellen verändert wird, und zwar dergestalt, dass die elektrostatische Anziehungskraft zwischen geladenen Zentren sich verringert. The invention provides a method for the manufacture of micromechanical devices is provided, with which the type and concentration of surface states and deep levels is changed, namely in such a way that the electrostatic attraction between charged centers decreases.
  • [0018]
    Insbesondere werden die Störstellen der bei der Herstellung des mikromechanischen, insbesondere des strukturierten mikromechanischen Bauelements verwendeten Halbleitermaterialien so verändert, dass der resultierende Zustand nicht in der Bandlücke des Halbleitermaterials liegt. In particular, the impurities of the semiconductor materials used in the preparation of the micro-mechanical, and in particular the structured micromechanical component are modified so that the resulting state is not in the band gap of the semiconductor material. Die Störstellen werden also bevorzugt so geändert, dass eine Deaktivierung erfolgt. The impurities are thus changed preferably such that a deactivation takes place.
  • [0019]
    Das erfindungsgemäße Verfahren beziehungsweise auch die mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten mikromechanischen Bauelemente werden nachfolgend insbesondere in Hinsicht auf die mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens erzielten Vorteile und unter Bezugnahme auf die Zeichnung mit den Fig. 1 bis 5 näher erläutert. The inventive process, respectively the micromechanical components produced by the inventive process will be explained in greater detail below particularly with respect to the results achieved by the inventive method and advantages with reference to the drawing Figs. 1 to 5. Es zeigen: Show it:
  • [0020]
    Fig. 1 einen Querschnitt durch eine Anordnung von Elektroden, bei denen - gemäß des Standes der Technik - eine adhäsionsmindernde Schicht aufgetragen ist, 1 shows a cross section through an arrangement of electrodes in which -. Accordance with the prior art - is an adhesion-reducing layer is applied,
  • [0021]
    Fig. 2 die Anordnung gemäß Fig. 1 mit Elektroden, deren Oberflächen mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens behandelt wurden, Fig. 2 shows the arrangement of FIG. 1 with electrodes whose surfaces have been treated by the inventive method,
  • [0022]
    Fig. 3 eine schematische Darstellung eines mikromechanischen Beschleunigungssensors, Fig. 3 is a schematic representation of a micromechanical acceleration sensor,
  • [0023]
    Fig. 4 eine schematische Darstellung eines Reaktors, in dem mikromechanische Bauelemente vor ihrem Verkappen mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens behandelt werden und Fig. 4 is a schematic representation of a reactor are treated in the micromechanical components prior to its capping by the inventive method and
  • [0024]
    Fig. 5 eine schematische Darstellung einer Verkappungseinrichtung, in der mikromechanische Bauelemente während ihres Verkappens mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens behandelt werden. Fig. 5 is a schematic illustration of a capping means, are treated in the micromechanical components during its capping by the inventive method.
  • [0025]
    Die Fig. 1 zeigt eine Anordnung von drei im Querschnitt rechteckförmigen, mit Abstand zueinander angeordneten Elektroden 1 , 2 , 3 eines mikromechanischen Bauelements 4 , das hier nicht konkreter genannt wird, da dies für die Erfindung unwesentlich ist. Fig. 1 shows an arrangement of three rectangular in cross-section, with spaced electrodes 1, 2, 3 of a micromechanical component 4, which is not mentioned here concrete, since it is immaterial to the invention. Die Elektroden 1 , 2 , 3 sind in einem Abstand 8 zu einem Substrat 9 des mikromechanischen Bauelements 4 angeordnet. The electrodes 1, 2, 3 are arranged at a distance from 8 to a substrate 9 of the micromechanical device. 4 Die Elektroden 1 , 2 , 3 weisen auf den Seiten, die dem Substrat 9 nicht zugewandt sind, eine Passivierungsschicht 14 auf. The electrodes 1, 2, 3 have on the sides which are not facing the substrate 9, a passivation layer fourteenth Die Passivierungsschicht 14 verhindert beziehungsweise vermindert das Wirken von Adhäsionskräften zwischen den Elektroden 1 , 2 , 3 und damit eine durch die Adhäsionskräfte hervorgerufene Anziehung. The passivation layer 14 prevents or reduces the interaction of adhesion forces between the electrodes 1, 2, 3 and thus caused by the adhesion forces of attraction. Die Verwendung von Elektroden mit Passivierungsschichten beinhaltet Risiken hinsichtlich der Langzeitstabilität und der mechanischen Fertigkeit der Oberflächenschicht. The use of electrodes with passivation involves risks to the long-term stability and the mechanical skill of the surface layer.
  • [0026]
    Die Fig. 2 zeigt die Anordnung der Fig. 1, nunmehr jedoch gemäß der Erfindung. Fig. 2 shows the arrangement of Fig. 1, but now according to the invention. Die Elektroden 1 ', 2 ', 3 ' des mikromechanischen Bauelements 4 ' weisen jeweils einen Randbereich 15 auf, der mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens in Bezug auf die Adhäsionskräfte deaktiviert wurde. The electrodes 1 ', 2', 3 'of the micromechanical component 4' each have an edge region 15 which has been disabled by the inventive method in terms of the adhesion forces. Die gemäß der Erfindung behandelten Elektroden 1 ', 2 ', 3 ' führen zu keiner Dimensionsvergrößerung, da bei ihnen auf eine Beschichtung mit einer Passivierungsschicht verzichtet werden kann. The treated according to the invention the electrodes 1 ', 2', 3 'do not lead to dimension magnification, there is no need for a coating with a passivation layer to them. Die Umwandlung der Oberflächen birgt kein Risiko einer mechanischen Beschädigung, da das verwendete Grundmaterial Silizium sehr elastisch ist. The conversion of the surface poses no risk of mechanical damage since the silicon base material used is very elastic.
  • [0027]
    Die vorstehend beschriebenen Bauelemente werden vorzugsweise in der Sensorik, insbesondere bei Beschleunigungs- und Drehratensensoren eingesetzt. The devices described above are preferably used in the sensor system, in particular during acceleration and angular rate sensors. Ein Ausführungsbeispiel eines Beschleunigungssensors zeigt Fig. 3. Der dort dargestellte Beschleunigungssensor 16 weist - in Längsrichtung gemäß der strichpunktierten Linie 17 gesehen - einen festgelegten Sensorabschnitt 18 und einen beweglichen Sensorabschnitt 19 auf, wobei zwischen den beiden Sensorabschnitten 18 , 19 eine Feder 24 angeordnet ist. An embodiment of an acceleration sensor is shown in FIG 3. The acceleration sensor 16 shown therein comprises -. In the longitudinal direction according to the dot-dash line 17 seen - a fixed sensor portion 18 and a movable sensor portion 19, being disposed between the two sensor sections 18, 19 a spring 24. Der bewegliche Sensorabschnitt 19 weist mehrere über seine Länge verteilt angeordnete Elektroden 20 , 21 , 22 , 23 auf, die sich vom Mittelbereich (strichpunktierte Linie 17 ) aus mit ihrer Längsseite nach außen erstrecken, von denen die Elektroden 22 , 23 nur angedeutet sind und aufgrund der Gleichheit zu den Elektroden 20 , 21 im Folgenden nicht weiter betrachtet werden. The movable sensor section 19 includes a plurality of distributed over its length arranged electrodes 20, 21, 22, 23, which extend from the central area (dot-dash line 17) extend with their longitudinal side out of which the electrodes 22, 23 are only indicated and because of equality to the electrodes 20, 21 in the following are not considered further. Zwischen den Elektroden 20 , 21 sind jeweils im Abstand 34 zwei Gegenelektroden 32 , 33 angeordnet. Between the electrodes 20, 21 two counter electrodes 32, 33 are respectively arranged at a distance 34th Im beweglichen Sensorabschnitt 19 ist eine Auslenkungsbegrenzung 25 angeordnet, die eine Verschiebung des beweglichen Sensorabschnitts 19 relativ zum festgelegten Sensorabschnitt 18 auf den Verschiebeweg 29 begrenzt. In the movable sensor section 19 is a Excursion Limiting 25 is arranged which limits a displacement of the movable sensor portion 19 relative to the fixed sensor portion 18 to the displacement 29th
  • [0028]
    Im Zuge einer durch die Beschleunigung hervorgerufenen Kraft wird der bewegliche Sensorabschnitt 19 vorzugsweise in Richtung des Pfeils 28 verschoben. In the course of acceleration caused by the force of the movable sensor portion 19 is preferably displaced in the direction of the arrow 28th Bei Verwendung von Elektroden ohne Schutz gegen Adhäsionskräfte wird die Verschiebung zusätzlich durch die zwischen den sich gegenüberliegenden Elektroden aufgrund einer durch das Anlegen einer elektrischen Spannung an die Elektroden hervorgerufenen, adhäsionsbedingten Anziehung unterstützt. When using electrodes without protection against adhesion forces the displacement is also caused by the between the opposite electrodes due to by applying an electrical voltage to the electrodes, supported adhäsionsbedingten attraction. In Abhängigkeit von der Stärke der zwischen den Elektroden wirkenden Adhäsionskräften kann die Anziehung der Elektroden zueinander, insbesondere bei sich berührenden Oberflächen, derart groß werden, dass ein Rückstellen beziehungsweise ein Auseinanderbringen der Elektroden mittels der Rückstellkraft der Feder 24 nicht mehr möglich ist. Depending on the strength of the force acting between the electrodes adhesion forces, the attraction of the electrodes to each other, particularly at contacting surfaces, become so large that a resetting or apart accommodating the electrode means of the restoring force of the spring 24 is no longer possible. Mittels der erfindungsgemäß behandelten Elektroden, deren Randbereich in Bezug auf die Adhäsionskräfte deaktiviert ist, werden Auslenkungen des beweglichen Sensorabschnittes 19 , die auf eine adhäsionsbedingte Anziehung der sich gegenüberliegenden Elektroden zurückzuführen ist, wesentlich verringert, sodass mittels der Feder 24 eine mechanische Rückstellung des ausgelenkten, beweglichen Sensorabschnitts 19 gewährleistet ist. By means of the inventively treated electrodes whose edge region is disabled with respect to the adhesion forces are displacements of the movable sensor section 19, which is due to adhesions attraction of the opposite electrodes is substantially reduced, so that by means of the spring 24, a mechanical resetting of the deflected movable is ensured sensor portion 19th
  • [0029]
    Die erfindungsgemäße Oberflächenbehandlung der Bauelemente kann in einem separaten Prozessschritt oder während eines bestehenden Prozessschrittes im Herstellungsverfahren des zu behandelten Bauelements vorgenommen werden. The surface treatment of the invention the components may be carried out in a separate process step, or during an existing process step in the manufacturing process of the component to be treated. Insbesondere kann die erfindungsgemäße Behandlung auch beim Verkappungsprozess des zu behandelten Bauelements, der den abschließenden Prozessschritt im Herstellungsverfahren darstellt, durchgeführt werden. In particular, the treatment of the invention can be carried out also in the packaging process to be treated component, which is the final process step in the manufacturing process. Ein Ausführungsbeispiel eines Reaktors, bei dem die Bauelemente vor ihrem Verkappen mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens behandelt werden, zeigt Fig. 4. Der dort dargestellte Reaktor 35 weist eine Kammer 36 auf, an deren Stirnseite ein Gaseinlass 37 sowie ein Gasauslass 38 angeordnet ist. An exemplary embodiment of a reactor in which the components to be treated before its capping by the inventive method, Fig. 4. The reactor 35 shown therein comprises a chamber 36, on the end side, a gas inlet 37 and a gas outlet 38 is disposed. Zur Beheizung der Kammer 36 ist diese mit einer Beheizungseinrichtung 39 versehen, die eine Beheizung des Kammerumfangs durchführt. For heating the chamber 36 it is provided with a heating device 39, which performs heating of the chamber circumference. Im Inneren der Kammer 36 sind die zu behandelnden mikromechanischen Bauelemente 40 mit Abstand zueinander, nebeneinaderliegend und quer zur Längsrichtung der Kammer 36 liegend angeordnet. Inside the chamber 36, the components to be treated micromechanical 40 spaced from one another, nebeneinaderliegend and transversely to the longitudinal direction of the chamber 36 are arranged horizontally. Mittels der Heizeinrichtung 39 wird die Kammer 36 auf eine Temperatur gebracht, die zur Deaktivierung des Randbereichs 15 der Bauelemente 40 erforderlich ist; By the heater 39 is brought the chamber 36 to a temperature required for deactivation of the edge portion 15 of the devices 40; vorzugsweise liegt diese Temperatur in einem Bereich zwischen 100 und 900°C. preferably, this temperature is in a range between 100 and 900 ° C. Zur Deaktivierung des Randbereichs 15 wird ein Prozessgas über den Gaseinlass 37 in die Kammer 36 eingebracht. For deactivation of the edge region 15 a process gas via the gas inlet 37 is introduced into the chamber 36th Als Prozessgase werden vorzugsweise Wasserstoff, Sauerstoff, Wasserdampf, Stickoxide oder Mischungen aus denselben verwendet. As process gases preferably hydrogen, oxygen, water vapor, nitrogen oxides or mixtures are used for the same.
  • [0030]
    Fig. 5 zeigt einen Querschnitt durch eine Verkappungseinrichtung 41 , in der die mikromechanischen Bauelemente 40 während des Verkappungsprozesses mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens behandelt werden. Fig. 5 shows a cross section through a capping means 41, in which the micromechanical components are treated 40 during Verkappungsprozesses by the inventive method. Die Verkappungseinrichtung 41 weist eine Reaktionskammer 42 mit einem Gasauslass 45 und einen Gaseinlass 46 auf. The capping means 41 has a reaction chamber 42 with a gas outlet 45 and a gas inlet 46th In der Reaktionskammer 42 ist ein Stempel 43 angeordnet. In the reaction chamber 42, a punch 43 is disposed. Der Stempel 43 weist eine Andrückfläche 44 auf, die in Richtung des Bodens der Reaktionskammer 42 gerichtet ist. The punch 43 has a pressing surface 44 which is directed towards the bottom of the reaction chamber 42nd Die Andrückfläche 44 des Stempels 43 ist mit einer Heizeinrichtung 45 beheizbar. The pressing surface 44 of the die 43 is heated with a heater 45th In der Reaktionskammer 42 sind unterhalb des Stempels 43 der Kappenwafer 47 und der Sensorwafer 48 eines Bauelements 40 angeordnet und zwar derart, dass die Andrückfläche 44 des Stempels 43 mit einer Kraft 45 auf den Kappenwafer 47 drückt. In the reaction chamber 42 of the cap wafer 47 and the sensor wafer 48 of a component 40 arranged below the punch 43 in such a manner that the pressing surface 44 of the punch 43 presses with a force 45 on the cap wafer 47th Mittels einer im Stempel angeordneten Beheizungseinrichtung 46 wird das Bauelement 40 auf die zur Deaktivierung des Randbereichs des Bauelements 40 erforderliche Temperatur gebracht, wobei die Deaktivierung des Randbereichs mittels eines über den Gaseinlass 46 in die Reaktionskammer 42 einströmenden Prozessgases stattfindet. Means, arranged in the stamp heating device 46 is the device housed 40 to the deactivation of the edge region of the component 40 required temperature, wherein the deactivation of the edge region takes place by means of a through the gas inlet 46 flows into the reaction chamber 42 the process gas.
  • [0031]
    In den bisherigen Betrachtungen zur sogenannten "Stiction" wurden die Halbleitereigenschaften vernachlässigt, insbesondere die Rolle von Oberflächenzuständen und sogenannten tiefen Störstellen. In the above considerations to the so-called "stiction" the semiconductor properties, in particular the role of surface states and so-called deep levels were neglected. Auf Grund der Ionisierung dieser Störstellen im Prozess beziehungsweise im Betrieb der Bauelemente kann es zur Ausbildung einer hinreichenden Coulomb- Wechselwirkung zwischen den beweglichen Elementen kommen. Due to the ionization of the impurities in the process or during operation of the devices, it may be formation of a sufficient Coulomb interaction between the moving elements. Diese Wechselwirkung zwischen derartigen, nicht in mechanischen Kontakt sich befindenden Strukturen muss zusätzlich zu den bei mechanischer Berührung auftretenden Oberflächenkräften berücksichtigt werden. This interaction between such not in mechanical contact structures that are available to be considered to occur in surface mechanical contact forces additionally. Die Erfindung berücksichtigt also in Ergänzung zum Stand der Technik auch die elektronischen Eigenschaften der verwendeten Materialien in ganz besonderer Weise, indem gemäß einer bevorzugten Ausführungsform eine Deaktivierung des Oberflächenzustands durch Temperung erfolgt oder indem gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform die Störstellen durch Einbringen von Fremdatomen kompensiert (Dotierung) werden. Thus, the invention also takes into account the electronic properties of the materials used in a special way in addition to the prior art by providing in accordance with a preferred embodiment, a deactivation of the surface state by heating or by the impurities by introducing impurities compensated according to a second preferred embodiment (doping ) become. Der Begriff tempern/Temperung/getempert wird in diesem Zusammenhang so verstanden, wie er lexikalisch nachweisbar ist (zum Beispiel Lexikon Werkstofftechnik/hrsg. Hubert Gräfen [Autoren H. Altenmüller et al.] VDI- Verlag, Düsseldorf ( 1993 ). The term anneal / anneal / is tempered in this context as it is lexically detectable (eg Lexikon / ed materials technology. Hubert Gräfen [authors H. Altenmüller et al.] VDI Verlag, Dusseldorf (1993).
  • [0032]
    Das erfindungsgemäße Verfahren wird also so durchgeführt, dass es zu einer Veränderung beziehungsweise zu einer Deaktivierung der Störstellen des verwendeten Halbleitermaterials bei der Herstellung mikromechanischer Strukturen kommt. The inventive process is thus carried out so that there is a change or to a deactivation of the impurities of the semiconductor material used in the manufacture of micromechanical structures. Zum Einen wird dabei die Dichte von oberflächennahen Störstellen in den Halbleiterelektroden reduziert. For a while the density of near-surface defects is reduced in the semiconductor electrodes. Zum Zweiten werden geladene oberflächennahe Störstellen entladen. Secondly charged shallow impurities are discharged. Diese beiden Ziele werden erfindungsgemäß dadurch realisiert, dass eine im Anschluss an den Verfahrensschritt des Opferschichtätzens in einem nicht definierten Zustand vorliegende Si-Oberfläche behandelt wird. These two objectives are according to the invention realized in that a present Si surface is treated subsequent to the step of Opferschichtätzens in an undefined state. Hierfür kann die Oberfläche in Gasen getempert werden, welche für eine Passivierung der Oberflächenzustände geeignet sind. For this, the surface can be annealed in gases, which are suitable for passivation of the surface states. Erfindungsgemäß erfolgt die Temperung nach dem Opferschichtätzen vorzugsweise in einem Gas, das ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus Wasserstoff-, Formier-, Sauerstoffgas, Wasserdampf, Stickoxiden und dotierstoffhaltigen gasförmigen Mischungen, wobei als derartige die Leitfähigkeit erhöhende Dotierstoffe PH 3 , Diboran erwähnt seien. According to the invention the heat treatment is carried out after the sacrificial preferably in a gas which is selected from the group consisting of hydrogen, Formier-, oxygen gas, water vapor, nitrogen oxides and dopant gas mixtures, as such the conductivity enhancing dopants PH 3, diborane may be mentioned , Natürlich können - wie bereits durch die Formulierung "ausgewählt aus" angedeutet - diese Prozessgase auch in Mischungen verwendet werden. these process gases are used in mixtures - Of course - as "selected from" with the words indicated. Hierzu sei angemerkt, dass diese Bedeutung der Formulierung "ausgewählt aus" für die gesamte vorliegende Patentanmeldung zu Grund zu legen ist. To this end, it should be noted that this meaning of the phrase "selected from" for all present patent application is to put to reason.
  • [0033]
    Bei Verwendung von Wasserstoff-, Formiergas, Wasserdampf oder Stickoxiden liegt die Temperatur, bei der die Temperung durchgeführt wird, bevorzugt im Bereich von 350°C bis 550°C. When using hydrogen, forming gas, water vapor or nitrogen oxides, the temperature at which the annealing is performed is preferably in the range of 350 ° C to 550 ° C. Bei Temperung mit dotierstoffhaltigen gasförmigen Mischungen sollte die Temperung bevorzugt oberhalb von 700°C, stärker bevorzugt im Bereich von 700°C bis 900°C erfolgen. In annealing dopant with gaseous mixtures, the annealing should preferably take place above 700 ° C more preferably in the range of 700 ° C to 900 ° C.
  • [0034]
    Bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens kommt es zum Dritten auch dadurch zu einer Veränderung beziehungsweise zu einer Deaktivierung der Störstellen des bei der Herstellung mikromechanischer Strukturen verwendeten Halbleitermaterials, dass parasitäre Ladungszustände (Elektretladungen) auf der hochohmigen Elektrodenoberfläche annihiliert werden (Raumladungen, natürliches Oxid, Oxide, die bei Durchführung eines CVD- Verfahrens sich bilden etc.). In carrying out the inventive method, it comes to the third and thereby a change or to a deactivation of the impurities of the semiconductor material used in the manufacture of micromechanical structures that parasitic charge states (electret) are annihilated at the high-impedance electrode surface (space charges, native oxide, oxides, which when performing a CVD method to form etc.).
  • [0035]
    Diese Annihilierung kann vorzugsweise dadurch erreicht werden, dass vor ( Fig. 4) oder während der Verkappung ( Fig. 5) ein Gas hinzugegeben wird, wodurch die Oberflächenleitfähigkeit stark erhöht wird, so dass parasitäre Oberflächenladungen mobil werden und sich bei Raumtemperatur gegenseitig auslöschen. This annihilation may preferably be achieved in that moment (Fig. 4) or during the capping (Fig. 5), a gas is added, whereby the surface conductivity is greatly increased, so that parasitic surface charges are mobile and cancel each other at room temperature.
  • [0036]
    Die Erhöhung der Oberflächenleitfähigkeit bei der vorstehend genannten Verfahrensvariante kann bei dem erfindungsgemäßen Verfahren insbesondere durch Temperung zwischen 20°C und 100°C in Wasserdampf erfolgen, was einer gezielten Feuchtelagerung entspricht. The increase in surface conductivity in the above-mentioned process variant may be carried out in water vapor, which corresponds to a specific humidity during storage in the inventive method, in particular by heat treatment between 20 ° C and 100 ° C. Die Luftfeuchtigkeit bei dieser Lagerung sollte nicht zu hoch gewählt werden, um Korrosion und/oder Kondensation zu vermeiden. The humidity in this storage should not be too high to avoid corrosion and / or condensation. Bevorzugt wird eine Lagerung bei einer relativen Luftfeuchtigkeit (rF) von 10% bis 60%. storage at a relative humidity (RH) of 10% to 60% is preferred. Beim anschließenden Abkühlen der erfindungsgemäß hergestellten mikromechanischen Bauelemente sollte bevorzugt darauf geachtet werden, dass zunächst die Luftfeuchtigkeit, reduziert wird und dann erst die Temperatur abgesenkt wird, um das Risiko von Kondensation in den erfindungsgemäß herstellbaren Bauelementstrukturen zu vermeiden. During subsequent cooling of micromechanical components according to the invention should preferably be taken to ensure that first the humidity is reduced and then the temperature is lowered to reduce the risk of condensation in the inventively producible device structures.
  • [0037]
    Eine weitere bevorzugte Möglichkeit, die Annihilierung durchzuführen, ist die Annihilierung während des Bondprozesses. Another preferred way to carry out the annihilation, is the annihilation during the bonding process. Bei diesem Verfahrensschritt, bei dem üblicherweise trockener Stickstoff und/oder Neon als Prozessgas eingebracht wird, ist es stark bevorzugt, wenn die Feuchtigkeit in der Bondatmosphäre einen geringen Wasseranteil enthält. In this process step, is introduced at the typically dry nitrogen and / or neon as a process gas, it is strongly preferred that the moisture in the bonding atmosphere containing a small amount of water. Die relative Menge des Wasseranteils richtet sich dabei nach dem Taupunkt, der je nach Spezifikation der verwendeten Bondatmosphäre im Bereich von -40°C bis 120°C liegt und nicht überschritten werden darf. The relative amount of the water fraction is guided by the dew point, which is depending on the specification of the bonding atmosphere used in the range of -40 ° C to 120 ° C and must not be exceeded. Die Zugabe von H 2 O über beispielsweise einen so genannten "Bubbler" kann zu Beginn des Bondprozesses bei Temperaturen im Bereich von 50°C bis 120°C erfolgen. The addition of H 2 O over for example a so-called "bubbler" can be carried out at the beginning of the bonding process, at temperatures ranging from 50 ° C to 120 ° C. Danach wird der Feuchteanteil reduziert und die Bondung (mit allen Maßnahmen gegen das Aufladen durch Tribologie) durchgeführt. Thereafter, the moisture content is reduced and the bonding performed (with all the measures against the charging by tribology). Die Feuchtigkeit kann aber auch über den gesamten Bondprozess erhöht sein. but the moisture can be elevated throughout the bonding process.
  • [0038]
    Noch eine weitere Möglichkeit, die Oberflächenladungen zu annihilieren, besteht darin, nach dem Durchführen des Verfahrensschritts des Verkappens ( Fig. 5) eine ausgedehnte beziehungsweise verlängerte Temperung (Voralterung) durchzuführen, da die Mobilität der Elektretladungen mit der Temperatur erhöht ist. Yet another way to annihilate the surface charges, is after performing the process step of capping (Fig. 5) an extended or prolonged heat treatment (pre-aging) to perform because the mobility of electret charges is increased with temperature. Eine derartige Temperung nach der Verkappung sollte bevorzugt bei möglichst hohen Temperaturen erfolgen, wobei jedoch insbesondere darauf geachtet werden sollte, die Temperatur unterhalb der zulässigen Höchsttemperatur nach dem Waferbonden zu halten. Such a heat treatment after the capping should preferably take place at the highest possible temperatures, should in particular be taken, however, to keep the temperature below the maximum allowable temperature after the wafer bonding. Im Falle von Seal-Glas-gebondeten Wafern sollte die Nachtemperung vorzugsweise unterhalb von 450°C über mehrere Stunden hinweg erfolgen. In the case of seal glass-bonded wafers, the post-cure should preferably be performed below 450 ° C over several hours. Für diesen vorstehend beschriebenen Verfahrensschritt ist eine Formiergas-, Sauerstoff- oder Stickoxidgasatmosphäre besonders geeignet. For these above-described method step, a forming gas, oxygen or nitrogen oxide gas atmosphere is particularly suitable.
  • [0039]
    Die vorstehend beschriebenen Verfahrensmaßnahmen kommen insbesondere zum Tragen, wenn das erfindungsgemäße Verfahren im Rahmen des so genannten Seal-Glas-(Glas-Frit-)Bonding-Verfahrens eingesetzt wird. The procedures described above are, in particular to bear, if the inventive method in the context of so-called seal-glass (glass frit) bonding method is used. Allerdings sind die vorstehend beschriebenen Verfahrensmaßnahmen auch für anodisches Bonding und andere Fügetechniken geeignet. However, the process measures described above are also suitable for anodic bonding and other joining techniques.
  • [0040]
    Bei einer anderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Störstelle bevorzugt durch Einbringen von Fremdatomen kompensiert, was hier und nachfolgend auch als kompensatorische Dotierung bezeichnet wird. In another embodiment of the inventive method, the impurity is preferably compensated for by introducing impurities, which is referred to here and hereinafter also referred to as a compensatory doping. Das Einbringen der entsprechenden Fremdatome erfolgt insbesondere durch Ionenimplantation, Diffusion oder Epitaxie. The introduction of the corresponding impurity in particular by ion implantation, diffusion, or epitaxy. Dabei erfolgt die Kompensation vorzugsweise durch ein Metall, das insbesondere ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus Titan, Chrom, Gold, Silber, Nickel und Kupfer. The compensation is carried out preferably by a metal which is especially selected from the group consisting of titanium, chromium, gold, silver, nickel and copper.

Claims (18)

  1. 1. Verfahren zur Verminderung der Adhäsion in mikromechanischen Bauelementen auf der Basis eines Halbleitermaterials, dadurch gekennzeichnet , dass das Verfahren den Schritt umfasst, dass die Störstellen des verwendeten Halbleitermaterials verändert werden. 1. A method for reducing the adhesion in micromechanical devices on the basis of a semiconductor material, characterized in that the method comprises the step that the impurities of the semiconductor material used can be changed.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Störstellen deaktiviert werden. 2. The method according to claim 1, characterized in that the impurities are disabled.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Störstelle derart verändert wird, dass der resultierende Zustand nicht in der Bandlücke des Halbleitermaterials liegt. 3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that the impurity is changed such that the resulting state is not in the band gap of the semiconductor material.
  4. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Störstellen durch Temperung des verwendeten Halbleitermaterials deaktiviert werden. 4. The method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the impurities are activated by heat treatment of the semiconductor material used.
  5. 5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Störstellen durch Einbringen von Fremdatomen kompensiert werden. 5. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the impurity is compensated by introducing impurities.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Einbringen durch Ionenimplantation, Diffusion oder Epitaxie erfolgt. 6. The method according to claim 5, characterized in that the introduction by ion implantation, diffusion, or epitaxy is performed.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass zur Kompensation ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Titan, Chrom, Gold, Silber, Nickel und Kupfer, eingesetzt wird. 7. The method of claim 5 or 6, characterized in that is used to compensate for a metal selected from the group consisting of titanium, chromium, gold, silver, nickel and copper.
  8. 8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Deaktivierung des Oberflächenzustands durch Temperung erfolgt. 8. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the deactivation of the surface state is effected by annealing.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperung durch ein Gas erfolgt, das ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus Wasserstoff-, Formiergas, Wasserdampf oder Stickoxiden. 9. The method according to claim 8, characterized in that the heat treatment is carried out by a gas which is selected from the group consisting of hydrogen, forming gas, water vapor or nitrogen oxides.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperung in einem Temperaturbereich von 350°C bis 550°C durchgeführt wird. 10. The method of claim 8 or 9, characterized in that the heat treatment is carried out in a temperature range from 350 ° C to 550 ° C.
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperung in einem Temperaturbereich von oberhalb von 700°C bei Verwendung von dotierstoffhaltigen gasförmigen Mischungen durchgeführt wird. 11. The method according to claim 10, characterized in that the heat treatment is carried out in a temperature range of above 700 ° C when using dopant-gaseous mixtures.
  12. 12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Deaktivierung mittels eines Prozessgases erfolgt, das ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus Wasserstoff-, Formier-, Sauerstoffgas, Wasserdampf, Stickoxiden und dotierstoffhaltigen gasförmigen Mischungen. 12. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the deactivation is effected by means of a process gas selected from the group consisting of hydrogen, Formier-, oxygen gas, water vapor, nitrogen oxides and dopant-gaseous mixtures.
  13. 13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass als Dotierstoffe PH 3 , Diboran eingesetzt werden. 13. The method of claim 11 or 12, characterized in that are used as dopants PH 3, diborane.
  14. 14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem mikromechanischen Bauelement ( 4 '; 40 ) um ein strukturiertes mikromechanisches Bauelement handelt. 14. A method according to any one of the preceding claims, characterized in that it is in the micromechanical component (4 '; 40) is a structured micro mechanical component.
  15. 15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermaterial ein Halbleitermaterial auf der Basis von Si ist. 15. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the semiconductor material is a semiconductor material based on Si.
  16. 16. In einer Schicht, die sich oberflächennah befindet, modifiziertes mikromechanisches Bauelement ( 4 '; 40 ), erhältlich mittels des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 15. 16. In a layer that is located close to the surface, modified micromechanical component (4 '; 40) obtainable by the process according to any one of claims 1 to 15 °.
  17. 17. Verwendung des in einer Schicht, die sich oberflächennah befindet, modifizierten mikromechanischen Bauelements ( 4 '; 40 ) nach Anspruch 16 zur Herstellung eines mikromechanischen Sensors, insbesondere zur Herstellung von Beschleunigungs- und Drehratensensoren. 17. The use of a layer that is located close to the surface modified micromechanical element (4 '; 40) according to claim 16 for producing a micromechanical sensor, in particular for the preparation of acceleration and angular rate sensors.
  18. 18. Einrichtung, insbesondere mikromechanischer Sensor, aufweisend das oberflächennahschichtmodifizierte mikromechanische Bauelement ( 4 '; 40 ) nach Anspruch 16. 18 device, in particular a micromechanical sensor, comprising the oberflächennahschichtmodifizierte micromechanical element (4 '; 40) of claim sixteenth
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