DE10110005B4 - Electronic component with a semiconductor chip and method for its production - Google Patents

Electronic component with a semiconductor chip and method for its production Download PDF

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Abstract

Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip (2), der eine aktive Vorderseite (3) mit integrierten Schaltungen und eine passive Rückseite ohne integrierte Schaltungen aufweist, wobei die aktive Vorderseite (3) über Kontaktanschlussflächen (4) verfügt und mit einer elastischen Schicht (10) bedeckt ist, die auf ihrer der aktiven Vorderseite (3) des Halbleiterchips (2) abgewandten Oberfläche mit Anschlusskontakten (14) versehen ist und wobei einer oder mehrere Anschlusskontakte (14) elektrisch leitend mit wenigstens einer der Kontaktanschlussflächen (4) verbunden ist bzw. sind, wobei ein über die Oberfläche der elastischen Schicht (10) ragender Bogenabschnitt (8) eines an freien Enden mit Kontaktanschlußflächen (4) verbundenen bogenförmigen elektrischen Leiters (6) entfernt ist und einer, oder unabhängig voneinander beide der vom Leiter (6) übrig gebliebenen Drahtabschnitte (18) an der Austrittsstelle aus der elastischen Schicht (10) einen Anschlusskontakt (14) durchsetzt und mit ihm elektrisch verbunden ist.electronic Component with a semiconductor chip (2), which has an active front (3) with integrated circuits and a passive back having no integrated circuits, the active front side (3) about Contact pads (4) and covered with an elastic layer (10) resting on its surface the active front side (3) of the semiconductor chip (2) facing away surface is provided with connection contacts (14) and wherein one or more Connection contacts (14) electrically conductive with at least one of Contact pads (4) is connected, wherein an over the surface of the elastic layer (10) projecting arc section (8) of a free Ends with contact pads (4) connected arcuate electrical conductor (6) is removed and one, or independently both of the ladder (6) left remained wire sections (18) at the exit point of the elastic layer (10) passes through a terminal contact (14) and is electrically connected to him.

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil mit mindestens einem Halbleiterchip und ein Verfahren zu seiner Herstellung gemäß den unabhängigen Ansprüchen.The The invention relates to an electronic component having at least one Semiconductor chip and a method for its production according to the independent claims.

Bei hoch integrierten elektronischen Halbleiterbauelementen mit teilweise sehr kompakten und flachen Gehäusebauformen entstehen im Betrieb erhebliche Temperaturunterschiede zwischen Halbleiterchips, Gehäusen und Baugruppenträgern. Die damit einher gehenden stark unterschiedlichen thermischen Ausdehnungen – auch bedingt durch unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten – vermindern die Zuverlässigkeit elektrischer Verbindungselemente bzw. -kontakte zwischen zwei Verbindungsebenen.at highly integrated electronic semiconductor devices with partial very compact and flat housing types arise during operation significant temperature differences between Semiconductor chips, housings and racks. The associated very different thermal expansions - also conditional by different thermal expansion coefficients - reduce the reliability electrical connection elements or contacts between two connection levels.

Aus der US 6,107,682 A ist es bekannt, jeweils einen Bogen aus einem Bonddraht auf eine Kontaktanschlussfläche zu bonden, um flexible Anschlusskontakte für ein Halbleiterbauteil bereitzustellen. Ähnliche Anordnungen sind auch aus der DE 100 02 426 A1 und der US 5,989,936 A bekannt.From the US 6,107,682 A It is known to each bond a sheet of a bonding wire to a contact pad to provide flexible connection contacts for a semiconductor device. Similar arrangements are also from the DE 100 02 426 A1 and the US 5,989,936 A known.

Die US 5,884,398 A offenbart ebenfalls das Anbringen einer Bondschleife auf Kontaktanschlussflächen eines Halbleiterchips, wobei die Schleifen in einem anschließenden Verfahrensschritt aufgetrennt werden können.The US 5,884,398 A also discloses mounting a bond loop on contact pads of a semiconductor chip, which loops can be separated in a subsequent process step.

Die JP 2000-294311 A (Abstract) offenbart die Anordnung von Verbindungsdrähten in einer elastischen Schicht.The JP 2000-294311 A (Abstract) discloses the arrangement of bonding wires in FIG an elastic layer.

Aus der DE 197 23 203 A1 ist das Umschließen von Kontaktanschlussflächen eines Halbleiterchips kontaktierenden Drähten mit einer Schicht aus einem Formharz bekannt.From the DE 197 23 203 A1 For example, the encapsulation of contact pads of a semiconductor chip contacting wires with a layer of a molding resin is known.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine elektrische Verbindung zwischen zwei Ebenen eines elektronischen Bauelements zur Verfügung zu stellen, die zuverlässig unterschiedliche thermische Ausdehnungen in einem elektronischen Bauteil mit einem Halbleiterchip ausgleichen kann.task The invention is an electrical connection between two Layers of an electronic component to provide that reliably different thermal expansions in an electronic component with a Semiconductor chip can compensate.

Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.These The object is achieved with the subject matter of the independent claims. Further developments of Invention will become apparent from the dependent claims.

Erfindungsgemäß weist das elektronische Bauteil einen Halbleiterchip auf, der eine aktive Vorderseite mit integrierten Schaltungen und eine passive Rückseite ohne integrierte Schaltungen aufweist, wobei die aktive Vorderseite über Kontaktanschlussflächen verfügt und mit einer elastischen Schicht bedeckt ist, die auf ihrer der aktiven Vorderseite des Halbleiterchips abgewandten Oberfläche mit Anschlusskontakten versehen ist und wobei einer oder mehrere Anschlusskontakte elektrisch leitend mit wenigstens einer der Kontaktanschlussflächen verbunden sind. Ein über die Oberfläche der elastischen Schicht ragender Bogenabschnitt eines an freien Enden mit Kontaktanschlussflächen verbundenen bogenförmigen elektrischen Leiters ist entfernt und einer oder unabhängig voneinander beide der vom Leiter übrig gebliebenen Drahtabschnitte durchsetzen an der Austrittsstelle aus der elastischen Schicht einen Anschlusskontakt und sind mit ihm elektrisch verbunden.According to the invention the electronic component on a semiconductor chip, which is an active Front with integrated circuits and a passive back without integrated circuits, wherein the active front has contact pads and with an elastic layer is covered on its active Front surface of the semiconductor chip facing away with Connection contacts is provided and wherein one or more connection contacts electrically connected to at least one of the contact pads are. An over the surface the elastic layer projecting arc section of a free Ends with contact pads connected arcuate electrical conductor is removed and one or independent of each other both left over from the ladder remaining wire sections pass through at the exit point The elastic layer is a terminal contact and are with it electrically connected.

Das erfindungsgemäße elektronische Bauteil hat den Vorteil, dass die in die elastische Schicht eingebetteten elektrisch leitenden Verbindungen zwischen den auf der elastischen Schicht befindlichen Anschlusskontakten und den Kontaktanschlussflächen auf der aktiven Vorderseite des strukturierten Halbleiterchips eine hohe Elastizität aufweisen und somit auch bei einem betriebsbedingt stark erwärmten und sich dadurch ausdehnenden Halbleiterchip für eine sichere elektrische Kontaktierung sorgen können.The electronic according to the invention Component has the advantage that embedded in the elastic layer electrically conductive connections between the on the elastic Layer located terminal contacts and the contact pads the active front of the structured semiconductor chip a high elasticity and thus also in an operationally strongly heated and thereby expanding semiconductor chip for a safe electrical Contacting can provide.

In einer Ausführungsform der Erfindung besteht die elastische Schicht aus einem Elastomer. Diese Ausführungsform hat den Vorteil einer leichten Verarbeitbarkeit der elastischen Schicht sowie einer guten Erfüllung der gewünschten mechanischen Dämpfungs- und Federungseigenschaften bei unterschiedlichen Wärmedehnungen der elektrisch zu verbindenden Kontakte auf der Elastomerschicht mit denen des Halbleiterchips.In an embodiment According to the invention, the elastic layer consists of an elastomer. These embodiment has the advantage of easy processibility of the elastic Shift as well as a good fulfillment the desired mechanical damping and suspension characteristics at different thermal expansions the electrically connected contacts on the elastomer layer with those of the semiconductor chip.

Eine weitere erfindungsgemäße Ausführungsform sieht vor, dass die elastische Schicht aus einem geschlossenporigen Elastomer besteht, was den zusätzlichen Vorteil einer hohen Eigendämpfung des verwendeten Materials hat. Gleichzeitig kann auf diese Weise sichergestellt werden, dass die strukturierte Vorderseite des Halbleiterchips gasdicht vor Umwelteinflüssen abgeschlossen und damit optimal geschützt ist.A another embodiment of the invention provides that the elastic layer of a closed-pore Elastomer is what the additional Advantage of high internal damping of used material has. At the same time can be ensured in this way be that the structured front of the semiconductor chip gas-tight before environmental influences completed and thus optimally protected.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die elastische Schicht eine isolierende Schicht ist und als elektrischer Isolator wirkt, womit diese Ausführungsform den Vorteil zeigt, dass damit eine gute elektrische Isolationswirkung erreicht wird. Zudem ist auf diese Weise die aktive Vorderseite des Halbleiterchips mechanisch gegen Fremdeinwirkung geschützt.at a further embodiment The invention provides that the elastic layer is an insulating Layer is and acts as an electrical insulator, which this embodiment shows the advantage that thus a good electrical insulation effect is reached. In addition, in this way, the active front of the semiconductor chip mechanically protected against external influences.

Eine erfindungsgemäße Ausführungsform sieht vor, dass die elektrisch leitenden Verbindungen zwischen den Kontaktanschlussflächen auf der aktiven Vorderseite des Halbleiterchips und den Anschlusskontakten auf der elastischen Schicht als elastische Metalldrähte ausgebildet sind. Diese Ausführungsform hat den Vorteil einer guten elektrischen Verbindung bei gleichzeitig einfacher und kostengünstiger Herstellbarkeit. Derartige elastische Metalldrähte lassen sich zudem leicht und effektiv aufbringen und gut auf den Kontaktanschlussflächen und den Anschlusskontakten befestigen.An embodiment according to the invention provides that the electrically conductive connections between the contact pads on the active front side of the semiconductor chip and the connection contacts on the elastic layer as elastic metal wires are formed. This embodiment has the advantage of a good electrical connection with at the same time simple and inexpensive manufacturability. Such elastic metal wires can also be applied easily and effectively and fasten well on the contact pads and the connection contacts.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind die e lektrisch leitenden Verbindungen zwischen den Kontaktanschlussflächen auf der aktiven Vorderseite des Halbleiterchips und den Anschlusskontakten auf der elastischen Schicht als elastische Flachdrähte bzw. -bänder ausgebildet, was insbesondere den Vorteil einer definierten elastischen Auslenkung bei Relativbewegungen der Kontaktanschlussflächen und der Anschlusskontakte hat. Diese elastischen Flachdrähte bzw. -bänder lassen sich besonders gut auf den Kontakten fixieren.at a further embodiment The invention relates to the electrically conductive connections between the contact pads on the active front side of the semiconductor chip and the connection contacts on the elastic layer as elastic flat wires or bands formed, which in particular the advantage of a defined elastic Deflection during relative movements of the contact pads and has the connection contacts. These elastic flat wires or bands can be fixed very well on the contacts.

Eine erfindungsgemäße Ausführungsform sieht vor, dass die elastischen Drähte bzw. Bänder jeweils mit wenigstens einer Kontaktanschlussfläche und mit wenigstens einem Anschlusskontakt verlötet sind, was den Vorteil einer zuverlässigen mechanischen und elektrischen Verbindung der Kontakte hat. Somit ist über jeweils einen Verbindungsdraht jede Kontaktanschlussfläche mit einem Anschlusskontakt verbunden.A sees embodiment of the invention before that the elastic wires or bands each with at least one contact pad and at least one Connection contact are soldered, what the advantage of a reliable has mechanical and electrical connection of the contacts. Consequently is over each one connecting wire each contact pad with connected to a connection contact.

Eine Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die elastischen Drähte bzw. Bänder jeweils aus Kupfer, Silber oder Gold bestehen, was den Vorteil eines geringen elektrischen Widerstandes und damit einer sehr guten elektrischen Leitfähigkeit auch bei geringsten Leitungsquerschnitten hat.A embodiment The invention provides that the elastic wires or bands of copper, silver or gold, which has the advantage of low electrical Resistance and thus a very good electrical conductivity even with the smallest cable cross-sections.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die Anschlusskontakte jeweils mit Kontakthöckern versehen sind. Diese Ausführungsform hat den Vorteil einer einfachen und zuverlässigen Kontaktierbarkeit der Anschlusskontakte mit weiteren elektrischen Verbindungsstellen.at a further embodiment The invention provides that the connection contacts each with bumps are provided. This embodiment has the advantage of a simple and reliable contactability of Connection contacts with other electrical connection points.

Eine erfindungsgemäße Ausführungsform sieht vor, dass die elastische Schicht und die Anschlusskontakte jeweils mit einer Lötstoppschicht – bspw. in Form eines Lötstopplacks – bedeckt sind, was insbesondere den Vorteil hat, dass damit Lötstellen auf den Anschlusskontakten auf einen kleinen Raum begrenzt sind. Durch den Lötstopplack wird das verflüssigte Lot daran gehindert, auf die an die Anschlusskontakte angrenzenden Leiterbahnen abzufließen.A sees embodiment of the invention before that the elastic layer and the connection contacts respectively with a solder stop layer - eg. in the form of a solder mask - covered are, which in particular has the advantage that with it solder joints on the connecting contacts are limited to a small space. Through the solder resist becomes the liquefied one Lot prevented from being adjacent to the terminals Drain tracks.

Gemäß der Erfindung sind die elastischen Drähte bzw. Bänder bogenförmig ausgebildet, was insbesondere den Vorteil einer definierten Elastizität der elektrischen Verbindungen hat. Auch bei Relativbewegungen des Halbleiterchips zur elastischen Schicht bzw. weiteren angrenzenden Gehäuseteilen ist somit eine sichere elektrische Verbindung zwischen Anschlusskontakten und Kontaktanschlussflächen gegeben.According to the invention are the elastic wires or bands arc formed, which in particular the advantage of a defined elasticity of the electrical Has connections. Even with relative movements of the semiconductor chip to the elastic layer or other adjacent housing parts thus a secure electrical connection between terminal contacts and contact pads given.

Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass einzelne elastische Drähte bzw. Bänder auf jeweils einer Kontaktanschlussfläche verbunden sind und mit einem freien Ende in der elastischen Schicht enden. Diese erfindungsgemäße Ausführungsform hat den Vorteil, dass nur die zur elektrischen Kontaktierung benötigten Kontaktanschlussflächen nach außen geführt werden; die nicht benötigten können als Abstützstellen für Drahtbögen aus Rund- oder Flachdraht dienen.A another embodiment The invention provides that individual elastic wires or bands are each connected to a contact pad and with a free end in the elastic layer end. This embodiment of the invention has the advantage that only the contact pads required for electrical contacting after Outside guided become; not needed can as support points for arched wire from round or flat wire.

Ein über die Oberfläche der elastischen Schicht ragender Bogenabschnitt eines mit seinen freien Enden jeweils auf einer Kontaktanschlussfläche verbundenen Bogens ist an seinen beiden Austrittsstellen aus der elastischen Schicht jeweils mit einem Anschlusskontakt versehen. Dies ist mit dem Vorteil verbunden, dass damit eine mechanisch stabile und gleichzeitig flexible elektrische Verbindung des Halbleiterchips mit den Kontakthöckern ermöglicht ist.One about the surface the elastic layer protruding arc section of one with its free Ends each on a contact pad connected arc is at its two exit points from the elastic layer respectively provided with a connection contact. This is associated with the advantage that thus a mechanically stable and at the same time flexible electrical Connection of the semiconductor chip is made possible with the bumps.

Der über die Oberfläche der elastischen Schicht ragende Bogenabschnitt ist entfernt, was insbesondere den Vorteil einer kompakten Bauausführung hat. Dabei können mit einem Drahtbogen nach Entfernen eines mittleren Bogenabschnitts zwei getrennte elektrische Verbindungen hergestellt werden.The over the surface the elastic layer projecting arc section is removed, which especially has the advantage of a compact construction. It can with an archwire after removing a middle arch section two separate electrical connections are made.

Bei einer erfindungsgemäßen Ausführungsform ist der Bogenabschnitt durch Ätzen entfernt. Damit ist der Vorteil verbunden, dass eine äußerst glatte und fein strukturierte Oberfläche mit nur sehr kleinen Poren an den aus der elastischen Schicht tretenden Drahtabschnitten realisiert ist.at an embodiment of the invention is the arc section by etching away. This has the advantage that a very smooth and finely textured surface with only very small pores on the wire sections coming out of the elastic layer is realized.

Bei einer erfindungsgemäßen Variante ist der Bogenabschnitt durch Schleifen entfernt, was den Vorteil einer exakt definierten Höhe eines über die elastische Schicht ragenden Bogenabschnitts hat.at a variant of the invention The bow section is removed by sanding, giving the advantage a precisely defined height one about the elastic layer has projecting bow section.

Bei einer weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsform ist nur eine Austrittsstelle eines Drahtabschnitts eines Drahtbogens mit einem Anschlusskontakt versehen, was den Vorteil hat, dass damit nur die zur elektrischen Kontaktierung benötigten Kontaktanschlussflächen nach außen geführt werden; die nicht benötigten können als Abstützstellen für Drahtbögen aus Rund- oder Flachdraht dienen.at a further embodiment of the invention is only one exit point of a wire section of an archwire provided with a connection contact, which has the advantage that it only the contact pads required for electrical contact after Outside guided become; not needed can as support points for archwires Round or flat wire serve.

Bei einem Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit einem Halbleiterchip, der eine aktive Vorderseite mit integrierten Schaltungen und eine passive Rückseite ohne integrierte Schaltungen aufweist, wobei die aktive Vorderseite über Kontaktanschlussflächen verfügt und mit einer elastischen Schicht bedeckt ist, die auf ihrer der aktiven Vorderseite des Halbleiterchips abgewandten Oberfläche mit Anschlusskontakten versehen ist und wobei jeder der Anschlusskontakte elektrisch leitend mit wenigstens einer der Kontaktanschlussflächen verbunden ist sind folgende Verfahrensschritte vorgesehen.In a method of manufacturing an electronic device with a semiconductor chip having an active front side with integrated circuits and a passive back side without an integrated circuit having the active front side has contact pads and is covered with an elastic layer which is provided on its surface facing away from the active front side of the semiconductor chip with terminal contacts and wherein each of the terminal contacts is electrically conductively connected to at least one of the contact pads are provided the following method steps ,

Nach dem Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterchips und dazwischen vorgesehenen Sägespurbereichen werden auf den aktiven Vorderseiten der Halbleiterchips Kontaktanschlussflächen aufgebracht. Anschließend werden jeweils zwei benachbarte Kontaktanschlussflächen mit jeweils einem bogenförmigen Metalldraht bzw. Metallband verbunden, wonach eine elastische und isolierende Schicht auf die aktiven Vorderseiten der Halbleiterchips aufgebracht wird. Diese elastische Schicht ist von ihrer Dicke so bemessen, dass jeweils ein Bogenabschnitt der bogenförmigen Metalldrähte bzw. -bänder über die elastische Schicht hinausragt. Danach erfolgt ein Aufbringen von Anschlusskontakten auf der der aktiven Vorderseite der Halbleiterchips abgewandten Oberfläche der elastischen Schicht und ein Verbinden mit jeweils einer aus der elastischen Schicht ragenden Austrittsstelle eines Bogenabschnitts. Anschließend werden die über die elastische Schicht ragenden Bogenabschnitte entfernt. Schließlich wird eine Lötstoppschicht auf die elastische Schicht und die Anschlusskontakte aufgebracht. Zuletzt wird der Halbleiterwafer zu Halbleiterchips vereinzelt.To providing a semiconductor wafer with in rows and columns arranged semiconductor chips and provided therebetween Sägespurbereichen are applied to the active front sides of the semiconductor chip contact pads. Subsequently are each two adjacent contact pads with each an arcuate Metal wire or metal band connected, after which an elastic and insulating layer on the active front sides of the semiconductor chips is applied. This elastic layer is of its thickness so dimensioned that in each case an arc portion of the arcuate metal wires or ribbons over the protrudes elastic layer. Thereafter, an application of Connection contacts on the active front of the semiconductor chips remote surface the elastic layer and connecting with one each the elastic layer protruding exit point of an arc section. Subsequently be the over the elastic layer protruding arc sections removed. Finally, a solder resist layer applied to the elastic layer and the terminal contacts. Finally, the semiconductor wafer is singulated into semiconductor chips.

Dieses erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, dass die in die elastische Schicht eingebetteten elektrisch leitenden Verbindungen aus Drähten oder Flachbändern zwischen den auf der elastischen Schicht befindlichen Anschlusskontakten und den Kontaktanschlussflächen auf der aktiven Vorderseite des strukturierten Halbleiterchips eine hohe Elastizität aufweisen und somit auch bei einem betriebsbedingt stark erwärmten und sich dadurch ausdehnenden Halbleiterchip für eine sichere elektrische Kontaktierung sorgen können.This inventive method has the advantage that the embedded in the elastic layer electrically conductive connections of wires or flat bands between the connection contacts located on the elastic layer and the contact pads on the active front side of the patterned semiconductor chip high elasticity and thus also in an operationally strongly heated and thereby expanding semiconductor chip for a safe electrical Contacting can provide.

Bei einem Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens werden die über die elastische Schicht ragenden Bogenabschnitte der Drähte mittels Ätzen und/oder Schleifen entfernt. Damit ist der Vorteil verbunden, dass ein exaktes Abtragen der Drahtabschnitte auf die richtige Länge ermöglicht ist.at an embodiment the method according to the invention be the over the elastic layer projecting arc portions of the wires by means of etching and / or Grind away. This has the advantage that an exact Removal of the wire sections to the correct length is possible.

Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung ist vorgesehen, dass bei wenigstens einem der bogenförmigen Drähte nur ein Bogenabschnitt an seiner Austrittsstelle aus der elastischen Schicht mit einem Anschlusskontakt verbunden wird. Dies hat den Vorteil, dass damit nur die zur elektrischen Kontaktierung benötigten Kontaktanschlussflächen nach außen geführt werden; die nicht benötigten können als Abstützstellen für Drahtbögen aus Rund- oder Flachdraht dienen.at a further embodiment The invention provides that in at least one of the arcuate wires only an arc section at its exit point from the elastic Layer is connected to a terminal. This has the Advantage that only the contact pads required for electrical contacting are led outwards; not needed can as support points for archwires Round or flat wire serve.

Die erfindungsgemäße Ausführungsform sieht vor, dass die elastische Schicht mit einer Lötstoppschicht bedeckt wird, was insbesondere den Vorteil hat, dass damit Lötstellen auf den Anschlusskontakten auf einen kleinen Raum begrenzt sind. Durch den Lötstopplack wird das verflüssigte Lot daran gehindert, auf die an die Anschlusskontakte angrenzenden Leiterbahnen abzufließen.The sees embodiment of the invention that the elastic layer is covered with a solder stop layer, which in particular has the advantage that thus solder joints on the connection contacts are limited to a small room. Through the solder resist becomes the liquefied one Lot prevented from being adjacent to the terminals Drain tracks.

Als weitere Alternativen elastischer elektrischer Verbindungselemente kommen bspw. in elastische Zwischenschichten eingebettete mehr oder weniger elastische Verbindungselemente in Form von Bändchen, Pfosten, Durchbrüchen oder Kontakthöcker in Frage. Die von elastischem Material umgebenen Bändchen können dabei von einem nächst höheren Verbindungsniveau bereit gestellt werden. Kontakthöcker, Durchgangsverbindungen, sog. Vias und Pfosten können bspw. aus elektrisch leitfähigem organischen Material oder aus Metall bestehen und sind meist von organischem Material umgeben bzw. in solchem Material eingebettet.When other alternatives of elastic electrical connection elements come, for example, embedded in elastic interlayers more or less elastic connecting elements in the form of ribbons, Posts, breakthroughs or contact bumps in question. The bands surrounded by elastic material can thereby from a next higher Connection level are provided. Contact bumps, passage connections, so-called vias and posts can For example, from electrically conductive organic material or metal and are mostly made of surrounded organic material or embedded in such material.

Zusammenfassend ergeben sich die folgenden Aspekte der Erfindung. Das erfindungsgemäße elektronische Bauteil und das Verfahren zu seiner Herstellung basiert auf konventionellen Drahtbondverfahren und ist mit nur geringen Anforderungen hinsichtlich einer exakten Justierung verbunden. Mit einer Drahtbrücke können bis zu zwei elastische Verbindungselemente bereitgestellt werden. Die Verbindungselemente können in einem organischen Material eingebettet sein, das die Verteilung der mechanischen Spannungen über die gesamte Länge des Verbindungselements aufnimmt. Diese Verbindungselemente können wahlweise für ganze Wafer Verwendung finden. Die Erfindung nutzt die jeder Drahtbrücke eigenen Bogenform. Jeder Bogen kann, wenn der obere Teil des Drahtbogens entfernt wird, bis zu zwei elastische Verbindungselemente bereit stellen. Das Entfernen des oberen Teil des Drahtbogens kann auf chemischem (Ätzen) oder mechanischem Wege (z.B. Schleifen) erfolgen. Die Drahtbrücke kann vorzugsweise zuvor bereits in der elastischen Schicht aus organischem Material eingebettet sein.In summary the following aspects of the invention result. The inventive electronic Component and the method for its production is based on conventional Wire bonding process and is with only minor requirements in terms connected to an exact adjustment. With a wire bridge can up be provided to two elastic connecting elements. The Connecting elements can be embedded in an organic material that is the distribution the mechanical stresses over the entire length of the connecting element receives. These fasteners can optionally for whole Wafer find use. The invention uses each jumper own Arc shape. Each bow can, if the upper part of the archwire is removed, up to two elastic fasteners ready put. The removal of the upper part of the archwire can on chemical (etching) or by mechanical means (e.g., grinding). The wire bridge can preferably previously in the elastic layer of organic Be embedded material.

Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsformen mit Bezug auf die beiliegenden Figuren näher erläutert.The The invention will now be described by way of embodiments with reference to FIG the enclosed figures closer explained.

1 zeigt einen schematischen Querschnitt eines Halbleiterchips mit Kontaktanschlussflächen. 1 shows a schematic cross section of a semiconductor chip with contact pads.

2 zeigt in einem schematischen Querschnitt einen Halbleiterchip, der mit einer bogenförmigen Drahtbrücke versehen ist. 2 shows in a schematic cross cut a semiconductor chip, which is provided with an arcuate wire bridge.

3 zeigt einen schematischen Querschnitt eines mit Kontakthöckern versehenen Halbleiterchips mit erfindungsgemäßen elektrischen Verbindungen zu Anschlusskontakten. 3 shows a schematic cross section of a provided with bumps semiconductor chip with inventive electrical connections to terminal contacts.

4 zeigt einen schematischen Querschnitt einer Variante der Verbindungen entsprechend 2. 4 shows a schematic cross section of a variant of the compounds accordingly 2 ,

5 zeigt einen schematischen Querschnitt der Variante entsprechend 4 mit auf Anschlusskontakten aufgebrachten Kontakthöckern. 5 shows a schematic cross section of the variant accordingly 4 with contact bumps applied to connection contacts.

In den folgenden 1 bis 5 werden erfindungsgemäße Ausführungsbeispiele dargestellt. Dabei sind gleiche Teile grundsätzlich mit gleichen Bezugszeichen versehen und werden teilweise nicht mehrfach erläutert.In the following 1 to 5 Embodiments of the invention are shown. The same parts are basically provided with the same reference numerals and will not be explained several times.

1 zeigt in einem schematischen Querschnitt einen Ausschnitt eines Halbleiterchips 2 mit einer nach unten weisenden passiven Rückseite und einer nach oben weisenden aktiven Vorderseite 3 mit strukturierten integrierten Schaltungen. Die aktive Vorderseite 3 ist mit einer Vielzahl von flach auf der Vorderseite 3 des Halbleiterchips 2 aufliegenden Kontaktanschlussflächen 4 versehen, von denen aus Gründen der besseren Übersichtlichkeit lediglich zwei dargestellt sind. Diese Kontaktanschlussflächen 4 stellen die elektrischen Kontakte zu den integrierten Schaltungen des Halbleiterchips 2 dar, die über elektrische Verbindungen bspw. mit Außenkontakten eines Gehäuses verbunden werden. 1 shows a section of a semiconductor chip in a schematic cross section 2 with a down-facing passive back and an up-facing active front 3 with structured integrated circuits. The active front side 3 is with a variety of flat on the front 3 of the semiconductor chip 2 resting contact pads 4 provided, for reasons of clarity, only two are shown. These contact pads 4 provide the electrical contacts to the integrated circuits of the semiconductor chip 2 which are connected via electrical connections, for example. With external contacts of a housing.

2 zeigt einen schematischen Querschnitt eines Halbleiterchips 2, der mit einer bogenförmigen Drahtbrücke bzw. einem Drahtbogen 6 versehen ist. Der Drahtbogen 6 ist mit seinen freien Enden jeweils auf einer Kontaktanschlussfläche 4 aufgebracht, bspw. mittels Verlöten oder mittels herkömmlicher Drahtbondtechnik. Die aktive Vorderseite 3 des Halbleiterchips 2, die Kontaktanschlussflächen 4 sowie ein Teil des Drahtbogens 6 sind mit einer elastischen Schicht 10 bedeckt, so dass ein mittlerer Teil des Drahtbogens 6, ein Bogenabschnitt 8 über die Oberfläche der elastischen Schicht 10 hinausragt. Bei der elastischen Schicht 10 kann es sich bspw. um eine Elastomerschicht handeln, die für eine formschlüssige und gleichzeitig flexible Einbettung der von ihr teilweise umschlossenen Drahtbögen 6 sorgen kann. Vorzugsweise besteht die flexible Schicht 10 aus einem geschlossenporigen Elastomer, so dass für eine gasdichte Versiegelung der strukturierten Vorderseite 3 des Halbleiterchips 2 gesorgt ist. 2 shows a schematic cross section of a semiconductor chip 2 , with a bow-shaped wire bridge or an arched wire 6 is provided. The archwire 6 is with its free ends each on a contact pad 4 applied, for example by means of soldering or by means of conventional Drahtbondtechnik. The active front side 3 of the semiconductor chip 2 , the contact pads 4 and part of the archwire 6 are with an elastic layer 10 covered, leaving a middle part of the archwire 6 , an arc section 8th over the surface of the elastic layer 10 protrudes. At the elastic layer 10 it may, for example, be an elastomer layer, which is responsible for a positive and at the same time flexible embedding of the archwires partially enclosed by it 6 can provide. Preferably, the flexible layer 10 made of a closed-pore elastomer, so that for a gas-tight seal the structured front 3 of the semiconductor chip 2 is taken care of.

3 zeigt einen schematischen Querschnitt eines mit Kontakthöckern 16 versehenen Halbleiterchips 2 mit erfindungsgemäßen elektrischen Verbindungen zu Anschlusskontakten 14. Der über die elastische Schicht 10 ragende Bogenabschnitt 8 ist dabei entfernt, so dass die freien Enden der vom Drahtbogen 6 übrig bleibenden Drahtabschnitte 18 an der Oberfläche der elastischen Schicht 10 enden. Diese freien Enden der Drahtabschnitte 18 sind jeweils mit Anschlusskontakten 14 versehen, die auf ihrer der elastischen Schicht 10 abgewandten Oberseite wiederum jeweils mit Kontakthöckern 16 versehen sind. 3 shows a schematic cross section of one with bumps 16 provided semiconductor chips 2 with electrical connections according to the invention to connection contacts 14 , The over the elastic layer 10 projecting arc section 8th It is removed, leaving the free ends of the archwire 6 remaining wire sections 18 on the surface of the elastic layer 10 end up. These free ends of the wire sections 18 are each with connection contacts 14 provided on their elastic layer 10 turned away top in turn each with bumps 16 are provided.

Die Verbindung der Kontaktanschlüsse 14 mit den freien Enden der Drahtabschnitte 18 erfolgt bei noch vollständigem Drahtbogen 6, wobei die flachen Kontaktanschlüsse 14 bspw. geschlitzt sein können, so dass sie über den Drahtbogen 6 ge schoben und dann mit diesem verlötet werden können. Anschließend kann dann der über die elastische Schicht 10 ragende Bogenabschnitt 8 entfernt werden.The connection of the contact connections 14 with the free ends of the wire sections 18 takes place with a complete archwire 6 , wherein the flat contact terminals 14 For example, they can be slotted so they go over the archwire 6 ge can be pushed and then soldered with this. Then then the over the elastic layer 10 projecting arc section 8th be removed.

Die Entfernung der Bogenabschnitte 8 kann bspw. durch Ätzen oder durch Schleifen erfolgen. Das Ätzen hat den Vorteil einer sehr glatten und feinporigen Oberfläche. Mittels Schleifen kann eine sehr exakte und maßgenaue Abtragung von Material erfolgen.The removal of the bow sections 8th can be done, for example, by etching or by grinding. The etching has the advantage of a very smooth and fine-pored surface. By grinding a very accurate and dimensionally accurate removal of material can be done.

4 zeigt einen schematischen Querschnitt einer Variante der Verbindungen entsprechend 2. Hierbei ist ein Drahtbogen 6 jeweils mit einem freien Ende mit einer Kontaktanschlussfläche 4 des Halbleiterchips 2 verbunden. Mit seinem anderen freien Ende ist er dagegen auf einer Abstützfläche 4a aufgebracht, die sich ebenfalls auf der aktiven Vorderseite 3 des Halbleiterchips 2 befindet, jedoch keinen elektrischen Kontakt zu elektronischen Halbleiterschaltungen aufweist, sondern lediglich als Abstützstelle für einzelne Drahtbögen 6 dient. Die mechanische Verbindung der Drahtbögen 6 auf den Kontaktanschlussflächen 4 sowie den Abstützflächen 4a erfolgt in gleicher Weise wie oben (2 und 3) beschrieben. Die aktive Vorderseite 3 des Halbleiterchips 2 ist in gleicher Weise mit einer elastischen Schicht 10 bedeckt, aus der mittlere Bogenabschnitte 8 der Drahtbögen 6 heraus ragen. 4 shows a schematic cross section of a variant of the compounds accordingly 2 , Here is an archwire 6 each with a free end with a contact pad 4 of the semiconductor chip 2 connected. With his other free end, he is on a support surface 4a applied, which is also on the active front 3 of the semiconductor chip 2 but has no electrical contact with electronic semiconductor circuits, but only as a support point for individual wire bows 6 serves. The mechanical connection of the arch wires 6 on the contact pads 4 as well as the support surfaces 4a takes place in the same way as above ( 2 and 3 ). The active front side 3 of the semiconductor chip 2 is in the same way with an elastic layer 10 covered, from the middle arc sections 8th the archwires 6 stick out.

5 zeigt einen schematischen Querschnitt der Variante entsprechend 4 mit auf Anschlusskontakten 14 aufgebrachten Kontakthöckern 16. Im Unterschied zum ersten Ausführungsbeispiel entsprechend den 1 bis 3 enden jedoch die freien Enden der mit den Abstützstellen 4a verbundenen Drahtabschnitte 18 in der elastischen Schicht 10, ohne dass eine weitere elektrische Kontaktierung zu einem Anschlusskontakt 14 vorgesehen ist. Wie in der 5 erkennbar, sind lediglich die mit den Kontaktanschlussflächen 4 verbundenen Drahtabschnitte 18 jeweils mit einem Anschlusskontakt 14 auf der Oberfläche der elastischen Schicht 10 verbunden. Auf die ser befindet sich wiederum eine Schicht mit einem Lötstopplack 12, aus dem Kontakthöcker 16 ragen, die auf den Anschlusskontakten 14 fixiert sind. Der Lötstopplack 12 sorgt bei dieser Variante gleichzeitig für eine Isolierung der freien Enden der auf der Abstützfläche 4a fixierten Drahtabschnitte 18. 5 shows a schematic cross section of the variant accordingly 4 with on connection contacts 14 applied contact bumps 16 , In contrast to the first embodiment according to the 1 to 3 But ends the free ends of the support points 4a connected wire sections 18 in the elastic layer 10 , without any further electrical contact with a connection contact 14 is provided. Like in the 5 recognizable, are only those with the contact pads 4 connected wire section th 18 each with a connection contact 14 on the surface of the elastic layer 10 connected. On the water is again a layer with a solder resist 12 , from the contact bump 16 protrude on the connectors 14 are fixed. The solder mask 12 ensures in this variant at the same time for an isolation of the free ends of the support surface 4a fixed wire sections 18 ,

Die in den 2 bis 5 gezeigten Drahtbogen 6 bzw. die Bogenabschnitte 8 und Drahtabschnitte 18 bestehen vorzugsweise aus einem flexiblen Metalldraht mit rundem, ovalem, eckigem oder flachem Querschnitt. Als Metall kommt bspw. Kupfer, Silber oder Gold in Frage, da diese Metalle elektrischen Strom sehr gut leiten und einen sehr niedrigen ohmschen Widerstand aufweisen. Die Drähte sind vorzugsweise so steif, dass bei Relativbewegungen der Anschlusskontakte 14 und der mit den Drahtabschnitten 18 verbundenen Kontaktanschlussflächen 4 keine plastischen Verformungen auftreten. Gleichzeitig müssen sie so flexibel ausgeführt sein, dass sie derartige Relativbewegungen federnd ausgleichen können und jederzeit wieder ihre ursprüngliche Kontur annehmen können.The in the 2 to 5 shown archwire 6 or the bow sections 8th and wire sections 18 preferably consist of a flexible metal wire with a round, oval, square or flat cross-section. As a metal is, for example, copper, silver or gold in question, as these metals conduct electricity very well and have a very low resistance. The wires are preferably so stiff that during relative movements of the terminal contacts 14 and the one with the wire sections 18 connected contact pads 4 no plastic deformation occurs. At the same time they must be designed so flexible that they can compensate for such relative movements springy and can always return to their original shape.

Anhand der zuvor erläuterten 1 bis 5 wird nachfolgend ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens zur Herstellung eines elektronischen Bauteils beschrieben.Based on the previously explained 1 to 5 An exemplary embodiment of the manufacturing method according to the invention for producing an electronic component will now be described.

Es werden zunächst Halbleiterchips 2 mit passiven Rückseiten ohne integrierte Schaltungen und mit aktiven Vorderseiten 3 mit integrierten Schaltungen bereitgestellt. Diese Halbleiterchips 2 können sich noch im nicht vereinzelten Zustand auf einem Halbleiterwafer befinden, der erst später durch Zersägen entlang von Sägespuren vereinzelt wird. Ebenso möglich ist jedoch eine Kontaktierung mit erfindungsgemäßen flexiblen elektrischen Verbindungen bei bereits vereinzelten Halbleiterchips 2.There are first semiconductor chips 2 with passive backs without integrated circuits and active front panels 3 provided with integrated circuits. These semiconductor chips 2 can still be in a non-isolated state on a semiconductor wafer, which is separated later by sawing along saw marks. However, it is likewise possible to make contact with flexible electrical connections according to the invention in already isolated semiconductor chips 2 ,

Auf den aktiven Vorderseiten 3 der Halbleiterchips 2 werden Kontaktanschlussflächen 4 aufgebracht (vgl. 1), über die elektrische Verbindungen zu den integrierten Schaltungen des Halbleiterchips 2 herstellbar sind. Anschließend werden jeweils Gruppen von zwei benachbarten Kontaktanschlussflächen 4 mit jeweils einem Drahtbogen 6 elektrisch leitend verbunden (vgl. 2). Die Drahtbögen 6 können aus einem bogenförmigen flexiblen Draht aus Kupfer, Silber oder Gold mit rundem, ovalem, rechteckigem oder flachen Querschnitt bestehen und mittels Drahtbondtechnik fest mit den Kontaktanschlussflächen 4 verbunden werden. Anschließend wird eine elastische Schicht 10 auf die aktive Vorderseite 3 des Halbleiterchips 2 aufgebracht, so dass jeweils ein mittlerer Bogenabschnitt 8 der Drahtbögen 6 aus der flexiblen Schicht 10 ragt. Die flexible Schicht 10 kann bspw. ein Elastomer, vorzugsweise ein geschlossenporiges Elastomer sein.On the active fronts 3 the semiconductor chips 2 become contact pads 4 applied (cf. 1 ), via the electrical connections to the integrated circuits of the semiconductor chip 2 can be produced. Subsequently, each groups of two adjacent contact pads 4 each with an archwire 6 electrically connected (see. 2 ). The archwires 6 can consist of an arcuate flexible wire of copper, silver or gold with round, oval, rectangular or flat cross-section and fixed by wire bonding technique with the contact pads 4 get connected. Subsequently, an elastic layer 10 on the active front 3 of the semiconductor chip 2 applied, so that in each case a middle arc section 8th the archwires 6 from the flexible layer 10 protrudes. The flexible layer 10 may be, for example, an elastomer, preferably a closed-cell elastomer.

An den Austrittsstellen aus der elastischen Schicht 10 werden anschließend Anschlusskontakte 14 an den Drahtbögen 6 befestigt, auf denen vorzugsweise jeweils Kontakthöcker 16 aufgebracht werden. Die flachen metallischen Anschlusskontakte 14 liegen eben auf der elastischen Schicht 10 auf. Vor dem Aufbringen der Kontakthöcker 16 werden die Bogenabschnitte 8, die über die elastische Schicht 10 und die Anschlusskontakte 14 ragen, entfernt. Dies kann bspw. mittels Ätzen oder Schleifen erfolgen. Wie anhand der 3 erkennbar, entstehen auf diese Weise flexible Kontaktstellen, da die vollständig in der elastischen Schicht 10 eingebetteten flexiblen Drahtabschnitte 18 mit den damit verbundenen Anschlusskontakten 14 und Kontakthöckern 16 federnd ausweichen können. Sie sind damit in der Lage, sowohl vertikale als auch horizontale Kräfte aufzunehmen und können damit Relativbewegungen der Anschlusskontakte 14 bzw. der Kontakthöcker 16 horizontal und/oder vertikal zur aktiven Oberfläche des Halbleiterchips 2 ausgleichen.At the exit points from the elastic layer 10 then connecting contacts 14 on the arch wires 6 attached, on which preferably each contact bumps 16 be applied. The flat metallic connection contacts 14 lie just on the elastic layer 10 on. Before applying the contact bumps 16 become the bow sections 8th passing over the elastic layer 10 and the connection contacts 14 protrude, away. This can be done, for example, by means of etching or grinding. As based on the 3 recognizable, arise in this way flexible contact points, since the completely in the elastic layer 10 embedded flexible wire sections 18 with the associated connection contacts 14 and bumps 16 can dodge resilient. They are thus able to absorb both vertical and horizontal forces and can thus relative movements of the connection contacts 14 or the contact bump 16 horizontally and / or vertically to the active surface of the semiconductor chip 2 compensate.

Es wird auf die elastische Schicht 10 eine Lötstoppschicht, bspw. in Form eines Lötstopplacks 12, aufgebracht, der dafür sorgt, dass beim Verlöten der Kontakthöcker 16 kein flüssiges Lot auf die Anschlusskontakte 14 abfließt oder sogar auf die elastische Schicht 10 gelangt.It gets on the elastic layer 10 a Lötstoppschicht, for example. In the form of a Lötstopplacks 12 , applied, which ensures that when soldering the contact bumps 16 no liquid solder on the connection contacts 14 flows off or even on the elastic layer 10 arrives.

Je nachdem, ob die Halbleiterchips 2 noch Teile des Halbleiterwafers sind, können sie anschließend vereinzelt werden.Depending on whether the semiconductor chips 2 are still parts of the semiconductor wafer, they can then be separated.

Eine Variante des Verfahrens kann anhand der 4 und 5 erläutert werden. Hierbei werden einzelne Drahtbögen 6 nur mit einem ihrer freien Enden mit einer Kontaktanschlussfläche 4 verbunden. Das andere freie Ende wird auf einer Abstützfläche 4a fixiert, die keine elektrische Verbindung zu den integrierten Schaltungen das Halbleiterchips 2 aufweist (vgl. 4). Nach dem Entfernen der über die elastische Schicht 10 ragenden Bogenabschnitte 8 werden nur die mit Kontaktanschlussflächen 4 verbundenen Drahtabschnitte 18 an ihrem anderen freien Ende mit auf der elastischen Schicht 10 aufliegenden Anschlusskontakten 14 verbunden. Die mit den Abstützflächen 4a verbundenen Drahtabschnitte enden blind in der elastischen Schicht 10. Diese freien Enden können ggf. durch Aufbringen eines zusätzlichen Lötstopplacks versiegelt und damit elektrisch isoliert werden (vgl. 5).A variant of the method can be based on the 4 and 5 be explained. Here are single archwires 6 only with one of its free ends with a contact pad 4 connected. The other free end is on a support surface 4a fixed, no electrical connection to the integrated circuits the semiconductor chip 2 has (see. 4 ). After removing the over the elastic layer 10 protruding arc sections 8th only those with contact pads 4 connected wire sections 18 at its other free end with on the elastic layer 10 Overlying connection contacts 14 connected. The with the support surfaces 4a Connected wire sections terminate blind in the elastic layer 10 , If necessary, these free ends can be sealed by applying an additional solder resist and thus electrically isolated (cf. 5 ).

Claims (15)

Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip (2), der eine aktive Vorderseite (3) mit integrierten Schaltungen und eine passive Rückseite ohne integrierte Schaltungen aufweist, wobei die aktive Vorderseite (3) über Kontaktanschlussflächen (4) verfügt und mit einer elastischen Schicht (10) bedeckt ist, die auf ihrer der aktiven Vorderseite (3) des Halbleiterchips (2) abgewandten Oberfläche mit Anschlusskontakten (14) versehen ist und wobei einer oder mehrere Anschlusskontakte (14) elektrisch leitend mit wenigstens einer der Kontaktanschlussflächen (4) verbunden ist bzw. sind, wobei ein über die Oberfläche der elastischen Schicht (10) ragender Bogenabschnitt (8) eines an freien Enden mit Kontaktanschlußflächen (4) verbundenen bogenförmigen elektrischen Leiters (6) entfernt ist und einer, oder unabhängig voneinander beide der vom Leiter (6) übrig gebliebenen Drahtabschnitte (18) an der Austrittsstelle aus der elastischen Schicht (10) einen Anschlusskontakt (14) durchsetzt und mit ihm elektrisch verbunden ist.Electronic component with a semiconductor chip ( 2 ), which has an active front ( 3 ) having integrated circuits and a passive back without integrated circuits, wherein the active front the side ( 3 ) via contact pads ( 4 ) and with an elastic layer ( 10 ) covered on its active front side ( 3 ) of the semiconductor chip ( 2 ) facing away from surface with connection contacts ( 14 ) and wherein one or more connection contacts ( 14 ) electrically conductive with at least one of the contact pads ( 4 ), wherein an over the surface of the elastic layer ( 10 ) projecting arc section ( 8th ) one at free ends with contact pads ( 4 ) associated arcuate electrical conductor ( 6 ) and one or, independently of each other, both of the 6 ) remaining wire sections ( 18 ) at the exit point from the elastic layer ( 10 ) a connection contact ( 14 ) and electrically connected to it. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elastische Schicht (10) aus einem Elastomer besteht.Electronic component according to claim 1, characterized in that the elastic layer ( 10 ) consists of an elastomer. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die elastische Schicht (10) aus einem geschlossenporigen Elastomer besteht.Electronic component according to claim 1 or 2, characterized in that the elastic layer ( 10 ) consists of a closed-pore elastomer. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die elastische Schicht (10) eine isolierende Schicht ist und als elektrischer Isolator wirkt.Electronic component according to one of claims 1 to 3, characterized in that the elastic layer ( 10 ) is an insulating layer and acts as an electrical insulator. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitenden Verbindungen zwischen den Kontaktanschlussflächen (4) auf der aktiven Vorderseite (3) des Halbleiterchips (2) und den Anschlusskontakten (14) auf der elastischen Schicht (10) als elastische Metalldrähte ausgebildet sind.Electronic component according to one of claims 1 to 4, characterized in that the electrically conductive connections between the contact pads ( 4 ) on the active front side ( 3 ) of the semiconductor chip ( 2 ) and the connection contacts ( 14 ) on the elastic layer ( 10 ) are formed as elastic metal wires. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitenden Verbindungen zwischen den Kontaktanschlussflächen (4) auf der aktiven Vorderseite (3) des Halbleiterchips (2) und den Anschlusskontakten (14) auf der elastischen Schicht (10) als elastische Flachdrähte bzw. -bänder ausgebildet sind.Electronic component according to one of claims 1 to 5, characterized in that the electrically conductive connections between the contact pads ( 4 ) on the active front side ( 3 ) of the semiconductor chip ( 2 ) and the connection contacts ( 14 ) on the elastic layer ( 10 ) are formed as elastic flat wires or bands. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elastische Schicht (10) und die Anschlusskontakte (14) jeweils mit einer Lötstoppschicht (12) bedeckt sind.Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the elastic layer ( 10 ) and the connection contacts ( 14 ) each with a solder stop layer ( 12 ) are covered. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die elastischen Drähte bzw. Bänder jeweils aus Kupfer, Silber oder Gold bestehen.Electronic component according to one of claims 5 to 7, characterized in that the elastic wires or bands each made of copper, silver or gold. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlusskontakte (14) jeweils mit Kontakthöckern (16) versehen sind.Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the connection contacts ( 14 ) each with contact bumps ( 16 ) are provided. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass einzelne elastische Drähte bzw. Bänder auf jeweils einer Kontaktanschlussfläche (4) verlötet sind und mit einem freien Ende in der elastischen Schicht (10) enden.Electronic component according to one of claims 5 to 9, characterized in that individual elastic wires or bands on each of a contact pad ( 4 ) are soldered and with a free end in the elastic layer ( 10 ) end up. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit einem Halbleiterchip (2), der eine aktive Vorderseite (3) mit integrierten Schaltungen und eine passive Rückseite ohne integrierte Schaltungen aufweist, wobei die aktive Vorderseite (3) über Kontaktanschlussflächen (4) verfügt und mit einer elastischen Schicht (10) bedeckt ist, die auf ihrer der aktiven Vorderseite (3) des Halbleiterchips (2) abgewandten Oberfläche mit Anschlusskontakten (14) versehen ist und wobei jeder der Anschlusskontakte (14) elektrisch leitend mit wenigstens einer der Kontaktanschlussflächen (4) verbunden ist, wobei das Verfahren zumindest folgende Verfahrensschritte aufweist: – Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterchips (2) und dazwischen vorgesehenen Sägespurbereichen, – Aufbringen von Kontaktanschlussflächen (4) auf den aktiven Vorderseiten (3) der Halbleiterchips (2), – Verbinden von jeweils zwei Kontaktanschlussflächen (4) mit jeweils einem bogenförmigen Metalldraht bzw. Metallband, – Aufbringen einer elastischen und isolierenden Schicht (10) auf den aktiven Vorderseiten (3) der Halbleiterchips (2), wobei jeweils ein Bogenabschnitt (8) der bogenförmigen Metalldrähte bzw. -bänder über die elastische Schicht (10) hinausragt, – Aufbringen von Anschlusskontakten (14) auf der der aktiven Vorderseite (3) der Halbleiterchips (2) abgewandten Oberfläche der elastischen Schicht (10) und Verbinden mit mindestens einer aus der elastischen Schicht (10) ragenden Austrittsstelle eines Bogenabschnitts (8), anschließend – Entfernen der über die elastische Schicht (10) ragenden Bogenabschnitte (8), – Aufbringen einer Lötstoppschicht (12) auf der elastischen Schicht (10) und den Anschlusskontakten (14) und – Vereinzeln des Halbleiterwafers zu Halbleiterchips (2).Method for producing an electronic component with a semiconductor chip ( 2 ), which has an active front ( 3 ) having integrated circuits and a passive back without integrated circuits, wherein the active front side ( 3 ) via contact pads ( 4 ) and with an elastic layer ( 10 ) covered on its active front side ( 3 ) of the semiconductor chip ( 2 ) facing away from surface with connection contacts ( 14 ) and wherein each of the connection contacts ( 14 ) electrically conductive with at least one of the contact pads ( 4 ), the method comprising at least the following method steps: providing a semiconductor wafer with semiconductor chips arranged in rows and columns ( 2 ) and between them provided Sägespurbereichen, - application of contact pads ( 4 ) on the active front pages ( 3 ) of the semiconductor chips ( 2 ), - connecting two contact pads ( 4 ) each with an arcuate metal wire or metal strip, - applying an elastic and insulating layer ( 10 ) on the active front pages ( 3 ) of the semiconductor chips ( 2 ), wherein in each case an arc section ( 8th ) of the arcuate metal wires or bands over the elastic layer ( 10 ), - application of connection contacts ( 14 ) on the active front side ( 3 ) of the semiconductor chips ( 2 ) facing away from the surface of the elastic layer ( 10 ) and bonding with at least one of the elastic layer ( 10 ) projecting exit point of an arc section ( 8th ), then - removing the over the elastic layer ( 10 ) projecting arc sections ( 8th ), - applying a solder stop layer ( 12 ) on the elastic layer ( 10 ) and the connection contacts ( 14 ) and - separating the semiconductor wafer into semiconductor chips ( 2 ). Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die über die elastische Schicht (10) ragenden Bogenabschnitte (8) der Drähte mittels Ätzens und/oder Schleifens entfernt werden.A method according to claim 11, characterized in that via the elastic layer ( 10 ) projecting arc sections ( 8th ) of the wires are removed by means of etching and / or grinding. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass bei wenigstens einem der bogenförmigen Drähte nur ein Drahtabschnitt (18) an seiner Austrittsstelle aus der elastischen Schicht (10) mit einem Anschlusskontakt (14) verbunden wird.A method according to claim 11 or 12, characterized in that in at least one of the arcuate wires only a wire section ( 18 ) at its exit from the elastic layer ( 10 ) with a connection contact ( 14 ) is connected. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die elastische Schicht (10) mit einer Lötstoppschicht (12) bedeckt wird.Method according to one of claims 11 to 13, characterized in that the elastic layer ( 10 ) with a solder stop layer ( 12 ) is covered. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14 zur Herstellung eines elektronischen Bauteils gemäß wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 10.Method according to one of claims 11 to 14 for the production An electronic component according to at least one of claims 1 to 10th
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