DE10064359A1 - Mikrophon - Google Patents
MikrophonInfo
- Publication number
- DE10064359A1 DE10064359A1 DE2000164359 DE10064359A DE10064359A1 DE 10064359 A1 DE10064359 A1 DE 10064359A1 DE 2000164359 DE2000164359 DE 2000164359 DE 10064359 A DE10064359 A DE 10064359A DE 10064359 A1 DE10064359 A1 DE 10064359A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- microphone
- housing
- side wall
- membrane
- back plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/04—Microphones
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
Bei einem Mikrophon (1) mit DOLLAR A - einer elektrisch leitfähigen Membran (2), DOLLAR A - einer Gegenelektrode (3), die im Abstand zu der Membran (2) angeordnet ist, DOLLAR A - einer elektrisch isolierenden Rückseitenplatte (5), wobei die Gegenelektrode (3) an der Rückseitenplatte (5) angeordnet ist, und DOLLAR A - einem integrierten Vorverstärkerschaltkreis (4) ist DOLLAR A - der Vorverstärkerschaltkreis (4) direkt auf der Oberseite der Rückseitenplatte (5), die der Gegenelektrode (3) gegenüberliegt, angebracht, und DOLLAR A - die Rückseitenplatte (5) hat eine Via (6) für eine elektrische Verbindung des Vorverstärkerschaltkreises (4) mit der Gegenelektrode (3).
Description
Die Erfindung betrifft ein Mikrophon mit
- - einer elektrisch leitfähigen Membran,
- - einer Gegenelektrode, die im Abstand zu der Membran angeordnet ist,
- - einer elektrisch isolierenden Rückseitenplatte, wobei die Gegenelektrode an der Rückseitenplatte angeordnet ist, und einem integrierten Vorver stärkerschaltkreis.
Derartige Mikrophone sind auch als Elektret-Mikrophone hinreichend bekannt. Die
Membran ist mit einer Metallschicht versehen. Die elektrisch isolierende Rückseiten
platte ist auch mit einer Metallschicht, der Gegenelektrode, und mit einer Elektret-
Material Schicht versehen. Der Elektret ist dauerhaft aufgeladen, wodurch die Mem
bran und auch die Gegenelektrode polarisiert sind. Durch Bewegung der Membran
beim Auftreffen von Schallwellen auf die Membran verändert sich der Abstand zwi
schen Membran und Elektret und damit die Polarisierung. Ladung fließt von der Mem
bran zur Gegenelektrode und umgekehrt. Diese Ladungsverschiebung wird vom Vorverstärkerschaltkreis
gemessen und ist ein Maß für dass aufgetroffene Schallsignal.
Die Membran und die Gegenelektrode bilden eine Kapazität, die durch Bewegung der
Membran beim Auftreffen von Schallwellen auf die Membran verändert wird.
Ein entsprechender Aufbau des Mikrophons findet sich auch bei einem Kondensator-
Mikrophon, dass eine Hilfsspannung benötigt. Die Membran und die Rückenseiten
platte sind mit einer Metallschicht versehen und dauerhaft polarisiert. Die Spannung
des Kondensators wird konstant gehalten. Durch Bewegung der Membran beim Auf
treffen von Schallwellen auf die Membran verändert sich der Abstand zwischen Mem
bran und Rückseitenplatte und damit die Kapazität des Kondensators. Weil die Span
nung konstant bleibt entsteht eine Ladungsverschiebung, welche ein Maß für das auf
getroffene Schallsignal ist.
In der WO 00/41432 ist ein Diaphragma-Mikrophon für Hörgeräte beschrieben, bei
dem die einzelnen Elemente schichtweise in einem Gehäuse zusammengesetzt werden
können. Der Vorverstärkerschaltkreis wird mit der Flip-Chip-Technik mit seiner Ober-
und Unterseite an einer Platine und der Rückseitenplatte kontaktiert. Die Rückseiten
platte ist hierbei elektrisch leitfähig, so dass eine zusätzliche Isolierschicht zwischen
der Membran und der Rückseitenplatte erforderlich ist.
In dem US-Patent 5,570,428 ist ein ähnliches Diaphragma-Mikrophon beschrieben.
Hierbei ist die Rückseitenplatte metallisch beschichtet, um die Gegenelektrode zu bil
den. Auf der Gegenelektrode ist ein Abstandshalterring aufgebracht, der die Membran
trägt. Diese wird ihrerseits von einem Gehäusedeckel getragen.
Der Vorverstärkerschaltkreis befindet sich in dem Volumengehäuse und ist mit Bond-
Drähten mit der Gegenelektrode und der Membran verschaltet.
Die Verdrahtung des Vorverstärkerschaltkreises mit der Gegenelektrode führt bei her
kömmlichen Mikrophonen zu einer relativ hohen parasitären Kapazität, die die Emp
findlichkeit des Mikrophons nachteilig beeinflusst. Zudem ist die Montage der her
kömmlichen Mikrophone relativ aufwendig, insbesondere aufgrund der Abstandshalter
zwischen Membran und Gegenelektrode und der Leitung von der Rückseitenplatte zur
Leiterplatte für den als ASIC ausgeführten Vorverstärkerschaltkreis.
Aufgabe der Erfindung war es daher, ein verbessertes gattungsgemässes Mikrophon
zu schaffen.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass
- - der Vorverstärkerschaltkreis direkt auf der Oberseite der Rückseitenplatte, die der Gegenelektrode gegenüberliegt, angebracht ist und
- - die Rückseitenplatte eine Via für eine elektrische Verbindung des Vorverstärker schaltkreises mit der Gegenelektrode hat.
Durch das direkte Anbringen des Vorverstärkerschaltkreises auf der Rückseitenplatte
wird die kritische Leitungslänge zur Gegenelektrode optimal verkürzt. Dabei ist das
Mikrophon kostengünstig und einfach herstellbar, indem die elektrische Verbindung
durch die in der Rückseitenplatte vorgesehene Via, d. h. ein Durchgang, in bekannter
Weise erfolgt.
Der Vorverstärkerschaltkreis, üblicherweise in Form eines anwenderspezifisch inte
grierten Schaltkreises (ASIC), wird vorzugsweise möglichst weit von Masseleitungen
entfernt angeordnet. Dadurch, dass der Vorverstärkerschaltkreis zentral auf der Rück
seitenplatte aufgebracht ist, wird ein möglichst großer Abstand zur Masseebene ge
währleistet, wodurch die Empfindlichkeit verbessert wird.
Die Gegenelektrode wird zudem vorzugsweise durch Beschichtung der Rückseitenplat
te mit einer Metallschicht gebildet.
Die Rückseitenplatte ist auf der Oberfläche, die die Gegenelektrode trägt, mit Teflon
als Elektret beschichtet. Dies kann mit Klebe- oder anderen Techniken erfolgen.
Die Empfindlichkeit und das Signal-Rausch-Verhältnis kann weiter verbessert werden,
indem die Rückseitenplatte und die Membran von einer gemeinsamen Gehäuse-
Seitenwand oder Rahmen getragen werden. Hierbei wird die Rückseitenplatte von der
Innenkante der Gehäuse-Seitenwand aufgenommen und die Gehäuse-Seitenwand ist
mit seiner Aussenseite mit einem Gehäuse verbunden. Die Membran wird auf die Au
ssenfläche der Gehäuse-Seitenwand aufgebracht. Erfindungsgemäss ist die Innenseite
der Gehäuse-Seitenwand eingesenkt, so dass die Rückseitenplatte in Bezug auf die
Fläche des Rahmens im äusseren Umfangsbereich zur Aufnahme der Membran vertieft
angeordnet ist. Auf diese Weise ist ein zusätzliches Abstandselement zwischen Mem
bran und Rückseitenplatte bzw. Gegenelektrode nicht erforderlich, wodurch die
Schallwellen ungehindert zwischen Membran und Gegenelektrode dringen und das
Signal-Rausch-Verhältnis optimiert wird.
Durch das Anbringen der Rückseitenplatte in ein Loch der Gehäuse-Seitenwand bzw.
in den Rahmen ist der elektrische Kontakt zur Außenwelt direkt an der Außenseite der
Gehäuse-Seitenwand verfügbar. Durch die Aufnahme der Rückseitenplatte in der Ge
häuse-Seitenwand steht fast das gesamte Mikrophon-Volumen für das Hintervolumen
zur Verfügung. Dadurch wird eine bessere Empfindlichkeit und/oder Signal-Rausch-
Abstand im Vergleich zu herkömmlichen Mikrophonen ermöglicht. Das Hintervolumen
ist komplett leer und wirkt somit vollständig als akkustische Masse.
Die elektrische Kontaktierung der Gehäuse-Seitenwand mit der Vorverstärkerschaltung
wird mit einfachen Bonddrähten gebildet, kann aber auch über eine flexible Leiter
bahnfolie erfolgen.
In einer speziellen Ausführungsform wird eine flexible Leiterbahnfolie direkt auf der
Oberseite der Rückseitenplatte angebracht, wobei sich eine Via in der Leiterbahnfolie
direkt gegenüber der Via in der Rückseitenplatte befindet und die elektrische Kontak
tierung der Gegenelektrode mit dem Vorverstärkerschaltkreis bildet. Der Vorverstär
kerschaltkreis wird hierbei direkt auf der Oberseite der Leiterbahnfolie angebracht.
Es ist besonders vorteilhaft, wenn die Rückseitenplatte aus einem isolierenden Materi
al, wie Keramik oder Kapton besteht.
Die Montierbarkeit des Mikrophons, z. B. in Hörgeräten oder Mobiltelefonen, kann
durch Kontaktierung der Vorverstärkerschaltung mit einer flexiblen Leiterbahnfolie
verbessert werden, wobei die flexible Leiterbahnfolie mit einem elektrisch leitfähigen
Federkontakt zur äusseren Verschaltung verbunden ist. Auf diese Weise kann das Mi
krophon in ein äusseres Gehäuse eingesteckt und durch den Federkontakt gesichert
werden, der zugleich die elektrische Verbindung des Mikrophons mit einer weiteren
Schaltung gewährleistet. Im Falle eines quadratischen Gehäuses können die Federkon
takte in drei Richtungen in Bezug auf den Lufteinlass ausgeführt werden.
Die flexible Leiterbahnfolie hat vorzugsweise Masseflächen zur elektrischen Abschir
mung des Mikrophons. Besonders vorteilhaft ist es, wenn die flexible Leiterbahnfolie
den Vorverstärkerschaltkreis vollständig abdeckt.
Vor der Membran sollte in bekannter Weise ein geschlossenes Volumengehäuse vor
gesehen sein, in die Schallwellen durch eine Schallzufuhrleitung kontrolliert geleitet
werden. Die Rückseite der Rückseitenplatte auf der Seite des Vorverstärkerschaltkrei
ses kann zur Aussenwelt frei sein.
Besonders vorteilhaft ist jedoch die Ausbildung des Mikrophons als Richtmikrophon,
wobei jeweils ein geschlossenes Volumengehäuse vor der Membran und vor der
Rückseitenplatte vorgesehen ist. Zur kontrollierten Lenkung der Schallwellen in die
Volumengehäuse ist jeweils eine Schallzufuhrleitung von einem äusseren Bereich in
die Volumengehäuse vorgesehen.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der beigefügten Zeichnungen näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 Querschnittsansicht eines erfindungsgemässen Mikrophons;
Fig. 2 Querschnittsansicht eines erfindungsgemässen Mikrophons mit
flexibler Leiterbahnfolie;
Fig. 3 Querschnitt eines erfindungsgemässen Richtmikrophons
mit zwei Volumengehäusen.
Fig. 4 Querschnittansicht eines erfindungsgemäßen Richtmikrophons mit
flexibler Leiterbahnfolie für die Versorgung aller elektrischen Kon
takte, wobei die Leiterbahnfolie intern zwischen Rückseitenplatte
und Vorverstärkerschaltkreis montiert ist.
Die Fig. 1 lässt ein erfindungsgemässes Mikrophon 1 im Querschnitt erkennen, das
im wesentlichen eine elektrisch leitfähige Membran 2 und eine im Abstand zu der
Membran 2 angeordnete Gegenelektrode 3 mit einem Elektret 14 hat. Die Membran 2
und die Gegenelektrode 3 bilden zusammen mit dem Elektret 14 quasi zwei Kapazitä
ten, die über eine Vorverstärkerschaltung miteinander verbunden sind. Durch Beauf
schlagung der Membran 2 mit Schallwellen ändert sich der Abstand zwischen Mem
bran 2 und Elektret 14. Hierdurch verändert sich die Kapazität und Ladung fließt von
der Membran 2 zur Gegenelektrode 3 und umgekehrt. Der Ladungsstrom wird gemes
sen und ist ein Maß für die auftreffenden Schallwellen.
Die Gegenelektrode 3 ist auf einer starren Rückseitenplatte 5, z. B. durch Beschichtung
aufgetragen. Die Rückseitenplatte 5 hat eine Via 6, durch die der Vorverstärkerschalt
kreis 4 mit der Gegenelektrode 3 verdrahtet wird. Der Vorverstärkerschaltkreis 4 ist
als integrierter Schaltkreis (z. B. ASIC) ggf. mit weiteren Funktionalitäten ausgeführt
und in SMD-Technik auf die Rückseitenplatte 5 gelötet. Die äussere Verschaltung des
Vorverstärkerschaltkreises 4 erfolgt in Flip-Chip-Technik, so wie in den Zeichnungen
dargestellt, oder mit Bonddrähten 13.
Die Rückseitenplatte 5 wird von der Innenkante einer Gehäuse-Seitenwand 7 getra
gen. Die Innenseite der Seitenwand ist eingesenkt, so dass die Rückenseitenplatte 5
in Bezug auf die Fläche der Gehäuse-Seitenwand 7 vertieft aufgenommen wird und
die Metallschicht, die die Gegenelekrode 3 bildet, keine parasitäre Kapazität zu der
Masse der Seitenwand 7 bildet und einen guter Schallwellenein-/austritt zwischen
Elektret 14 und Membran 2 ermöglicht. Die Membran 2 wird von der Oberfläche der
Gehäuse-Seitenwand 7 ohne weitere Abstandshalter getragen. Die Gewährleistung
eines definierten Abstands zwischen Membran 2 und Gegenelektrode 3 wird während
der Montage vorgenommen.
Die Gehäuse-Seitenwand 7 ist mit seiner Aussenkante luftdicht in ein geschlossenes
Volumengehäuse 8 eingebaut. Eine Bohrung durch die Gehäuse-Seitenwand 7 dient
als Schallzufuhrleitung 9, um Schallwellen von einem äusseren Bereich in das Volu
mengehäuse 8 und zur Membran 2 zu leiten. An das Volumengehäuse 8 und der Ge
häuse-Seitenwand 7 im Bereich der Schallzufuhrleitung 9 ist ein Schalltrichter 10 an
geordnet.
Die Gehäuseseitenwand 7 ist vorzugsweise elektrisch leitfähig, so dass die Membran
2 über der Gehäuse-Seitenwand 7, und über einen Bonddraht 13 entweder direkt mit
dem Vorverstärkerschaltkreis 4 oder über der Rückseite der Rückseitenplatte 5 mit
dem Vorverstärkerschaltkreis 4 verdrahtet wird. Vorzugsweise wird die Membran 2 an
Masse angeschlossen.
Das Volumengehäuse 8 kann z. B. im Querschnitt U- oder D-förmig sein. Dies ist ab
hängig von dem jeweiligen Anwendungszweck.
Die Fig. 2 lässt ein Mikrophon 1 erkennen, das im Aufbau im wesentlichen dem Mi
krophon 1 aus der Fig. 1 entspricht. Im Unterschied hierzu ist der Vorverstärker
schaltkreis 5 jedoch mit einer flexiblen Leiterbahnfolie 11 verschaltet, die an einen
Federkontakt 12 geführt ist. Der Federkontakt 12 dient zum einen zur elektrischen
Verschaltung des Mikrophons 1 mit äusseren Schaltungen. Andererseits ermöglicht
der Federkontakt 12 eine mechanische Verbindung des Mikrophons 1 mit einem äu
sseren Tragegehäuse. Durch den Federkontakt 12 kann das Mikrophon 1 somit auf
einfache Weise in ein Produkt, wie z. B. ein Hörgerät oder ein Mobiltelefon, einge
klemmt werden.
Die flexible Leiterbahnfolie 11 erstreckt sich, wie dargestellt, vollständig über den
Vorverstärkerschaltkreis 4 und schirmt diesen auf diese Weise vorteilhaft gegen elek
tromagnetische Strahlung ab. Auf der flexiblen Leiterbahnfolie 12 sind weiterhin Mas
seflächen zur Abschirmung vorgesehen.
Die Fig. 3 lässt das in der Fig. 1 gezeigte Mikrophon 1 in der Ausführungsform ei
nes Richtmikrophons erkennen. Auf beiden Seiten der Rückseitenplatte ist in dieser
Ausführungsform jeweils ein geschlossenes Volumengehäuse 8 mit U-förmigem Quer
schnitt vorgesehen, wobei an den Aussenkanten der Volumengehäuse 8a, 8b jeweils
die Schallzufuhrleitungen 9 mit Schalltrichtern 10 vorgesehen sind. Damit der Schall
wellen-Eintritt durch die Schalltrichter 10a und Gehäuseteil 8a die Membran 2 errei
chen können, ist die Gehäuse-Seitenwand 7 mit mehreren Öffnungen 9 versehen.
Die flexible Leiterbahnfolie 11 kann z. B. mit Laserschweissen und ähnlichen Verfahren
an die Rückseitenplatte 5, die Gehäuse-Seitenwand 7 und/oder das Volumengehäuse
9 angeheftet werden.
Die Fig. 4 lässt das in Fig. 3 gezeigte Richt-Mikrophon erkennen. Im Unterschied
hierzu ist das doppelte Mikrophongehäuse jetzt als rohrförmiges Teil ausgeführt. Au
ßerdem wird die flexible Leiterbahnfolie 11 direkt auf der Oberseite der Rückenseiten
platte 5 angebracht, wobei sich eine Via 5 in der Leiterbahnfolie 11 direkt gegenüber
der Via 6 in der Rückseitenplatte 5 befindet und die elektrische Kontaktierung der Ge
genelektrode 3 zum Vorverstärkerschaltkreis 4 bildet. Der Vorverstärkerschaltkreis 4
wird direkt auf der Oberseite der Leiterbahnfolie 11 über der Rückseitenplatte 5 ange
bracht. Alle weiteren elektrischen Verbindungen zur Außenwelt und zur Seitenwand
befinden sich auf der flexiblen Leiterbahnfolie 11, wodurch eine besonders vorteilhafte
einfache Montage bewirkt wird. Weil der Vorverstärkerschaltkreis 4 komplett durch
das metallische Mikrophon-Gehäuse umgeben wird, ist eine besonders gute elektro
magnetische Abschirmung gewährleistet und es ist keine weitere Abschirmung intern
über dem Vorverstärkerschaltkreis 4 nötig. Die Schalltrichter 10a und 10b sind in der
Fig. 4 als ein Teil mit jeweils einer Gehäuse-Seitenwand 7 ausgeführt.
Claims (24)
1. Mikrophon (1) mit
einer elektrisch leitfähigen Membran (2),
einer Gegenelektrode (8), die im Abstand zu der Membran (2) angeordnet ist,
einer elektrisch isolierenden Rückseitenplatte (5), wobei die Gegenelektrode (3) an der Rückseitenplatte (5) angeordnet ist,
einem integrierten Vorverstärkerschaltkreis (4),
dadurch gekennzeichnet, dass
der Vorverstärkerschaltkreis (4) direkt auf der Oberseite der Rückseitenplatte (5), die der Gegenelektrode (3) gegenüberliegt, angebracht ist, und
die Rückseitenplatte (5) eine Via (6) zur elektrischen Verbindung des Vorver stärkerschaltkreises (4) mit der Gegenelektrode (3) hat.
einer elektrisch leitfähigen Membran (2),
einer Gegenelektrode (8), die im Abstand zu der Membran (2) angeordnet ist,
einer elektrisch isolierenden Rückseitenplatte (5), wobei die Gegenelektrode (3) an der Rückseitenplatte (5) angeordnet ist,
einem integrierten Vorverstärkerschaltkreis (4),
dadurch gekennzeichnet, dass
der Vorverstärkerschaltkreis (4) direkt auf der Oberseite der Rückseitenplatte (5), die der Gegenelektrode (3) gegenüberliegt, angebracht ist, und
die Rückseitenplatte (5) eine Via (6) zur elektrischen Verbindung des Vorver stärkerschaltkreises (4) mit der Gegenelektrode (3) hat.
2. Mikrophon (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Vorverstär
kerschaltkreis-Eingang (4) von Masseflächen entfernt auf der Rückseitenplatte
(5) angeordnet ist.
3. Mikrophon (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Rückseitenplatte (5) mit einer Metallschicht beschichtet ist,
um die Gegenelektrode (3) zu bilden.
4. Mikrophon (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet dass die Rückseitenplatte (5) auf der Oberfläche, die die Gegenelek
trode (3) trägt, mit einem Elektret (14), beispielsweise mit Teflon, beschichtet
ist.
5. Mikrophon (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet
durch eine Gehäuse-Seitenwand (7) des Mikrophons zum Tragen der Rücksei
tenplatte (5) und der Membran (2), wobei die Innenseite der Gehäuse-
Seitenwand (7) die Rückseitenplatte aufnimmt, die Gehäuse-Seitenwand (7) mit
ihrer Aussenseite mit einem Gehäuse verbunden ist, und wobei die Innenseite
der Gehäuse-Seitenwand (7) eingesenkt ist, so dass die Rückseitenplatte (5) in
Bezug auf die Fläche der Gehäuse-Seitenwand (7) im äusseren Umfangsbereich
vertieft aufgenommen wird.
6. Mikrophon (1) nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran
(2) auf eine Aussenfläche der Gehäuse-Seitenwand (7) aufgebracht ist.
7. Mikrophon (1) nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet,
dass die Gehäuse-Seitenwand (7) rahmen-, kreis- oder ovalförmig ist.
8. Mikrophon (1) nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet,
dass die Rückenseitenplatte (5) in der Draufsicht rahmen-, kreis- oder ovalför
mig und von der Form der Gehäuse-Seitenwand (7) unabhängig ist.
9. Mikrophon (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
dass die Rückseitenplatte (5) aus einem dielektrischem Material, bei
spielsweise aus Keramik oder Kapton besteht.
10. Mikrophon (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Rückseitenplatte (5) so in der Gehäuse-Seitenwand (7) ein
gebaut ist, dass die Gegenelektrode (3) keine parasitäre Kapazität zu der Masse
der Gehäuse-Seitenwand (7) bildet.
11. Mikrophon (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet dass die Rückseitenplatte (5) an einer Oberseite mit der Aussenwelt
und an der anderen Oberseite mit dem Vor-Volumen des Mikrophons (1) in Ver
bindung steht.
12. Mikrophon (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet dass der Abstand zwischen dem Elektret (14) auf der Rückseitenplatte
(5) und der Membran (2) durch die Vertiefung der Gehäuse-Seitenwand (7) und
durch einen entsprechenden Rand-Wulst der Membran (2) gebildet wird.
13. Mikrophon (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet dass die Membran (2) elektrisch leitend mit der Gehäuse-Seitenwand
(7) verbunden ist und die Gehäuse-Seitenwand (7) mit einem Bonddraht (13) an
den Vorverstärkerschaltkreis (4) verdrahtet ist.
14. Mikrophon (1)nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, dass die Vorverstärkerschaltung (4) mit einer flexiblen Leiter
bahnfolie (11) kontaktiert und die flexible Leitbahnfolie (11) mit einem elektrisch
leitfähigen Federkontakt (12) zur äusseren Verschaltung verbunden ist.
15. Mikrophon (1) nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die flexible
Leiterbahnfolie (11) Masseflächen zur elektrischen Abschirmung des Mikro
phons (1) hat.
16. Mikrophon (1) nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass die
flexible Leiterbahnfolie (11) Masseleitungen zur elektrischen Kontaktierung der
Gehäuse-Seitenwand (7) und der damit verbundenen Membran (2) mit der
Rückseitenplatte (5) hat.
17. Mikrophon (1) nach einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet,
dass die flexible Leiterbahnfolie (11) den Vorverstärkerschaltkreis (4) abdeckt.
18. Mikrophon (1) nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet,
dass die Federkontakte (12) seitlich an dem Gehäuse des Mikrophons (1) ange
ordnet sind.
19. Mikrophon (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet dass die Dicke der Rückseitenplatte (5) nicht mehr als 200 µm be
trägt.
20. Mikrophon (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet
durch ein geschlossenes Volumengehäuse (8) vor der Membran (2), wobei eine
Schallzufuhrleitung (9) von einem äusseren Bereich in das Volumengehäuse (8)
vorgesehen ist.
21. Mikrophon (1) nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse
volumen hinter der Membran (2) vollständig leer ist.
22. Mikrophon (1) nach Anspruch 20 oder 21 als Richtmikrophon, gekennzeichnet
durch jeweils ein geschlossenes Volumengehäuse (8) auf beiden Seiten des
Rahmens (7) vor der Membran (2) bzw. der Rückseitenplatte (5), wobei jeweils
eine Schallzufuhrleitung (9) von einem äusseren Bereich in die Volumengehäuse
(8) vorgesehen ist.
23. Mikrophon (1) nach Anspruch 22 als Richtmikrophon, gekennzeichnet durch
eine flexible Leiterbahnfolie (1) direkt auf der Oberseite der Rückseitenplatte
(5), wobei sich eine Via (15) in der Leiterbahnfolie (11) direkt gegenüber von
der Via (6) in der Rückseitenplatte (5) befindet und die elektrische Kontaktie
rung der Gegenelektrode (3) somit den Vorverstärkerschaltkreis (4) bildet und
wobei der Vorverstärkerschaltkreis (4) direkt auf der Oberseite der Leiterbahn
folie (11) angebracht und die flexible Leiterbahnfolie (11) zur äußeren Verschal
tung des Mikrophons (1) vorgesehen ist.
24. Mikrophon (1) nach Anspruch 23 als Richtmikrophon, dadurch gekennzeichnet,
dass der Luftein- und -auslass einteilig mit der Gehäuse-Seitenwand (7) ausge
führt ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000164359 DE10064359A1 (de) | 2000-12-21 | 2000-12-21 | Mikrophon |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000164359 DE10064359A1 (de) | 2000-12-21 | 2000-12-21 | Mikrophon |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10064359A1 true DE10064359A1 (de) | 2002-07-11 |
Family
ID=7668507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2000164359 Withdrawn DE10064359A1 (de) | 2000-12-21 | 2000-12-21 | Mikrophon |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10064359A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005115052A1 (de) * | 2004-05-19 | 2005-12-01 | Sennheiser Electronic Gmbh & Co. Kg | Kondensatormirkrofon |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4329993A1 (de) * | 1993-09-04 | 1995-03-09 | Sennheiser Electronic | Elektro-akustischer kapazitiver Wandler, insbesondere Elektret-Kondensator-Mikrofon |
US5570428A (en) * | 1994-09-27 | 1996-10-29 | Tibbetts Industries, Inc. | Transducer assembly |
WO2000041432A2 (en) * | 1999-01-07 | 2000-07-13 | Sarnoff Corporation | Hearing aid with large diaphragm microphone element including a printed circuit board |
-
2000
- 2000-12-21 DE DE2000164359 patent/DE10064359A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4329993A1 (de) * | 1993-09-04 | 1995-03-09 | Sennheiser Electronic | Elektro-akustischer kapazitiver Wandler, insbesondere Elektret-Kondensator-Mikrofon |
US5570428A (en) * | 1994-09-27 | 1996-10-29 | Tibbetts Industries, Inc. | Transducer assembly |
WO2000041432A2 (en) * | 1999-01-07 | 2000-07-13 | Sarnoff Corporation | Hearing aid with large diaphragm microphone element including a printed circuit board |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005115052A1 (de) * | 2004-05-19 | 2005-12-01 | Sennheiser Electronic Gmbh & Co. Kg | Kondensatormirkrofon |
DE102004024729A1 (de) * | 2004-05-19 | 2005-12-15 | Sennheiser Electronic Gmbh & Co. Kg | Kondensatormikrofon |
US7881484B2 (en) | 2004-05-19 | 2011-02-01 | Sennheiser Electronic Gmbh & Co. Kg | Capacitor microphone |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3525724C2 (de) | ||
DE102005053767B4 (de) | MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau | |
DE602004009490T2 (de) | Piezoelektrischer Oszillator | |
DE3145105C2 (de) | ||
DE102014100464B4 (de) | Multi-MEMS-Modul | |
DE69635308T2 (de) | Piezoelektrischer wandler | |
DE112013003536B4 (de) | Kapazitiver Sensor, Akustiksensor und Mikrophon | |
EP1762117B1 (de) | Kondensatormikrofon | |
DE10354026B4 (de) | Piezoelektrische Membran und deren Verwendung in einem elektroakustischen Wandler | |
DE60302909T2 (de) | EMV-Vorrichtung eines drahtlosen Datenübertragungsgerätes | |
DE112014004684T5 (de) | Integrierte Lautsprechereinheit | |
DE102005059514A1 (de) | Kondensatormikrofon und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE10042185A1 (de) | Piezoelektrischer elektroakustischer Wandler | |
DE102014105849B3 (de) | Mikrofon mit vergrößertem Rückvolumen und Verfahren zur Herstellung | |
DE102006022379A1 (de) | Mikromechanischer Druckwandler und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP1301012B1 (de) | Mobiles Kommunikationsendgerät mit im Gerätegehäuse angeordnetem Flachlautsprecher und einem weiteren Schallwandler angeordnet zu einem Zwei-Wege-Systems mit dem Flachlautsprecher | |
DE112005000037T5 (de) | Piezoelektrischer elektroakustischer Wandler | |
DE4434692A1 (de) | Ultraschallsensor | |
DE2909477C2 (de) | Anordnung zum Umwandeln akustischer Schwingungen in elektrische Schwingungen und umgekehrt, mit mindestens einem Kondensatorelektretelement, das an eine elektronische Schaltungsanordnung angeschlossen ist | |
WO2015071006A1 (de) | Leiterplatte für die montage eines mikrofonbauteils und mikrofonmodul mit einer derartigen leiterplatte | |
DE112016001352T5 (de) | Eingebettete Schaltung in einer MEMS-Vorrichtung | |
DE10105395A1 (de) | Beschleunigungssensor | |
AT409695B (de) | Elektrostatisches mikrofon | |
DE19843731C2 (de) | Vorrichtung zur Schallwandlung | |
DE10064359A1 (de) | Mikrophon |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |