DE10062014A1 - Verfahren zum Dünnen und Separieren selektierter Bereiche dünner Scheiben und scheibenförmiges Werkstück - Google Patents

Verfahren zum Dünnen und Separieren selektierter Bereiche dünner Scheiben und scheibenförmiges Werkstück

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Abstract

Bei flachen Werkstücken in Scheibenform, beispielsweise bei Halbleiterwafern, stellen sich häufig die Probleme einer exakten Trennung einzelner Bereiche, beispielsweise integrierter Schaltkreise auf den dünnen Scheiben beziehungsweise der weiteren Dünnung der Scheiben in selektierten Bereichen. Konventionell übliche Verfahren des Sägens beziehungsweise Fräsens solcher Werkstückscheiben stoßen mit abnehmender Dicke der zu bearbeitenden Werkstücke auf zunehmende technische Probleme. Die Erfindung ist daher gerichtet auf ein Verfahren zum Dünnen von selektierten Bereichen von dünnen Scheiben (1) mit einer Basisdicke, wobei die Scheibe eine erste (1b) und eine zweite (1a) Oberfläche aufweist, mit folgenden Schritten: - Aufbringen einer ätzfesten Abdeckung (2) auf zumindest einen Stegbereich (3) der ersten Oberfläche (1b) der Scheibe (1), der nicht gedünnt werden soll und - Wegätzen von nicht abgedeckten, derart selektierten Bereichen (4) von der ersten Oberfläche (1b) bis zu einer Tiefe, bei der die Scheibe (1) in den selektierten Bereichen eine vorgegebene Zieldicke aufweist, die geringer ist als die Basisdicke, während der zumindest eine Stegbereich (3) mit der Basisdicke und die diese Stegbereiche (3) mit den selektierten Bereichen (4) verbindenden Seitenwände (5) erhalten bleiben. Das Verfahren kann die weiteren Schritte aufweisen: - Entfernen der Abdeckung (2); - Abdecken der zur zweiten Oberfläche im wesentlichen parallelen Bereiche der ersten Oberfläche (1b) der ...

Description

Verfahren zum Dünnen und Separieren selektierter Bereiche dünner Scheiben und scheibenförmiges Werkstück
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Dünnen selektierter Bereiche von dünnen Werkstückscheiben und ein Verfahren zum Separieren von Bereichen einer dünnen Werkstückscheibe.
Bei flachen Werkstücken in Scheibenform, beispielsweise bei Halbleiterwafern, stellen sich häufig die Probleme einer exakten Trennung einzelner Bereiche, beispielsweise integrierter Schaltkreise auf den dünnen Scheiben beziehungsweise der weiteren Dünnung der Scheiben in selektierten Bereichen. Konventionell übliche Verfahren des Sägens beziehungsweise Fräsens solcher Werkstückscheiben stoßen mit abnehmender Dicke der zu bearbeitenden Werkstücke auf zunehmende technische Probleme. Gerade im Laufe des Herstellungsprozesses von Halbleiterbausteinen, die zunehmend dünner hergestellt werden, treten solche Probleme zutage.
Üblicherweise werden die Siliziumscheiben am Ende des Herstellungsprozesses dünn geschliffen, eventuell durch ein gleichmäßiges Naß- oder Trockenätzen weiter gedünnt und dann in die Einzelchips zersägt. Die Siliziumscheibe ist dabei auf eine Kunststoffolie in einem sogenannten Sägerahmen aufgeklebt. Die integrierten Halbleiter werden nach dem Sägen von der Folie einzeln abgenommen. Dieses Verfahren funktioniert jedoch nur bis zu gewissen Scheibendicken, wobei die Grenze bei etwa 70 µm Scheibendicke anzusehen ist. Aus Kostengründen sowie für spezielle Anwendungen, beispielsweise Chipkarten, besteht jedoch ein starker und wachsender Bedarf an immer dünneren integrierten Halbleitern, so daß die bisherigen Verfahren hier an ihre Grenzen gestoßen sind.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, Verfahren bereitzustellen, mit denen dünne Werkstücke einerseits erzeugt und andererseits voneinander getrennt werden können. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die Bereitstellung eines Verfahrens zum Dünnen von selektierten Bereichen dünner Werkstückscheiben gemäß dem unabhängigen Patentanspruch 1, ein Verfahren zum Separieren von Bereichen einer dünnen Werkstückscheibe gemäß dem unabhängigen Patentanspruch 14, sowie eines scheibenförmigen Werkstücks gemäß dem unabhängigen Patentanspruch 17. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen, Aspekte und Details der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Patentansprüchen, der Beschreibung und der beigefügten Zeichnung.
Der Erfindung liegt die Idee zugrunde, zunächst die scheibenförmigen Werkstücke in selektierten Bereichen gezielt auf eine Zieldicke zu dünnen und sodann in einem selbstjustierten Ätz-Trennschritt die einzelnen Bereiche der Scheibe zu vereinzeln.
Dementsprechend ist die Erfindung gerichtet auf ein Verfahren zum Dünnen von selektierten Bereichen dünner Scheiben mit einer Basisdicke, wobei die Scheibe eine erste und eine zweite Oberfläche aufweist, mit folgenden Schritten:
  • - Aufbringen einer ätzfesten Abdeckung auf zumindest einen Stegbereich der ersten Oberfläche der Scheibe, der nicht gedünnt werden soll; und
  • - Wegätzen der nicht abgedeckten, derart selektierten Bereiche von der ersten Oberfläche bis zu einer Tiefe, bei der die Scheibe in den selektierten Bereichen eine vorgegebene Zieldicke aufweist, die geringer ist als die Basisdicke, während die Stegbereiche und die diese Bereiche mit den selektierten Bereichen verbindenden Seitenwände erhalten bleiben.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren ist es also möglich, mittels einer Abdeckung bestimmte Bereiche eines flachen Werkstücks von einem nachfolgenden Verdünnungsätzschritts auszunehmen und muldenförmige Bereiche zu erzeugen, welche die gewünschte Zieldicke aufweisen.
Die sogenannten Stegbereiche, welche abgedeckt sind, können dabei durch das verwendete Ätzverfahren nicht weggeätzt werden und bleiben im wesentlichen auf der Basisdicke. Je nach verwendetem Ätzverfahren kann es allerdings sein, daß der Ätzvorgang bis unter die Abdeckung erfolgt, so daß sich der Stegbereich verschmälert. Die selektierten Bereiche können dabei eine beliebige Form aufweisen, da diese lediglich von dem Muster der Abdeckung bestimmt wird. So können diese geometrische Formen, wie Vierecke, Dreiecke, Kreise etc. sein, aber auch unregelmäßig geformte Umrisse, wie Buchstaben, Figuren oder Formteile.
Das Wegätzen kann vorzugsweise durch ein isotropes Ätzen erfolgen. Hierfür können übliche, dem Fachmann geläufige Ätztechniken verwendet werden, die ein isotropes Ätzen ermöglichen, beispielsweise solche, wie sie aus der Halbleiterherstellung bekannt sind. Die verwendete Ätztechnik muß dem Material, aus dem die zu dünnende Scheibe hergestellt ist, angepaßt sein.
Die Abdeckung kann vorzugsweise aus einem Photolack bestehen beziehungsweise diesen als einen Bestandteil enthalten. Geeignete Photolacke sind beispielsweise dem Fachmann auf dem Gebiet der Halbleiterherstellung bekannt.
In einer besonders bevorzugten Ausführungsform findet die vorliegende Erfindung auf dem Gebiet der Halbleiterherstellung Verwendung, so daß die dünne Scheibe vorzugsweise ein Wafer ist.
Bei Verwendung eines Wafers ist die zweite Oberfläche der Scheibe vorzugsweise die Strukturoberfläche des Wafers mit den Schaltungsbereichen und die erste Oberfläche eine rückwärtige Oberfläche.
Das Verfahren ist besonders geeignet zum Trennen der einzelnen integrierten Halbleiter, welche auf einem Wafer angeordnet sind. Auf der Strukturseite des Wafers werden zwischen den einzelnen integrierten Halbleitern Abstände gelassen, in denen keine Funktionsstrukturen enthalten sind, beziehungsweise in denen zu Testzwecken später zu entfernende Funktionalitäten mit untergebracht sind. Die Vereinzelung der Wafer erfolgt konventionell durch Sägen dieser Zwischenbereiche (sogenannter Kerfstrukturen), wobei auf Grund der Breite des Sägeblatts die Strukturen gleichzeitig entfernt werden. Die exakte Herstellung der Strukturen erfolgt mittels einer üblichen Maske.
In einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird diese für das Aufbringen der Umgrenzung der Schaltungsbereiche auf der Strukturoberfläche verwendeten Maske auch zum Aufbringen der Abdeckung verwendet. Auf diese Weise ist sichergestellt, daß die Abdeckungsstruktur exakt der Struktur der Zwischenbereiche auf der Strukturoberfläche des Wafers entspricht.
Vorzugsweise wird diese Maske mittels eines Justierungsschritts so auf der rückwärtigen Oberfläche des Wafers positioniert, daß die Abdeckung exakt auf die rückwärtige Oberfläche des Wafers in den Bereichen aufgebracht werden kann, auf denen auf der Strukturoberfläche die Zwischenbereiche liegen.
Diese Justierung kann beispielsweise mittels eines dem Fachmann geläufigen, sogenannten Rückseitenmikroskops erfolgen.
Vor dem Aufbringen der Abdeckung kann der folgende Schritt ausgeführt werden:
  • - Verringern der Dicke der Scheibe bis zu der Basisdicke. Dieser Schritt kann notwendig werden, wenn beispielsweise die Scheibe noch nicht die gewünschte Basisdicke hat oder wenn sie Unregelmäßigkeiten aufweist, die über die Basisdicke hinausragen. Insbesondere im Halbleiterherstellungsprozeß kann es wünschenswert sein, mittels eines abrasiven Verfahrens, wie Abschleifen, die Dicke zunächst bis zu einer noch erreichbaren Basisdicke schnell zu verringern, bevor das erfindungsgemäße Dünnen der selektierten Bereiche erfolgt.
Wenn nicht nur gedünnte selektierte Bereiche einer Scheibe hergestellt werden sollen, sondern die selektierten Bereiche an den Stegbereichen voneinander getrennt werden sollen, kann das Verfahren folgende weitere Schritte aufweisen:
  • - Entfernen der Abdeckung;
  • - Abdecken der zur zweiten Oberfläche im wesentlichen parallelen Bereiche der ersten Oberfläche der Stege und der selektierten Bereiche mit einer weiteren ätzfesten Abdeckung, so daß die Seitenwände unbedeckt bleiben; und
  • - Separieren der selektierten Bereiche durch Wegätzen von im wesentlichen unter den Stegbereichen befindlichem Material der Scheibe.
Diese weitere Abdeckung bedeckt also alle ursprünglich abgedeckten sowie die planparallel zur zweiten Oberfläche geätzten Bereiche der ersten Oberfläche der Scheibe, nicht hingegen die Bereiche, welche diese beiden miteinander verbinden und die als Seitenwände bezeichnet werden. Diese Seitenwände können eine Neigung aufweisen oder orthogonal zu den anderen Oberflächen ausgestaltet sein. Die Abdeckung erfolgt also mit Hilfe eines Verfahrens, das gezielt nur diese zur zweiten Oberfläche parallelen Bereiche abdeckt. Zu diesem Zweck kann beispielsweise ein planarisierender Photolack verwendet werden, welcher selbstjustiert, das heißt ohne eine weitere Maske, die gewünschten Bereiche abdeckt.
Um den Ätzschritt zum Separieren weiter zu vereinfachen, kann es desweiteren bevorzugt werden, die weitere ätzfeste Abdeckung vor- bzw. anzustrippen, um einen gewissen Abtrag dieser Abdeckung auf den Stegbereichen und evtl. noch mitabgedeckten Bereichen der Seitenwände zu erzielen. Dieses Anstrippen kann beispielsweise mittels eines Sauerstoffplasmas erfolgen. Es ist sogar möglich, die Abdeckung auf den Stegbereichen vollständig zu entfernen, da diese von vornherein dünner ist als die Abdeckung auf den selektierten Bereichen.
Alternativ zu dieser Variante ist es auch möglich, die erste Abdeckung nicht zu entfernen, sondern eine weitere hinzuzufügen. Diese geschieht durch die weiteren Schritte:
  • - Abdecken der zur zweiten Oberfläche im wesentlichen parallelen Bereiche der nicht von der ersten Abdeckung abgedeckten selektierten Bereiche der ersten Oberfläche, so daß die Seitenwände der Stege unbedeckt bleiben; und
  • - Separieren der selektierten Bereiche durch Wegätzen von im wesentlichen unter den Stegbereichen befindlichem Material der Scheibe.
Auch bei dieser Ausführungsform kann ein selbstjustierender Lack verwendet werden.
Schließlich ist es auch möglich, die Scheibe vorab mit einer Schutzschicht zu versehen, auf die die erste Abdeckung aufgebracht wird und die im ersten Ätzschritt zwar entfernt werden kann, die jedoch durch das zweite Ätzmittel nicht angegriffen werden kann. Die Stegbereiche, welche durch die erste Abdeckung geschützt waren, tragen daher weiterhin diese Beschichtung, so daß lediglich die gedünnten selektierten Bereiche in weiteren Verfahren geschützt werden müssen, indem dort eine weitere Abdeckung aufgebracht wird.
Vorzugsweise wird vor dem Wegätzen der Stegbereiche auf der zweiten Oberfläche der Scheibe eine Stabilisatorfolie angebracht, welche die Gesamtstruktur beim Ätzvorgang stabilisieren soll. Nach Wegätzen des unter dem Stegbereich befindlichen Materials der Scheibe liegen die vereinzelten selektierten Bereiche der Scheibe auf der Stabilisatorfolie auf und können von dieser einzeln abgenommen werden
In einem weiteren Aspekt der Erfindung ist diese gerichtet auf ein Verfahren zum Separieren von Bereichen einer dünnen Scheibe, welche Bereiche mit einer ersten Dicke, Bereiche mit einer zweiten Dicke, welche geringer ist als die erste Dicke, und diese Bereichen verbindende Seitenwände aufweist, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
  • - Abdecken der Bereiche mit der ersten Dicke und der Bereiche mit der zweiten Dicke mit einer ätzfesten Abdeckung, so daß die Seitenwände unbedeckt bleiben; und
  • - Separieren der selektierten Bereiche durch Wegätzen von im wesentlichen unter den Bereichen erster Dicke befindlichem Material der Scheibe, wobei das Ätzen von den Seitenwänden aus erfolgt.
Auch hier erfolgt die Abdeckung vorzugsweise mit einem planarisierenden Lack, der wahlweise vorgestrippt werden kann.
Die dünne Scheibe ist vorzugsweise ein Wafer, wobei das Abdecken und Ätzen auf der der Strukturoberfläche abgewandten rückwärtigen Oberfläche des Wafers erfolgen sollte. Durch dieses Verfahren lassen Scheiben, welche beispielsweise mittels eines anderen als des erfindungsgemäßen Verfahrens selektierte gedünnte Bereiche aufweisen, erfindungsgemäß vereinzeln, das heißt voneinander separieren.
Schließlich ist die Erfindung gerichtet auf ein scheibenförmiges Werkstück geringer Dicke, welches verdickte Stegbereiche einer Basisdicke aufweist, längs derer eine Vereinzelung jeweils zusammenhängender, nicht verdickter Bereiche der Scheibe erfolgen kann. Diese neuartige Struktur des Werkstücks ermöglicht die Herstellung einer großen Zahl kleinerer, dünner, flächenförmiger Produkte, ohne daß die Stabilität der Ausgangsscheibe zu stark beeinträchtigt würde. Die Vereinzelung der Produkte kann dann an den Stegbereichen mittels des oben beschriebenen Ätzverfahrens oder auch durch Sägen geschehen. Vorzugsweise ist dieses scheibenförmige Werkstück geringer Dicke ein besonders dünner Wafer.
Im folgenden soll die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels erläutert werden, wobei auf die beigefügte Zeichnung Bezug genommen wird.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren kann zunächst die Scheibendicke von einer Anfangsdicke auf eine Basisdicke reduziert werden. Anschließend wird die Scheibe in einem Teilbereich durch zusätzliches Dünnen auf eine Zieldicke gebracht, die geringer ist als die Basisdicke, wobei Teile des Scheibenbereichs mit der Basisdicke bestehen bleiben (Stegbereiche) und damit die mechanische Stabilität erhöhen.
Fig. 1 zeigt die Vorgänge zur Ausdünnung im Detail. In Fig. 1a ist eine dünne Scheibe 1 mit einer ersten Oberfläche 1b und einer zweiten Oberfläche 1a gezeigt, auf die eine Abdeckung 2 aufgebracht worden ist, welche Stegbereiche 3 abdeckt und selektierte Bereiche 4 frei läßt.
Abdeckung 2 kann beispielsweise ein Photolack sein, der mit Hilfe einer Maske, welche auch für die Herstellung entsprechender Strukturen auf der Vorderseite Verwendung gefunden hat, mittels eines Rückseitenmikroskops exakt justiert werden kann.
Fig. 1b zeigt die dünne Scheibe 1 nach dem erfolgten Ätzschritt. Die selektierten Bereiche 4 haben ihre Zieldicke, welche geringer ist als die Basisdicke, erreicht und bilden Wannen, deren Seitenwände 5 die Verbindung zu den Stegbereichen 3 herstellen. Auf dem Bild sind die Stegbereiche schmaler als ursprünglich, da der Ätzvorgang auch unter die Abdeckung erfolgt ist. In Fig. 1c ist der Zustand der dünnen Scheibe 1 nach Entfernung der Abdeckung 2 gezeigt. Danach werden über einen planarisierenden Lack 6 selbstjustiert, das heißt ohne zusätzliche Phototechnik, die tiefer liegenden selektierten Bereiche 4 und die Stegbereiche 3 abgedeckt, während die steil verlaufenden Übergangsbereiche die Seitenwände 5 (sogenannte Ätzkanten) freigelegt werden. Der planarisierende Lack ist auf den Stegbereichen dünner als in den Wannen der selektierten Bereiche und kann durch Vorstrippen, beispielsweise mittels eines O2-Plasmas, weiter verdünnt oder ganz entfernt werden. Zur Vereinzelung der selektierten Bereiche, beispielsweise von integrierten Halbleitern, wird dann mit einem isotropen Ätzverfahren, wie beispielsweise einem Plasmaätzen, durch die freiliegenden Seitenwände 5 hindurch das Scheibenmaterial bis zur zuvor aufgeklebten Trägerfolie 7 durchgeätzt, wobei je nach Ausgangsbreite der Stegbereiche diese mit entfernt werden. Wie in Fig. 1e gezeigt ist, kann danach der Restlack 6 beispielsweise mittels eines O2-haltigen Plasmas entfernt werden.
Im vorliegenden Fall sind rechtwinklige Bereiche der ursprünglichen Scheibe vereinzelt worden. Es ist jedoch möglich, beliebige Formen der vereinzelten Bereiche zu erzeugen. Dies ist beispielsweise mittels konventioneller Sägetechnik nicht möglich.
Vorteile des Verfahrens sind die erstmalige Möglichkeit der Herstellung ultradünner Siliziumscheiben oder von Scheiben aus anderen Materialien, die Erhaltung der mechanischen Stabilität der Scheibe durch die Stegbereiche und das Vereinzeln der selektierten Bereiche ohne mechanische Belastung oder ohne Beschädigung der Kanten der Bereiche wie sie beim Sägen auftreten können.

Claims (20)

1. Verfahren zum Dünnen von selektierten Bereichen von dünnen Scheiben (1) mit einer Basisdicke, wobei die Scheibe eine erste (1b) und eine zweite (1a) Oberfläche aufweist, mit folgenden Schritten:
  • - Aufbringen einer ätzfesten Abdeckung (2) auf zumindest einen Stegbereich (3) der ersten Oberfläche (1b) der Scheibe (1), der nicht gedünnt werden soll; und
  • - Wegätzen von nicht abgedeckten, derart selektierten Bereichen (4) von der ersten Oberfläche (1b) bis zu einer Tiefe, bei der die Scheibe (1) in den selektierten Bereichen eine vorgegebene Zieldicke aufweist, die geringer ist als die Basisdicke, während der zumindest eine Stegbereich (3) mit der Basisdicke und die diese Stegbereiche (3) mit den selektierten Bereichen (4) verbindenden Seitenwände (5) erhalten bleiben.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Wegätzen durch ein isotropes Ätzen geschieht.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckung (2) ein Photolack ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Scheibe (1) ein Wafer ist.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Oberfläche (1a) eine Strukturoberfläche mit Schaltungsbereichen und die erste Oberfläche (1b) eine rückwärtige Oberfläche ist.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen der Abdeckung (2) mittels einer Maske durchgeführt wird, welche auch für die Umgrenzung der Schaltungsbereiche auf der Strukturoberfläche verwendet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Justierung der Maske durchgeführt wird, so daß die abzudeckenden Bereiche (3) der rückwärtigen Oberfläche den Umgrenzungen der Schaltungsbereiche gegenüberliegen.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Justierung mit einem Rückseitenmikroskop erfolgt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen der Abdeckung der folgende Schritt ausgeführt wird:
  • - Verringern der Dicke der Scheibe (1) bis zu der Basisdicke.
10. Verfahren nach einem der Anspüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß es die weiteren Schritte aufweist:
  • - Entfernen der Abdeckung (2);
  • - Abdecken der zur zweiten Oberfläche im wesentlichen parallelen Bereiche der ersten Oberfläche (1b) der Stegbereiche (3) und der selektierten Bereiche (4) mit einer weiteren ätzfesten Abdeckung (6), so daß die Seitenwände (5) unbedeckt bleiben; und
  • - Separieren der selektierten Bereiche (4) durch Wegätzen von im wesentlichen unter den Stegbereichen (3) befindlichen Material (8) der Scheibe (1).
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Separieren die weitere ätzfeste Abdeckung vor- bzw. angestrippt wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß es die weiteren Schritte aufweist:
  • - Abdecken der zur zweiten Oberfläche (1a) im wesentlichen parallelen Bereiche der nicht von der ersten Abdeckung abgedeckten selektierten Bereiche (4) der ersten Oberfläche (1b) mit einer weiteren ätzfesten Abdeckung (6), so daß die Seitenwände (5) unbedeckt bleiben; und
  • - Separieren der selektierten Bereiche (4) durch Wegätzen von im wesentlichen unter den Stegbereichen (3) befindlichen Material (8) der Scheibe (1).
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die weitere ätzfeste Abdeckung (6) ein planarisierender Lack ist.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Wegätzen der Stegbereiche (3) auf der zweiten Oberfläche (1a) der Scheibe (1) eine Stabilisatorfolie (7) angebracht wird.
15. Verfahren zum Separieren von Bereichen einer dünnen Scheibe (1), welche Bereiche (3) mit einer ersten Dicke, Bereiche (4) mit einer zweiten Dicke, welche geringer als die erste Dicke ist, und beide Arten von Bereichen (3, 4) verbindende Seitenwände (5) aufweist, mit folgenden Schritten:
  • - Abdecken der Bereiche (3) mit der ersten Dicke und der Bereiche (4) mit der zweiten Dicke mit einer ätzfesten Abdeckung, so daß die Seitenwände unbedeckt bleiben; und
  • - Separieren der selektierten Bereiche durch Wegätzen der Seitenwände und von im wesentlichen unter den Bereichen erster Dicke befindlichen Material der dünnen Scheibe (1).
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Separieren die ätzfeste Abdeckung vor- bzw. angestrippt wird.
17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Scheibe (1) ein Wafer ist, wobei das Abdecken und Ätzen auf der der Strukturoberfläche abgewandten rückwärtigen Oberfläche (1b) des Wafers erfolgt.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die ätzfeste Abdeckung (6) ein planarisierender Lack ist.
18. Scheibenförmiges Werkstück (1), welches verdickte Stegbereiche (3) einer Basisdicke aufweist, längs derer eine Vereinzelung jeweils zusammenhängender, nicht verdickter Bereiche (4) der Scheibe erfolgen kann.
19. Scheibenförmiges Werkstück (1) nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß es ein Wafer ist.
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