DE10048759A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere organischer Schichten im Wege der OVPD - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere organischer Schichten im Wege der OVPDInfo
- Publication number
- DE10048759A1 DE10048759A1 DE10048759A DE10048759A DE10048759A1 DE 10048759 A1 DE10048759 A1 DE 10048759A1 DE 10048759 A DE10048759 A DE 10048759A DE 10048759 A DE10048759 A DE 10048759A DE 10048759 A1 DE10048759 A1 DE 10048759A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- starting material
- carrier gas
- container
- gas
- particular according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
- C23C14/185—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4402—Reduction of impurities in the source gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
- Y10T117/1008—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with responsive control means
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere organischer Schichten, bei dem in einem beheizten Reaktor (1) ein in einer von einem Behälter (2) gebildeten Quelle (I) bevorrateter, nicht gasförmiger Ausgangsstoff (3) mittels eines Trägergases (4) im gasförmigen Zustand (5) von der Quelle (I) zu einem Substrat (II) transportiert wird, wo er auf einem Substrat (II) deponiert. Aus der Erkenntnis heraus, dass die Quelle zufolge einer nicht reproduzierbar einstellbaren Wärmezufuhr und einer Abkühlung durch das Trägergas eine nicht vorhersagbare Produktionsrate gasförmigen Ausgangsstoffes hat, wird vorgeschlagen, dass das vorgeheizte (6) Trägergas (4) von unten nach oben den zufolge beheizter (7) Behälterwände (13) im wesentlichen isotherm zum Trägergas gehaltenen Ausgangsstoff (3) durchspült.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden
besonderer organischer Schichten, bei dem in einem
beheizten Reaktor ein in einer von einem Behälter gebil
deten Quelle bevorrateter, nicht gasförmiger Ausgangs
stoff mittels eines Trägergases im gasförmigen Zustand
von der Quelle zu einem Substrat transportiert wird, wo
er auf dem Substrat deponiert.
Mit diesen Verfahren werden insbesondere organische
Leuchtdioden (OLED) hergestellt. Es wird als OVPD-Ver
fahren (Organic Vapour Phase Deposition) bezeichnet.
Als Ausgangsstoffe werden organische Moleküle verwen
det, die insbesondere als Salze und granulatförmig
vorliegen, aber auch im flüssigen Zustand vorliegen
können. Diese Moleküle haben einen sehr geringen Dampf
druck. Durch Erwärmung des Ausgangsstoffes tritt dieser
in den gasförmigen Zustand im Wege der Sublimation
über. Im Stand der Technik ist der Behälter eine oben
offene Wanne, in welcher der Ausgangsstoff enthalten
ist. Diese Wanne wird in eine Quellenzone des beheizten
Reaktors eingeschoben. Der aus der Granulatschüttung
oder einer Schmelze verdampfende Ausgangsstoff wird
mittels eines Trägergases, beispielsweise Stickstoff
durch den Reaktor transportiert. Das Substrat kann sich
auf einer Substrattemperatur befinden, die geringer ist
als die Quellentemperatur. Dort kann der Ausgangsstoff
deponieren. Im Stand der Technik werden Prozessdrucke
von 0,2 mbar verwendet.
Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zum
Durchführen des Verfahrens mit einer einem beheizbaren
Reaktor zugeordneten Quelle in Form eines Behälters zur
Aufnahme eines nicht gasförmigen Ausgangsstoffes.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Maßnahmen
anzugeben, um die Wachstumsraten präziser vorherbestim
men zu können und effizienter als bisher aus dem Stand
der Technik bekannt größere Substratflächen zu beschich
ten.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass die
Quelle zufolge einer nicht reproduzierbar einstellbaren
Wärmezufuhr und einer Abkühlung durch das Trägergas
eine nicht vorhersagbare Produktionsrate gasförmigen
Aussgangsstoffes hat. Was die als nachteilig erachteten
schwankenden Wachstumsraten nach sich zieht.
Zur Lösung des vorgenannten Problems wird die in den
Ansprüchen angegebene Erfindung vorgeschlagen. Der
Anspruch 1 zielt darauf ab, dass bei dem Verfahren das
Trägergas vorgeheizt wird und von unten nach oben den
zufolge beheizter Behälterseitenwände isotherm zum
Trägergas gehaltenen Ausgangsstoff durchspült. Da das
in den Behälter einströmende Trägergas dieselbe Tempera
tur besitzt wie der durch Wärmeübertragung von den
Behälterwänden aufgeheizte Ausgangsstoff findet eine
Abkühlung nicht mehr statt. Die Kondensationswärme, die
dem insbesondere pulver- oder granulatförmigen Ausgangs
stoff bei der Verdampfung entzogen wird, wird über die
Seitenwände wieder zugeführt. Zur Unterstützung der
Wärmezufuhr können auch Heizstäbe in den Ausgangsstoff
ragen. Die Prozessparameter sind vorzugsweise so einge
stellt, dass das Trägergas bereits wenige Millimeter
nach In-Kontakt-Treten mit dem Ausgangsstoff gesättigt
ist. Vorzugsweise findet die Sättigung im unteren Drit
tel bzw. unterem Fünftel der Aufnahmekammer statt. In
einer Variante des Verfahrens kann der Behälter von
oben nachgefüllt werden. Bevorzugt wird das Trägergas
von derselben Heizung vorgeheizt, die auch den Behälter
heizt. Als Behälterwand kommt insbesondere Metall vor
zugsweise Aluminium in Betracht.
Die Erfindung betrifft ferner eine Weiterbildung der
gattungsgemäßen Vorrichtung dadurch, dass der Behälter
einen bodenseitigen Gaseinlass und einen deckelseitigen
Gasauslass und zwischen Gaseinlass und Gasauslass eine
mit dem Ausgangsstoff auffüllbare Aufnahmekammer be
sitzt, und den Behälterwänden sowie der in den Gasein
lass mündenden Trägergaszuleitung eine Heizung zugeord
net ist zum isothermen Aufheizen des Trägergases und
des Ausgangsstoffes. Der Behälter ist ringsumschlossen
und besitzt außer der Einlass- bzw. Auslassöffnung
vorzugsweise nur eine Nachfüllöffnung. In einer bevor
zugten Ausgestaltung des Behälters liegt über dem Gas
einlass eine gasdurchlässige Zwischenwand, die aus
porösem Material bestehen kann. Die Zwischenwand kann
als Fritte ausgebildet sein. Auf dieser Zwischenwand
liegt der insbesondere pulverförmige oder granulierte
Ausgangsstoff als Schüttung. Das Trägergas wird von
einer vorgeschalteten Heizung auf die Quellentemperatur
gebracht. Dieses Trägergas tritt dann durch die poröse
Zwischenwand gleichmäßig hindurch und durchspült die
auf der Zwischenwand liegende Schüttung. Es ist auch
möglich flüssige Ausgangsstoffe zu verwenden. Dann wird
die Flüssigkeit von dem Trägergas durchspült, ähnlich
wie es bei einer Waschflasche der Fall ist. Die Zwi
schenwand kann eben sein, sie kann aber auch kuppel-
oder konusförmig ausgebildet sein. In einer bevorzugten
Ausgestaltung wird das Trägergas und der Behälter von
derselben Heizung beheizt. Dies ist nicht nur bautech
nisch vorteilhaft. Es bietet auch eine hohe Gewähr
dafür, dass das in den Behälter einströmende Trägergas
bereits dort eine Temperatur besitzt, die der Tempera
tur des Ausgangsstoffes entspricht. In einer Weiterbil
dung der Vorrichtung ragen in den Ausgangsstoff Heizstä
be ein, die separat beheizt werden können, oder wärme
leitend mit der Behälterwandung verbunden sind, um dem
Ausgangsstoff Wärme zuzuführen. Die Aufnahmekammer kann
von oben nachfüllbar sein. Oberhalb der Aufnahmekammer
kann eine Vorratskammer vorgesehen sein. In dieser
Vorratskammer kann sich ein Vorrat des Ausgangsstoffes
befinden. Dieser kann über einen verschließbaren Kanal
der Aufnahmekammer zugeführt werden, um diese nachzufül
len. Die Vorratskammer braucht nicht beheizt zu sein.
Sie kann sogar außerhalb des Reaktors angeordnet sein
und nur mit einer Nachfüllverbindung mit dem Reaktor
bzw. mit dem Behälter verbunden sein.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend
anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 in grob schematisierter Form das Verfahren
bzw. die Vorrichtung zur Ausübung des Verfah
rens, wie es Stand der Technik ist,
Fig. 2 ebenfalls nur schematisch ein erstes Ausfüh
rungsbeispiel einer erfindungsgemäß ausgebilde
ten Quelle,
Fig. 3 ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung
in schematisierter Darstellung,
Fig. 4 ein drittes Ausführungbeispiel der Erfindung
in schematisierter Darstellung,
Fig. 5 ein viertes Ausführungsbeispiel der Erfindung
in schematisierter Darstellung und
Fig. 6 den Verlauf der Anreicherung des Trägergases
mit dem gasförmigen Ausgangsstoff als Funk
tion des Partialdruckes des gasförmigen Aus
gangsstoffes im Trägergas vom Ort oberhalb der
Zwischenwand.
Beim OVPD-Verfahren wird das Trägergas 4 einem von
außen beheizten Reaktor 1 zugeführt. In einer ersten
heißen Zone, der Quellenzone I, wird ein Behälter 2 in
den Reaktor gegeben, welcher eine Schüttung eines Aus
gangsstoffes enthält. Der Ausgangsstoff sublimiert bei
der Quellentemperatur. Der gasförmige Ausgangsstoff 5
wird sodann mit dem Trägergas 4 zum Substrat II trans
portiert, wo es aus der Gasphase kondensiert, um dort
eine Schicht abzuscheiden.
Die in den Fig. 2 bis 5 schematisch dargestellten Vor
richtungen ersetzen den in der Fig. 1 dargestellten
wannenförmigen Behälter 2 des Standes der Technik.
Der Behälter 2 ist erfindungsgemäß geschlossen. Er
besitzt einen Boden 8, insbesondere zylinderförmige
Seitenwände 13 und einen Deckel 9. Der Boden besitzt
einen Gaseinlass 10. Der Deckel besitzt einen Gasaus
lass 11. Im unteren Bereich des aus Metall, insbesonde
re Aluminium bestehenden Behälters 2 befindet sich ein
Einströmraum, in welchen das Trägergas 4, welches durch
die Trägergaszuleitung 14 fließt, einströmen kann. Nach
oben wird dieser Raum durch eine poröse Zwischenwand 16
begrenzt. Durch diese Zwischenwand tritt der Gasstrom
hindurch und in den auf der Zwischenwand 16 geschütteten
Ausgangsstoff 3. Der Ausgangsstoff 3 wird von unten
nach oben von dem Trägergas 4 durchspült, wobei das
Trägergas sich bereits unmittelbar oberhalb der Zwi
schenwand 16 mit dem gasförmigen Ausgangsstoff sättigt
und zusammen mit dem gasförmigen Ausgangsstoff 5 aus
dem Gasauslass 11 in den Reaktor austritt. Die ganze
Vorrichtung, wie sie in den Fig. 2 bis 5 dargestellt
ist, kann in den Reaktor integriert werden. Der Reaktor
wird baulich angepasst.
Die Zuleitung 14 wird von einer Heizung 6 beheizt.
Diese heizt das Trägergas 4 auf dieselbe Temperatur,
die der Ausgangsstoff 3 in der oberhalb der Zwischen
wand 16 angeordneten Aufnahmekammer 12 besitzt. Um den
Ausgangsstoff 3 mit der Wärmemenge zu versorgen, die
beim Verdampfen den Ausgangsstoff 3 entzogen wird,
besitzt der Behälter 2 eine Behälterheizung 7. Im Aus
führungsbeispiel umgibt die Behälterheizung 7 die äuße
re Behälterwandung 13, um sie aufzuheizen. Durch Wärme
leitung wird die der Behälterwandung 13 zugeführte
Wärme dem Ausgangsstoff 3 zugeführt. Bei dem in den
Fig. 3 und 4 dargestellten Ausführungsbeispiel ist die
Heizung 6 der Trägergaszuleitung 14 dieselbe Heizung,
wie die Behälterheizung 7. Um die Wegstrecke des aufzu
heizenden Trägergases 4 zu verlängern, kann die Träger
gaszuleitung 14 wendelgangförmig gestaltet sein. Bei
dem in Fig. 3 dargestellten Ausführungsbeispiel ist die
Zwischenwand 16 kuppelförmig gestaltet. Außerdem ragen
dort Heizstäbe 15 in die Schüttung des Ausgangsstoffes
3 hinein. Die Heizstäbe 15 sind wärmeleitverbunden mit
der Behälterwandung 13.
Bei dem in Fig. 4 dargestellten Ausführungsbeispiel hat
die Zwischenwand 16 eine konische Gestalt. Die Versor
gungsleitung für das Trägergas bzw. die Ableitung desselben
kann durch Öffnungen einer den Behälter und die
Zuleitung 14 umgebenden Heizung 6, 7 erfolgen.
Bei dem in der Fig. 5 dargestellten Ausführungsbeispiel
ist die Aufnahmekammer 12 von oben nachfüllbar. Hierzu
mündet ein Füllkanal 19 in den Behälterdeckel. Dieser
Füllkanal 19 kann mit einem Verschluss 18 verschlossen
werden. Oberhalb des Verschlusses befindet sich eine
Vorratskammer 17, in welcher sich ein Vorrat des Aus
gangsstoffes 3 befindet. Die Vorratskammer kann sich
außerhalb des Reaktors befinden und größer sein, als
dargestellt.
In der Fig. 6 ist dargestellt, dass der Partialdruck P
des Ausgangsstoffes im Trägergas schon bei einer gering
fügigen Strecke D oberhalb der Zwischenwand 16 den
Sättigungsdruck erreicht hat, so dass eine Quellenverar
mung auch dann nicht stattfindet, wenn der Füllstand
der Aufnahmekammer 12 absinkt.
Durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen ist sicherge
stellt, dass die als den Quellenumsatz beeinträchtigten
Parameter wie Quellentemperatur und freie Oberfläche
des Ausgangsmaterials keine nachteiligen Auswirkungen
auf die Reproduzierbarkeit der Wachstumsrate mehr besit
zen.
Bei dem in der Fig. 4 dargestellten Ausführungsbeispiel
ist vor dem Gasauslass in dem Reaktor ein Filter in
Form einer Fritte vorgesehen, um zu verhindern, dass
Feststoffteilchen oder Tropfen aus dem Behälter in den
Reaktor transportiert werden.
In einer derzeit nicht bevorzugten Variante der Erfin
dung ist ferner vorgesehen, dass das Trägergas mit
erhöhter Temperatur in den Behälter gebracht wird. Die
Wärme, die zur Sublimation des Ausgangsstoffes erforder
lich ist, kann dann zumindest teilweise dem Trägergas
entnommen werden, wobei sich das Trägergas dann auf die
Behälterwand-Temperatur abkühlt, so dass wieder isother
me Zustände herrschen.
Das Trägergas kann dadurch erwärmt werden, dass die
Zwischenwand 16 beheizt wird. Hierzu kann die Zwischen
wand 16 aus Metall gefertigt sein.
Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswe
sentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit
auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten
Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) voll
inhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale
dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung
mit aufzunehmen.
Claims (13)
1. Verfahren zum Abscheiden insbesondere organischer
Schichten, bei dem in einem beheizten Reaktor (1) ein
in einer von einem Behälter (2) gebildeten Quelle (I)
bevorrateter, nicht gasförmiger Ausgangsstoff (3) mit
tels eines Trägergases (4) im gasförmigen Zustand (5)
von der Quelle (I) zu einem Substrat (II) transportiert
wird, wo er auf dem Substrat (II) deponiert, dadurch
gekennzeichnet, dass das vorgeheizte (6) Trägergas (4)
von unten nach oben den zufolge beheizter (7) Behälter
wänden (13) im Wesentlichen isotherm zum Trägergas
gehaltenen Ausgangsstoff (3) durchspült.
2. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehen
den Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekenn
zeichnet, dass dem Ausgangsstoff (13) die Verdampfungs
wärme über die Behälterwände (13) und/oder über in den
Ausgangsstoff (3) ragende Heizstäbe (15) zugeführt
wird.
3. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehen
den Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekenn
zeichnet, dass das Trägergas bereits im unteren Drittel
bevorzugt unteren Fünftel der Aufnahmekammer mit dem
gasförmigen Ausgangsstoff gesättigt ist.
4. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehen
den Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekenn
zeichnet, dass der Behälter (2) von oben nachgefüllt
wird.
5. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehen
den Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekenn
zeichnet, dass das Trägergas mit überhöhter Temperatur
dem Behälter zugeleitet wird, so dass die Sublimations
wärme zumindest teilweise dem Trägergas entnommen wird.
6. Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens insbe
sondere gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, mit
einer einem beheizten Reaktor zugeordneten Quelle (I)
in Form eines Behälters (2) zur Aufnahme eines nicht
gasförmigen Ausgangsstoffes (3), dadurch gekennzeich
net, dass der Behälter (2) einen bodenseitigen (8)
Einlass (10) und einen deckelseitigen (9) Gasauslass
(11) und zwischen Gaseinlass (10) und Gasauslass (11)
eine mit dem Ausgangsstoff auffüllbare Aufnahmekammer
(12) besitzt, und den Behälterwänden (13) sowie der in
den Gaseinlass (10) mündenden Trägergaszuleitungen (14)
eine Heizung (6, 7) zugeordnet ist, zum im Wesentliche
isothermen Aufheizen des Trägergases (4) und des Aus
gangsstoffes (3).
7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche
oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass
der Behälter (2) eine vom Gaseinlass beabstandete,
gasdurchlässige Zwischenwand (16) besitzt, auf welcher
der insbesondere pulverförmige oder granulierte Aus
gangsstoff liegt.
8. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehen
den Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Zwischenwand (16) eben, kuppel- oder
konusförmig ist.
9. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehen
den Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekenn
zeichnet, dass das Trägergas (4) und der Behälter (2)
von derselben Heizung (6, 7) beheizt werden.
10. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherge
henden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeich
net durch in die Aufnahme (12) ragende Heizstäbe (15).
11. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherge
henden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeich
net durch eine oberhalb der Aufnahmekammer (12) angeord
nete Vorratskammer (17), welche mit der Aufnahmekammer
(12) über einen abschottbaren Kanal (19) verbunden ist.
12. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherge
henden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch
gekennzeichnet, dass die Zwischenwand (16) beheizbar
ist und insbesondere aus Metall besteht.
13. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherge
henden Ansprüche oder inbesondere danach, dadurch ge
kennzeichnet, dass der Gasauslass (11) einen Filter
insbesondere in Form einer Fritte aufweist.
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10048759A DE10048759A1 (de) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere organischer Schichten im Wege der OVPD |
DE50102071T DE50102071D1 (de) | 2000-09-29 | 2001-09-22 | Verfahren und vorrichtung zum abscheiden insbesondere organischer schichten im wege der ovpd |
KR10-2003-7004049A KR20030038756A (ko) | 2000-09-29 | 2001-09-22 | Ovpd를 이용하여 유기층을 증착하기 위한 방법 및 장치 |
AU2001293834A AU2001293834A1 (en) | 2000-09-29 | 2001-09-22 | Method and device for depositing especially, organic layers by organic vapor phase deposition |
EP01974282A EP1320636B9 (de) | 2000-09-29 | 2001-09-22 | Verfahren und vorrichtung zum abscheiden insbesondere organischer schichten im wege der ovpd |
JP2002530824A JP2004510058A (ja) | 2000-09-29 | 2001-09-22 | 特に有機皮膜をovpd法によって沈積する方法および装置 |
PCT/EP2001/010961 WO2002027064A1 (de) | 2000-09-29 | 2001-09-22 | Verfahren und vorrichtung zum abscheiden insbesondere organischer schichten im wege der ovpd |
TW090123896A TWI265209B (en) | 2000-09-29 | 2001-09-27 | Method and device for depositing organic layers using organic vapour phase deposition (OVPD) |
US10/402,220 US6962624B2 (en) | 2000-09-29 | 2003-03-28 | Method and device for depositing in particular organic layers using organic vapor phase deposition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10048759A DE10048759A1 (de) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere organischer Schichten im Wege der OVPD |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10048759A1 true DE10048759A1 (de) | 2002-04-11 |
Family
ID=7658410
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10048759A Withdrawn DE10048759A1 (de) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere organischer Schichten im Wege der OVPD |
DE50102071T Expired - Lifetime DE50102071D1 (de) | 2000-09-29 | 2001-09-22 | Verfahren und vorrichtung zum abscheiden insbesondere organischer schichten im wege der ovpd |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE50102071T Expired - Lifetime DE50102071D1 (de) | 2000-09-29 | 2001-09-22 | Verfahren und vorrichtung zum abscheiden insbesondere organischer schichten im wege der ovpd |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6962624B2 (de) |
EP (1) | EP1320636B9 (de) |
JP (1) | JP2004510058A (de) |
KR (1) | KR20030038756A (de) |
AU (1) | AU2001293834A1 (de) |
DE (2) | DE10048759A1 (de) |
TW (1) | TWI265209B (de) |
WO (1) | WO2002027064A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004050946A1 (de) * | 2002-12-04 | 2004-06-17 | Basf Aktiengesellschaft | Verfahren zur aufdampfung von verbindung(en) auf einen träger |
WO2006063956A2 (de) * | 2004-12-18 | 2006-06-22 | Aixtron Ag | Vorrichtung zur temperierten aufbewahrung eines behälters |
DE102008045982A1 (de) | 2008-09-05 | 2010-03-11 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von nanoskaligen Netzwerken auf Oberflächen |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7431968B1 (en) | 2001-09-04 | 2008-10-07 | The Trustees Of Princeton University | Process and apparatus for organic vapor jet deposition |
US8535759B2 (en) | 2001-09-04 | 2013-09-17 | The Trustees Of Princeton University | Method and apparatus for depositing material using a dynamic pressure |
US7404862B2 (en) * | 2001-09-04 | 2008-07-29 | The Trustees Of Princeton University | Device and method for organic vapor jet deposition |
TWI273642B (en) * | 2002-04-19 | 2007-02-11 | Ulvac Inc | Film-forming apparatus and film-forming method |
US6921062B2 (en) | 2002-07-23 | 2005-07-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Vaporizer delivery ampoule |
KR100473806B1 (ko) * | 2002-09-28 | 2005-03-10 | 한국전자통신연구원 | 유기물 박막 및 유기물 소자를 위한 대면적 유기물 기상증착 장치 및 제조 방법 |
US7611587B2 (en) * | 2003-05-16 | 2009-11-03 | Chow Peter P | Thin-film deposition evaporator |
KR20050004379A (ko) * | 2003-07-02 | 2005-01-12 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착용 가스 공급 장치 |
US20080138927A1 (en) * | 2004-03-11 | 2008-06-12 | The University Of Vermont And State Agricultural College | Systems and Methods for Fabricating Crystalline Thin Structures Using Meniscal Growth Techniques |
US7351283B2 (en) * | 2004-03-11 | 2008-04-01 | The University Of Vermont And State Agricultural College | System and method for fabricating a crystalline thin structure |
US7238389B2 (en) * | 2004-03-22 | 2007-07-03 | Eastman Kodak Company | Vaporizing fluidized organic materials |
US8986780B2 (en) * | 2004-11-19 | 2015-03-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for depositing LED organic film |
DE102005030862B4 (de) * | 2005-07-01 | 2009-12-24 | Sintec Keramik Gmbh | Erstbenetzungshilfsmaterial für einen Verdampferkörper, seine Verwendung zum Herrichten der Verdampferfläche eines Verdampferkörpers und ein elektrisch beheizbarer keramischer Verdampferkörper |
JP4601535B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2010-12-22 | 株式会社リンテック | 低温度で液体原料を気化させることのできる気化器 |
US7993459B2 (en) * | 2005-10-24 | 2011-08-09 | Global Oled Technology Llc | Delivering particulate material to a vaporization zone |
GB2432371B (en) | 2005-11-17 | 2011-06-15 | Epichem Ltd | Improved bubbler for the transportation of substances by a carrier gas |
DE102006022534A1 (de) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Aixtron Ag | Quellenbehälter einse VPE-Reaktors |
EP2065877B1 (de) * | 2006-09-28 | 2012-12-05 | Phoenix Electric Co., Ltd. | Bildprojektionssystem mittels einer hochspannungsentladungslampe des gleichstromtyps |
US20080314311A1 (en) * | 2007-06-24 | 2008-12-25 | Burrows Brian H | Hvpe showerhead design |
US20090149008A1 (en) * | 2007-10-05 | 2009-06-11 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing group iii/v compounds |
DE102008051012B4 (de) | 2008-10-13 | 2015-07-16 | Novaled Ag | Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen |
JP5779171B2 (ja) | 2009-03-26 | 2015-09-16 | トゥー‐シックス・インコーポレイテッド | SiC単結晶の昇華成長方法及び装置 |
US8491720B2 (en) | 2009-04-10 | 2013-07-23 | Applied Materials, Inc. | HVPE precursor source hardware |
US8183132B2 (en) * | 2009-04-10 | 2012-05-22 | Applied Materials, Inc. | Methods for fabricating group III nitride structures with a cluster tool |
US8138069B2 (en) * | 2009-04-24 | 2012-03-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate pretreatment for subsequent high temperature group III depositions |
US8110889B2 (en) | 2009-04-28 | 2012-02-07 | Applied Materials, Inc. | MOCVD single chamber split process for LED manufacturing |
CN102414797A (zh) * | 2009-04-29 | 2012-04-11 | 应用材料公司 | 在HVPE中形成原位预GaN沉积层的方法 |
US8801856B2 (en) | 2009-09-08 | 2014-08-12 | Universal Display Corporation | Method and system for high-throughput deposition of patterned organic thin films |
EP3922751A1 (de) | 2009-11-02 | 2021-12-15 | Sigma-Aldrich Co. LLC | Feststoffvorläuferbereitstellungsanordnungen und zugehörige verfahren |
KR101074810B1 (ko) * | 2009-12-23 | 2011-10-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 캐리어 가스 공급 구조가 개선된 증착 장치 및 그것을 이용한 유기 발광 디스플레이 장치 제조방법 |
US20110256692A1 (en) | 2010-04-14 | 2011-10-20 | Applied Materials, Inc. | Multiple precursor concentric delivery showerhead |
TWI534291B (zh) | 2011-03-18 | 2016-05-21 | 應用材料股份有限公司 | 噴淋頭組件 |
JP2012248803A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Hitachi Cable Ltd | 金属塩化物ガスの発生装置および金属塩化物ガスの発生方法、並びに、ハイドライド気相成長装置、窒化物半導体ウエハ、窒化物半導体デバイス、窒化物半導体発光ダイオード用ウエハ、窒化物半導体自立基板の製造方法および窒化物半導体結晶 |
CN103930589B (zh) * | 2011-06-22 | 2016-03-30 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 气相沉积材料源及其制造方法 |
KR101711502B1 (ko) * | 2011-06-22 | 2017-03-02 | 아익스트론 에스이 | 기상 증착 방법 및 장치 |
CN103732786B (zh) * | 2011-06-22 | 2016-08-17 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 气相沉积系统和供给头 |
KR101389011B1 (ko) * | 2012-03-28 | 2014-04-24 | 주식회사 유니텍스 | 소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로 |
US9574286B2 (en) | 2012-05-25 | 2017-02-21 | Sol Voltaics Ab | Concentric flower reactor |
KR101313877B1 (ko) * | 2012-07-06 | 2013-10-01 | 주식회사 유니텍스 | 소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로 |
DE102012215708A1 (de) * | 2012-09-05 | 2014-03-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Vorratsbehälter für eine beschichtungsanlage und beschichtungsanlage |
US9951420B2 (en) | 2014-11-10 | 2018-04-24 | Sol Voltaics Ab | Nanowire growth system having nanoparticles aerosol generator |
KR102369676B1 (ko) | 2017-04-10 | 2022-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
DE102017112668A1 (de) * | 2017-06-08 | 2018-12-13 | Aixtron Se | Verfahren zum Abscheiden von OLEDs |
KR102344996B1 (ko) * | 2017-08-18 | 2021-12-30 | 삼성전자주식회사 | 전구체 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
KR102218628B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2021-02-22 | 한국세라믹기술원 | 탄화층 코팅용 소스 가스 공급 장치 |
US10930494B2 (en) | 2019-04-09 | 2021-02-23 | Swift Solar Inc. | Vapor phase transport system and method for depositing perovskite semiconductors |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2704727A (en) * | 1951-10-08 | 1955-03-22 | Ohio Commw Eng Co | Method of deposition of non-conductive copper coatings from vapor phase |
DE3801147A1 (de) * | 1988-01-16 | 1989-07-27 | Philips Patentverwaltung | Vorrichtung zum erzeugen eines mit dem dampf eines wenig fluechtigen stoffes angereicherten gasstroms |
DE3907963A1 (de) * | 1989-03-11 | 1990-09-13 | Philips Patentverwaltung | Verfahren und vorrichtung zur dosierung einer dampffoermigen substanz in einen reaktor |
US5186120A (en) * | 1989-03-22 | 1993-02-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mixture thin film forming apparatus |
US5227340A (en) * | 1990-02-05 | 1993-07-13 | Motorola, Inc. | Process for fabricating semiconductor devices using a solid reactant source |
FR2727322B1 (fr) * | 1994-11-30 | 1996-12-27 | Kodak Pathe | Procede pour la sublimation d'un materiau solide et dispositif pour la mise en oeuvre du procede |
US5554220A (en) * | 1995-05-19 | 1996-09-10 | The Trustees Of Princeton University | Method and apparatus using organic vapor phase deposition for the growth of organic thin films with large optical non-linearities |
JPH1025576A (ja) * | 1996-04-05 | 1998-01-27 | Dowa Mining Co Ltd | Cvd成膜法における原料化合物の昇華方法 |
US6337102B1 (en) * | 1997-11-17 | 2002-01-08 | The Trustees Of Princeton University | Low pressure vapor phase deposition of organic thin films |
-
2000
- 2000-09-29 DE DE10048759A patent/DE10048759A1/de not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-09-22 WO PCT/EP2001/010961 patent/WO2002027064A1/de active IP Right Grant
- 2001-09-22 EP EP01974282A patent/EP1320636B9/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-22 AU AU2001293834A patent/AU2001293834A1/en not_active Abandoned
- 2001-09-22 JP JP2002530824A patent/JP2004510058A/ja active Pending
- 2001-09-22 KR KR10-2003-7004049A patent/KR20030038756A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-09-22 DE DE50102071T patent/DE50102071D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-27 TW TW090123896A patent/TWI265209B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-03-28 US US10/402,220 patent/US6962624B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004050946A1 (de) * | 2002-12-04 | 2004-06-17 | Basf Aktiengesellschaft | Verfahren zur aufdampfung von verbindung(en) auf einen träger |
WO2006063956A2 (de) * | 2004-12-18 | 2006-06-22 | Aixtron Ag | Vorrichtung zur temperierten aufbewahrung eines behälters |
WO2006063956A3 (de) * | 2004-12-18 | 2006-11-09 | Aixtron Ag | Vorrichtung zur temperierten aufbewahrung eines behälters |
DE102008045982A1 (de) | 2008-09-05 | 2010-03-11 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von nanoskaligen Netzwerken auf Oberflächen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030192471A1 (en) | 2003-10-16 |
KR20030038756A (ko) | 2003-05-16 |
WO2002027064A1 (de) | 2002-04-04 |
EP1320636B1 (de) | 2004-04-21 |
JP2004510058A (ja) | 2004-04-02 |
EP1320636A1 (de) | 2003-06-25 |
TWI265209B (en) | 2006-11-01 |
EP1320636B9 (de) | 2004-10-13 |
US6962624B2 (en) | 2005-11-08 |
AU2001293834A1 (en) | 2002-04-08 |
DE50102071D1 (de) | 2004-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10048759A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere organischer Schichten im Wege der OVPD | |
DE10005820C1 (de) | Gasversorungsvorrichtung für Precursoren geringen Dampfdrucks | |
WO2001061071A2 (de) | Kondensationsbeschichtungsverfahren | |
DE3590269T (de) | Verfahren zum Aufbringen von dünnen Schichten durch Vakuumaufdampfen | |
WO2006069921A2 (de) | Vorrichtung zum verdampfen von kondensierten stoffen | |
DE10217806A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden dünner Schichten auf einem Substrat in einer höherverstellbaren Prozesskammer | |
DE60020781T2 (de) | Sprudelvorrichtung mit zwei Fritten | |
DE102011089501A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Verdampfen von Material aus einer Metallschmelze | |
DE10226478A1 (de) | Rotationsverdampfer mit variabler Dosierung | |
DE1929422A1 (de) | Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von Halbleitermaterial | |
DE102010060292A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen Beschichten von Substraten | |
EP3645137B1 (de) | Rotationsverdampfer | |
DE3414669C2 (de) | Verdampferzelle | |
DE3937864C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen und Trocknen mittels Dampf | |
DE2335301C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Metallegierungen durch Vakuumaufdampfen | |
WO2001044538A9 (de) | Vorrichtung zum herstellen eines gasgemisches | |
DE19638100C1 (de) | Vorrichtung zum Erzeugen eines dampfförmigen Reaktionsproduktes aus Feststoffteilen | |
DE2753495A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur entnahme von gasen aus einem geschlossenen behaelter | |
WO1991006682A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur verhinderung der krustenbildung in kontinuierlich arbeitenden zucker-kristallisationsapparaten | |
DE1032998B (de) | Vorrichtung zur Herstellung von duennen Schichten aus mehreren Komponenten | |
DE3931189A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum erzeugen eines mit dem dampf eines wenig fluechtigen stoffes angereicherten gasstroms | |
DE4024181C1 (en) | Vapour phase soldering installation - has valve in by=pass opening in dependence on preset temp. of sec. medium in soldering tank | |
DE102021006288A1 (de) | Beschichtungsquelle mit Nachfüllvorrichtung | |
DE4442733A1 (de) | Einrichtung zur Bedampfung bandförmiger Substrate im Vakuum | |
DE2916080C2 (de) | Verfahren zum Molekular-Aufdampfen von Halbleiterschichten und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |