DE10031204A1 - Systemträger für Halbleiterchips und elektronische Bauteile sowie Herstellungsverfahren für einen Systemträger und für elektronische Bauteile - Google Patents

Systemträger für Halbleiterchips und elektronische Bauteile sowie Herstellungsverfahren für einen Systemträger und für elektronische Bauteile

Info

Publication number
DE10031204A1
DE10031204A1 DE10031204A DE10031204A DE10031204A1 DE 10031204 A1 DE10031204 A1 DE 10031204A1 DE 10031204 A DE10031204 A DE 10031204A DE 10031204 A DE10031204 A DE 10031204A DE 10031204 A1 DE10031204 A1 DE 10031204A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
carrier
external contact
rivet
contact
base substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10031204A
Other languages
English (en)
Inventor
Stefan Paulus
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE10031204A priority Critical patent/DE10031204A1/de
Publication of DE10031204A1 publication Critical patent/DE10031204A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/60
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/11001Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H01L2224/11003Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for holding or transferring the bump preform
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/1147Manufacturing methods using a lift-off mask
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48471Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399Material
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12042LASER
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19043Component type being a resistor

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Systemträger (5) für Halbleiterchips (1) und elektronische Bauteile (2), die auf dem Systemträger (5) hergestellt werden. Der Systemträger (5) weist ein Grundsubstrat (11) auf, auf dem Außenkontaktelemente (6) angeordnet sind, die einen nietförmigen Querschnitt (7) zeigen mit einem Nietkopfbereich (8), einem Nietschaftbereich (9) und einem Nietfußbereich (10), wodurch die Außenkontaktelemente (6) in dem Gehäuse aus einer Kunststoffmasse (4) sicher verankert werden.

Description

Die Erfindung betrifft einen Systemträger für Halbleiterchips und elektronische Bauteile und Verfahren zu deren Herstel­ lung.
Systemträger für Halbleiterchips zum Verpacken der Halblei­ terchips zu elektronischen Bauteilen in Gehäusen aus einer Kunststoffmasse müssen hohe Zuverlässigkeit trotz ihrer Mas­ senproduktion erfüllen. Insbesondere, wenn mit Hilfe des Sy­ stemträgers Gehäuse entstehen sollen, aus denen keinerlei Flachleiter als Anschlußstifte oder Anschlußbeinchen heraus­ ragen und bei denen das Gehäuse aus Kunststoffmasse nur ein­ seitig den Halbleiterchip und entsprechende Außenkontaktele­ mente einkapseln soll, so daß die Unterseite des elektroni­ schen Bauteils zumindest im Randbereich aus Außenkontaktele­ menten und dazwischen angeordneter Kunststoffmasse gebildet wird. Es besteht dabei die Gefahr, daß sich die Außenkontak­ telemente bei der Herstellung oder beim Betrieb des elektro­ nischen Bauteils aus der Kunststoffmasse lösen und damit das elektronische Bauteil unbrauchbar wird.
Deshalb ist es Aufgabe der Erfindung einen Systemträger für Halbleiterchips und elektronische Bauteile anzugeben, der bzw. die Außenkontaktelemente aufweist bzw. aufweisen, die ihre Position in der Kunststoffmasse während der Herstellung und Lebensdauer des elektronischen Bauteils beibehalten.
Gelöst wird diese Aufgabe durch die unabhängigen Ansprüche. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
Erfindungsgemäß weist der Systemträger Außenkontaktelemente auf, die einen nietförmigen Querschnitt aufweisen mit einem Nietkopfbereich, einem Nietschaftbereich und einem Nietfußbe­ reich, wobei der Nietfußbereich auf einem Grundsubstrat fi­ xiert ist, das den Systemträger während der Bestückung mit Halbleiterchips zusammenhält.
In einer Ausführungsform der Erfindung weist das Grundsub­ strat eine elektrisch leitende Oberfläche auf. Diese elek­ trisch leitende Oberfläche hat den Vorteil, daß zum Aufbau von Außenkontaktelementen auf dem Grundsubstrat eine elektri­ sche Spannung an die elektrisch leitende Oberfläche gelegt werden kann.
Eine derartige elektrisch leitende Oberfläche wird in einer Ausführungsform der Erfindung durch ein Grundsubstrat aus ei­ ner metallischen Folie erreicht. Jedoch kann in einer weite­ ren Ausführungsform der Erfindung das Grundsubstrat aus einer Kunststofffolie mit metallischer Beschichtung bestehen. Eine derartige Folie mit metallischer Beschichtung hat den Vor­ teil, daß sie relativ leicht in der weiteren Verarbeitung von den auf dem Systemträger zu bildende elektronischen Bauteilen getrennt werden kann.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die Kunststofffolie eine Kohlenstoffbeschichtung auf, wodurch ihre Oberfläche elektrisch leitend wird. Diese Aus­ führungsform hat den Vorteil, daß derartige Kunststofffolien mit Kohlenstoffbeschichtung sowohl eine ausreichend elek­ trisch leitende Oberfläche durch die Kohlenstoffbeschichtung aufweisen, als auch die Trennmöglichkeit des Grundsubstrats des Systemträgers bei der Weiterverarbeitung der Halbleiter­ chips zu elektronischen Bauteilen erhöhen.
Bei einer weiteren Ausführungsform des Systemträgers weist dieser mehrere Bauelement-Montagebereiche auf dem Grundsub­ strat auf. Jeder Bauelement-Montagebereich kann mit einem Chip bestückt werden, das in einem zentralen Chipträgerbe­ reich des Montagebereichs positionierbar ist. Rund um den Chipträgerbereich können in ihrem Grundriß kreisförmige lang­ gestreckte oder quadratische Außenkontaktelemente mit niet­ förmigem Querschnitt in einem definierten Abstand von dem zentralen Chipträgerbereich gruppiert sein.
In einer anderen Ausführungsform sind Außenkontaktelemente mindestens teilweise im Chipträgerbereich angeordnet, so daß ein Halbleiterchip mit Bondhöckern auf den Nietkopfbereichen der Außenkontaktelemente in Flip-Chip-Technologie bondbar ist. Bei einer derartigen Ausführungsform eines Chipträgers können die Bondhöcker eines Halbleiterchips unmittelbar auf den Nietkopfbereich der Außenkontaktflächen angelötet oder aufgeklebt werden, wobei die Außenkontaktelemente durch ihren nietförmigen Querschnitt ausgezeichnet in der Kunststoffmasse verankerbar sind. Ein weiterer Vorteil der im Querschnitt nietförmigen Außenkontaktelemente auf dem erfindungsgemäßen Systemträger ist, daß die Außenkontaktelemente mittels unter­ schiedlicher Schichtung von Metallen und Edelmetallen auf die spätere Verwendung des Systemträgers abgestimmt werden kann.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist das Au­ ßenkontaktelement auf dem Systemträger aus reinem Silber oder einer Silberlegierung. Das Material Silber hat den Vorteil, daß es keinen die elektrische Leitfähigkeit hemmenden Oxi­ düberzug bildet, sondern vielmehr einen Silbersulfit-Überzug, der elektrisch leitend ist.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist das Au­ ßenkontaktelement auf dem Systemträger aus einer Gold/Nickel/Gold-Schichtfolge aufgebaut. Diese Schichtfolge hat den Vorteil, daß das Gold keine widerstanderhöhende Oxid­ schicht bildet und die Nickelschicht vollständig von Gold um­ schlossen ist, so daß eine lange Lebensdauer der Außenkontak­ telemente garantiert ist. Gleichzeitig kann eine äußere Goldschicht als Ätzstopp beim Vereinzeln eines Systemträgers von Bauteilen dienen.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind die Au­ ßenkontaktelemente aus einer Silber/Kupfer/Silber- Schichtfolge aufgebaut. Diese Schichtfolge ist preiswerter und hat durch den Einsatz von Materialien mit einem äußerst niedrigen elektrischen Widerstand einen Vorteil gegenüber Au­ ßenkontaktelementen aus einer Schichtfolge von Gold/Nickel/Gold.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist der Sy­ stemträger einen metallischen Sockel im Chipträgerbereich auf, der in seiner Höhe den Außenkontaktelementen entspricht und in seiner flächigen Erstreckung der Größe des Halbleiter­ chips angepaßt ist. Dieser Sockel kann aus dem gleichen Mate­ rial aufgebaut sein wie die Außenkontaktelemente, so daß er gleichzeitig mit den Außenkontaktelementen entstehen kann. Der Sockel hat darüber hinaus den Vorteil, daß er mit der Un­ terseite des Halbleiterchips, die keine aktive Schaltung trägt, verlötet oder verklebt werden kann und somit einen Er­ de- oder Massekontakt für das gesamte elektronische Bauteil nach außen aufweisen kann.
Der Systemträger wird in einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung zur Herstellung elektronischer Bauteile verwen­ det. Dabei können die Außenkontaktelemente einen kreisförmi­ gen Grundriß aufweisen oder auch langgestreckte oder quadra­ tische Außenkontaktelemente bilden.
Ein Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers mit Außen­ kontaktelementen, die einen nietförmigen Querschnitt aufwei­ sen, hat folgende Verfahrensschritte:
  • - Bereitstellen eines Grundsubstrats mit elektrisch lei­ tender Oberfläche,
  • - Aufbringen einer strukturierten elektrisch isolierenden Schicht, welche freiliegende elektrisch leitende Oberflächenbereiche in der Anordnung der Außenkontaktelemen­ te auf dem Grundsubstrat aufweist,
  • - Aufbringen eines leitenden Materials zum Bilden von Au­ ßenkontaktelementen mit einem nietförmigen Querschnitt auf den freiliegenden elektrisch leitenden Oberflächen­ bereichen,
  • - Entfernen der strukturierten elektrisch isolierenden Schicht.
Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß Außenkontaktelemente auf dem Systemträger entstehen, die einen nietförmigen Quer­ schnitt aufweisen und sich aufgrund dieses Querschnitts in der Kunststoffmasse fest verankern, so daß dieser Systemträ­ ger gewährleistet, daß sich die Außenkontaktelemente bei den weiteren Verarbeitungsschritten nicht von dem umgebenden Kunststoff delaminieren.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird zunächst eine geschlossene Isolierschicht aufgebracht und diese dann an­ schließend mittels Photolack-Technologie zu einer elektrisch isolierenden Schicht strukturiert. Bei der Strukturierung werden beispielsweise nicht belichtete Flächen des Photolac­ kes herausgelöst und damit elektrisch leitende Oberflächenbe­ reiche des Grundsubstrats freigelegt.
In einer weiteren bevorzugten Durchführung des Verfahrens wird die strukturierte elektrisch isolierende Schicht mittels Siebdruckverfahren aufgebracht, dabei wirkt vorteilhaft das Sieb als strukturierende Maske, so daß nur in den Bereichen eine isolierende Schicht entsteht, in denen das Sieb nicht maskiert ist.
Bei einer weiteren Durchführung des Verfahrens kann eine zu­ nächst geschlossene Isolierschicht auf dem Grundsubstrat mit­ tels Zerstäubungstechnik durch eine Maske hindurch struktu­ riert werden. Bei dieser Technik, die auch als Sputter- Technik bekannt ist, wird durch hochbeschleunigte gerichtete Ionen die geschlossene Isolierschicht an den Stellen abgetra­ gen, an denen sie nicht durch eine Maske geschützt ist. Die­ ses Verfahren hat den Vorteil, daß äußerst feine Strukturen mit äußerst gradlinigen Wänden herstellbar werden.
Eine geschlossene Isolierschicht kann in einer weiteren Aus­ führungsform des Verfahrens auf dem Grundsubstrat mittels Ab­ scheidung aus der Gasphase durchgeführt werden. Als Gase wer­ den organische Substanzen eingesetzt, die sich an der Ober­ fläche einer elektrisch leitenden Schicht zersetzen und einen isolierenden Film auf der Oberfläche bilden.
Eine zunächst geschlossene Isolierschicht kann in einer wei­ teren Ausführungsform des Verfahrens mittels Plasma- Ätztechnik durch eine Maske hindurch strukturiert werden. Ähnlich wie bei der Zerstäubungstechnik wird dabei durch die Maske hindurch die darunter liegende Isolierschicht abgetra­ gen, jedoch beschleunigen beim Plasmaätzen chemische Reaktio­ nen den Abtrag der Isolierschicht bis auf die leitende Ober­ fläche des Grundsubstrats.
Eine Technologie zum Strukturieren geschlossener Isolier­ schichten, die vollständig ohne eine Maske auskommt, ist die Laser-Rasterbestrahlung, bei der die isolierende Schicht mit­ tels eines abtastenden Laserstrahls, der die Strukturen in die Isolierschicht hineinzeichnet, unter Einwirkung der Lase­ renergie verdampft wird.
Nachdem eine strukturierte Isolierschicht vorliegt und minde­ sten die Bereiche der Oberfläche des Grundsubstrats freige­ legt sind, an denen Außenkontaktelemente angeordnet werden sollen, wird nun ein leitendes Material auf die freiliegenden elektrisch leitenden Oberflächenbereiche gebracht. Dabei kann das Material durchgängig aus einer einzigen Legierung beste­ hen oder es kann auch schichtweise mit unterschiedlicher Ma­ terialfolge aufgebracht werden. Jedoch ist es für die Her­ stellung des erfindungsgemäßen Systemträgers erforderlich, daß ein leitendes Material abgeschieden wird und dieses lei­ tende Material über die strukturierte Isolierschicht hinaus wächst. Erst dadurch kann sich der erfindungsgemäße nietför­ mige Querschnitt für die Außenkontaktelemente ergeben.
Für das Aufbringen eines leitenden Materials stehen mehrere und unterschiedliche Verfahren zur Verfügung. Bei einer Durchführungsform des Verfahrens wird das Aufbringen eines leitenden Materials mittels galvanischer Abscheidung auf den freiliegenden elektrisch leitenden Oberflächenbereichen durchgeführt, bis ein Überwachsen des abgeschiedenen Materi­ als an den freiliegenden Stellen zu einem Nietkopf erreicht ist. Das leitende Material kann aber auch durch Abscheidung aus der Gasphase erfolgen, indem beispielsweise eine me­ tallorganische Verbindung über dem Grundsubstrat zersetzt wird und sich das Metall aus dieser Verbindung auf dem Grund­ substrat in den freiliegenden elektrisch leitenden Oberflä­ chenbereichen abscheidet.
Eine weitere bevorzugte Durchführungsform des Verfahrens be­ steht in dem Aufbringen eines leitenden Materials mittels stromloser galvanischer Abscheidung. Eine stromlose galvani­ sche Abscheidung hat den Vorteil, daß an den Systemträger keine elektrische Spannung gelegt werden muß. Vielmehr wird der Systemträger in das Abscheidebad eingetaucht und mit ei­ ner stromlos abgeschiedenen Metallschicht herausgezogen. Beim Ablösen der strukturierten Isolierschicht bilden sich die ge­ wünschten nietförmigen Querschnitte in vorgesehenen Oberflä­ chenbereichen für die Außenkontaktelemente.
Mit den Außenkontaktelementen kann gleichzeitig ein metalli­ scher Sockel im Chipträgerbereich des Systemträgers gebildet werden. Ein derartiger metallischer Sockel hat den Vorteil, daß beispielsweise die Unterseite des Halbleiterchips damit kontaktiert werden kann. Im Prinzip kann mit dem erfindungs­ gemäßen Verfahren jede beliebige geometrische Struktur auf dem Grundsubstrat abgeschieden werden, die der Bildung von Außenkontaktflächenanordnungen dient. Nach dem Aufbringen des metallischen Materials wird die strukturierte elektrisch iso­ lierende Schicht abgetragen. Dies kann naßchemisch mittels Lösungsmitteln erfolgen oder durch trockene Veraschung in ei­ nem Plasma.
Einseitig in einer Kunststoffmasse zu einem elektronischen Bauteil eingegossene Halbleiterchips haben den Vorteil eines äußerst flachen Gehäuseaufbaus, jedoch auch den Nachteil, daß die Außenkontaktelemente, die für die Weiterleitung elektri­ scher Signale sowie der Stromversorgung des Halbleiterchips erforderlich sind, nicht zuverlässig genug von der einseitig angegossenen Kunststoffmasse gehalten werden können, so daß die Gefahr besteht, daß die elektronischen Bauteile durch Lockern oder Delaminieren der Außenkontaktelemente unbrauch­ bar werden.
Mit einem erfindungsgemäßen elektronischen Bauteil wird die­ ses Problem überwunden. Dadurch weist das elektronische Bau­ teil einen Halbleiterchip auf, dessen Kontaktflächen mit Au­ ßenkontaktelementen verbunden sind, wobei der Halbleiterchip mit den Außenkontaktelementen in einer Kunststoffmasse als Gehäuse vergossen ist und mindestens ein Außenkontaktelement einen nietförmigen Querschnitt mit einem Nietkopfbereich, ei­ nem Nietschaftbereich und einem Nietfußbereich aufweist, wo­ bei das Außenkontaktelement mit seinem Nietkopfbereich in der Kunststoffmasse verankert ist. Dabei umschließt die Kunst­ stoffmasse den Nietkopfbereich derart, daß der Nietschaft vollständig fixiert in der Kunststoffmasse angeordnet ist.
Die Kontaktfläche des Außenkontaktelementes bietet in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung der Nietfußbereich, der von Kunststoffmasse freigehalten ist, so daß seine Ober­ fläche eine von außen zugängliche Kontaktfläche aufweist. Der Nietfußbereich kann unterschiedlich gestaltet werden und ist in einer Ausführungsform in seinem Grundriß kreisförmig. In einer anderen Ausgestaltung der Erfindung ist die Außenkontaktfläche langgestreckt und damit rechteckförmig. Der Quer­ schnitt bleibt dabei jedoch unverändert nietförmig. Ein lang­ gestrecktes Außenkontaktelement kann somit im Grundriß eine rechteckige Außenkontaktfläche, die von dem Nietfuß gebildet wird, aufweisen und zusätzlich eine nietförmige Außenkontakt­ fläche aufgrund des nietförmigen Querschnitts im Aufriß zei­ gen.
Dabei ist in einer Ausführungsform der Erfindung die nietför­ mige Außenkontaktfläche rechtwinklig zu der Außenkontaktflä­ che des Nietfußbereiches angeordnet, wobei sich die Außenkon­ taktflächen des elektronischen Bauteils in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung im Randbereich des Gehäuses aus Kunststoffmasse befinden.
Kreisförmige Grundrisse des Nietfußes sind als Außenkontakt­ flächen vorgesehen, wenn in einer weiteren Ausführungsform die Kontaktflächen des Halbleiterchips Bondhöcker aufweisen, die unmittelbar auf den Nietkopfbereich der Außenkontaktele­ mente gebondet sind. Derartige nietförmige Außenkontaktele­ mente mit kreisrundem Grundriß sind deshalb unmittelbar unter dem Halbleiterchip angeordnet, so daß sie mit den Bondhöcker des Halbleiterchips verbunden werden können. Dazu ist der Halbleiterchip mit seiner aktiven, eine Halbleiterschaltung aufweisenden Seite zu den Außenkontaktelementen ausgerichtet.
Ist der Halbleiterchip mit seiner keine Halbleiterschaltung aufweisenden passiven Seite zu den Außenkontaktelementen aus­ gerichtet, so kann die passive Seite des Halbleiterchips von Kunststoffmasse freigehalten sein und teilweise die Untersei­ te des Gehäuses bilden. Diese Ausführungsform der Erfindung hat den Vorteil, daß äußerst flache elektronische Bauteile verwirklicht werden können. In diesem Fall werden die Kon­ taktflächen des Halbleiterchips über Bonddrähte mit den Kopf­ bereichen der Außenkontaktelemente verbunden.
Ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils, welches Außenkontaktelemente mit nietförmigen Querschnitt aufweist, ist durch folgende Verfahrensschritte gekennzeich­ net:
  • - Bereitstellen eines Substratträgers, der eine vorbe­ stimmte Anordnung der Außenkontaktelemente aufweist,
  • - Aufbringen mehrerer Halbleiterchips auf dem Substratträ­ ger,
  • - Herstellen von Verbindungen der Kontaktflächen des Halb­ leiterchips mit Außenkontaktelementen,
  • - Vergießen des Systemträgers mit aufgebrachten Halblei­ terchips und den Verbindungen zwischen Kontaktflächen des Halbleiterchips und Außenkontaktelementen zu elek­ tronischen Bauteilen mit Gehäuse aus einer Kunststoffma­ sse,
  • - Vereinzeln der auf dem Systemträger mit Kunststoffmasse als Gehäuse hergestellten elektronischen Bauteile.
Mit diesem Verfahren hergestellte Bauteile haben folgende Vorteile:
Die Flanken der aufgewachsenen nietförmigen Querschnitte sind im Nietschaftbereich nahezu senkrecht und verjüngen sich le­ diglich um 2-6 µm auf einer Höhe von 30 µm. Durch Überwach­ sen der elektrisch isolierenden Schicht des Systemträgers entstehen auf dem Systemträger Pilz- oder Nietformen, die ei­ ne hervorragende Verankerung der Kontaktanschlußelemente in der Kunststoffmasse garantieren. Die Außenkontaktelemente können mit den verschiedensten Materialien und Schichtfolgen realisiert werden. Es können Außenkontaktelemente aus reinem Silber oder aus reinen Silberlegierungen oder aus Schichtfol­ gen von Gold/Nickel/Gold oder Silber/Kuper/Silber auf dem Grundsubstrat des Systemträgers aufgewachsen werden. Es kann auch eine Trennschicht zwischen der Grundschicht und den Au­ ßenkontaktelementen eingefügt werden, z. B. eine Silber- oder eine Goldschicht, so daß sich ein sehr guter Ätzstopp ergibt, wenn das Grundsubstrat durch Ätzen wieder aufgelöst werden muß. Es können jedoch auch die Bauteile in einem späteren Verfahrensschritt durch mechanische Prozesse vom Grundsub­ strat getrennt werden. Ein naßchemischer Ätzprozess kann un­ ter Umständen entfallen.
Bei einer Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird vorteilhaft der Systemträger für eine Vielzahl von diskreten elektronischen Bauteilen mit einer Kunststoffmasse in gleich­ förmiger Dicke großflächig zu einer Kunststoffplatte aus Kunststofffolie vergossen, die einseitig das Grundsubstrat aufweist.
Vor einem Vereinzeln zu elektronischen Bauteilen wird das Grundsubstrat von der Kunststoffplatte weggeätzt, wobei im Falle einer Ätzstoppschicht auf den Außenkontaktelementen, diese Ätzstoppschicht die Außenkontaktelemente vor einem Anätzen schützt und den Ätzvorgang beendet.
Damit die Vielzahl der elektronischen Bauteile beim Verein­ zeln der Kunststoffplatte zu diskreten elektronischen Bautei­ len mit Kunststoffgehäuse nicht durcheinanderwirbeln und ge­ ordnet und ausgerichtet bleiben, kann die Kunststoffplatte vor dem Vereinzeln mit einer Klebefolie beschichtet werden.
Als Trenntechnik während des Vereinzelns wird in einer Aus­ führungsform der Erfindung die Sägetechnik eingesetzt.
Bei einer weiteren Durchführungsform der Erfindung erfolgt das Herstellen von Verbindungen zwischen Kontaktflächen auf dem Halbleiterchip und dem Außenkontaktelement mittels Flip- Chip-Technologie über Bondhöcker, die auf die Nietkopfberei­ che der Außenkontaktelemente gebondet werden. Dazu ist es er­ forderlich, daß die Außenkontaktelemente entsprechend unter­ halb des Halbleiterchips gegenüber den Kontaktflächen des Halbleiterchips angeordnet werden. Das gleichzeitige Bonden aller Bondhöcker ist dann auf den Nietkopfbereichen der Au­ ßenkontaktelemente ohne weiteres möglich.
Bei einer anderen Durchführung des Verfahrens wird das Her­ stellen von Verbindungen zwischen Kontaktflächen des Halblei­ terchips und den Außenkontaktelementen mittels Bonddraht- Technologie über Bonddrähte erreicht. Dazu werden die Kon­ taktflächen des Halbleiterchips über die Bonddrähte mit dem Kopfbereich der Außenkontaktelemente verbunden. Beim an­ schließenden Vergießen mit einer Kunststoff- oder Kunstharz­ masse werden nicht nur die Bonddrähte hervorragend von der Kunststoff- oder Kunstharzmasse umschlossen sondern auch das Außenkontaktelement durch seinen nietförmigen Querschnitt si­ cher in der Kunststoffmasse verankert. Gleichzeitig mit den Außenkontaktelementen kann auf dem Systemträger ein metalli­ scher Sockel abgeschieden werden, auf den das Halbleiterchip gelötet oder geklebt werden kann. Dies hat einerseits den Vorteil, daß das Halbleiterchip von einem metallischen Sockel gestützt wird, und andererseits den Vorteil, daß die Halblei­ terunterseite durch den metallischen Sockel einen großflächi­ gen Außenkontakt aufweist.
Das Vereinzeln der elektronischen Bauteile richtet sich im wesentlichen nach dem Material des Grundsubstrats, das für die Herstellung der Außenkontaktelemente verwendet wurde. Beim Vereinzeln der elektronischen Bauteile von einer kohlen­ stoffbeschichteten Folie, die als Grundsubstrat eingesetzt wurde, können die Bauteile relativ einfach abgezogen werden, ohne daß eine Auflösung der Folie erforderlich ist. Lediglich durch einen einfachen Nachbehandlungsschritt müssen die Koh­ lenschichtreste von dem elektronischen Bauteil entfernt wer­ den, was bei einer Durchführung des Verfahrens durch Plasma- Veraschung erfolgen kann.
Eine andere Möglichkeit beim Vereinzeln der elektronischen Bauteile von einer metallbeschichteten Kunststofffolie als Grundsubstrat besteht darin, diese Kunststofffolie abzuiehen und die auf dem Bauteil verbleibende Metallbeschichtung naß­ chemisch oder trocken zu ätzen. Erst wenn die Metallbeschichtung von dem Bauteil entfernt ist, sind die Außenkontaktele­ mente zugänglich.
Bei einer weiteren Durchführung des Verfahrens wird beim Ver­ einzeln der elektronischen Bauteile von einer metallischen Folie als Grundsubstrat diese metallische Folie vollständig durch Naß- oder Trockenätzen entfernt. Damit liegen nach dem Entfernen des metallischen Grundsubstrats die Bauteile ein­ zeln vor, sofern sie nicht zu einer Kunststoffplatte vergos­ sen wurden, sondern in Einzelkavitäten hergestellt sind, und können unmittelbar ohne weiteren Bearbeitungsschritt einge­ setzt werden.
Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsformen mit den beiliegenden Figuren näher erläutert.
Fig. 1-5 zeigen anhand von schematischen Querschnitten wesentliche Herstellungsschritte eines Systemträ­ gers einer ersten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Sy­ stemträger der Fig. 5 mit einem aufgebrachten Halbleiterchip in Flip-Chip-Technologie,
Fig. 7 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Bauteil gemäß einer ersten Ausfüh­ rungsform der Erfindung,
Fig. 8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Systemträger mit aufgebrachten Halbleiterchip gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 9 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Bauteil gemäß einer zweiten Ausfüh­ rungsform der Erfindung,
Fig. 10 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Systemträger mit aufgebrachtem Halbleiterchip gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 11 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Bauteil gemäß einer dritten Ausfüh­ rungsform der Erfindung.
Fig. 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Grundsubstrat 11 eines Systemträgers 5 mit einer Unterseite 28 und einer Oberseite 29, wobei mindestens die Oberseite 29 eine elektrisch leitende Oberfläche 12 aufweist. Diese elek­ trisch leitende Oberfläche 12 kann durch Beschichten einer Kunststofffolie oder Kunstoffplatte mit Kohlenstoff elek­ trisch leitend werden.
Als weitere Alternative kann als Grundsubstrat 11 für einen Systemträger 5 eine metallische beschichtete Kunststoffplatte oder Kunststofffolie eingesetzt werden. Als Kunststoff kann in vorteilhafter Weise für eine Folie Polyimid, Polypropylen oder Polyethylen eingesetzt werden, während als Kunststoff­ platten vorzugsweise Kunstharze verwendet werden. In der Aus­ führungsform der Fig. 1 ist das Grundsubstrat eine metalli­ sche Folie, die sowohl auf der Unterseite 28 als auch auf der Oberseite 29 eine elektrisch leitende Oberfläche 12 aufweist. Das Material dieser metallischen Folie der Fig. 1 ist eine Kupferlegierung von einer Dicke zwischen 50 µm und 200 µm. Das Grundsubstrat 11 gibt dem Systemträger 5 eine Stabilität und wird erst nach Fertigstellung der auf dem Systemträger anzuordnenden und herzustellenden elektronischen Bauteile entfernt.
Fig. 2 ist ein schematischer Querschnitt durch das Grundsub­ strat 11 des Systemträgers 5 mit einer geschlossenen Isolier­ schicht 21. Diese Isolierschicht 21 kann eine Photolack­ schicht sein, die photolithographisch strukturierbar ist, oder eine andere Kunststoffschicht, die mittels Plasma- Ätztechnologie durch eine Maske oder durch eine Laserraster­ bestrahlung strukturiert wird.
Fig. 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Grundsubstrat 11 des Systemträgers 5 einer ersten Ausfüh­ rungsform der Erfindung mit strukturierter elektrisch isolie­ render Schicht 18, wobei in dieser Ausführungsform die geschlossene Isolierschicht 21 der Fig. 2 eine Photolack­ schicht ist, die mit Hilfe einer nicht gezeigten Photomaske zur Vorvernetzung des Photolackes in den Bereichen belichtet wurde, welche die strukturierte isolierende Schicht 18 auf­ weisen und unbelichtet blieb für die Bereiche, die beim Ent­ wickeln des Photolackes freiliegende elektrisch leitende Oberflächenbereiche 19 entstehen lassen. In dieser ersten Ausführungsform der Erfindung werden die Oberflächenbereiche 19 freigelegt, um an diesen Stellen Außenkontaktelemente auf dem Grundsubstrat 11 für eine erste Ausführungsform eines Sy­ stemträgers aufzubringen.
Fig. 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Grundsubstrat 11 mit auf der elektrisch leitenden Oberfläche 12 aufgebrachter strukturierter elektrisch isolierender Schicht 18 und auf den freiliegenden elektrisch leitenden Oberflächenbereichen 19 aufgebrachten Außenkontaktelementen 6 aus elektrisch leitendem Material 20. Durch Überwachsen des elektrisch leitenden Material 20 über das Niveau 30 der strukturierten elektrisch isolierenden Schicht 18 hinaus, entsteht ein nietförmiger Querschnitt für das elektrisch lei­ tende Material 20 auf den freiliegenden elektrisch leitenden Oberflächenbereichen 19. Dieser nietförmige Querschnitt weist einen pilzhutförmigen Nietkopfbereich 8, einen säulenförmigen Nietschaftbereich 9 und einen durch die Struktur der freilie­ genden elektrisch leitenden Oberflächenbereiche 19 der Fig. 3 vorgegebenen Nietfußbereich 10 auf. Der Grundriß des Niet­ fußbereiches 10 kann kreisförmig oder langgestreckt oder qua­ dratisch ausgebildet sein, je nach geometrischer Anforderung an das Außenkontaktelement für den Systemträger 5.
Das Aufbringen des elektrisch leitenden Materials 20 auf die freiliegenden elektrisch leitenden Oberflächenbereiche 19 kann durch Elektroplatieren oder durch galvanische Abschei­ dung zwischen der strukturierten elektrisch isolierenden Schicht 18 erfolgen, was auch als Elektroformverfahren be­ kannt ist. Bei dem Elektroformverfahren können durch unterschiedliche galvanische Bäder unterschiedliche Material­ schichtfolgen für den Nietfußbereich 10, den Nietschaftbe­ reich 9 und/oder den Nietkopfbereich 8 realisiert werden. So kann beispielsweise im Nietfußbereich 19 eine Gold- oder Sil­ berschicht zunächst abgeschieden werden, um als Ätzstopp für das spätere Trennen des Systemträgers 5 vor einer Vereinze­ lung in elektronische Bauteile zu dienen. In diesem Fall wird die elektrisch leitende Oberfläche 12 des Grundsubstrats 11 oder das gesamte Grundsubstrat aus einem unedleren Metall hergestellt als der Nietfußbereich 10 der Außenkontaktelemen­ te 6. Andere Außenkontaktelemente weisen eine Schichtfolge von Gold im Fußbereich, Nickel im Schaftbereich und Kopfbe­ reich und eine abschließende Goldbeschichtung auf dem Kopfbe­ reich auf. Der Nietschaftbereich 9 kann aber auch aus dem gleichen Material wie die elektrisch leitende Oberfläche 12 hergestellt sein und im Übergang zum Nietfußbereich 10 des Außenkontaktelementes eine edlere als Ätzstopp dienende Trennschicht aufweisen. In einem Ausführungsbeispiel wird das Grundsubstrat 11 aus einer Kupferlegierung und der Niet­ schaftbereich 9 ebenfalls aus einer Kupferlegierung herge­ stellt und dazwischen im Nietfußbereich 10 eine Silberschicht aufgebracht.
Das Aufbringen von elektrisch leitenden Material 20 zur Aus­ bildung von Außenkontaktelementen 6 mit nietförmigem Quer­ schnitt 7 kann auch durch Metallabscheidung aus der Gasphase von metallorganischen Verbindungen oder durch stromloses Ab­ scheiden von Metallionen aus einer Flüssigkeit erfolgen.
Fig. 5 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Sy­ stemträger 5 einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Der Systemträger 5 weist ein Grundsubstrat 11 auf, auf dem Außen­ kontaktelemente 6 angeordnet sind, die einen nietförmigen Querschnitt 7 zeigen. Der nietförmige Querschnitt besteht aus einem Nietfußbereich 10, einem Nietschaftbereich 9 und einem Nietkopfbereich 8. Die in Fig. 4 gezeigte strukturierte elektrisch isolierende Schicht 18 ist in Fig. 5 entfernt, so daß Fig. 5 den schematischen Querschnitt durch einen Teilbe­ reich eines Systemträgers 5 zeigt. Der Nietfußbereich 10 hat in dieser ersten Ausführungsform einen kreisförmigen Grundriß und die in Fig. 5 gezeigte Reihe von Außenkontaktelementen 6 kann ein Halbleiterchip mit einer entsprechend angeordneten Reihe von Kontaktflächen und darauf angebrachten Lötbällen oder Bondhöckern in Flip-Chip-Technologie aufnehmen.
Fig. 6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Sy­ stemträger 5 der Fig. 5 mit einem aufgebrachten Halbleiter­ chip 1 in Flip-Chip-Technologie. Der Halbleiterchip 1 ist mit seiner eine elektrische Schaltung aufweisenden aktiven Seite 31 zu den Außenkontaktelementen 6 des Systemträgers 5 ausge­ richtet, wobei die Bondhöcker 16, die zunächst auf den Kon­ taktflächen 22 des Halbleiterchips 1 angeordnet sind, in Fig. 6 mit dem Nietkopfbereich 8 der Außenkontaktelemente 6 durch Auflöten verbunden sind. Der Systemträger 5 mit aufge­ brachtem Halbleiterchip 1 kann nach dem Auflöten der Bondhöc­ ker 16 auf die Nietkopfbereiche 8 der Außenkontaktelemente 6 mit einem Spritzgußverfahren unter einer Spritzgußform ein­ seitig mit einer Kunststoffmasse oder zu einer Kunststoff­ platte, die gleichförmig eine Vielzahl von Halbleiterchips einschließt, vergossen werden. Dabei begrenzt das geschlosse­ ne Grundsubstrat 11 einseitig den Spritzgußvorgang, so daß eine eindeutige einseitige Anspritzung des Kunststoffgehäuses ohne Unterspritzungsprobleme möglich wird.
Die elektrisch leitende Oberfläche 12 des Grundsubstrats 11 schließt jedoch die Außenkontaktelemente 6 untereinander kurz und muß deshalb vor oder beim Vereinzeln der elektronischen Bauteile von diesen gelöst werden. Bei kohlenstoff- oder me­ tallbeschichteten Kunststofffolien ergibt sich die Möglich­ keit, zunächst die Kunststofffolie abzuziehen und dann die verbleibende Kohlenstoffschicht zu oxidieren und damit aufzu­ lösen oder die verbleibende Metallschicht durch Trocken- oder Naßätzen zu entfernen. Beim Naßätzen ist es von besonderem Vorteil, wenn der Nietfußbereich 10 ein Ätzstoffmaterial auf­ weist.
Wenn das Grundsubstrat 11 wie in dem Ausführungsbeispiel der Fig. 6 eine metallische Folie ist, so kann diese nach dem Spritzgießen des Kunststoffes vor oder beim Vereinzeln der elektronischen Bauteile eines Systemträgers der ersten Aus­ führungsform durch Naß- oder Trockenätzen entfernt werden. Auch hier ist es vorteilhaft, wenn das Außenkontaktelement 6 im Nietfußbereich 10 eine Ätzstoppschicht aufweist.
Fig. 7 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein elek­ tronisches Bauteile 2 gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Das elektronische Bauteil 2 ist mit einem einsei­ tig angegossenen Gehäuse 3 aus Kunststoffmasse 4 versehen und weist im Gehäuse 3 einen Halbleiterchip 1 auf, der Kontakt­ flächen 22 besitzt, die mit Außenkontaktelementen 6 über Bondhöcker 16 beispielsweise aus Lötbällen verbunden sind. Die Außenkontaktelemente 6 weisen einen nietförmigen Quer­ schnitt auf mit einem Nietfußbereich 10, einem Nietschaftbe­ reich 9 und einem Nietkopfbereich 8, wobei der Nietkopfbe­ reich 8 mit dem Bondhöcker 16 des Halbleiterchips 1 jeweils verbunden ist. Die Außenkontaktelemente 6 sind aufgrund ihres nietförmigen sicher in der Kunststoffmasse 4 verankert, da der Nietschaftbereich 9 eine geringere Erstreckung aufweist als der Nietkopfbereich 8.
Auf der Unterseite 32 des Bauelements befindet sich frei von Kunststoffmasse 4 die Oberfläche des Nietfußbereichs 10 und ist damit als Außenkontaktfläche für das Einsetzen des elek­ tronischen Bauteils 2 in eine Schaltungsanordnung von außen zugänglich. Der Nietfußbereich 10 hat in dieser Ausführungs­ form einen kreisförmigen Grundriß und kann jedoch auch eine Längserstreckung aufweisen, falls eine langgestreckte Kon­ taktfläche für das elektronische Bauteil erforderlich ist. Der Nietfußbereich 10 kann mit seiner Außenkontaktfläche 23 veredelt sein, um die Außenkontaktfläche 23 vor Oxidation und Erosion zu schützen. Dazu weist die Außenkontaktfläche 23 vorzugsweise eine Gold- oder Silberschicht auf. Beide Mate­ rialien sind oxidationsbeständig, wobei in freier Atmosphäre die Silberschicht dazu neigt, Silbersulfit zu bilden, das je­ doch elektrisch leitfähig ist, im Gegensatz zu einer Oxid­ schicht anderer Materialien.
Mit veredelter Außenkontaktfläche 23 kann das Außenkontakte­ lement 6 in seinem Nietschaftbereich 9 und auch in seinem Nietkopfbereich 8 aus einer weniger edlen Kupfer- oder Alumi­ niumlegierung hergestellt sein, wobei der Nietkopfbereich 8 mit einer lötfähigen Legierung beschichtet sein kann. Mit ei­ nem derartigen elektronischen Bauteil einer ersten Ausfüh­ rungsform der Erfindung wird sichergestellt, daß die Außen­ kontaktelemente 6 äußerst zuverlässig in der Kunststoffmasse 4 des Gehäuses 3 verankert sind. Darüber hinaus wird eine re­ lativ flache Bauweise erreicht, die insbesondere für Chipkar­ tenanwendungen geeignet ist.
Fig. 8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Sy­ stemträger 5 mit einem aufgebrachten Halbleiterchip 1 gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Der Systemträger 5 unterscheidet sich von dem Systemträger 5 der Fig. 5 dar­ in, daß in dem Chipträgerbereich gleichzeitig mit der Ausbil­ dung von Außenkontaktelementen 6 ein metallischer Sockel 17 auf das Grundsubstrat 11 aufgebracht ist. Dieser metallische Sockel 17 ist in dieser Ausführungsform der Fig. 8 aus dem gleichen Material wie die Außenkontaktelemente 6 und weist die gleiche Höhe h auf. Die flächige Erstreckung des metalli­ schen Sockels 17 ist an die Größe des Halbleiterchips 1 ange­ paßt, so daß der Halbleiterchip 1 vollständig auf dem metal­ lischen Sockel 17, wie in Fig. 8 gezeigt, aufgebracht werden kann. Das Aufbringen kann durch Aufkleben mit einem leitfähi­ gen Kleber oder durch Auflegieren des Halbleiterchips 1 auf den metallischen Sockel 17 erfolgen.
In dieser zweiten Ausführungsform des Systemträgers 5 werden die Halbleiterchips 1 mit ihrer keine elektronische Schaltung tragenden passiven Seite 33 auf den metallischen Sockel 17 aufgebracht. Die aktive Seite 31 ist mit ihren Kontaktflächen 22 von oben frei zugänglich, so daß über Bonddrähte 27 die Kontaktflächen 22 des Halbleiterchips 1 mit den Außenkontak­ telementen 6 verbunden werden können, bevor auf dem System­ träger 5 ein Vergießen des Systemträgers 5 mit Kunststoffma­ sse 4 vorgenommen wird. Der hier in Fig. 8 gezeigte System­ träger 5 ist für eine Vielzahl von diskreten Bauelementen in der Größenordnung von 1,0 × 0,6 mm vorgesehen mit einer Bau­ teilhöhe von 0,4 mm, wobei der Systemträger 5 auf einer Flä­ che von 50 × 50 mm mehr als 1000 Bauelemente trägt. Deshalb wird in dieser Ausführungsform der Erfindung die Kunststoff­ masse 4 auf dem gesamten Systemträger 5 zu einer Kunststoff­ platte vergossen. Das Grundsubstrat 11, das auf der Kunstoff­ platte haftet, wird entfernt und anschließend wird die Kunst­ stoffplatte auf eine Klebefolie montiert und spalten- und zeilenweise in Einzelbauteile auf der Klebefolie getrennt, so daß Einzelbauelemente von der Klebefolie abgenommen werden können.
Fig. 9 zeigt einen schematischen Querschnitt eines elektro­ nischen Bauteils 2 gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Das Bauteil nach Fig. 9 ist aus einer Kunststoff­ platte, die mit Hilfe des Systemträgers 5 wie in Fig. 8 ge­ zeigt wird, herausgesägt worden. Das Grundsubstrat 11, das in Fig. 8 mit dem Bezugszeichen noch zu sehen ist, ist bereits daß die Unterseite des Gehäuses von dem metallischen Sockel 17 und den Außenkontaktelementen 6 sowie kunststoffaufgefüll­ ten Zwischenräumen gebildet wird. Die Oberseite 34 des Gehäu­ ses besteht vollständig aus der Kunststoffmasse 4 und die Seitenwände des Gehäuses bestehen einerseits im unteren Be­ reich aus quergeschnittenen Außenkontaktelementen, so daß sie den nietförmigen Querschnitt 7 zeigen, wobei der übrige Be­ reich der Seitenwände 35 und 36 von der Kunststoffmasse 4 gebildet wird. Aufgrund des langgestreckten Grundrisses der Au­ ßenkontaktelemente 6 ergibt sich eine Länge 1 auf der Bauele­ mentunterseite 32 der Außenkontaktfläche 23 nach dem Trennen der Kunststoffplatte in Einzelbauteile, wie es Fig. 9 zeigt. In einer anderen nicht gezeigten Ausführungsform der Erfin­ dung sind die Außenkontaktelemente 6 mit einem kreisförmigen Grundriß ausgestattet und die Sägespuren in der Kunststoff­ platte verlaufen vollständig in Kunststoff, so daß die Außen­ kontaktelemente 6 lediglich mit ihrem Nietfußbereich 10, der von Kunststoff auf der Unterseite 32 des Bauteils 2 freige­ halten wird, von außen kontaktierbar sind.
Fig. 10 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Systemträger 5 mit aufgebrachtem Halbleiterchip 1 gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung. Bei dieser Ausfüh­ rungsform der Erfindung ist der Halbleiterchip 1 unmittelbar auf das Grundsubstrat 11 mit seiner passiven Seite 33 aufge­ bracht. Ferner sind Außenkontaktelemente 6 auf dem Grundsub­ strat 11 rund um den Halbleiterchip 1 angeordnet und über Bonddrähte 27 sind die Nietkopfbereiche 8 mit den Kontaktflä­ chen 22 der aktiven Seite 31 des Halbleiterchips 1 verbünden. Ein derartiger Systemträger 5 wird mit Hilfe der gehäusebil­ denden Kunststoffmasse 4 zu einer Kunststoffplatte mit ange­ fügten Grundsubstrat 11 verbunden. Das Grundsubstrat 11 wird, wenn es aus einer Metallfolie besteht, weggeätzt und an­ schließend wird die Kunststoffplatte auf eine Klebefolie auf­ gebracht und dann in Einzelbauteile zertrennt.
Fig. 11 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Bauteil gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung. Dieses Bauteil zeichnet sich durch seine ex­ treme Flachheit aus, da selbst die Sockelhöhe h, wie sie in Fig. 8 gezeigt wird, zusätzlich eingespart wird. Ein Nach­ teil dieses Bauteils ist es, daß die passive Seite 33 des Halbleiterchips 1 gleichzeitig die Unterseite 32 des elektro­ nischen Bauteils bildet. Damit ist der Halbleiterchip 1 mit seiner Unterseite 33 den Umwelteinflüssen ausgesetzt. Die Außenkontaktelemente 6 sind aufgrund ihres nietförmigen Quer­ schnitts sicher in der Kunststoffmasse 4 des Gehäuses 3 ver­ ankert und weisen in ihrem Nietfußbereich 10 einen kreisför­ migen Grundriß auf, der einen kreisförmigen Kontaktfleck als Außenkontaktfläche 23 vorsieht.
Bezugszeichenliste
1
Halbleiterchip
2
elektronisches Bauteil
3
Gehäuse
4
Kunststoffmasse
5
Systemträger
6
Außenkontaktelemente
7
nietförmiger Querschnitt
8
Nietkopfbereich
9
Nietschaftbereich
10
Nietfußbereich
11
Grundsubstrat
12
elektrisch leitende Oberfläche
13
Bauelement-Montagebereich
14
Chipträgerbereich
15
definierter Abstand
16
Bondhöcker
17
metallischer Sockel
h Höhe
18
strukturierte elektrisch isolierende Schicht
19
freiliegende elektrisch leitende Oberflächenbereiche
20
elektrisch leitendes Material
21
geschlossene Isolierschicht
22
Kontaktflächen
23
Außenkontaktfläche
24
nietförmige Außenkontaktfläche
25
Randbereich
26
Verbindung zwischen Kontaktfläche und Außenkontaktelementen
27
Bonddrähte
28
Unterseite des Grundsubstrats
29
Oberseite
30
Niveau der strukturierten elektrisch isolierenden Schicht
31
aktive Seite
32
Unterseite des Bauelements
33
passive Seite
34
Oberseite des Gehäuses
35
,
36
Seitenwände des Gehäuses

Claims (48)

1. Systemträger für Halbleiterchips (1) zum Verpacken der Halbleiterchips (1) zu elektronischen Bauteilen (2) in Gehäusen (3) aus einer Kunststoffmasse (4), wobei der Systemträger (5) Außenkontaktelemente (6) aufweist, die einen nietförmigen Querschnitt (7) aufweisen, mit einem Nietkopfbereich (8), einem Nietschaftbereich (9) und ei­ nem Nietfußbereich (10), wobei der Nietfuß (10) auf ei­ nem Grundsubstrat (11) fixiert ist.
2. Systemträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Grundsubstrat (11) eine elektrisch leitende Oberflä­ che (12) aufweist.
3. Systemträger nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Systemträger (5) ein Grundsubstrat (11) aus metalli­ scher Folie aufweist.
4. Systemträger nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Systemträger (5) ein Grundsubstrat (11) aus einer Kunststofffolie mit metallischer Beschichtung aufweist.
5. Systemträger nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Systemträger (5) ein Grundsubstrat (11) aus einer Kunststofffolie mit Kohlenstoffbeschichtung aufweist.
6. Systemträger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Systemträger (5) mehrere Bauelement-Montagebereiche (13) auf dem Grundsubstrat (11) aufweist.
7. Systemträger nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils ein Montagebereich (13) einen zentralen Chipträ­ gerbereich (14) aufweist, der von Außenkontaktelementen (6) in einem definierten Abstand (15) vom zentralen Chipträgerbereich (14) umgeben ist.
8. Systemträger nach Anspruch 6 oder Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Montagebereich (13) einen Chipträgerbereich (14) aufweist, der Außenkontaktelemente (6) aufweist, die mindestens teilweise im Chipträgerbereich (14) derart angeordnet sind, daß ein Halbleiterchip (1) mit Bondhöc­ kern (16) auf den Nietkopfbereichen (8) der Außenkontak­ telemente (6) in Flip-Chip-Technologie bondbar ist.
9. Systemträger nach Anspruch 7 oder Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Systemträger (5) einen metallischen Sockel (17) im Chipträgerbereich (14) aufweist, der in seiner Höhe (h) den Außenkontaktelementen (6) entspricht und in seiner flächigen Erstreckung der Große des Halbleiterchips (1) angepaßt ist.
10. Systemträger nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Außenkontaktelemente (6) einen kreisförmigen Grund­ riß aufweisen und vollständig im Chipträgerbereich (14) des Systemträgers (5) angeordnet sind.
11. Systemträger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Außenkontaktelemente (6) aus reinem Silber oder ei­ ner Silberlegierung bestehen.
12. Systemträger nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Außenkontaktelemente (6) aus einer Gold/Nickel/Gold- Schichtfolge aufgebaut sind.
13. Systemträger nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Außenkontaktelemente (6) aus einer Sil­ ber/Kupfer/Silber-Schichtfolge aufgebaut sind.
14. Systemträger nach einem der Ansprüche 9 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß der metallische Sockel (17) aus dem gleichen Material aufgebaut ist wie die Außenkontaktelemente (6).
15. Verwendung des Systemträgers (5) nach einem der Ansprü­ che 1 bis 14 zur Herstellung elektronischer Bauteile (2).
16. Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers (5), der die Merkmale eines der Ansprüche 1 bis 14 aufweist, mit­ tels folgender Verfahrensschritte:
  • - Bereitstellen eines Grundsubstrats (11) mit elek­ trisch leitender Oberfläche (12),
  • - Aufbringen einer strukturierten elektrisch isolie­ renden Schicht (18), welche freiliegende elektrisch leitende Oberflächenbereiche (19) in der Anordnung der Außenkontaktelemente (6) auf dem Grundsubstrat (11) aufweist,
  • - Aufbringen eines leitenden Materials (20) zum Bil­ den von Außenkontaktelementen (6) mit einem niet­ förmigen Querschnitt (7).
  • - Entfernen der strukturierten elektrisch isolieren­ den Schicht (18).
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst eine geschlossene Isolierschicht (21) aufge­ bracht wird und diese anschließend mittels Photolacktechnologie zu einer elektrisch isolierenden Schicht (18) strukturiert wird.
18. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß eine strukturierte elektrisch leitende Schicht (18) mit­ tels Siebdruckverfahren aufgebracht wird.
19. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß ein Strukturieren einer zunächst geschlossenen Isolier­ schicht (21) auf das Grundsubstrat (11) mittels Zerstäu­ bungstechnik (bzw. Sputter-Technik) durch eine Maske hindurch ausgeführt wird.
20. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen einer zunächst geschlossenen Isolier­ schicht (21) auf das Grundsubstrat (11) mittels Abschei­ dung aus der Gasphase durchgeführt wird.
21. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß ein Strukturieren einer zunächst geschlossenen Isolier­ schicht (21) mittels Plasma-Ätztechnik durch eine Maske hindurch ausgeführt wird.
22. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß das Strukturieren einer zunächst geschlossenen Isolier­ schicht (21) mittels Laser-Rasterbestrahlung erfolgt.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen eines leitenden Materials (20) mittels galvanischer Abscheidung auf den freiliegenden elek­ trisch leitenden Oberflächenbereichen (19) durchgeführt wird, bis ein Überwachsen des abgeschiedenen Materials zu einem Nietkopf erreicht wird.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen eines leitenden Materials (20) mittels Abscheidung eines Metalls aus der Gasphase erfolgt.
25. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen eines leitenden Materials (20) mittels stromloser galvanischer Abscheidung durchgeführt wird.
26. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 25, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig mit den Außenkontaktelementen (6) ein me­ tallischer Sockel (17) im Chipträgerbereich (14) gebil­ det wird.
27. Elektroniches Bauteil mit einem Halbleiterchip (1), das Kontaktflächen (22) aufweist, die mit Außenkontaktele­ menten (6) verbunden sind, wobei der Halbleiterchip (1) mit den Außenkontaktelementen (6) in einer Kunststoffma­ sse (4) als Gehäuse (3) vergossen ist und mindestens ein Außenkontakt (6) einen nietförmigen Querschnitt (7) mit einem Nietkopfbereich (8), einem Nietschaftbereich (9) und einem Nietfußbereich (10) aufweist, wobei das Außen­ kontaktelement (6) mit seinem Nietkopfbereich (8) in der Kunststoffmasse (4) verankert ist.
28. Elektronisches Bauteil (2) nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß der Nietfußbereich (19) des Außenkontaktelementes (6) von der Kunststoffmasse (4) freigehalten ist und seine Oberfläche eine von außen zugängliche Außenkontaktfläche (23) aufweist.
29. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 27 oder Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß das Außenkontaktelement (6) eine Längserstreckung (1) aufweist und mit dem nietförmigen Querschnitt (7) eine von außen zugängliche nietförmige Außenkontaktfläche (24) bildet.
30. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 28 oder Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die nietförmige Außenkontaktfläche (24) rechtwinklig zu der Außenkontaktfläche (23) des Nietfußbereichs (10) an­ geordnet ist.
31. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 28 bis 30, dadurch gekennzeichnet, daß die Außenkontaktflächen (23, 24) des elektronischen Bau­ teils (2) im Randbereich (25) des Gehäuses (3) aus Kunststoffmasse (4) angeordnet sind.
32. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 27 bis 31, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktflächen (2) des Halbleiterchips (1) Bondhöc­ ker (18) aufweisen, die unmittelbar auf den Nietkopfbe­ reich (8) der Außenkontaktelemente (6) gebondet sind.
33. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 27 bis 32, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterchip (1) mit seiner eine Halbleiterschal­ tung aufweisenden aktiven Seite zu den Außenkontaktele­ menten (6) ausgerichtet ist.
34. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 27 bis 31, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterchip (1) mit seiner keine Halbleiterschal­ tung aufweisenden passiven Seite zu den Außenkontaktele­ menten (6) ausgerichtet ist.
35. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 34, dadurch gekennzeichnet, daß die passive Seite des Halbleiterchips (1) von Kunst­ stoffmasse (4) freigehalten ist und teilweise als Unter­ seite des Gehäuses (3) vorgesehen ist.
36. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 34 oder Anspruch 35, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktflächen (22) über Bonddrähte (27) mit den Kopfbereichen (8) der Außenkontaktelemente (6) verbunden sind.
37. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils (2), welches die Merkmale eines der Ansprüche 27-36 aufweist, wobei das Verfahren durch die Verfahrens­ schritte gekennzeichnet ist:
  • - Bereitstellen eines Systemträgers (5), der die Merkmale eines der Ansprüche 1-15 aufweist,
  • - Aufbringen vieler Halbleiterchips (1) auf den Sy­ stemträger (5),
  • - Herstellen von Verbindungen (26) der Kontaktflächen (22) des Halbleiterchips (1) mit Außenkontaktele­ menten (6),
  • - Vergießen des Systemträgers (5) mit aufgebrachten Halbleiterchips (1) und den Verbindungen zwischen Kontaktflächen (22) und Außenkontaktelementen (6) zu elektronischen Bauteilen (2) mit Gehäuse (3) aus einer Kunststoffmasse (4),
  • - Vereinzeln der auf dem Systemträger (5) mit einer Kunststoffmasse (4) als Gehäuse hergestellten elek­ tronischen Bauteile (2).
38. Verfahren nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, daß beim Vergießen der Systemträger (5) für eine Vielzahl von diskreten elektronischen Bauteilen (2) mit einer Kunststoffmasse (4) in gleichförmiger Dicke großflächig zu einer Kunststoffplatte vergossen wird, die einseitig das Grundsubstrat (11) aufweist.
39. Verfahren nach Anspruch 38, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Vereinzeln das Grundsubstrat (11) von der Kunst­ stoffplatte weggeätzt wird.
40. Verfahren nach Anspruch 38 oder Anspruch 39, dadurch gekennzeichnet, daß die Kunststoffplatte vor dem Vereinzeln mit einer Klebe­ folie beschichtet wird.
41. Verfahren nach einem der Ansprüche 38 bis 40, dadurch gekennzeichnet, daß die Kunststoffplatte durch Sägetechnik zu diskreten elektronischen Bauteilen (2) vereinzelt wird.
42. Verfahren nach einem der Ansprüche 37 bis 41, dadurch gekennzeichnet, daß das Herstellen von Verbindungen (26) zwischen Kontakt­ flächen (22) und Außenkontaktelementen (6) mittels Flip- Chip-Technologie über Bondhöcker (16) erfolgt, die auf die Nietkopfbereiche (8) der Außenkontaktelemente (6) gebondet werden.
43. Verfahren nach einem der Ansprüche 37 bis 41, dadurch gekennzeichnet, daß das Herstellen von Verbindungen (26) zwischen Kontakt­ flächen (22) des Halbleiterchips (1) und den Außenkon­ taktelementen (6) mittels Bonddrahttechnologie über Bonddrähte (27) erfolgt, wobei die Kontaktflächen (22) des Halbleiterchips (1) mit dem Kopfbereich (8) der Au­ ßenkontaktelemente (6) verbunden werden.
44. Verfahren nach einem der Ansprüche 37 bis 43, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterchips (1) beim Aufbringen auf den System­ träger (5) auf einen metallischen Sockel (17) gelötet oder geklebt werden.
45. Verfahren nach einem der Ansprüche 37 bis 44, dadurch gekennzeichnet, daß beim Vereinzeln der elektronischen Bauteile (2) von ei­ ner kohlenstoffbeschichteten Folie als Grundsubstrat (11) die Folie von den elektronischen Bauteilen abgezo­ gen wird.
46. Verfahren nach Anspruch 45, dadurch gekennzeichnet, daß die Kohlenstoffschicht von den Bauteilen nach Abziehen der Folie durch Plasmaveraschung entfernt wird.
47. Verfahren nach einem der Ansprüche 37 bis 44, dadurch gekennzeichnet, daß beim Vereinzeln der elektronischen Bauteile (2) von ei­ ner metallbeschichteten Kunststofffolie als Grundsub­ strat (11) die Kunststofffolie abgezogen wird und die metallische Beschichtung durch naßchemisches Ätzen oder durch Trockenätzen entfernt wird.
48. Verfahren nach einem der Ansprüche 37 bis 44, dadurch gekennzeichnet, daß beim Vereinzeln der elektronischen Bauteile (2) von ei­ ner metallischen Folie als Grundsubstrat (11) diese metallische Folie vollständig bis zum Erreichen eines Ätz­ stops zwischen dem Material der Außenkontaktelemente (6) und dem metallischen Material des Grundsubstrats (11) durch Naß- oder Trockenätzen entfernt wird.
DE10031204A 2000-06-27 2000-06-27 Systemträger für Halbleiterchips und elektronische Bauteile sowie Herstellungsverfahren für einen Systemträger und für elektronische Bauteile Withdrawn DE10031204A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10031204A DE10031204A1 (de) 2000-06-27 2000-06-27 Systemträger für Halbleiterchips und elektronische Bauteile sowie Herstellungsverfahren für einen Systemträger und für elektronische Bauteile

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10031204A DE10031204A1 (de) 2000-06-27 2000-06-27 Systemträger für Halbleiterchips und elektronische Bauteile sowie Herstellungsverfahren für einen Systemträger und für elektronische Bauteile
JP2002505680A JP2004502303A (ja) 2000-06-27 2001-06-07 半導体チップおよび電子部品用のシステム支持体ならびにシステム支持体および電子部品の製作方法
KR1020027017780A KR100614722B1 (ko) 2000-06-27 2001-06-07 반도체 칩용 리드프레임과 전자 디바이스 및 리드프레임과 전자 디바이스 제조방법
PCT/DE2001/002097 WO2002001634A2 (de) 2000-06-27 2001-06-07 Systemträger für halbleiterchips und elektronische bauteile sowie herstellungsverfahren für einen systemträger und für elektronische bauteile
EP01949240A EP1295336A2 (de) 2000-06-27 2001-06-07 Systemträger für halbleiterchips und elektronische bauteile sowie herstellungsverfahren für einen systemträger und für elektronische bauteile
US10/330,440 US6969905B2 (en) 2000-06-27 2002-12-27 Leadframe for semiconductor chips and electronic devices and production methods for a leadframe and for electronic devices
US11/274,249 US20060060981A1 (en) 2000-06-27 2005-11-15 Production methods for a leadframe and electronic devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10031204A1 true DE10031204A1 (de) 2002-01-17

Family

ID=7646924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10031204A Withdrawn DE10031204A1 (de) 2000-06-27 2000-06-27 Systemträger für Halbleiterchips und elektronische Bauteile sowie Herstellungsverfahren für einen Systemträger und für elektronische Bauteile

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6969905B2 (de)
EP (1) EP1295336A2 (de)
JP (1) JP2004502303A (de)
KR (1) KR100614722B1 (de)
DE (1) DE10031204A1 (de)
WO (1) WO2002001634A2 (de)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10235332A1 (de) * 2002-08-01 2004-02-19 Infineon Technologies Ag Mehrlagiger Schaltungsträger und Herstellung desselben
DE10240461A1 (de) * 2002-08-29 2004-03-11 Infineon Technologies Ag Universelles Gehäuse für ein elektronisches Bauteil mit Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10246101A1 (de) * 2002-10-02 2004-04-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses für einen Chip mit einer mikromechanischen Struktur
DE10252556B3 (de) * 2002-11-08 2004-05-19 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit Außenkontaktelementen und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl dieses Bauteils
DE10333841A1 (de) * 2003-07-24 2005-02-24 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil in Halbleiterchipgröße mit flipchipartigen Außenkontakten und Verfahren zur Herstellung desselben
DE10352349A1 (de) * 2003-11-06 2005-06-23 Infineon Technologies Ag Halbleiterchip mit Flip-Chip-Kontakten und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102006023998B4 (de) * 2006-05-22 2009-02-19 Infineon Technologies Ag Elektronische Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
US8482135B2 (en) 2006-07-03 2013-07-09 Infineon Technologies Ag Method for producing a component and device having a component
DE102012106892A1 (de) * 2012-05-25 2013-11-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Verfahren zum Ausbilden von Zwischenverbindungen für dreidimensionalen integrierten Schaltkreis

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3973340B2 (ja) 1999-10-05 2007-09-12 Necエレクトロニクス株式会社 半導体装置、配線基板、及び、それらの製造方法
JP4245370B2 (ja) 2003-02-21 2009-03-25 大日本印刷株式会社 半導体装置の製造方法
WO2004105120A1 (ja) * 2003-05-20 2004-12-02 Fujitsu Limited Lsiパッケージ及びlsi素子の試験方法及び半導体装置の製造方法
CN100543884C (zh) * 2003-08-22 2009-09-23 泰科电子荷兰公司 生产电导体元件的方法及电导体元件
US7122406B1 (en) * 2004-01-02 2006-10-17 Gem Services, Inc. Semiconductor device package diepad having features formed by electroplating
US7010084B1 (en) * 2004-08-18 2006-03-07 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc Light detector, radiation detector and radiation tomography apparatus
WO2006079865A1 (en) 2005-01-27 2006-08-03 Infineon Technologies Ag Semiconductor package and method of assembling the same
US7394151B2 (en) * 2005-02-15 2008-07-01 Alpha & Omega Semiconductor Limited Semiconductor package with plated connection
WO2007013854A1 (en) * 2005-07-28 2007-02-01 Vishwanath Lakshmi Intelligent card and manufacturing thereof
US7947535B2 (en) * 2005-10-22 2011-05-24 Stats Chippac Ltd. Thin package system with external terminals
EP2038920B1 (de) * 2006-07-10 2012-07-04 Schott AG Verfahren zur verpackung von bauelementen
US7816769B2 (en) * 2006-08-28 2010-10-19 Atmel Corporation Stackable packages for three-dimensional packaging of semiconductor dice
JP2007251197A (ja) * 2007-05-15 2007-09-27 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法
DE102007032142A1 (de) * 2007-06-30 2009-01-02 Robert Bosch Gmbh Elektronikmodul und Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls
JP5562854B2 (ja) * 2007-09-25 2014-07-30 ブラックカード・エルエルシー カーボントランザクションカード
US7772033B2 (en) * 2007-09-28 2010-08-10 Qimonda Ag Semiconductor device with different conductive features embedded in a mold enclosing a semiconductor die and method for making same
US8089159B1 (en) 2007-10-03 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with increased I/O density and method of making the same
US7993979B2 (en) 2007-12-26 2011-08-09 Stats Chippac Ltd. Leadless package system having external contacts
US7948066B2 (en) * 2007-12-26 2011-05-24 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with lead locking structure
US8225503B2 (en) * 2008-02-11 2012-07-24 Ibiden Co., Ltd. Method for manufacturing board with built-in electronic elements
US8375577B2 (en) * 2008-06-04 2013-02-19 National Semiconductor Corporation Method of making foil based semiconductor package
US20100084748A1 (en) * 2008-06-04 2010-04-08 National Semiconductor Corporation Thin foil for use in packaging integrated circuits
US8134242B2 (en) * 2008-08-04 2012-03-13 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with concave terminal
US7836586B2 (en) * 2008-08-21 2010-11-23 National Semiconductor Corporation Thin foil semiconductor package
JP5147779B2 (ja) 2009-04-16 2013-02-20 新光電気工業株式会社 配線基板の製造方法及び半導体パッケージの製造方法
JP5271949B2 (ja) * 2009-09-29 2013-08-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US8101470B2 (en) * 2009-09-30 2012-01-24 National Semiconductor Corporation Foil based semiconductor package
DE102009047438A1 (de) * 2009-12-03 2011-06-09 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtvorrichtung und Verfahren zum Kontaktieren einer Leuchtvorrichtung
US8917521B2 (en) 2010-04-28 2014-12-23 Advanpack Solutions Pte Ltd. Etch-back type semiconductor package, substrate and manufacturing method thereof
US8669649B2 (en) 2010-09-24 2014-03-11 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with interlock and method of manufacture thereof
US8617933B2 (en) 2011-05-27 2013-12-31 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with interlock and method of manufacture thereof
WO2012168752A1 (en) * 2011-06-08 2012-12-13 Microconnections Sas A method for manufacturing a card connector
JP2013168686A (ja) * 2013-06-03 2013-08-29 Hitachi Maxell Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
US9978667B2 (en) * 2013-08-07 2018-05-22 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package with lead frame and recessed solder terminals
US20170084594A1 (en) * 2015-09-20 2017-03-23 Qualcomm Incorporated Embedding die technology

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02174230A (en) * 1988-12-27 1990-07-05 Seiko Epson Corp Semiconductor device and manufacture thereof
US5567656A (en) * 1993-12-27 1996-10-22 Goldstar Electron Co., Ltd. Process for packaging semiconductor device
US6025640A (en) * 1997-07-16 2000-02-15 Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5469068A (en) * 1977-11-14 1979-06-02 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacture
JPH0447977B2 (de) * 1983-05-12 1992-08-05 Sony Corp
US4890152A (en) * 1986-02-14 1989-12-26 Matsushita Electric Works, Ltd. Plastic molded chip carrier package and method of fabricating the same
JPH01106456A (en) 1987-10-19 1989-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor integrated circuit device
JPH01179334A (en) * 1988-01-05 1989-07-17 Citizen Watch Co Ltd Mounting of semiconductor device
JPH02174233A (en) 1988-12-27 1990-07-05 Fuji Elelctrochem Co Ltd Forming metal bump of ic chip
JPH04170084A (en) 1990-11-01 1992-06-17 Matsushita Electric Works Ltd Manufacture of printed wiring board
US5607718A (en) * 1993-03-26 1997-03-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Polishing method and polishing apparatus
KR950702068A (ko) * 1993-04-06 1995-05-17 쓰지 가오루 반도체 소자용 패키지(package for semiconductor chip)
US5767580A (en) * 1993-04-30 1998-06-16 Lsi Logic Corporation Systems having shaped, self-aligning micro-bump structures
JP3258764B2 (ja) 1993-06-01 2002-02-18 三菱電機株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法ならびに外部引出用電極およびその製造方法
JPH0714843A (ja) * 1993-06-15 1995-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
US5629599A (en) * 1994-05-31 1997-05-13 Motorola, Inc. Rechargeable battery-powered communication device having integral vibrating means
JP3400877B2 (ja) * 1994-12-14 2003-04-28 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP3304705B2 (ja) * 1995-09-19 2002-07-22 セイコーエプソン株式会社 チップキャリアの製造方法
JP3422144B2 (ja) * 1995-09-22 2003-06-30 ソニー株式会社 半導体パッケージの製造方法
US6072239A (en) * 1995-11-08 2000-06-06 Fujitsu Limited Device having resin package with projections
US6001671A (en) * 1996-04-18 1999-12-14 Tessera, Inc. Methods for manufacturing a semiconductor package having a sacrificial layer
US5912510A (en) * 1996-05-29 1999-06-15 Motorola, Inc. Bonding structure for an electronic device
JP3521758B2 (ja) * 1997-10-28 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
US6080932A (en) * 1998-04-14 2000-06-27 Tessera, Inc. Semiconductor package assemblies with moisture vents
US6247229B1 (en) * 1999-08-25 2001-06-19 Ankor Technology, Inc. Method of forming an integrated circuit device package using a plastic tape as a base

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02174230A (en) * 1988-12-27 1990-07-05 Seiko Epson Corp Semiconductor device and manufacture thereof
US5567656A (en) * 1993-12-27 1996-10-22 Goldstar Electron Co., Ltd. Process for packaging semiconductor device
US6025640A (en) * 1997-07-16 2000-02-15 Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 1-106456 A. In: Patent Abstracts of Japan *
JP 4-170084 A. In: Patent Abstracts of Japan *

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10235332A1 (de) * 2002-08-01 2004-02-19 Infineon Technologies Ag Mehrlagiger Schaltungsträger und Herstellung desselben
DE10240461A1 (de) * 2002-08-29 2004-03-11 Infineon Technologies Ag Universelles Gehäuse für ein elektronisches Bauteil mit Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung
US6867471B2 (en) 2002-08-29 2005-03-15 Infineon Technologies Ag Universal package for an electronic component with a semiconductor chip and method for producing the universal package
DE10246101A1 (de) * 2002-10-02 2004-04-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses für einen Chip mit einer mikromechanischen Struktur
DE10246101B4 (de) * 2002-10-02 2005-12-01 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses für einen Chip mit einer mikromechanischen Struktur
US7037844B2 (en) 2002-10-02 2006-05-02 Infineon Technologies Ag Method for manufacturing a housing for a chip having a micromechanical structure
US7354797B2 (en) 2002-11-08 2008-04-08 Infineon Technologies Ag Method for producing a plurality of electronic devices
DE10252556B3 (de) * 2002-11-08 2004-05-19 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit Außenkontaktelementen und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl dieses Bauteils
US7067915B2 (en) 2002-11-08 2006-06-27 Infineon Technologies Ag Electronic device with external contact elements and method for producing a plurality of the devices
DE10333841A1 (de) * 2003-07-24 2005-02-24 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil in Halbleiterchipgröße mit flipchipartigen Außenkontakten und Verfahren zur Herstellung desselben
DE10333841B4 (de) * 2003-07-24 2007-05-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Nutzens mit in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterbauteilpositionen und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils
DE10352349A1 (de) * 2003-11-06 2005-06-23 Infineon Technologies Ag Halbleiterchip mit Flip-Chip-Kontakten und Verfahren zur Herstellung desselben
DE10352349B4 (de) * 2003-11-06 2006-11-16 Infineon Technologies Ag Halbleiterchip mit Flip-Chip-Kontakten und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102006023998B4 (de) * 2006-05-22 2009-02-19 Infineon Technologies Ag Elektronische Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
US8039971B2 (en) 2006-05-22 2011-10-18 Infineon Technologies Ag Electronic circuit arrangement
US8399996B2 (en) 2006-05-22 2013-03-19 Infineon Technologies Ag Chip carrier
US8482135B2 (en) 2006-07-03 2013-07-09 Infineon Technologies Ag Method for producing a component and device having a component
US8872314B2 (en) 2006-07-03 2014-10-28 Infineon Technologies Ag Method for producing a component and device comprising a component
DE102012106892A1 (de) * 2012-05-25 2013-11-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Verfahren zum Ausbilden von Zwischenverbindungen für dreidimensionalen integrierten Schaltkreis
US9583365B2 (en) 2012-05-25 2017-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming interconnects for three dimensional integrated circuit
DE102012106892B4 (de) * 2012-05-25 2021-03-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Verfahren zum Ausbilden von Zwischenverbindungen für dreidimensionalen integrierten Schaltkreis

Also Published As

Publication number Publication date
EP1295336A2 (de) 2003-03-26
JP2004502303A (ja) 2004-01-22
WO2002001634A3 (de) 2002-06-20
KR20030011932A (ko) 2003-02-11
US20030102538A1 (en) 2003-06-05
US6969905B2 (en) 2005-11-29
WO2002001634A2 (de) 2002-01-03
US20060060981A1 (en) 2006-03-23
KR100614722B1 (ko) 2006-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10031204A1 (de) Systemträger für Halbleiterchips und elektronische Bauteile sowie Herstellungsverfahren für einen Systemträger und für elektronische Bauteile
DE10148120B4 (de) Elektronische Bauteile mit Halbleiterchips und ein Systemträger mit Bauteilpositionen sowie Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers
DE60033901T2 (de) Verpackung für Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren
DE10137184B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit einem Kuststoffgehäuse und elektronisches Bauteil
DE10148042B4 (de) Elektronisches Bauteil mit einem Kunststoffgehäuse und Komponenten eines höhenstrukturierten metallischen Systemträgers und Verfahren zu deren Herstellung
DE19940633A1 (de) IC-Gehäuse
WO2003103042A2 (de) Elektronisches bauteil mit äusseren flächenkontakten und verfahren zu seiner herstellung
WO2004015770A1 (de) Mehrlagiger schaltungsträger und herstellung desselben
WO2005081315A2 (de) Halbleiterbauteil mit einem stapel aus halbleiterchips und verfahren zur herstellung desselben
DE4113954A1 (de) Matrix-verbindungsglied
DE19650296A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
DE102009044641A1 (de) Einrichtung mit einem Halbleiterchip und Metallfolie
EP1595287B1 (de) Elektronisches bauteil mit halbleiterchip und verfahren zur herstellung desselben
DE102009051129A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
EP0658300A1 (de) Strukturierte leiterplatten und folienleiterplatten und verfahren zu deren herstellung
WO2017016953A1 (de) Verfahren zur herstellung eines bauelements und ein bauelement
WO2000003571A1 (de) Verfahren zur herstellung von verdrahtungen mit elektrisch leitenden querverbindungen zwischen ober- und unterseite eines substrats sowie verdrahtung mit derartigen querverbindungen
EP1298723A2 (de) Elektronisches Bauteil mit einem Kunststoffgehäuse und Komponenten eines Systemträgers und Verfahren zu deren Herstellung
WO1998041070A1 (de) Verfahren zur bildung metallischer leitermuster auf elektrisch isolierenden unterlagen
DE102004030800B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer keramischen Leiterplatte
WO2003100854A2 (de) Elektronisches bauelement-modul und verfahren zu dessen herstellung
DE102004012979B4 (de) Kopplungssubstrat für Halbleiterbauteile, Anordnungen mit dem Kopplungssubstrat, Kopplungssubstratstreifen, Verfahren zur Herstellung dieser Gegenstände und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls
DE19830158C2 (de) Zwischenträgersubstrat mit hoher Verdrahtungsdichte für elektronische Bauelemente
DE19846662A1 (de) Elektronisches Modul, insbesondere Multichipmodul mit einer Mehrlagenverdrahtung und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2001097285A2 (de) Elektronisches bauteil aus einem gehäuse und einem substrat

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee