New! View global litigation for patent families

DE10007425A1 - Production of tubular micromechanical component, e.g. stents, comprises coating a tube with a photolacquer, forming a pattern, simultaneously inserting figures, removing the exposed regions and etching the tube - Google Patents

Production of tubular micromechanical component, e.g. stents, comprises coating a tube with a photolacquer, forming a pattern, simultaneously inserting figures, removing the exposed regions and etching the tube

Info

Publication number
DE10007425A1
DE10007425A1 DE2000107425 DE10007425A DE10007425A1 DE 10007425 A1 DE10007425 A1 DE 10007425A1 DE 2000107425 DE2000107425 DE 2000107425 DE 10007425 A DE10007425 A DE 10007425A DE 10007425 A1 DE10007425 A1 DE 10007425A1
Authority
DE
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
tube
pattern
etching
photolacquer
coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE2000107425
Other languages
German (de)
Inventor
Simone Daaud
Holger Luethje
Guenther Hertlein
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung
Original Assignee
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B21MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
    • B21CMANUFACTURE OF METAL SHEETS, WIRE, RODS, TUBES OR PROFILES, OTHERWISE THAN BY ROLLING; AUXILIARY OPERATIONS USED IN CONNECTION WITH METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL
    • B21C37/00Manufacture of metal sheets, bars, wire, tubes or like semi-manufactured products, not otherwise provided for; Manufacture of tubes of special shape
    • B21C37/06Manufacture of metal sheets, bars, wire, tubes or like semi-manufactured products, not otherwise provided for; Manufacture of tubes of special shape of tubes or metal hoses; Combined procedures for making tubes, e.g. for making multi-wall tubes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B21MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
    • B21FWORKING OR PROCESSING OF METAL WIRE
    • B21F45/00Wire-working in the manufacture of other particular articles
    • B21F45/008Wire-working in the manufacture of other particular articles of medical instruments, e.g. stents, corneal rings
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61FFILTERS IMPLANTABLE INTO BLOOD VESSELS; PROSTHESES; DEVICES PROVIDING PATENCY TO, OR PREVENTING COLLAPSING OF, TUBULAR STRUCTURES OF THE BODY, E.G. STENTS; ORTHOPAEDIC, NURSING OR CONTRACEPTIVE DEVICES; FOMENTATION; TREATMENT OR PROTECTION OF EYES OR EARS; BANDAGES, DRESSINGS OR ABSORBENT PADS; FIRST-AID KITS
    • A61F2/00Filters implantable into blood vessels; Prostheses, i.e. artificial substitutes or replacements for parts of the body; Appliances for connecting them with the body; Devices providing patency to, or preventing collapsing of, tubular structures of the body, e.g. stents
    • A61F2/82Devices providing patency to, or preventing collapsing of, tubular structures of the body, e.g. stents
    • A61F2/86Stents in a form characterised by the wire-like elements; Stents in the form characterised by a net-like or mesh-like structure
    • A61F2/90Stents in a form characterised by the wire-like elements; Stents in the form characterised by a net-like or mesh-like structure characterised by a net-like or mesh-like structure
    • A61F2/91Stents in a form characterised by the wire-like elements; Stents in the form characterised by a net-like or mesh-like structure characterised by a net-like or mesh-like structure made from perforated sheet material or tubes, e.g. perforated by laser cuts or etched holes

Abstract

Production of tubular micromechanical components, comprises: (i) coating a tube with a photolacquer; (ii) forming a pattern on the outer surface of the tube; (iii) simultaneously inserting figures; (iv) removing the exposed regions of the pattern; (v) providing the inside of the tube with an etch-resistant material; and (vi) etching the prepared tube. Production of tubular micromechanical components, comprises: (i) coating a tube with a photolacquer; (ii) forming a pattern on the outer surface of the tube using photolithography; (iii) simultaneously inserting figures in an exposure step; (iv) removing the exposed regions of the pattern which correspond to later openings; (v) providing the inside of the tube with an etch-resistant passivating material; and (vi) etching the prepared tube. The step of providing the tube with an etch-resistant passivating material is carried out before or after the step of coating the tube with a photolacquer. An Independent claim is also included for an apparatus for carrying out the process, comprising: (a) an exposure device (7) for exposing a pattern (6) to the photolacquer (4) of the tube (2); (b) a holder for holding the tube in a defined position relative to the exposure device; and (c) an etching device for etching the prepared tube.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vor richtung zum Herstellen von röhrchenförmigen mikromechani schen Komponenten, insbesondere Gefäßprothesen, sogenannten Stents. The invention relates to a method and an on direction for producing tubular rule micromechanical components, in particular vascular prostheses, called stents.

Derartige Komponenten werden aus einem röhrchenförmigen Körper, z. Such components are of a tubular body, such. B. aus Stahl hergestellt und dienen z. For example, from steel and serve, for. B. als Mi krofilter, Mikrodüsen, flexible Antriebselemente, Implanta te oder wie genannt als Gefäßprothesen. as Mi krofilter, te micro-jets, flexible drive elements or Implanta as mentioned example, as vascular prostheses. Im folgenden wird weiterhin nur von Gefäßprothesen bzw. Stents gesprochen, ohne dass dadurch die weiteren bereits genannten Möglich keiten ausgeschlossen sein sollen. The following will continue to speak only of vascular prostheses and stents, without affecting the other aforementioned should be possible liabilities excluded.

Zur Herstellung von Stents wird ein beidseitig offenes Röhrchen aus einem biokompatiblen Material mit einer Viel zahl von feinen Öffnungen versehen, die durch Stege vonein ander getrennt sind. For the manufacture of a stent tube open on both sides is provided from a biocompatible material having a plurality of fine openings, which are separated by lands, on the other vonein. Diese Öffnungen werden z. These openings are for. B. mit einem fokussierten Laserstrahl in das Röhrchen geschnitten, wie dies aus der EP-A1-0790041 bekannt ist. For example, with a focused laser beam cut into the tube, as is known from EP-A1-0790041.

Der Nachteil dieses Verfahrens ist, dass bei komplizierte ren und feineren Mustern, bei denen die Abmessungen der Öffnungen im Bereich von einigen Mikrometern, etwa zwischen 10 bis 200 Mikrometern liegen, die erforderliche Laserbear beitungszeit drastisch ansteigt, sodass hohe Herstellungs kosten die Folge sind. The disadvantage of this method is that in complicated ren and finer patterns in which the dimensions of the openings in the region of a few micrometers, for example between 10 to 200 micrometres, the required laser Bear increases beitungszeit drastically, so that high manufacturing cost are the result. Auch ist bei solchen Verfahren eine intensive und teure Nachbehandlung der durch die Laser strahlung erzeugten scharfen Kanten erforderlich. Also, an intensive and expensive post-treatment of the sharp edges radiation generated by the laser is required in such processes.

Um das Herstellungsverfahren zu vereinfachen, ist mehrfach vorgeschlagen worden, derartige Gefäßprothesen mit Hilfe der Ätztechnik herzustellen; In order to simplify the manufacturing process, has been proposed several times to produce such vascular prostheses by means of the etching technique; vergleiche unter anderem die EP 0 540 291 A1, EP 0 807 424 A1, EP 0 734 699 A1, EP 0 712 943 A1 oder US 5,421,955 A1. see, among others, the EP 0 540 291 A1, EP 0807424 A1, EP 0734699 A1, EP 0712943 A1 or US 5,421,955 A1. In diesen Dokumenten wird vor geschlagen, auf das zu strukturierende Röhrchen eine ätzre sistente Schicht aufzubringen und diese dort, wo die späte ren Öffnungen in dem Röhrchen liegen sollen, mit Hilfe ei nes Lasers lokal zu entfernen. In these documents, is struck before to apply a ätzre sistente layer on the tube to be structured and where the late ren openings intended to be within the tubes to remove them locally using egg nes laser. Das auf diese Weise erzeugte bestimmte Muster dient als Ätzmaske in einer nachfolgenden naßchemischen oder gaschemischen (EP 0 712 943 A1) Ätzung. The particular pattern created in this manner is used as an etch mask in a subsequent wet-chemical or gas chemical (EP 0712943 A1) etching. Da das bestimmte Muster mit Hilfe eines fokussierten und entsprechend dieses bestimmten Musters geführten Laser strahles erzeugt wird, ist auch dieses Verfahren insbeson dere bei den immer komplizierter werdenden Designs der Stents zeitaufwendig und teuer. Since the particular pattern with the aid of a focused and corresponding to the specific pattern-guided laser beam is generated, this method also in particular in the increasingly complicated designs of the stent is time consuming and expensive. Bei dem chemischen Ätzpro zeß tritt darüber hinaus das Problem auf, dass die Struk turkanten aufgrund der bekannten Unterätzung nur ungenau definiert werden. In the chemical process Ätzpro addition, the problem arises that the structural turkanten be defined only vaguely due to the known undercut.

Bei Stents mit komplizierter Struktur führen auf diese Wei se lokale Unterschiede in den Ätzraten dazu, dass z. Stents with complicated structure lead to this Wei se local differences in the etching rates mean that z. B. schmale Stege aufgrund der isotropen Ätzwirkung häufig be reits durchtrennt werden, während breitere Strukturen noch nicht vollständig freigeätzt sind. B. narrow webs due to the isotropic etching often be already be severed while broader structures are not fully etched. Bei der Ätzung von Mi kromustern in Röhrchen taucht wegen der einseitigen Maskie rung auch das Problem auf, dass eine ungeschützte innere Oberfläche isotrop abgetragen wird. During the etching of Mi kromustern in tubes immersed for the unilateral Maskie tion also the problem that an exposed inner surface is removed isotropic. Da die innere Oberflä che häufig aufgrund der Herstellungsverfahren mit unter schiedlichen Kontaminationen versehen ist, wird auch bei einer Versiegelung der inneren Oberfläche ein unterschiedlicher Ätzangriff immer dann beobachtet, wenn die Ätzung von außen bis auf diese innere Kontaminationsschicht fort geschritten ist. Since the inner surface Oberflä often due to the manufacturing method provided with difference union contamination, a different etching attack is always observed when the etching is external to this internal contamination layer also continues paced at a sealing of the inner surface. Hierdurch ergeben sich in der Regel schar fe Kantensäume, die der Anwendung der Gefäßprothesen entge genstehen. This results in generally droves fe Kantensäume designed to combat the use of vascular prostheses genstehen.

In der Praxis existiert heute noch keine Methode, in spezi elle, tief zu ätzende Materialien, z. In practice, no method in delivers distinct, deep, corrosive materials, still exists today. B. Stahl mit nicht ebenen Grundkörperflächen eine Strukturierung hineinzuät zen. As steel with non-planar body surfaces zen structuring hineinzuät. Auch das elektrolytische Ätzverfahren eignet sich praktisch nicht für tief zu ätzende, feine Strukturen in beliebig dreidimensional geformten Grundkörpern, wie z. Also, the electrolytic etching method is not suitable for practical deeply corrosive, fine structures in any three-dimensionally shaped bases such. B. die hier in Rede stehenden. For example, the discussion here. Röhrchen. Tube. Die bekannte ECM- Technik (electrochemical machining technique), die z. The well-known ECM technology (electrochemical machining technique), the z. B. bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, in der Automo biltechnik und auch in der Medizintechnik verwendet wird, eignet sich lediglich für ebene Oberflächen und ist sehr aufwendig und unflexibel, wenn Strukturvarianten erwünscht sind. B. biltechnik in the manufacture of semiconductor devices, in the Automo and is also used in medical technology, is only suitable for flat surfaces and is very complicated and inflexible, if structural variants are desired. Eine Übertragung dieser Technik auf die Herstellung dreidimensionaler Strukturen ist praktisch nicht möglich. A transfer of this technology to the production of three-dimensional structures is practically impossible.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, mikromechanische Bauteile auf kostengünstige Weise herzustellen und auch die Herstellung größerer Stückzahlen zu ermöglichen. The object underlying the invention is to make micromechanical components in an inexpensive manner and also allow the production of larger quantities. Außerdem soll es möglich sein, auch komplizierte Muster in den Röhr chen genau herzustellen, wobei die Nachbearbeitung mög lichst gering gehalten werden soll. In addition, it should be possible to accurately produce complicated patterns in the Rohr chen, the post AS POSSIBLE to be kept low. Außerdem soll eine hierfür geeignete Vorrichtung angegeben werden. In addition, a device suitable for this is to be specified.

Diese Aufgaben sind gemäß der Erfindung durch die in den unabhängigen Patentansprüchen angegebene Merkmale gelöst. These objects are achieved according to the invention by the specified in the independent patent claims.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus den abhän gigen Unteransprüchen hervor. Further embodiments of the invention will become apparent from the depen Gigen dependent claims.

Demgemäß wird eine Ätztechnik verwendet, indem das Röhrchen mit Fotolack beschichtet und in dem Fotolack das bestimmte Muster durch eine großflächig arbeitende fotolithographi sche Technik erzeugt wird. Accordingly, an etching technique is used by placing the tube coated with photoresist and the predetermined pattern is produced by a large surface working fotolithographi specific technique in the photoresist. Im Falle von positiv arbeitendem Fotolack bzw. Fotoresist wird nach Lösen der belichteten Stellen in einem Entwickler und Anbringen einer Passivie rung auf der Innenseite des Röhrchens dieses geätzt. In the case of positive-working photoresist or photoresist tion is on the inside of the tube, this is etched by dissolving the unexposed areas in a developer and attaching a passivation.

Gemäß der Erfindung wird bevorzugt eine Belichtungstechnik verwendet, indem das Röhrchen durch eine konventionelle ebene Glas/Cr-Maske hindurch belichtet wird, wobei dies entweder streifenförmig durch einen scannenden fokussierten Laserstrahl erfolgen kann oder durch eine flächige UV- Quelle, die z. According to the invention, an exposure technique is preferably used by placing the tube is exposed through a conventional flat glass / Cr mask, and this can be done either in strip form through a scanning focused laser beam or a planar UV source, z. B. mit Hilfe einer Blende den noch zu tole rierenden Tiefenschärfenbereich umfasst. Example with the aid of a diaphragm includes the still tole anti-cross depth of field. Die Maske enthält bei diesen direkt abbildenden Verfahren das gewünschte Mu ster im Maßstab 1 : 1, modifiziert um eventuelle Vorhaltmaße. The mask includes at these direct imaging method, the desired Mu art in scale 1: 1, modified for any derivative extent. Alternativ können auch projizierende Belichtungsverfahren angewandt werden, wobei z. Alternatively, projecting exposure methods can be used, where z. B. eine vergrößerte Maske verwen det wird, die somit das bestimmte Muster in vergrößertem Maßstab aufweist und die mit Hilfe geeigneter Optiken im steifenförmigen Belichtungsbereich auf die gewünschte Di mension verkleinert wird. B. an enlarged mask will USAGE det, which thus has the predetermined pattern in an enlarged scale and is reduced mension by means of suitable optics in the strip-shaped exposure area on the desired d i.

Bei der streifenförmigen Belichtung, die z. In the strip-shaped exposure, z. B. auch mit Hil fe eines hin- und hergeschwenkten scharfen Lichtstrahles, etwa eines Laserstrahles im Ultraviolettbereich erfolgt, wird während des Belichtens des Fotolackes die ebene Maske mit einer bestimmten Lineargeschwindigkeit vor dem Röhrchen vorbei bewegt, wobei dieses Röhrchen mit einer auf diese Lineargeschwindigkeit synchronisierten Drehgeschwindigkeit um die Längsachse gedreht wird, sodass das bestimmte Muster nach Ende des Belichtungsvorgangs über den gesamten Umfang des Röhrchens aufgetragen ist. B. also occurs with Hil fe a back and hergeschwenkten sharp light beam, such as a laser beam in the ultraviolet region, is moved during the exposure of the photoresist, the flat mask with a specific linear velocity in front of the tube over said tube with a synchronized to this linear velocity rotational speed is rotated about the longitudinal axis, so that the specific pattern is applied after the end of the exposure process over the entire circumference of the tube.

Bei dieser Art der Belichtung des Fotolackes ist es mög lich, auch eine Vielzahl derartiger Röhrchen zu belichten, indem diese parallel zueinander angeordnet und sämtlich mit der auf die Lineargeschwindigkeit der Maske abgestimmten Drehgeschwindigkeit um ihre Längsachse gedreht werden. In this type of exposure of the photoresist, it is possible, please include, for exposing a plurality of such tubes in that they are arranged in parallel and are all rotated at the matched to the linear speed of the mask speed of rotation about its longitudinal axis. Die Maske enthält in diesem Falle eine entsprechende Anzahl von Teilfeldern jeweils mit dem abgerollten Muster. The mask comprises in this case a corresponding number of sub-fields each having the rolled pattern.

Gemäß der Erfindung werden bei der Erzeugung des bestimmten Musters in dem Fotolack, der auf das Röhrchen aufgetragen wurde, zusätzliche geometrische Muster erzeugt, und zwar derart, dass lokale Unterschiede in der Ätzgeschwindigkeit kompensiert werden und eine gleichmäßig geätzte Gesamt struktur entsprechend der gewünschten Muster der Öffnungen entsteht. According to the invention, additional geometric patterns in the generation of the particular pattern in the photoresist that was applied to the tube, produced in such a way that local differences in the etch rate are compensated for and a uniformly etched overall structure according to the desired pattern of openings arises. Dies erfolgt erfindungsgemäß dadurch, dass die transparenten Stellen in dem bestimmten Muster, an denen später die Öffnungen im Röhrchen erscheinen, noch mit Zu satzstrukturen versehen werden. This is done according to the invention in that the transparent portions are also provided in the specific pattern in which the openings appear in the tube later, sentence structures with Zu.

Bei nasschemischen Ätzungen hatte sich nämlich gezeigt, dass die Ätzgeschwindigkeit in den transparenten, dh un maskierten Bereichen sehr unterschiedlich ist und in kom plexer Weise von der Form und Größe der transparenten Be reiche abhängt. In wet chemical etching had been shown that the etch rate depends in the transparent, that is un-masked areas is very different and rich in com plex way on the shape and size of the transparent Be. Ein gleichmäßiges Ätzen mit im wesentlichen gleichmäßiger Ätzgeschwindigkeit wird zudem durch die Röhr chenform erschwert, da bei diesem dreidimensionalen Körper im Ätzbad, das ja ständig umgewälzt wird, in der Nähe des Röhrchens nicht zu beherrschende Strömungs- und Potential verhätnisse vorliegen. Uniform etching with substantially uniform etching rate is further complicated by the chenform Rohr, there unmanageable flow and potential verhätnisse exist in this three-dimensional body in the etching bath, which is so constantly circulated in the vicinity of the tube. Größere transparente Bereiche werden sehr viel schneller geätzt als kleine unmaskierte Flächen. Larger transparent areas are etched much faster than small unmasked surfaces.

Dies führt dazu, dass z. This means that z. B. Stege des Stents, die zwischen einem großflächigen und einem kleinflächigen Gebiet geätzt werden sollen durch die bei insbesondere naßchemichen Ät zungen auftretende Unterätzung aufgrund der isotropen Ät zeigenschaft bereits durchtrennt werden, ehe die kleinere Fläche überhaupt freigeätzt wurde. B. webs of the stent which are to be etched between a large and a small surface area by the tongues in particular naßchemichen Ät undercut occurring due to the isotropic Ät show shank already be severed before the smaller surface has been etched at all.

Überraschenderweise hat sich nun gezeigt, dass eine gezielte Gestaltung und Maskierung der bei üblichen Ätzverfahren frei gelassenen transparenten Flächen zu einer wirkungsvollen Steuerung der lokalen Ätzraten herangezogen werden kann. Surprisingly, it has now been found that a specific design and masking of the freed in customary etching transparent surfaces can be used for an effective control of the local etch rates. Durch solche Maßnahme, z. By such a measure, for. B. die Erzeugung einer inselförmigen Abdeckung des Fotoresists in einem transparenten Bereich mit unterschiedlicher Abstandsbreite zu den Kanten des bestimmten Musters, wird der Ätzprozeß lokal beeinflußt. B. generating an island-shaped cover of the photoresist in a transparent region with a different width distance to the edge of the specific pattern, the etching process is affected locally. Hierdurch ist es möglich, über die Dicke des Ätzobjektes, und zwar auch bei dreidimensionalen Ätzobjekten, wie den erwähnten Stents, Ät zungen zu erreichen, die über die gesamte Dicke des Ätzobjek tes mit den bestimmten und gewünschten Mustern übereinstim men. This makes it possible to achieve through the thickness of Ätzobjektes, even when three-dimensional Ätzobjekten such as those mentioned stent Ät tongues men agree stim over the entire thickness of the Ätzobjek tes with the determined and desired patterns. Mit dem gemäß der Erfindung vorgestellten fotolithogra phischen Verfahren, das eine Mustererzeugung auch auf tubus- oder röhrchenförmigen Oberflächen erlaubt, ist es möglich, derartige geätzte Strukturen bis in eine Größenordnung von einem Mikrometer zu erzeugen. With the presented according to the invention fotolithogra phical method that allows a pattern generating on tubus- or tubular surfaces, it is possible to generate such structures etched from one micrometer up to an order of magnitude.

Eine andere Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann dann angewandt werden, wenn der Ätzprozeß auch gegenüber dem maskierenden Material des Photolackes bzw. Fotoresists wirkt, dh auch dort einen Ätzangriff aufweist. Another embodiment of the method according to the invention can then be applied when the etching process is also effective against the masking material of the photoresist and the photoresist, that is, there also has an etching attack. In diesem Falle können entsprechende Zusatz- bzw. Hilfsmuster auch so hergestellt werden, dass diese eine unterschiedliche Dicke oder entsprechend der Geometrie des Ätzobjektes eine gradier te, dh nach einer bestimmten Funktion zu- oder abnehmende Dicke aufweisen. In this case, appropriate additives or auxiliary pattern can also be prepared such that they have a different thickness, or according to the geometry of the Ätzobjektes a gradier te, that is to-after a certain function or have decreasing thickness. Eine solche gradierte Dicke kann gemäß der Erfindung durch eine lokale Steuerung der Belichtungsdosis bei der Blichtung des Fotolackes bzw. des Fotoresists erreicht werden, z. Such a graded thickness can be achieved according to the invention by a local control of the exposure dose in the Blichtung the photoresist or of the photoresist, z. B. mit Hilfe einer Chrom (Cr)-Maske mit lo kal unterschiedlicher Adsorption. Example with the aid of a chromium (Cr) mask with lo cal different adsorption.

Das geschilderte Verfahren zur Vergleichmäßigung des Ätzvor ganges kann auch bei der Trockenätzung, z. The described method for equalizing the Ätzvor gear can also at the dry etching, z. B. bei der Ionen- Ätzung, Plasma-Ätzung und/oder Sauerstoff-Ätzung von anderen Materialen, z. As in the ion etching, plasma etching and / or oxygen-etching of other materials, such. B. Kunststoffröhrchen eingesetzt werden. For example, plastic tubes are inserted.

Diese zusätzlichen Muster können entweder durch die das be stimmte Muster aufweisende Grundmaske vorgegeben werden, indem diese Zusatzmuster in die Belichtungsmaske integriert werden. These additional patterns can be defined by this additional patterns are integrated into the exposure mask by either the be voted pattern having basic mask. Es ist aber auch möglich, diese zusätzlichen Muster in einem zweiten fotolithographischen Verfahren aufzubrin gen. but it is also possible aufzubrin these additional pattern in a second photolithographic process gen.

Mit einem Ätzverfahren gemäß der Erfindung wird ein sehr hohes Auflösungsvermögen bis in den unteren Mikrometerbe reich erreicht. With an etching method according to the invention a very high resolution to the lower Mikrometerbe is rich achieved. Bei typischen Abmessungen der Ätzmuster von mikromechanischen Komponenten, Gefäßprothesen oder anderen medizinischen Implantaten von einigen 10 Mikrometern bis zu etwa 1000 Mikrometern lateraler Ausdehnung, können masken transparente Flächen ohne zusätzliche Aufwendungen einfach mit geeigneten zusätzlichen Strukturen belegt werden, wo durch die lokalen chemischen bzw. elektrochemischen Ätzra ten zuverlässig gesteuert werden. In typical dimensions of the etching pattern of micro-mechanical components, vascular prostheses or other medical implants of some 10 micrometers to about 1000 micrometers lateral extent, can masks transparent surfaces without additional expenditure simply be coated with suitable additional structures where by the local chemical or electrochemical Ätzra th be reliably controlled.

Diese Vorteile beruhen auf der überraschenden Erkenntnis, dass bei einer chemischen bzw. elektrochemischen Ätzung von röhrchenförmigen Proben die lokale Ätzrate erheblich von der Geometrie des zu ätzenden Musters abhängig ist, wenn das zu ätzende Muster laterale Ausdehnungen von einigen 10 Mikrometern besitzt. These advantages are based on the surprising finding that, for a chemical or electrochemical etching of tubular samples, the local etch rate is dependent on the geometry of the etched pattern considerably if to be etched pattern has lateral extensions of some 10 micrometers. Die Folge davon ist, dass größere un maskierte Strukturen bereits entfernt waren, während klei nere Strukturen noch unvollständig geätzt waren. The result is that larger un masked structures were already removed, while klei nere structures were etched incomplete.

Mit dem Verfahren gemäß der Erfindung kann dieses zuverläs sig verhindert und eine homogene, von der Mustergeometrie unabhängige Ätzung ermöglicht werden. With the method according to the invention, this reliabil sig can be prevented, and a homogeneous, independent of the geometry of pattern etching are possible.

Es hat sich zudem als vorteilhaft erwiesen, bei einigen zu ätzenden Materialien eine Hilfs- bzw. Zwischenschicht zu verwenden, dergestalt, dass auf den Grundkörper des Ätzob jektes zunächst eine ätzresistente Schicht, z. It has also been found advantageous to use some materials to be etched an auxiliary or intermediate layer, such that the basic body of the Ätzob jektes a first etch resistant layer, z. B. mit Hilfe des chemischen Abscheidens aus der Dampfphase, der PVD- Technik, z. Example by means of chemical deposition from the vapor phase, the PVD technique, z. B. sputtern, aufgebracht wird, wonach anschlie ßend die oben beschriebene Belackung mit einem Photolack bzw. Photoresist vorgenommen wird. As sputtering, is applied, after which subsequent ßend the resist coating as described above is carried out with a resist or photoresist. Die erzeugte Photomaske wird dann in einem geeigneten Ätzmittel unter Verwendung der Photomaske geätzt. The photomask produced is then etched in a suitable etchant by using the photomask. Anschließend kann dann die ätzresi stente Zwischenmaske zur Ätzung des Ätzobjektes, insbeson dere des Röhrchens eines Stents verwendet werden. the ätzresi stents intermediate mask for etching the Ätzobjektes, in particular of the tube of a stent may then be used subsequently.

Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung kann als Zwischenschichtmaterial ein biokompatibles Material verwendet werden, welches nach der Ätzung als remanente Schicht auf dem Ätzobjekt, dh dem Stent verbleibt. According to an advantageous embodiment of the invention, a biocompatible material may be used as the intermediate layer material after the etching as retentive layer on the etching object, that remains the stent. Vor teilhafterweise ist dieses ein Material mit hohem Röntgen kontrast, z. Before geous enough, this is a material with a high-contrast X-ray, for example. B. Gold. As gold.

Für die Herstellung von Stents werden z. For the production of stents z. B. Röhrchen aus Edelstahl bzw. medizinischem Stahl mit einem Durchmesser von 0,5 bis 3,5 Millimetern und einer Wanddicke von 20 Mi krometern bis 500 Mikrometern und einer Länge von mehreren Zentimetern, in der Regel bis zu 10 Zentimetern. B. tube made of stainless steel or surgical steel with a diameter of 0.5 to 3.5 millimeters and a wall thickness of 20 Mi krometern 500 microns and a length of several centimeters, typically up to 10 centimeters. Diese wer den mit Hilfe eines elektrisch leitfähigen Lackes im Inne ren geschützt, wobei in den Innenraum des Röhrchens als Schutzpassivierung der inneren Oberfläche gegenüber dem Ätzmittel ein Stab, z. This who the protected with the aid of an electrically conductive varnish in the perception reindeer, wherein in the interior of the tube as a protective passivation of the inner surface to the etchant, a rod, eg. B. aus Keramik eingeführt wird und der Lack in den Zwischenraum eingebracht wird. B. introduced from ceramic and the paint is introduced into the intermediate space. Der Stab, der auch aus Metall bestehen kann, ist so geformt, dass er auf beiden Seiten etwa 15 mm aus dem Röhrchen herausragt. The rod may also consist of metal, formed so that it protrudes on both sides of about 15 mm from the tube. Als besonders vorteilhaft hat es sich erwiesen, einen mit einer elektrisch leitfähigen Schicht versehenen Stab aus z. Especially advantageous has proven to be a provided with an electrically conductive layer made of such rod. B. einer Nickel/Goldlegierung, Titan oder Keramik zu ver wenden. contact as a nickel / gold alloy, titanium or ceramic to ver. Da die freistehenden Enden des Röhrchens mit dem später angewandten chemischen Ätzmittel zum Teil in Kontakt stehen, ist auch hier eine Passivierung mit Hilfe eines ge eigneten Schutzlackes erforderlich, wenn das verwendete Ma terial keine ausreichenden Ätzresistenz aufweist. Since the free ends of the tube communicating with the later applied chemical etchant partly in contact, a passivation by means of a suitable protective coating ge is also required here if the Ma TERIAL used has sufficient etching resistance. Über die Länge des Röhrchens von z. Over the length of the tube of z. B. 10 cm können dann mehrere Stents mit dem geschilderten Belichtungs- und Ätzverfahren hergestellt werden, wobei zwischen den einzelnen Stents. B. 10 cm can then multiple stents are manufactured with the described exposure and etching process, wherein between the individual stents. Verbindungselemente durch ein geeignetes Ätzmuster einge führt werden, die eine gleichmäßige Ätzung der Stents über deren gesamten Länge des Röhrchens ermöglichen. Fasteners are inserted through a suitable etching patterns that enable a uniform etching of the stent over the entire length of the tube. Die Verbin dungsstrukturen sind dabei vorzugsweise so gestaltet, dass nach dem Durchätzen in den Stentbereichen auch eine Tren nung der einzelnen Stents erfolgt. The Verbin making structures are preferably designed so that after etching the stent in areas a Tren voltage of the individual stents is done. Bei einem elektrolyti schen Ätzverfahren wird die elektrische Ankopplung des als Kathode wirkenden Röhrchens während des darauffolgenden elektrochemischen Polierverfahrens über den innen einge brachten Leitlack und den jeweiligen, in diesem Fall elek trisch leitenden Stab sichergestellt. In a elektrolyti rule etching process, the electrical coupling of the tube acting as a cathode during the subsequent electrochemical polishing process on the inserted inside the respective conductive ink and, elec trically conductive rod in this case is ensured.

Die auf die Stangen aufgesteckten Röhrchen verbleiben wäh rend der gesamten Bearbeitung der Stents in dem Röhrchen bzw. den vereinzelten Stents, sodass diese auf dem Stab ge reinigt, belackt, gebacken, belichtet, entwickelt und nach gebacken sowie geätzt, elektropoliert und vereinzelt wer den. The slipped onto the rods tubes remain currency rend the entire processing of the stent in the tube or the separated stent, so that these purified GE on the rod belackt, baked, exposed, developed and baked to and etched, electro-polished and isolated who the. Ebenso verbleiben die Stents auch noch während der Qualitätskontrolle auf den Stäben. Likewise, the stents remain even during the quality control on the bars.

Die Erfindung ist in Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung näher erläutert. The invention is explained in detail in embodiments with reference to the drawing. In dieser stellen dar: is in this set:

Fig. 1 eine teilweise geschnitte Darstellung eines Ätzobjektes zur Herstellung von Stents; Fig. 1 is a partial view of a geschnitte Ätzobjektes for the manufacture of stents;

Fig. 2 eine schematische Darstellung einer Belich tungseinrichtung zum Belichten eines mit einem Fotolack versehenen Stents; Fig. 2 is a schematic representation of a device for exposing a EXPOSURE provided with a photoresist stent;

Fig. 3 eine schematische Darstellung einer Einrichtung zum Belichten des Fotolackes mehrerer parallel angeordneter Stents; Figure 3 is a schematic representation of a means for exposing the photoresist several parallel arranged stent.

Fig. 4 eine schematische Schnittdarstellung einer Ät zeinrichtung zum Ätzen eines Ätzobjektes, in diesem Falle eines Stents; Fig. 4 is a schematic sectional view of a Ät zeinrichtung for etching a Ätzobjektes, in this case a stent;

Fig. 5 und 6 schematische Darstellungen bestimmter Muster für die Öffnungen und diese trennenden Stege von Stents mit zusätzlichen lokalen Hilfsmu stern zur Vergleichmäßigung des Ätzvorganges; Fig. 5 and 6 are schematic representations of certain pattern for the openings and these separating webs of the stent with additional local Hilfsmu star for equalizing the etching process;

Fig. 7 bis 16 weitere Darstellungen bestimmter Muster für die Öffnungen und diese trennenden Stege mit ver schiedenen lokalen Hilfsmustern zur Vergleich mäßigung des Ätzvorganges; Fig. 7 to 16 further illustrations of specific patterns for the apertures and these separating webs ver different local auxiliary patterns for equalizing the etching process;

Fig. 17a bis 17e verschiedene Darstellungen von Hilfsmustern für die Vergleichmäßigung des Ätzvorganges; FIG. 17a to 17e different representations of auxiliary patterns for the homogenization of the etching process;

Fig. 18 eine schematische Darstellung eines Stentsmit einem projizierten Muster gemäß Fig. 11, herge stellt mit einer Belichtungseinrichtung gemäß Fig. 2; . Fig. 18 is a schematic representation of a stent with a projected pattern shown in FIG 11, Herge represents an exposure device according to Fig. 2;

Fig. 19 bis 21 schematische Darstellungen von geätzten Stents, die mit Hilfe einer Ätzeinrichtung gemäß Fig. 4 hergestellt wurden. Figs. 19 to 21 are schematic representations of the etched stent prepared using an etching device of FIG. 4.

In Fig. 1 ist ein Ätzobjekt 1 zur Herstellung eines Stents dargestellt. In Fig. 1, an etching object 1 in the manufacture of a stent is illustrated. Das Ätzobjekt weist ein Röhrchen 2 mit einem Durchmesser von in der Regel 0,5 mm bis 3,0 mm und einer Wandstärke zwischen im allgemeinen 20 Mikrometern bis 500 Mikrometern aus medizinischem Stahl auf. The etching object comprises a tube 2 is generally from 0.5 mm to 3.0 mm and a wall thickness of between generally 20 micrometers to 500 micrometers of surgical steel with a diameter of. Das Röhrchen ist auf der Innenseite mit einem elektrisch leitfähigen Lack 3 beschichtet, wodurch die innere Oberfläche gegenüber dem später anzuwendenden Ätzmittel passiviert wird. The tube is coated on the inside with an electrically conductive coating 3, whereby the inner surface is passivated against the later applied etchant. Das Röhr chen 2 wird auf der Außenseite durch Tauchbelackung mit ei nem Fotolack 4 beschichtet. The Rohr chen 2 is coated on the outside by Tauchbelackung with egg nem photoresist. 4 Hierbei wird das Röhrchen be wegt, sodass sich eine gleichmäßige Lackschicht während des Trocknungsprozesses einstellt. In this case, the tube is moved be, so that a uniform coating layer during the drying process is established. Die Dicke der Lackschicht wird durch entsprechende Einstellung der Viskosität des Fo tolackes auf ca. 1 Mikrometer bis 6 Mikrometer eingestellt. The thickness of the coating layer is adjusted by adjusting the viscosity of the Fo tolackes to about 1 micrometer to 6 micrometers. Der Fotolack wird anschließend in einem sogenannten Pre backing in bekannter Weise über etwa 5 bis 30 Minuten wär mebehandelt. The photoresist is then backing in a so-called pre in a known manner would mebehandelt for about 5 to 30 minutes. In das Innere des Röhrchens ist noch ein Stab 5 aus Keramik oder einer Gold-Platin-Legierung eingeführt. In the interior of the tube, a rod 5 made of ceramic or a gold-platinum alloy is still introduced. Durch die Beschichtung 3 und den Stab 5 ist das Innere des Röhrchens 2 vollständig ausgefüllt, sodass ein späteres Ätzmittel nicht in das Innere eindringen kann. By the coating 3 and the rod 5, the inside of the tube 2 is completely filled, so that a later etchant can not penetrate into the interior.

Auf den Fotolack wird nun in einer in den Fig. 2 bzw. 3 gezeigten Belichtungseinrichtung 7 ein bestimmtes, in Fig. 1 schematisch angedeutetes bestimmtes Muster 6 projiziert, das den späteren Öffnungen und den diese trennenden Stegen eines Stents entspricht. On the photoresist is now in a position shown in FIGS. 2 and 3, exposure means 7 for a specific projected 1 schematically indicated specific pattern in Fig. 6, which corresponds to the later openings and these separating webs of a stent.

Die Belichtungseinrichtung 7 gemäß Fig. 2 weist eine Lichtquelle 8 , z. The exposure device 7 in FIG. 2 includes a light source 8, for example. B. einen Laser auf, dessen scharfer Strahl über einen Umlenkspiegel 9 auf einen schnell drehenden Po lygonspiegel 10 gelenkt wird. As a laser, whose sharp beam is directed via a deflection mirror 9 at a high speed rotating Po lygonspiegel 10th Laser 8 , Umlenkspiegel 9 und der schnell drehenden Polygonspiegel 10 sind in Fig. 2 um 90° versetzt gezeichnet, sodass in praxi der Lichtstrahl 11 senkrecht zur Zeichenebene hin- und hergeschwenkt wird. Laser 8, deflecting mirror 9 and the rapidly rotating polygon mirror 10 are drawn offset in Fig. 2 by 90 ° so forth, in practice, the light beam 11 perpendicular to the plane and is hergeschwenkt. Der Lichtstrahl 11 fällt durch eine schmale Blendenöffnung 12 einer Blendenmaske 13 , durchstrahlt eine transparente Maske 14 , die jedoch mit einem dem oben erwähnten Muster 6 korre spondierenden im wesentlichen lichtundurchlässigen. The light beam 11 passes through a narrow aperture 12 of an aperture mask 13, shines through a transparent mask 14, but with the above-mentioned pattern 6 korre spondierenden substantially opaque. Muster 6 ' versehen ist und fällt schließlich auf den Fotolack 4 des unmittelbar unterhalb der Maske 14 angeordneten Röhr chens 2 des Ätzobjektes 1 . Pattern 6 'is provided, and finally falls on the photo resist 4 of the immediately below the mask 14 is arranged Rohr Chen Ätzobjektes 2 of the first Damit dieses Muster 6 ' als Mu ster 6 auf dem Fotolack im richtigen Maßstab und vollstän dig abgebildet wird, wird das Röhrchen mit einer auf die Lineargeschwindigkeit V synchronisierten Drehgeschwindig keit R in der angegebenen Pfeilrichtung um die Längsachse gedreht. Thus, this pattern 6 'as Mu-edge is imaged on the photoresist in the correct scale and completeness, dig 6, the tube is filled with a synchronized to the linear velocity V R Drehgeschwindig ness in the indicated arrow direction about the longitudinal axis rotated.

Um ein Ätzobjekt mit mehreren längs des Röhrchens 2 ange ordneten Mustern 6 entsprechend Fig. 1 zu versehen, hat die Maske natürlich entsprechend ebenfalls mehrere parallel angeordnete korrespondierende bestimmte Muster 6 '. An etching object with a plurality of longitudinally of the tube 2 arranged patterns 6 corresponding to Fig. 1 to be provided, the mask has, of course, also correspondingly more parallel corresponding specific pattern 6 '.

Das Ätzobjekt 1 wird auf einer glatten harten oder elasti schen Unterlage 15 so geführt, dass etwaige Unebenheiten der Röhrchenoberfläche in Bezug auf die Maske 14 oder einer anderen Bezugsebene bei anderen projizierenden Verfahren ausgeglichen werden. The etching object 1 is guided on a smooth hard or elasti rule base 15 so that any unevenness of the tube surface with respect to the mask 14 or another reference plane are compensated in other projecting method.

Die Belichtung erfolgt mit einer ultravioletten Strahlung im Bereich von 200 Nanometer bis 430 Nanometer unter Ver wendung von üblichen Fotomasken. The exposure is carried out with ultraviolet radiation ranging from 200 nanometers to 430 nanometers below Ver application of conventional photomasks. Es ist selbstverständlich, dass anstelle der schematischen Darstellung in Fig. 2 der Belichtungsbereich durch entsprechende optische Einrichtun gen gestaltet werden kann. It is to be understood that can be made by gene corresponding optical ESTABLISHMENT instead of the schematic illustration in Fig. 2 of the exposure area. Hiermit ist es auch möglich, die beiden Muster 6 ' und 6 in unterschiedlichen Maßstäben aus zuführen. With this, it is also possible to perform two patterns 6 'and 6 at different scales from. Die Breite des linienförmigen Belichtungsstrei fens hängt vom Krümmungsradius des Röhrchens und von der gewünschten Auflösung ab. The width of the linear Belichtungsstrei fens depends on the radius of curvature of the tube and on the desired resolution. Für Muster im Bereich von etwa 100 Mikrometern und Röhrchen mit einem Durchmesser von etwa 1,5 mm lateraler Abmessungen hat sich herausgestellt, dass die Streifenbreite auf maximal 300 Mikrometer begrenzt wer den muss. For samples in the range of about 100 microns and tube having a diameter of about 1.5 mm lateral dimensions has been found that the stripe width limited to a maximum of 300 microns who the need.

In Fig. 3 ist eine Belichtungseinrichtung 7 dargestellt, mit dem mehrere parallel zueinander angeordnete Ätzobjekte 1 durch eine Maske 14 belichtet werden können. In Fig. 3, an exposure device 7 is shown, may be exposed through a mask 14 having a plurality of mutually parallel Ätzobjekte. 1 Die Belich tungseinrichtung 7 weist z. The processing device 7 comprises Belich z. B. wiederum mehrere Laser auf, deren scharfer Lichtstrahl über einen Polygonspiegel abge lenkt wird. B. turn on a plurality of laser whose beam is deflected sharp light abge through a polygon mirror. Natürlich sind auch andere Lichtquellen mög lich. Of course, other light sources are possible, please include. Die Maske 14 wird wiederum mit einer bestimmten Line argeschwindigkeit V über die Ätzobjekte 1 hinwegbewegt, die sämtlich um ihre Längsachse wiederum mit einer auf die Li neargeschwindigkeit V synchronisierten Drehgeschwindigkeit R gedreht werden. The mask 14 is in turn connected to a certain line on the V argeschwindigkeit Ätzobjekte 1 moved away, the all around its longitudinal axis in turn synchronized with a speed near the speed of rotation V R Li to be rotated. Auf diese Weise kann in einem Belich tungsvorgang eine Vielzahl von Ätzobjekten 1 behandelt und letztendlich eine Vielzahl von einzelnen Stents hergestellt werden. In this manner, a plurality of Ätzobjekten 1 treated and ultimately a plurality of individual stent may be manufactured in a EXPOSURE process.

Natürlich sind auch bei dieser Belichtungseinrichtung 7 an dere Projektionseinrichtungen und Optiken einsetzbar; Of course, be used in particular projection optics means and even at this exposure device 7; eben so muss die Belichtung nicht durch einen kontinuierlich ab gelenkten Lichtstrahl 11 erfolgen; just as the exposure does not have to be done by a continuously steered light beam 11; dieser kann auch intermittierend, z. it can also intermittently, for. B. schrittweise, geführt werden; B. gradually be performed; wesentlich ist nur, dass auf dem Fotolack des Ätzobjektes das ge wünschte bestimmte Muster 6 gebildet wird. it is only essential that on the photoresist of the Ätzobjektes ge certain desired pattern is formed. 6 Es ist auch mög lich, das zwischen einer Maskenplatte und einer Basisplatte liegende Röhrchen unter der Maskenplatte abzurollen, indem die Basisplatte entlang einer Achse relativ zur Maske be wegt wird. It is also possible, please include, unroll the tube lying between a mask plate and a base plate below the mask plate by the base plate is moved along an axis relative to the mask be. Bei angepassten Reibungskoeffizienten der Ober flächen von Maskenplatte und Basenplatte wird dann das Röhrchen in einer Drehbewegung auf der Maske abgerollt und das auf der ebenen Maske befindliche Muster auf den Umfang des Röhrchens übertragen. For adjusted coefficient of friction of the upper surfaces of the mask plate and base plate, the tube is then rolled in a rotational movement on the mask and transfer the pattern located on the flat mask to the circumference of the tube.

Nach der Belichtung werden die Ätzobjekte 1 mit einem Ent wickler behandelt, dh entwickelt, sodass die belichteten Bereiche des bestimmten Musters 6 ausgewaschen werden und nur die unbelichteten Bereiche des Fotolackes stehenblei ben. After exposure, the Ätzobjekte 1 are treated curlers with a decision, that is designed so that the exposed areas of the particular pattern 6 are washed and ben only the unexposed areas of the photoresist are lead. Bei Verwendung von negativ arbeitendem Fotoresist wer den die Flächen entsprechend invertiert. With negative-working photoresist who the inverts the surfaces accordingly. Das derart behan delte Ätzobjekt 1 wird noch einer Wärmebehandlung, einem sogenannten Post-backing unterzogen, um die übergebliebenen Lackbereiche weiter zu härten. The thus-punched behan etching object 1 is still a heat treatment, a so-called post-backing subjected to cure the paint on remaining areas on.

Das Ätzobjekt 1 wird anschließend in eine in Fig. 4 ge zeigte Ätzeinrichtung 21 eingesetzt. The etching object 1 is then in a ge in Fig. 4 showed etching device 21 is inserted. Die Ätzeinrichtung 21 weist einen Behälter 22 , z. The etching apparatus 21 includes a container 22, for. B. in Form eines Becherglases auf, in dem eine zylinderförmige Kathode 23 beispielsweise aus einem Edelstahlgitter aufgenommen ist. Example in the form of a glass beaker in which a cylindrical cathode is housed, for example, of a stainless steel grid 23rd Die Kathode 23 ruht auf einem Sockel 24 aus einem elektrisch isolierendem Material, z. The cathode 23 rests on a base 24 of an electrically insulating material, for example. B. Teflon oder Keramik, am Boden des Bechergla ses 22 . As Teflon or ceramic, at the bottom of Bechergla ses 22nd Der Sockel 4 kann noch mit einer hier nicht gezeig ten Verstelleinrichtung zur Einstellung des Durchmessers der zylindrischen Kathode 23 versehen sein. The base 4 can be provided with a non gezeig here th adjustment device for adjusting the diameter of the cylindrical cathode 23rd Das Ätzobjekt 1 ist zentrisch in dem Sockel 24 gelagert und mittig in dem Becherglas 22 durch einen Deckel 25 am oberen Rand des Be cherglases 22 gehalten. The etching object 1 is mounted centrally in the pedestal 24 and held centered in the beaker 22 by a cover 25 at the top of Be cherglases 22nd

In das Becherglas ist ein Ätzmittel 26 gefüllt. In the beaker, an etchant is filled 26th In dem vor liegenden Fall ist eine elektrolytische Ätzeinrichtung ge wählt, sodass das Ätzobjekt 1 mit einem leitenden Stab 5 ( Fig. 1) als Anode an den Pluspol 27 und die Kathode 23 an den Minuspol 28 einer Gleichspannungsquelle geschaltet ist. In the present case, an electrolytic etching apparatus ge is selected so that the etching object 1, the cathode 23 is connected to the negative terminal 28 of a DC voltage source having a conductive bar 5 (Fig. 1) as an anode to the positive terminal 27 and.

In Fig. 4 ist noch das bestimmte Muster 6 auf der entwic kelten Fotolackschicht des Ätzobjektes 1 schematisch darge stellt. In Fig. 4 is still the specific pattern 6 on the photoresist layer of the developi kelten Ätzobjektes 1 schematically represents Darge.

Der Ätzprozeß wird durch mehrere Parameter bestimmt, z. The etching process is determined by several parameters, such. B. durch den Durchmesser der Kathode, durch die Zusammenset zung, die Temperatur oder die Strömungsverhältnisse etwa durch die Bewegung des Ätzbades bzw. ggf. des Ätzobjektes und schließlich durch die zu ätzenden Muster beeinflussende Parameter. For example, by the diameter of the cathode, the temperature or the flow conditions through the wetting Zusammenset, for example by the movement of the etching bath or possibly the Ätzobjektes and finally through the influencing to be etched pattern parameter.

In den Fig. 5 und 6 sind zwei unterschiedliche bestimmte Muster 6 dargestellt, wobei diese Muster dunkel gezeichne te, mit Fotolack versehene Bereiche 30 und transparente Be reiche 31 aufweisen. In FIGS. 5 and 6 two different specific patterns 6 are shown, this pattern dark gezeichne te provided with photoresist regions rich 30 and 31 have transparent Be. Die transparenten Bereiche 31 entspre chen den späteren Öffnungen des Stents in dem Röhrchen 2 , die Bereiche 30 entsprechen den die Öffnungen voneinander trennenden Stege des Stents. The transparent regions 31 entspre chen the subsequent openings of the stent in the tube 2 corresponding to the regions 30, the openings from each other, separating webs of the stent. Das in Fig. 5 gezeigte Muster entspricht dem in der deutschen Patentanmeldung 198 34 711.1 beschriebenen Muster, das Muster gemäß der Fig. 6 entspricht dem Muster der Stege und Öffnungen eines Stents gemäß der deutschen Patentanmeldung 195 37 872. In den transparenten Bereichen 31 sind noch zusätzliche Hilfsmu ster 32 vorgesehen, mit denen eine lokale Vergleichmäßigung des Ätzprozesses erreicht wird. The pattern 5 shown in FIG. Corresponds to that in German Patent Application 198 34 711.1-described pattern, the pattern according to FIG. 6 corresponds to the pattern of webs and openings of a stent according to the German patent application 195 37 872. are still in the transparent areas 31 provided additional Hilfsmu edge 32, with which a local smoothing of the etch process is reached.

Die Fig. 7 bis 16 zeigen weitere schematische Darstel lungen bestimmter Muster 6 für die Öffnungen und die diese trennenden Stege von Stents mit verschiedenen zusätzlichen lokalen Hilfsmustern 32 zur Vergleichmäßigung des Ätzvor ganges. FIGS. 7 to 16 show further schematic depicting settings of certain pattern 6 for the openings and the passageway these separating webs of stents with various additional local auxiliary patterns 32 to the equalization of the Ätzvor. Auch in diesen Ausführungen weisen die Muster 6 dunkel gezeichnete ausgehärtete Bereiche 30 und transparen te Bereiche 31 auf. In these embodiments have the patterns on 6 dark patterned cured regions 30 and transparen te areas 31st Die Fig. 7 bis 16 lassen deutlich die verschieden ausgeführten Hilfsmuster 32 erkennen. FIGS. 7 to 16 clearly show, the auxiliary pattern 32 differently designed. Jedem Material des Ätzobjektes 1 , der Dicke des Ätzobjektes und dem zu ätzenden Muster 30 werden die Hilfsmuster 32 festge legt. Each material of the Ätzobjektes 1, the thickness of the Ätzobjektes and the pattern to be etched 30, the auxiliary pattern 32 Festge sets. Sie können unterschiedliches Design aufweisen, bei spielsweise eine quadratische Gitterstruktur oder eine Lochgitterstruktur bzw. eine invertierte Form, und unter schiedliche Flächendeckung innerhalb des transparenten Be reiches aufweisen. They may have different design in play as a square lattice structure or a perforated grid structure or an inverted form, and having rich under schiedliche coverage within the transparent Be. Sie können in vielfältiger Form ausge staltet sein, beispielsweise als homogenes Hilfsmuster oder aber als Muster mit Gradientenbildung im Hinblick auf die optische Dichte oder die Dicke des Photoresists, welche in Abhängigkeit der Flächenverhältnisse von ausgehärteten Be reichen 30 zu transparenten Bereichen 31 festgelegt wird. They may be oriented in a variety of forms staltet, for example, as a homogeneous auxiliary pattern or as a pattern with gradient with respect to the optical density or the thickness of the photoresist, which range in dependence of the area ratios of hardened Be is set 30 into the transparent areas 31st Eine bedeutende Rolle spielen hierbei die Strömungsverhält nisse des Ätzmittels 26 in Bezug zu dem Ätzobjekt 1 . A significant role the flow behaves play in this nisse the etchant 26 with respect to the etching object first Die Hilfsmuster 32 in Form einer Ausgestaltung "Inselchen", wie sie z. The auxiliary pattern 32 in the form of a design "islets" as such. B. in den Fig. 13 bis 16 zu erkennen sind, nehmen direkten Einfluß auf die Strömungsverhältnisse des Ätzmit tels 26 . As in Figs. 13 to 16 can be seen to take a direct influence on the flow conditions of Ätzmit means of 26th

Das in Fig. 13 dargestellte Hilfsmuster 32 stellt ein be vorzugtes Ausführungsbeispiel dar. The auxiliary pattern 32 shown in Fig. 13 illustrates a BE vorzugtes embodiment.

Alle in den Ausführungsbeispielen dargestellten Hilfsmuster bestimmen während der Ätzung die sich lokal ändernden Flä chenverhältnisse zwischen transparenten Bereichen 31 und ausgehärteten Bereichen 30 und somit die sich während des Ätzvorganges stets ändernde Stromdichte. All auxiliary patterns illustrated in the embodiments determine, during the etching, the locally changing FLAE chenverhältnisse between transparent regions 31 and the cured portions 30 and thus the current density ever-changing during the etching process.

In den Fig. 17a bis 17b sind schematisch derartige zu sätzliche Hilfsmuster 32 innerhalb transparenter Bereiche 31 dargestellt, die von belackten opaken Bereichen 30 umge ben sind. In FIGS. 17a to 17b schematically such are shown to additional auxiliary pattern 32 within transparent areas 31, which are folded from belackten opaque regions 30 ben. Die entsprechende Konfiguration des zusätzlichen Hilfsmusters 32 hängt ua von der Komplexität der zu ät zenden Struktur ab. The corresponding configuration of the additional auxiliary pattern 32 mainly depends on the complexity of collapsing to ät structure.

In Fig. 17a ist z. In Fig. 17a is z. B. der gesamte transparente Bereich 31 mit einem in der Lackschicht gradierten Bereich 32 des Fo tolackes versehen, sodass hier der Ätzprozeß entsprechend der jeweiligen Lackdicke verlangsamt wird. For example, the entire transparent region 31 provided with a graded in the paint coating area 32 of the Fo tolackes, so that here, the etching process according to the respective paint thickness is slowed down.

In Fig. 17b ist nur ein Teil des transparenten Bereiches 31 durch ein kreisförmiges Hilfsmuster 32 abgedeckt. In Fig. 17b, only a part of the transparent region 31 is covered by a circular auxiliary pattern 32.

In Fig. 17c sind zwei zusätzliche Hilfsmuster 32 jeweils in Form eines Halbmondes vorgesehen, die in dem transparen ten Bereich 31 gelegen sind. In Fig. 17c, two additional auxiliary patterns 32 are each provided in the form of a crescent, which are located in the transparen th region 31.

In Fig. 17d ist ein im wesentlichen ätzresistenter Bereich 32 innerhalb des transparenten Bereiches 31 vorgesehen, während gemäß Fig. 17e zwei gitterförmige zusätzliche Hilfsmuster mit einem dazwischen liegenden halbtransparen ten Bereich als Hilfsmuster 32 vorgesehen sind. In Fig. 17d a substantially etch-resistant region 32 is provided within the transparent region 31, while. 17e of FIG two latticed additional auxiliary patterns are provided with an intermediate halbtransparen th region as an auxiliary pattern 32.

Die in den Fig. 17a bis 17e dargestellten zusätzlichen Muster 32 werden je nach Material, Dicke des Ätzobjektes und dem zu ätzenden Muster festgelegt. Which are depending on the material thickness of the Ätzobjektes and the specified pattern to be etched in Figs. 17a to 17e shown additional pattern 32. Sie können in unterschiedlichem Design, z. You can in various designs such. B. der gezeigten quadratischen Git terstruktur oder einer Lochgitterstruktur bzw. einer inver tierten Form und einer unterschiedlichen Flächendeckung in nerhalb der transparenten Fläche 31 vorliegen. B. square Git shown terstruktur or a perforated grid structure or an inver-oriented shape and a different area coverage in nerhalb the transparent surface 31 are present. Sie können als homogenes Muster oder als Muster mit einer Gradienten bildung, dh im wesentlichen unterschiedlicher Dicke oder Transparenz, in Abhängigkeit z. They may formation as a homogenous pattern or as a pattern having a gradient that is substantially different thickness or transparency, depending z. B. der Flächenverhältnisse von undurchsichtiger opaker Struktur 30 zu transparenter Struktur 31 ausgestaltet werden. For example, the area ratios of opaque opaque structure 30 be designed to be transparent structure 31st Die opaken Bereiche 30 de finieren das entstehende Ätzmuster; The opaque regions 30 de finishing the resulting etched pattern; die transparenten Be reiche 31 werden geätzt, die sich in den transparenten Be reichen befindlichen zusätzlichen Hilfsmuster 32 werden ebenfalls als Ätzmaske verwendet und dienen der lokalen Steuerung der Ätzrate, die in komplexer Weise vom Ätzbad, der Konzentration, der Temperatur sowie Zusetzen der Visko sität etc. sowie der sehr unterschiedlichen lokalen Strö mungssituation abhängig ist. the transparent Be rich 31 are etched, which extend in the transparent Be located additional auxiliary patterns 32 are also used as an etching mask, and serve the local control of the etch rate in a complex manner intensity from the etching bath, concentration, temperature as well as clogging of the viscous etc is mung situational. and the very different local Strö. Bei der elektrolytischen Ät zung ist darüber hinaus auch der lokale Feldverlauf ein wichtiger Parameter. In the electrolytic Aet wetting it and the local field distribution is also an important parameter. Bei geeineter Festlegung der zusätzli chen Hilfsmuster sind am Abschluß des Ätzprozesses die durch die transparenten Bereiche 31 und die zusätzlichen Hilfsmuster 32 vorgegebenen Regionen des Ätzobjektes in gleicher Form homogen geätzt. In geeineter down the addi tional auxiliary pattern predetermined by the transparent areas 31 and the additional auxiliary pattern 32 of regions Ätzobjektes etched homogeneously in the same form at the conclusion of the etch process.

Ein besonderer Vorteil der zusätzlichen Hilfsmuster 32 be steht in einer direkten Steuerung der Ätzstruktur. A particular advantage of the additional auxiliary pattern 32 be is in direct control of the etched structure. So kann beispielsweise durch Steuerung der angewandten zusätzlichen Hilfsmuster in Design und Flächenbedeckung direkt auf die Ätzung des Ätzobjektes mit z. For example, by controlling the applied additional auxiliary patterns in design and surface coverage on the etching of Ätzobjektes z. B. unterschiedlicher Material dicke und geometrischer Form Einfluß genommen werden. B. different material thickness and geometric shape be influenced.

Weiterhin besteht die Möglichkeit, ein Software-Programm zur Bestimmung des optimalen Designs für die zusätzlichen Hilfsmuster in Abhängigkeit des zu ätzenden Bereiches entsprechend dem bestimmten Muster auf dem Ätzobjekt vorzuse hen. Furthermore, there is the possibility of a software program for determining the optimum design for the additional auxiliary pattern depending on the area to be etched according to the determined pattern on the etching object vorzuse hen. Hierzu müssen Materialeigenschaften des Röhrchens, die geometrische Form des Röhrchens sowie das Design der opaken Bereiche bzw. der schließlich resultierenden Struktur sowie Eigenschaften des Materiales hinsichtlich Unterätzungsgrad in Abhängigkeit des Ätzbades mit einbezogen werden. For this purpose, the material properties of the tube, the geometric shape of the tube and the design of opaque areas and finally the resulting structure and properties of the material with respect Unterätzungsgrad in dependence of the etching bath must be included. Auch die oben genannten Parameter, wie Bewegung des Ätzbades, dessen Temperatur und Zusammensetzung etc. wirken sich auf das endgültige Muster aus. Also, the above-mentioned parameters, such as movement of the etch bath, its temperature and composition, etc. affect the final pattern.

Vorteilhaft wird das Röhrchen vor der Innenpassivierung noch mit einer Schicht aus einem anorganischen Material be legt, die im weiteren Herstellungsverfahren als Ätzmaskie rung dient. the tube is still advantageous presents the Innenpassivierung with a layer of an inorganic material be serving in the further production process as Ätzmaskie tion. In diesem Falle wird nach der Herstellung des bestimmten Musters mit dem fotolithographischen Verfahren zunächst eine naßchemische Ätzung der Hilfsschicht vorge nommen. In this case, a wet chemical etching of the auxiliary layer is easily taken after the preparation of the particular pattern by the photolithographic process first. In der Praxis hat sich bei der Strukturierung von. In practice it has been in structuring. Röhrchen aus Edelstahl bzw. Medizinstahl eine Beschichtung aus Titan vorteilhaft herausgestellt. Tubes made of stainless steel or steel medicine advantageously been found a coating of titanium. Die Titan-Hilfs schicht hat hierbei eine Dicke im Bereich zwischen 0,2 Mi krometern bis 10 Mikrometern. The titanium auxiliary layer here has a thickness in the range between 0.2 krometern Mi to 10 micrometers. Vorteilhafte Ergebnisse wur den auch bei Anwendung oxidischer, nitridischer und auf Kohlenstoff basierender Schichten, insbesondere plasmapoly merisierender Schichten, erzielt. Favorable results WUR the achieved even with the use of oxide, nitride and carbon-based layers, especially plasmapoly merisierender layers.

Die Ätzung der Titan-Hilfsschicht erfolgt in einem naßche mischen Prozeß, z. The etching of the titanium auxiliary layer takes place in a mixing process naßche such. B. mit einem Ätzmittel der folgenden Zu sammensetzung: As with an etchant to the following composition:
100 ml H 2 O 100 ml H 2 O
2 ml H 2 SO 4 2 ml H 2 SO 4
0,5 ml HF, 0.5 ml of HF,
die Ätzzeit liegt zwischen fünf bis zehn Minuten. the etching time is between five to ten minutes.

Für die Ätzung des Röhrchens aus Edel- bzw. Medizinstahl wird bei einem elektrochemischen Ätzprozeß z. For the etching of the tube made of stainless steel or medicine is in an electrochemical etching process z. B. folgender Elektrolyt verwendet: B. The following electrolyte used:
12 ml HCl, 12 ml of HCl,
die Ätzzeit beträgt hierbei etwa drei bis fünf Minuten. the etching time in this case is about three to five minutes.

Fig. 18 stellt eine schematische Darstellung eines Ätzob jektes mit projiziertem Muster 6 dar. Das aus Photolack 4 bestehende Muster 6 wurde mit einer Belichtungseinrichtung gemäß Fig. 2 hergestellt. Fig. 18 illustrates a schematic representation of a Ätzob jektes with projected pattern 6. The existing photoresist 4 Sample 6 was prepared with an exposure device according to FIG. 2. In diesem Beispiel wurde das Mu ster 6 mit Hilfsmustern 32 gemäß Fig. 11 verwendet. In this example, the Mu was most 6 with auxiliary patterns 32 in FIG. 11.

Fig. 19 bis 21 stellen schematische Darstellungen von geätzten Stents dar. Sie wurden mit einer Ätzeinrichtung gemäß Fig. 4 hergestellt. Fig. 19 to 21 are schematic representations is etched stent. They were prepared with an etching device of FIG. 4. Sämtliche zuvor transparente Be reiche 31 sowie Hilfsmuster 32 wurden abgeätzt. All previously transparent Be rich 31 and auxiliary patterns 32 were etched. Es bleibt lediglich das gewünschte Muster 6 für den Stent mit dem zu vor aus Fotolack gebildeten ausgehärteten Bereichen 30 üb rig. It remains only the desired pattern for the stent 6 rig with the formed at front of photoresist cured portions 30 OA.

Das angegebene Verfahren zum Aufbringen von zusätzlichen Hilfsmustern, um den Ätzprozess zu vergleichmäßigen, ist im übrigen auch bei der Ätzung von ebenen Ätzobjekten möglich, z. The specified method of applying additional auxiliary patterns in order to equalize the etching process is otherwise also possible when the etching of flat Ätzobjekten, z. B. bei der Herstellung von Halbleiterobjekten oder in der Medizintechnik. As in the manufacture of semiconductor objects, or in medical technology.

Claims (15)

  1. 1. Verfahren zum Herstellen von röhrchenförmigen mikromecha nischen Komponenten, insbesondere Gefäßprothesen (soge nannte Stents) aus ätzbarem Material, vorzugsweise Me tall, indem ein Röhrchen mit einer ätzresistiven Be schichtung versehen wird, anschließend Bereiche dieser Beschichtung entsprechend einem bestimmten Muster ent fernt und das derart präparierte Röhrchen geätzt wird, so dass an den entfernten Bereichen des bestimmten Musters jeweils Öffnungen in dem Röhrchen entstehen, gekennzeich net durch folgende Merkmale: 1. A process for the manufacture of tubular micromechanical African components, in particular vascular prostheses (so-called stents) of etchable material, preferably Me tall by a tube is provided coating with a ätzresistiven Be, then portions of this coating in accordance with a certain pattern ent removed and the thus prepared tube is etched so that respective openings are formed at the distal areas of the particular pattern in the tube, gekennzeich net by the following features:
    • a) das Röhrchen wird mit einem Fotolack beschichtet; a) the tube is coated with a photoresist;
    • b) auf den auf der Außenseite des Röhrchens vorhandenen Fotolack wird das bestimmte Muster mit Hilfe fotoli thographische Methoden hergestellt; b) on the existing on the outside of the tube resist the specific pattern using Your Fotolia thographische methods is manufactured;
    • c) dass bestimmte Muster mit zusätzlich in die transpa renten Bereiche eingebrachte Figuren (Hilfsmuster) eingebracht wird, wobei die Figuren gleichzeitig in einem Belichtungsschritt oder nacheinander fotolitho graphisch erzeugt werden; c) that certain pattern with additionally introduced into the transpa pensions areas figures (auxiliary pattern) is introduced, where the characters are generated simultaneously Fotolitho graphically in an exposure step or sequentially;
    • d) die belichteten Bereiche des Musters auf dem Röhrchen entsprechend den späteren Öffnungen werden durch Aus waschen entfernt; d) the exposed areas of the pattern on the tube corresponding to the openings are later washed off by removed;
    • e) das Innere des Röhrchens wird zumindest auf der inne ren Oberfläche mit einem ätzresistiven Passivierungs material versehen; e) the interior of the tube is provided at least on the surface with a hold ren ätzresistiven passivation material;
    • f) das derart präparierte Röhrchen wird geätzt, wobei der Schritt e) auch an anderer Stelle, etwa vor oder nach dem Schritt a) ausgeführt werden kann. f) the thus prepared tube is etched, wherein the step e) may be carried out elsewhere, such as before or after step a).
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Fotolack auf dem Röhrchen längs unmittelbar aneinan der anschließender Streifen belichtet wird, wobei entlang des jeweiligen Streifens die nicht zu belichtenden Berei che ausgeblendet werden. 2. The method according to claim 1, characterized in that the photoresist on the tube is exposed directly along aneinan the subsequent strip, which are not to be exposed preparation hidden surface along the respective strip.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die linienförmige Belichtung durch einen scharfen längs der Streifen hin und her geschwenkten Lichtstrahl, insbe sondere einen Laserstrahl erfolgt. 3. The method according to claim 2, characterized in that the line-like exposure by a sharp along the strip back and forth pivoted beam, in particular sondere a laser beam is carried out.
  4. 4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da durch gekennzeichnet, dass das Röhrchen durch eine das bestimmte Muster aufweisende Maske hindurch belichtet wird. 4. The method according to any one of the preceding claims, characterized by that the tube is exposed through a mask having the predetermined pattern therethrough.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Maske eine ebene Maske ist, die das bestimmte Muster aufweist, dass bei der linienförmigen Belichtung des Röhrchens durch die Maske diese mit einer bestimmten Geschwindigkeit linear über das Röhrchen geführt wird, und dass das Röhrchen mit einer auf diese Lineargeschwin digkeit synchronisierten Drehgeschwindigkeit gedreht wird, sodass das bestimmte Muster im richtigen Maßstab auf dem Röhrchen erscheint. 5. The method according to claim 3 and 4, characterized in that the mask is a flat mask having the specific pattern, that in the line-shaped exposure of the tube through the mask it is guided at a certain speed linearly over the tube, and that the tube is rotated at a speed synchronized to this Lineargeschwin rotational speed, so that the specific pattern appears on the right scale on the tube.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere parallel und nebeneinander angeordnete Röhrchen durch dieselbe Maske hindurch linienförmig belichtet wer den, wobei die Drehgeschwindigkeit aller Röhrchen auf die Geschwindigkeit der Maske synchronisiert ist. 6. The method according to claim 5, characterized in that a plurality of parallel and adjacently disposed tube through illuminated linearly by the same mask who, wherein the rotational speed of all the tubes is synchronized to the speed of the mask.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Maske in unmittelbarer Nähe des Röhrchens an diesem vorbei geführt wird oder in Kontakt steht. 7. The method of claim 5 or 6, characterized in that the mask is guided in the immediate vicinity of the tube past the latter or is in contact.
  8. 8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da durch gekennzeichnet, dass bei der Belichtung des be stimmten Musters auf den Fotolack des Röhrchens in die transparenten Bereiche des bestimmten Musters zusätzliche Muster belichtet werden, derart, dass beim Ätzen des Röhrchens lokale Unterschiede in der Ätzgeschwindigkeit kompensiert werden und eine gleichmäßig geätzte Gesamt struktur entsprechend dem gewünschten Muster der Öffnun gen entsteht. 8. The method according to any one of the preceding claims, characterized by that additional patterns are exposed at the exposure of the be voted pattern on the photoresist of the tube in the transparent areas of the particular pattern, such that the etching of the tube local differences in the etch rate be compensated and a uniformly etched overall structure according to the desired pattern of outlets, to arises.
  9. 9. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 zum Herstellen von röhrchenförmigen Komponenten, insbe sondere Gefäßprothesen, mit Hilfe Ätzens, gekennzeichnet durch folgende Merkmale: 9. A device for carrying out the method according to claim 1 for producing tubular components, in particular sondere vascular prostheses, with the aid of etching, characterized by the following features:
    • - eine Belichtungseinrichtung ( 7 ) zum Belichten eines bestimmten Musters ( 6 ) auf den Fotolack ( 4 ) des Röhr chens ( 2 ); - exposure means (7) for exposing a predetermined pattern (6) on the photoresist (4) of the Chen Rohr (2);
    • - eine Halteeinrichtung zum Halten des Röhrchens ( 2 ) in einer definierten Lage relativ zu der Belichtungsein richtung ( 7 ); - a holding means for holding the tube (2) in a defined position relative to the Belichtungsein direction (7);
    • - eine Einrichtung zum Ätzen ( 21 ) des derart präparier ten Röhrchens. - means for etching (21) of such Dissecting th tube.
  10. 10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinrichtung ( 7 ) im wesentlichen in Längs achse des Röhrchens ausgerichtetes linienförmiges Licht ( 11 ) abgibt, das längs der Linie entsprechend dem be stimmten Muster ( 6 ) unterbrochen bzw. freigegeben ist. 10. The device according to claim 9, characterized in that the illumination device (7) axis substantially longitudinally of the tube aligned line-shaped light (11) emits the voted is interrupted pattern (6) or released according to the be along the line.
  11. 11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das linienförmige Licht der Beleuchtungseinrichtung ( 7 ) durch eine Blende ( 12 , 13 ) gebildet ist. 11. Apparatus according to claim 10, characterized in that the line-shaped light from the illumination means (7) through an aperture (12, 13) is formed.
  12. 12. Vorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekenn zeichnet, dass die Beleuchtungseinrichtung ( 7 ) eine par allel zur Längsachse des Röhrchens ausgerichtete ebene Maske ( 14 ) enthält, die ein dem bestimmten Muster ( 6 ) entsprechendes Muster ( 6 ') aus transparenten und opaken Bereichen aufweist und die von dem Licht durchstrahlt wird, das anschließend auf den Fotolack ( 4 ) fällt, dass eine Antriebseinrichtung zur linearen Bewegung der Maske ( 14 ) in der Maskenebene senkrecht zu der Längsachse des Röhrchens ( 2 ) mit einer bestimmten Lineargeschwindigkeit (V) vorgesehen ist, und dass die Halterung für das Röhr chen ( 2 ) einen gesteuerten Drehantrieb aufweist, um das Röhrchen ( 2 ) um dessen Längsachse mit einer auf die Line argeschwindigkeit (V) der Maske ( 14 ) synchronisierten Drehgeschwindigkeit (R) zu drehen, derart, dass das be stimmte Muster ( 6 ) auf dem Fotolack im richtigen Maßstab erscheint. 12. The device is characterized according to claim 10 or 11, terized in comprising that the illumination device (7) comprises a par allel aligned to the longitudinal axis of the tube flat mask (14), the corresponding one of the specific pattern (6) pattern (6 ') of transparent and having opaque regions and which is irradiated by the light that then the photoresist (4) falls in that a drive means for linear movement of the mask (14) in the mask plane perpendicular to the longitudinal axis of the tube (2) with a certain linear velocity ( V) is provided, and that the holder for the Rohr chen (2) comprises a controlled rotary drive to the tube (2) synchronized to its longitudinal axis with one on the Line argeschwindigkeit (V) of the mask (14) rotational speed (R) rotate, such that the pattern be agreed (6) appears on the resist in the correct scale.
  13. 13. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Röhrchen ( 2 ) in unmittelbarer Nähe der Maske ( 14 ) oder in Kontakt mit dieser angeordnet ist. 13. The apparatus according to claim 13, characterized in that the tube (2) is arranged in the immediate vicinity of the mask (14) or in contact therewith.
  14. 14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinrichtung ( 7 ) meh rere parallel zueinander angeordnete Röhrchen ( 2 ) be strahlt. 14. Device according to any one of claims be irradiated 9 to 14, characterized in that the illumination device (7) meh eral mutually parallel tubes (2).
  15. 15. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Röhrchen ( 2 ) mit einem, das Innere des Röhrchens ( 2 ) ätzresistent abdichtenden und über beide Enden des Röhr chens ( 2 ) hinausragenden Kern ( 5 ) versehen ist, und dass dieser Kern ( 5 ) mit dem Röhrchen ( 2 ) an beiden Enden in die mit einem Ätzmittel gefüllte Ätzeinrichtung ( 21 ) ein setzbar ist. 15. The device according to claim 9, characterized in that the tube (2) with a, the interior of the tube (2) etch resistant sealing and over both ends of Rohr Chen (2) protruding core (5) is provided, and that this core (5) is connected to the tube (2) at both ends in the filled with an etchant etching device (21) a settable.
DE2000107425 2000-02-18 2000-02-18 Production of tubular micromechanical component, e.g. stents, comprises coating a tube with a photolacquer, forming a pattern, simultaneously inserting figures, removing the exposed regions and etching the tube Withdrawn DE10007425A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2000107425 DE10007425A1 (en) 2000-02-18 2000-02-18 Production of tubular micromechanical component, e.g. stents, comprises coating a tube with a photolacquer, forming a pattern, simultaneously inserting figures, removing the exposed regions and etching the tube

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2000107425 DE10007425A1 (en) 2000-02-18 2000-02-18 Production of tubular micromechanical component, e.g. stents, comprises coating a tube with a photolacquer, forming a pattern, simultaneously inserting figures, removing the exposed regions and etching the tube

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10007425A1 true true DE10007425A1 (en) 2001-09-06

Family

ID=7631429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2000107425 Withdrawn DE10007425A1 (en) 2000-02-18 2000-02-18 Production of tubular micromechanical component, e.g. stents, comprises coating a tube with a photolacquer, forming a pattern, simultaneously inserting figures, removing the exposed regions and etching the tube

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10007425A1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5458731A (en) * 1994-02-04 1995-10-17 Fujitsu Limited Method for fast and non-destructive examination of etched features
WO1999061261A1 (en) * 1998-05-22 1999-12-02 Bmc Industries, Inc. Method and apparatus for manufacturing cylindrical articles

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5458731A (en) * 1994-02-04 1995-10-17 Fujitsu Limited Method for fast and non-destructive examination of etched features
WO1999061261A1 (en) * 1998-05-22 1999-12-02 Bmc Industries, Inc. Method and apparatus for manufacturing cylindrical articles

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 1-59832 A. In: Patent Abstracts of Japan *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0743128A1 (en) Process and device for marking products of transparent (solid) material with a laser
DE4400315C1 (en) Process for the stepwise construction of microstructure elements, and microstructure elements produced by this process
EP0001038A1 (en) A method for making a silicon mask and its utilisation
DE4314301C1 (en) Surface scanning sensor - has a sensor point of a photo-structurable glass
EP0057738A2 (en) Process for the formation and the filling of holes in a layer applied to a substrate
DE3933308A1 (en) Sample-and-repeat projection lithography system with high resolution
DE19843984A1 (en) IR sensor array production comprises etching a recess in a semiconductor substrate after depositing a membrane on the substrate surface
DE10119145C1 (en) A method of detecting and resolving conflicts in phase alternating phase mask and mask design for use in such a method
EP0913730A1 (en) Process for making a printing form
DE102009054540A1 (en) Illumination optics for EUV microlithography
DE102006054820A1 (en) Positioning error correction process for structural element on substrate involves finding lateral position, comparing with preset one and applying light beam dose
EP0013728A1 (en) Method for forming electrical connections between conducting layers in semiconductor structures
DE19507827A1 (en) Plate production for offset printing or embossing
DE10028426A1 (en) Manufacture of three-dimensional structure using coarse structure with recesses having edges inclined at angle between 0 and 90 degrees
DE4429522A1 (en) Method for the production of printed circuit boards
DE19524099A1 (en) A process for the production of molded inserts
DE3937308C1 (en)
DE10342750A1 (en) A method for smoothing and polishing, or for structuring surfaces with laser radiation
DE4022817C1 (en)
DE19912879A1 (en) A method of etching a transparent solid with laser beams
EP0048291A1 (en) Structure with a silicon body that presents an aperture and method of making this structure
EP0043863A1 (en) Process for compensating the proximity effect in electron beam projection devices
DE10144579A1 (en) To produce fine to micro structures and/or micro systems, a substrate film is passed between an illuminating roller and a counter roller, with a photo-setting fluid in the gap between them
DE102010028773A1 (en) Abutment with aspherical membrane bed, pressure sensor with such a thrust bearing and methods for their preparation
DE4219809A1 (en) Material surface layers removal for precision and less complicated system - by successive radiation of parts of surface with optical element system in electromagnetic beam path for constant area cross=section maintenance

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee