DD225006A1 - Feldeffektgesteuerte halbleiter-zweischichtanordnung - Google Patents

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf eine feldeffektgesteuerte Halbleiter-Zweischichtanordnung mit universellem Anwendungsgebiet, beispielsweise als Leistungsbauelement oder als Schaltstufe zur Signalverarbeitung in der Mikroelektronik. Das Ziel besteht darin, eine Halbleiter-Zweischichtanordnung zu schaffen, die die Vorteile eines Bipolartransistors und eines Feldeffekttransistors aufweist und mit der ueblichen Halbleitertechnologie hergestellt werden kann. Entsprechend der Aufgabe ist sowohl eine stetige leistungslose Steuerung auch fuer hohe Leistungen zu ermoeglichen als auch ein verbessertes Schaltverhalten zu erreichen. Erfindungsgemaess wird innerhalb eines ersten grossflaechigen hochohmigen Halbleitergebietes eines ersten Leitungstyps ein kleinflaechiges zweites Halbleitergebiet eines zweiten Leitungstyps eingebracht. Das zweite Halbleitergebiet umgrenzt eine isolierte Feldelektrode, die die inneren Randbereiche des zweiten Halbleitergebietes teilweise ueberdeckt. Unter der Feldelektrode ist im ersten Halbleitergebiet wenigstens ein der Form der Feldelektrode entsprechendes niederohmiges Gebiet mit gleichem Leitungstyp wie das erste Halbleitergebiet angeordnet, das bis an die grossflaechige Metallschicht des ersten Halbleitergebietes reicht. Fig. 2

Description

Anwendungsgebiet der Erfindung "

Die Erfindung bezieht sich auf eine feldeffektgesteuerte Halbleiter-Zweischichtanordnung, die als Leistungsverstärkerbauelement insbesondere für hohe Durchlaßströme und hohe Sperrspannungen vorzugsweise in der Energie-, Steuer-und Antriebselektronik angewendet werden kann.

Weitere Anwendungsmöglichkeiten bestehen beispielsweise als Schaltstufe zur Signalverarbeitung und -verknüpfung in der Informationselektronik, Rechentechnik und Mikroelektronik.

Darüber hinaus kann die Halbleiter-Zweischichtanordnung als leistungslos steuerbares Verstärkerelement im Klein- und Großsignalbetrieb oder als Element für integrierbare Speicher in der Mikroelektronik verwendet werden.

Charakteristik der bekannten technischen Lösungen

Stetig steuerbare Halbleiterleistungsbaueiemente sind gegenwärtig nur durch bipolare Leistungstransistoren mit der üblichen Zonenfolge npn oder pnp mit sperrschichtfrei kontaktierten Gebieten wirtschaftlich realisierbar, wobei einkristalline Halbleiter,

z. B. Silizium, als Substrat verwendet werden.

Bei diesen Halbleiterbauelementen ist charakteristisch, daß der Zustand eines normalerweise sperrgepolten pn-Überganges, d.h. des Basis-Kollektor-Überganges, durch Injektion aus einem zweiten, mit dem ersten über ein gemeinsames Mittelgebiet, die Basis, verkoppelten pn-übergang, dem Emitter-8asis-Übergang, gesteuert wird. Der zweite Übergang ist im normalen Betriebsfall flußgepolt. Damit läßt sich prinzipiell durch Veränderung des Basisstromes eine stetige Steuerung des Kollektdrstromes erreichen. Nachteilig an diesem Steuerprinzip ist die Notwendigkeit eines Steuerstromes und der geringe Widerstand der Steuerstrecke.

Ein weiterer Nachteil ist in der stark nichtlinearen Strom-Spannungscharakteristik der Steuerstrecke zu sehen, die insbesondere bei großer Aussteuerung erhebliche Verzerrungen verursacht.

Des weiteren sind für große Sperrspannungen und hohe Flußströme zahlreiche technisch-technologische Maßnahmen notwendig, um die Probleme des Hochstrombetriebes, wie Stromabhängigkeit der Stromverstärkung und Randverdrängungseffekte, die Erreichung einer hohen Sperrspannung, die Sicherheit gegen zweiten Durchbruch und genügende Niederohmigkeit im eingeschalteten Zustand zu beherrschen. Nachteilig ist weiterhin der Trägerstaueffekt in dem bei Leistungstransistoren üblichen Schalterbetrieb.

Ein Teil dieser Nachteile konnte durch spezieile Transistorkonstruktionen wie VMOS, DMOS und SIPMOS dadurch beseitigt werden, daß z. B. in einem pn-übergang mit einem flächenhaft ausgeführten, hochdotierten n~-Gebiet ein relativ kleines p-Gebiet angeordnet wird, dessen Querschnittsfiäche durch einen mittels Feldeffekt gebildeten Oberflächeninversionskanal gesteuert wird und damit der Strom durch den pn-übergang.

Hierbei stellt sich jedoch eine inhomogene Stromverteilung im n~-Gebiet ein und die Eigenschaften des so erzeugten gewünschten Überganges sind Zwangsläufig mit denen verkoppelt, die an sich unerwünscht sind.

Ziel der Erfindung

Das Ziel der Erfindung besteht darin, eine leistungslos steuerbare bipolare Halbleiteranordnung mit einem großen Anwendungsbereich, vorzugsweise für hohe Leistungen, zu schaffen, die die Vorteile eines Bipolartransistors mit denen eines durch Feldeffekt gesteuerten unipolaren Transistors vereinigt und die auf ökonomisch günstige Weise mit Hilfe der üblichen Planar-Epitaxie-Technologie hergestellt werden kann.

Darlegung des Wesens der Erfindung

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine feldeffektgesteuerte Halbleiter-Zweischichtanordnung zu schaffen, die sowohl eine stetige leistungslose Steuerung gestattet als auch durch die Verringerung des Trägerstaueffektes ein erheblich verbessertes Schaltverhalten aufweist und die durch die Realisierung sehr niederohmiger Zustände für die Übertragung hoher Ströme geeignet ist sowie eine hohe Sperrspannung besitzt.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß innerhalb eines ersten großflächigen ohmisch kontaktierten und hochohmigen Halbleitergebietes eines ersten Leitungstyps ein kleinflächiges geschlossenes ohmisch kontaktiertes zweites Halbleitergebiet eines zweiten Leitungstyps eingebracht ist. Dieses zweite Halbleitergebiet umgrenzt eine isoliert angeordnete Feldelektrode, die die inneren Randbereiche des zweiten Halbleitergebietes teilweise überdeckt. Unterhalb dieser Feldeiektrode ist im ersten Halbleitergebiet wenigstens ein der Form der Feldelektrode entsprechendes niederohmiges Gebiet mit gleichem Leitungstyp wie das erste Halbleitergebiet angeordnet, das bis an die großflächig ausgebildete Metallschicht des ersten Halbleitergebietes reicht.

Beim Anlegen einer geeigneten Spannung an der Feldelektrode wird der Leitungstyp des darunter liegenden ersten Halbleitergebietes invertiert oder verarmt. Dann stimmt sein Leitungstyp mit dem des zweiten Halbleitergebietes überein und die Querschnittsfläche des pn-Überganges wird vergrößert. Da der Flußstrom eines pn-Überganges der vom Strom durchsetzten Fläche proportional ist, kann dieser somit durch die Höhe der angelegten Spannung gesteuert werden.

Es ergibt sich eine prinzipielle Strom-Spannungskennlinie zwischen den beiden ohmisch kontaktierten Halbleitergebieten mit der Feldelektrodenspannung als Parameter.

In einer Ausgestaltung der Erfindung ist im ersten Halbieitergebiet unter der Feldelektrode wenigstens ein vom zweiten Halbleitergebiet isolierter aber mit dessen Leitfähigkeit übereinstimmender inselförmiger Bereich angeordnet. Dieser inselförmige Bereich wird durch den Inversionskanal mit dem zweiten Halbleitergebiet verbunden. Damit werden nicht nur Randverdrängungseffekte praktisch ausgeschlossen, sondern es wird auch der Durchlaßwiderstand stark herabgesetzt, ohne

daß die Sperrfähigkeit verloren geht. '

Die vertikale Ausdehnung eines oder mehrerer der inselförmigen Bereiche kann bis zum niederohmigen Gebiet reichen, wobei diese Bereiche inhomogen dotiert sein können.

Dadurch wird der feldeffektgesteuerte pn-übergang in mehrere Bereiche mit unterschiedlichen Eigenschaften aufgeteilt.

Beispielsweise kann dadurch eine ortsabhängige Schwellspannung realisiert werden.

Der an der Halbleiteroberfläche erzeugte Inversionskanal bildet zugleich das zweite Halbleitergebiet des so unter der Feldelektrode gebildeten pn-Überganges mit guten Flußeigenschaften und stellt die Verbindung mit dem ersten pn-übergang her. Da der Inversionskanal sehr dünn ist, reduziert sich bei geeigneter Bemessung der darunter liegenden Halbleiterzone der Trägerstaueffekt. Im Sperrzustand wird der Inversionskanal von dem mit der Anschlußelektrode versehenen pn-übergang abgeschnürt, so daß dessen hohe Sperrfähigkeit erhalten bleibt.

In einer Variante der Erfindung ist in der von der Feldeiektrode überdeckten Fläche des ersten Halbleitergebietes eine dünne Halbleiterschicht vom gleichen Leitungstyp wie das erste Halbleitergebiet eingebracht, die dieses Gebiet erreicht.

Diese dünne Halbleiterschicht kann beispielsweise durch Ionenimplantation hergestellt werden. Ist die Dicke dieser dünnen Halbleiterschicht mit der Dicke einer Inversionszone vergleichbar, so kann diese Halbleiterschicht durch Verarmungssteuerung mit der Feldelektrode gesteuert werden. Damit sind sowohl Anreicherungs- als auch Verarmungstypen möglich.

In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist der oberflächennahe Bereich des ersten Halbleitergebietes unter der Feldelektrode inhomogen dotiert. Dadurch wird eine ortsabhängige Schwellspannung erzeugt, wodurch der laterale Spannungsabfall im Inversionskanal reduziert wird.

In einer anderen Fortbildung der Erfindung ist das erste Halbleitergebiet auf der der Feldelektrode abgewandten Seite mit einer verhältnismäßig niederohmigen flächenhaften Schicht, beispielsweise einer Epitaxieschicht, versehen. Diese flächenhafte Schicht hat den gleichen Leitungstyp wie das erste Halbleitergebiet und grenzt unmittelbar an die großflächige Metallschicht des ersten Halbleitergebietes an. Das niederohmige Gebiet kann in diese flächenhafte Schicht hineinragen.

Für den Aufbau der Halbleiter-Zweischichtanordnung zur Übertragung hoher Leistung wird diese als Wiederholstruktur ausgebildet, bei der alle oder Gruppen der jeweiligen Metallschichten und die Feldelektrode jeweils galvanisch miteinander

verbunden sind. -

Die erfindungsgemäße Halbleiteranordnung arbeitet bei Sperrbelastung als gewöhnlicher pn-übergang ohne die Erscheinungen des zweiten Durchbruches. Bei flächenhafter Auslegung durch wiederholte Anordnung dieser Grundstruktur eignet sie sich durch die gute Wärmeableitung besonders für Leistungsbauelemente.

Wird der Flußzustand des pn-Überganges ausgenutzt, so sind hohe Strombelastungen möglich.

Des weiteren wird es durch die Verknüpfung der Wirkung eines pn-Überganges mit dem Prinzip der Feldeffektsteuerung möglich, den Temperaturkoeffizienten der Strom-Spannungscharakteristik zu reduzieren und damit die thermische Stabilität zu verbessern.

Für die Verwendung derfeldeffektgesteuerten Halbleiter-Zweischichtanordnung als symmetrischer, leistungslos steuerbarer Leistungsschalter sind zwei räumlich benachbarte und voneinander isolierte zweite Halbleitergebiete gleichen Leitungstyps mit einer Spannungsquelle wechselnder Polarität verbunden. Zwischen diesen Halbleitergebieten ist Unter der gemeinsamen Feldelektrode ein inseiförmiger Bereich angeordnet, dessen Leitungstyp mit dem der zweiten Halbleiterbereiche übereinstimmt.

Ausführungsbeispiel

Die Erfindung soll nachstehend an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. In der zugehörigen Zeichnung zeigen:

Fig. 1 eine Prinzipdarstellung einer feldeffektgesteuerten Halbleiter-Zweischichtanordnung Fig.2 eine Feldeffekttriode

Fig.3 eine Mehrfachanordnung von Feldeffekttrioden für hohe Leistung und

Fig.4 eine Ausführung der Feldeffekttriode als symmetrischer, leistungslos steuerbarer Leistungsschalter.

Entsprechend Fig. 1 werden zwei Halbleitergebiet 1 und 2 entgegengesetzten Leitungstyps mit den üblichen Verfahren der Epitaxie-Planartechnologie aufeinanderfolgend aufgeführt. Das Halbleitergebiet 1 erstreckt sich dabei innerhalb des Halbleitergebietes 2 bis an dessen Oberfläche und ist in der Draufsicht kreisringförmig oder rechteckig ausgeführt, wobei je nach dem vorgesehenen Anwendungsfall andere geschlossene Formen möglich sind. Zur Herstellung der äußeren Anschlüsse ist das Halbleitergebiet 2 auf seiner Unterseite mit einer großflächigen, einen ohmschen Kontakt bildenden Metallschicht 3 und das Haibleitergebiet 1 mit einer dessen geometrischen Form entsprechenden ebenfalls ohmsch kontaktierten Metallschicht 4 versehen. Bei dem auf diese Weise realisierten pn-übergang wird die Leitfähigkeit des Halbleitergebietes 2 insbesondere hochohmig bis eigenleitend ausgeführt. Der Abstand zwischen dem Haibleitergebiet 1 und der Metallschicht 3 richtet sich nach dem Fluß-Vorwärts-Verhalten des pn-Überganges. Für hochsperrende Strukturen ist er wenigstens in der Größenordnung der Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger des Halbleitergebietes 1 zu wählen.

In dem nicht vom Haibleitergebiet 1 überdeckten Bereich des Haibleitergebietes 2 ist beispielsweise mit der Technik der vergrabenen Gebiete wenigstens ein niederohmiges Gebiet 5 angeordnet, das den gleichen Leitungstyp wie das Haibleitergebiet 2 besitzt.

Werden in das Haibleitergebiet 2 mehrere niederohmige Gebiete 5 eingebracht, so können sie sich in Leitfähigkeit und Größe unterscheiden, werden aber durch die Metallschicht 3 gemeinsam kontaktiert. Die niederohmigen Gebiete 5 können derart inhomogen dotiert sein, daß die Nettostörstellenkonzentration senkrecht zur Halbleiteroberfläche zu- oder abnimmt.

Zur Steuerung des pn-Überganges der Haibleiter-Zweischichtanordnung wird die Oberfläche des Gebietes 2 innerhalb des Gebietes 1 mittels der üblichen MIS-Technik mit einer Isolatorschicht 6 versehen. Beispielsweise eignet sich hierfür thermisch gewachsenes SiO₂. Dabei können die Randbereiche des Halbleitergebietes 1 mit überdeckt werden.

Auf dieser Isolatorschicht 6 wird eine Feldelektrode 7 so angeordnet, daß sie einen Teil des Halbleitergebietes 1 und den gesamten Bereich über dem niederohmigen Gebiet 5 überdeckt.

Die elektrischen Eigenschaften dieser Feldeffekttriode werden durch die Geometrie des Gebietes 5 wesentlich bestimmt.

Das Verhältnis des maximalen zum minimalen Flußstromes wird durch die Lateralausdehnung des Gebietes 5 im Vergleich zur Lateralausdehnung des Gebietes 1 bestimmt und der Flußspannungsabfall durch die Dicke des verbleibenden Halbleiterrestgebietes 2 zwischen dem Gebiet 5 und der Halbleiteroberfläche unterhalb der Feldelektrode 7.

Die Sperrspannung zwischen den an den Metallschichten 3 und 4 befestigten Elektroden 8; 9 ergibt sich aus dem Lateralabstand der Gebiete 5 und 1.

Durch Verbinden der Elektroden 8; 9 mit einer Spannungsquelle 10 wird der aus den Halbleitergebieten 1; 2 gebildete pn-Übergang flußgepolt. Dabei stellt sich nur ein verhältnismäßig geringer Strom ein, dessen Höhe wesentlich von der Bemessung des Haibleitergebietes 2 abhängt. Er kann insbesondere bei sehr hochohmigem, nahezu eigenleitendem Material ausreichender Dicke und kleiner Fläche des Gebietes 1 sehr klein gehalten werden. Wird jetzt zwischen der Feldelektrode 7 und der Elektrode

9 eine weitere Spannungsquelle 11 angelegt, so wird der oberflächennahe Teil des Halbleitergebietes 2 unter der Feldelektrode 7 im Leitungstyp invertiert, so daß seine Leitfähigkeit mit der des Gebietes 1 übereinstimmt. Dadurch entsteht zusammen mit dem niederohmigen Gebiet 5 ein pn-übergang mit sehr guten Flußeigenschaften, der den Stromfluß durch die Spannungsquelle

10 merklich erhöht. Dieser Stromfluß kann durch Änderung der Spannungsquelle 11 leistungslos beeinflußt werden. Die Eingangscharakteristik der Steuerstrecke zwischen den Elektroden 7; 8 gehorcht somit den Gesetzen einer MIS-Struktur. Durch die geringe Vertikalausdehnung des inversionskanals werden im Schalterbetrieb nur wenige Ladungen gespeichert, so daß sich der Trägerstaueffekt im Vergleich zum üblichen pn-übergang reduziert.

Der Bereich 12 unter der Feldelektrode 7 kann zur Steuerung der Schwellspannung derart inhomogen dotiert sein, daß die Störstellenkonzentration in Richtung senkrecht zur Feldelektrode 7 zu- oder abnimmt.

Im Sperrbetrieb, d.h. mit umgekehrter Spannungsrichtung der Spannungsquelle 10, werden die elektrischen Eigenschaften

des aus den Halbleitergebieten 1; 2 und dem Inversionskanal unter der Feldelektrode 7 gebildeten pn-Überganges hauptsächlich durch das dicke Haibleitergebiet 2 bestimmt.

Bei geeigneter Bemessung schnürt sich der oberflächennahe Inversionskanal im Übergangsbereich nach dem Haibieitergebiet 1 ab. Dann beeinflußt der aus dem Inversionskanal und dem Gebiet 5 gebildete pn-übergang das Sperrverhalten nicht wesentlich nachteilig. Bei einer geeigneten an der Feldelektrode 7 anliegenden Spannung läßt sich die Durchbruchspannung der Halbleiteranordnung zwischen den Elektroden 8; 9 elektronisch beeinflussen. Das kann z. B. für eine Z-Diode mit elektronisch veränderbarer Durchbruchspannung ausgenutzt werden.

Die Feldeffekttriode entsprechend Fig. 1 kann im Flußzustand dadurch weiter verbessert werden, daß im Haibleitergebiet 2 unterhalb der Feldelektrode 7 im Einflußbereich des oberflächennahen Inversionskanals ein oder mehrere homogen oder inhomogen dotierte Halbleitergebiete 13 vom gleichen Leitungstyp wie das Haibleitergebiet 1 angeordnet werden. (Fig. 2) Sie können sich entweder nur im Halbleitergebiet 2 erstrecken oder auch das Gebiet 5 vertikal erreichen.

Die Abmessungen der Halbleitergebiete 11 bestimmen gemeinsam mit der Abmessung und der Dotierung des Halbleitergebietes 2 die Sperrspannung und den Durchlaßwiderstand der Feldeffekttriode.

Eine weitere Variante der Halbleiter-Zweischichtanordnung ergibt sich, wenn das Haibleitergebiet 2 auf einer niederohmigen Epitaxieschicht 14 mit gleichem Leitungstyp aufgebracht wird. Das Haibleitergebiet 5 kann dabei so angeordnet werden, daß es in die Epitaxieschicht 14 hineinreicht.

Besondere Vorteile ergeben sich für ein Halbleiterbauelement hoher Leistung, wenn mehrere der in Fig. 1 oder 2 dargestellten Feldeffekttrioden als Wiederholstruktur oder als konzentrische, flächenhafte Anordnung ausgeführt werden (Fig. 3) und die funktionsmäßig zusammengehörenden Gebiete insgesamt oder gruppenweise galvanisch mit üblichen Verfahren der Verbindungstechnik, beispielsweise Metall- und/oder Poly-Si-Verbindungen, verbunden werden. Die Metallschicht 3 stellt dabei einen guten flächenhaften Wärmekontakt zum Gehäuse her.

Soll die Halbieiter-Zweischichtanordnung als symmetrischer, leistungsios steuerbarer Leistungsschalter verwendet werden, so werden im Halbleitergebiet 2 entsprechend Fig.4 zwei getrennte Halbleitergebiete 1 angeordnet, zwischen denen das Haibleitergebiet 13 liegt. Die Isolierschicht 6 und die Feldelektrode 7 überdecken dabei den Gesamtbereich zwischen den beiden Halbleitergebieten 1, an denen über die Elektroden 9 eine Spannungsquelle 10 mit wahlweise wechselbarer Polarität angelegt wird.

Claims (9)

Erfindungsansprüche:

1. Feldeffektgesteuerte Halbleiter-Zweischichtanordnung mit zwei flächenhaften Halbleitergebieten entgegengesetzten Leitungstyps, die mit Metallschichten versehen sind und einer isoliert angeordneten Feldelektrode, gekennzeichnet dadurch, daß innerhalb eines großflächigen ohmisch kontaktierten und hochohmigen Halbleitergebietes (2) eines ersten Leitungstyps ein kleinflächiges geschlossenes ohmisch kontaktiertes Halbleitergebiet (1) eines zweiten Leitungstyps eingebracht ist, das die Feldelektrode (7) umgrenzt, die die inneren Randbereiche des Halbleitergebietes (1) teilweise überdeckt und daß unterhalb der Feldelektrode (7) im Halbleitergebiet (2) wenigstens ein der Form der Feldelektrode (7) entsprechendes niederohmiges Gebiet (5) mit gleichem Leitungstyp wie das Halbleitergebiet (2) angeordnet ist, das bis an die großflächig ausgebildete und mit dem Halbleitergebiet (2) verbundene Metallschicht (3) reicht.

2. Anordnung nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß im Halbleitergebiet (2) unter der Feldelektrode (7) wenigstens ein vom Haibleitergebiet (1) isolierter, aber mit dessen Leitfähigkeit übereinstimmender inselförmiger Bereich (13) angeordnet ist.

3. Anordnung nach Punkt 2, gekennzeichnet dadurch, daß die vertikale Ausdehnung eines der Bereiche (13) oder mehrerer bis zu dem niederohmigen Gebiet (5) reicht.

4. Anordnung nach Punkt 2 und 3, gekennzeichnet dadurch, daß wenigstens einer der Bereiche (13) inhomogen dotiert ist.

5. Anordnung nach Punkt 1 bis 4, gekennzeichnet dadurch, daß in der von der Feldelektrode (7) überdeckten Fläche des Halbleitergebietes (2) eine dünne Halbleiterschicht vom gleichen Leitungstyp wie das Halbleitergebiet (1) eingebracht ist, die dieses Gebiet erreicht.

6. Anordnung nach Punkt 1 bis 5, gekennzeichnet dadurch, daß der oberflächennahe Bereich (12) des Halbleitergebietes (2) inhomogen dotiert ist.

7. Anordnung nach Punkt 1 bis 5, gekennzeichnet dadurch, daß das Halbleitergebiet (2) auf der der Feldelektrode (7) abgewandten Seite mit einer verhältnismäßig niederohmigen flächenhaften Schicht (14) versehen ist, die den gleichen Leitungstyp aufweist wie das Halbleitergebiet (2) und die unmittelbar an die großflächige Metallschicht (3) angrenzt.

8. Anordnung nach Punkt 1 bis 7, gekennzeichnet dadurch, daß die Halbleiter-Zweischichtanordnung als Wiederholstruktur ausgebildet ist, bei der alle oder Gruppen der jeweiligen Metallschichten (3; 4) und die Feldelektrode (7) jeweils galvanisch miteinander verbunden sind.

9. Anordnung nach Punkt 1 bis 8, gekennzeichnet dadurch, daß zwei räumlich benachbarte und voneinander isolierte Halbleitergebiete (1) mit einer Spannungsquelle (10) wechselnder Polarität verbunden sind und daß zwischen diesen Halbleitergebieten (1) unter der gemeinsamen Feldeiektrode (7) ein inselförmiger Bereich (13) angeordnet ist, dessen Leitungstyp mit dem der Bereiche (1) übereinstimmt.

Hierzu 2 Seiten Zeichnungen