CZ282042B6 - Diodový dělený vysokonapěťový transformátor pro televizní přijímač - Google Patents

Abstract

Diodový dělený vysokonapěťový transformátor má několik dílčích vinutí (7), ležících v komorách (4), a mezi nimi diody (3). Pro umožnění umístění většího počtu diod (3) bez zvětšení nároků transformátoru na prostor se vždy na obvodu kostry (1) cívky uspořádá několik diod (3), rozmístěných na obvodu bez vzájemného přesazení v axiálním směru.Podle způsobu se komory (4) ležící za sebou v axiálním směru kostry (1) cívky, navíjejí v takovém pořadí, že dráty (8) vinutí od diody (3) nebo podpěrného bodu (M) ke komoře (4) se pokládají pouze přes ty komory (4), které již předtím byly navinuty. Diodový dělený vysokonapěťový transformátor je vhodný zejména pro televizní přijímače s vysokou rozlišovací schopností ("High-Scan") se zvýšeným vysokým napětím 35 kV.ŕ

Description

Diodový dělený vysokonapěťový transformátor pro televizní přijímač a způsob jeho výroby

Oblast techniky

Vynález se týká diodového děleného vysokonapěťového transformátoru pro televizní přijímač, s několika dílčími vinutími, ležícími v komorách kostry cívky, a siodami, uspořádanými na stěnách komor, a způsobu jeho výroby.

Dosavadní stav techniky

Takový diodový dělený vysokonapěťový transformátor obsahuje několik dílčích vinutí, umísstěných v komorách kostry cívky, a stejný počet diod, které jsou zapojeny vždy mezi dílčími vinutími a jsou umístěny na vnějším okraji kostry cívky mezi dílčími vinutími. Protože jak komory s dílčími vinutími, tak i diody zaujímají v axiálním směru kostry cívky určité místo, vznikne zejména při větším počtu dílčích vinutí a diod přiměřeně větší kostra cívky, aniž se nároky na prostor zvýší a vazba neboli propojení změnší.

Úkolem vynálezu je umožnit umístění většího počtu diod bez toho, aniž by se zvýšily nároky na prostor, potřebný pro umístění kostry cívky s dílčími vinutími a diodami.

Podstata vynálezu

Uvedený úkol splňuje diodový dělený vysokonapěťový transformátor pro televizní přijímač, s několika dílčími vinutími, ležícími v komorách kostry cívky, a diodami, uspořádanými na stěnách komor, podle vynálezu, jehož podstatou je, že po obvodu lamely kostry cívky je vždy uspořádáno několik diod, rozmístěných po obvodu bez vzájemného přesazení v axiálním směru.

U diodového děleného vysokonapěťového transformátoru podle vynálezu jsou tedy diody rozmístěné po obvodu kostry cívky uspořádány v axiálním směru bez vzájemného přesazení. Když například jsou na vnějším okraji stěny komory uspořádány čtyři diody, činí potřeba místa pro diody v axiálním směru pouze jednu čtvrtinu této potřeby u známých řešení, u nichž vždy na jedné stěně komory je umístěna pouze jedna dioda. Tím, že celkové nároky na prostor diod v axiálním směru kostry cívky se zmenšily, zmenší se rovněž celková délka kostry cívky. Tím je možno opět dosáhnout zvýšené vazby mezi primárním vinutím a sekundárním vinutím.

Podle výhodného provedení vynálezu je vždy stěna komory opatřena zkoseným vybráním, probíhajícím od jejího vnějšího okraje tangenciálně ke dnu, aniž by úplně přerušilo stěnu komory, kterým je veden drát vinutí od jedné diodové svorky nebo podpěrného bodu ke dnu komory. Drát vinutí se potom vloží do zkoseného vybrání a bude mít prostorový odstup od vinutí nacházejícího se v komoře. Tím je vytvořen zejména na horním okraji vinutí odstup mezi drátem vinutí a vinutím komory, které má již oproti drátu vinutí značné napětí. Tímto způsobem je možno zvýšit dielektrickou pevnost vinutí.

Zatímco na obvodu podél jedné stěny komory jsou umístěny vždy například čty ri diody, jsou dílčí vinuti, která jsou jim přiřazena, nutně upravena v komorách, které jsou uspořádány na sobě v axiálním směru kostry cívky. Protože je dioda zapojena vždy mezi dvěma dílčími vinutími, musí být u vinutí dílčích vinutí v na sobě uspořádaných komorách veden drát vinutí vždy zpět k diodě.

- 1 CZ 282042 B6

Podle vynálezu je toho dosaženo způsobem, jehož podstatou je, že komory, uspořádané nad sebou v axiálním směru kostry cívky, jsou navinuty v takovém pořadí, že vodicí dráty od diody nebo podpěrného bodu do komory se položí pouze přes ty komory, které již byly před tím navinuty.

Ačkoli proto mají dílčí vinutí určitých komor od přiřazených diod určitý odstup v axiálním směru, vytvoří se tímto způsobem způsob vinutí, který umožní automatické navíjení. V závislosti na počtu komor, ležících v axiálním směru kostry cívky mezi dvěma skupinami diod, může proto být výhodné navíjet různé skupiny komor za sebou s opačným smyslem, čímž mohou být 10 navíjeny všechny komory, a dráty vinutí, probíhající při navíjení v axiálním směru kostry cívky, se pokládají pouze přes ty komory, které jsou již navinuty.

Přehled obrázků na výkresech

Vynález bude dále blíže objasněn na příkladech provedení podle přiložených výkresů, na nichž obr. I znázorňuje v principu uspořádání několika diod po obvodu kostry cívky, obr. 2 jiný pohled na kostru cívky z obr. 1, obr. 3 další provedení kostry cívky z obr. 2.

obr. 4 další příklad provedení podle vynálezu obr. 5 jiný pohled na provedení z obr. 4, obr. 6 zapojení mezi dílčími vinutími v komorách a diodami, obr. 7 schéma vinutí pro způsob navíjení podle vynálezu a obr. 8 až 10 zvláštní vytvoření kostry cívky pro docílení pevné vazby.

Příklady provedení wnálezu

Na obr. 1 je znázorněna kostra 1 cívky, v jejíchž komorách 4 je uspořádáno několik dílčích vinutí 7 vysokonapěťového transformátoru. Na vnějším okraji lamely 2 jsou na obvodu uspořádány čtyři vysokonapěťové usměrňovači diody 3a . 3b, 3c, 3d. které jsou spojeny s dílčími vinutími 7 v komorách 4. Po celé délce kostry 1 cívky je upraveno několik takových uspořádání se čtyřmi diodami 3, přičemž mezi dvěma z těchto uspořádání je upraveno tři až pět komor 4_vždy s jedním 35 dílčím vinutím.

Na obr. 2 je znázorněn půdorys kostry 1 cívky z obr. 1. Kostra 1 cívky je celkově opatřena třemi skupinami čtyř diod 3a - 3d. rozmístěných na obvodu. Vždy mezi dvěma těmito skupinami diod 3a - 3d leží čtyři komory 4, v nichž se nacházejí dílčí vinutí 7, spojená s diodami 3a - 3d. 40 Komory 4 jsou navzájem odděleny od sebe stěnami 5. Lamely 2 mají tloušťku asi 2 mm, která je dána v podstatě průměrem diod 3. Stěny 5 komor 4 mají menší tloušťku, asi 1 mm, protože slouží pouze pro ohraničení komor 4 a pro dosažení vysokonapěťové dieiektrické pevnosti. Diody 3 jsou svými připojovacími dráty vloženy do tvarově přizpůsobeného úložného prostředku na vnějším okraji vždy jedné lamely 2. Konce vinutí v komorách 4 jsou ovinuty kolem 45 připojovacích drátů diod 3, čímž diody 3 slouží jako podpěrné body pro tenké dráty vinutí.

Kostra 1 cívky, znázorněná na obr. 3, se liší od znázornění na obr. 2 tím, že diody 3 nedosedají na vnější okraj lamely 2, nýbrž jsou vloženy v obvodové drážce 6 na vnějším okraji lamely 2. Tímto řešením se diodami 3 nezvětší vnější průměr kostry 1 cívky.

Na obr. 4 jsou znázorněny dvě komory 4a a 4b s dílčími vinutími 7a a 7b. Drát 8a, vystupující na horním okraji komory 4a z dílčího vinutí 7a. je spojen se svorkou diody 3. Na druhou svorku diody 3 je připojen drát 8b dílčího vinutí 7b komory 4b. Lamela 2 mezi komorami 4a a 4b je opatřena zkoseným vybráním 9, které začíná na horním okraji lamely 2 a zasahuje tangenciálně ke dnu 11 komory 4b. Toto zkosené vybrání 9 má takové rozměry, že lamelu 2 úplně nepřerušuje. Je vidět, že drát 8b je vložen v tomto zkoseném vybrání 9, a tím má od vinutí 7b určitý odstup. To je výhodné zejména v horní oblasti vinutí 7b, protože tam vede toto vinutí 7b oproti drátu 8b již plné impulsové napětí. Přes vytvoření zkoseného vybrání 9 si lamela 2 ponechá svůj izolační účinek mezi komorami 4a a 4b. Zejména se zajistí to, že přes vytvoření tohoto zkoseného vybrání 9 n neexistuje žádné přímé spojení mezi komorami 4a a 4b a vinutí 7a a 7b se tedy navzájem nemohou „přímo viděť‘. Zkosené vybrání 9 je rovněž upraveno na stěnách 5 komor 4, aby i zde vytvořilo odstup drátu 8 vinutí, nacházejícího se v komoře 4, vedeného ke dnu 11.

Na obr. 5 je naznačeno zkosené vybrání 9 vyšrafovanou částí. Na místě na vnějším okraji lamely 2 nebo stěny 5 komory 4, kde zkosené vybrání 9 začíná, je upraven výstupek 10 na lamele 2 nebo na stěně 5 komory 4. Tento výstupek 10 slouží jako místo ovinutí drátu 8b a zajišťuje, že tento drát 8b dosedne do zkoseného vybrání 9.

Na obr. 6 je v principu znázorněno schéma zapojení mezi diodami 3 a dílčími vinutími 7v komorách 4. Drát 8 ze dna 11 komory 4 je vždy spojen s anodou diody 3 a drát 8 z nejhořejší vysokonapěťová svorka Ml s vysokým napětím UH pro obrazovku je vyvedena ze dna 11 komory 4 posledního dílčího vinutí 7. Nejhořejší vrstva prvního dílčího vinutí 7 je spojena se zemí, znázorněnou podpěrným bodem M2.

Na obr. 7 je znázorněno schéma vinutí kostry 1 cívky s pěti skupinami tří nebo čtyř diod 3 podle obr. 1 a 2 a mezi nimi ležícími třemi, popřípadě čtyřmi, popřípadě pěti komorami 4 podle obr. 2. Vinutím se vytvoří spojení mezi diodami 3 a dílčími vinutími 2 podle obr. 6. Čtverce na elektrodách diod 3 znamenají vždy oba připojovací dráty diod 3 nebo podpěrné body, k nimž jsou dráty 8 vinutí vedeny. Je znázorněno pět širokých lamel 2a - 2e, které nesou čtyři diody 3a 3d. Mezi lamelami 2a - 2e jsou vytvořeny komory 4a - 4p, ohraničené stěnami 5, které jsou vyplněny částečně nebo úplně vždy jedním dílčím vinutím 7. Vinutí začíná v podpěrném bodě spojeném s vysokonapěťovou svorkou Ml a je vedeno ke dnu 11 komory 4a. Drát 8 vinutí od horního okraje komory 4a se vede ke katodě diody 3b lamely 2a. Drát 8 od anody diody 3b se zavede do komory 4b a drát 8 z nejhořejší vrstvy vinutí komory 4b se vede ke katodě diody 3c, jejíž anoda je svedena do dna 11 komory 4c. Tímto způsobem se navíjejí komory 4a - 4p, přičemž současně se dílčí vinutí 7 spojují s připojovacími dráty diod 3. Je vidět, že připojovací dráty se pokládají vždy od jedné svorky diody 3 k odpovídající komoře 4 vždy jen přes ty komory 4, které jsou již navinuty. Tím je umožněno automatické provádění navíjení, ačkoli připojovací dráty se umísťují vždy mezi diodu a vinutí příslušných komor 4 v axiálním směru kostry 1 cívky přes několik komor 4.

V komoře 4k je naznačeno, že drát 8 vstupuje do této komory 4k dvakrát z této komory 4k vystupuje. Tím je uvnitř vinutí vytvořena odbočka pro vytváření zaostřovacího napětí. Toto zaostřovací napětí se může odebírat v podpěrném bodě M3, k němuž není připojena žádná dioda

3. Vinutí komory 41 začíná nejprve přesně tak, jako vinutí komor 4a, 4e, 4i. Drát 8 , který později vychází z komory 4m, se nejprve upevní na katodě diody 3c na lamele 2d a navíjení na této diodě 3c nejprve nepokračuje. To spočívá vtom, že jinak se vzhledem kcelkem pěti komorám 41 - 4p mezi skupinami diod 3 lamel 2d a 2e nedodržuje již požadavek, že zpětné vedení drátů 8 se provádí pouze přes již navinuté komory 4. Navíjení místo toho pokračuje z pravého konce kostry 1 cívky. Navíjení začíná v bodu A na dně 11 komory 4p. Místo A odpovídá příslušnému bodu A na obr. 6. Drát 8, vycházející z komory 4p v nejhořejší vrstvě, se vede najeden konec drátového můstku, náležejícího k podpěrnému bodu M2. který je podle obr. 6 uzemněn. Tím je postup navíjení nejprve také ukončen. Potom se drát 8 vede od anody diody 3a lamely 2e do komory 4o a odtud z její nejhořejší vrstvy k připojovacímu drátu katody diody 3c lamely 2e. Tím je tento navíjecí postup rovněž ukončen. Potom se drát 8 vinutí vede od anody diody 3c na lamele do komory 4n a opouští ji z nejhořejší vrstvy. Drát 8 vinutí se vede

- J ’ ještě přes komory 4o a 4p ke katodě diody 3a lamely 2e. Toto je nyní možné, protože komory 4o a 4p již byly v popsaných předcházejících navíjecích postupech navinuty.

Je vidět, že některé podpěrné body M21, M22, a M23 nejsou opatřeny žádnou diodou 3. Potom slouží vždy jedna svorka k upevnění drátu 8 vinutí a druhá, tím připojená svorka k připájení odpovídajícího vedení k vysokonapěťové svorce UH nebo ke kostře. Toto řešení má výhodu vtom, že při pájení drátu k jednomu konci podpěrného bodu již není pájecí místo na druhém konci podpěrného bodu nijak nepříznivě ovlivňováno.

Postup, kterým se podle obr. 7 navíjejí jednotlivé skupiny komor 4 a kterým se spojují příslušné diody 3, je prakticky libovolný. Je nutno pouze dodržet ten požadavek, že dráty 8 vinutí, rozkládající se v axiálním směru kostry 1 cívky, se mohou pokládat přes ty komory 4, které již předtím byly navinuty, protože potom je navíjení těchto komor 4 vyloučeno.

U vysokonapěťového transformátoru popsaného druhu se na kostru 1 cívky, kterou prochází jádro, nejprve navine několik přídavných vinutí, například pro ohřev obrazovky, pro přídavná provozní napětí nebo pro zpětné impulsy, a na ně se navine primární vinutí a na ně vysokonapěťové vinutí transformátoru. Přídavná vinutí mají zpravidla různý počet závitů, různý počet vrstev vinutí a různý průměr drátů. Přídavná vinutí tím mají různou výšku vůči základu 20 kostry 1 cívky a rovněž přerušení mezi jednotlivými vinutími. Tím vznikne velmi nerovnoměrný průběh na horní straně vinutí. Tlím vznikne to, že i na ně navinuté primární vinutí na jejich horní ploše má nerovnoměrný průběh. Sekundární vinutí pro vysoké napětí, navinuté přes primární vinutí, nemusí být proto navinuto bezprostředně na primární vinutí. Spíše je z důvodů vysokonapěťové dielektrické pevnosti zapotřebí upravit nad primárním vinutím přídavnou 25 kostru, která potom toto sekundární vinutí ponese. Nerovnoměrným povrchem primárního vinutí proto vznikne zhoršení vazby mezi primárním a sekundárním vinutím.

U dalších příkladných provedení transformátoru podle vynálezu, znázorněných na obr. 8 až 10 a popsaných v nárocích 11 a 12, se řeší proto úkol vytvořit kostru 1 cívky tak, že přes 30 nerovnoměrnosti povrchu přídavných vinutí nebude vazba mezi primárním vinutím a sekundárním vinutím nijak ovlivněna.

(J tohoto řešení se tedy vědomě ponechá nezměněné nerovnoměrné vytvoření přídavných vinutí s různými výškami a přerušeními. Nad přídavná vinutí se zavede objímka, sloužící jako vložené 35 dno, které nyní tvoří pro navíjené primární vinutí definovaný hladký základ bez vyvýšenin a prohloubenin. Potom je možné na tento nově vytvořený hladký podklad bez nerovnoměrností navinout primární vinutí, sestávající z na sobě ležících vrstev, „čistým způsobem“, takže i horní okraj primárního vinutí má potom čistý definovaný průběh bez zlomů. Tím je možno mezi primárním vinutím a vysokonapěťovým vinutím dodržet definovaný minimální odstup, který je 40 potřebný pro dosažení vysokonapěťové dielektrické pevnosti. Touto objímkou se sice vazba mezi primárním vinutím a přídavnými vinutími nepatrně zmenší, avšak nevznikne tím žádná nevýhoda, protože tato vazbaje relativně nekritická neboli nerozhodující.

Na obr. 8 je zjednodušeně znázorněn vysokonapěťový transformátor s jádrem 21, na němž je uspořádána kostra 22 cívky. Na dnu kostry 22 cívky je navinuto několik přídavných vinutí 23 s různým počtem závitů, různou délkou a různým průměrem drátů. Tím vznikne nerovnoměrný průběh povrchu přídavných vinutí 23. Nad přídavnými vinutími 23 je zavedena objímka 24, obklopující přídavná vinutí 23, která je provedena z plastu s tloušťkou stěny od 2/10 - 6/10 mm. Na objímce 24 je navinuto primární vinutí 25 se třemi vrstvami jako „čisté“ vinutí. Definovaný hladký podklad, vytvořený touto objímkou 24, vytváří předpoklad pro hladký průběh povrchu primárního vinutí 25 bez prohloubenin nebo vyvýšenin.

Kostra 22 cívky je obklopen další kostrou 26 cívky. Tato další kostra 26 cívky je vytvořena jako komorová kostra 26 cívky, která má několik komor 28, ohraničených stěnami 27.

-4CZ 282042 B6

V komorách 28 jsou uložena dílčí vinutí 29 sekundárního vinutí neboli vysokonapěťového vinutí. Dílčí vinutí 29 jsou navzájem spojena podle principu diodového děleného transformátoru pomocí vysokonapěťových usměrňovačích diod.

Na obr. 9 je znázorněna kostra 22 cívky, která je na svém povrchu opatřena větším počtem nopkovitých výstupků 210, které jsou rovnoměrně rozmístěny po obvodu a axiální délce. Výška nopkovitých výstupků 210 nad dnem kostry 22 cívky je poněkud větší, než maximální' výška přídavných vinutí 23. Nopkovité výstupky 210 tvoří podpěrné body objímky 24 a způsobují to, že objímka 24 má po celém obvodu a po celé délce kostry 22 cívky definovaný odstup ode dna komory a není primárním vinutím 25 nebo přídavnými vinutími 23 vyboulena. Nopkovité výstupky 210 slouží navíc k fixování drátů přídavných vinutí 23 v axiálním směru. Meziprostory mezi nopkovitými výstupky 210 slouží pro zpětná vedení drátů přídavných vinutí 23 vždy k jednomu konci kostry 22 cívky. Účinkem většího počtu nopkovitých výstupků 210, rozmístěných po obvodu a po délce, může být použita objímka 24 z relativně tenkého materiálu o tloušťce 0,2 - 0,6 mm.

Podle obr. 10 je objímka 24 opatřena štěrbinou 211, probíhající v axiálním směru. Tím je umožněno to, že objímka 24 může být v roztaženém stavu v radiálním směru 213, podobně jako rozpěmý pojistný kroužek, nasazena na kostru 22 cívky pohybem v radiálním nebo axiálním směru. Objímka 24 je vytvořena jako pružná v radiálním směru 213 tak, že přitom samočinně dosedne na horní okraje nopkovitých výstupků 210. Obvod objímky 24 má takové rozměry, že v nasazeném stavu se objímka 24 zcela neuzavře, nýbrž mezi jejími konci zůstává štěrbina 211. Kostra 22 cívky je opatřena výstupkem 212, který po radiálním nebo axiálním nasazení objímky 24 zapadne do štěrbiny 211. Tím je vytvořeno zajištění objímky 24 proti otáčení vůči kostře 22 cívky.

Celé uspořádání podle obr. 8, 9 nebo 10 bez jádra se známým způsobem zaleje zalévací hmotou. Přitom se zajistí přídavné fixování a upevnění objímky 24. Průměr drátů primárního vinutí 25 je relativně velký a činí asi 0,5 až 1 mm. Může být proto výhodné, když se pro primární vinutí 25 a popřípadě i pro přídavná vinutí 23 použije jako drátu vinutí použije lanko. Lanko je podstatně ohebnější, než masivní měděný drát, čímž se ulehčí automatické navíjení a popřípadě se ještě lépe na rozdíl od masivního měděného drátu využije prostor, který je pro navíjení k dispozici.

Claims (12)

1. PATENTOVÉ NÁROKY

   1. Diodový dělený vysokonapěťový transformátor pro televizní přijímač, s několika dílčími vinutími, ležícími v komorách kostry cívky, a diodami, uspořádanými na stěnách komor, vyznačující se tím, že po obvodu lamely (2) kostry (1) cívky jsou uspořádány diody (3), rozmístěné po obvodu bez vzájemného přesazení v axiálním směru.
2. 2. Diodový dělený vysokonapěťový transformátor podle nároku 1. vyznačující se tím, že po obvodu lamely (2) jsou uspořádány čtyři diody (3a - 3d).
3. 3. Diodový dělený vysokonapěťový transformátor podle nároku 1, vyznačující se tím, že diody (3) leží na vnějším okraji lamely (2) nebo v obvodové drážce (6), upravené ve vnějším okraji lamely (2).
4. 4. Diodový dělený vysokonapěťový transformátor podle nároku 1, vyznačující se tím, že diody (3) se svými připojovacími dráty jsou přidržovány na lamele (2) tvarovými úložnými prostředky.
5. 5. Diodový dělený vysokonapěťový transformátor podle nároku 4, vyznačující se tím, že připojovací dráty slouží jako podpěrné body pro upevnění konců drátů (8a, 8b) dílčích vinutí (7). ’ '
6. 6. Diodový dělený vysokonapěťový transformátor podle nároku 1, vyznačující se tím, že lamela (2) nebo stěna (5) komory (4) je vždy opatřena zkoseným vybráním (9), probíhajícím od jejího vnějšího okraje tangenciálně ke dnu (11) komory (4), aniž by byla lamela (2) nebo stěna (5) komory (4) úplně přerušena, kterým je veden drát (8b) vinutí od jedné svorky diody (3) nebo od podpěrného bodu na okraji komory (4) ke dnu (11) komory (4).
7. 7. Diodový dělený vysokonapěťový transformátor podle nároku 1, vyznačující se tím, že na vnějším okraji lamely (2) nebo stěny (5) komory (4) je v místě, kde zkošené vybrání (9) začíná, upraven radiální výstupek (10) jako vratný bod pro drát (8b) vinutí.
8. 8. Diodový dělený vysokonapěťový transformátor podle nároku 1, vyznačující se tím. že dráty (8) vinutí probíhají od jedné svorky diody (3) nebo od podpěrného bodu ke dnu (11) komory (4) v axiálním směru kostry (1) cívky přes několik navinutých komor (4).
9. 9. Diodový dělený vysokonapěťový transformátor podle nároku 1, vyznačující se tím. že na kostře (22) cívky leží přídavná vinutí (23), na nich primární vinutí (25) a na něm sekundární vinutí (29) a nad přídavnými vinutími (23) je uspořádána objímka (24), která tvoří hladký základ pro primární vinutí (25).
10. 10. Diodový dělený vysokonapěťový transformátor podle nároku 9, vyznačující se tím, že kostra (22) cívky je opatřena nopkovitými výstupky (210), rozmístěnými po jejím obvodu a její délce a sloužící jako podpěrné body objímky (24), jejichž výška je větší, než je maximální výška přídavných vinutí (23).
11. 11. Způsob navíjení diodového děleného vysokonapěťového transformátoru podle nároku 8, vyznačující se tím, že komory (4) ležící za sebou v axiálním směru kostry (1) cívky, se navíjejí v takovém pořadí, že dráty (8) vinutí od diody (3) nebo podpěrného bodu (M) ke komoře (4) se pokládají pouze přes ty komory (4), které již předtím byly navinuty.
12. 12. Způsob podle nároku 11, vyznačující se tím, že smysl v axiálním směru, v němž se jednotlivé komory (4) za sebou navíjejí, je pro za sebou následující skupiny komor (4) opačný.