CS267561B1 - Vícestupňový tranzistor typu Darlington s vysokou odolnosti proti druhému průrazu - Google Patents

Abstract

óče lem řešeni je odstraněni nevýhod dosavadních konstrukcí vícestupňových tranzistorů a dosaženi přiznivějSi reldce mezi odolností tranzistoru proti druhému průrazu a proudovým zesilovacím činitelem h21£ nakrátko. Uvedeného účelu ae dosáhne konstrukci vícestupňového tranzistoru typu Darlington, kde tloušíka vrstvy základního polovodičového materiálu v prostoru pod členěnou emitorovou vrstvou posledního stupně js větěi nějméně o 10 %, než tloušíka vrstvy základního polovodičového materiálu v prostoru pod členěnou emitorovou vrstvou prvního stupně.

Description

s vysokou odolnosti proti druhému průrazu (57) _óče lem řešeni Je odstraněni nevýhod dosavadních konstrukci vícestupňových tranzistorů a dosaženi přiznivějěi reláce mezi odolnosti tranzistoru proti druhému průrazu a proudovým zesilovacím činitelem h_21£ nakrátko.

Uvedeného účelu ae dosáhne konstrukci vícestupňového tranzistoru typu Darlington, kde tloušíka vrstvy základního polovodičového materiálu v prostoru pod členěnou emitorovou vrstvou posledního stupně js větěi nějméně o 10 %, než tloušíka vrstvy základního polovodičového materiálu v prostoru pod členěnou emitorovou vrstvou prvního stupně.

CS 267561 Bl

CS 267 561 81

Vynález se týká vícestupňového tranzistoru typu Derlington β vysokou odolnosti proti druhému průrazu a s vysokým proudovým zesilovacím činitelem h^^.

Známé typy vícestupňových tranzistorů typu Darlington máji shodnou tlouštku vrstvy základního polovodičového materiálu váech stupňů. To mé za následek u konstrukci vícestupňových tranzistorů typu Darlington s vysokým proudovým zesilovacím činitelem h_21E nízkou odolnost proti druhému průrazu. U konstrukcí β nízkým proudovým zesilovacím činitelem h^_lE Jsou nevýhodou zvýéenó nároky na výkon řídicích zdrojů.

Tyto nevýhody odstraňuje vícestupňový tranzistor typu Darlington s vysokou odolnosti proti druhému průrazu podle vynálezu. Jehož podstata spočívá v tom, že tlouštka vrstvy základního polovodičového materiálu v prostoru pod členěnou emltorovou vrstvou posledního stupně Js větši nejméně o 10% než tlouštka vrstvy základního polovodičového materiálu v prostoru pod členěnou emltorovou vrstvou prvního stupně.

Výhodou této konstrukce Je, že dochází oproti známým typům vícestupňových tranzistorů typu Darlington k příznivější relaci mezi odolnosti tranzistoru proti druhému průrazu, případně mezí napětím U_r U---» a proudovým zesilovacím činitelem h„ _ nakrátko.

vtíu CcU 2lE

Na připojeném výkresu Je znázorněna struktura dvoustupňového tranzistoru v Darlingtonově zapojeni v částečném řezu.

Dvoustupňový tranzistor typu Darlington sestává z vrstvy ll a 21 základního polovodičového materiálu, vnější vysoce dotované vrstvy 12 a 22, bázové vratvy 13 a 23, kontaktů 14 a 24 báze, členěné emitorové vrstvy 15 a 25 a kontaktů 16 a 26 emitoru.

V oblasti prvního stupně 10 Je před vytvořením koncentračního profilu bázové vrstvy 13 odleptána z téže strany polovodičové destičky část vrstvy 11 základního polovodičového materiálu, takže po vytvořeni bázové vrstvy 13 a emitorové vrstvy 15 je v oblasti prvního stupně 10 v prostoru pod členěnou emltorovou vrstvou 15 tlouštka vrstvy ll základního polovodičového materiálu 65jJro.

V oblasti druhého stupně 20 tlouštka vrstvy 21 základního polovodičového materiálu pod členěnou emltorovou vrstvou 25 Je 80 /zm.

Nižší tlouštka vrstvy ll základního polovodičového mateřiélu prvního stupně 10 přináší zlepšeni hodnoty vypínači doby t_Qff, proudového zesilovacího činitele h₂^_E nakrátko a propustných vlastnosti vícestupňového tranzistoru, přičemž nenastává sníženi hodnoty napšti druhého průrazu, které je určováno vlastnostmi druhého stupně 20.

Konstrukce vícestupňového tranzistoru podle vynálezu Je vhodná pro výkonové tranzistory pro vysoká napětí, určené pro provoz ve epinecira režimu s induktivní zátěži.

Claims (1)

1. Předmět vynálezu

   Vícestupňový tranzistor typu Darlington s vysokou odolnosti proti druhému průrazu, obsahujíc! struktury dvou nebo vice stupňů, přičemž každý stupěň obsahuje vrstvu základního polovodičového materiálu, ke které z Jedné strany přiléhá vnější vysoce dotovaná vrstva materiálu stejného typu elektrické vodivosti Jako vrstva základního polovodičového materiálu a z druhé strany přiléhá bázová vrstva opačného typu elektrické vodivosti, než má vrstva základního polovodičového materiálu,přičemž bázová vrstva je opatřena na vnější části plochy Jednak kontaktem báze a Jednak členěnou emltorovou vrstvou, opatřenou kontaktem emitoru, zatímco vnější vysoce dotovaná vrstva Je opatřena kontaktem spojeným s prvni hlavni elektrodou vícestupňového tranzistoru, přičemž kontakt emitoru předcházejícího stupně je spojen s kontaktem báze následujícího stupně, dále kontakt emitoru posledního etupně Je připojen k druhé hlavni elektrodě vícestupňového tranzistoru a kontakt báze prvního etupně Je spojen s třetí hlavni elektrodou vícestupňového tranzistoru, vyznačený tim, že tlouštka vrstvy (21) základního polovodičového materiálu v prostoru pod členěnou eroitorou vrstvou (25) posledního etupně (20) Je větěi nejméně o 10%, než tlouštka vrstvy (ll) základního polovodičového materiálu v proetoru pod členěnou emltorovou vrstvou (15) prvního stupně(lO).

   1 výkres •’Ί

   CS 267 561 Bl