CS252860B1 - Sposob vytvárania tenkých vrstiev karbidu volfrámu na elektricky vodivom substráte - Google Patents

Sposob vytvárania tenkých vrstiev karbidu volfrámu na elektricky vodivom substráte Download PDF

Info

Publication number
CS252860B1
CS252860B1 CS841756A CS175684A CS252860B1 CS 252860 B1 CS252860 B1 CS 252860B1 CS 841756 A CS841756 A CS 841756A CS 175684 A CS175684 A CS 175684A CS 252860 B1 CS252860 B1 CS 252860B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
electrically conductive
tungsten carbide
conductive substrate
thin layers
tungsten
Prior art date
Application number
CS841756A
Other languages
English (en)
Slovak (sk)
Other versions
CS175684A1 (en
Inventor
Milan Ferdinandy
Mikulas Czajlik
Jozef Kral
Dusan Liska
Original Assignee
Milan Ferdinandy
Mikulas Czajlik
Jozef Kral
Dusan Liska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Milan Ferdinandy, Mikulas Czajlik, Jozef Kral, Dusan Liska filed Critical Milan Ferdinandy
Priority to CS841756A priority Critical patent/CS252860B1/cs
Publication of CS175684A1 publication Critical patent/CS175684A1/cs
Publication of CS252860B1 publication Critical patent/CS252860B1/cs

Links

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

Riešenie sa týká spůsobu vytvárania tenkých vrstiev karbidu1 wolfrámiu na elektricky vodivom substráte, kitorý je katodou v iónovoplátovacolm systéme na záporném elefctrickom potenciáli oproti uzemnene) vakuové j komory. Sposob vytvárania vrstvy sa prevádza tak, že sa na substrát posobí plazmou, ktorá je tvořená parami sublimujúeeho hexakairbonylu wotfrámu a etínoím alebo eténorn, a to za zmizeného tlaikrn z intervalu ΙΟ'3 Pa až 102 Pa. 252860 252860
Vynález sa týká spósobu vytvárainia tenkých vrstiev karbidu wolfrámu na elektricky vodivom substráte. V súčasinoisti existuje celý rad metód a technologických postupov pire vytváranie tenkých vrstiev karbidu wolfrámu. Medzi oajvýznaimmejšie patří metoda priaoneiho odparioivarta karbidu wotlfrámu ai chemické metody (tzv. CVDJ, ďalej sú to· metody napr. založené na eleikitroísikrovom nanášainí a metody plazmových nástrekov.
Doposial' používané metody založené na priamoím odpařovaní karbidu wolfrámu sú sprevádzamé ťažkosía/mi spojenými s vysokou teplotou oidparovainia, malou rýchloisťou odparovania a nanášania vrstiev, ako aj s problémami pri dodržaní požadovaného poměru v zastúpemí wolfrámu a uhlíka vo vrstvě. Chemické sposoby přípravy vrstiev karbidu wolfrámu sú známe, avšak značme náročné na dodržanie požadovaných podmienok přípravy, vrstvy .majú nízku čistotu a odpadiné produkty sú korózne. Vrstvy připravené vyššie uvedenými1 metodami sú taktiež nedostatočme přilnavé.
Vyššie uvedené nedostatky odstraňuje sposob vytvárania tenkých vrstiev karbidu wolfrámu na elektricky vodivom substráte, kterého podstatou je, že na elektricky vodivý substrát, ktorý je katodou na zápornom električkám potenciáli 0 až 10 ikV oproti uzemnenej vákuovej ikomoire v iónovoplátovacom systéme sa pósobí plazmou tvořenou sublimujúclmi parami hexiakarboinylu wolframu a efínom alébo eténom pri tlaku z intervalu ÍO-3 Pa až 102 Pa. Výhoda spósobu vytvárania tenkých vrstiev karbidu wolfrámu na elektricky 'vodivom substráte podlá vynálezu spočívá v tom, že vrstvy karbidu wolfrámu sú vysoko přilnavé, dosahujú požadovánu čistotu, s možnosťou dosiahinuitia vysokej rýchlosti rastu vrstvy počas inamášamia, ktorá závisí na rýchlosti siubliímácie héxakUrbonylu· wolfrámu1, ktorú možno regulovat intenzitou jeho ohřevu. Ďalšou výhodioiu sposobu podlá vynálezu je možnost ovplyvňovať zloženie, štruktúru, a mechanické vlastnosti vrstvy, a to velkoisťou tlaku vo vákuovej komoře, rýchlosťou sublimácie ihexafcarbioímylu wolfrámu, imnožsitvom napúšťaného etínu alebo eténu a elektrickými parametrami stimulácie plazmy. Ďalšia výhoda sposobu padla vynálezu spočívá v tom, že produkty rozkladu hexakarbonylu wolfrámu, wolfrám a oxid uholinaitý nepůsobila korózne na substrát a na vákuové zariadenie.
Uvedený spósob bol overený ina nainášaní vrstiev karbidu wolframu na substráty z rýchloirezinej ocele a SK. Hexakarbonyl wolfrámu sublimoval do priestoru plazmy tvorenej napúšťaným etínom, odporovým ohreivom ipri tlaku vo vákuovej komoře 5 . . 10-1 Pa, a rýclhlosti sublimácie 1 g . min-1, zápornom električkám potenciáli na substráte oproti uzemineinej vákuovej Ikomore —2,8 kV, pri stimulácii elektrického' výboja pomocným elektrodovým systémom. Za týchto podmienok. iktoré trvali 20 min., na povrchu subsítrátoy vznikli vrstvy karbidu wolfrámu o hrůbkách 1,8 ,um a mikrotvrdlosti 19 000 N . mm"2. V dalšom případe podobné ako v predoaloím, hexakarbonyl wolfrámu sublimoval pomocou odporového ohřevu do priestoru plazmy, ktorá však bola vytvořená v eténe pri tlaku voi vákuovej Ikomore 7 . 10"2 Pa, rýchlosti sublimácie 0,7 g. min"1, a záporném elektrickom potenciáli na substráte z rýcbloreznej ocele —3 kV oproti uzeminenej vákuovej komoře. V tomto případe na povrchu substrátu vznikla vrstva o hrúbke 0,8 /an, 'milkrotvrdosti 18 000 N . mm"2. Vrstva karbidu wolfrámu vytvořená týmto postupom malia oproti vrstvám z predtošlého příkladu jeminozunejšiu štruktúru pri porovnatelné velkej mikirotvrdosti a koeficiente trenia v protikuse s ocelou.
Sposob vytvárania vrstiev karbidu wolfrámu možno využil pri príprave povlakov na elektricky vodivých materiálech, připadne na materláloch predupravených elektricky vodivou vrstvou, a to obzvlášť v oblasti nástrojov, súčiastok tribologíckých uzlov a súčiastok, ikitoré sú namáhané za vysokých teplóit.

Claims (1)

  1. PREDMET Spósob vytvárania tenkých vrstiev karbidu wolfrámu na elektricky vodivom substráte, ktorý je katodou ina zápornom elekitrickom potenciál! 0 až 10 kV oproti uzemneinej vákuovej komoře v iómavoipláto>vaeom VYNÁLEZU systéme, vyznačený tým·, že na elektricky vodivý substrát sia pósobí plazmou tvořenou sublimujúclmi parami ihexalkarbonylu wolframu a etínom, alebo eténom pri tlaku z intervalu 10 "3 Pa až 102 Pa.
CS841756A 1984-03-12 1984-03-12 Sposob vytvárania tenkých vrstiev karbidu volfrámu na elektricky vodivom substráte CS252860B1 (sk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS841756A CS252860B1 (sk) 1984-03-12 1984-03-12 Sposob vytvárania tenkých vrstiev karbidu volfrámu na elektricky vodivom substráte

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS841756A CS252860B1 (sk) 1984-03-12 1984-03-12 Sposob vytvárania tenkých vrstiev karbidu volfrámu na elektricky vodivom substráte

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS175684A1 CS175684A1 (en) 1987-03-12
CS252860B1 true CS252860B1 (sk) 1987-10-15

Family

ID=5352740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS841756A CS252860B1 (sk) 1984-03-12 1984-03-12 Sposob vytvárania tenkých vrstiev karbidu volfrámu na elektricky vodivom substráte

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS252860B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS175684A1 (en) 1987-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Nakamura et al. Applications of wear-resistant thick films formed by physical vapor deposition processes
Freller et al. TixAl1− xN films deposited by ion plating with an arc evaporator
JPS6483656A (en) Method and vacuum painting machine for applying film to base layer
WO2008145459A1 (de) Vakuumbehandlungsanlage und vakuumbehandlungsverfahren
GB2055403A (en) Method for depositing hard wear-resistant coatings on substrates
ATE10953T1 (de) Ablagerungsverfahren fuer eine harte metallschicht und ablagerungsart fuer ein solches verfahren, insbesondere ein schmuckstueck mit solch einer schicht.
US5272014A (en) Wear-resistant coating for substrate and method for applying
Scheibe et al. The laser-arc: a new industrial technology for effective deposition of hard amorphous carbon films
US5192578A (en) Method of producing coating using negative dc pulses with specified duty factor
JPH0513082B2 (cs)
US3321337A (en) Process for preparing boron nitride coatings
Fleischer et al. Reactive ion plating (RIP) with auxiliary discharge and the influence of the deposition conditions on the formation and properties of TiN films
CA2000275A1 (en) Process for the production of thin molybdenum sulfide films
CS252860B1 (sk) Sposob vytvárania tenkých vrstiev karbidu volfrámu na elektricky vodivom substráte
Stowell Ion-plated titanium carbide coatings
Vershinin et al. Vacuum arc deposition of Mo films
JP2618281B2 (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極およびその製造方法
Wolf Modification of chemical properties by ion beam mixing techniques
Metzner et al. Plasma-activated electron beam deposition with diffuse cathodic vacuum arc discharge (SAD): a technique for coating strip steel
Weissmantel et al. Ion beam techniques for thin and thick film deposition
RU2342468C1 (ru) Способ формирования сверхтвердого легированного углеродного покрытия на кремнии в вакууме
DE2624005C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von dünnen Schichten auf ein Substrat nach dem "Ion-plating"-Verfahren.
EP3665315B1 (de) Anordnung zur beschichtung von substratoberflächen mittels elektrischer lichtbogenentladung
DE2153861A1 (en) Protective coatings - esp of metal carbonitride on heat-sensitive supports eg aluminium glass,carbon-steel
US4528939A (en) Electrically conductive containment vessel for molten aluminum