CS252860B1 - Sposob vytvárania tenkých vrstiev karbidu volfrámu na elektricky vodivom substráte - Google Patents
Sposob vytvárania tenkých vrstiev karbidu volfrámu na elektricky vodivom substráte Download PDFInfo
- Publication number
- CS252860B1 CS252860B1 CS841756A CS175684A CS252860B1 CS 252860 B1 CS252860 B1 CS 252860B1 CS 841756 A CS841756 A CS 841756A CS 175684 A CS175684 A CS 175684A CS 252860 B1 CS252860 B1 CS 252860B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- electrically conductive
- tungsten carbide
- conductive substrate
- thin layers
- tungsten
- Prior art date
Links
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
Riešenie sa týká spůsobu vytvárania tenkých vrstiev karbidu1 wolfrámiu na elektricky vodivom substráte, kitorý je katodou v iónovoplátovacolm systéme na záporném elefctrickom potenciáli oproti uzemnene) vakuové j komory. Sposob vytvárania vrstvy sa prevádza tak, že sa na substrát posobí plazmou, ktorá je tvořená parami sublimujúeeho hexakairbonylu wotfrámu a etínoím alebo eténorn, a to za zmizeného tlaikrn z intervalu ΙΟ'3 Pa až 102 Pa. 252860 252860
Vynález sa týká spósobu vytvárainia tenkých vrstiev karbidu wolfrámu na elektricky vodivom substráte. V súčasinoisti existuje celý rad metód a technologických postupov pire vytváranie tenkých vrstiev karbidu wolfrámu. Medzi oajvýznaimmejšie patří metoda priaoneiho odparioivarta karbidu wotlfrámu ai chemické metody (tzv. CVDJ, ďalej sú to· metody napr. založené na eleikitroísikrovom nanášainí a metody plazmových nástrekov.
Doposial' používané metody založené na priamoím odpařovaní karbidu wolfrámu sú sprevádzamé ťažkosía/mi spojenými s vysokou teplotou oidparovainia, malou rýchloisťou odparovania a nanášania vrstiev, ako aj s problémami pri dodržaní požadovaného poměru v zastúpemí wolfrámu a uhlíka vo vrstvě. Chemické sposoby přípravy vrstiev karbidu wolfrámu sú známe, avšak značme náročné na dodržanie požadovaných podmienok přípravy, vrstvy .majú nízku čistotu a odpadiné produkty sú korózne. Vrstvy připravené vyššie uvedenými1 metodami sú taktiež nedostatočme přilnavé.
Vyššie uvedené nedostatky odstraňuje sposob vytvárania tenkých vrstiev karbidu wolfrámu na elektricky vodivom substráte, kterého podstatou je, že na elektricky vodivý substrát, ktorý je katodou na zápornom električkám potenciáli 0 až 10 ikV oproti uzemnenej vákuovej ikomoire v iónovoplátovacom systéme sa pósobí plazmou tvořenou sublimujúclmi parami hexiakarboinylu wolframu a efínom alébo eténom pri tlaku z intervalu ÍO-3 Pa až 102 Pa. Výhoda spósobu vytvárania tenkých vrstiev karbidu wolfrámu na elektricky 'vodivom substráte podlá vynálezu spočívá v tom, že vrstvy karbidu wolfrámu sú vysoko přilnavé, dosahujú požadovánu čistotu, s možnosťou dosiahinuitia vysokej rýchlosti rastu vrstvy počas inamášamia, ktorá závisí na rýchlosti siubliímácie héxakUrbonylu· wolfrámu1, ktorú možno regulovat intenzitou jeho ohřevu. Ďalšou výhodioiu sposobu podlá vynálezu je možnost ovplyvňovať zloženie, štruktúru, a mechanické vlastnosti vrstvy, a to velkoisťou tlaku vo vákuovej komoře, rýchlosťou sublimácie ihexafcarbioímylu wolfrámu, imnožsitvom napúšťaného etínu alebo eténu a elektrickými parametrami stimulácie plazmy. Ďalšia výhoda sposobu padla vynálezu spočívá v tom, že produkty rozkladu hexakarbonylu wolfrámu, wolfrám a oxid uholinaitý nepůsobila korózne na substrát a na vákuové zariadenie.
Uvedený spósob bol overený ina nainášaní vrstiev karbidu wolframu na substráty z rýchloirezinej ocele a SK. Hexakarbonyl wolfrámu sublimoval do priestoru plazmy tvorenej napúšťaným etínom, odporovým ohreivom ipri tlaku vo vákuovej komoře 5 . . 10-1 Pa, a rýclhlosti sublimácie 1 g . min-1, zápornom električkám potenciáli na substráte oproti uzemineinej vákuovej Ikomore —2,8 kV, pri stimulácii elektrického' výboja pomocným elektrodovým systémom. Za týchto podmienok. iktoré trvali 20 min., na povrchu subsítrátoy vznikli vrstvy karbidu wolfrámu o hrůbkách 1,8 ,um a mikrotvrdlosti 19 000 N . mm"2. V dalšom případe podobné ako v predoaloím, hexakarbonyl wolfrámu sublimoval pomocou odporového ohřevu do priestoru plazmy, ktorá však bola vytvořená v eténe pri tlaku voi vákuovej Ikomore 7 . 10"2 Pa, rýchlosti sublimácie 0,7 g. min"1, a záporném elektrickom potenciáli na substráte z rýcbloreznej ocele —3 kV oproti uzeminenej vákuovej komoře. V tomto případe na povrchu substrátu vznikla vrstva o hrúbke 0,8 /an, 'milkrotvrdosti 18 000 N . mm"2. Vrstva karbidu wolfrámu vytvořená týmto postupom malia oproti vrstvám z predtošlého příkladu jeminozunejšiu štruktúru pri porovnatelné velkej mikirotvrdosti a koeficiente trenia v protikuse s ocelou.
Sposob vytvárania vrstiev karbidu wolfrámu možno využil pri príprave povlakov na elektricky vodivých materiálech, připadne na materláloch predupravených elektricky vodivou vrstvou, a to obzvlášť v oblasti nástrojov, súčiastok tribologíckých uzlov a súčiastok, ikitoré sú namáhané za vysokých teplóit.
Claims (1)
- PREDMET Spósob vytvárania tenkých vrstiev karbidu wolfrámu na elektricky vodivom substráte, ktorý je katodou ina zápornom elekitrickom potenciál! 0 až 10 kV oproti uzemneinej vákuovej komoře v iómavoipláto>vaeom VYNÁLEZU systéme, vyznačený tým·, že na elektricky vodivý substrát sia pósobí plazmou tvořenou sublimujúclmi parami ihexalkarbonylu wolframu a etínom, alebo eténom pri tlaku z intervalu 10 "3 Pa až 102 Pa.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS841756A CS252860B1 (sk) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | Sposob vytvárania tenkých vrstiev karbidu volfrámu na elektricky vodivom substráte |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS841756A CS252860B1 (sk) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | Sposob vytvárania tenkých vrstiev karbidu volfrámu na elektricky vodivom substráte |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS175684A1 CS175684A1 (en) | 1987-03-12 |
| CS252860B1 true CS252860B1 (sk) | 1987-10-15 |
Family
ID=5352740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS841756A CS252860B1 (sk) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | Sposob vytvárania tenkých vrstiev karbidu volfrámu na elektricky vodivom substráte |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS252860B1 (cs) |
-
1984
- 1984-03-12 CS CS841756A patent/CS252860B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS175684A1 (en) | 1987-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Nakamura et al. | Applications of wear-resistant thick films formed by physical vapor deposition processes | |
| Freller et al. | TixAl1− xN films deposited by ion plating with an arc evaporator | |
| JPS6483656A (en) | Method and vacuum painting machine for applying film to base layer | |
| WO2008145459A1 (de) | Vakuumbehandlungsanlage und vakuumbehandlungsverfahren | |
| GB2055403A (en) | Method for depositing hard wear-resistant coatings on substrates | |
| ATE10953T1 (de) | Ablagerungsverfahren fuer eine harte metallschicht und ablagerungsart fuer ein solches verfahren, insbesondere ein schmuckstueck mit solch einer schicht. | |
| US5272014A (en) | Wear-resistant coating for substrate and method for applying | |
| Scheibe et al. | The laser-arc: a new industrial technology for effective deposition of hard amorphous carbon films | |
| US5192578A (en) | Method of producing coating using negative dc pulses with specified duty factor | |
| JPH0513082B2 (cs) | ||
| US3321337A (en) | Process for preparing boron nitride coatings | |
| Fleischer et al. | Reactive ion plating (RIP) with auxiliary discharge and the influence of the deposition conditions on the formation and properties of TiN films | |
| CA2000275A1 (en) | Process for the production of thin molybdenum sulfide films | |
| CS252860B1 (sk) | Sposob vytvárania tenkých vrstiev karbidu volfrámu na elektricky vodivom substráte | |
| Stowell | Ion-plated titanium carbide coatings | |
| Vershinin et al. | Vacuum arc deposition of Mo films | |
| JP2618281B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム電極およびその製造方法 | |
| Wolf | Modification of chemical properties by ion beam mixing techniques | |
| Metzner et al. | Plasma-activated electron beam deposition with diffuse cathodic vacuum arc discharge (SAD): a technique for coating strip steel | |
| Weissmantel et al. | Ion beam techniques for thin and thick film deposition | |
| RU2342468C1 (ru) | Способ формирования сверхтвердого легированного углеродного покрытия на кремнии в вакууме | |
| DE2624005C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von dünnen Schichten auf ein Substrat nach dem "Ion-plating"-Verfahren. | |
| EP3665315B1 (de) | Anordnung zur beschichtung von substratoberflächen mittels elektrischer lichtbogenentladung | |
| DE2153861A1 (en) | Protective coatings - esp of metal carbonitride on heat-sensitive supports eg aluminium glass,carbon-steel | |
| US4528939A (en) | Electrically conductive containment vessel for molten aluminum |