CN2886532Y - 微压耐腐蚀压力传感器 - Google Patents
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Abstract
一种微压耐腐蚀压力传感器，包括一个带有引线、参考压腔的金属壳体，其特征在于所述金属壳体内粘接硅微压力传感器芯片，芯片采用金丝与引线键合连接，金属壳体、金铂银铜合金膜片以及压焊环采用激光焊接，在金铂银铜合金膜片与硅压力传感器芯片之间充满硅油，引线端连结有厚膜电阻补偿网络。上述金铂银铜合金膜片是采用金铂银铜合金71.5∶7.5∶6∶15制成的膜片。上述金铂银铜合金膜片是采用金铂银铜合金71.5∶7.5∶6∶15制成的15μm厚度的膜片。该微压耐腐蚀压力传感器，不仅可以测量10kpa以下微小压力，而且耐腐蚀性较好。
Description
技术领域 本实用新型涉及一种压力传感器，特别是一种可测量微压的耐腐蚀压力传感器。
背景技术 目前，硅压力传感器通常采用不锈钢制作介质隔离膜片，在不锈钢膜片与硅压力传感器芯片之间充满硅油形成耐腐蚀压力传感器。不锈钢膜片起隔离保护硅压力传感器芯片的作用，防止被测介质对硅芯片的侵蚀。考虑到硬度、耐腐蚀性等因素，不锈钢膜片不能轧制得很薄，通常选用厚度为25μm。由于硅油热膨胀及不锈钢膜片应力的影响，不锈钢膜片的硅耐腐蚀压力传感器很难做到20kpa以下量程的产品，同时不锈钢膜片的耐腐蚀性也较差。
发明内容 本实用新型提供一种不仅可以测量10kpa以下微小压力，而且耐腐蚀性较好微压耐腐蚀压力传感器。
为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案是：该微压耐腐蚀压力传感器包括一个带有引线、参考压腔的金属壳体，其特征在于所述金属壳体内粘接硅微压力传感器芯片，芯片采用金丝与引线键合连接，金属壳体、金铂银铜合金膜片以及压焊环采用激光焊接，在金铂银铜合金膜片与硅压力传感器芯片之间充满硅油，引线端连结有厚膜电阻补偿网络。
上述金铂银铜合金膜片是采用金铂银铜合金71.5∶7.5∶6∶15制成的膜片。
上述金铂银铜合金膜片是采用金铂银铜合金71.5∶7.5∶6∶15制成的15μm厚度的膜片。
本实用新型提供的微压耐腐蚀压力传感器，不仅可以测量10kpa以下微小压力，而且耐腐蚀性较好。
附图说明 附图为本实用新型结构示意图。
图中：1-压焊环；2-金铂银铜合金膜片；3-硅油；4-陶瓷保护座；5-密封玻璃；6-参考压腔；7-厚膜电阻补偿网络；8-引线；9-壳体；10-硅压力传感器芯片；11-金丝。
具体实施方式 如图所示，壳体9设计有参考压力腔6及通过绝缘玻璃5烧结的引线8。硅压力传感器芯片10粘接于壳体9，背压腔与参考压腔6接通，正面电路通过金丝11键合与引线8连接。陶瓷保护座4粘接于壳体9的腔体内对金铂银铜合金膜片2起限位作用，同时对硅压力传感器芯片10和连结金丝11起保护作用。壳体9的正面与金铂银铜合金膜片2及压焊环1通过激光焊接为一体，金铂银铜合金膜片2与硅压力传感器芯片10间充有硅油3传递压力，在壳体9背面引线8的一端焊有厚膜电阻补偿网络7对微压力耐腐蚀传感器的输出及温度漂移进行补偿。
上述金铂银铜合金膜片(71.5∶7.5∶6∶15)2可以轧制得很薄，压制成约15μm厚度的薄片，不仅可以测量10kpa以下微小压力，而且耐腐蚀性较好。
Claims (3)
1、一种微压耐腐蚀压力传感器，包括一个带有引线(8)、参考压腔(6)的金属外壳(9)，其特征在于所述金属外壳(9)内粘接硅微压力传感器芯片(10)，芯片(10)采用金丝(11)与引线(8)键合连接，金属外壳(9)、金铂银铜合金膜片(2)以及焊接压环(1)采用激光焊接，在金铂银铜合金膜片(2)与硅微压力传感器芯片(10)之间充满硅油(3)，引线(8)的一端连结有厚膜电阻网络(7)。
2、根据权利要求1所述的微压耐腐蚀压力传感器，其特征在于上述金铂银铜合金膜片(2)是采用金铂银铜合金71.5:7.5:6:15制成的膜片。
3、根据权利要求2所述的微压耐腐蚀压力传感器，其特征在于上述金铂银铜合金膜片(2)是采用金铂银铜合金71.5:7.5:6:15制成的15μm厚度的膜片。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2005
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: TIANSHUI HUATIAN SENSOR CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: HUATIAN MICRO-ELECTRONIC CO., LTD., TIANSHUI Effective date: 20110712 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20110712 Address after: 741000 No. 14 Shuangqiao Road, Gansu, Tianshui Patentee after: Tianshui Huatian Sensor Co., Ltd. Address before: 741000 No. 14 Shuangqiao Road, Gansu, Tianshui Patentee before: Huatian Micro-electronic Co., Ltd., Tianshui |
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| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20070404 Termination date: 20130616 |