CN222582905U - 一种基于9v高压倒装芯片封装cob光源 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种基于9V高压倒装芯片封装COB光源，包括：金属基板、有机材料围坝、多个9V倒装LED芯片、荧光粉胶体；所述金属基板的表面预印制有连接电路；所述有机材料围坝设置在金属基板表面上，且所围的圆形坝形成LED芯片固定区域；多个所述9V倒装LED芯片均匀分布在有机材料围坝的LED芯片固定区域内，且与金属基板上的连接电路进行电气连接；所述荧光粉胶体均匀的涂覆在有机材料围坝的LED芯片固定区域内，并且覆盖9V倒装LED芯片。本实用新型的单颗9V LED芯片，能够大幅度降低LED芯片数量的使用，达到与现有LED COB光源同样功率的基础上，实现更高可靠性和更小LES的优势。

Description

一种基于9V高压倒装芯片封装COB光源

技术领域

本实用新型涉及LED技术领域，特别涉及一种基于9V高压倒装芯片封装COB光源。

背景技术

随着LED技术的快速发展，LED光源因其高能效、长寿命和环境友好性等优势，已逐步取代传统光源成为新一代的人造光源。LED COB(Chip On Board)光源作为LED照明应用产品中非常重要的一种，通过在金属基板上固定并电气连接多个3V LED芯片，并在其上涂覆荧光粉胶体，以实现照明功能。

然而，现有LED COB光源存在一些技术和应用上的局限性。具体来说，现有技术通常采用12颗、24颗、36颗或更多以12的倍数设计的3V LED芯片，通过串联方式达到36V的输入电压，以匹配市场上通用的LED驱动电源。这种设计存在以下不足：

由于需要使用大量12*n(其中n为1、2、3...)的3vLED芯片来达到适配器的电压要求，一旦其中任何一颗芯片出现问题，不管是短路还是开路，都有可能导致光源工作异常，发生品质问题，使整个光源的工作就会受到影响，导致光源的可靠性下降。

大量的3VLED芯片分布在围坝内，围坝的尺寸也即行业内通称的发光面积LES(light Emitting Surface)便很难控制得很小；同时由于颗数过多，导致整体光源发光面过大，客户在高端产品应用过程中，设计光学时候无法满足设计小角度产品，例如15度角以内需求。因为小LES是更有利于照明产品上进行二次光学设计的。因此需要进一步改进。

实用新型内容

针对现有技术存在的问题，本实用新型提供一种基于9V高压倒装芯片封装COB光源。

为了实现上述目的，本实用新型技术方案如下：

本实用新型提供一种基于9V高压倒装芯片封装COB光源，包括：金属基板、有机材料围坝、多个9V倒装LED芯片、荧光粉胶体；

所述金属基板的表面预印制有连接电路；

所述有机材料围坝设置在金属基板表面上，且所围的圆形坝形成LED芯片固定区域；

多个所述9V倒装LED芯片均匀分布在有机材料围坝的LED芯片固定区域内，且与金属基板上的连接电路进行电气连接；

所述荧光粉胶体均匀的涂覆在有机材料围坝的LED芯片固定区域内，并且覆盖9V倒装LED芯片。

优选地，所述金属基板设为铝基板或铜基板。

优选地，所述9V倒装LED芯片通过共晶或固晶胶粘接的方式固定在LED芯片固定区域内。

优选地，多个所述9V倒装LED芯片的数量为4的整数倍。

优选地，所述有机材料围坝的尺寸根据所需的发光面积进行调整。

优选地，所述9V倒装LED芯片与连接电路的电气连接方式为共晶电气连接或导电金属线打线进行连接。

优选地，所述9V倒装LED芯片的数量为4颗时，其4颗9V倒装LED芯片为全串联，且发光面积直径小于4mm。

优选地，所述9V倒装LED芯片(4)的数量为8颗时，其8颗9V倒装LED芯片为4串2并联，且发光面积直径小于6mm。

采用本实用新型的技术方案，具有以下有益效果：

本技术方案LED COB光源应用了高电压LED倒装芯片，单颗9V LED芯片，能够大幅度降低LED芯片数量的使用，达到与现有LED COB光源同样功率的基础上，实现更高可靠性和更小LES的优势。常用数量为4颗、8颗、12颗，甚至更多4*n，其中n为1、2、3...；更少数量的9V LED芯片在一定空间内进行电气连接，自然提高了整个光源的可靠性；更少数量的9VLED芯片均匀分布在圆形围坝内，有效地降低了LED COB的发光面积LES(light EmittingSurface)，更有利于照明产品上进行二次光学设计的。

本实用新型提高可靠性：通过使用较少数量的9V高压倒装LED芯片，减少了单个光源中芯片的总数，从而降低了因单个芯片故障导致整个光源失效的风险。

本实用新型减小发光面积：由于减少了LED芯片的使用数量，可以在不牺牲功率输出的情况下，实现更小的发光面积(LES)，有利于高端照明产品进行二次光学设计，满足小角度照明的需求。

本实用新型兼容性好：本实用新型的LED COB光源保持与现有光源相同的36V输入电压，能够很好地兼容市场上通用的LED驱动电源输出。

本实用新型灵活性高：通过调整9V倒装LED芯片的数量，可以灵活设计不同功率的LED COB光源型号，满足多样化的照明产品需求。

附图说明

图1为本实施例1结构示意图；

图2为本实施例2结构示意图；

图3为现有技术的结构示意图一；

图4为现有技术的结构示意图二。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之

“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

实施例1：

参照图1，本实用新型提供一种基于9V高压倒装芯片封装COB光源，包括：金属基板1、有机材料围坝2、多个9V倒装LED芯片4、荧光粉胶体5；

所述金属基板1的表面预印制有连接电路，以实现电气连接，所述金属基板1设为铝基板或铜基板，铝基板或铜基板的使用，因其良好的热传导性能，有助于LED芯片的散热；

所述有机材料围坝2设置在金属基板1表面上，且所围的圆形坝形成LED芯片固定区域，可以保护LED芯片免受外界环境的影响，围坝的形状和大小决定了发光面积(LES)，进而影响光源的光学性能；所述有机材料围坝2的尺寸根据所需的发光面积进行调整。

多个所述9V倒装LED芯片4均匀分布在有机材料围坝2的LED芯片固定区域内，且与金属基板1上的连接电路进行电气连接；其中9V倒装LED芯片4被设计为在有机材料围坝2内均匀分布，这种分布有助于提供光源的均匀发光和优化光的输出，所述9V倒装LED芯片4通过共晶或固晶胶粘接的方式固定在LED芯片固定区域内，确保在后续的封装、使用和温度循环过程中芯片不会移位或脱落；所述9V倒装LED芯片与连接电路的电气连接方式为共晶电气连接或导电金属线打线进行连接，在LED光源的封装设计中，这些连接技术确保了LED芯片能够稳定、可靠地与外部电路相连，从而实现有效的电能转换为光能。

所述荧光粉胶体5均匀的涂覆在有机材料围坝2的LED芯片固定区域内，并且覆盖9V倒装LED芯片4，用于转换9V倒装LED芯片发出的光，以产生所需的色温和光色，荧光粉胶体的配方和用量根据光源的色温参数进行调整，以满足特定的照明需求。

多个所述9V倒装LED芯片的数量为4的整数倍，在本实施例1中9V倒装LED芯片的数量为4颗，其4颗9V倒装LED芯片为全串联，其中发光面积(LES)直径小于4mm，功率为4w，正常工作时的电流为100mA，输入电压为36v。

参照图3，LED芯片的数量为12个且均设为3V，能实现的典型光电参数为：功率为4W，常工作时的电流为100mA，输入电压为36V，LES：Ф8mm。

由此可知道采用4颗9V高压倒装芯片，36V电压封装COB光源的技术方案，可以提高整体光源可靠性的同时，也可以实现更小的LES。

实施例2：

参照图2，本实用新型提供一种基于9V高压倒装芯片封装COB光源，包括：金属基板1、有机材料围坝2、多个9V倒装LED芯片4、荧光粉胶体5；

所述金属基板1的表面预印制有连接电路，以实现电气连接，所述金属基板1设为铝基板或铜基板，铝基板或铜基板的使用，因其良好的热传导性能，有助于LED芯片的散热；

所述有机材料围坝2设置在金属基板1表面上，且所围的圆形坝形成LED芯片固定区域，可以保护LED芯片免受外界环境的影响，围坝的形状和大小决定了发光面积(LES)，进而影响光源的光学性能；所述有机材料围坝2的尺寸根据所需的发光面积进行调整。

多个所述9V倒装LED芯片4均匀分布在有机材料围坝2的LED芯片固定区域内，且与金属基板1上的连接电路进行电气连接；其中9V倒装LED芯片4被设计为在有机材料围坝2内均匀分布，这种分布有助于提供光源的均匀发光和优化光的输出，所述9V倒装LED芯片4通过共晶或固晶胶粘接的方式固定在LED芯片固定区域内，确保在后续的封装、使用和温度循环过程中芯片不会移位或脱落；所述9V倒装LED芯片与连接电路的电气连接方式为共晶电气连接或导电金属线打线进行连接，在LED光源的封装设计中，这些连接技术确保了LED芯片能够稳定、可靠地与外部电路相连，从而实现有效的电能转换为光能。

所述荧光粉胶体5均匀的涂覆在有机材料围坝2的LED芯片固定区域内，并且覆盖9V倒装LED芯片4，用于转换9V倒装LED芯片发出的光，以产生所需的色温和光色，荧光粉胶体的配方和用量根据光源的色温参数进行调整，以满足特定的照明需求。

多个所述9V倒装LED芯片的数量为4的整数倍，在本实施例1中9V倒装LED芯片的数量为8颗，其8颗9V倒装LED芯片为4串2并联，其中发光面积(LES)直径小于6mm，功率为12w，正常工作时的电流为200mA，输入电压为36v。

参照图4，LED芯片的数量为12个且均设为3V，能实现的典型光电参数为：功率为12W，正常工作时的电流为200mA，输入电压为36V，LES：Ф11mm。

由此可知道采用8颗9V高压倒装芯片，36V电压封装COB光源的技术方案，可以提高整体光源可靠性的同时，也可以实现更小的LES。

由上述实施例1和实施例2可知，本技术方案LED COB光源应用了高电压LED倒装芯片，单颗9V LED芯片，能够大幅度降低LED芯片数量的使用，达到与现有LED COB光源同样功率的基础上，实现更高可靠性和更小LES的优势。常用数量为4颗、8颗、12颗，甚至更多4*n；

1.更少数量的9V LED芯片在一定空间内进行电气连接，自然提高了整个光源的可靠性。

2.更少数量的9V LED芯片均匀分布在圆形围坝内，有效地降低了LED COB的发光面积LES(light Emitting Surface)，更有利于照明产品上进行二次光学设计的。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的实用新型构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种基于9V高压倒装芯片封装COB光源，其特征在于，包括：金属基板(1)、有机材料围坝(2)、多个9V倒装LED芯片(4)、荧光粉胶体(5)；

所述金属基板(1)的表面预印制有连接电路；

所述有机材料围坝(2)设置在金属基板(1)表面上，且所围的圆形坝形成LED芯片固定区域；

多个所述9V倒装LED芯片均匀分布在有机材料围坝(2)的LED芯片固定区域内，且与金属基板(1)上的连接电路进行电气连接；

所述荧光粉胶体(5)均匀的涂覆在有机材料围坝(2)的LED芯片固定区域内，并且覆盖9V倒装LED芯片(4)。

2.根据权利要求1所述的基于9V高压倒装芯片封装COB光源，其特征在于，所述金属基板(1)设为铝基板或铜基板。

3.根据权利要求1所述的基于9V高压倒装芯片封装COB光源，其特征在于，所述9V倒装LED芯片(4)通过共晶或固晶胶粘接的方式固定在LED芯片固定区域内。

4.根据权利要求3所述的基于9V高压倒装芯片封装COB光源，其特征在于，多个所述9V倒装LED芯片(4)的数量为4的整数倍。

5.根据权利要求1所述的基于9V高压倒装芯片封装COB光源，其特征在于，所述有机材料围坝(2)的尺寸根据所需的发光面积进行调整。

6.根据权利要求4所述的基于9V高压倒装芯片封装COB光源，其特征在于，所述9V倒装LED芯片(4)与连接电路的电气连接方式为共晶电气连接或导电金属线打线进行连接。

7.根据权利要求6所述的基于9V高压倒装芯片封装COB光源，其特征在于，所述9V倒装LED芯片(4)的数量为4颗时，其4颗9V倒装LED芯片为全串联，且发光面积直径小于4mm。

8.根据权利要求6所述的基于9V高压倒装芯片封装COB光源，其特征在于，所述9V倒装LED芯片(4)的数量为8颗时，其8颗9V倒装LED芯片为4串2并联，且发光面积直径小于6mm。