CN220826377U - 一种抗静电硅胶保护膜 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种抗静电硅胶保护膜，包括基材层、硅胶涂层和抗静电层二；硅胶涂层胶粘连接于基材层的第一表面，硅胶涂层远离基材层的一面连接有抗静电层一，抗静电层一的表面设有离型膜层；抗静电层二胶粘连接于基材层远离硅胶涂层的第二表面；其中，基材层的厚度为10‑140μm，硅胶涂层的厚度为5‑100μm，抗静电层一的厚度为30‑80μm，离型膜层的厚度为10‑30μm，抗静电层二的厚度为25‑90μm，基材层的材料为PE、PET和MOPP中的一种。本实用新型通过相应膜层的设置，可以提高硅胶保护膜的防静电效果，使得硅胶保护膜不易产生静电，进而可以降低静电对电子产品造成的破坏，同时也不易吸附灰尘，保证硅胶保护膜在使用时的美观效果。
Description
技术领域
本实用新型属于硅胶保护膜技术领域，具体涉及一种抗静电硅胶保护膜。
背景技术
硅胶保护膜多是以全透明树脂作为基材，单双面涂布自吸附型有机化学硅胶水，并贴合离型膜制做而成。具有易贴易脱离、高温无胶痕、黏性平稳等优点，被广泛应用于医疗，包装印刷，夹层玻璃，家用电器，中小型电子器件显示屏以及汽车运输等领域。
现有的部分硅胶保护膜由于只有胶层或者膜层防静电，在硅胶保护膜的压敏胶层被剥离或硅胶保护膜受到摩擦时会产生静电，静电容易对电子产品造成破坏，进而容易增加电子产品损坏的概率。另外，静电也会吸附灰尘，从而影响硅胶保护膜在使用时的美观性。
因此，针对上述技术问题，有必要提供一种抗静电硅胶保护膜。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种抗静电硅胶保护膜，以解决上述的硅胶保护膜防静电效果差的问题。
为了实现上述目的，本实用新型一实施例提供的技术方案如下：
一种抗静电硅胶保护膜，包括基材层、硅胶涂层和抗静电层二；
所述硅胶涂层胶粘连接于所述基材层的第一表面，所述硅胶涂层远离所述基材层的一面连接有抗静电层一，所述抗静电层一的表面设有离型膜层；
所述抗静电层二胶粘连接于所述基材层远离所述硅胶涂层的第二表面；
其中，所述基材层的厚度为10-140μm，所述硅胶涂层的厚度为5-100μm，所述抗静电层一的厚度为30-80μm，所述离型膜层的厚度为10-30μm，所述抗静电层二的厚度为25-90μm。
进一步地，所述基材层的材料为PE、PET和MOPP中的一种。
进一步地，所述硅胶涂层与所述抗静电层一之间设有电晕处理层，所述电晕处理层的厚度为5-6μm。
进一步地，所述基材层与所述抗静电层二之间设有电晕处理层，所述电晕处理层的厚度为5-6μm。
进一步地，所述抗静电层一和所述抗静电层二内均设有防静电剂，所述防静电剂为含有聚氧乙烯基的高分子型季铵盐。
进一步地，所述抗静电层一和所述抗静电层二的表面阻值为105-109Ω。
进一步地，所述抗静电层一的表面设有保护膜层，所述保护膜层的厚度为15-46μm。
与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：
本实用新型通过相应膜层的设置，可以提高硅胶保护膜的防静电效果，使得硅胶保护膜不易产生静电，进而可以降低静电对电子产品造成的破坏，同时也不易吸附灰尘，保证硅胶保护膜在使用时的美观效果。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型一实施例中一种抗静电硅胶保护膜的结构示意图；
图2为本实用新型一实施例中一种抗静电硅胶保护膜的立体图。
图中：1.基材层、2.硅胶涂层、3.抗静电层一、4.离型膜层、5.抗静电层二。
具体实施方式
以下将结合附图所示的各实施方式对本实用新型进行详细描述。但该等实施方式并不限制本实用新型，本领域的普通技术人员根据该等实施方式所做出的结构、方法或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。
本实用新型公开了一种抗静电硅胶保护膜，参图1-图2所示，包括基材层1、硅胶涂层2、抗静电层一3、离型膜层4和抗静电层二5。
其中，基材层1的材料为PE、PET和MOPP中的一种，基材层1的厚度为10-140μm。
优选的，基材层1的材料为PET，基材层1的厚度为50μm，PET材料具有机械性能优良，强韧性高，抗张强度和抗冲击强度高，耐热、耐寒性、耐化学药品性和耐油性好等优点。
另外，硅胶涂层2胶粘连接于基材层1的第一表面，硅胶涂层2的厚度为5-100μm。
优选的，硅胶涂层2的厚度为75μm。
硅胶涂层2的制作方法是将硅胶先在甲苯、乙酸、乙酯组成的溶剂进行浸泡，浸泡后的硅胶再经过固化剂、锚固剂和铂金催化剂将进行定型。
具体地，硅胶涂层2远离基材层1的一面连接有抗静电层一3，抗静电层二5胶粘连接于基材层1远离硅胶涂层2的第二表面。
优选的，抗静电层一3的厚度为45μm，抗静电层二5的厚度为62μm。
通过抗静电层一3和抗静电层二5的配合设置，用于增加整体的防静电效果，使得硅胶保护膜在使用时不易产生静电，进而可以降低静电对电子产品造成的破坏，降低电子产品损坏的概率，同时也不易吸附灰尘，保证硅胶保护膜的使用美观性。
此外，抗静电层一3和抗静电层二5内均设有防静电剂，利用防静电剂来降低抗静电层一3和抗静电层二5表面的电阻，使得抗静电层一3和抗静电层二5的表面阻值为105-109Ω，进而可以起到防静电的作用，提高整体的防静电性能，同时也不易影响硅胶保护膜的加工使用。
优选的，防静电剂为含有聚氧乙烯基的高分子型季铵盐。
当然的，防静电剂也可以为其他材料，如双氟磺酰亚胺锂、三氟甲磺酸锂、单壁型碳纳米管。
抗静电层一3和抗静电层二5的制作方法是将含有聚氧乙烯基的高分子型季铵盐按照一定比例加入硅胶中，高速搅拌均匀后加入硅胶的相关助剂，形成含有聚氧乙烯基的高分子型季铵盐的抗静电层一3和抗静电层二5。
再者，硅胶涂层2与抗静电层一3和基材层1与抗静电层二5之间均设有电晕处理层，电晕处理层的厚度为5-6μm。利用电晕处理使承印物的表面具有更高的附着性，具体到本申请中使得硅胶涂层2和抗静电层一3以及基材层1和抗静电层二5更好的粘附固定，保证抗静电层一3和抗静电层二5对硅胶保护膜的防静电效果。
优选的，电晕处理层的厚度为5μm。
参图1-图2所示，抗静电层一3的表面设有离型膜层4，离型膜层4为离型层为非硅离型层或氟素离型层，离型膜层4的厚度为10-30μm。
优选的，离型膜层4为离型层为非硅离型层，离型膜层4的厚度为20μm。
其中，抗静电层一3的表面设有保护膜层，保护膜层的厚度为15-46μm。
优选的，保护膜层为防水膜层，防水膜层的材料为杜邦纸，防水膜层的厚度为22μm，用于提高整体的防水效果，同时还能起到一定的透气作用，使得硅胶保护膜在使用时不易过热而出现气泡。
当然的，防水膜层也可以采用其他材料。
由以上技术方案可以看出，本实用新型具有以下有益效果：
本实用新型通过相应膜层的设置，可以提高硅胶保护膜的防静电效果，使得硅胶保护膜不易产生静电，进而可以降低静电对电子产品造成的破坏，同时也不易吸附灰尘，保证硅胶保护膜在使用时的美观效果。
对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施例加以描述，但并非每个实施例仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (7)
1.一种抗静电硅胶保护膜，其特征在于，包括
基材层(1)；
硅胶涂层(2)，胶粘连接于所述基材层(1)的第一表面，所述硅胶涂层(2)远离所述基材层(1)的一面连接有抗静电层一(3)，所述抗静电层一(3)的表面设有离型膜层(4)，所述抗静电层一(3)的表面设有防水膜层，所述防水膜层的材料为杜邦纸；
抗静电层二(5)，胶粘连接于所述基材层(1)远离所述硅胶涂层(2)的第二表面；
其中，所述基材层(1)的厚度为10-140μm，所述硅胶涂层(2)的厚度为5-100μm，所述抗静电层一(3)的厚度为30-80μm，所述离型膜层(4)的厚度为10-30μm，所述抗静电层二(5)的厚度为25-90μm。
2.根据权利要求1所述的一种抗静电硅胶保护膜，其特征在于，所述基材层(1)的材料为PE、PET和MOPP中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种抗静电硅胶保护膜，其特征在于，所述硅胶涂层(2)与所述抗静电层一(3)之间设有电晕处理层，所述电晕处理层的厚度为5-6μm。
4.根据权利要求1所述的一种抗静电硅胶保护膜，其特征在于，所述基材层(1)与所述抗静电层二(5)之间设有电晕处理层，所述电晕处理层的厚度为5-6μm。
5.根据权利要求3所述的一种抗静电硅胶保护膜，其特征在于，所述抗静电层一(3)和所述抗静电层二(5)内均设有防静电剂，所述防静电剂为含有聚氧乙烯基的高分子型季铵盐。
6.根据权利要求5所述的一种抗静电硅胶保护膜，其特征在于，所述抗静电层一(3)和所述抗静电层二(5)的表面阻值为105-109Ω。
7.根据权利要求1所述的一种抗静电硅胶保护膜，其特征在于，所述防水膜层的厚度为15-46μm。
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