CN220709491U - 真空耐高压rtp电光开关 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种真空耐高压RTP电光开关。底座上安装第一晶体和第二晶体：第一电极片安装在第一晶体上，第二电极片安装在第二晶体上；第一胶块覆盖设置在第一电极片上，第二胶块覆盖设置在第二电极片上；负极导线与底座连接；正极导线包括两段，一段穿过第一胶块连接至第一电极片，一段穿过第二胶块连接至第二电极片，两段正极导线互连。在电极片的外部设计了绝缘灌封胶封装结构，开关正极处于绝缘状态，避免电光开关正极和负极之间发生空气击穿，提高光电开关的耐高压性能。

Description

真空耐高压RTP电光开关

技术领域

本实用新型涉及晶体开关技术领域，具体涉及一种真空耐高压RTP电光开关。

背景技术

磷酸钛氧铷(RbTiOPO4,RTP)和磷酸钛氧钾(KTiOPO4,KTP)晶体属于同族晶体，都是优良的非线性光学晶体，同时又是优良的电光晶体。由于RTP晶体的有效电光系数大(γc1＝30.2pm/V,γc2＝23.6pm/V)、透明波段宽(350nm～4.5μm)、损伤阈值高(GW/cm2)、不潮解、Z向电阻率(1010～1012Ω·cm)高等优点非常适合制造成激光系统中的电光调Q开关。由于RTP晶体的压电效应小，不会产生压电振铃效应，在电光调Q高频应用领域的应用优势更加明显。

RTP晶体是mm2点群、正交晶系、双轴晶体。为了利用较大的电光系数，一般采用Z向加电，X或Y向通光。由于RTP晶体是双轴晶体，单个晶体使用存在静态双折射。为了抵消静态双折射，同时为了补偿温度变化引起的消光比变化，一般RTP晶体采用两个相同长度的晶体配对使用抵消静态双折射并进行温度补偿。

根据晶体尺寸的不同，RTP电光开关的半波电压与晶体电极间距d和晶体通光长度L的比值d/L相关，可以通过调整d/L的比值来调整半波电压。常规使用的RTP电光开关的λ/2电压在4000～8000V。为了降低使用电压，部分用户会在激光系统中加入λ/4波片，从而使RTP开关在λ/4电压下工作，即2000～4000V。

RTP电光开关即使工作在λ/4电压下，工作电压依然比较高。空气为混合气体，在低气压环境下空气的击穿电压与电极间距d和气压p的乘积dp为线性关系，即气压越低，空气的击穿电压也越低。在低气压环境下时，开关的正负电极间的击穿电压也会降低。按照目前的开关装配方式，RTP电光开关在真空度较高的环境下无法正常使用，开关正负极间会发生空气击穿。

现有技术中的电光开关结构参考图1。底座1上设置有第一晶体201和第二晶体202，第一电极301安装在第一晶体201上，第二电极302安装在第二晶体202上。第一电极301与第一晶体201贴合面的尺寸相等，第二电极302与第二晶体202贴合面的尺寸相等。第一电极301和第二电极302裸露在外侧，在真空度较高的环境下无法正常使用，开关正负极之间容易发生空气击穿。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种绝缘性好的电光开关。

为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种真空耐高压RTP电光开关，包括：

底座；

第一晶体和第二晶体：均安装在底座上；

第一电极片和第二电极片：所述第一电极片安装在第一晶体上，所述第二电极片安装在第二晶体上；

第一胶块和第二胶块：所述第一胶块覆盖设置在第一电极片上，所述第二胶块覆盖设置在第二电极片上；

负极导线：与底座连接；

正极导线：包括两段，一段穿过第一胶块连接至第一电极片，一段穿过第二胶块连接至第二电极片，两段正极导线互连。

本实用新型一些实施例中，所述第一胶块和所述第二胶块上均设置有接线通孔；

进一步包括两段热缩管，两段正极导线分别穿过两段热缩管，两段热缩管分别设置在第一胶块的接线通孔，及第二胶块的接线通孔内。

本实用新型一些实施例中，第一电极片与第一晶体贴合侧的面积小于第一晶体与第一电极片贴合侧的面积，所述第二电极片与第二晶体贴合侧的面积小于第二晶体与第二电极片贴合侧的面积。

本实用新型一些实施例中，所述第一电极片粘贴在第一晶体上，所述第二电极片粘贴在第二晶体上。

本实用新型一些实施例中，第一晶体粘贴第一电极的一面镀钛，第二晶体粘贴第二电极的一面镀钛。

本实用新型一些实施例中，所述底座包括底座主体，以及设置在底座主体上的第一支座和第二支座，所述第一晶体安装在第一支座上，所述第二晶体安装在第二支座上。

本实用新型一些实施例中，所述第一支座和所述第二支座相对底座主体呈倾斜设置。

本实用新型一些实施例中，所述第一支座和所述第二支座向相反的方向倾斜设置。

本实用新型一些实施例中，第一晶体粘贴在第一支座上，所述第二晶体粘贴在第二支座上，第一晶体与第一支座的粘贴面镀钛，第二晶体与第二支座的粘贴面镀钛。

本实用新型一些实施例中，所述底座主体上设置有导线安装孔，负极导线插入导线安装孔。

较现有技术相比，本实用新型提供的电光开关的技术优势在于：

1、在电极片的外部设计了绝缘灌封胶封装结构，开关正极处于绝缘状态，避免电光开关正极和负极之间发生空气击穿，提高光电开关的耐高压性能。

2、正极导线和灌封胶之间采用了热缩管，可以增加正极导线与灌封胶之间的结合力。

3、由于采用了灌封结构，可以减少电极片的尺寸，增大正负极之间的间距。

4、可以增加晶体两个电极面之间的加工倒角，灌封胶将电极面镀钛或镀金完全包裹，避免金属层放电。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术电光开关结构示意图；

图2为本实用新型电光开关爆炸结构示意图；

图3为底座结构示意图；

图4为本实用新型电光开关组装状态结构示意图(无封装胶块)；

图5为本实用新型电光开关组装状态结构示意图(有封装胶块)；

以上各图中：

1-底座，101-底座主体,102-第一支座，103-第二支座，104-导线安装孔；

201-第一晶体，202-第二晶体；

301-第一电极，302-第二电极；

401-第一胶块，402-第二胶块，402-接线通孔；

5-负极导线；

6-正极导线；

7-热缩管。

具体实施方式

为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

需要说明的是，当元件被称为“设置在”，“连接”，另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。

需要理解的是，术语“轴向”、“径向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，不用于暗指相对重要性。

本实用新型提供一种真空耐高压RTP电光开关，组装结构参考图2和图5，包括底座1、晶体、电极片和导线等结构单元。

底座1，作为整个电光开关的支撑结构。

第一晶体201和第二晶体202：均安装在底座1上。

为了方便第一晶体201和第二晶体202的安装，本实施例中，底座1包括底座主体101，以及设置在底座主体101上的第一支座102和第二支座103，第一晶体201安装在第一支座102上，第二晶体202安装在第二支座103上。

更进一步的，为了稳定固定两个晶体，本实用新型一些实施例中，第一支座102和所述第二支座103相对底座主体101呈倾斜设置。本实施例中，第一支座102和第二支座103向相反的方向倾斜设置，均相对竖直面呈45°倾斜。如图3所示，底座主体101为梯台形，其较宽的一侧面作为底面，较小的一侧面作为顶面，第一支座102和第二支座103设置在顶面处。

本实用新型一些实施例中，第一晶体201粘贴在第一支座上102，第二晶体202粘贴在第二支座上103，第一晶体201与第一支座102的粘贴面镀钛，第二晶体202与第二支座103的粘贴面镀钛

第一电极片301和第二电极片302：第一电极片301安装在第一晶体201上，第二电极片302安装在第二晶体201上。

本实用新型一些实施例中，第一晶体201和第二晶体202均为方柱体，第一电极片301和第二电极片302分别粘贴在晶体的一个侧面上。第一晶体201粘贴第一电极301的一面镀钛，第二晶体202粘贴第二电极301的一面镀钛。

第一胶块401和第二胶块402：所述第一胶块401覆盖设置在第一电极片301上，第二胶块402覆盖设置在第二电极片302上；胶块起到绝缘作用，将电极片绝缘灌封，避免电极片放电。

负极导线5：与底座1连接；底座主体1上具有导线安装孔104，设置在底座主体1长度方向端部的一面。负极导线5插装在导线安装孔104内，连接至第一晶体201和第二晶体202。底座1作为晶体开关的负极。

正极导线6：包括两段，一段穿过第一胶块401连接至第一电极片301，一段穿过第二胶块402连接至第二电极片302，两段正极导线6互连。基于这种结构，负极导线5和正极导线6均连接至晶体，实现开关电性能。

本实用新型一些实施例中，第一胶块401和第二胶块402上均设置有接线通孔403；

进一步包括两段热缩管7，两段正极导线分别穿过两段热缩管7，两段热缩管7分别设置在第一胶块401的接线通孔403，及第二胶块402的接线通孔403内。

相比于图1所示的现有技术的电光开关，由于增加了胶块封装结构，电极片的尺寸做到更小。因此，在本实用新型一些实施例中，第一电极片301与第一晶体401贴合侧的面积小于第一晶体401与第一电极片301贴合侧的面积，第二电极片302与第二晶体402贴合侧的面积小于第二晶体402与第二电极片302贴合侧的面积。

具体加工过程：将第一晶体201和第二晶体202分别固定在底座1上，将第一电极片301粘贴在第一晶体201上，第二电极片302粘贴在第二晶体202上。将负极导线5与底座1连接，两段正极导线6分别穿过热缩管7，分别与第一晶体201和第二晶体202连接。将第一胶块401封装在第一电极片301外，第二胶块402封装在第二电极片302外。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种真空耐高压RTP电光开关，其特征在于，包括：

底座；

第一晶体和第二晶体：均安装在底座上；

第一电极片和第二电极片：所述第一电极片安装在第一晶体上，所述第二电极片安装在第二晶体上；

第一胶块和第二胶块：所述第一胶块覆盖设置在第一电极片上，所述第二胶块覆盖设置在第二电极片上；

负极导线：与底座连接；

正极导线：包括两段，一段穿过第一胶块连接至第一电极片，一段穿过第二胶块连接至第二电极片，两段正极导线互连。

2.如权利要求1所述的真空耐高压RTP电光开关，其特征在于，所述第一胶块和所述第二胶块上均设置有接线通孔；

进一步包括两段热缩管，两段正极导线分别穿过两段热缩管，两段热缩管分别设置在第一胶块的接线通孔，及第二胶块的接线通孔内。

3.如权利要求1所述的真空耐高压RTP电光开关，其特征在于，第一电极片与第一晶体贴合侧的面积小于第一晶体与第一电极片贴合侧的面积，所述第二电极片与第二晶体贴合侧的面积小于第二晶体与第二电极片贴合侧的面积。

4.如权利要求1所述的真空耐高压RTP电光开关，其特征在于，所述第一电极片粘贴在第一晶体上，所述第二电极片粘贴在第二晶体上。

5.如权利要求4所述的真空耐高压RTP电光开关，其特征在于，第一晶体粘贴第一电极的一面镀钛，第二晶体粘贴第二电极的一面镀钛。

6.如权利要求1所述的真空耐高压RTP电光开关，其特征在于，所述底座包括底座主体，以及设置在底座主体上的第一支座和第二支座，所述第一晶体安装在第一支座上，所述第二晶体安装在第二支座上。

7.如权利要求6所述的真空耐高压RTP电光开关，其特征在于，所述第一支座和所述第二支座相对底座主体呈倾斜设置。

8.如权利要求7所述的真空耐高压RTP电光开关，其特征在于，所述第一支座和所述第二支座向相反的方向倾斜设置。

9.如权利要求6至8中任意一项所述的真空耐高压RTP电光开关，其特征在于，第一晶体粘贴在第一支座上，所述第二晶体粘贴在第二支座上，第一晶体与第一支座的粘贴面镀钛，第二晶体与第二支座的粘贴面镀钛。

10.如权利要求6所述的真空耐高压RTP电光开关，其特征在于，所述底座主体上设置有导线安装孔，负极导线插入导线安装孔。