CN220382086U - 一种芯片封装结构 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供了一种芯片封装结构，包括芯片本体；所述芯片本体包括上表面和下表面，所述上表面和下表面相对设置；所述芯片本体的上表面设置有间隔设置的多个第一金属层，所述第一金属层与基岛连接，所述基岛与PCB板连接，所述第一金属层、所述芯片本体的电极及基岛一一对应设置；所述芯片本体下表面上设置有第二金属层，所述第二金属层通过导电线与引脚连接，所述引脚与所述PCB板连接。本申请实施例通过将芯片本体倒扣放置，芯片本体正面通过基岛与PCB板连接，芯片背面再由金属层直接引出，此种芯片本体的焊接方式，芯片本体在工作时的发热源在晶圆的正面，接触越大，散热越好，极大的增加了产品的过流能力。
Description
技术领域
本申请各实施例半导体技术领域，尤其涉及一种芯片封装结构。
背景技术
现有技术中芯片背面朝下连接基岛，芯片正面朝上采用打线或铜块接触，这样将芯片本体焊接到PCB板上后，芯片本体工作时的发热源在晶圆的正面，接触越小，散热越差，极大的减小了产品的过流能力。
实用新型内容
为解决以上问题，本实用新型提出一种芯片封装结构，以解决现有技术中芯片本体散热越差，产品的过流能力较小的技术问题。
本实用新型提供了一种芯片封装结构，包括芯片本体；
所述芯片本体包括上表面和下表面，所述上表面和下表面相对设置；
所述芯片本体的上表面设置有间隔设置的多个第一金属层，所述第一金属层与基岛连接，所述基岛与PCB板连接，所述第一金属层、所述芯片本体的电极及基岛一一对应设置；
所述芯片本体下表面上设置有第二金属层，所述第二金属层通过导电线与引脚连接，所述引脚与所述PCB板连接。
作为本申请一优选实施例，所述基岛之间的距离相同。
作为本申请一优选实施例，每个所述基岛的横截面不同。
作为本申请一优选实施例，所述基岛与PCB板之间均通过导电层连接。
作为本申请一优选实施例，所述导电层为导电胶。
作为本申请一优选实施例，所述第一金属层和第二金属层均为金属铜。
与现有技术相比，本实用新型提供的一种芯片封装结构，包括芯片本体；所述芯片本体包括上表面和下表面，所述上表面和下表面相对设置；所述芯片本体的上表面设置有间隔设置的多个第一金属层，所述第一金属层与基岛连接，所述基岛与PCB板连接，所述第一金属层、所述芯片本体的电极及基岛一一对应设置；所述芯片本体下表面上设置有第二金属层，所述第二金属层通过导电线与引脚连接，所述引脚与所述PCB板连接。本申请实施例通过将芯片本体倒扣放置，芯片本体正面通过基岛与PCB板连接，芯片背面再由金属层直接引出，此种芯片本体的焊接方式，芯片本体在工作时的发热源在晶圆的正面，接触越大，散热越好，极大的增加了产品的过流能力。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本申请的一些具体实施例。
图1示出了本实用新型实施例中一种芯片封装结构的剖面结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
如图1所示，本申请实施例提供了一种芯片封装结构，包括芯片本体01；所述芯片本体01包括上表面和下表面，所述上表面和下表面相对设置；所述芯片本体01的上表面设置有间隔设置的多个第一金属层02，所述第一金属层02与基岛03连接，所述基岛03与PCB板04连接，所述第一金属层02、所述芯片本体01的电极及基岛03一一对应设置；所述芯片本体01下表面上设置有第二金属层05，所述第二金属层05通过导电线线06与引脚07连接，所述引脚07与所述PCB板连接。本申请实施例通过将芯片本体01倒扣放置，芯片本体01正面通过基岛03与PCB板04连接，芯片背面再由金属层直接引出，此种芯片本体01的焊接方式，芯片本体01在工作时的发热源在晶圆的正面，接触越大，散热越好，极大的增加了产品的过流能力。需要说明的是，基岛03也是通过金属制作，具有导电性能。
作为本申请一优选实施例，所述基岛03之间的距离相同，通过将基岛03之间的距离设置为相同，这样可以起到美观及制备工艺简化的作用。
作为本申请一优选实施例，每个所述基岛03的横截面不同，因为每个基岛03引出一个电极，且每个电极需要散热的面积需求可能不同，所以设置不同横截面的基岛03可以解决此问题。
作为本申请一优选实施例，所述基岛03与PCB板04之间均通过导电层连接，通过导电层可以实现导电作用，将电极引出。
作为本申请一优选实施例，所述导电层为导电胶。
作为本申请一优选实施例，所述第一金属层02和第二金属层05均为金属铜。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。
Claims (6)
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括芯片本体；
所述芯片本体包括上表面和下表面，所述上表面和下表面相对设置；
所述芯片本体的上表面设置有间隔设置的多个第一金属层，所述第一金属层与基岛连接，所述基岛与PCB板连接，所述第一金属层、所述芯片本体的电极及基岛一一对应设置；
所述芯片本体下表面上设置有第二金属层，所述第二金属层通过导电线与引脚连接，所述引脚与所述PCB板连接。
2.如权利要求1所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述基岛之间的距离相同。
3.如权利要求1所述的一种芯片封装结构，其特征在于，每个所述基岛的横截面不同。
4.如权利要求1所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述基岛与PCB板之间均通过导电层连接。
5.如权利要求4所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述导电层为导电胶。
6.如权利要求1所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述第一金属层和第二金属层均为金属铜。
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Country Status (1)
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2023
- 2023-07-19 CN CN202321912432.0U patent/CN220382086U/zh active Active
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