CN219285689U - 一种降低电子产品待机功耗的控制装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种降低电子产品待机功耗的控制装置，涉及电子产品领域。所述控制装置包括：开关单元和耦合单元，其中：所述开关单元与所述耦合单元电性连接，用于根据输入的控制信号输出开关信号控制所述耦合单元；所述耦合单元分别与外部的供电单元和电子产品电性连接，用于根据所述开关信号控制外部的供电单元与电子产品的供电通路通断，以控制所述电子产品的启动与停止。从而通过采用开关单元结合耦合单元来控制电子产品的复合芯片的高压启动脚的通断来实现电子产品的低待机功耗性能要求，节省电能，满足电子产品的环保要求。

Description

一种降低电子产品待机功耗的控制装置

【技术领域】

本实用新型涉及电子产品领域，尤其涉及一种降低电子产品待机功耗的控制装置。

【背景技术】

目前，复合芯片(Combo IC)是由PFC(Power Factor Correction，功率因数校正)模块和LLC(谐振转换电路)模块集成起来的芯片，复合芯片自带有高压启动脚，具备待机功能。

在采用复合芯片方案的电子产品中，由于复合芯片存在高压启动脚，只要该高压启动脚处于连通状态，复合芯片就会消耗相当大的电能，所以，无法通过断开芯片的VCC来使复合芯片不消耗电能，这显然无法满足低待机功耗性能的要求。

【实用新型内容】

本实用新型实施例旨在提供一种降低电子产品待机功耗的控制装置，旨在解决目前采用复合芯片的电子产品无法满足低待机功耗性能要求的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供一种降低电子产品待机功耗的控制装置，所述控制装置包括：开关单元和耦合单元，其中：

所述开关单元与所述耦合单元电性连接，用于根据输入的控制信号输出开关信号控制所述耦合单元；

所述耦合单元分别与外部的供电单元和电子产品电性连接，用于根据所述开关信号控制外部的供电单元与电子产品的供电通路通断，以控制所述电子产品的启动与停止。

可选地，所述开关单元包括三极管，所述三极管基极连接至控制信号的输入端，所述三极管发射极接地，所述三极管集电极与所述耦合单元电性连接。

可选地，所述耦合单元包括光耦合器，所述光耦合器包括发射端正极、发射端负极、接收端集电极和接收端发射极；

所述发射端正极连接至参考电压端，所述发射端负极连接至所述三极管集电极，所述接收端集电极连接至外部的供电单元，所述接收端发射极连接至电子产品，外部的供电单元、所述光耦合器中的光敏三极管与电子产品的高压启动管脚形成供电通路。

可选地，所述控制装置还包括分压单元，所述分压单元与所述开关单元电性连接。

可选地，所述分压单元包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻一端接收控制信号，所述第一电阻另一端与所述第二电阻一端电性连接，所述第二电阻另一端接地；所述三极管基极连接至所述第一电阻与所述第二电阻的连接端。

可选地，所述控制装置还包括滤波单元，所述滤波单元分别与所述分压单元和所述开关单元电性连接。

可选地，所述滤波单元包括第一电容，所述第一电容一端连接至所述第一电阻与所述第二电阻的连接端，所述第一电容另一端接地。

可选地，所述控制装置还包括第一限流单元，所述第一限流单元与所述耦合单元电性连接。

可选地，所述第一限流单元包括第三电阻，所述第三电阻一端连接至参考电压端，所述第三电阻另一端连接至所述光耦合器的发射端正极。

可选地，所述供电单元包括交流电供电单元；所述控制装置还包括电源转换单元，所述电源转换单元分别与交流电线路和所述耦合单元电性连接，用于将交流电线路中的交流电转换为直流电。

可选地，所述电源转换单元包括第一二极管和第二二极管，所述第一二极管正极连接至交流电线路的L线，所述第一二极管负极连接至所述光耦合器的接收端集电极；

所述第二二极管正极连接至交流电线路的N线，所述第二二极管负极连接至所述光耦合器的接收端集电极。

可选地，所述控制装置还包括第二限流单元，所述第二限流单元分别与所述电源转换单元和所述耦合单元电性链接。

可选地，所述第二限流单元包括第四电阻和第五电阻，所述第四电阻一端连接至所述第一二极管负极，所述第四电阻另一端连接至所述光耦合器的接收端集电极；所述第五电阻一端连接至所述第二二极管负极，所述第五电阻另一端连接至所述光耦合器的接收端集电极。

与现有技术相比较，本实用新型实施例提供的一种降低电子产品待机功耗的控制装置，包括：开关单元和耦合单元，其中：所述开关单元与所述耦合单元电性连接，用于根据输入的控制信号输出开关信号控制所述耦合单元；所述耦合单元分别与外部的供电单元和电子产品电性连接，用于根据所述开关信号控制外部的供电单元与电子产品的供电通路通断，以控制所述电子产品的启动与停止。从而通过采用开关单元结合耦合单元来控制电子产品的复合芯片的高压启动脚的通断来实现电子产品的低待机功耗性能要求，节省电能，满足电子产品的环保要求。从而可以解决目前采用复合芯片的电子产品无法满足低待机功耗性能要求的问题。

【附图说明】

图1是本实用新型提供的一种降低电子产品待机功耗的控制装置的结构示意图；

图2是本实用新型提供的一种降低电子产品待机功耗的控制装置的第二结构示意图；

图3是本实用新型提供的一种降低电子产品待机功耗的控制装置的第三结构示意图；

图4是本实用新型提供的一种降低电子产品待机功耗的控制装置的电路示意图。

主要元件符号说明：

控制装置 100 供电单元 200

电子产品 300 开关单元 1

三极管 Q1 耦合单元 2

光耦合器 P 发射端正极 S1

发射端负极 S2 接收端发射极 T3

接收端集电极 T4 分压单元 3

第一电阻 R1 第二电阻 R2

滤波单元 4 第一电容 C1

第一限流单元 5 第三电阻 R3

直流电供电单元 210 交流电供电单元 220

电源转换单元 6 第一二极管 D1

第二二极管 D2 第二限流单元 7

第四电阻 R4 第五电阻 R5

【具体实施方式】

为了便于理解本实用新型，下面结合附图和具体实施例，对本实用新型进行更详细的说明。需要说明的是，当元件被表述“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。当一个元件被表述“电连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。本说明书所使用的术语“上”、“下”、“内”、“外”、“底部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是用于限制本实用新型。本说明书所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

此外，下面所描述的本实用新型不同实施例中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

在一个实施例中，如图1所示，本实用新型提供一种降低电子产品待机功耗的控制装置，所述电子产品包括复合芯片，所述控制装置100包括：开关单元1和耦合单元2，其中：

所述开关单元1与所述耦合单元2电性连接，用于根据输入的控制信号(PS_ON)输出开关信号控制所述耦合单元2；

所述耦合单元2分别与外部的供电单元200和电子产品300电性连接，用于根据所述开关信号控制外部的供电单元200与电子产品300的供电通路通断，以控制所述电子产品300的启动与停止。

在本实施例中，通过提供一种降低电子产品待机功耗的控制装置，包括：开关单元和耦合单元，其中：所述开关单元与所述耦合单元电性连接，用于根据输入的控制信号输出开关信号控制所述耦合单元；所述耦合单元分别与外部的供电单元和电子产品电性连接，用于根据所述开关信号控制外部的供电单元与电子产品的供电通路通断，以控制所述电子产品的启动与停止。从而通过采用开关单元结合耦合单元来控制电子产品的复合芯片的高压启动脚的通断来实现电子产品的低待机功耗性能要求，节省电能，满足电子产品的环保要求。从而可以解决目前采用复合芯片的电子产品无法满足低待机功耗性能要求的问题。

在一个实施例中，所述开关单元1与所述耦合单元2电性连接，用于根据输入的控制信号输出开关信号控制所述耦合单元2。

具体地，如图4所示，所述开关单元1包括三极管Q1，所述三极管Q1与所述耦合单元2电性连接，用于根据输入的控制信号输出开关信号控制所述耦合单元2。

具体地，所述三极管Q1基极连接至控制信号的输入端，所述三极管Q1发射极接地，所述三极管Q1集电极与所述耦合单元2电性连接。

所述三极管Q1基极接收到控制信号PS_ON输入时，所述三极管Q1导通，输出开关信号给所述耦合单元2，控制所述耦合单元2导通。所述三极管Q1没有接收到控制信号PS_ON输入时，所述三极管Q1截止，没有输出开关信号给所述耦合单元2，控制所述耦合单元2截止。

作为另一可选示例，所述开关单元1包括PMOS管，所述PMOS栅极连接至控制信号输入端，所述PMOS管源极接地，所述PMOS管漏极与所述耦合单元2电性连接。

在本实施例中，通过采用三极管或MOS管来实现开关单元，控制耦合单元的导通与截止，达到间接控制电子产品的复合芯片的高压启动脚的通断来实现电子产品的低待机功耗性能要求，节省电能，满足电子产品的环保要求；且可以降低电子产品的成本，使电子产品的成本优势明显，提高电子产品的竞争力。

在一个实施例中，所述耦合单元2分别与外部的供电单元200和电子产品300电性连接，用于根据所述开关信号控制外部的供电单元200与电子产品300的供电通路通断，以控制所述电子产品300的启动与停止。

具体地，如图4所示，所述耦合单元2包括光耦合器P，所述光耦合器P包括发射端正极S1、发射端负极S2、接收端集电极T4、接收端发射极T3。

具体地，当所述开关单元1包括三极管Q1时，所述光耦合器P的发射端正极S1连接至参考电压端VCC，发射端负极S2连接至所述三极管Q1集电极；接收端集电极T4连接至外部的供电单元200，接收端发射极T3连接至电子产品300的高压启动管脚，外部的供电单元200、所述光耦合器P中的光敏三极管Q与电子产品300的高压启动管脚形成供电通路。

当所述三极管Q1导通时，输出开关信号给所述光耦合器P的发射端负极S2。此时，所述光耦合器P中的发光二极体D导通发光，所述光耦合器P中的光敏三极管Q受到光照后导通，使得外部的供电单元200、所述光耦合器P中的光敏三极管Q与电子产品300的高压启动管脚形成的供电通路导通，以控制所述电子产品300启动。

当所述三极管Q1截止，没有输出开关信号给所述光耦合器P的发射端负极S2。此时，所述光耦合器P中的发光二极体D截止不发光，所述光耦合器P中的光敏三极管Q没有接收到光照而截止，使得外部的供电单元200、所述光耦合器P中的光敏三极管Q与电子产品300的高压启动管脚形成的供电通路断开，以控制所述电子产品300停止。

作为另一示例，所述耦合单元2包括继电器，或可控硅光耦合器。

在本实施例中，通过采用光耦合器来实现耦合单元，通过光耦合器的导通与截止，控制外部的供电单元、光耦合器与电子产品的复合芯片的高压启动管脚形成的供电通路连通与断开，控制电子产品的复合芯片的高压启动脚的通断来实现电子产品的低待机功耗性能要求，节省电能，满足电子产品的环保要求；且可以降低电子产品的成本，使电子产品的成本优势明显，提高电子产品的竞争力。

在一个实施例中，如图2和图3所示，所述控制装置100还包括分压单元3，所述分压单元3与所述开关单元1电性连接，用于对输入的控制信号(PS_ON)进行限流和分压，确保所述开关单元1可以正常工作。

具体地，如图4所示，所述分压单元3包括：第一电阻R1和第二电阻R2，所述第一电阻R1一端接收控制信号，第一电阻R1另一端与第二电阻R2一端电性连接，第二电阻R2另一端接地。所述开关单元1连接至所述第一电阻R1与所述第二电阻R2的连接端，具体地，所述三极管Q1基极连接至所述第一电阻R1与所述第二电阻R2的连接端。

在本实施例中，通过在控制装置中设置分压单元，可以对输入的控制信号(PS_ON)进行限流和分压，确保开关单元可以正常工作。

在一个实施例中，如图2和图3所示，所述控制装置100还包括滤波单元4，所述滤波单元4分别与所述分压单元3和所述开关单元1电性连接，用于对经过所述分压单元3的信号进行滤波，防止干扰信号导致所述开关单元1的误触发。

具体地，如图4所示，所述滤波单元4包括第一电容C1，所述第一电容C1一端连接至所述第一电阻R1与所述第二电阻R2的连接端，所述第一电容C1另一端接地。

在本实施例中，通过在控制装置中设置滤波单元对经过分压单元的信号进行滤波，可以防止干扰信号导致所述开关单元的误触发，确保开关单元可以正常工作。

在一个实施例中，如图2和图3所示，所述控制装置100还包括第一限流单元5，所述第一限流单元5与所述耦合单元2电性连接，用于对流经所述耦合单元2和所述开关单元1的电流进行限流，防止流过所述耦合单元2和所述开关单元1的电流过大损坏。

具体地，如图4所示，所述第一限流单元5包括第三电阻R3，所述第三电阻R3一端连接至参考电压端VCC，所述第三电阻R3另一端连接至所述光耦合器的发射端正极S1。

在本实施例中，通过在控制装置中设置第一限流单元对流经耦合单元和开关单元的电流进行限流，防止流过所述耦合单元和所述开关单元的电流过大损坏。

在本实施例中，如图1至图3所示，所述供电单元200包括直流电供电单元210和交流电供电单元220。

如图2所示，所述直流电供电单元210为所述电子产品300进行供电。

如图3所示，所述交流电供电单元220为所述电子产品300进行供电。

在图3中，当所述供电单元200包括交流电供电单元220，为所述电子产品300进行供电时，所述控制装置100还包括电源转换单元6。

所述电源转换单元6分别与交流电线路和所述耦合单元2电性连接，用于将交流电线路中的交流电转换为直流电。

具体地，如图4所示，所述电源转换单元6包括第一二极管D1和第二二极管D2，所述第一二极管D1正极连接至交流电线路的L线，所述第一二极管D1负极连接至所述光耦合器的接收端集电极T4。

所述第二二极管D2正极连接至交流电线路的N线，所述第二二极管D2负极连接至所述光耦合器的接收端集电极T4。

在一个实施例中，如图2和图3所示，所述控制装置100还包括第二限流单元7，所述第二限流单元7分别与所述电源转换单元6和所述耦合单元2电性链接，用于对流经所述耦合单元2的电流进行限流，防止浪涌信号损坏所述耦合单元2和电子产品300。

具体地，如图4所示，所述第二限流单元7包括第四电阻R4和第五电阻R5，所述第四电阻R4一端连接至所述第一二极管D1负极，所述第四电阻R4另一端连接至所述光耦合器P的接收端集电极T4。所述第五电阻R5一端连接至所述第二二极管D2负极，第五电阻R5另一端连接至所述光耦合器的接收端集电极T4。

在本实施例中，通过在控制装置中设置第二限流单元对流经耦合单元的电流进行限流，防止浪涌信号损坏所述耦合单元和电子产品。

以下以一个具体的电路实施例来对本实用新型提供一种降低电子产品待机功耗的控制装置进行详细说明。

如图4所示，本实用新型实施例提供一种降低电子产品待机功耗的控制装置，所述电子产品包括复合芯片，所述电子产品300使用交流电供电单元220供电。

所述控制装置100包括分压单元3、滤波单元4、开关单元1、耦合单元2、第一取限单元5、电源转换单元6和第二限流单元7，其中：所述分压单元3包括第一电阻R1和第二电阻R2；所述滤波单元4包括第一电容C1；所述开关单元1包括三极管Q1；所述耦合单元2包括光耦合器P；所述第一限流单元5包括第三电阻R3；所述电源转换单元6包括第一二极管D1和第二二极管D2；所述第二限流单元7包括第四电阻R4和第五电阻R5。

所述第一电阻R1一端接收控制信号PS_ON，所述第一电阻R1另一端与第二电阻R2一端电性连接，所述第二电阻R2另一端接地。所述第一电容C1一端连接至所述第一电阻R1与所述第二电阻R2的连接端，所述第一电容C1另一端接地。

所述三极管Q1基极连接至所述第一电阻R1与所述第二电阻R2的连接端，所述三极管Q1发射极接地，所述三极管Q1集电极连接至所述光耦合器P的发射端负极S2。所述第三电阻R3一端连接至参考电压端VCC，所述第三电阻R3另一端连接至所述光耦合器P的发射端正极S1。此时，参考电压VCC、所述第三电阻R3、所述光耦合器P的发射端正极S1、所述光耦合器P的发射端负极S2和所述三极管Q1形成开关通路。

所述第一二极管D1正极连接至交流电线路的L线，所述第一二极管D1负极连接至所述光耦合器的接收端集电极T4。所述第二二极管D2正极连接至交流电线路的N线，所述第二二极管D2负极连接至所述光耦合器的接收端集电极T4。所述第四电阻R4一端连接至所述第一二极管D1负极，所述第四电阻R4另一端连接至所述光耦合器的接收端集电极T4。所述第五电阻R5一端连接至所述第二二极管D2负极，第五电阻R5另一端连接至所述光耦合器的接收端集电极T4。所述光耦合器P的接收端集电极T4连接至外部的供电单元200，接收端发射极T3连接至电子产品300的复合芯片的高压启动管脚，外部的供电单元200、所述光耦合器P中的光敏三极管Q与电子产品300的复合芯片的高压启动管脚形成供电通路。

本实用新型实施例提供一种降低电子产品待机功耗的控制装置100，在工作时：

当所述三极管Q1基极接收到控制信号PS_ON输入时，所述三极管Q1导通，使得参考电压VCC、所述第三电阻R3、所述光耦合器P的发射端正极S1、所述光耦合器P的发射端负极S2和所述三极管Q1形成开关通路导通。此时，所述光耦合器P中的发光二极体D导通发光，所述光耦合器P中的光敏三极管Q受到光照后导通，使得外部的交流电供电单元220、所述光耦合器P中的光敏三极管Q与电子产品300的复合芯片的高压启动管脚形成的供电通路导通，以控制电子产品300的复合芯片启动工作。此时，电子产品300的复合芯片进入正常模式状态。

当所述三极管Q1基极没有接收到控制信号PS_ON输入时，所述三极管Q1截止，使得参考电压VCC、所述第三电阻R3、所述光耦合器P的发射端正极S1、所述光耦合器P的发射端负极S2和所述三极管Q1形成开关通路截止。此时，所述光耦合器P中的发光二极体D截止不发光，所述光耦合器P中的光敏三极管Q没有接收到光照而截止，使得外部的交流电供电单元220、所述光耦合器P中的光敏三极管Q与电子产品300的复合芯片的高压启动管脚形成的供电通路断开，以控制电子产品300的复合芯片停止工作。此时，电子产品300的复合芯片进入低功耗模式状态，不再消耗电能，实现低待机功耗。

本实用新型实施例提供一种降低电子产品待机功耗的控制装置，通过采用开关单元结合耦合单元来控制电子产品的复合芯片的高压启动脚的通断来实现电子产品的低待机功耗性能要求，节省电能，满足电子产品的环保要求；且可以降低电子产品的成本，使电子产品的成本优势明显，提高电子产品的竞争力。从而可以解决目前采用复合芯片的电子产品无法满足低待机功耗性能要求的问题。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；在本实用新型的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本实用新型的不同方面的许多其它变化，为了简明，它们没有在细节中提供；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims (13)

1.一种降低电子产品待机功耗的控制装置，其特征在于，所述控制装置包括：开关单元和耦合单元，其中：

所述开关单元与所述耦合单元电性连接，用于根据输入的控制信号输出开关信号控制所述耦合单元；

所述耦合单元分别与外部的供电单元和电子产品电性连接，用于根据所述开关信号控制外部的供电单元与电子产品的供电通路通断，以控制所述电子产品的启动与停止。

2.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，所述开关单元包括三极管，所述三极管基极连接至控制信号的输入端，所述三极管发射极接地，所述三极管集电极与所述耦合单元电性连接。

3.根据权利要求2所述的控制装置，其特征在于，所述耦合单元包括光耦合器，所述光耦合器包括发射端正极、发射端负极、接收端集电极和接收端发射极；

所述发射端正极连接至参考电压端，所述发射端负极连接至所述三极管集电极，所述接收端集电极连接至外部的供电单元，所述接收端发射极连接至电子产品，外部的供电单元、所述光耦合器中的光敏三极管与电子产品的高压启动管脚形成供电通路。

4.根据权利要求2所述的控制装置，其特征在于，所述控制装置还包括分压单元，所述分压单元与所述开关单元电性连接。

5.根据权利要求4所述的控制装置，其特征在于，所述分压单元包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻一端接收控制信号，所述第一电阻另一端与所述第二电阻一端电性连接，所述第二电阻另一端接地；所述三极管基极连接至所述第一电阻与所述第二电阻的连接端。

6.根据权利要求5所述的控制装置，其特征在于，所述控制装置还包括滤波单元，所述滤波单元分别与所述分压单元和所述开关单元电性连接。

7.根据权利要求6所述的控制装置，其特征在于，所述滤波单元包括第一电容，所述第一电容一端连接至所述第一电阻与所述第二电阻的连接端，所述第一电容另一端接地。

8.根据权利要求3所述的控制装置，其特征在于，所述控制装置还包括第一限流单元，所述第一限流单元与所述耦合单元电性连接。

9.根据权利要求8所述的控制装置，其特征在于，所述第一限流单元包括第三电阻，所述第三电阻一端连接至参考电压端，所述第三电阻另一端连接至所述光耦合器的发射端正极。

10.根据权利要求3所述的控制装置，其特征在于，所述供电单元包括交流电供电单元；所述控制装置还包括电源转换单元，所述电源转换单元分别与交流电线路和所述耦合单元电性连接，用于将交流电线路中的交流电转换为直流电。

11.根据权利要求10所述的控制装置，其特征在于，所述电源转换单元包括第一二极管和第二二极管，所述第一二极管正极连接至交流电线路的L线，所述第一二极管负极连接至所述光耦合器的接收端集电极；

所述第二二极管正极连接至交流电线路的N线，所述第二二极管负极连接至所述光耦合器的接收端集电极。

12.根据权利要求11所述的控制装置，其特征在于，所述控制装置还包括第二限流单元，所述第二限流单元分别与所述电源转换单元和所述耦合单元电性链接。

13.根据权利要求12所述的控制装置，其特征在于，所述第二限流单元包括第四电阻和第五电阻，所述第四电阻一端连接至所述第一二极管负极，所述第四电阻另一端连接至所述光耦合器的接收端集电极；所述第五电阻一端连接至所述第二二极管负极，所述第五电阻另一端连接至所述光耦合器的接收端集电极。

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