CN219107044U - 一种异常保护电路及装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提出了一种异常保护电路及装置,涉及电源保护领域。该电路包括依次串联的电压比较输出电路、开关管电路和常闭继电器电路,常闭继电器电路的线圈回路与开关管电路的输出端相连,常闭继电器电路的开关回路用于与外部开关电源的交流输入端回路相连。还包括分别与电压比较输出电路的输入端相连的交流输入电压采样电路和直流输入电压采样电路,交流输入电压采样电路的输入端用于与外部开关电源的交流输入端相连,直流输入电压采样电路的输入端用于与外部开关电源的直流输入端相连。其通过电路结构优化,可以用于对开关电源进行简单方便并精准有效的过电压保护以及异常瞬态大电流保护。
Description
技术领域
本实用新型涉及电源保护领域,具体而言,涉及一种异常保护电路及装置。
背景技术
对于开关电源而言,在现有技术中主要是采用成本较低的模拟芯片控制方案,从而做不到对母线电容进行有效的过电压保护。因此,在相关开关电源的售后过程中发现,因母线电容失效导致的故障占比较大。母线电容的失效严重的,会导致发生产品起火的现象,从而给使用者的财产和人生安全带来较大的威胁。
另外,对于多数电源产品而言,都会在输入端串联保险丝用于保护产品。其中,虽然保险丝可以在瞬间大能量输入的情况下断开,用以保护后级电路,但此断开为不可逆的,并且在保险丝的损坏过程中会伴随板卡其他器件的损坏,因此必须同时更换保险丝和损坏的器件,保护力度有限且后续处理麻烦。
也就是说,对于开关电源来说,对于其中的母线电容而言缺乏简单方便的并精准有效的过电压保护以及异常瞬态大电流保护方案。
实用新型内容
为了克服上述问题或者至少部分地解决上述问题,本实用新型实施例提供一种异常保护电路及装置,通过电路结构优化,可以用于对开关电源进行简单方便并精准有效的过电压保护以及异常瞬态大电流保护。
本实用新型的实施例是这样实现的:
第一方面,本申请实施例提供一种异常保护电路,其包括交流输入电压采样电路、直流输入电压采样电路、电压比较输出电路、开关管电路和常闭继电器电路;交流输入电压采样电路的输入端用于与外部开关电源的交流输入端相连,交流输入电压采样电路的输出端与电压比较输出电路的输入端相连,直流输入电压采样电路的输入端用于与外部开关电源的直流输入端相连,直流输入电压采样电路的输出端与电压比较输出电路的输入端相连,电压比较输出电路的输出端与开关管电路的输入端相连,开关管电路的输出端与常闭继电器电路的线圈回路相连,常闭继电器电路的开关回路用于与外部开关电源的交流输入端回路相连。
基于第一方面,在本实用新型的一些实施例中,上述交流输入电压采样电路包括电阻RB2、电阻RB4、电阻RB3、电阻RB5、电阻RB6、运算放大器U1A;运算放大器U1A的正输入端通过电阻RB2与外部开关电源的交流输入端相连,运算放大器U1A的正输入端还通过电阻RB3接地,所述运算放大器U1A的负输入端通过所述电阻RB4与外部开关电源的交流输入端相连,运算放大器U1A的负输入端通过电阻RB5与运算放大器U1A的输出端相连,运算放大器U1A的正电源端用于与外部开关电源的电源VDD相连。
在本实用新型的一些实施例中,上述直流输入电压采样电路包括电阻RB8和电阻RB9,电阻RB8和电阻RB9串联后用于与外部开关电源的直流输入端的母线电容并联。
在本实用新型的一些实施例中,上述常闭继电器电路包括常闭继电器RL1和电阻RB1;常闭继电器RL1的线圈触点1通过电阻RB1后用于与外部开关电源的辅助电源VCC相连,所述常闭继电器RL1的开关回路用于与外部开关电源的交流输入端串联。
在本实用新型的一些实施例中,上述开关管电路包括MOS管QB1、MOS管QB2,电压比较输出电路包括电压比较器U1B和电压比较器U2A;电压比较器U1B的正输入端用于与参考电压VREF相连,电压比较器U1B的负输入端与运算放大器U1A的输出端相连,电压比较器U1B的输出端与MOS管QB1的栅极相连,MOS管QB1的源极与MOS管QB2的源极相连,MOS管QB1的漏极与MOS管QB2的漏极相连,MOS管QB1的漏极与常闭继电器RL1的线圈触点2相连,MOS管QB2的栅极与电压比较器U2A的输出端相连,电压比较器U2A的正电源用于与外部开关电源的电源VDD相连,电压比较器U2A的负输入端用于与参考电压VREF相连,电压比较器U2A的正输入端与电阻RB8和电阻RB9的公共端相连。
在本实用新型的一些实施例中,上述开关管电路包括三极管QB3、三极管QB4,电压比较输出电路包括电压比较器U1B和电压比较器U2A;电压比较器U1B的正输入端用于与参考电压VREF相连,电压比较器U1B的负输入端与运算放大器U1A的输出端相连,电压比较器U1B的输出端与三极管QB3的基极相连,三极管QB3的发射极与三极管QB4的发射极相连,三极管QB3的集电极与三极管QB4的集电极相连,三极管QB3的集电极与常闭继电器RL1的线圈触点2相连,三极管QB4的基极与电压比较器U2A的输出端相连,电压比较器U2A的正电源用于与外部开关电源的电源VDD相连,电压比较器U2A的负输入端用于与参考电压VREF相连,电压比较器U2A的正输入端与电阻RB8和电阻RB9的公共端相连。
在本实用新型的一些实施例中,上述开关管电路包括MOS管QB5,电压比较输出电路包括MCU电路;运算放大器U1A的输出端与MCU电路的输入端相连,电阻RB8和电阻RB9的公共端与MCU电路的输入端相连,MCU电路的输出端与MOS管QB5的栅极相连,MOS管QB5的源极接地,MOS管QB5的漏极与常闭继电器RL1的线圈触点2相连。
在本实用新型的一些实施例中,上述电压比较输出电路还包括隔离采样电路和隔离输出电路;运算放大器U1A的输出端与隔离采样电路的输入端相连,电阻RB8和电阻RB9的公共端与隔离采样电路的输入端相连,隔离采样电路的输出端与MCU电路的输入端相连,MCU电路的输出端通过隔离输出电路与MOS管QB5的栅极相连。
在本实用新型的一些实施例中,上述开关管电路包括三极管QB6,电压比较输出电路包括MCU电路;运算放大器U1A的输出端与MCU电路的输入端相连,电阻RB8和电阻RB9的公共端与MCU电路的输入端相连,MCU电路的输出端与三极管QB6的基极相连,三极管QB6的发射极接地,三极管QB6的集电极与常闭继电器RL1的线圈触点2相连。
第二方面,本申请实施例提供一种异常保护装置,其包括壳体和设有第一方面中任一一种异常保护电路的电路板,上述电路板设于上述壳体内。
相对于现有技术,本实用新型的实施例至少具有如下优点或有益效果:
本实用新型的实施例提出了一种异常保护电路,可以用于目前部分成本较低的开关电源芯片没有的母线电容过压保护,同时可以采样输入电流做异常电流保护,当异常发生时,可以及时切断电路,减少器件的损坏,防止一些严重风险的发生,如电容起火等。并且方案实现原理简单,线路可靠,响应及时。
另外,本实用新型的实施例提出了一种异常保护装置,其通过将设有异常保护电路的电路板封装到壳体内,做成异常保护装置,可以利于用户进行使用,方便快捷。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本实用新型一种异常保护电路一实施例的电路结构框图;
图2为本实用新型一种异常保护电路一实施例的电路结构示意图;
图3为本实用新型一种异常保护电路又一实施例的电路结构示意图;
图4为本实用新型一种异常保护电路另一实施例的电路结构示意图;
图5为本实用新型一种异常保护电路再一实施例的电路结构示意图。
图标:1、交流输入电压采样电路;2、直流输入电压采样电路;3、电压比较输出电路;4、开关管电路;5、常闭继电器电路。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此,以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围,而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
实施例
下面结合附图,对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下,下述的各个实施例及实施例中的各个特征可以相互组合。
请参照图1-5,本实用新型实施例提供一种异常保护电路,其通过电路结构优化,可以用于对开关电源进行简单方便并精准有效的过电压保护以及异常瞬态大电流保护。该异常保护电路包括交流输入电压采样电路1、直流输入电压采样电路2、电压比较输出电路3、开关管电路4和常闭继电器电路5;交流输入电压采样电路1的输入端用于与外部开关电源的交流输入端相连,交流输入电压采样电路1的输出端与电压比较输出电路3的输入端相连,直流输入电压采样电路2电路的输入端用于与外部开关电源的直流输入端相连,直流输入电压采样电路2电路的输出端与电压比较输出电路3的输入端相连,电压比较输出电路3的输出端与开关管电路4的输入端相连,开关管电路4的输出端与常闭继电器电路5的线圈回路相连,常闭继电器电路5的开关回路用于与外部开关电源的交流输入端回路相连。
上述实施例中,交流输入电压采样电路1的输入端用于与外部开关电源的交流输入端相连,从而可以用于对外部开关电源的交流输入端的电压进行采样,设其采样的电压为VIN。直流输入电压采样电路2电路的输入端用于与外部开关电源的直流输入端相连,从而可以用于对外部开关电源的直流输入端的电压进行采样,设其采样的电压为VOUT。从而通过后续电压比较输出电路3可以分别对VIN和VOUT跟其本身设定的正常值进行比较处理,在其出现异常的时候输出一个控制信号电压(不管是VIN单独出现异常还是VOUT单独出现异常,更或者是两者都出现异常时,均会输出一个控制信号电压)。此控制信号电压送入开关管电路4的输入端,从而开关管进行动作,输出相应的动作信号电压,接着将动作信号电压送入常闭继电器电路5线圈回路。由于常闭继电器电路5的开关回路用于与外部开关电源的交流输入端回路相连了,从而在接收到动作信号电压后,常闭继电器进行动作,开关回路将断开,以至于断开外部开关电源的交流输入端回路,起到切断外部开关电源的目的,也就是将起到过电流和过电压的作用。而在常闭继电器电路5未接收到动作信号电压的时候(VIN和VOUT均正常时,即电路中未出现过电流或过电压时),其开关回路处于闭合状态,正常的串接于外部开关电源的输入回路,从而外部开关电源电路正常运行,不会影响其正常工作。需要说明的是,其中直流输入电压采样电路2的输入端可以与母线电容相连,用于对母线电容两端的电压进行采样获取,从而在母线电容出现过电压的时候,可以及时的对其进行处理(通过断开常闭继电器电路5的开关回路,实现外部开关电源的输入断开,从而对母线电容起到过电压保护的作用)。而交流输入电压采样电路1的输入端可以设置在外部开关电源的交流输入端易出现过电流的地方,或者获取过电流的方便的地方(例如可以与外部开关电源的NTC热敏电阻相连),后续在获取到过电流的时候即可断开常闭继电器电路5的开关回路。起到对外部开关电源的过电流保护的作用。
由于外部开关电源的具体结构多种多样,本申请实施例不可能对所有外部开关电源都做具体介绍,但是为便于理解,请参阅图2-5,可以对其进行简化为:在接入市电等交流后(通过插座CNB1进行接入),经过保险丝FB1和热敏电阻NTCB1等器件(图中为简示,实际产品还有EMI滤波器)后接整流桥BD1进行整流后,经母线电容EB1滤波成直流输入至DC/DC开关电源中。其中,开关电源中一般会有辅助电源输出稳定的VCC电源供控制IC使用,图中的VDD和VREF都由VCC转化而成,一般用电阻分压等方式转化,其属于现有技术,此处不再对具体转换过程进行赘述。在后续本申请实施例中,将以上述示例性举出的外部开关电源进行介绍,可以理解的是,这并不会对方案实施的场景构成限定。
请参照图2-5,在本实用新型的一些实施例中,上述交流输入电压采样电路1包括电阻RB2、电阻RB4、电阻RB3、电阻RB5、电阻RB6、运算放大器U1A;运算放大器U1A的正输入端通过电阻RB2与外部开关电源的交流输入端相连,运算放大器U1A的正输入端还通过电阻RB3接地,所述运算放大器U1A的负输入端通过所述电阻RB4与外部开关电源的交流输入端相连,运算放大器U1A的负输入端通过电阻RB5与运算放大器U1A的输出端相连,运算放大器U1A的正电源端用于与外部开关电源的电源VDD相连。
上述实施例中,对于外部开关电源的交流输入电压采样,可以直接将电阻RB2和电阻RB4分别与需要采样的电子元件的两端相连,例如在一些实施例中,可以直接通过热敏电阻NTCB1两端的电压来检测。考虑到在电源正常运行中,热敏电阻NTCB1的阻值较小,因此可以通过差分放大电路进行信号放大。差分放大电路由电阻RB2、电阻RB3、电阻RB4、电阻RB5、运算放大器U1A,假负载电阻RB6。假设触发保护的输入电流为Iin,则热敏电阻NTCB1两端电压为V1和V2,Rntcb1为NTCB1的阻值,则:V1-V2=Iin·Rntcb1;V3是运算放大器U1A的输出,一般为计算简单,会设定RB2=RB4,RB3=RB5,则根据运放原理:从而可以通过设计电阻RB5(电阻RB3)、电阻RB4(电阻RB2)的比值将电流信号IOset转换成较大的电压信号V3。其中,电阻R6为运放假负载,可以提高运放的输出抗干扰能力。也就是说,通过上述电路将可以精准有效的获取到外部开关电源的交流输入端的电流变化情况,便于后续对出现异常的电流变化情况进行处理。
请参照图2-5,在本实用新型的一些实施例中,上述直流输入电压采样电路2包括电阻RB8和电阻RB9,电阻RB8和电阻RB9串联后用于与外部开关电源的直流输入端的母线电容并联。
上述实施例中,考虑到对于外部开关电源的过电压保护主要是想要基于母线电容进行保护的,因此可以在母线电容的两端并联串联的电阻RB8和电阻RB9进行分压采样(其中母线电容对应图2-5中的电容EB1),其中分压采样点为V4。假设过压点设计为VOVP,则
请参照图2-5,在本实用新型的一些实施例中,上述常闭继电器电路5包括常闭继电器RL1和电阻RB1;常闭继电器RL1的线圈触点1通过电阻RB1后用于与外部开关电源的辅助电源VCC相连,所述常闭继电器RL1的开关回路用于与外部开关电源的交流输入端串联。
上述实施例中,常闭继电器电路5通过采用常闭继电器RL1和电阻RB1进行设置,从而电阻RB1可以作为限流电阻,对常闭继电器RL1进行保护用。对于常闭继电器RL1而言,后续则可以为其线圈回路提供动作电压(出现过电压或者过电流时提供),使其线圈吸合,达到断开开关回路的作用。
请参照图2,在本实用新型的一些实施例中,上述开关管电路4包括MOS管QB1、MOS管QB2,电压比较输出电路3包括电压比较器U1B和电压比较器U2A;电压比较器U1B的正输入端用于与参考电压VREF相连,电压比较器U1B的负输入端与运算放大器U1A的输出端相连,电压比较器U1B的输出端与MOS管QB1的栅极相连,MOS管QB1的源极与MOS管QB2的源极相连,MOS管QB1的漏极与MOS管QB2的漏极相连,MOS管QB1的漏极与常闭继电器RL1的线圈触点2相连,MOS管QB2的栅极与电压比较器U2A的输出端相连,电压比较器U2A的正电源用于与外部开关电源的电源VDD相连,电压比较器U2A的负输入端用于与参考电压VREF相连,电压比较器U2A的正输入端与电阻RB8和电阻RB9的公共端相连。
对于电压比较输出电路3而言,其希望获取到VIN和VOUT与其正常值的对比关系,并在其出现异常的时候输出一个控制信号电压(不管是VIN单独出现异常还是VOUT单独出现异常,更或者是两者都出现异常时,均会输出一个控制信号电压)。从而,在上述实施例中,通过电压比较器U1B对VIN进行与其设定的正常值进行比较,并在异常时输出一个控制信号至MOS管QB1的栅极,然后可以在MOS管QB1漏极输出一个动作信号电压给常闭继电器电路5的线圈回路。同理,电压比较器U2A与其设定的正常值进行比较,并同样在异常时输出一个控制信号至MOS管QB1的栅极,然后可以在MOS管QB2漏极输出一个动作信号电压给常闭继电器电路5的线圈回路。
其中,若交流输入电压采样电路1工作时是直接通过热敏电阻NTCB1两端的电压来检测的,则当Iin瞬间增大时,热敏电阻NTCB1的温升会瞬间升高,Rntcb1会相应的降低。所以V1-V2的值可能随Iin的增大而减小,也可能是增大,具体跟使用的热敏电阻NCTB1特性有关。这里假设是V1-V2随Iin的增大而减小,则V3接电压比较器U1B的负输入端6脚,基准信号VREF接正输入端5脚。反之如果V1-V2是随Iin的增大而增大,则只需将正输入端5脚和负输入端6脚互换即可,此情况不赘述。
另外,按上述假设,V3在正常情况下应当小于VREF,电压比较器U1B的输出信号为V5,V5连接至MOS管QB1的栅极。当V3电压在某一异常输入电流时,V3会低于VREF,则电压比较器U1B的7脚会输出一个高电平V5,MOS管QB1的漏极、源极脚会导通,此时VCC接入常闭继电器RL1,则常闭继电器RL1会断开,从而保护整流桥BD1后的器件。
请参照图3,在本实用新型的一些实施例中,上述开关管电路4包括三极管QB3、三极管QB4,电压比较输出电路3包括电压比较器U1B和电压比较器U2A;电压比较器U1B的正输入端用于与参考电压VREF相连,电压比较器U1B的负输入端与运算放大器U1A的输出端相连,电压比较器U1B的输出端与三极管QB3的基极相连,三极管QB3的发射极与三极管QB4的发射极相连,三极管QB3的集电极与三极管QB4的集电极相连,三极管QB3的集电极与常闭继电器RL1的线圈触点2相连,三极管QB4的基极与电压比较器U2A的输出端相连,电压比较器U2A的正电源用于与外部开关电源的电源VDD相连,电压比较器U2A的负输入端用于与参考电压VREF相连,电压比较器U2A的正输入端与电阻RB8和电阻RB9的公共端相连。
上述实施例中,通过将MOS管QB1、MOS管QB2分别替换为三极管QB3、三极管QB4,从而可以基于三极管进行开关管电路4的设计,其原理同采用MOS管进行开关管电路4的情况,此处不再赘述。
请参照图4,在本实用新型的一些实施例中,上述开关管电路4包括MOS管QB5,电压比较输出电路3包括MCU电路;运算放大器U1A的输出端与MCU电路的输入端相连,电阻RB8和电阻RB9的公共端与MCU电路的输入端相连,MCU电路的输出端与MOS管QB5的栅极相连,MOS管QB5的源极接地,MOS管QB5的漏极与常闭继电器RL1的线圈触点2相连。
上述实施例中,通过利用数字控制芯片设计的MCU电路对采样获取的电压V3和V4进行数字化处理(其中MCU电路可以基于stm32f103c8t6型号的MCU芯片进行设计),并且输出对应的控制信号电压V5。从而不仅可以利用MCU电压实时检测母线电容的电压和输入电流,在检测到异常时,MCU电路进行输出一个高电平的控制信号电压V5,进行控制MOS管QB5导通,常闭继电器RL1的开关回路打开。并且数字控制芯片可以便于对将异常数据进行记录,从而便于后续进行异常分析使用,提高异常分析的效率。
请参照图4,在本实用新型的一些实施例中,上述电压比较输出电路3还包括隔离采样电路和隔离输出电路;运算放大器U1A的输出端与隔离采样电路的输入端相连,电阻RB8和电阻RB9的公共端与隔离采样电路的输入端相连,隔离采样电路的输出端与MCU电路的输入端相连,MCU电路的输出端通过隔离输出电路与MOS管QB5的栅极相连。
其中,利用MCU电路进行设计电压比较输出电路3时,MCU电路可以位于开关电源的原边,也可以位于开关电源的副边。从而当位于副边时,可以通过隔离采样电路和隔离输出电路进行隔离输入和输出用,而MCU电路在原边时,则可以不需要隔离采样电路和隔离输出电路。
请参照图5,在本实用新型的一些实施例中,上述开关管电路4包括三极管QB6,电压比较输出电路3包括MCU电路;运算放大器U1A的输出端与MCU电路的输入端相连,电阻RB8和电阻RB9的公共端与MCU电路的输入端相连,MCU电路的输出端与三极管QB6的基极相连,三极管QB6的发射极接地,三极管QB6的集电极与常闭继电器RL1的线圈触点2相连。
上述实施例中,通过将MOS管QB5替换为三极管QB6,从而可以基于三极管进行开关管电路4的设计,其原理同采用MOS管进行开关管电路4的情况,此处不再赘述。
本实用新型实施例还提供一种异常保护装置,其包括壳体和设有上述的一种异常保护电路的电路板,电路板设于壳体内。其通过将设有异常保护电路的电路板封装到壳体内,做成异常保护装置,可以利于用户进行使用,方便快捷。
对于本领域技术人员而言,显然本申请不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本申请的精神或基本特征的情况下,能够以其它的具体形式实现本申请。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本申请的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本申请内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (10)
1.一种异常保护电路,其特征在于,包括交流输入电压采样电路、直流输入电压采样电路、电压比较输出电路、开关管电路和常闭继电器电路;
所述交流输入电压采样电路的输入端用于与外部开关电源的交流输入端相连,所述交流输入电压采样电路的输出端与所述电压比较输出电路的输入端相连,所述直流输入电压采样电路的输入端用于与外部开关电源的直流输入端相连,所述直流输入电压采样电路的输出端与所述电压比较输出电路的输入端相连,所述电压比较输出电路的输出端与所述开关管电路的输入端相连,所述开关管电路的输出端与所述常闭继电器电路的线圈回路相连,所述常闭继电器电路的开关回路用于与外部开关电源的交流输入端回路相连。
2.根据权利要求1所述的一种异常保护电路,其特征在于,所述交流输入电压采样电路包括电阻RB2、电阻RB4、电阻RB3、电阻RB5、电阻RB6、运算放大器U1A;
所述运算放大器U1A的正输入端通过所述电阻RB2与外部开关电源的交流输入端相连,所述运算放大器U1A的正输入端还通过所述电阻RB3接地,所述运算放大器U1A的负输入端通过所述电阻RB4与外部开关电源的交流输入端相连,所述运算放大器U1A的负输入端通过所述电阻RB5与所述运算放大器U1A的输出端相连,所述运算放大器U1A的正电源端用于与外部开关电源的电源VDD相连。
3.根据权利要求2所述的一种异常保护电路,其特征在于,所述直流输入电压采样电路包括电阻RB8和电阻RB9,所述电阻RB8和所述电阻RB9串联后用于与外部开关电源的直流输入端的母线电容并联。
4.根据权利要求3所述的一种异常保护电路,其特征在于,所述常闭继电器电路包括常闭继电器RL1和电阻RB1;
所述常闭继电器RL1的线圈触点1通过所述电阻RB1后用于与外部开关电源的辅助电源VCC相连,所述常闭继电器RL1的开关回路用于与外部开关电源的交流输入端串联。
5.根据权利要求4所述的一种异常保护电路,其特征在于,所述开关管电路包括MOS管QB1、MOS管QB2,电压比较输出电路包括电压比较器U1B和电压比较器U2A;
所述电压比较器U1B的正输入端用于与参考电压VREF相连,所述电压比较器U1B的负输入端与所述运算放大器U1A的输出端相连,所述电压比较器U1B的输出端与所述MOS管QB1的栅极相连,所述MOS管QB1的源极与所述MOS管QB2的源极相连,所述MOS管QB1的漏极与所述MOS管QB2的漏极相连,所述MOS管QB1的漏极与所述常闭继电器RL1的线圈触点2相连,所述MOS管QB2的栅极与所述电压比较器U2A的输出端相连,所述电压比较器U2A的正电源用于与外部开关电源的电源VDD相连,所述电压比较器U2A的负输入端用于与参考电压VREF相连,所述电压比较器U2A的正输入端与所述电阻RB8和所述电阻RB9的公共端相连。
6.根据权利要求4所述的一种异常保护电路,其特征在于,所述开关管电路包括三极管QB3、三极管QB4,电压比较输出电路包括电压比较器U1B和电压比较器U2A;
所述电压比较器U1B的正输入端用于与参考电压VREF相连,所述电压比较器U1B的负输入端与所述运算放大器U1A的输出端相连,所述电压比较器U1B的输出端与所述三极管QB3的基极相连,所述三极管QB3的发射极与所述三极管QB4的发射极相连,所述三极管QB3的集电极与所述三极管QB4的集电极相连,所述三极管QB3的集电极与所述常闭继电器RL1的线圈触点2相连,所述三极管QB4的基极与所述电压比较器U2A的输出端相连,所述电压比较器U2A的正电源用于与外部开关电源的电源VDD相连,所述电压比较器U2A的负输入端用于与参考电压VREF相连,所述电压比较器U2A的正输入端与所述电阻RB8和所述电阻RB9的公共端相连。
7.根据权利要求4所述的一种异常保护电路,其特征在于,所述开关管电路包括MOS管QB5,所述电压比较输出电路包括MCU电路;
所述运算放大器U1A的输出端与所述MCU电路的输入端相连,所述电阻RB8和所述电阻RB9的公共端与所述MCU电路的输入端相连,所述MCU电路的输出端与所述MOS管QB5的栅极相连,所述MOS管QB5的源极接地,所述MOS管QB5的漏极与所述常闭继电器RL1的线圈触点2相连。
8.根据权利要求7所述的一种异常保护电路,其特征在于,所述电压比较输出电路还包括隔离采样电路和隔离输出电路;
所述运算放大器U1A的输出端与所述隔离采样电路的输入端相连,所述电阻RB8和所述电阻RB9的公共端与所述隔离采样电路的输入端相连,所述隔离采样电路的输出端与所述MCU电路的输入端相连,所述MCU电路的输出端通过所述隔离输出电路与所述MOS管QB5的栅极相连。
9.根据权利要求4所述的一种异常保护电路,其特征在于,所述开关管电路包括三极管QB6,所述电压比较输出电路包括MCU电路;
所述运算放大器U1A的输出端与所述MCU电路的输入端相连,所述电阻RB8和所述电阻RB9的公共端与所述MCU电路的输入端相连,所述MCU电路的输出端与所述三极管QB6的基极相连,所述三极管QB6的发射极接地,所述三极管QB6的集电极与所述常闭继电器RL1的线圈触点2相连。
10.一种异常保护装置,其特征在于,包括壳体和设有权利要求1-9任一项所述的一种异常保护电路的电路板,所述电路板设于所述壳体内。
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