CN218904768U - 一种半导体晶圆用精雕机 - Google Patents

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吴林生
许小风
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Yongzhou Dade Technology Co ltd
Dongguan Diaorun Nc Technology Co ltd
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Yongzhou Dade Technology Co ltd
Dongguan Diaorun Nc Technology Co ltd
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Abstract

本实用新型涉及精加工的技术领域,尤其是涉及一种半导体晶圆用精雕机,其包括:两组打磨机构,其中一组所述打磨机构用于对晶圆进行粗打磨,另一组所述打磨机构用于对晶圆进行精打磨;切换机构,所述切换机构设置于两组所述打磨机构之间,所述切换机构用于放置待打磨晶圆和用于将待打磨晶圆从其中一组所述打磨机构处切换至另一组所述打磨机构处。本申请具有降低晶圆损坏的可能性的效果。

Description

一种半导体晶圆用精雕机
技术领域
本实用新型涉及精加工的技术领域,尤其是涉及一种半导体晶圆用精雕机。
背景技术
精雕机是数控机床的一种,能够在机床主控面板的调控下,自动对金属或非金属板材进行非接触切割打孔,广泛用于精确雕细小并且复杂零件的行业中,如应用各种光学玻璃、显示屏、视窗镜片的高精密打磨等,随着精雕机的快速发展和改进,精雕机还能够对半导体晶圆进行加工,晶圆打磨流程包括粗打磨和精打磨,而现有的粗打磨工序和精打磨工序通常是互相独立的,同一块晶圆需要经过两台不同的精雕机中打磨,由于晶圆是易碎品,在转移的过程中容易受到损坏。
实用新型内容
为了降低晶圆损坏的可能性,本申请提供一种半导体晶圆用精雕机。
本申请的上述发明目的是通过以下技术方案得以实现的:
两组打磨机构,其中一组所述打磨机构用于对晶圆进行粗打磨,另一组所述打磨机构用于对晶圆进行精打磨;
切换机构,所述切换机构设置于两组所述打磨机构之间,所述切换机构用于放置待打磨晶圆和用于将待打磨晶圆从其中一组所述打磨机构处切换至另一组所述打磨机构处。
通过采用上述技术方案,待打磨晶圆在通过其中一组打磨机构完成粗打磨后,在切换机构的作用下,待打磨晶圆能够在不脱离于切换机构的情况下切换至另一组打磨机构处进行精打磨,从而能够降低晶圆在转移过程中损坏的可能性。
本申请在一较佳示例中可以进一步配置为:所述切换机构包括用于自轴转动的转动台、多个安装于所述转动台的工作台和驱动所述转动台转动的第一驱动件,所述工作台用于放置晶圆。
通过采用上述技术方案,待打磨晶圆在通过其中一组打磨机构完成粗打磨后,通过第一驱动件驱动转动台转动,以使工作台带动晶圆围绕转动台中心转动,能够实现晶圆位置的切换。
本申请在一较佳示例中可以进一步配置为:每个所述工作台均转动连接于所述转动台,每个所述工作台的转动轴与所述转动台的转动轴平行,每个所述工作台设置有用于驱动所述工作台转动的第二驱动件。
通过采用上述技术方案,通过第二驱动件驱动工作台自转,能够带动待打磨晶圆进行转动,从而改变晶圆受打磨位置,以使受打磨的位置更全面。
本申请在一较佳示例中可以进一步配置为:所述工作台中心开设有通孔,所述工作台设置有用于将所述通孔内的空气抽出的第三驱动件。
通过采用上述技术方案,将待打磨晶圆放置工作台顶部中心处,以使待打磨晶圆封闭通孔,从而使通孔内部形成密闭气道,然后通过第三驱动件将密闭气道内的气体抽出,使密闭气道内的气压小于外部气压,形成负压环境,此时待打磨晶圆受到外部气压的压力,使待打磨晶圆抵紧于工作台顶部,实现对待打磨晶圆的固定。
本申请在一较佳示例中可以进一步配置为:所述工作台顶部开设有至少一个与所述通孔相连通的凹槽。
通过采用上述技术方案,设置凹槽,在将晶圆放置于工作台顶部且封闭通孔和凹槽时,能够增大待打磨晶圆与通孔内部形成的密闭气道的面积,以使待打磨晶圆受到外部气压的压力更均匀,对待打磨晶圆的固定效果更好,并且能够降低晶圆损坏的可能性。
本申请在一较佳示例中可以进一步配置为:所述通孔内设置有气压传感器,所述气压传感器与外部主控面板电连接。
通过采用上述技术方案,在晶圆固定于工作台顶部时,气压传感器能够检测密闭气道内的气压,并且能够配合外部的主控面板设置适用于晶圆的负压数值,在负压过大时,气压传感器能够发送信号反馈至主控面板,使主控面板通过控制第三驱动件来调控密闭气道内的气压,能够防止负压过大对晶圆造成损坏。
本申请在一较佳示例中可以进一步配置为:所述转动台一侧设置有安装架,两组所述打磨机构分别位于所述安装架顶部的相对两侧,所述打磨机构包括安装板、升降板和打磨件,所述安装板沿所述安装架的长度方向滑移连接于所述安装架顶部,所述安装架设置有用于驱动所述安装板滑移的第一驱动组件,所述升降板沿所述安装架的高度方向滑移连接于所述安装板,所述安装板设置有用于驱动所述升降板滑移的第二驱动组件,所述打磨件转动连接于所述升降板且所述打磨件的转动轴方向与所述工作台的转动轴方向相同,所述升降板设置有用于驱动所述打磨件转动的第四驱动件,在所述工作台围绕所述转动台转动的轨迹上具有工作位置,在所述工作台位于所述工作位置时,所述工作台的中心位于所述打磨件的正下方。
通过采用上述技术方案,在工作台转动至工作位置时,通过第一驱动组件驱动安装板滑移,以使安装板滑移至对应工序的工作台的正上方,此时通过第二驱动组件驱动升降板滑移,使打磨件抵接于待打磨晶圆,再通过第四驱动件驱动打磨件转动,能够实现对晶圆的打磨工作,并且只需进行两个坐标轴的运动即可完成打磨件对待打磨晶圆的捕捉抵接,能够降低设备成本,以及通过安装板的滑移和工作台的自轴转动,打磨件能够全面地对晶圆进行打磨。
本申请在一较佳示例中可以进一步配置为:所述升降板上竖直安装有探针和用于驱动所述探针竖直移动的第五驱动件,所述探针与外部主控面板电连接。
通过采用上述技术方案,在打磨件对晶圆进行打磨时,通过第五驱动件驱动探针靠近晶圆直至抵接晶圆,此时探针可根据设定好的程式,接触晶圆的边缘与表面,计算出晶圆的实时厚度,能够实现同时对晶圆进行打磨和厚度检测。
本申请在一较佳示例中可以进一步配置为:所述转动台的进料侧设置有用于存放待打磨晶圆的进料架和用于存放成品晶圆的出料架,所述转动台的进料侧还设置有用于将位于所述进料架的待打磨晶圆输送至工作台顶部和将成品晶圆输送至所述出料架内的输送机构,所述输送机构包括两个相对的支撑桁架和滑移连接于两个支撑桁架之间的活动桁架,两个所述支撑桁架上均设置有用于驱动所述活动桁架滑移的第三驱动组件,所述活动桁架一侧沿自身长度方向滑移连接有第一连接板,所述活动桁架设置有用于驱动所述第一连接板滑动的第四驱动组件,所述第一连接板上沿所述打磨架的高度方向滑移连接有第二连接板,所述第一连接板上设置有用于驱动所述第二连接板滑动的第五驱动组件,所述第二连接板设置有抵接板,所述抵接板一侧安装有用于吸附晶圆的吸盘,所述第二连接板与所述抵接板之间设置有用于将所述抵接板翻转至少90°的翻转组件。
通过采用上述技术方案,通过两个第三驱动组件同时驱动活动桁架带动第一连接板滑动、第四驱动组件驱动第一连接板带动第二连接板滑动和第五驱动组件驱动第二连接板带动旋转气缸滑动,能够实现抵接板在三个不同的坐标轴上运动,以便于抵接板移动至进料架和出料架进行上下料,并且在翻转组件的作用下,抵接板能够实现90°的翻转,以便于抵接板上的吸盘对晶圆外表面进行吸附,能够实现对晶圆的上下料功能。
本申请在一较佳示例中可以进一步配置为:所述翻转组件包括旋转气缸,所述旋转气缸竖直安装于所述抵接板,所述抵接板固定连接于所述旋转气缸的输出轴。
通过采用上述技术方案,旋转气缸能够带动抵接板完成至少90°的翻转,以使抵接板上的吸盘能够对处于水平放置的晶圆的外表面或处于竖直放置的晶圆外表面进行吸附。
综上所述,本申请包括以下至少一种有益技术效果:
1、待打磨晶圆在通过其中一组打磨机构完成粗打磨后,在切换机构的作用下,待打磨晶圆能够在不脱离于切换机构的情况下切换至另一组打磨机构处进行精打磨,从而能够降低晶圆在转移过程中损坏的可能性。
2、将待打磨晶圆放置工作台顶部中心处,以使待打磨晶圆封闭通孔,从而使通孔内部形成密闭气道,然后通过第三驱动件将密闭气道内的气体抽出,使密闭气道内的气压小于外部气压,形成负压环境,此时待打磨晶圆受到外部气压的压力,使待打磨晶圆抵紧于工作台顶部,实现对待打磨晶圆的固定。
3、设置凹槽,在将晶圆放置于工作台顶部且封闭通孔和凹槽时,能够增大待打磨晶圆与通孔内部形成的密闭气道的面积,以使待打磨晶圆受到外部气压的压力更均匀,对待打磨晶圆的固定效果更好,并且能够降低晶圆损坏的可能性。
附图说明
图1是本申请去除输送机构后的结构示意图;
图2是图1中A部分的局部放大示意图;
图3是本申请中转动台底部的结构示意图;
图4是本申请中半导体晶圆用精雕机内部的结构示意图;
图5是图4中B部分的局部放大示意图。
附图标记:1、转动台;2、工作台;3、第一驱动件;4、第二驱动件; 5、通孔;6、第三驱动件;7、凹槽;8、安装架;9、安装板;10、升降板;11、打磨件;12、第一驱动组件;13、第二驱动组件;14、第四驱动件;15、探针;16、第五驱动件;17、进料架;18、出料架;19、支撑桁架;20、活动桁架;21、第三驱动组件;22、第一连接板;23、第四驱动组件;24、第二连接板;25、第五驱动组件;26、旋转气缸;27、抵接板;28、吸盘;29、清洁刷。
具体实施方式
以下结合附图对本申请的示范性实施例做出说明,其中包括本申请实施例的各种细节以助于理解,应当将它们认为仅仅是示范性的。因此,本领域普通技术人员应当认识到,可以对这里描述的实施例做出各种改变和修改,而不会背离本申请的范围和精神。同样,为了清楚和简明,以下的描述中省略了对公知功能和结构的描述。
需要说明的是,本实用新型中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本公开的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。
另外,本文中术语“和/或”,仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,如无特殊说明,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
下面参考附图描述本申请的一种半导体晶圆用精雕机。
如图1所示,半导体晶圆用精雕机包括两组打磨机构和切换机构,其中一组打磨机构用于对晶圆进行粗打磨,另一组打磨机构用于对晶圆进行精打磨,切换机构设置于两组打磨机构之间,切换机构用于放置待打磨晶圆和用于将待打磨晶圆从其中一组打磨机构处切换至另一组打磨机构处;
具体地,如图1和图3所示,切换机构包括用于自轴转动的转动台1、多个安装于转动台1的工作台2和驱动转动台1转动的第一驱动件3,工作台2用于放置待打磨晶圆,工作台2转动连接于转动台1,工作台2的转动轴与转动台1的转动轴平行,工作台2设置有用于驱动工作台2转动的第二驱动件4,通过第二驱动件4驱动工作台2自转,能够带动待打磨晶圆进行转动,从而改变晶圆受打磨位置,以使受打磨的位置更全面;
在本实施例中,工作台2的数量为三个,三个工作台2分别对应上下料工序、粗打磨工序和精打磨工序,相邻两个工作台2的圆心与转动台1的圆心的连线之间的夹角为120°,以使单个工作台2完成三次120°转动后,能够对应经过三道工序的位置,完成一次功能闭环,其中,第一驱动件3为DD直驱电机,DD直驱电机的输出力矩大,也被直接称为力矩伺服,能够直接与转动台1的底部中心连接,省去了减速器的安装,降低了设备成本,并且减少了由于机械结构产生的定位误差,使得转动台1每次转动的精确度得以保证;
在待打磨晶圆位于工作台2上时,先通过其中一组打磨机构完成粗打磨后,通过DD直驱电机驱动转动台1转动,以使工作台2带动晶圆围绕转动台1中心转动至另一组打磨机构的位置,能够实现晶圆位置的切换,并且待打磨晶圆能够在不脱离于工作台2的情况下切换至另一组打磨机构处进行精打磨,从而能够降低晶圆在转移过程中损坏的可能性。
如图2和图3所示,为了确保待打磨晶圆不脱离于工作台2,工作台2中心开设有通孔 5,工作台2设置有用于将通孔 5内的空气抽出的第三驱动件6,第三驱动件6可选为气泵,气泵固定安装于工作台2底部中心且气泵的气阀连通于通孔 5,通过将待打磨晶圆放置于工作台2顶部中心,以使待打磨晶圆外表面封闭通孔 5,从而使通孔 5内部形成密闭气道,然后通过气泵将密闭气道内的气体抽出,使密闭气道内的气压小于外部气压,形成负压环境,此时待打磨晶圆受到外部气压的压力,使待打磨晶圆抵紧于工作台2顶部,实现对待打磨晶圆的固定;
进一步地,工作台2顶部开设有至少一个与通孔 5相连通的凹槽7,凹槽7的形状可以根据待打磨晶圆的形状设置为环形、方形等,以便于待打磨晶圆能够封闭凹槽7,通过设置凹槽7和第二凹槽7,能够增大待打磨晶圆与通孔 5内部形成的密闭气道的面积,以使待打磨晶圆受到外部气压的压力更均匀,对待打磨晶圆的固定效果更好,并且能够降低晶圆损坏的可能性;
另外,为了防止负压过大对晶圆造成损坏,通孔 5内设置有气压传感器(图中未示出),气压传感器与外部主控面板电连接,在晶圆固定于工作台2顶部时,气压传感器能够检测密闭气道内的气压,并且能够配合外部的主控面板设置适用于晶圆的负压数值,在负压过大时,气压传感器能够发送信号反馈至主控面板,使主控面板通过控制第三驱动件6来调控密闭气道内的气压,能够防止负压过大对晶圆造成损坏。
如图1所示,在本实施例中,为了给两组打磨机构提供安装位置,转动台1一侧设置有安装架8,两组打磨机构分别位于安装架8顶部的相对两侧,其中,打磨机构包括安装板9、升降板10和打磨件11,安装板9沿安装架8的长度方向滑移连接于安装架8顶部,安装架8设置有用于驱动安装板9滑移的第一驱动组件12,升降板10沿安装架8的高度方向滑移连接于安装板9,安装板9设置有用于驱动升降板10滑移的第二驱动组件13,打磨件11的形状可以根据操作人员的打磨需求灵活更换,可以是盘状打磨件11、针状打磨件11等,打磨件11竖直转动连接于升降板10且打磨件11的转动轴方向与工作台2的转动轴方向相同,升降板10设置有用于驱动打磨件11转动的第四驱动件14,第四驱动件14可选为电机,在工作台2围绕转动台1转动的轨迹上具有工作位置,在工作台2位于工作位置时,工作台2的中心位于打磨件11的正下方,在加工时,将待打磨晶圆放置于工作台2上,通过转动台1转动,带动工作台2移动至工作位置,通过第一驱动组件12驱动安装板9滑移,以使安装板9滑移至对应工序的工作台2的正上方,此时通过第二驱动组件13驱动升降板10滑移,使打磨件11抵接于待打磨晶圆,再通过第四驱动件14驱动打磨件11转动,能够实现对晶圆的打磨工作,并且只需进行两个坐标轴的运动即可完成打磨件11对待打磨晶圆的捕捉抵接,能够降低设备成本,以及通过安装板9的滑移和工作台2的自轴转动,打磨件11能够全面地对晶圆进行打磨;
进一步地,升降板10上竖直安装有探针15和用于驱动探针15竖直移动的第五驱动件16,第五驱动件16可选为气缸,气缸竖直固定安装于升降板10,探针15固定安装于气缸活塞杆,探针15与外部主控面板电连接,在打磨件11对晶圆进行打磨时,通过第五驱动件16驱动探针15靠近晶圆直至抵接晶圆,此时探针15可根据设定好的程式,接触晶圆的边缘与表面,计算出晶圆的实时厚度,能够实现同时对晶圆进行打磨和厚度检测。
如图4所示,需要说明的是,在本实施例中,为了实现晶圆的上下料功能,转动台1的进料侧设置有用于存放待打磨晶圆的进料架17、用于存放成品晶圆的出料架18,以及用于将位于进料架17的待打磨晶圆输送至工作台2顶部和将成品晶圆输送至出料架18内的输送机构,输送机构包括两个相对的支撑桁架19和滑移连接于两个支撑桁架19之间的活动桁架20,两个支撑桁架19上均设置有用于驱动活动桁架20滑移的第三驱动组件21,活动桁架20一侧沿自身长度方向滑移连接有第一连接板22,活动桁架20设置有用于驱动第一连接板22滑动的第四驱动组件23,第一连接板22上沿打磨架的高度方向滑移连接有第二连接板24,第一连接板22上设置有用于驱动第二连接板24滑动的第五驱动组件25,第二连接板24设置有抵接板27,抵接板27一侧安装有用于吸附晶圆的吸盘28,第二连接板24与抵接板27之间设置有用于将抵接板27翻转至少90°的翻转组件,具体地,翻转组件包括旋转气缸26,旋转气缸26竖直固定安装于抵接板27,抵接板27固定连接于旋转气缸26的输出轴;
在需要从进料架17内取出待打磨晶圆或从工作台2上取出成品晶圆时,通过两个第三驱动组件21同时驱动活动桁架20带动第一连接板22滑动、第四驱动组件23驱动第一连接板22带动第二连接板24滑动和第五驱动组件25驱动第二连接板24带动旋转气缸26滑动,能够实现抵接板27在三个不同的坐标轴上运动,以便于抵接板27移动至进料架17和出料架18进行上下料,并且在旋转气缸26的作用下,抵接板27能够实现90°的翻转,以便于抵接板27上的吸盘28能够对处于水平放置的晶圆的外表面或处于竖直放置的晶圆外表面进行吸附;
进一步地,如图4和图5所示,第二连接板24竖直安装有清洁刷29,清洁刷29用于清扫靠近进料架17的工作台2,在第三驱动组件21、第四驱动组件23和第五驱动组件25的配合作用下,清洁刷29能够对工作台2进行各个角度的清扫工作,从而减少在打磨工序过程中所产生的碎屑的影响。
此外,打磨机构中的第一驱动组件12和第二驱动组件13、输送机构中的第三驱动组件21、第四驱动组件23和第五驱动组件25均包括滚珠丝杆组和用于驱动滚珠丝杆转动的电机,滚珠丝杠组是最常用的传动元件,滚珠丝杆组与打磨架之间的连接关系,滚珠丝杆组与支撑桁架19之间的连接关系、以及滚珠丝杆组与活动桁架20之间的连接关系,均为本领域技术人员的公知常识,此处不作赘述。
在本实施例中,通过在能够自轴转动的转动台1上设置多个自轴转动的工作台2,能够使三个工作台2上的晶圆分别处于不同的工序中,在对应工序完成后,随着转动台1的每次转动120°,每个工作台2所处的工序就会发生改变,而在工作台2完整转动一周后,每个工作台2能够复位,能够实现待打磨晶圆在一个设备内完成上下料工序、粗磨工序和精磨工序后,成为成品晶圆,实现了一个设备内各个机构功能设计的闭环,而无需在切换工序时将晶圆转移至另一个设备,从而能够降低晶圆损坏的可能性。
上述具体实施方式,并不构成对本申请保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是,根据设计要求和其他因素,可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本申请的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等,均应包含在本申请保护范围之内。

Claims (10)

1.一种半导体晶圆用精雕机,其特征在于,包括:
两组打磨机构,其中一组所述打磨机构用于对晶圆进行粗打磨,另一组所述打磨机构用于对晶圆进行精打磨;
切换机构,所述切换机构设置于两组所述打磨机构之间,所述切换机构用于放置待打磨晶圆和用于将待打磨晶圆从其中一组所述打磨机构处切换至另一组所述打磨机构处。
2.如权利要求1所述的一种半导体晶圆用精雕机,其特征在于,所述切换机构包括用于自轴转动的转动台(1)、多个安装于所述转动台(1)的工作台(2)和驱动所述转动台(1)转动的第一驱动件(3),所述工作台(2)用于放置晶圆。
3.如权利要求2所述的一种半导体晶圆用精雕机,其特征在于,每个所述工作台(2)均转动连接于所述转动台(1),每个所述工作台(2)的转动轴与所述转动台(1)的转动轴平行,每个所述工作台(2)设置有用于驱动所述工作台(2)转动的第二驱动件(4)。
4.如权利要求2所述的一种半导体晶圆用精雕机,其特征在于,所述工作台(2)顶部开设有至少一个通孔( 5),所述工作台(2)设置有用于将所述通孔( 5)内的空气抽出的第三驱动件(6)。
5.如权利要求4所述的一种半导体晶圆用精雕机,其特征在于,所述工作台(2)顶部开设有至少一个与所述通孔( 5)相连通的凹槽(7)。
6.如权利要求4所述的一种半导体晶圆用精雕机,其特征在于,所述通孔( 5)内设置有气压传感器,所述气压传感器与外部主控面板电连接。
7.如权利要求3所述的一种半导体晶圆用精雕机,其特征在于,所述转动台(1)一侧设置有安装架(8),两组所述打磨机构分别位于所述安装架(8)顶部的相对两侧,所述打磨机构包括安装板(9)、升降板(10)和打磨件(11),所述安装板(9)沿所述安装架(8)的长度方向滑移连接于所述安装架(8)顶部,所述安装架(8)设置有用于驱动所述安装板(9)滑移的第一驱动组件(12),所述升降板(10)沿所述安装架(8)的高度方向滑移连接于所述安装板(9),所述安装板(9)设置有用于驱动所述升降板(10)滑移的第二驱动组件(13),所述打磨件(11)转动连接于所述升降板(10)且所述打磨件(11)的转动轴方向与所述工作台(2)的转动轴方向相同,所述升降板(10)设置有用于驱动所述打磨件(11)转动的第四驱动件(14),在所述工作台(2)围绕所述转动台(1)转动的轨迹上具有工作位置,在所述工作台(2)位于所述工作位置时,所述工作台(2)的中心位于所述打磨件(11)的正下方。
8.如权利要求7所述的一种半导体晶圆用精雕机,其特征在于,所述升降板(10)上竖直安装有探针(15)和用于驱动所述探针(15)竖直移动的第五驱动件(16),所述探针(15)与外部主控面板电连接。
9.如权利要求2所述的一种半导体晶圆用精雕机,其特征在于,所述转动台(1)的进料侧设置有用于存放待打磨晶圆的进料架(17)和用于存放成品晶圆的出料架(18),所述转动台(1)的进料侧还设置有用于将位于所述进料架(17)的待打磨晶圆输送至工作台(2)顶部和将成品晶圆输送至所述出料架(18)内的输送机构,所述输送机构包括两个相对的支撑桁架(19)和滑移连接于两个支撑桁架(19)之间的活动桁架(20),两个所述支撑桁架(19)上均设置有用于驱动所述活动桁架(20)滑移的第三驱动组件(21),所述活动桁架(20)一侧沿自身长度方向滑移连接有第一连接板(22),所述活动桁架(20)设置有用于驱动所述第一连接板(22)滑动的第四驱动组件(23),所述第一连接板(22)上沿所述打磨机构的高度方向滑移连接有第二连接板(24),所述第一连接板(22)上设置有用于驱动所述第二连接板(24)滑动的第五驱动组件(25),所述第二连接板(24)设置有抵接板(27),所述抵接板(27)一侧安装有用于吸附晶圆的吸盘(28),所述第二连接板(24)与所述抵接板(27)之间设置有用于将所述抵接板(27)翻转至少90°的翻转组件。
10.如权利要求9所述的一种半导体晶圆用精雕机,其特征在于,所述翻转组件包括旋转气缸(26),所述旋转气缸(26)竖直安装于所述抵接板(27),所述抵接板(27)固定连接于所述旋转气缸(26)的输出轴。
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