CN218731705U - 一种基站射频滤波模块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种基站射频滤波模块,包括:四路结构相同的带通滤波器,每路带通滤波器串连了一个低通滤波器,所述的带通滤波器包括:带通壳体和至少2个谐振杆,所述的谐振杆设置于带通壳体内,所述的低通滤波器包括:低通壳体和低通导体,所述的低通导体设置于低通壳体内,带通壳体和与低通壳体一体连接,带通壳体的外侧设置N型连接器,且与带通壳体内部的首位谐振杆连接,带通壳体内部的末位谐振杆和低通滤波器的低通导体一端进行连接,所述的低通导体的另一端与SMP连接器连接。本实用新型基站射频滤波模块温度稳定性高,内部布局紧凑合理、集成度高、体积小、重量轻,便于工程安装。
Description
技术领域
本实用新型公开了一种基站射频滤波模块,涉及微波通信技术领域。
背景技术
由于5G通信频谱带宽较宽,信息容量较大,现有的基站系统工作当中会产生更大的热量,因此,保证射频前端滤波单元模块在不同温度环境下工作的稳定性,是提升整个系统性能必需解决的首要问题,其次现有的基站系统体积大、重量大,不方便安装。
实用新型内容
本实用新型针对上述背景技术中的缺陷,提供一种基站射频滤波模块,集成度高,相较于以往分立元器件可有效减小系统体积,并显著降低了生产制造过程中人力及材料成本,适合批量生产。
为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:一种基站射频滤波模块,包括:四路结构相同的带通滤波器, 每路带通滤波器串连了一个低通滤波器,所述的带通滤波器包括:带通壳体和至少2个谐振杆,所述的谐振杆设置于带通壳体内,所述的低通滤波器包括:低通壳体和低通导体,所述的低通导体设置于低通壳体内,带通壳体和与低通壳体一体连接,带通壳体的外侧设置N型连接器,且与带通壳体内部的首位谐振杆连接,带通壳体内部的末位谐振杆和低通滤波器的低通导体一端进行连接,所述的低通导体的另一端与SMP连接器连接, N型连接器用于连接天线端馈线,为本基站射频滤波模块的信号输入端口,SMP连接器用于连接有源部分信号处理单元,为本基站射频滤波模块的信号输出端口。
进一步的,所述的带通滤波器为八阶带通滤波器。
进一步的,所述的八阶带通滤波器包括:8个谐振杆;N型连接器的内导体与带通壳体内装置第1个谐振杆上的抽头连接,第5个谐振杆与第8个谐振杆之间设置交叉耦合组件,第8个谐振杆上连接的抽头穿过带通壳体底部,与低通壳体内的低通导体一端连接,低通导体另一端与低通壳体上装置的SMP连接器内导体连接;每个所述的谐振杆设有调频螺杆,用于调谐频率,并在对应的相邻的谐振杆中间设置有耦合螺杆,用于调谐耦合;其中:8个谐振杆中的第1谐振杆与第2谐振杆耦合,第2谐振杆与第3谐振杆耦合,第2谐振杆与第4谐振杆耦合,第3谐振杆与第4谐振杆耦合,第4谐振杆与第5谐振杆耦合,第5谐振杆与第6谐振杆耦合,第5谐振杆与第8谐振杆耦合,第6谐振杆与第7谐振杆耦合,第7谐振杆与第8谐振杆耦合。
进一步的,所述的交叉耦合组件包括:绝缘介质支撑座与耦合导体,耦合导体安装于绝缘介质支撑座开口内,绝缘介质支撑座安装于带通壳体上的支撑座安装槽内,交叉耦合组件用于耦合第5谐振杆与第8个谐振杆之间的电磁波, 形成抑制零点,增强带外抑制。
进一步的,所述的带通壳体上侧设置有带通滤波器盖板,所述的带通滤波器盖板上面在对应的每个谐振杆内孔位置装有调频螺杆,调频螺杆和谐振杆分别设置在带通滤波器盖板上下两侧。
进一步的,所述的调频螺杆采用铜镀银制成。
进一步的,所述的带通滤波器盖板上侧设置螺杆遮蔽壳体,螺杆遮蔽壳体可以起到对调谐螺杆的保护作用,并使产品美观。
进一步的,所述的低通滤波器还包括:套接于低通导体外的绝缘套管,低通导体设置在低通壳体内,所述的低通壳体开口侧连接有低通滤波器盖板,低通滤波器盖板处于低通导体的下侧。
进一步的,所述的低通壳体连接PCB屏蔽壳体,PCB屏蔽壳体设置于远离带通壳体的一侧,PCB屏蔽壳体根据PCB板上的元器件位置可分隔呈若干腔体,从而当PCB屏蔽壳体与PCB板安装时,对PCB板上的元器件进行保护。
进一步的,所述的PCB屏蔽壳体表面设置导电橡胶,可在与PCB板安装过程中起到良好的接触作用,防止PCB屏蔽壳体与PCB板之间存在间隙,造成信号串扰。
有益效果:本实用新型基站射频滤波模块温度稳定性高,内部布局紧凑合理、集成度高、体积小、重量轻,便于工程安装,除集成四路滤波功能外,将小基站系统的射频与逻辑处理单元的PCB屏蔽壳体集成为一体,屏蔽壳体与PCB接触面覆有导电橡胶,可以在安装PCB过程中起到良好的接触作用;四路滤波器上面安装有滤波器螺杆遮蔽壳体,达到产品的整体化。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型的内部结构示意图;
图3为本实用新型的螺杆遮蔽壳体结构示意图;
图4为本实用新型的带通滤波器和低通滤波器结构示意图;
图5为本实用新型的主视结构示意图;
图6为本实用新型的侧视结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对技术方案的实施作进一步的详细描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案,而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
如图1~6所示的一种实施例,本实施例提供了一种基站射频滤波模块,包括:四路结构相同的带通滤波器1, 每路带通滤波器1串连了一个低通滤波器2,所述的带通滤波器1包括:带通壳体3和至少2个谐振杆4,所述的谐振杆4设置于带通壳体3内,所述的低通滤波器2包括:低通壳体5和低通导体6,所述的低通导体6设置于低通壳体5内,带通壳体3和与低通壳体5一体连接,带通壳体3的外侧设置N型连接器7,且与带通壳体3内部的首位谐振杆4连接,带通壳体3内部的末位谐振杆4和低通滤波器2的低通导体6一端进行连接,所述的低通导体6的另一端与SMP连接器8连接。
所述的带通滤波器1为八阶带通滤波器。
所述的八阶带通滤波器1包括:8个谐振杆4,N型连接器7的内导体与带通壳体3内装置第1个谐振杆上的抽头连接,第5个谐振杆与第8个谐振杆之间设置交叉耦合组件9,第8个谐振杆上连接的抽头穿过带通壳体3底部,与低通壳体5内的低通导体6一端连接,低通导体6另一端与低通壳体5上装置的SMP连接器8内导体连接;每个所述的谐振杆4设有调频螺杆10,并在对应的相邻的谐振杆4中间设置有耦合螺杆11;其中:8个谐振杆4中的第1谐振杆41与第2谐振杆42耦合,第2谐振杆42与第3谐振杆43耦合,第2谐振杆42与第4谐振杆44耦合,第3谐振杆43与第4谐振杆44耦合,第4谐振杆44与第5谐振杆45耦合,第5谐振杆45与第6谐振杆46耦合,第5谐振杆45与第8谐振杆48耦合,第6谐振杆46与第7谐振杆47耦合,第7谐振杆47与第8谐振杆48耦合。
所述的交叉耦合组件9包括:绝缘介质支撑座与耦合导体,耦合导体安装于绝缘介质支撑座开口内,绝缘介质支撑座安装于带通壳体3上的支撑座安装槽内,交叉耦合组件用于耦合第5谐振杆与第8个谐振杆之间的电磁波, 形成抑制零点,增强带外抑制。
所述的带通壳体3上侧设置有带通滤波器盖板12,所述的带通滤波器盖板12上面在对应的每个谐振杆4内孔位置装有调频螺杆10,调频螺杆10和谐振杆4分别设置在带通滤波器盖板12上下两侧。
所述的调频螺杆10采用铜镀银制成,镀银主要为减小滤波器插入损耗。
所述的带通滤波器盖板12上侧设置螺杆遮蔽壳体13。
所述的低通滤波器2还包括:套接于低通导体6外的绝缘套管,低通导体6设置在低通壳体5内,所述的低通壳体5开口侧连接有低通滤波器盖板14,低通滤波器盖板14处于低通导体6的下侧。
所述的低通壳体5连接PCB屏蔽壳体15,PCB屏蔽壳体15设置于远离带通壳体3的一侧,PCB屏蔽壳体15根据PCB板上的元器件位置可分隔呈若干腔体,从而当PCB屏蔽壳体与PCB板安装时,对PCB板上的元器件进行保护。
所述的PCB屏蔽壳体15表面设置导电橡胶,可在与PCB板安装过程中起到良好的接触作用,防止PCB屏蔽壳体15与PCB板之间存在间隙。
本申请的谐振杆采用易削铁材料,可通过仿真计算得出与铝制的带通滤波器、低通滤波器的壳体和盖板的最优温度膨胀补偿结构尺寸,实现产品的温度稳定性。
本实施例中的每一路带通滤波器的N型连接器螺纹部分拧在腔体螺孔内固定,通过焊锡将N型连接器内导体与腔体内装置的滤波器第一个谐振杆上的镀银抽头铜线焊接,使用螺钉将每路滤波器的8个谐振杆安装在腔体内腔的谐振杆安装台阶上, 其中第5与第8个谐振杆之间装有交叉耦合组件,第8个谐振杆上焊接的镀银抽头铜线穿过滤波器内腔底部,与腔体反面低通滤波器内腔中装置的低通导体一端焊锡焊接,低通导体另一端与腔体上装置的SMP连接器内导体焊锡焊接。
本实用新型基站射频滤波模块温度稳定性高,本实用新型模块布局紧凑合理、集成度高、体积小、重量轻,便于工程安装,除集成四路滤波功能外,将小基站系统的射频与逻辑处理单元PCB屏蔽壳体集成为一体,屏蔽壳体与PCB接触面覆有导电橡胶,可以在安装PCB过程中起到良好的接触作用;四路滤波器上面安装有滤波器螺杆遮蔽壳体,达到产品的整体化。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,这些改进和变形也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (10)
1.一种基站射频滤波模块,其特征在于,包括:四路结构相同的带通滤波器, 每路带通滤波器串连了一个低通滤波器,所述的带通滤波器包括:带通壳体和至少2个谐振杆,所述的谐振杆设置于带通壳体内,所述的低通滤波器包括:低通壳体和低通导体,所述的低通导体设置于低通壳体内,带通壳体和与低通壳体一体连接,带通壳体的外侧设置N型连接器,且与带通壳体内部的首位谐振杆连接,带通壳体内部的末位谐振杆和低通滤波器的低通导体一端进行连接,所述的低通导体的另一端与SMP连接器连接。
2.根据权利要求1所述的一种基站射频滤波模块,其特征在于,所述的带通滤波器为八阶带通滤波器。
3.根据权利要求2所述的一种基站射频滤波模块,其特征在于,所述的八阶带通滤波器包括:8个谐振杆;N型连接器的内导体与带通壳体内装置第1个谐振杆上的抽头连接,第5个谐振杆与第8个谐振杆之间设置交叉耦合组件,第8个谐振杆上连接的抽头穿过带通壳体底部,与低通壳体内的低通导体一端连接,低通导体另一端与低通壳体上装置的SMP连接器内导体连接;每个所述的谐振杆设有调频螺杆,并在对应的相邻的谐振杆中间设置有耦合螺杆。
4. 根据权利要求3所述的一种基站射频滤波模块,其特征在于,所述的交叉耦合组件包括:绝缘介质支撑座与耦合导体,耦合导体安装于绝缘介质支撑座开口内,绝缘介质支撑座安装于带通壳体上的支撑座安装槽内,交叉耦合组件用于耦合第5谐振杆与第8个谐振杆之间的电磁波, 形成抑制零点,增强带外抑制。
5.根据权利要求3所述的一种基站射频滤波模块,其特征在于,所述的带通壳体上侧设置有带通滤波器盖板,所述的带通滤波器盖板上面在对应的每个谐振杆内孔位置装有调频螺杆,调频螺杆和谐振杆分别设置在带通滤波器盖板上下两侧。
6.根据权利要求5所述的一种基站射频滤波模块,其特征在于,所述的调频螺杆采用铜镀银制成。
7.根据权利要求5所述的一种基站射频滤波模块,其特征在于,所述的带通滤波器盖板上侧设置螺杆遮蔽壳体。
8.根据权利要求1所述的一种基站射频滤波模块,其特征在于,所述的低通滤波器还包括:套接于低通导体外的绝缘套管,低通导体设置在低通壳体内,所述的低通壳体开口侧连接有低通滤波器盖板,低通滤波器盖板处于低通导体的下侧。
9.根据权利要求1所述的一种基站射频滤波模块,其特征在于,所述的低通壳体连接PCB屏蔽壳体,PCB屏蔽壳体设置于远离带通壳体的一侧。
10.根据权利要求9所述的一种基站射频滤波模块,其特征在于,所述的PCB屏蔽壳体表面设置导电橡胶。
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