CN218351450U - 一种沟槽型大功率mosfet器件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及MOSFET器件技术领域，且公开了一种沟槽型大功率MOSFET器件，包括器件主体和均热板，所述器件主体的一侧固定有若干引脚，所述引脚的数量为三个，所述器件主体的另一侧固定有金属板，所述金属板的内部开设有通孔，所述金属板的前后两侧均开设有凹槽，所述引脚的表面活动连接有密封罩，所述密封罩的内侧固定有密封板，所述密封板的两侧均固定有弹片，所述器件主体的两侧均固定有限位块，所述弹片与限位块活动连接；本实用新型具备可以对器件的引脚进行密封保护，并且在运行时可以提高器件散热速度和均匀性的优点，解决了现有的MOSFET器件在长时间存放时引脚容易受到外界液体的腐蚀，造成引脚损毁从而无法使用的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及MOSFET器件技术领域，具体为一种沟槽型大功率MOSFET器件。
背景技术
随着电子消费产品需求的增长，功率MOSFET的需求越来越大，例如磁盘驱动，汽车电子以及功率器件等等方面。沟槽型MOSFET器件由于其器件的集成度较高，导通电阻较低，具有较低的栅-漏电荷密度、较大的电流容量，因而具备较低的开关损耗和较快的开关速度，被广泛地应用在低压功率领域。
现有的MOSFET器件引脚一般采用金属材质制成，金属材质的化学活性较强，所以MOSFET器件在长时间存放时引脚容易受到外界液体的腐蚀，引脚受损会造成MOSFET器件的损毁从而无法使用。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种沟槽型大功率MOSFET器件，具备可以对器件的引脚进行密封保护防止引脚受损，并且在运行时可以提高器件散热速度和均匀性的优点，解决了现有的MOSFET器件在长时间存放时引脚容易受到外界液体的腐蚀，造成引脚损毁从而无法使用的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种沟槽型大功率MOSFET器件，包括器件主体和均热板，所述器件主体的一侧固定有若干引脚，所述引脚的数量为三个，所述器件主体的另一侧固定有金属板，所述金属板的内部开设有通孔，所述金属板的前后两侧均开设有凹槽，所述引脚的表面活动连接有密封罩，所述密封罩的内侧固定有密封板，所述密封板的两侧均固定有弹片，所述器件主体的两侧均固定有限位块，所述弹片与限位块活动连接，所述均热板的四周均固定有安装块，所述安装块的内部螺纹连接有固定螺丝，所述固定螺丝与器件主体螺纹连接，所述均热板的内部开设有若干散热孔，所述密封罩的内部包括基层、防水层和耐腐蚀层。
优选的，所述防水层的材质为防水涂料，所述防水层粘接于基层的外侧。
优选的，所述耐腐蚀层的材质为聚四氟乙烯，所述耐腐蚀层粘接于防水层的外侧。
优选的，所述密封罩的顶部和底部均固定有贴合垫，所述贴合垫的表面开设有若干防滑纹路。
优选的，所述弹片的外侧固定有安装板，所述安装板的外侧固定有复位板。
优选的，所述均热板的外侧固定有若干散热片，所述散热片的材质为铝合金。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：
本实用新型具备可以对器件的引脚进行密封保护防止引脚受损，并且在运行时可以提高器件散热速度和均匀性的优点，在对MOSFET器件进行保存时可以防止外界的液体进入，提高了MOSFET器件的存放稳定性，降低了MOSFET器件损坏的风险，解决了现有的MOSFET器件在长时间存放时引脚容易受到外界液体的腐蚀，造成引脚损毁从而无法使用的问题。
附图说明
图1为本实用新型的立体结构示意图；
图2为本实用新型的立体结构示意图；
图3为本实用新型的局部立体结构示意图；
图4为本实用新型图3中A处的局部放大图；
图5为本实用新型中密封罩的层叠示意图。
图中：1、器件主体；2、均热板；3、引脚；4、金属板；5、通孔；6、凹槽；7、密封罩；71、基层；72、防水层；73、耐腐蚀层；8、密封板；9、弹片；10、限位块；11、安装块；12、固定螺丝；13、散热孔；14、贴合垫；15、安装板；16、复位板；17、散热片。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-5所示，一种沟槽型大功率MOSFET器件，包括器件主体1和均热板2，器件主体1的一侧固定有若干引脚3，引脚3的数量为三个，器件主体1的另一侧固定有金属板4，金属板4的内部开设有通孔5，金属板4的前后两侧均开设有凹槽6，引脚3的表面活动连接有密封罩7，密封罩7的内侧固定有密封板8，密封板8的两侧均固定有弹片9，器件主体1的两侧均固定有限位块10，弹片9与限位块10活动连接，均热板2的四周均固定有安装块11，安装块11的内部螺纹连接有固定螺丝12，固定螺丝12与器件主体1螺纹连接，均热板2的内部开设有若干散热孔13，密封罩7的内部包括基层71、防水层72和耐腐蚀层73；在使用时可以对器件的引脚进行密封保护防止引脚受损，并且在运行时可以提高器件散热速度和均匀性，在对MOSFET器件进行保存时可以防止外界的液体进入，提高了MOSFET器件的存放稳定性，降低了MOSFET器件损坏的风险，解决了现有的MOSFET器件在长时间存放时引脚容易受到外界液体的腐蚀，造成引脚损毁从而无法使用的问题。
防水层72的材质为防水涂料，防水层72粘接于基层71的外侧，防水层72可以防止液体进入密封罩7内，提高了基层71的防水性能，可以避免液体接触引脚3。
耐腐蚀层73的材质为聚四氟乙烯，耐腐蚀层73粘接于防水层72的外侧，耐腐蚀层73可以提高密封罩7的耐腐蚀性能，防止高腐蚀性液体对密封罩7造成腐蚀，延长了密封罩7的寿命。
密封罩7的顶部和底部均固定有贴合垫14，贴合垫14的表面开设有若干防滑纹路，贴合垫14可以贴合手指，防滑纹路可以提高贴合垫14的表面摩擦力，方便使用者推动密封罩7移动。
弹片9的外侧固定有安装板15，安装板15的外侧固定有复位板16，复位板16方便贴合手指，可以将弹片9进行复位，方便打开取下密封罩7。
均热板2的外侧固定有若干散热片17，散热片17的材质为铝合金，散热片17可以提高均热板2与空气的接触面积，提高散热速度，提高器件的运行稳定性。
工作原理：在对器件进行储存时工作人员首先将密封罩7套设在引脚3的表面并向内推动，在推动密封罩7时贴合垫14可以贴合手指，防滑纹路可以提高贴合垫14的表面摩擦力，方便使用者推动密封罩7移动，密封罩7带动密封板8移动，当密封板8表面的弹片9与限位块10贴合时，弹片9可以对密封罩7进行固定，防水层72可以防止液体进入密封罩7内，提高了基层71的防水性能，可以避免液体接触引脚3，耐腐蚀层73可以提高密封罩7的耐腐蚀性能，防止高腐蚀性液体对密封罩7造成腐蚀，延长了密封罩7的寿命，在需要打开密封罩7时，复位板16方便贴合手指，可以将弹片9进行复位，方便打开取下密封罩7，散热片17可以提高均热板2与空气的接触面积，提高散热速度，提高器件的运行稳定性，均热板2和散热孔13可以提高散热的均匀度。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种沟槽型大功率MOSFET器件，包括器件主体(1)和均热板(2)，其特征在于：所述器件主体(1)的一侧固定有若干引脚(3)，所述引脚(3)的数量为三个，所述器件主体(1)的另一侧固定有金属板(4)，所述金属板(4)的内部开设有通孔(5)，所述金属板(4)的前后两侧均开设有凹槽(6)，所述引脚(3)的表面活动连接有密封罩(7)，所述密封罩(7)的内侧固定有密封板(8)，所述密封板(8)的两侧均固定有弹片(9)，所述器件主体(1)的两侧均固定有限位块(10)，所述弹片(9)与限位块(10)活动连接，所述均热板(2)的四周均固定有安装块(11)，所述安装块(11)的内部螺纹连接有固定螺丝(12)，所述固定螺丝(12)与器件主体(1)螺纹连接，所述均热板(2)的内部开设有若干散热孔(13)，所述密封罩(7)的内部包括基层(71)、防水层(72)和耐腐蚀层(73)。
2.根据权利要求1所述的一种沟槽型大功率MOSFET器件，其特征在于：所述防水层(72)的材质为防水涂料，所述防水层(72)粘接于基层(71)的外侧。
3.根据权利要求1所述的一种沟槽型大功率MOSFET器件，其特征在于：所述耐腐蚀层(73)的材质为聚四氟乙烯，所述耐腐蚀层(73)粘接于防水层(72)的外侧。
4.根据权利要求1所述的一种沟槽型大功率MOSFET器件，其特征在于：所述密封罩(7)的顶部和底部均固定有贴合垫(14)，所述贴合垫(14)的表面开设有若干防滑纹路。
5.根据权利要求1所述的一种沟槽型大功率MOSFET器件，其特征在于：所述弹片(9)的外侧固定有安装板(15)，所述安装板(15)的外侧固定有复位板(16)。
6.根据权利要求1所述的一种沟槽型大功率MOSFET器件，其特征在于：所述均热板(2)的外侧固定有若干散热片(17)，所述散热片(17)的材质为铝合金。
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