CN217281633U - 一种间歇交错式放电的正负离子发生器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种间歇交错式放电的正负离子发生器，包括：输入电源、电源管理模块、正离子发生模块、负离子发生模块、正高压输出端、负高压输出端、通断控制模块、两个开关模块；通断控制模块分别与电源管理模块、两个开关模块连接；开关模块接入到电源管理模块与离子发生模块之间的电路中；开关模块接入离子发生模块的输出端处；开关模块接入高压输出端的输入端处，开关模块基于通断控制模块的通断信号控制所处电路的通断。本实用新型还可根据杀菌功能和负离子空气净化的功能需要不同，可自由调节正离子和负离子的发射时间，达到最好的杀菌效果。

Description

一种间歇交错式放电的正负离子发生器

技术领域

本实用新型涉及杀菌装置技术领域，具体是涉及一种间歇交错式放电的正负离子发生器。

背景技术

目前，传统的正负离子发生器，都是连续工作且正负高压同时输出，加在不同尖端放电电极装置上，电离空气，分别产生正和负离子，利用空气中正、负离子结合时产生的能量，杀灭飘散在空气中的有害细菌。其输入电源一般为直流5V至24V弱电或100V至240V，50/60Hz交流电。直流电源输入的正负离子发生器是采用自激或他激式振荡电路，后经过升压变压器升压产生高频脉冲高压，经倍压整流后，各自产生正和负高压。再经过尖端放电电极装置，电离空气，产生正、负离子。交流电源输入的正负离子发生器是将交流电整流后，经升压变压器的初级与电容C，组成LC谐振电路，再由升压变压器升压产生高频脉冲高压，经倍压整流后，各自产生正和负高压。

目前的正负离子发生器的正负高压放电模块是采用的平行式和相对式的方式，电极存设置存在以下缺点：

(1)会使空间的正、负离子及自由电子在电场力的作用下作定向运动，大量的正离子聚集至负极，大量的负离子及电子聚集到正极，使空间的离子浓度降低，在离子作热运动时同时会有部分异性离子快速碰撞，这样导致散发到空气中的正负离子浓度下降，会让实际的杀菌效果比较差；

(2)会使产生的正、负离子及自由电子在附近电场力的作用下，与异性离子快速结合，且在尖端放电极附近聚结结合，由于空气中的氧原子和水分子含量丰富，导致在放电极附近的活性氧(如：O₃、超氧自由基(·O₂-)、过氧化氢(H₂O₂)、羟自由基(·OH)等)急剧增加，而这些活性氧具有较强的氧化性，在正负离子发生器长时间工作后，放电极尖端会被严重腐蚀，导致正负离子浓度下降，严重影响杀菌效果；

(3)会使产生的正、负离子及自由电子在电场力的作用下，作定向运动，大量的正离子聚集至负极，大量的负离子及电子聚集到正极，空气中的气溶胶因吸附了大量的负电荷而带负电，在电场力的作用下，向正极尖端放电极附近聚结结合，导致很快在放电极尖端处积累，覆盖在电极表面，严重影响正离子的产生，导致正负离子发生器性能下降，影响杀菌效果；

(4)会使得正、负电场叠加产生更强的电场力，使得大量的离子和自由电子，在电场力的作用下，向不同电极尖端附近聚结结合，影响产品使用效果和寿命。

发明内容

本实用新型提供了一种间歇交错式放电的正负离子发生器及其使用方法，以解决现有技术中由于正、负离子易结合导致散发到空气中的正负离子浓度下降；导致在放电极附近的活性氧增加，对放电极尖端产生严重腐蚀；导致空气中的气溶胶在电场力的作用下，很快在放电极尖端处积累，覆盖在电极表面的技术问题。

本实用新型提供了一种间歇交错式放电的正负离子发生器，包括：输入电源、电源管理模块、正离子发生模块、负离子发生模块、正高压输出端、负高压输出端、通断控制模块、两个开关模块；所述输入电源与所述电源管理模块的输入端连接；所述电源管理模块的输出端分别与所述正离子发生模块的输入端、负离子发生模块的输入端连接；所述正离子发生模块的输出端与所述正高压输出端的输入端连接；所述负离子发生模块的输出端与所述负高压输出端的输入端连接；所述通断控制模块分别与电源管理模块、两个所述开关模块连接；

一个所述开关模块接入到所述电源管理模块与所述正离子发生模块之间的电路中，另一所述开关模块接入到所述电源管理模块与所述负离子发生模块之间的电路中，

或一个所述开关模块接入所述正离子发生模块的输出端处，另一所述开关模块接入所述负离子发生模块的输出端处，

或一个所述开关模块接入所述正高压输出端的输入端处，另一所述开关模块接入所述负高压输出端的输入端处；

所述开关模块基于所述通断控制模块的通断信号控制所处电路的通断。

进一步地，所述开关模块为场效应管，场效应管的漏极接入电路，栅极与所述通断控制模块连接，源极接地。

进一步地，所述通断控制模块包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、反相器芯片；

所述电源管理模块的输出端分别与所述第一电阻的一端、第二电阻的一端连接；所述第一电阻的另一端分别与所述反相器芯片中第四反相器的输入端、第一电容的一端、第二二极管的阳极连接；所述第二电阻的另一端分别与所述第三二极管的阴极、反相器芯片中第四反相器的输出端、反相器芯片中第五反相器的输出端、第一电容的另一端、第二电容的一端、第二二极管的阴极、第一二极管的阴极连接；所述第二电容的另一端分别与所述第三电阻的一端、第四电阻的一端连接；所述第三电阻的另一端分别与所述反相器芯片中第五反相器的输入端、反相器芯片中第六反相器的输出端连接；所述第四电阻的另一端与所述反相器芯片中第六反相器的输入端连接；所述反相器芯片中第三反相器的输出端分别与第八电阻的一端、第十电阻的一端连接；所述第八电阻的另一端分别与所述第三二极管的阳极、第九电阻的一端、一个场效应管的栅极连接；所述第十电阻的另一端分别与所述第一二极管的阳极、第十一电阻的一端、另一场效应管的栅极连接；所述反相器芯片中第三反相器的输入端分别与所述第五电阻的一端、第三电容的一端连接；所述反相器芯片中第二反相器的输出端分别与所述第三电容的另一端、第四电容的一端连接；所述反相器芯片中第二反相器的输入端分别与所述反相器芯片中第一反相器的输出端、第六电阻的一端连接；所述反相器芯片中第一反相器的输入端与所述第七电阻的一端连接；所述第四电容的另一端分别与所述第六电阻的另一端、第七电阻的另一端连接；所述第五电阻的另一端、第九电阻的另一端、第十一电阻的另一端接地。

进一步地，所述通断控制模块包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、第十六电阻、第十七电阻、第十八电阻、第一电容、第二电容、第一电解电容、第一三极管、第二三极管、第三三极管、MCU芯片、稳压芯片；

所述电源管理模块的输出端分别与所述第一电阻的一端、第一三极管的集电极连接；所述第一电阻的另一端分别与所述第一三极管的基极、第一电容的一端、稳压芯片的阳极连接；所述第一三极管的发射极分别与所述第二电阻的一端、第六电阻的一端、MCU芯片的VCC脚、第二电容的一端、第一电解电容的正极连接；所述第二电阻的另一端分别与所述第三电阻的一端、稳压芯片的参考极连接；所述第六电阻的另一端与所述MCU芯片的INT脚连接；所述第一电容的另一端、第二电容的另一端、电解电容的负极、第三电阻的另一端、稳压芯片的阴极接地；所述MCU芯片的PA脚与所述第四电阻的一端连接，PB 脚与所述第七电阻的一端连接，TX脚与所述第十二电阻的一端连接，RX脚与所述第十三电阻的一端连接；所述第四电阻另一端分别与所述第十一电阻的一端、第二三极管的基极、第五电阻的一端连接；所述第二三极管的集电极分别与所述第八电阻的一端、第九电阻的一端连接；所述第九电阻的另一端分别与一个场效应管的栅极、第十电阻的一端连接；所述第十一电阻的另一端、第八电阻的另一端与所述电源管理模块连接；所述第五电阻的另一端、第二三极管的发射极、第十电阻的另一端接地；所述第七电阻另一端分别与所述第十四电阻的一端、第三三极管的基极、第十五电阻的一端连接；所述第三三极管的集电极分别与所述第十八电阻的一端、第十六电阻的一端连接；所述第十六电阻的另一端分别与另一场效应管的栅极、第十七电阻的一端连接；所述第十四电阻的另一端、第十八电阻的另一端与所述电源管理模块连接；所述第十五电阻的另一端、第三三极管的发射极、第十七电阻的另一端接地；第十二电阻、第十三电阻的另一端接地。

本实用新型的有益效果：

本实用新型因为电路上采用的是正、负高压间隔交替产生，所以从设计源头上解决了正、负离子及自由电子在不同放电极两端的大量消耗，使得大部分的正、负离子及自由电子，能发散到空间中，避免了现有技术中正、负离子发生器的缺陷，可使正负离子的尖端放电极的使用寿命大大增加，而且让正负离子发生器在长时间使用后仍能有较高的杀菌效率。本实用新型还可根据杀菌功能和负离子空气净化的功能需要不同，可自由调节正离子和负离子的发射时间，达到最好的杀菌效果。

附图说明

通过参考附图会更加清楚的理解本实用新型的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本实用新型进行任何限制，在附图中：

图1为本实用新型具体实施例中通断控制模块为MCU时的整体电路示意图；

图2为本实用新型具体实施例中通断控制模块为反相器芯片时的整体电路示意图；

图3为现有技术的离子发生器的离子发散示意图；

图4为本实用新型具体实施例的正离子发生时离子发散示意图；

图5为本实用新型具体实施例的负离子发生时离子发散示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型实施例提供一种间歇交错式放电的正负离子发生器，如图1所示，包括：电源接口J1、电感L1、二极管D1、电阻R27、光耦U2、电解电容 C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电解电容C3电阻R3、三极管Q1、电容C4、稳压芯片U3、电阻R4、电阻R5、电解电容C6、电容C5、MCU芯片U1、电阻R6、电阻R7、电阻R31、电阻R8、电阻R9、电阻R10、三极管Q2、电阻 R11、发光二极管D2、电阻R12、电阻R30、电阻R28、电阻R29、电阻R13、电阻R14、三极管Q3、电阻R15、电阻R16、电阻R17、场效应管Q4、场效应管Q5、电容C8、电容C7、升压变压器T、升压变压器T2、电容C9、二极管D5、二极管D6、电阻25、电阻26、电容C10、电阻R23、电阻R24、电阻R22、二极管D3、二极管D4、电容C11、电阻R19、电容C12、电阻R18、电阻R20、电阻R21；

电源接口J1接入外部电源，电源接口的J1的正极接口与电感L1的一端连接，电感L1的另一端与二极管D1的阳极连接，二极管D1的阴极分别与电阻 R27的一端、电解电容C1的阴极、电容C2的一端、电阻R2的一端、电阻R1 的一端连接；电阻R27的另一端与光耦中三极管的集电极连接；电阻R2的另一端分别与电解电容C3的负极、电阻R3的一端、三极管Q1的集电极连接；电阻R3的另一端分别与三极管Q1的基极、电容C4的一端、稳压芯片U3的阳极连接；三极管Q1的发射极分别与电阻R4的一端、电阻R11的一端、MCU芯片U1的VCC脚、电容C5的一端、电解电容C6的阳极连接；电阻R4的另一端分别与电阻R5的一端、稳压芯片U3的参考极连接；电阻R11的另一端与 MCU芯片U1的INT脚连接；MCU芯片U1的PA脚与电阻R6的一端连接；电阻R6的另一端分别与电阻R31的一端、三极管Q2的基极、电阻R7的一端连接；三极管Q2的集电极分别与电阻R8的一端、电阻R9的一端连接；电阻 R9的另一端分别与电阻R10的一端、场效应管Q4的栅极连接；场效应管Q4 的漏极分别与升压变压器T1的初级线圈一脚、电容C8的一端连接；电阻R1 的另一端分别与电阻R31的另一端、电阻R8的另一端、电容C8的另一端、升压变压器T1的初级线圈另一脚连接；升压变压器T1的次级线圈一脚分别与电容C9的一端、二极管D5的阴极连接；升压变压器T1的次级线圈另一脚分别与电阻R22的一端、电阻R23的一端、光耦U2中发光二极管的阳极连接；电容C9的另一端分别与电阻R25的一端、二极管D6的阳极连接；二极管D5的阳极分别与二极管D6的阴极、电容C10的一端、电阻R24的一端连接；电容 C10的另一端分别与电阻R23的另一端、光耦U2中发光二极管的阴极、电阻R24的另一端连接；电阻R25的另一端与电阻R26的一端连接；电阻R26的另一端可以接电极针；MCU芯片U1的PB脚与电阻R13的一端连接；电阻R13 的另一端分别与电阻R29的一端、三极管Q3的基极、电阻R14的一端连接；三极管Q3的集电极分别与电阻R15的一端、电阻R16的一端连接；电阻R16 的另一端分别与电阻R17的一端、场效应管Q5的栅极连接；场效应管Q5的漏极分别与升压变压器T2的初级线圈一脚、电容C7的一端连接；电阻R1的另一端分别与电阻R15的另一端、电阻R29的另一端、电容C7的另一端、升压变压器T2的初级线圈另一脚连接；升压变压器T2的次级线圈一脚分别与电容 C11的一端、二极管D3的阳极连接；升压变压器T2的次级线圈另一脚分别与电阻R19的一端、电阻R18的一端、电容C12的一端连接；电容C11的另一端分别与电阻R20的一端、二极管D4的阴极连接；二极管D3的阴极分别与二极管D4的阳极、电容C12的一端、电阻R19的另一端连接；电阻R20的另一端与电阻R21的一端连接；电阻R21的另一端可以接电极针；MCU芯片U1的 OUT脚与电阻R12的一端连接；电阻R12的另一端与发光二极管D2的阳极连接；MCU芯片U1的TX脚与电阻R30的一端连接；MCU芯片U1的RX脚与电阻R28的一端连接；电源接口J1的负极、光耦U2中三极管的发射极、电解电容C1的阳极、电容C2的另一端、电解电容C3的极、电容C4的另一端、稳压芯片U3的阴极、电阻R5的另一端、电解电容C6的阳极、电容C5的另一端、电阻R7的另一端、三极管Q2的发射极、电阻R10的另一端、场效应管Q4的源极、电阻R22的另一端、电阻R14的另一端、三极管Q3的发射极、电阻R17 的另一端、场效应管Q5的源极、电阻R18的另一端、发光二极管D2的阴极、电阻R28的另一端、电阻R30的另一端接地。

本实用新型实施例还提供一种间歇交错式放电的正负离子发生器，如图2 所示，包括：电源接口J1、电感L1、二极管D1、电阻R22、光耦U2、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R9、电阻R10、二极管D3、电容C4、二极管D4、电容C5、电阻R8、电阻R7、二极管D2、型号为CD4069的反相器芯片U1、电容C3、电阻R5、电容C2、电阻R4、电阻R3、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电容C6、电容C7、场效应管Q1、场效应管Q2、升压变压器T1、升压变压器T2、二极管D5、二极管D6、电容C8、电容C9、电阻R15、电阻 R19、电阻R20、电容C11、电容C10、二极管D7、二极管D8、电阻R21、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R23、电阻R24；

电源接口J1接入外部电源，电源接口J1的正极与电感L1的一端连接；电感L1的另一端与二极管D1的阳极连接；二极管D1的阴极分别与电阻R1的一端、电阻R22的一端、电容C1的一端连接；电阻R22的另一端与光耦U2中三极管的集电极连接；电阻R1的另一端与电阻R2的一端连接；电容C1的另一端分别与电阻R9的一端、电阻R10的一端、地连接；反相器芯片U1的1脚与电阻R3的一端连接；反相器芯片U1的2脚分别与反相器芯片U1的3脚、电阻R4的一端连接；反相器芯片U1的4脚分别与电容C2的一端、电容C3的一端连接；反相器芯片U1的5脚分别与电阻R5的一端、电容C3的另一端连接；反相器芯片U1的6脚分别与电阻R11的一端、电阻R13的一端连接；反相器芯片U1的7脚接地；反相器芯片U1的8脚分别与二极管D2的阴极、二极管 D3的阴极、二极管D4的阴极、电阻R10的另一端、反相器芯片U1的10脚连接；反相器芯片U1的9脚分别与电阻R9的另一端、二极管D3的阳极、电容 C5的一端连接；反相器芯片U1的10脚分别与电容C5的另一端、电容C4的一端连接；反相器芯片U1的11脚分别与反相器芯片U1的12脚、电阻R8的一端连接、反相器芯片U1的13脚与电阻R7的一端连接；反相器芯片U1的14 脚分别与电阻R2的另一端、升压变压器T1的初级线圈一脚、升压变压器T2 的初级线圈一脚连接；电容C4的另一端分别与电阻R8的另一端、电阻R7的另一端连接；电容C2的另一端分别与电阻R4的另一端、电阻R3的另一端连接；二极管D2的阳极分别与电阻R11的另一端、电阻R12的一端、场效应管 Q1的栅极连接；二极管D4的阳极分别与电阻R13的另一端、电阻R14的一端、场效应管Q2的栅极连接；场效应管Q1的漏极与升压变压器T1的初级线圈另一脚连接；电容C6并接在升压变压器T1的初级线圈两脚之间；场效应管Q2 的漏极与升压变压器T2的初级线圈另一脚连接；电容C7并接在升压变压器T1 的初级线圈两脚之间；升压变压器T1的次级线圈一脚分别与电容C9的一端、二极管D5的阴极连接；电容C9的另一端分别与二极管D6的阳极、电阻R17 的一端连接；二极管D6的阴极分别与二极管D5的阳极、电容C8的一端、电阻R20的一端连接；升压变压器T1的次级线圈另一脚分别与电阻R15一端、光耦U2中发光二极管的阳极、电阻R19的一端连接；电阻R19的另一端分别与电容C8的另一端、光耦U2中发光二极管的阴极、电容R20的另一端连接；电阻R17的另一端与电阻18的一端连接；电阻R18的另一端可以接电极针；升压变压器T2的次级线圈一脚分别与电容C11、二极管D7的阳极连接；电容C11 的另一端分别与电阻R23的一端、二极管D8的阴极、连接；升压变压器T2的次级线圈另一脚分别与电阻R21的一端、电阻R16的一端、电容C10的一端连接；电阻R21的另一端分别与电容C10的另一端、二极管D7的阴极、二极管 D8的阳极连接；电阻R23的另一端与电阻R24的一端连接；电阻R24的另一端可以接电极针；电源接口J1的负极、光耦U2中三级管的发射极、电阻R5的另一端、电阻R12的另一端、场效应管Q1的源极、电阻R15的另一端、电阻 R14的另一端、场效应管Q2的源极、电阻R16的另一端接地。

本实用新型的正、负高压采用间歇交错式放电方式，即在电源输入后通过电源管理模块，由MCU或模拟/数字控制电路分别控制正离子发生电路和负离子发生电路的开关和工作时间，以实现让正离子发生电路工作一段时间，同时负离子发生电路停止工作；再由负离子发生电路工作一段时间，而正离子发生电路停止工作，如此循环往复。而工作和停止的时间可由MCU或模拟/数字控制电路自由调节。这种工作方式不但能有效快速的发射正、负离子，在相同条件下，使高压电极产生的电场强度，只有原先正负高压同时产生时所叠加产生场强的一半，让更多的正、负离子和自由电子能够脱离场强的束缚，发散到空间中。有效避免了正、负离子在放电尖端处被异极快速的吸引聚集，从而有效避免了目前正负离子发生器实际发射到空气中的正、负离子浓度较少；且尖端高压放电极易被活性氧腐蚀和气溶胶覆盖的缺陷。

本实用新型具体实施例提供了两种实现本实用新型技术方案的具体电路，一种通过MCU芯片来实现，一种通过反相器芯片来实现。不管使用何种芯片，目的是产生控制信号来控制如场效应管一样的的开关模块的通断。

在本实用新型具体实施例中还增加了一个光耦，光耦中的三极管接入到电源管理模块中，光耦中的发光二极管设置在正高压输出端中，当正高压输出端异常时，光耦中的发光二极管会改变状态，从而光耦的通断状态会发生改变，断开电源管理模块的供电，避免正离子产生过多造成不良影响。

本实用新型具体实施例还提供了一种间歇交错式放电的正负离子发生器的使用方法，具体如下：

将正负离子发生器放置在待净化空间，当正负离子发生器开始工作时，通断控制模块控制接在产生正离子电路中的开关模块导通1-5S，控制接在产生负离子电路中的开关模块导通1-8S，或通断控制模块控制接在产生正离子电路中的开关模块导通5-10S，控制接在产生负离子电路中的开关模块导通30-60S，正负离子发生器间歇的产生正、负离子。

如图3所示，假设正、负高压(HV+、HV-)皆相等；正、负电极的直线距离为d1(0至无穷大)；正、负高压加在正、负电极的叠加电场强度为E。

使用本实用新型的技术方案，当正高压工作，负高压截止时，假设正高压电极与接地电极(或零电位体)的距离d2与d1相等，则，由正电极产生的场强，理论上只有正负高压同时工作时的一半，即为E/2，那么，电场牵引力亦为FE/2，如图4所示。同理，当负高压工作，正高压截止时亦是如此，如图5所示。

综上所诉，在相同的条件下，本实用新型让离子在场强中受到的牵引力只有现有技术的一半，从而使得更多的正、负离子和自由电子能轻松的发散到空间中，不在电极间进行消耗。

如表1所示，为现有技术与本实用新型技术方案老化实验数据：

表1

从表1可以看出，本实用新型经过长时间老化实验其灭菌效果明显高于现有技术。

如表2、表3所示，为本实用新型采用不同时间间隔的灭菌效果数据：

表2

表3

虽然结合附图描述了本实用新型的实施例，但是本领域技术人员可以在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下作出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。

Claims (4)

1.一种间歇交错式放电的正负离子发生器，其特征在于，包括：输入电源、电源管理模块、正离子发生模块、负离子发生模块、正高压输出端、负高压输出端、通断控制模块、两个开关模块；所述输入电源与所述电源管理模块的输入端连接；所述电源管理模块的输出端分别与所述正离子发生模块的输入端、负离子发生模块的输入端连接；所述正离子发生模块的输出端与所述正高压输出端的输入端连接；所述负离子发生模块的输出端与所述负高压输出端的输入端连接；所述通断控制模块分别与电源管理模块、两个所述开关模块连接；

一个所述开关模块接入到所述电源管理模块与所述正离子发生模块之间的电路中，另一所述开关模块接入到所述电源管理模块与所述负离子发生模块之间的电路中，

或一个所述开关模块接入所述正离子发生模块的输出端处，另一所述开关模块接入所述负离子发生模块的输出端处，

或一个所述开关模块接入所述正高压输出端的输入端处，另一所述开关模块接入所述负高压输出端的输入端处；

所述开关模块基于所述通断控制模块的通断信号控制所处电路的通断。

2.如权利要求1所述的间歇交错式放电的正负离子发生器，其特征在于，所述开关模块为场效应管，场效应管的漏极接入电路，栅极与所述通断控制模块连接，源极接地。

3.如权利要求2所述的间歇交错式放电的正负离子发生器，其特征在于，所述通断控制模块包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、反相器芯片；

所述电源管理模块的输出端分别与所述第一电阻的一端、第二电阻的一端连接；所述第一电阻的另一端分别与所述反相器芯片中第四反相器的输入端、第一电容的一端、第二二极管的阳极连接；所述第二电阻的另一端分别与所述第三二极管的阴极、反相器芯片中第四反相器的输出端、反相器芯片中第五反相器的输出端、第一电容的另一端、第二电容的一端、第二二极管的阴极、第一二极管的阴极连接；所述第二电容的另一端分别与所述第三电阻的一端、第四电阻的一端连接；所述第三电阻的另一端分别与所述反相器芯片中第五反相器的输入端、反相器芯片中第六反相器的输出端连接；所述第四电阻的另一端与所述反相器芯片中第六反相器的输入端连接；所述反相器芯片中第三反相器的输出端分别与第八电阻的一端、第十电阻的一端连接；所述第八电阻的另一端分别与所述第三二极管的阳极、第九电阻的一端、一个场效应管的栅极连接；所述第十电阻的另一端分别与所述第一二极管的阳极、第十一电阻的一端、另一场效应管的栅极连接；所述反相器芯片中第三反相器的输入端分别与所述第五电阻的一端、第三电容的一端连接；所述反相器芯片中第二反相器的输出端分别与所述第三电容的另一端、第四电容的一端连接；所述反相器芯片中第二反相器的输入端分别与所述反相器芯片中第一反相器的输出端、第六电阻的一端连接；所述反相器芯片中第一反相器的输入端与所述第七电阻的一端连接；所述第四电容的另一端分别与所述第六电阻的另一端、第七电阻的另一端连接；所述第五电阻的另一端、第九电阻的另一端、第十一电阻的另一端接地。

4.如权利要求2所述的间歇交错式放电的正负离子发生器，其特征在于，所述通断控制模块包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、第十六电阻、第十七电阻、第十八电阻、第一电容、第二电容、第一电解电容、第一三极管、第二三极管、第三三极管、MCU芯片、稳压芯片；

所述电源管理模块的输出端分别与所述第一电阻的一端、第一三极管的集电极连接；所述第一电阻的另一端分别与所述第一三极管的基极、第一电容的一端、稳压芯片的阳极连接；所述第一三极管的发射极分别与所述第二电阻的一端、第六电阻的一端、MCU芯片的VCC脚、第二电容的一端、第一电解电容的正极连接；所述第二电阻的另一端分别与所述第三电阻的一端、稳压芯片的参考极连接；所述第六电阻的另一端与所述MCU芯片的INT脚连接；所述第一电容的另一端、第二电容的另一端、电解电容的负极、第三电阻的另一端、稳压芯片的阴极接地；所述MCU芯片的PA脚与所述第四电阻的一端连接，PB脚与所述第七电阻的一端连接，TX脚与所述第十二电阻的一端连接，RX脚与所述第十三电阻的一端连接；所述第四电阻另一端分别与所述第十一电阻的一端、第二三极管的基极、第五电阻的一端连接；所述第二三极管的集电极分别与所述第八电阻的一端、第九电阻的一端连接；所述第九电阻的另一端分别与一个场效应管的栅极、第十电阻的一端连接；所述第十一电阻的另一端、第八电阻的另一端与所述电源管理模块连接；所述第五电阻的另一端、第二三极管的发射极、第十电阻的另一端接地；所述第七电阻另一端分别与所述第十四电阻的一端、第三三极管的基极、第十五电阻的一端连接；所述第三三极管的集电极分别与所述第十八电阻的一端、第十六电阻的一端连接；所述第十六电阻的另一端分别与另一场效应管的栅极、第十七电阻的一端连接；所述第十四电阻的另一端、第十八电阻的另一端与所述电源管理模块连接；所述第十五电阻的另一端、第三三极管的发射极、第十七电阻的另一端接地；第十二电阻、第十三电阻的另一端接地。

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