CN217158216U - 一种显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种显示装置，包括：驱动基板，用于提供驱动信号；多个发光单元，位于驱动基板之上，与驱动基板电气连接。其中，每个发光单元包括至少两个发光芯片，相邻的发光芯片之间相距设定距离，相邻的发光芯片之间还设置有阻隔层和遮光层。封装后的发光单元的尺寸大于单个发光芯片的尺寸，通过对尺寸更大的发光单元进行转移，可以减少转移的次数和难度；当发光芯片损坏需要返修时，可以直接对损坏的发光单元进行维修或者更换，也使维修更加便捷。

Description

一种显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)显示技术是指以发光二极管作为显示器件的显示技术。由于Micro LED(Micro Light Emitting Diode，简称Micro LED)继承了传统发光二极管的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，并且具自发光无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势，采用Micro LED直显技术得到大力发展。Micro LED未来在公共显示、TV、车载，商显、手机等方面有广阔的应用前景，是未来重要显示技术。

目前Micro LED显示装置，驱动基板和Micro LED分别制作，再将Micro LED转移到驱动基板上进行键合。随着Micro LED芯片的尺寸越做越小，转移的难度大大增加，并且单个Micro LED芯片损坏后返修的难度增大。

实用新型内容

在本实用新型的一些实施例中，显示装置包括：

驱动基板，用于提供驱动信号；

多个发光单元，位于驱动基板之上，与驱动基板电气连接；

其中，发光单元包括：

共电极层，位于驱动基板之上；共电极层与驱动基板电气连接；

至少两个发光芯片，位于共电极层背离驱动基板的一侧；相邻的发光芯片之间相距设定距离；

阻隔层，覆盖各发光芯片的侧壁和共电极层背离驱动基板的表面；

遮光层，填充在各发光芯片之间的阻隔层上，遮光层包围各发光芯片的四周设置。

其中，每个发光单元由至少两个发光芯片封装在一起构成，发光单元的尺寸大于单个发光芯片的尺寸，显示装置的制作过程中，通过对尺寸更大的发光单元进行转移，可以减少转移的次数和难度；当发光芯片损坏需要返修时，可以直接对损坏的发光单元进行维修或者更换，也使维修更加便捷。

在本实用新型的一些实施例中，阻隔层的材料采用透明树脂，遮光层的材料采用黑色树脂，遮光层用于阻挡发光芯片向侧面出射的光线，防止相邻的发光芯片出射的光线发生串扰，提高显示画面的对比，阻隔层用于防止相邻的发光芯片通过遮光层中的导电微粒形成漏电流。

在本实用新型的一些实施例中，阻隔层的折射率大于发光芯片的折射率，以使入射到阻隔层中的光线可以在阻隔层中传导，从而使得阻隔层具有一定的导光作用，防止光线的串扰。

在本实用新型的一些实施例中，发光芯片采用垂直结构的发光芯片，垂直结构的发光芯片相较于倒装结构的发光芯片具有更高的出光效率，并且垂直结构的芯片便于设置，可以节省发光单元的空间。

在本实用新型的一些实施例中，显示装置还包括：多个导电部。导电部与发光芯片一一对应；导电部覆盖在对应的发光芯片背离驱动基板的表面；发光芯片通过对应的导电部与驱动基板电气连接。通过与发光芯片一一对应的导电部，可以实现对每个发光单元中的发光芯片的单独控制。

在本实用新型的一些实施例中，驱动基板包括多个第一电极和多个第二电极。一个第一电极与至少两个第二电极相邻设置；一个第一电极与至少两个第二电极组成一个电极组；一个电极组与一个所述发光单元相对应，电极组用于电气连接对应的发光单元；一个电极组中的第二电极的数量与对应的发光单元中的发光芯片的数量相同，一个第二电极对应一个发光芯片；发光单元的共电极层与该发光单元对应的第一电极电气连接；发光芯片通过对应的导电部与对应的第二电极电气连接。

在本实用新型的一些实施例中，发光芯片为Micro LED，发光芯片包括：p型掺杂层、发光层和n型掺杂层。同一个发光单元中的发光芯片采用共阳极设计，阴极侧出光，其中，p型掺杂层位于共电极层背离驱动基板的一侧；发光层位于p型掺杂层背离共电极层的一侧；n型掺杂层位于发光层背离p型掺杂层的一侧；与发光芯片接触的导电部采用透明导电材料制作，避免影响出光效率。

在本实用新型的一些实施例中，共电极层的材料采用铜或银，发光单元还包括：欧姆接触层，位于p型掺杂层与共电极层之间。欧姆接触层的材料采用锡或铟，可以减少p型掺杂层的半导体材料与共电极层的金属材料之间的接触电阻。

在本实用新型的一些实施例中，每个发光单元均包括三个发光芯片，三个发光芯片分别为：用于出射红色光的红色发光芯片、用于出射绿色光的绿色发光芯片和用于出射蓝色光的蓝色发光芯片，用以实现全彩显示。

在本实用新型的一些实施例中，红色发光芯片在驱动基板上的正投影的面积大于绿色发光芯片在驱动基板上的正投影的面积；红色发光芯片在驱动基板上的正投影的面积大于蓝色发光芯片在驱动基板上的正投影的面积，可以改善红色发光芯片发光效率低、衰减快的问题。

在本实用新型的一些实施例中，发光单元的尺寸大于75μm。

尽管已描述了本实用新型的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本实用新型范围的所有变更和修改。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对本实用新型实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所介绍的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的显示装置的截面结构示意图之一；

图2为本实用新型实施例提供的显示装置的截面结构示意图之二；

图3为本实用新型实施例提供的显示装置的俯视结构示意图之一；

图4为本实用新型实施例提供的显示装置的俯视结构示意图之二；

图5为本实用新型实施例提供的显示装置的截面结构示意图之三；

图6为本实用新型实施例提供的发光芯片的截面结构示意图；

图7为本实用新型实施例提供的显示装置的截面结构示意图之四；

图8为本实用新型实施例提供的发光单元的俯视结构示意图；

图9为本实用新型实施例提供的发光单元的截面结构示意图之一；

图10为本实用新型实施例提供的发光单元的截面结构示意图之二；

图11为本实用新型实施例提供的发光单元的截面结构示意图之三；

图12为本实用新型实施例提供的发光单元的截面结构示意图之四；

图13为本实用新型实施例提供的显示装置的俯视结构示意图之三。

其中，1-驱动基板，2-发光单元，21-共电极层，22-发光芯片，23-阻隔层，24-遮光层，3-导电部，11-第一电极，12-第二电极，13-绝缘部，25-保护层，H-通孔，221-p型掺杂层，222-发光层，223-n型掺杂层，26-欧姆接触层，22R-红色发光芯片，22G-绿色发光芯片，22B-蓝色发光芯片。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本实用新型做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本实用新型更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本实用新型中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本实用新型保护范围内。本实用新型的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)显示技术是指以发光二极管作为显示器件的显示技术。Micro LED(Micro Light Emitting Diode，简称Micro LED)是指微缩化的发光二极管芯片，一般情况下，Micro LED的尺寸为微米量级，例如，Micro LED的尺寸小于100μm。当Micro LED芯片的尺寸缩小到像素级别，可以直接采用Micro LED作为发光单元直接用于图像显示。

Micro LED显示技术指的是在一个驱动基板上集成的高密度微小尺寸的LED芯片阵列，每个Micro LED作为一个像素，可实现每一个像素单独定址、单独驱动发光。因MicroLED具有功耗低、寿命长、高稳定性和自发光无需背光源的特点，更加具有节能、高集成化等优势，可被应用于几乎所有的主流显示领域，被认为是未来显示技术的理想形式。

Micro LED显示装置的典型结构一般包括驱动基板和发光芯片。目前的Micro LED显示装置通常需要将发光芯片和驱动基板采用不同的工艺分别制作，在制作完成发光芯片和驱动基板之后，需通过巨量转移技术将千万颗甚至上亿颗发光芯片转移至驱动基板上。随着Micro LED芯片的尺寸越做越小，转移的次数和单次转移的Micro LED芯片数量大大增加，使得转移的难度大大增加，并且单个Micro LED芯片损坏后返修的难度增大。

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种显示装置，可以大大降低Micro LED芯片的转移难度和返修难度。

图1为本实用新型实施例提供的显示装置的截面结构示意图之一。

如图1所示，显示装置包括：驱动基板1、多个发光单元2和多个导电部3。

驱动基板1位于显示装置的底部，通常情况下其尺寸与显示装置的整体尺寸相适应，驱动基板1的尺寸略小于显示装置的尺寸。

驱动基板1的形状与显示装置的整体形状相同，通常情况下，可以设置为矩形或方形。当显示装置为异形显示装置时，驱动基板的形状可以适应性设置为其它形状，在此不做限定。

驱动基板1用于提供驱动信号。在一些实施例中，驱动基板1可以采用印刷电路板(Printed Circuit Board，简称PCB)。在一些实施例中，驱动基板1也可以采用薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)基板，TFT基板可以采用目前成熟的薄膜工艺进行制作，TFT基板可以实现有源驱动，大大地提高显示装置的反应速度和降低显示装置的功耗。

在一些实施例中，显示装置也可以包括多个驱动基板1，驱动基板1之间通过拼接方式共同为显示装置提供驱动信号。为了避免驱动基板1拼接带来的光学问题，相邻驱动基板1之间的拼缝尽量做到较小，甚至实现无缝拼接。

发光单元2位于驱动基板1之上，发光单元2的一侧与驱动基板1接触电气连接，另一侧通过导电部3与驱动基板1电气连接。多个发光单元2在驱动基板1上阵列排布，相邻两个发光单元之间相距设定距离，其设定距离根据显示装置的分辨率等具体需求进行设置，其形状可以为方形、矩形、圆形或者多边形，在此不做限定。发光单元2作为用于图像显示的像素单元，其包括至少两个作为子像素单元的发光芯片22。

在本实用新型实施例中，发光芯片22采用Micro LED。Micro LED为微小的LED芯片，目前随着工艺制程的进步，Micro LED的尺寸可以做到50μm以下，从而可以用于制作分辨率更高的显示装置。但是由于Micro LED的尺寸缩小增加了发光芯片转移和返修的难度，因此，在本实用新型实施例中，可以先在用于临时承载发光单元暂态基板上将至少两个发光芯片22通过微小化二极管封装(Microinpackage，简称MIP)工艺封装在一起构成尺寸更大的发光单元2，然后将发光单元2从暂态基板上转移到驱动基板1上，通过焊接、共晶等固晶技术将发光单元2与驱动基板1进行固定。在进行转移的过程中，通过对尺寸更大的发光单元进行转移，可以减少转移的次数和难度；当发光芯片损坏需要返修时，可以直接对损坏的发光单元进行维修或者更换，也使维修更加便捷。

具体地，由多个发光芯片22进行封装构成的发光单元2还包括：共电极层21、阻隔层23和遮光层24。

如图1所示，共电极层21位于驱动基板1之上，与驱动基板1电气连接。共电极层21作为每个发光单元2中的多个发光芯片22的公共电极，其形状和尺寸与发光单元2的形状和尺寸相适应。共电极层21可以采用具有良好的导电性能的材料进行制作，具体的可以选用金属铜或银等导电性能优良的金属材料。具体实施时，可以通过溅射、蒸镀、沉积、刻蚀等工艺在暂态基板上形成共电极层的图案。

发光芯片22位于共电极层21背离驱动基板1的一侧，发光芯片22通过共电极层21与驱动基板1电气连接。相邻的发光芯片22之间相距设定距离，其距离根据发光单元2中的发光芯片22的数量和发光单元2的尺寸等具体需求进行设定，在此不做限定。具体实施时，发光芯片22可以为方形、矩形、多边形或者圆形等形状，在此不做限定。

阻隔层23覆盖在各发光芯片22的侧壁和共电极层21背离驱动基板1的表面上，遮光层24填充在各发光芯片22之间的阻隔层23上，遮光层24包围发光芯片22的四周设置。其中，遮光层24采用黑色光阻材料，用于阻挡发光芯片22向侧面出射的光线，防止相邻的发光芯片22出射的光线发生串扰，提高显示画面的对比度。具体实施时，遮光层24采用的黑色光阻材料中可能含有一些用于阻挡和吸收光线的碳颗粒或金属颗粒，具有一定的导电能力，因此，阻隔层23采用绝缘材料进行制作，通过气相沉积等方式在各发光芯片22的侧壁和共电极层21背离驱动基板1的表面上形成阻隔层23，用于防止相邻的发光芯片22通过遮光层24中的导电微粒形成漏电流。

在本实用新型实施例中，阻隔层23可以选用透明树脂材料、氧化硅、氮化硅等绝缘材料制作，遮光层24可以选用黑色树脂材料进行制作。在具体实施时，选用的阻隔层23的材料的折射率大于发光芯片22的材料的折射率，以使入射到阻隔层23中的光线可以在阻隔层中传导，从而使得阻隔层23具有一定的导光作用，防止光线的串扰。

在本实用新型实施例中，如图1所示，显示装置还包括：多个导电部3。

如图1所示，多个导电部3与发光芯片22一一对应，一个发光芯片22与一个导电部3连接，导电部3覆盖对应的发光芯片22背离驱动基板1的表面，发光芯片22通过对应的导电部3与驱动基板1电气连接。驱动基板1可以通过与驱动芯片22一一对应的导电部3对每个发光芯片22单独施加驱动信号，从而实现对每个发光芯片22的单独控制。具体实施时，可以先通过物理气相沉积等工艺在发光单元和驱动基板的表面形成导电层，再通过刻蚀工艺制作与发光芯片一一对应的导电部3。

图2为本实用新型实施例提供的显示装置的截面结构示意图之二。

在本实用新型的实施例中，如图2所示，驱动基板1包括：多个第一电极11、多个第二电极12和绝缘层13。其中，一个第一电极11与至少两个第二电极12相邻设置。

在本实用新型实施例中，一个第一电极11与相邻设置的至少两个第二电极12组成一个电极组；一个电极组与一个发光单元相对应，电极组用于电气连接对应的发光单元。一个电极组中的第二电极12的数量与对应的发光单元中的发光芯片22的数量相同，一个第二电极12对应一个发光芯片22。

图3为本实用新型实施例提供的显示装置的俯视结构示意图之一；图4为本实用新型实施例提供的显示装置的俯视结构示意图之二。

具体实施时，如图3所示，同一电极组中的第二电极12设置在第一电极11的相对的两侧，或者，如图4所示，同一电极组中的第二电极12排列在第一电极11的同一侧；根据发光单元中的发光芯片22的数量和驱动基板的线路设计需求，第一电极11和第二电极12还可以有更多的设置方式，在此不做限定。

发光单元的共电极层21与该发光单元对应的第一电极11电气连接；发光芯片22通过对应的导电部3与对应的第二电极12电气连接。如图2所示，绝缘层13包括暴露出第一电极11和第二电极12的开口，第一电极11和第二电极12之间相互绝缘，绝缘层13防止第一电极11与导电部3、第二电极之间电流串扰。驱动基板1通过第一电极11和第二电极12给发光单元提供驱动信号，从而单独驱动每个发光芯片22出射预设亮度的光线。

图5为本实用新型实施例提供的显示装置的截面结构示意图之三。

在本实用新型实施例中，如图5所示，发光单元还包括保护层25。

保护层25覆盖在发光单元背离驱动基板一侧的表面以及发光单元的侧面上，用于在导电部3的制作过程中避免发光单元的内部结构受到破坏。在保护层25上与每个发光芯片22对应的区域均设置有至少一个通孔H，该通孔H用于导电部3与对应的发光芯片22的连接。保护层25可以选用透明绝缘材料进行制作，透明绝缘材料在不影响发光单元的出光效率的情况下，还可以避免导电部3与发光单元中除了发光芯片22以外的结构发生电性接触而产生漏电流。

图6为本实用新型实施例提供的发光芯片的截面结构示意图。

本实用新型实施例提供的显示装置可以为Micro LED显示装置，发光芯片采用Micro LED。如图6所示，发光芯片22包括：p型掺杂层221、发光层222和n型掺杂层223。

在本实用新型实施例中，发光芯片采用共阳极设计，其中，p型掺杂层221位于共电极层背离驱动基板的一侧；发光层222位于p型掺杂层221背离共电极层的一侧；n型掺杂层223位于发光层222背离所述p型掺杂层221的一侧。在具体实施时，可使用气相沉积法依次形成p型掺杂层221、发光层222和n型掺杂层223。其中，p型掺杂层221和n型掺杂层223可使用相同的材料，例如氮化镓等，分别进行p型掺杂和n型掺杂得到。发光层222可以采用多量子阱层。

在本实用新型实施例中，发光芯片采用垂直结构的芯片，其发光效率优于倒装结构的芯片，并且为了满足显示装置的分辨率的要求，封装后的发光单元的尺寸不宜过大，通常需要限定在一定范围的尺寸之内，采用垂直结构的发光芯片，发光芯片的阴极和阳极均设置在与驱动基板垂直的方向上，相较于倒装结构的发光芯片可以充分的利用封装结构的有限尺寸，节省发光单元的空间，有利于将发光单元的大小控制在预定的范围之内。

在本实用新型的实施例中，发光芯片采用垂直结构的芯片，发光单元从导电部背离驱动基板的一侧出光，因此，导电部可以选用透明导电材料进行制作，以避免导电部对发光芯片出射光的遮挡。在具体实施时，导电部可以采用氧化铟锡(ITO)等材料进行制作，在此不做限定，可以先通过物理气相沉积等工艺在发光单元和驱动基板的表面上形成导电层，再通过刻蚀工艺制作与发光芯片和第二电极一一对应的导电部。

图7为本实用新型实施例提供的显示装置的截面结构示意图之四。

在本实用新型实施例中，如图7所述，发光单元还包括：欧姆接触层26。

欧姆接触层26位于发光芯片22的p型掺杂层与共电极层21之间。发光芯片22需要与共电极层21电气连接，并通过共电极层21与驱动基板1上的第一电极11电气连接，以受控于驱动基板1进行发光。共电极层21通常采用金属材料制作，而发光芯片22的核心结构通常采用半导体材料进行制作，为了降低半导体材料与金属材料接触时产生的接触电阻，在发光芯片22的p型掺杂层与共电极层21之间设置欧姆接触层26。欧姆接触层26的材料可以选用低熔点的金属，避免制作过程中的高温接触对半导体材料产生影响，具体地欧姆接触层26可以选用锡或铟等材料。

本实用新型实施例提供的显示装置可以为Micro LED显示装置，发光芯片采用Micro LED。为了实现全彩显示，每个发光单元均包括三个发光芯片，其中，三个发光芯片分别为：用于出射红色光的红色发光芯片、用于出射绿色光的绿色发光芯片和用于出射蓝色光的蓝色发光芯片。其中，每个发光单元中的红色发光芯片、绿色发光芯片和蓝色发光芯片分别作为子像素单元，独立的受控于驱动基板进行发光，每个发光单元中的红色发光芯片、绿色发光芯片和蓝色发光芯片共同构成一个像素单元，受控于驱动基板而出射设定颜色的光线。

通常情况下，红色发光芯片的发光效率和光线强度低于蓝色发光芯片和绿色发光芯片的发光效率和光线强度，且红色发光芯片的衰减速度较快，导致显示装置无法准确还原原始图像的色彩信息。在一些实施例中，可以通过增大红色发光芯片的尺寸，从而在一定程度上缓解红色芯片发光效率低，衰减快导致的色准问题。

图8为本实用新型实施例提供的发光单元的俯视结构示意图。

具体实施时，如图8所示，可以设置红色发光芯片22R在驱动基板上的正投影的面积大于绿色发光芯片22G在驱动基板上的正投影的面积；同时还可以设置红色发光芯片22R在驱动基板上的正投影的面积大于蓝色发光芯片22B在驱动基板上的正投影的面积，从而确保红色发光芯片的发光亮度大于蓝色发光芯片的发光亮度和绿色发光芯片的发光亮度，且长时间使用之后红色发光芯片仍然可以保持足够的发光亮度。

图9为本实用新型实施例提供的发光单元的截面结构示意图之一；图10为本实用新型实施例提供的发光单元的截面结构示意图之二；图11为本实用新型实施例提供的发光单元的截面结构示意图之三；图12为本实用新型实施例提供的发光单元的截面结构示意图之四。

如上所述，在本实用新型实施例中，可以设置红色发光芯片在驱动基板上的正投影的面积大于绿色发光芯片在驱动基板上的正投影的面积和蓝色发光芯片在驱动基板上的正投影的面积。图9-图12为从发光单元的各个侧面观察发光单元的截面结构示意图，为了使发光芯片在发光单元中的排列更加紧凑，并且使三种颜色的发光芯片出射的光线混合更加均匀，如图8和图9-图12所示，可以设置在同一个发光单元中，绿色发光芯片22G和蓝色发光芯片22B沿着红色发光芯片22R的一个侧边排列，具体实施时，红色发光芯片22R、绿色发光芯片22G和蓝色发光芯片22B可以同时为矩形，使绿色发光芯片22G和蓝色发光芯片22B沿红色发光芯片22R的长边所在的方向排列，从而可以高效的利用发光单元有限的空间，将发光单元的大小控制在限定的范围之内。一般来说，采用三个发光芯片进行封装构成的发光单元的尺寸大于75μm，即满足发光单元快捷转移和返修的尺寸要求，发光单元的尺寸不宜过大，以确保显示装置的分辨率要求。

图13为本实用新型实施例提供的显示装置的俯视结构示意图之三。

为了实现全彩显示，显示装置的每个发光单元中包括三个发光芯片，相应地，如图13所示，与同一个发光单元对应的电极组中包括分别与红色发光芯片22R、绿色发光芯片22G和蓝色发光芯片22B一一对应的三个第二电极12，具体实施时，可以设置与绿色发光芯片22G对应的第二电极12和与蓝色发光芯片22B对应的第二电极12排列在绿色发光芯片22G和蓝色发光芯片22B背离红色发光芯片22R的一侧，将与红色发光芯片22R对应的第二电极12设置在背离绿色发光芯片22G和蓝色发光芯片22B的一侧，以降低驱动基板上的第一电极、第二电极和线路走线的设计难度。

实际实施过程中，红色发光芯片22R、绿色发光芯片22G和蓝色发光芯片22B的形状不限定于矩形，也可以为其它形状的多边形、圆形等，红色发光芯片22R、绿色发光芯片22G和蓝色发光芯片22B的排列方式、以及同一电极组中的第一电极与第二电极的排列方式均可以根据实际情况进行设置，在此不做限定。

根据第一实用新型构思，本实用新型提供一种显示装置，显示装置包括：驱动基板，用于提供驱动信号；多个发光单元，位于驱动基板之上，与驱动基板电气连接；其中，每个发光单元由至少两个发光芯片封装在一起构成，发光单元的尺寸大于单个发光芯片的尺寸，通过对尺寸更大的发光单元进行转移，可以减少转移的次数和难度；当发光芯片损坏需要返修时，可以直接对损坏的发光单元进行维修或者更换，也使维修更加便捷。

根据第二实用新型构思，发光单元还包括共电极层、阻隔层和遮光层。其中，共电极层位于驱动基板之上，与驱动基板电气连接，发光芯片位于共电极层背离驱动基板的一侧，相邻的发光芯片之间相距设定距离；阻隔层，覆盖各发光芯片的侧壁和共电极层背离驱动基板的表面；遮光层，填充在述发光芯片之间的阻隔层上，遮光层包围各发光芯片的四周设置。遮光层用于阻挡发光芯片向侧面出射的光线，防止相邻的发光芯片出射的光线发生串扰，提高显示画面的对比，阻隔层用于防止相邻的发光芯片通过遮光层中的导电微粒形成漏电流。

根据第三实用新型构思，阻隔层的材料采用透明树脂；遮光层的材料采用黑色树脂；阻隔层的折射率大于发光芯片的折射率，以使入射到阻隔层中的光线可以在阻隔层中传导，从而使得阻隔层具有一定的导光作用，防止光线的串扰。

根据第四实用新型构思，发光芯片采用垂直结构的发光芯片，垂直结构的发光芯片相较于倒装结构的发光芯片具有更高的出光效率，并且垂直结构的芯片便于设置，可以节省发光单元的空间。

根据第五实用新型构思，显示装置还包括：多个导电部。导电部与发光芯片一一对应；导电部覆盖在对应的发光芯片背离驱动基板的表面；发光芯片通过对应的导电部与驱动基板电气连接。通过与发光芯片一一对应的导电部，可以实现对每个发光单元中的发光芯片的单独控制。

根据第六实用新型构思，驱动基板包括多个第一电极和多个第二电极。一个第一电极与至少两个第二电极相邻设置；一个第一电极与至少两个第二电极组成一个电极组；一个电极组与一个所述发光单元相对应，电极组用于电气连接对应的发光单元；一个电极组中的第二电极的数量与对应的发光单元中的发光芯片的数量相同，一个第二电极对应一个发光芯片；发光单元的共电极层与该发光单元对应的第一电极电气连接；发光芯片通过对应的导电部与对应的第二电极电气连接。

根据第七实用新型构思，发光芯片为Micro LED，发光芯片包括：p型掺杂层、发光层和n型掺杂层。同一个发光单元中的发光芯片采用共阳极设计，阴极侧出光，其中，p型掺杂层位于共电极层背离驱动基板的一侧；发光层位于p型掺杂层背离共电极层的一侧；n型掺杂层位于发光层背离p型掺杂层的一侧；与发光芯片接触的导电部采用透明导电材料制作，避免影响出光效率。

根据第八实用新型构思，共电极层的材料采用铜或银，发光单元还包括：欧姆接触层，位于p型掺杂层与共电极层之间。欧姆接触层的材料采用锡或铟，可以减少p型掺杂层的半导体材料与共电极层的金属材料之间的接触电阻。

根据第九实用新型构思，每个发光单元均包括三个发光芯片，三个发光芯片分别为：用于出射红色光的红色发光芯片、用于出射绿色光的绿色发光芯片和用于出射蓝色光的蓝色发光芯片，用以实现全彩显示。

根据第十实用新型构思，红色发光芯片在驱动基板上的正投影的面积大于绿色发光芯片在驱动基板上的正投影的面积；红色发光芯片在驱动基板上的正投影的面积大于蓝色发光芯片在驱动基板上的正投影的面积，可以改善红色发光芯片发光效率低、衰减快的问题。

根据第十一实用新型构思，发光单元的尺寸大于75μm。

尽管已描述了本实用新型的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本实用新型范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：

驱动基板，用于提供驱动信号；

多个发光单元，位于所述驱动基板之上，与所述驱动基板电气连接；

其中，所述发光单元包括：

共电极层，位于所述驱动基板之上；所述共电极层与所述驱动基板电气连接；

至少两个发光芯片，位于所述共电极层背离所述驱动基板的一侧；相邻的所述发光芯片之间相距设定距离；

阻隔层，覆盖各所述发光芯片的侧壁和所述共电极层背离所述驱动基板的表面；

遮光层，填充在各所述发光芯片之间的所述阻隔层上，所述遮光层包围各所述发光芯片的四周设置。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：

多个导电部，与所述发光芯片一一对应；所述导电部覆盖对应的所述发光芯片背离所述驱动基板的表面；所述发光芯片通过对应的所述导电部与驱动基板电气连接。

3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述驱动基板包括：多个第一电极和多个第二电极；一个所述第一电极与至少两个所述第二电极相邻设置；

一个所述第一电极与至少两个所述第二电极组成一个电极组；一个所述电极组与一个所述发光单元相对应，所述电极组用于电气连接对应的所述发光单元；一个所述电极组中的第二电极的数量与对应的所述发光单元中的发光芯片的数量相同，一个所述第二电极对应一个所述发光芯片；

所述发光单元的共电极层与该发光单元对应的所述第一电极电气连接；所述发光芯片通过对应的所述导电部与对应的所述第二电极电气连接。

4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述发光芯片为Micro LED发光芯片；

所述发光芯片包括：

p型掺杂层，位于所述共电极层背离所述驱动基板的一侧；

发光层，位于所述p型掺杂层背离所述共电极层的一侧；

n型掺杂层，位于所述发光层背离所述p型掺杂层的一侧；

其中，所述导电部采用透明导电材料。

5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述发光单元还包括：

欧姆接触层，位于所述p型掺杂层与所述共电极层之间；

所述欧姆接触层的材料采用锡或铟；所述共电极层的材料采用铜或银。

6.如权利要求1～5任一项所述的显示装置，其特征在于，所述阻隔层的材料采用透明树脂；所述遮光层的材料采用黑色树脂；

所述阻隔层的折射率大于所述发光芯片的折射率。

7.如权利要求1～5任一项所述的显示装置，其特征在于，每个所述发光单元均包括三个发光芯片；所述三个发光芯片分别为：用于出射红色光的红色发光芯片、用于出射绿色光的绿色发光芯片和用于出射蓝色光的蓝色发光芯片。

8.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述红色发光芯片在所述驱动基板上的正投影的面积大于所述绿色发光芯片在所述驱动基板上的正投影的面积；所述红色发光芯片在所述驱动基板上的正投影的面积大于所述蓝色发光芯片在所述驱动基板上的正投影的面积。

9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，在同一个所述发光单元中，所述绿色发光芯片和所述蓝色发光芯片沿着所述红色发光芯片的一个侧边排列。

10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述发光单元的尺寸大于75μm。

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