CN215954833U - 一种提升数据存储效率的高速缓冲存储器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种提升数据存储效率的高速缓冲存储器，涉及新型存储器技术领域。本实用新型包括存储器主体，存储器主体的一端固定连接有数据导入稳定提速保护结构，存储器主体的顶端固定连接有数据效率导入维持结构。本实用新型通过数据导入稳定提速保护结构的设计，使得装置便于抵消和防止外侧信号对导入数据时的影响，并利用数据导入稳定提速保护结构中的防静电干扰模块对数据导入位置的防静电保护，从而避免静电对数据导出的影响，由于避免了多种的干扰，进一步提高了数据存储传导的效率，且通过数据导入稳定提速保护结构的设计，使得装置在存储数据过程中持续稳定在合适的工作温度，进一步的保持存储效率。

Description

一种提升数据存储效率的高速缓冲存储器

技术领域

本实用新型属于新型存储器技术领域，特别是涉及一种提升数据存储效率的高速缓冲存储器。

背景技术

存储器是许多存储单元的集合，按单元号顺序排列，为了便于数据的传导，需要存储器与数据导出端的连接，但是现有技术下的存储器在进行数据传导的过程中，容易被外界磁场和静电影响传导存储效率，使得其存储效率下降，且在存储数据过程中结构容易过热，无法维持高效使用的温度，因此需要对以上问题提出一种新的解决方案。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种提升数据存储效率的高速缓冲存储器，以解决了现有的问题：现有技术下的存储器在进行数据传导的过程中，容易被外界磁场和静电影响传导存储效率，使得其存储效率下降。

为解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的：

一种提升数据存储效率的高速缓冲存储器，包括存储器主体，所述存储器主体的一端固定连接有数据导入稳定提速保护结构，所述存储器主体的顶端固定连接有数据效率导入维持结构。

进一步地，所述数据导入稳定提速保护结构包括配导引出环、抗干扰外壳、气体导出管和防静电干扰模块，所述配导引出环的材质为铜，所述配导引出环的外侧固定连接有抗干扰外壳，所述抗干扰外壳的顶端固定连接有气体导出管，所述抗干扰外壳与配导引出环之间预留有通槽，所述气体导出管用于将通槽内部的空气抽排导出形成真空，阻隔磁干扰，所述抗干扰外壳的一端固定连接有防静电干扰模块。

进一步地，所述防静电干扰模块包括导出接触块、橡胶管、螺旋导出杆、接地导出线和绝缘块，所述导出接触块的底端固定有橡胶管，所述橡胶管的内侧固定连接有螺旋导出杆，所述螺旋导出杆与导出接触块焊接连接，所述螺旋导出杆的底端焊接有接地导出线，所述接地导出线一端的顶端固定连接有绝缘块。

进一步地，所述导出接触块、螺旋导出杆、接地导出线的材质均为铜，所述绝缘块的材质为橡胶。

进一步地，所述数据效率导入维持结构包括内装搭载管、风力引导扇、片状散温块、半导体制冷板和导温垫，所述内装搭载管的内侧通过螺钉固定连接有风力引导扇，所述内装搭载管内侧的底端焊接有片状散温块，所述片状散温块的底端固定连接有导温垫，所述片状散温块的一侧固定连接有半导体制冷板。

进一步地，所述片状散温块的材质为铜，所述片状散温块的内侧开设有多个过流导温槽。

利用导温垫和存储器主体的接触，将存储器主体在数据存储过程中产生的高热吸附导出至片状散温块，利用片状散温块材质具有的良好导温性能，将导温垫导出的温度向外侧引导，利用风力引导扇形成的风力，带动热力从过流导温槽中更快速的导出，形成配合的高速冷却，由于热力吸附需要良好的热传递效应，为了维持片状散温块的冷却吸附热的能力，通过半导体制冷板完成对片状散温块进行冷却，从而持续对存储器主体进行热力的导出，维持存储器主体的使用温度，保证数据的高效传导。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

(1)本实用新型通过数据导入稳定提速保护结构的设计，使得装置便于抵消和防止外侧信号对导入数据时的影响，并利用数据导入稳定提速保护结构中的防静电干扰模块对数据导入位置的防静电保护，从而避免静电对数据导出的影响，由于避免了多种的干扰，进一步提高了数据存储传导的效率。

(2)本实用新型通过数据导入稳定提速保护结构的设计，使得装置在存储数据过程中持续稳定在合适的工作温度，进一步的保持存储效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型整体结构的示意图；

图2为本实用新型数据导入稳定提速保护结构的局部剖视图；

图3为本实用新型防静电干扰模块的连接结构示意图；

图4为本实用新型数据导入稳定提速保护结构的结构示意图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1、存储器主体；2、数据导入稳定提速保护结构；3、数据效率导入维持结构；4、配导引出环；5、抗干扰外壳；6、气体导出管；7、防静电干扰模块；8、导出接触块；9、橡胶管；10、螺旋导出杆；11、接地导出线；12、绝缘块；13、内装搭载管；14、风力引导扇；15、片状散温块；16、半导体制冷板；17、导温垫。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

参照图1-4，一种提升数据存储效率的高速缓冲存储器，包括存储器主体1，存储器主体1的一端固定连接有数据导入稳定提速保护结构2，存储器主体1的顶端固定连接有数据效率导入维持结构3。

数据导入稳定提速保护结构2包括配导引出环4、抗干扰外壳5、气体导出管6和防静电干扰模块7，配导引出环4的材质为铜，配导引出环4的外侧固定连接有抗干扰外壳5，抗干扰外壳5的顶端固定连接有气体导出管6，抗干扰外壳5与配导引出环4之间预留有通槽，抗干扰外壳5的一端固定连接有防静电干扰模块7。

气体导出管6用于将通槽内部的空气抽排导出形成真空，阻隔磁干扰，从而避免磁性对数据传导效率的影响，从而提高数据导出的效率。

防静电干扰模块7包括导出接触块8、橡胶管9、螺旋导出杆10、接地导出线11和绝缘块12，导出接触块8的底端固定有橡胶管9，橡胶管9的内侧固定连接有螺旋导出杆10，螺旋导出杆10与导出接触块8焊接连接，螺旋导出杆10的底端焊接有接地导出线11，接地导出线11一端的顶端固定连接有绝缘块12。

导出接触块8、螺旋导出杆10、接地导出线11的材质均为铜，绝缘块12的材质为橡胶。

利用配导引出环4和数据导入数据线的接触，将传导数据时产生的静电导出，由于配导引出环4、导出接触块8、螺旋导出杆10和接地导出线11的材质均为铜，利用配导引出环4和导出接触块8的配合将静电导出至螺旋导出杆10，利用橡胶管9将静电进行阻隔抵消一部分，其余的静电通过接地导出线11导出至绝缘块12，由于绝缘块12为绝缘设计，与接地效果相同，完成对静电的抵消。

数据效率导入维持结构3包括内装搭载管13、风力引导扇14、片状散温块15、半导体制冷板16和导温垫17，内装搭载管13的内侧通过螺钉固定连接有风力引导扇14，内装搭载管13内侧的底端焊接有片状散温块15，片状散温块15的底端固定连接有导温垫17，片状散温块15的一侧固定连接有半导体制冷板16。

片状散温块15的材质为铜，片状散温块15的内侧开设有多个过流导温槽。

利用导温垫17和存储器主体1的接触，将存储器主体1在数据存储过程中产生的高热吸附导出至片状散温块15，利用片状散温块15材质具有的良好导温性能，将导温垫17导出的温度向外侧引导，利用风力引导扇14形成的风力，带动热力从过流导温槽中更快速的导出，形成配合的高速冷却，由于热力吸附需要良好的热传递效应，为了维持片状散温块15的冷却吸附热的能力，通过半导体制冷板16完成对片状散温块15进行冷却，从而持续对存储器主体1进行热力的导出，维持存储器主体1的使用温度，保证数据的高效传导。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上公开的本实用新型优选实施例只是用于帮助阐述本实用新型。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该实用新型仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本实用新型。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (6)

1.一种提升数据存储效率的高速缓冲存储器，包括存储器主体(1)，其特征在于，所述存储器主体(1)的一端固定连接有数据导入稳定提速保护结构(2)，所述存储器主体(1)的顶端固定连接有数据效率导入维持结构(3)。

2.根据权利要求1所述的一种提升数据存储效率的高速缓冲存储器，其特征在于，所述数据导入稳定提速保护结构(2)包括配导引出环(4)、抗干扰外壳(5)、气体导出管(6)和防静电干扰模块(7)，所述配导引出环(4)的材质为铜，所述配导引出环(4)的外侧固定连接有抗干扰外壳(5)，所述抗干扰外壳(5)的顶端固定连接有气体导出管(6)，所述抗干扰外壳(5)与配导引出环(4)之间预留有通槽，所述抗干扰外壳(5)的一端固定连接有防静电干扰模块(7)。

3.根据权利要求2所述的一种提升数据存储效率的高速缓冲存储器，其特征在于，所述防静电干扰模块(7)包括导出接触块(8)、橡胶管(9)、螺旋导出杆(10)、接地导出线(11)和绝缘块(12)，所述导出接触块(8)的底端固定有橡胶管(9)，所述橡胶管(9)的内侧固定连接有螺旋导出杆(10)，所述螺旋导出杆(10)与导出接触块(8)焊接连接，所述螺旋导出杆(10)的底端焊接有接地导出线(11)，所述接地导出线(11)一端的顶端固定连接有绝缘块(12)。

4.根据权利要求3所述的一种提升数据存储效率的高速缓冲存储器，其特征在于，所述导出接触块(8)、螺旋导出杆(10)、接地导出线(11)的材质均为铜，所述绝缘块(12)的材质为橡胶。

5.根据权利要求1所述的一种提升数据存储效率的高速缓冲存储器，其特征在于，所述数据效率导入维持结构(3)包括内装搭载管(13)、风力引导扇(14)、片状散温块(15)、半导体制冷板(16)和导温垫(17)，所述内装搭载管(13)的内侧通过螺钉固定连接有风力引导扇(14)，所述内装搭载管(13)内侧的底端焊接有片状散温块(15)，所述片状散温块(15)的底端固定连接有导温垫(17)，所述片状散温块(15)的一侧固定连接有半导体制冷板(16)。

6.根据权利要求5所述的一种提升数据存储效率的高速缓冲存储器，其特征在于，所述片状散温块(15)的材质为铜，所述片状散温块(15)的内侧开设有多个过流导温槽。

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