CN215300588U - 一种低失调差分输出的电路结构 - Google Patents

一种低失调差分输出的电路结构 Download PDF

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Abstract

本实用新型公开了一种低失调差分输出的电路结构,包含第一晶体管Q1,第一MOS管Q2,第二MOS管Q3,第一电阻R1,第二电阻R2,第三电阻R3,第四电阻R4,第五电阻R5,第六电阻R6,第七电阻R7,第八电阻R8,第一电容C1,第二电容C2,第一误差放大器(AMP1)。第一MOS管Q2栅极接Vin1,漏极通过R4和R1接第一晶体管Q1发射极,通过R4和R2接V+,并通过R6接误差放大器AMP1负输入,第一MOS管Q2和第二MOS管Q3源极通过R8接V‑,第二MOS管Q3栅极接Vin2,管漏极通过R7接误差放大器AMP1正输入,且通过R5接V+,第一晶体管Q1基极通过R3接误差放大器AMP1输出,集电极接V‑。本实用新型与现有技术相比优点在于获得低噪声的同时解决离散器件产生的参数离散化。

Description

一种低失调差分输出的电路结构
技术领域
本电路结构是应用在当差分输入信号很小的情况下,通过低噪声的MOS管对其进行放大时,因器件参数不一致,导致电路无法正常工作的一种解决方案。
背景技术
目前的差分放大器对于微弱的信号在处理上还是存在一些技术挑战,在解决了信号放大的情况下,还会给信号带来因其自己特性而产生的噪声,共模信号等问题。又或者虽然有满足这种要求的高精度差分放大器,但是在成本上却不好控制。本电路结构可以作为差分放大器的前级电路,对差分信号进行低噪声,低漂移的放大,从而有效降低上述问题对信号带来的影响。
发明内容
本实用新型的目的是克服以上的技术缺陷,提供一种低失调差分输出的电路结构,为差分放大器提供一个前级电路,使其具有更好的性能。
为解决上述技术问题,本实用新型提供的技术方案为:一种低失调差分输出的电路结构,包含第一晶体管Q1,第一MOS管Q2,第二MOS管Q3,第一电阻R1,第二电阻R2,第三电阻R3,第四电阻R4,第五电阻R5,第六电阻R6,第七电阻R7,第八电阻R8,第一电容C1,第二电容C2,第一误差放大器(AMP1)。第一MOS管Q2的栅极连接到Vin1,第一MOS管Q2的源极通过电阻R8连接到V-,第一MOS管Q2的漏极分别连接到Vout1和通过第四电阻R4和第一电阻R1连接到第一晶体管Q1的发射极,通过第四电阻R4和第二电阻R2连接到V+,并通过第六电阻R6连接到第一误差放大器(AMP1)的负信号输入端;第二MOS管Q3的栅极连接到Vin2,第二MOS管的源极通过第八电阻R8连接到V-,第二MOS管的漏极连接到Vout2,通过第七电阻R7连接到第一误差放大器的正信号输入端,且通过第五电阻R5连接到V+;第一误差放大器(AMP1)的正信号输入端通过第一电容C1连接到地,第一误差放大器(AMP1)的负信号输入端通过第二电容C2连接到第一晶体管Q1的发射极,第一误差放大器(AMP1)的输出端通过第三电阻R3连接到第一晶体管Q1的基极,第一误差放大器(AMP1)的正电源输入端连接到V+,负电源输入端连接到V-;第一晶体管Q1的集电极连接到V-。
本实用新型与现有技术相比的优点在于:本实用新型提出一种新的结构,为差分放大器提供前级电路,解决了对现有差分放大器处理微弱信号时其噪声不满足设计要求以及因外部离散器件参数离散化,不匹配等情况所产生的信号干扰的技术问题。
附图说明
图1是本差分输出电路结构的电路图
具体实施方式
一种解决因离散参数的器件,存在温漂、差数离散化等情况而无法对差分信号进行处理的电路结构,包含第一晶体管Q1,第一MOS管Q2,第二MOS管Q3,第一电阻R1,第二电阻R2,第三电阻R3,第四电阻R4,第五电阻R5,第六电阻R6,第七电阻R7,第八电阻R8,第一电容C1,第二电容C2,第一误差放大器(AMP1)。第一MOS管Q2的栅极连接到Vin1,第一MOS管Q2的源极通过电阻R8连接到V-,第一MOS管Q2的漏极分别连接到Vout1和通过第四电阻R4和第一电阻R1连接到第一晶体管Q1的发射极,通过第四电阻R4和第二电阻R2连接到V+,并通过第六电阻R6连接到第一误差放大器(AMP1)的负信号输入端;第二MOS管Q3的栅极连接到Vin2,第二MOS管的源极通过第八电阻R8连接到V-,第二MOS管的漏极连接到Vout2,通过第七电阻R7连接到第一误差放大器的正信号输入端,且通过第五电阻R5连接到V+;第一误差放大器(AMP1)的正信号输入端通过第一电容C1连接到地,第一误差放大器(AMP1)的负信号输入端通过第二电容C2连接到第一晶体管Q1的发射极,第一误差放大器(AMP1)的输出端通过第三电阻R3连接到第一晶体管Q1的基极,第一误差放大器(AMP1)的正电源输入端连接到V+,负电源输入端连接到V-;第一晶体管Q1的集电极连接到V-。
该电路结构通过两个低噪声,低偏置的MOS管对信号进行放大,但由于MOS管的离散特性,需要通过一个误差放大器,对其进行补偿,使其流过MOS管的电流根据各管参数的不同进行调整,从而输出的放大倍数一致;电阻R7和电容C1组成RC电路过滤交流信号,电阻R6和电容C2起到同样的作用;电阻R1,R2,R4,R5,R8用来设置MOS管直流偏置电压。
对于本领域技术人员而言,显然本电路结构不限于上述示范例的细节,而且在不背离本电路结构的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本电路结构的功能。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本电路结构的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本电路结构内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述仅仅是为了清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他方式。

Claims (1)

1.一种低失调差分输出的电路结构,其特征在于:包含第一晶体管Q1,第一MOS管Q2,第二MOS管Q3,第一电阻R1,第二电阻R2,第三电阻R3,第四电阻R4,第五电阻R5,第六电阻R6,第七电阻R7,第八电阻R8,第一电容C1,第二电容C2,第一误差放大器(AMP1);第一MOS管Q2的栅极连接到Vin1,第一MOS管Q2的源极通过电阻R8连接到V-,第一MOS管Q2的漏极分别连接到Vout1和通过第四电阻R4和第一电阻R1连接到第一晶体管Q1的发射极,通过第四电阻R4和第二电阻R2连接到V+,并通过第六电阻R6连接到第一误差放大器(AMP1)的负信号输入端;第二MOS管Q3的栅极连接到Vin2,第二MOS管的源极通过第八电阻R8连接到V-,第二MOS管的漏极连接到Vout2,通过第七电阻R7连接到第一误差放大器的正信号输入端,且通过第五电阻R5连接到V+;第一误差放大器(AMP1)的正信号输入端通过第一电容C1连接到地,第一误差放大器(AMP1)的负信号输入端通过第二电容C2连接到第一晶体管Q1的发射极,第一误差放大器(AMP1)的输出端通过第三电阻R3连接到第一晶体管Q1的基极,第一误差放大器(AMP1)的正电源输入端连接到V+,负电源输入端连接到V-;第一晶体管Q1的集电极连接到V-。
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