CN213519957U - Micro-LED芯片结构及Micro-LED发光组件 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种Micro‑LED芯片结构及Micro‑LED发光组件。所述Micro‑LED芯片结构包括外延结构，所述外延结构包括依次设置在透光衬底上的第二半导体层、有源区和第一半导体层，该第一、第二半导体层分别与第一、第二电极配合，该第二电极分布于透光衬底周围并与透光衬底的侧壁接触，且该透光衬底远离外延结构的一侧表面为出光面。本实用新型的Micro‑LED芯片结构通过采用侧壁电极结构，可以避免因电极设置在出光面上而对LED芯片所发光的吸收，增加器件发光效率，同时还可以起到光反射的作用，从而进一步提高器件的光提取效率和亮度，并且还可以减少各芯片之间的光串扰，避免色坐标偏移，提高显示色纯度，以及，还可以使芯片尺寸得以进一步缩小，提高显示分辨率。

Description

Micro-LED芯片结构及Micro-LED发光组件

技术领域

本实用新型涉及一种LED芯片，特别是涉及一种Micro-LED芯片结构及Micro-LED发光组件。

背景技术

随着超高清小间距大屏幕商业显示等应用的发展需求，以及AR(AugmentedReality，增强现实)、VR(Virtual Reality，虚拟现实)、MR(混合现实技术)等新型显示应用的兴起，对LED光源的尺寸微缩化提出了挑战。特别是为了提高显示分辨率，通常要求LED芯片的尺寸小于几十微米，甚至1～5μm。另外，可见光通信的发展也要求LED芯片尺寸向micro尺寸迈进。但由于LED芯片工作需要正、负两个电极，因而制备如此微小尺寸的芯片，鉴于电极尺寸的限制，垂直结构是理想的选择。然而，垂直结构中LED出光面的电极严重影响了LED的发光效率，导致LED亮度损失。虽然LED倒装结构的出光面没有因电极而引起的亮度损失，但因该结构需要在LED同一面/侧制备正、负两个电极，故而限制了LED芯片的尺寸，很难实现小于5μm以下的LED。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种Micro-LED芯片结构及Micro-LED发光组件，以克服现有技术中的不足。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

本实用新型的一些实施例提供了一种Micro-LED芯片结构，其包括外延结构，所述外延结构包括依次设置在透光衬底上的第二半导体层、有源区和第一半导体层，所述第一半导体层、第二半导体层分别与第一电极、第二电极配合，所述第二电极分布于透光衬底周围，并与透光衬底的侧壁接触。

在一些实施方式中，所述透光衬底远离第二半导体层的一侧表面为出光面，所述第二电极环绕所述出光面设置。

在一些实施方式中，所述第二电极环绕透光衬底设置形成光学挡墙结构。

在一些实施方式中，所述第一电极、第二电极分别与第一半导体层、第二半导体层形成欧姆接触。

在一些实施方式中，所述透光衬底是导电的，所述第二电极与透光衬底的侧壁形成电性接触。进一步的，所述透光衬底与第二半导体层具有相同导电类型。

在一些实施方式中，所述第一半导体层与有源区之间还设置有载流子阻挡层。

在一些实施方式中，所述第一电极设置在第一半导体层远离有源区的一侧表面上。

在一些实施方式中，所述有源区包括多量子阱有源区。

在一些实施方式中，所述Micro-LED芯片结构还包括光转换结构，所述光转换结构设置在透光衬底上。

在一些实施方式中，所述光转换结构包括覆设在透光衬底上的量子点光转换材料层。

在一些实施方式中，所述Micro-LED芯片结构还包括绝缘隔离结构，所述绝缘隔离结构至少环绕透光衬底、第二半导体层及有源区设置。

本实用新型的一些实施例还提供了一种Micro-LED发光组件，其包括多个发光单元，其中至少一个发光单元具有所述的Micro-LED芯片结构。

在一些实施方式中，所述发光单元的径向尺寸在5μm以下。

与现有技术相比，本实用新型以上实施例提出的Micro-LED芯片结构之中，通过以透光衬底远离外延结构的一侧表面作为出光面，并在透光衬底侧壁处设置电极，可以避免因电极设置在出光面上而对micro-LED芯片所发光的吸收，增加micro-LED芯片的发光效率，同时还可以起到光反射的作用，从而进一步提高微型发光二极管的光提取效率和亮度，并且还可以减少各micro-LED芯片之间的光串扰，避免色坐标偏移，提高显示色纯度，以及，还可以使micro-LED芯片的尺寸得以进一步缩小，进而能进一步提升微型发光二极管器件的集成度，提高显示分辨率。同时，亦可实现晶圆级阵列芯片，避免巨量转移，简化工艺，节约成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例1中一种Micro-LED芯片结构的示意图；

图2a是本实用新型实施例1中一种LED芯片外延结构的示意图；

图2b是在图2a所示外延结构上蒸镀用于制作第一电极的金属层的示意图；

图2c是在图2b所示器件的透光衬底上设置掩模的示意图；

图2d是对图2c中的掩模进行图形化处理的示意图；

图2e是在图2d中的透光衬底内形成图形沟道的示意图；

图2f是以光刻胶对图2e所示器件的表面进行平面化的示意图；

图2g是在对图2f所示器件进行光刻处理后再在其表面蒸镀用于制作第二电极的金属层的示意图；

图2h是对图2g所示器件进行金属剥离形成第二电极的示意图；

图2i是在图2h所示器件中形成绝缘隔离结构的示意图；

图2j是在图2i所示器件中的衬底上形成第一电极的示意图；

图3是本实用新型实施例2中一种Micro-LED芯片结构的示意图；

图4是本实用新型实施例3中一种Micro-LED芯片结构的示意图。

具体实施方式

如前所述，由于现有技术的不足，导致业界一直难以克服如下的micro-LED技术瓶颈，即：垂直结构由于电极吸光而导致的亮度损失，需要大幅度提高LED光源的亮度；不同像素点之间的光串扰；严重影响显示的色坐标和色纯度；以及，倒装结构的micro-LED由于芯片尺寸限制，无法进一步提高显示分辨率。

有鉴于此，本案发明人经长期研究和实践，得以提出本实用新型的技术方案，如下将予以详细的解释说明。

本实用新型实施例的一个方面提供的一种Micro-LED芯片结构包括外延结构，所述外延结构包括依次设置在透光衬底上的第二半导体层、有源区和第一半导体层，所述第一半导体层、第二半导体层分别与第一电极、第二电极配合，所述第二电极分布于透光衬底周围，并与透光衬底的侧壁接触。

进一步的，所述透光衬底远离第二半导体层的一侧表面被设置为出光面，所述第二电极环绕所述出光面设置。

其中，通过将所述第二电极设置于透光衬底的侧壁(即，器件出光面的周围)，既可以保障Micro-LED芯片的正常工作，亦可以有效防止电极对出光面的占用，杜绝其对LED所发射光的吸收和阻挡，从而提高器件发光效率。

在一些实施方式中，所述第一半导体层与有源区之间还设置有载流子阻挡层，如电子阻挡层或空穴阻挡层。

在一些实施方式中，所述第一半导体层、第二半导体层分别为p型层、n型层，且所述第一半导体层与有源区之间还设置有电子阻挡层(EBL)。进一步的，所述电子阻挡层也是p型的。或者，所述第一半导体层、第二半导体层分别为n型层、p型层，且所述第一半导体层与有源区之间还设置有空穴阻挡层。相应的，所述空穴阻挡层也是n型的。

在一些实施方式中，所述有源区包括多量子阱有源区。

当然，在一些实施方式中，可以设置所述第一半导体层、第二半导体层分别为n型层、p型层。

进一步的，所述透光衬底与第二半导体层具有相同导电类型，即，同为n型或p型。

在一些实施方式中，所述第二电极环绕透光衬底设置形成光学挡墙结构。如此，既可以将LED的侧向发光反射，进一步提高Micro-LED的光提取效率，同时还可以减少各LED芯片之间的光串扰。较为优选的，所述第二电极的内环面为镜面结构。

在一些实施方式中，所述第一电极、第二电极分别与第一半导体层、第二半导体层形成欧姆接触。

在一些实施方式中，所述透光衬底是导电的，所述第二电极与透光衬底的侧壁形成电性接触。如此可以进一步提升器件的电流注入效率和均匀性，改善器件的发光性能。

较为优选的，所述第二电极与透光衬底的侧壁也形成欧姆接触。

在一些实施方式中，所述第一电极设置在第一半导体层远离有源区的一侧表面上。

在一些实施方式中，所述第一电极被设置为与第一半导体层整面接触。

在一些实施方式中，所述Micro-LED芯片结构还包括光转换结构，所述光转换结构设置在透光衬底上。

在一些实施方式中，所述光转换结构包括覆设在透光衬底上的量子点光转换材料层。

当然，所述光转换结构还可以采用本领域已知的其它光转换结构，例如由荧光粉、荧光纳米颗粒等形成的薄膜、封装胶层等，但不限于此。此外，所述光转换结构可以直接覆盖在第一半导体层表面，也可以采用远端光转换(如量子点或荧光粉)块或膜等，且不限于此。其优势是可以实现RGB全彩显示，无需巨量芯片转移，从而有效节约成本。

在一些实施方式中，所述Micro-LED芯片结构还包括绝缘隔离结构，所述绝缘隔离结构至少环绕透光衬底、第二半导体层及有源区设置。

进一步的，所述绝缘隔离结构可以由二氧化硅、氧化铝、氮化硅等各类绝缘介质材料形成，也可以由空气等形成，且不限于此。

较为优选的，所述绝缘隔离结构可以采用不透光的绝缘材料形成。

在本实用新型的以上实施例中，所述外延结构的材质可以选用本领域已知的III-V族半导体材料或其它半导体材料。例如，可以选用GaN、AlGaN、InGaN、GaAs、AlGaAs、AlGaInP、InP、InGaAsP等，且不限于此。并且，所述外延结构可以采用本领域已知的金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD))、分子束外延(MBE)等外延生长技术生长形成。

进一步的，所述外延结构中还可以包含成核层、缓冲层等本领域已知的其它结构层。

在本实用新型的以上实施例中，所述第一电极、第二电极可以选用本领域已知的各类导电性能良好的材料形成，例如ITO、Au、Ag、Al、Cu、Ni、Cr等或其合金，且不限于此。并且，所述第一电极、第二电极可以采用本领域已知的金属溅射、PECVD、电子束蒸镀(e-beam)等方式制作形成。

本实用新型实施例的另一个方面还提供了一种Micro-LED发光组件，其包括多个发光单元，其中至少一个发光单元具有所述的Micro-LED芯片结构。

在一些实施方式中，所述发光单元的径向尺寸在5μm以下。当然，所述发光单元的径向尺寸也可以大于5μm，例如被调整为数十微米乃至数百微米。但较为优选的可以控制在5μm以下。

在一些实施方式中，所述多个发光单元均具有所述的Micro-LED芯片结构。

在一些实施方式中，所述多个发光单元是集成设置的，例如以阵列形式设置。

进一步的，所述多个发光单元是在同一外延片上刻蚀加工形成，使得所述Micro-LED发光组件呈现为晶圆级器件。

在一些实施方式中，所述多个发光单元是彼此分立的。

进一步的，所述光学组件可以是应用于显示设备或光通信设备等的各类光学模组，且不限于此。

本实用新型实施例的另一个方面还提供了一种制备所述Micro-LED芯片结构的方法，包括在用于制作LED芯片的外延结构上分别制作第一电极、第二电极的步骤；所述外延结构包括在透光衬底上依次生长形成的第二半导体层、有源区和第一半导体层；

其中，所述制作第二电极的步骤包括：

将透光衬底减薄，并通过沉积掩膜层(如SiO₂)和光刻、干法或湿法刻蚀等工艺在透光衬底的选定区域刻蚀出图形沟道；

至少在所述图形沟道中沉积第二金属层，并利用所述第二金属层在透光衬底侧壁形成第二电极。

在一些实施方式中，所述制作第一电极的步骤包括：先在第一半导体层上沉积用于制作第一电极的第一金属层，之后进行制作第二电极的步骤，其后利用所述第一金属层制作形成第一电极。

在一些实施方式中，所述制作第二电极的步骤还包括：在所述透光衬底上设置与所述图形沟道对应的掩模，并使所述透光衬底的选定区域从掩模中暴露出，之后在所述选定区域刻蚀出所述图形沟道，并使所述图形沟道环绕余留的透光衬底设置。

其中，对于由半导体材料形成的透光衬底，还可以先利用所述掩模对透光衬底的选定区域进行重掺杂处理(依据透光衬底的导电类型而选择进行相应类型的重掺杂)，之后在所述选定区域刻蚀出所述图形沟道，且使所述图形沟道环绕余留的重掺杂区设置。如此，当在所述图形沟道内制作第二电极时，可以利用所述重掺杂区使第二电极与导电衬底侧壁形成更好的欧姆接触。

用于对所述选定区域进行n型或p型重掺杂处理的方式可以选用本领域已知的离子注入，等离子体处理、热扩散等方式，且不限于此。

在一些实施方式中，所述制作第二电极的步骤还包括：采用金属剥离工艺(metallift-off technology)来制作形成所述第二电极。

例如，可以经过涂覆光致抗蚀剂/光刻胶、并经过曝光、显影后，在透光衬底上形成具有所需图形的光致抗蚀剂膜(仅使与第二电极对应的区域暴露出)，并以该光致抗蚀剂膜作为掩模，带胶蒸镀所需的金属，然后在去除该掩膜的同时，把胶膜上的金属一起剥离，进而在透光衬底上形成第二电极。

或者，也可以先采用金属剥离工艺在所述图形沟道处沉积金属层，而后在制作绝缘隔离结构的过程中，将分布在与绝缘隔离结构对应区域处的金属层一并刻蚀去除，进而形成第二电极。

在一些实施方式中，所述的制备方法还包括：在所述图形沟道处对透光衬底、第二半导体层和有源区进行刻蚀，直至形成的刻蚀沟槽的槽底到达或进入第一半导体层，进而形成所述绝缘隔离结构。

进一步的，在透光衬底上对应于刻蚀沟槽的区域直接暴露在外时，可以直接自透光衬底进行刻蚀，直至形成所述的刻蚀沟槽。而在透光衬底上对应于刻蚀沟槽的区域上覆盖有用于形成第二电极的金属层时，可以在该区域依次对该金属层、透光衬底进行刻蚀，直至形成所述的刻蚀沟槽。

进一步的，还可以依照本领域已知的方式，利用光刻工艺及ALD(原子层沉积)、PECVD(等离子体增强化学气相沉积)或者两者结合等方式在所述刻蚀沟槽内填充氧化硅、氮化硅、氧化铝等绝缘介质，以形成所述绝缘隔离结构。

进一步的，若采用不透光的绝缘材料形成所述绝缘隔离结构，可以更好的避免各LED芯片之间的光串扰。

在一些实施方式中，所述的制备方法还包括：在形成所述第二电极后，对透光衬底进行进一步的减薄处理，直至使透光衬底的顶端高度低于第二电极的顶端高度，从而使所述第二电极形成为环绕透光衬底设置的光学挡墙结构。

进一步的，对透光衬底进行进一步减薄处理的方式包括干法、湿法刻蚀等，且不限于此。

在一些实施方式中，所述的制备方法还包括：在所述透光衬底上设置光转换结构。所述光转换结构的材质及设置方式如前文所述。

在一些实施方式中，所述外延结构包括在透光衬底上依次生长形成的第二半导体层、有源区、载流子阻挡层和第一半导体层。

其中，所述的衬底可以选用本领域已知的各类对有源区所发出的光不吸收的衬底，例如GaN、GaAs、InP衬底等，且不限于此。

本实用新型以上实施例提供的Micro-LED芯片结构制备方法与现有的半导体器件制程兼容，且可实现晶圆级微型发光二极管阵列芯片，且较之现有微型发光二极管制备工艺更为简单高效，成本更低、良品率更高，因此具有更好的应用前景。

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。需要说明的是，在如下实施例中，若非特别说明，则使用的各类试剂及各类加工、测试设备均是本领域已知的，并可以从市场途径获取，以及，其中采用的各种加工方法，例如光刻、干法或湿法刻蚀、金属剥离工艺、物理或化学沉积工艺等均可以依据本领域已知的方式实施。

实施例1：请参阅图1所示，本实施例提供的一种Micro-LED芯片结构包括外延结构，所述外延结构包括在透光衬底6(如GaN等)上依次生长形成的第二半导体层5(如GaN)、有源区4(如In_xGa_1-xN/GaN多量子阱，0<x<1)、电子阻挡层2(如Al_xGa_1-xN，0<x<1)和第一半导体层1(如GaN)。所述第一半导体层1及电子阻挡层2均是p型的(如采用Mg掺杂)，而透光衬底6、第二半导体层5是n型的(如采用Si掺杂)，所述有源区4采用多量子阱有源区(MQW)。其中，在电子阻挡层2与有源区4之间还可分布有一第三半导体层3(如Al_yGa_1-yN，0≦y≦1)，该第三半导体层3也是p型的，并可以是与第一半导体层1及电子阻挡层2一次外延生长形成。当然，该第三半导体层3也可以被省略。所述第一半导体层1、第二半导体层5分别与第一电极7、第二电极8形成欧姆接触。所述第二电极8环绕设置于透光衬底6周围，并与透光衬底6侧壁接触，形成欧姆接触。所述透光衬底6远离外延结构的一侧表面被设置为器件出光面。进一步的，所述透光衬底、第二半导体层及有源区周围还环绕设置有绝缘隔离结构9，所述绝缘隔离结构包括环绕透光衬底、第二半导体层及有源区设置的隔离槽，所述隔离槽的槽底到达或进入第一半导体层，在所述隔离槽内还可填充有二氧化硅等绝缘介质。利用该绝缘隔离结构，可以将该Micro-LED芯片结构与其它Micro-LED芯片结构电性隔离,同时在一定程度上也可以起到芯片之间光隔离的作用。其中，第一电极7也可以连续覆盖在第一半导体层1。

该Micro-LED芯片结构在使用时，由有源层产生的光线可以从透光衬底表面射出(如图中箭头所示)，因第二电极是环绕透光衬底设置，故而不会占用器件的有效出光面，从而可以增加该Micro-LED芯片结构的发光效率，并且还可在一定程度上阻挡光线的侧向传播，减少各Micro-LED芯片结构之间的光串扰。

一种制作所述Micro-LED芯片结构的方法包括如下步骤：

S1、在透光衬底6上依次外延生长第二半导体层5、有源区4、第三半导体层3、电子阻挡层2和第一半导体层1等，获得LED芯片的外延结构，如图2a所示；

S2、在该第一半导体层1上沉积用于制作第一电极7的第一金属层14，如图2b所示；

S3、将该外延结构翻转，并将透光衬底6减薄，再如图2c所示在透光衬底上设置掩模11(如二氧化硅等材质的，且不限于此)，并采用光刻工艺在该掩模中形成所需的图形，使透光衬底6的选定区域17露出，如图2d所示；

S4、继续采用光刻、刻蚀等工艺等对该透光衬底6的选定区域17进行刻蚀，以形成所需的图形沟道10，如图2e所示；

S5、在透光衬底6上涂敷光刻胶12，平面化，如图2f所示，并针对选定的区域进行图形化曝光显影，使得图形沟道10露出，再在透光衬底6及芯片表面的其它区域上蒸镀金属层13(如图2g所示)，剥离形成第二电极，如图2h所示；

S6、继续采用光刻、干法刻蚀等工艺等对外延结构进行加工，从而在各Micro-LED芯片结构之间形成绝缘隔离结构9，起到隔离和钝化芯片侧壁的作用，如图2i所示，该绝缘隔离结构中采用的绝缘介质材料可以是SiO₂等，并可以采用ALD、PECVD等方式制作形成，且不限于此；

S7、利用光刻、刻蚀等工艺对第一金属层14进行图形化处理，制成第一电极7，如图2j所示。优选的，第一电极7具有反射光特点。或者，也可以直接以第一金属层14作为第一电极7。

在本实施例中，也可以通过机械、激光划刻等方式将各Micro-LED芯片结构分离，使之形成为分立的发光单元。

实施例2：本实施例提供的一种Micro-LED芯片结构与实施例1基本相同，区别在于：请参阅图3所示，其中第二电极的顶端高度高于透光衬底6的顶端高度，从而形成环绕透光衬底6设置的光学挡墙结构15。优选的，所述光学挡墙结构的内环面可以设置为镜面结构。如此，不仅可以杜绝第二电极占用有效出光面带来的光效损失问题，而且还可以利用第二电极起到光反射的作用，从而进一步提高该Micro-LED芯片结构的光提取效率和亮度，增加正向出光，同时更好的减少乃至消除各Micro-LED芯片结构之间的光串扰。应用于显示时可以避免色坐标偏移，提高显示色纯度。

本实施例的Micro-LED芯片结构的制备工艺与实施例1也基本相同，区别在于还包括：

S8、继续采用光刻、湿法或干法刻蚀等工艺等对透光衬底6进行加工，使其减薄(亦即，使其顶端高度降低)，直至使第二电极的顶端与透光衬底6的顶端形成一定的高度差，进而使第二电极形成所述的光学挡墙结构。

实施例3：本实施例提供的一种Micro-LED芯片结构与实施例2基本相同，且为深紫外光芯片，区别在于：请参阅4所示，在透光衬底6上还覆设有量子点光转换材料层16。

特别是，可以在相邻Micro-LED芯片结构的透光衬底6上间隔覆设红色、绿色、蓝色量子点光转换材料层，由此实现全彩显示。本实施例的优势至少在于：无需巨量芯片转移，与红、绿、蓝三色微型发光二极管全彩显示技术相比，可以节约成本。

相应的，本实施例的Micro-LED芯片结构的制备工艺与实施例2也基本相同，区别在于还包括：

S9、在透光衬底6上涂覆红色、绿色或蓝色量子点光转换材料层。

以上实施例1-3所提供的Micro-LED芯片结构还可以作为发光单元与相应驱动模块组配形成光学模组，所述光学模组可以应用于显示设备、光通信设备等，且不限于此。所述驱动模块可以选自本领域已知的多种类型的驱动模块，例如CMOS驱动模块等，且不限于此。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅是本实用新型的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种Micro-LED芯片结构，其特征在于：所述Micro-LED芯片结构包括外延结构，所述外延结构包括依次设置在透光衬底(6)上的第二半导体层(5)、有源区(4)和第一半导体层(1)，所述第一半导体层(1)、第二半导体层(5)分别与第一电极(7)、第二电极(8)配合，所述第二电极(8)分布于透光衬底(6)周围，并与透光衬底(6)的侧壁接触。

2.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片结构，其特征在于：所述透光衬底(6)远离第二半导体层(5)的一侧表面为出光面。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的Micro-LED芯片结构，其特征在于：所述第二电极(8)环绕透光衬底(6)设置形成光学挡墙结构(15)。

4.根据权利要求1-2中任一项所述的Micro-LED芯片结构，其特征在于：所述第一电极(7)、第二电极(8)分别与第一半导体层(1)、第二半导体层(5)形成欧姆接触；和/或，所述透光衬底是导电的，所述第二电极(8)与透光衬底(6)的侧壁形成电性接触；和/或，所述透光衬底与第二半导体层具有相同导电类型。

5.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片结构，其特征在于：所述第一电极(7)设置在第一半导体层(1)远离有源区(4)的一侧表面上；和/或，所述第一半导体层(1)与有源区(4)之间还设置有载流子阻挡层(2)；和/或，所述有源区(4)包括多量子阱有源区。

6.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片结构，其特征在于：所述Micro-LED芯片结构还包括光转换结构，所述光转换结构设置在透光衬底(6)上。

7.根据权利要求6所述的Micro-LED芯片结构，其特征在于：所述光转换结构包括覆设在透光衬底(6)上的量子点光转换材料层(16)。

8.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片结构，其特征在于：所述Micro-LED芯片结构还包括绝缘隔离结构(9)，所述绝缘隔离结构(9)至少环绕透光衬底(6)、第二半导体层(5)及有源区(4)设置。

9.一种Micro-LED发光组件，其特征在于：所述Micro-LED发光组件包括多个发光单元，其中至少一个发光单元具有权利要求1-8中任一项所述的Micro-LED芯片结构。

10.根据权利要求9所述的Micro-LED发光组件，其特征在于：所述发光单元的径向尺寸在5μm以下。

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