CN212750870U - 一种带镀镍结构的igbt功率模块的封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种带镀镍结构的IGBT功率模块的封装结构，包括覆铜陶瓷基板、安装在覆铜陶瓷基板上的半导体芯片、与半导体芯片连接的功率电极、控制电极，所述功率电极、控制电极上设置有镀镍层，所述覆铜陶瓷基板底部连接有散热铝板，所述覆铜陶瓷基板、半导体芯片、功率电极、控制电极、散热铝板外部设置有绝缘封装结构，所述绝缘封装结构底部设置有若干呈锥形结构设置的若干排散热孔，同一排所述散热孔通过横向散热孔连通，可以大大提高散热效率，通过横向散热孔吹入的风容易在锥形散热孔内贴壁旋流，可以提高散热效率，通过横向散热孔将锥形的散热孔连通有利于更进一步的进行通风，进一步的提高散热效率，使用效果更好。
Description
技术领域
本实用新型涉及结构件技术领域，具体涉及一种带镀镍结构的IGBT功率模块的封装结构。
背景技术
绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有通态压降低、电流容量大、输入阻抗高、响应速度快和控制简单的特点，被广泛用于工业、信息、新能源、医学、交通、军事和航空领域。IGBT在生产时通常需要采用封装结构，但是现有的IGBT功率模块的封装结构大都散热效果不好，会影响半导体芯片的使用寿命。
实用新型内容
为全面解决上述问题，尤其是针对现有技术所存在的不足，本实用新型提供了一种带镀镍结构的IGBT功率模块的封装结构能够全面解决上述问题。
为实现上述目的，本实用新型采用以下技术手段：
一种带镀镍结构的IGBT功率模块的封装结构，包括覆铜陶瓷基板、安装在覆铜陶瓷基板上的半导体芯片、与半导体芯片连接的功率电极、控制电极，所述功率电极、控制电极上设置有镀镍层，所述覆铜陶瓷基板底部连接有散热铝板，所述覆铜陶瓷基板、半导体芯片、功率电极、控制电极、散热铝板外部设置有绝缘封装结构，所述绝缘封装结构底部设置有若干呈锥形结构设置的若干排散热孔，同一排所述散热孔通过横向散热孔连通。
进一步的，所述绝缘封装结构材质为环氧树脂。
上述的有益效果在于，绝缘性好，使用效果好。
进一步的，所述功率电极、控制电极设置在覆铜陶瓷基板对应的两端。
上述的有益效果在于，两极距离较远，减少了互相干扰。
进一步的，所述散热铝板的底部设置有若干散热翅片，所述散热翅片与散热孔错开布置。
上述的有益效果在于，有利于更好的进行散热，提高散热效率。
进一步的，覆铜陶瓷基板、散热铝板上对应设置有连接孔，通过镀镍铆钉固定。
上述的有益效果在于，有利于更好的固定覆铜陶瓷基板和散热铝板。
本实用新型的有益效果：本实用新型结构简单，设置有散热铝板可以大大提高散热效率，而且封装结构上设置有锥形的散热孔一是通过横向散热孔吹入的风容易在锥形散热孔内贴壁旋流，可以提高散热效率，二是锥形孔结构不容易变形，通过横向散热孔将锥形的散热孔连通有利于更进一步的进行通风，进一步的提高散热效率，使用效果更好。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图；
图2是本实用新型的封装结构的底面布置示意图；
图3是本实用新型的散热铝板的底面布置示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
如图1至图3所示，本实用新型提供一种带镀镍结构的IGBT功率模块的封装结构，包括覆铜陶瓷基板1、安装在覆铜陶瓷基板1上的半导体芯片2、与半导体芯片2连接的功率电极3、控制电极4，所述功率电极3、控制电极4上设置有镀镍层5，所述覆铜陶瓷基板1底部连接有散热铝板6，所述覆铜陶瓷基板1、半导体芯片2、功率电极3、控制电极4、散热铝板6外部设置有绝缘封装结构7，所述绝缘封装结构7底部设置有若干呈锥形结构设置的若干排散热孔8，同一排所述散热孔8通过横向散热孔9连通，所述绝缘封装结构7材质为环氧树脂，绝缘性好，使用效果好。
所述功率电极3、控制电极4设置在覆铜陶瓷基板1对应的两端，两极距离较远，减少了互相干扰。
所述散热铝板6的底部设置有若干散热翅片10，所述散热翅片10与散热孔8错开布置，有利于更好的进行散热，提高散热效率。
覆铜陶瓷基板1、散热铝板6上对应设置有连接孔601，通过镀镍铆钉602固定，有利于更好的固定覆铜陶瓷基板和散热铝板6。
本实例结构简单，设置有散热铝板可以大大提高散热效率，而且封装结构上设置有锥形的散热孔一是通过横向散热孔吹入的风容易在锥形散热孔内贴壁旋流，可以提高散热效率，二是锥形孔结构不容易变形，通过横向散热孔将锥形的散热孔连通有利于更进一步的进行通风，进一步的提高散热效率，使用效果更好。
本实用新型所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举，而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围中。
Claims (5)
1.一种带镀镍结构的IGBT功率模块的封装结构，其特征在于，包括覆铜陶瓷基板(1)、安装在覆铜陶瓷基板(1)上的半导体芯片(2)、与半导体芯片(2)连接的功率电极(3)、控制电极(4)，所述功率电极(3)、控制电极(4)上设置有镀镍层(5)，所述覆铜陶瓷基板(1)底部连接有散热铝板(6)，所述覆铜陶瓷基板(1)、半导体芯片(2)、功率电极(3)、控制电极(4)、散热铝板(6)外部设置有绝缘封装结构(7)，所述绝缘封装结构(7)底部设置有若干呈锥形结构设置的若干排散热孔(8)，同一排所述散热孔(8)通过横向散热孔(9)连通。
2.根据权利要求1所述的一种带镀镍结构的IGBT功率模块的封装结构，其特征在于，所述绝缘封装结构(7)材质为环氧树脂。
3.根据权利要求1所述的一种带镀镍结构的IGBT功率模块的封装结构，其特征在于，所述功率电极(3)、控制电极(4)设置在覆铜陶瓷基板(1)对应的两端。
4.根据权利要求1所述的一种带镀镍结构的IGBT功率模块的封装结构，其特征在于，所述散热铝板(6)的底部设置有若干散热翅片(10)，所述散热翅片(10)与散热孔(8)错开布置。
5.根据权利要求1所述的一种带镀镍结构的IGBT功率模块的封装结构，其特征在于，所述覆铜陶瓷基板(1)、散热铝板(6)上对应设置有连接孔(601)，通过镀镍铆钉(602)固定。
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2020
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