CN212303860U - 一种中心导体组件及环形器和隔离器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种中心导体组件及环形器和隔离器，其中，中心导体组件，包括：依次布设并通过高频熔接工艺相熔接固定的上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体，中心结导体位于上旋磁铁氧体和下旋磁铁氧体的中心位置，上旋磁铁氧体和下旋磁铁氧体相对齐；中心结导体包括若干间隔布设的第一谐振体和第二谐振体，第一谐振体上连接有延伸出所述下旋磁铁氧体的连接引脚，连接引脚上设有连接孔。由于上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体由高频熔接工艺相熔接固定，因此在进行装配时中心结导体与上旋磁铁氧体、下旋磁铁氧体之间不会发生相对移动，从而提高了上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体的一致性，保证环形器和隔离器的产品性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及通讯配件技术领域，特别涉及一种中心导体组件及环形器和隔离器。
背景技术
目前微波与射频通讯器件的环行器和隔离器领域，在量产过程中，需要由人工去进行组装，组装一致性差，生产效率低且成本较高，随着5G产品小型化和高性能发展趋势，以往的指标远远不能满足当今要求。旋磁铁氧体与中心结导体是环形器和隔离器中的重要部件，旋磁铁氧体与中心结导体通过胶粘的方式相连接，在胶粘的过程中操作人员易使中心结导体发生偏移，导致旋磁铁氧体与中心结导体的一致性较差，影响产品的性能。
实用新型内容
为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种中心导体组件及环形器和隔离器，具有提高旋磁铁氧体与中心结导体的一致性的优点。
为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：
一种中心导体组件，包括：由上至下依次布设并通过高频熔接工艺相熔接固定的上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体，所述中心结导体位于所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体的中心位置，所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体相对齐；所述中心结导体包括若干间隔布设的第一谐振体和第二谐振体，所述第一谐振体上连接有延伸出所述下旋磁铁氧体的连接引脚，所述连接引脚上设有连接孔。
实现上述技术方案，由于上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体由高频熔接工艺相熔接固定，因此在进行装配时中心结导体与上旋磁铁氧体、下旋磁铁氧体之间不会发生相对移动，从而提高了上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体的一致性，保证环形器和隔离器的产品性能；进行熔接时，首先将中心结导体置于下旋磁铁氧体的中心位置，再通过高频熔接工艺将第一谐振体和第二谐振体熔接固定在下旋磁铁氧体上，此时中心结导体整体均匀的嵌入在下旋磁铁氧体上，而不会存在缝隙、裂痕和碎屑等缺陷，随后再将上旋磁铁氧体压扣在中心结导体上，并与下旋磁铁氧体保持对齐一致，再通过高频焊接工艺将中心结导体与上旋磁铁氧体焊接固定，从实现上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体的熔接固定。
作为本实用新型的一种优选方案，所述第一谐振体的两侧还设有谐振扩展片。
实现上述技术方案，通过谐振扩展片提高了第一谐振体的性能。
作为本实用新型的一种优选方案，所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体的直径为4-30mm、厚度为0.4-1.5mm。
作为本实用新型的一种优选方案，所述中心结导体的厚度为0.1-0.3mm。
作为本实用新型的一种优选方案，所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体上设有镀银层。
另一方面，本实用新型还提供一种环形器和隔离器，包括：
封装壳，所述封装壳上设有至少两个间隔设置的锁合槽，所述封装壳的端口处设有内螺纹；
设置在所述封装壳底部设有定位连接体，所述定位连接体上设有与所述锁合槽相对应的连接凸块，所述连接凸块嵌入所述锁合槽并延伸至所述封装壳外，所述连接凸块上穿插有接地针；
如上述任一技术方案所述的中心导体组件，所述接地针插入所述连接孔内；以及，
设置在所述封装壳内腔的封装盖，所述封装盖的外周壁上设有与所述内螺纹相配合的外螺纹，且所述封装盖上开设有操作孔。
实现上述技术方案，
作为本实用新型的一种优选方案，所述封装壳的壁厚为0.5-1.2mm。
作为本实用新型的一种优选方案，所述封装壳由碳钢制成。
作为本实用新型的一种优选方案，所述封装盖的厚度为0.8-1.5mm。
作为本实用新型的一种优选方案，所述封装盖由磁性不锈钢制成。
综上所述，本实用新型具有如下有益效果：
本实用新型实施例通过提供一种中心导体组件及环形器和隔离器，其中，中心导体组件，包括：由上至下依次布设并通过高频熔接工艺相熔接固定的上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体，所述中心结导体位于所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体的中心位置，所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体相对齐；所述中心结导体包括若干间隔布设的第一谐振体和第二谐振体，所述第一谐振体上连接有延伸出所述下旋磁铁氧体的连接引脚，所述连接引脚上设有连接孔。由于上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体由高频熔接工艺相熔接固定，因此在进行装配时中心结导体与上旋磁铁氧体、下旋磁铁氧体之间不会发生相对移动，从而提高了上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体的一致性，保证环形器和隔离器的产品性能。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例一的结构示意图。
图2为本实用新型实施例一的爆炸示意图。
图3为本实用新型实施例二的结构示意图。
图中数字和字母所表示的相应部件名称：
1、中心导体组件；11、上旋磁铁氧体；12、中心结导体；121、第一谐振体；122、第二谐振体；123、连接引脚；124、连接孔；125、谐振扩展片；13、下旋磁铁氧体；2、封装壳；21、锁合槽；22、内螺纹；3、定位连接体；31、连接凸块；32、接地针；4、封装盖；41、外螺纹；42、操作孔。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
实施例一
一种中心导体组件1，如图1和图2所示，包括：由上至下依次布设并通过高频熔接工艺相熔接固定的上旋磁铁氧体11、中心结导体12和下旋磁铁氧体13，中心结导体12位于上旋磁铁氧体11和下旋磁铁氧体13 的中心位置，上旋磁铁氧体11和下旋磁铁氧体13相对齐；中心结导体12 包括若干间隔布设的第一谐振体121和第二谐振体122，第一谐振体121上连接有延伸出下旋磁铁氧体13的连接引脚123，连接引脚123上设有连接孔124。
具体的，本实施例中第一谐振体121和第二谐振体122均设置有三组，三组第一谐振体121和第二谐振体122均匀布置，在第一谐振体121的两侧还设有谐振扩展片125，通过谐振扩展片125提高了第一谐振体121的性能。上旋磁铁氧体11和下旋磁铁氧体13采用存铁氧体或者陶瓷环铁氧体，在微波射频电路中起到旋磁的作用，产生磁激励，上旋磁铁氧体11和下旋磁铁氧体13的直径为4-30mm、厚度为0.4-1.5mm，且在上旋磁铁氧体 11和下旋磁铁氧体13上设有镀银层。
中心结导体12主要起到传输信号及发射射频功率的作用，中心结导体 12选用铍铜材料或者其他铜系材料制成，且在在中心结导体12上也设有镀银层，中心结导体12的厚度为0.1-0.3mm。
由于上旋磁铁氧体11、中心结导体12和下旋磁铁氧体13由高频熔接工艺相熔接固定，因此在进行装配时中心结导体12与上旋磁铁氧体11、下旋磁铁氧体13之间不会发生相对移动，从而提高了上旋磁铁氧体11、中心结导体12和下旋磁铁氧体13的一致性，保证环形器和隔离器的产品性能；进行熔接时，首先将中心结导体12置于下旋磁铁氧体13的中心位置，再通过高频熔接工艺将第一谐振体121和第二谐振体122熔接固定在下旋磁铁氧体13上，此时中心结导体12整体均匀的嵌入在下旋磁铁氧体 13上，而不会存在缝隙、裂痕和碎屑等缺陷，随后再将上旋磁铁氧体11 压扣在中心结导体12上，并与下旋磁铁氧体13保持对齐一致，再通过高频焊接工艺将中心结导体12与上旋磁铁氧体11焊接固定，从实现上旋磁铁氧体11、中心结导体12和下旋磁铁氧体13的熔接固定。
实施例二
一种环形器和隔离器，如图3所示，包括：封装壳2，封装壳2上设有至少两个间隔设置的锁合槽21，封装壳2的端口处设有内螺纹22；设置在封装壳2底部设有定位连接体3，定位连接体3上设有与锁合槽21相对应的连接凸块31，连接凸块31嵌入锁合槽21并延伸至封装壳2外，连接凸块31上穿插有接地针32；如实施例一中所述的中心导体组件1，接地针 32插入连接孔124内；以及，设置在封装壳2内腔的封装盖4，封装盖4 的外周壁上设有与内螺纹22相配合的外螺纹41，且封装盖4上开设有操作孔42。
具体的，壳瓣设置有三个且均匀分布从而形成三瓣形，相应的三个壳瓣之间形成有三个锁合槽21，封装壳2的壁厚为0.5-1.2mm，本实施例中封装壳2的厚度设置为0.8mm，封装壳2由碳钢制成。
封装盖4的厚度为0.8-1.5mm，本实施例中封装盖4的厚度为1.2mm，且封装盖4可由磁性不锈钢制成，本实施例中操作孔42设置有两个，以方便利用工具进行旋拧，在一些实施例中，还可以将操作孔42设置为方形、半圆形等方便旋拧封装盖4的孔形。
由于上旋磁铁氧体11、中心结导体12和下旋磁铁氧体13由高频熔接工艺相熔接固定，一致性高，提高了产品性能；装配时，将中心导体组件 1装入封装壳2内，使得接地针32插入连接孔124内，再将封装盖4旋拧至封装壳2内，直至将中心导体组件1压紧固定。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种中心导体组件，其特征在于，包括：由上至下依次布设并通过高频熔接工艺相熔接固定的上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体，所述中心结导体位于所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体的中心位置，所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体相对齐；所述中心结导体包括若干间隔布设的第一谐振体和第二谐振体，所述第一谐振体上连接有延伸出所述下旋磁铁氧体的连接引脚，所述连接引脚上设有连接孔。
2.根据权利要求1所述的中心导体组件，其特征在于，所述第一谐振体的两侧还设有谐振扩展片。
3.根据权利要求1或2所述的中心导体组件，其特征在于，所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体的直径为4-30mm、厚度为0.4-1.5mm。
4.根据权利要求3所述的中心导体组件，其特征在于，所述中心结导体的厚度为0.1-0.3mm。
5.根据权利要求3所述的中心导体组件，其特征在于，所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体上设有镀银层。
6.一种环形器和隔离器，其特征在于，包括：
封装壳，所述封装壳上设有至少两个间隔设置的锁合槽，所述封装壳的端口处设有内螺纹；
设置在所述封装壳底部设有定位连接体，所述定位连接体上设有与所述锁合槽相对应的连接凸块，所述连接凸块嵌入所述锁合槽并延伸至所述封装壳外，所述连接凸块上穿插有接地针；
如权利要求1-5中任一项所述的中心导体组件，所述接地针插入所述连接孔内；以及，
设置在所述封装壳内腔的封装盖，所述封装盖的外周壁上设有与所述内螺纹相配合的外螺纹，且所述封装盖上开设有操作孔。
7.根据权利要求6所述的环形器和隔离器，其特征在于，所述封装壳的壁厚为0.5-1.2mm。
8.根据权利要求6所述的环形器和隔离器，其特征在于，所述封装壳由碳钢制成。
9.根据权利要求6所述的环形器和隔离器，其特征在于，所述封装盖的厚度为0.8-1.5mm。
10.根据权利要求6所述的环形器和隔离器，其特征在于，所述封装盖由磁性不锈钢制成。
Priority Applications (1)
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| CN202020548356.XU CN212303860U (zh) | 2020-04-14 | 2020-04-14 | 一种中心导体组件及环形器和隔离器 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111403877A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-07-10 | 苏州威洁通讯科技有限公司 | 一种中心导体组件及环形器和隔离器 |
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2020
- 2020-04-14 CN CN202020548356.XU patent/CN212303860U/zh active Active
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