CN210894988U - 一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及混合搅拌的技术领域，特别是涉及一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，其可以使原料再次进行混合搅拌，提高成品质量，提高实用性；包括第一混合搅拌外壳、支撑架、底座、入口、第一混合搅拌电机、第一减速器、转动轴、混合搅拌桨叶、第一漏管和第一阀门，第一混合搅拌外壳内部设置有内腔，第一混合搅拌外壳的底端设置有支撑架，支撑架的底端设置有底座，入口连通安装在第一混合搅拌外壳上，第一混合搅拌电机安装在第一混合搅拌外壳顶端，第一减速器安装在第一混合搅拌外壳顶端，并且第一混合搅拌电机的输出端与第一减速器的输入端连接，转动轴安装在第一混合搅拌外壳内部，转动轴上设置有混合搅拌桨叶。

Description

一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备

技术领域

本实用新型涉及混合搅拌的技术领域，特别是涉及一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备。

背景技术

众所周知，半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备是一种用于混合搅拌原料的辅助装置，其在混合搅拌的领域中得到了广泛的使用；现有的半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备包括第一混合搅拌外壳、支撑架、底座、入口、第一混合搅拌电机、第一减速器、转动轴、混合搅拌桨叶、第一漏管和第一阀门，第一混合搅拌外壳内部设置有内腔，第一混合搅拌外壳的底端设置有支撑架，支撑架的底端设置有底座，入口连通安装在第一混合搅拌外壳上，第一混合搅拌电机安装在第一混合搅拌外壳顶端，第一减速器安装在第一混合搅拌外壳顶端，并且第一混合搅拌电机的输出端与第一减速器的输入端连接，转动轴安装在第一混合搅拌外壳内部，转动轴上设置有混合搅拌桨叶，转动轴穿过第一混合搅拌外壳顶端与第一减速器的输出端连接，第一漏管连通安装在第一混合搅拌外壳底端，第一漏管上安装有第一阀门；现有的半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备使用时，首先将需要混合搅拌的原料通过入口输送至第一混合搅拌外壳内部，然后启动第一混合搅拌电机，第一混合搅拌电机通过第一减速器对转动轴和混合搅拌桨叶进行转动，转动的转动轴和混合搅拌桨叶对第一混合搅拌外壳内部的原料进行混合搅拌，搅拌完成后，打开第一阀门，原料从第一漏管流出后进行收集即可；现有的半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备使用中发现，因只设置了一个混合搅拌设备，导致有的原料混合搅拌不均匀，导致成品质量较低，实用性较差。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种可以使原料再次进行混合搅拌，从而提高成品质量，提高了实用性的半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备。

本实用新型的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，包括第一混合搅拌外壳、支撑架、底座、入口、第一混合搅拌电机、第一减速器、转动轴、混合搅拌桨叶、第一漏管和第一阀门，第一混合搅拌外壳内部设置有内腔，第一混合搅拌外壳的底端设置有支撑架，支撑架的底端设置有底座，入口连通安装在第一混合搅拌外壳上，第一混合搅拌电机安装在第一混合搅拌外壳顶端，第一减速器安装在第一混合搅拌外壳顶端，并且第一混合搅拌电机的输出端与第一减速器的输入端连接，转动轴安装在第一混合搅拌外壳内部，转动轴上设置有混合搅拌桨叶，转动轴穿过第一混合搅拌外壳顶端与第一减速器的输出端连接，第一漏管连通安装在第一混合搅拌外壳底端，第一漏管上安装有第一阀门；还包括第二混合搅拌外壳、第二混合搅拌电机、第二减速器、混合搅拌桨、出料口和出料口阀门，第二混合搅拌外壳的内部设置有内腔，并且第二混合搅拌外壳与第一漏管连通，第二混合搅拌电机安装在第二混合搅拌外壳的左侧，第二减速器安装在第二混合搅拌外壳的左侧，第二混合搅拌电机的输出端与第二减速器的输入端连接，混合搅拌桨安装在第二混合搅拌外壳内部，并且混合搅拌桨穿过第二混合搅拌外壳的左侧与第二减速器的输出端连接，出料口连通安装在第二混合搅拌外壳的右侧，出料口上安装有出料口阀门。

本实用新型的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，还包括喷洒管，喷洒管安装在第一混合搅拌外壳内部。

本实用新型的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，还包括第二漏管、第二漏管阀门、蓄水箱、抽水泵和输送管道，第二混合搅拌外壳底端连通设置有第二漏管，第二漏管上安装有第二漏管阀门，蓄水箱内部设置有内腔，并且蓄水箱连通安装在第二漏管底端，抽水泵安装在蓄水箱的左侧，并且抽水泵的软管穿过蓄水箱的左侧与内部连接，输送管道安装在抽水泵的顶端，输送管道与喷洒管连通。

本实用新型的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，还包括水位计量器，水位计量器安装在蓄水箱的右端。

本实用新型的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，还包括入口盖子，入口盖子盖装在入口上。

本实用新型的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，还包括观察口，观察口安装在第一混合搅拌外壳上，观察口上设置有卡槽并且安装有玻璃板。

本实用新型的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，还包括观察口卡簧，观察口卡簧安装在观察口的右端。

本实用新型的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，还包括整体内部喷有防腐蚀表层。

与现有技术相比本实用新型的有益效果为：通过安装第二混合搅拌外壳、第二混合搅拌电机、第二减速器、混合搅拌桨、出料口和出料口阀门，可以使原料再次进行混合搅拌，从而提高成品质量，提高了实用性。

附图说明

图1是本实用新型的正视结构示意图；

图2是本实用新型的剖面结构示意图；

图3是本实用新型的左视结构示意图；

图4是本实用新型的轴测结构示意图；

附图中标记：1、第一混合搅拌外壳；2、支撑架；3、底座；4、入口；5、第一混合搅拌电机；6、第一减速器；7、转动轴；8、混合搅拌浆叶；9、第一漏管；10、第一阀门；11、第二混合搅拌外壳；12、第二混合搅拌电机；13、第二减速器；14、混合搅拌桨；15、出料口；16、出料口阀门；17、第二漏管；18、第二漏管阀门；19、蓄水箱；20、抽水泵；21、输送管道；22、喷洒管；23、水位计量器；24、入口盖子；25、观察口；26、观察口卡簧。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。

如图1至图4所示，本实用新型的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，包括第一混合搅拌外壳1、支撑架2、底座3、入口4、第一混合搅拌电机5、第一减速器6、转动轴7、混合搅拌桨叶8、第一漏管9和第一阀门10，第一混合搅拌外壳1内部设置有内腔，第一混合搅拌外壳1的底端设置有支撑架2，支撑架2的底端设置有底座3，入口4连通安装在第一混合搅拌外壳1上，第一混合搅拌电机5安装在第一混合搅拌外壳1顶端，第一减速器6安装在第一混合搅拌外壳1顶端，并且第一混合搅拌电机5的输出端与第一减速器6的输入端连接，转动轴7安装在第一混合搅拌外壳1内部，转动轴7上设置有混合搅拌桨叶8，转动轴7穿过第一混合搅拌外壳1顶端与第一减速器6的输出端连接，第一漏管9连通安装在第一混合搅拌外壳1底端，第一漏管9上安装有第一阀门10；还包括第二混合搅拌外壳11、第二混合搅拌电机12、第二减速器13、混合搅拌桨14、出料口15和出料口阀门16，第二混合搅拌外壳11的内部设置有内腔，并且第二混合搅拌外壳11与第一漏管9连通，第二混合搅拌电机12安装在第二混合搅拌外壳11的左侧，第二减速器13安装在第二混合搅拌外壳11的左侧，第二混合搅拌电机12的输出端与第二减速器13的输入端连接，混合搅拌桨14安装在第二混合搅拌外壳11内部，并且混合搅拌桨14穿过第二混合搅拌外壳11的左侧与第二减速器13的输出端连接，出料口15连通安装在第二混合搅拌外壳11的右侧，出料口15上安装有出料口阀门16；通过安装第二混合搅拌外壳11、第二混合搅拌电机12、第二减速器13、混合搅拌桨14、出料口15和出料口阀门16，可以使原料再次进行混合搅拌，从而提高成品质量，提高了实用性。

本实用新型的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，还包括喷洒管22，喷洒管22安装在第一混合搅拌外壳1内部；喷洒管22通过与外界装置配合使用可以对第一混合搅拌外壳1和第二混合搅拌外壳11内部残留的杂质进行清理，提高了实用性。

本实用新型的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，还包括第二漏管17、第二漏管阀门18、蓄水箱19、抽水泵20和输送管道21，第二混合搅拌外壳11底端连通设置有第二漏管17，第二漏管17上安装有第二漏管阀门18，蓄水箱19内部设置有内腔，并且蓄水箱19连通安装在第二漏管17底端，抽水泵20安装在蓄水箱19的左侧，并且抽水泵20的软管穿过蓄水箱19的左侧与内部连接，输送管道21安装在抽水泵20的顶端，输送管道21与喷洒管22连通；通过安装第二漏管17、第二漏管阀门18、蓄水箱19、抽水泵20和输送管道21，可以对使用完成的水进行水循环，减少了水资源的浪费，提高了环保实用性。

本实用新型的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，还包括水位计量器23，水位计量器23安装在蓄水箱19的右端；通过安装水位计量器23可以对蓄水箱19内部的水位进行观察哦，提高了便利性。

本实用新型的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，还包括入口盖子24，入口盖子24盖装在入口4上；通过在入口4上盖装入口盖子24，可以减少第一混合搅拌外壳1内部工作时异物从入口4进入至第一混合搅拌外壳1内部，提高了实用性。

本实用新型的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，还包括观察口25，观察口25安装在第一混合搅拌外壳1上，观察口25上设置有卡槽并且安装有玻璃板；通过安装观察口25可以对第一混合搅拌外壳1内部的工作状况进行观察，减少了返工的情况发生，提高了便利性。

本实用新型的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，还包括观察口卡簧26，观察口卡簧26安装在观察口25的右端；通过安装观察口卡簧26可以使观察口25上的玻璃板损坏时进行更换，提高了便利性。

本实用新型的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，还包括整体内部喷有防腐蚀表层；通过在内部喷防腐蚀表层，减少了原料内部含有的腐蚀成分对整体的损坏，提高了实用性。

本实用新型的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，其在工作时，首先将需要混合搅拌的原料通过入口4输送至第一混合搅拌外壳1内部，然后启动第一混合搅拌电机5，第一混合搅拌电机5通过第一减速器6对转动轴7和混合搅拌桨叶8进行转动，转动的转动轴7和混合搅拌桨叶8对第一混合搅拌外壳1内部的原料进行混合搅拌，搅拌完成后，打开第一阀门10，原料从第一漏管9流入至第二混合搅拌外壳11内部，之偶后启动第二混合搅拌电机12，第二混合搅拌电机12通过第二减速器13带动混合搅拌桨14对第二混合搅拌外壳11内部的原料进行第二次混合搅拌，然后打开出料口阀门16，原料通过出料口15输送至外界，然后进行收集，第一混合搅拌外壳1和第二混合搅拌外壳11内部残留的杂质过多时，启动抽水泵20，抽水泵20对蓄水箱19内部的水分进行抽取，然后抽水泵20通过输送管道21输送至喷洒管22，喷洒管22对第一混合搅拌外壳1和第二混合搅拌外壳11内部的杂质进行冲洗，然后打开第一阀门10和第二漏管阀门18，关闭出料口阀门16，水分通过第一漏管9和第二漏管17流入到蓄水箱19内部，冲洗完成后水分若是污浊严重，关闭第二漏管阀门18，之后打开出料口阀门16，水分从出料口15排出，可以通过入口4对蓄水箱19内部进行灌水通过即可。

本实用新型的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，其安装方式、连接方式或设置方式均为常见机械方式，只要能够达成其有益效果的均可进行实施。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (8)

1.一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，包括第一混合搅拌外壳(1)、支撑架(2)、底座(3)、入口(4)、第一混合搅拌电机(5)、第一减速器(6)、转动轴(7)、混合搅拌桨叶(8)、第一漏管(9)和第一阀门(10)，第一混合搅拌外壳(1)内部设置有内腔，第一混合搅拌外壳(1)的底端设置有支撑架(2)，支撑架(2)的底端设置有底座(3)，入口(4)连通安装在第一混合搅拌外壳(1)上，第一混合搅拌电机(5)安装在第一混合搅拌外壳(1)顶端，第一减速器(6)安装在第一混合搅拌外壳(1)顶端，并且第一混合搅拌电机(5)的输出端与第一减速器(6)的输入端连接，转动轴(7)安装在第一混合搅拌外壳(1)内部，转动轴(7)上设置有混合搅拌桨叶(8)，转动轴(7)穿过第一混合搅拌外壳(1)顶端与第一减速器(6)的输出端连接，第一漏管(9)连通安装在第一混合搅拌外壳(1)底端，第一漏管(9)上安装有第一阀门(10)；其特征在于，还包括第二混合搅拌外壳(11)、第二混合搅拌电机(12)、第二减速器(13)、混合搅拌桨(14)、出料口(15)和出料口阀门(16)，第二混合搅拌外壳(11)的内部设置有内腔，并且第二混合搅拌外壳(11)与第一漏管(9)连通，第二混合搅拌电机(12)安装在第二混合搅拌外壳(11)的左侧，第二减速器(13)安装在第二混合搅拌外壳(11)的左侧，第二混合搅拌电机(12)的输出端与第二减速器(13)的输入端连接，混合搅拌桨(14)安装在第二混合搅拌外壳(11)内部，并且混合搅拌桨(14)穿过第二混合搅拌外壳(11)的左侧与第二减速器(13)的输出端连接，出料口(15)连通安装在第二混合搅拌外壳(11)的右侧，出料口(15)上安装有出料口阀门(16)。

2.如权利要求1所述的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，其特征在于，还包括喷洒管(22)，喷洒管(22)安装在第一混合搅拌外壳(1)内部。

3.如权利要求2所述的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，其特征在于，还包括第二漏管(17)、第二漏管阀门(18)、蓄水箱(19)、抽水泵(20)和输送管道(21)，第二混合搅拌外壳(11)底端连通设置有第二漏管(17)，第二漏管(17)上安装有第二漏管阀门(18)，蓄水箱(19)内部设置有内腔，并且蓄水箱(19)连通安装在第二漏管(17)底端，抽水泵(20)安装在蓄水箱(19)的左侧，并且抽水泵(20)的软管穿过蓄水箱(19)的左侧与内部连接，输送管道(21)安装在抽水泵(20)的顶端，输送管道(21)与喷洒管(22)连通。

4.如权利要求3所述的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，其特征在于，还包括水位计量器(23)，水位计量器(23)安装在蓄水箱(19)的右端。

5.如权利要求4所述的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，其特征在于，还包括入口盖子(24)，入口盖子(24)盖装在入口(4)上。

6.如权利要求5所述的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，其特征在于，还包括观察口(25)，观察口(25)安装在第一混合搅拌外壳(1)上，观察口(25)上设置有卡槽并且安装有玻璃板。

7.如权利要求6所述的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，其特征在于，还包括观察口卡簧(26)，观察口卡簧(26)安装在观察口(25)的右端。

8.如权利要求7所述的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，其特征在于，还包括整体内部喷有防腐蚀表层。

Images