CN210780523U - 一种高频驱动回路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种高频驱动回路，包括用于提供极性转换的输入电压、整流器和第一放电支路，整流器用于将输入电压进行整流形成驱动电压，并加载到待驱动开关管；第一放电支路，用于与待驱动开关管的寄生电容形成第一放电回路，以释放所述寄生电容中存储的能量；第一放电支路包括第一开关管；用于在所述待驱动开关管导通期间，处于截止状态；在所述待驱动开关管截止期间，处于导通状态。本实用新型的高频驱动回路，在待驱动开关管下个导通周期前，将寄生电容中的电能快速释放，从而保证待驱动开关管在下个周期正确导通，进而提高高频驱动回路输出的正确性和可靠性。

Description

一种高频驱动回路

技术领域

本实用新型涉及一种高频驱动回路。

背景技术

高频变压器主要利用开关管的开通和关断特性来实现驱动输出电压及关断时输出电压的快速放电。

在输出带很大电容的情况下，周期性关断时，由于输出寄生电容的作用，输出电压下降缓慢，如果这个时候输出电压稍微降低还有很高的电压的情况下，会导致开关电源不能完全关断或者在下个导通周期还未开始开关管就又导通输出供电，从而降低了高频驱动输出供电的可靠性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高频驱动回路，以解决高频驱动回路输出供电可靠性差的问题。

为实现上述目的，本实用新型提出一种高频驱动回路，包括：

高频变压器，用于提供极性转换的输入电压；

整流器，用于将所述输入电压进行整流形成驱动电压，并加载到待驱动开关管；

第一放电支路，用于与待驱动开关管的寄生电容形成第一放电回路，以释放所述寄生电容中存储的能量；所述第一放电支路包括第一开关管；

所述第一开关管，用于在所述待驱动开关管导通期间，处于截止状态；在所述待驱动开关管截止期间，处于导通状态。

有益效果：本实用新型的高频驱动回路，在第一放电支路的作用下，能够在待驱动开关管下个导通周期前，将寄生电容中的电能快速释放，从而保证待驱动开关管在下个周期正确导通，进而提高高频驱动回路输出的正确性和可靠性。

进一步的，还包括第二放电支路，用于与所述寄生电容形成第二放电回路，以释放所述寄生电容中存储的能量；所述第二放电支路包括串联的续流二极管和耗能电阻。经过第二放电支路，能够将存储的电能快速释放。

进一步的，还包括分压支路，所述分压支路为阻容分压支路，包括串联的第一分压部分和第二分压部分，第一分压部分用于与寄生电容并联。在分压支路的作用下，能够满足待驱动开关管的驱动条件。

进一步的，所述第二分压部分包括第二分压电阻、第二分压电容和稳压二极管，所述第二分压电容和稳压二极管并联后与第二分压电阻串联。通过并联的稳压二极管能够使待驱动开关管满足正常的电压工作范围。

进一步的，所述第一分压部分包括串设的第一分压电阻和第一分压电容。进一步的，所述整流器为一个整流二极管。使用一个整流二极管的整流器结构简单、成本低。

进一步的，所述第一开关管为P沟道的MOS管，所述待驱动开关管为N沟道的MOS管。

附图说明

图1为本实用新型的高频驱动回路示意图；

图2为本实用新型的高频驱动回路的第一放电过程示意图；

图3为本实用新型的高频驱动回路的第二放电过程示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚，下面结合附图及实施例，对本实用新型作进一步的详细说明，但本实用新型的实施方式并不局限于此。

高频驱动回路实施例一：

本实用新型的高频驱动回路如图1所示，包括高频变压器、整流器、放电支路、分压支路和待驱动开关管。

高频变压器T输出极性能够反转的电压。高频变压器T的输出电压经过整流器进行整流后通过待驱动开关管Q2的寄生电容C3形成驱动电压，加载到待驱动开关管Q2上，实现高频驱动回路的导通。待驱动开关管Q2为高电平驱动的N 沟道MOS管，寄生电容C3并联在待驱动开关管Q2的栅极和源极两端。在本实施例中整流器为一个整流二极管D1，作为其他实施方式，整流器也可以为全桥整流桥、半桥整流桥和并联的整流二极管等。

分压支路为阻容分压支路包括第一分压部分和第二分压部分，第一分压部分与寄生电容C3并联，待驱动开关管Q2在的源极连接在第一分压部分和第二分压部分之间，第一分压部分包括串联设置的第一分压电阻R3和第一分压电容C1；第二分压部分包括第二分压电阻R2、第二分压电容C2和稳压二极管ZD1，第二分压电容C2和稳压二极管ZD1并联后与第二分压电阻R2串联。通过调整稳压二极管ZD1的稳压值，能够对待驱动开关管源极电压进行钳位调整，保证待驱动开关管Q2工作在正常电压范围。在本实施例中，分压支路为阻容分压支路，作为其他实施方式，也可以为纯阻性分压支路。

高频驱动回路中的放电支路包括第一放电支路和第二放电支路。

第一放电支路与待驱动开关管的寄生电容C3形成第一放电回路，第一放电回路将寄生电容C3中的存储的能量进行释放。第一放电支路包括第一开关管Q1，第一开关管Q1的与分压支路并联。第一开关管Q1为低电平驱动的P沟道MOS 管，在高频驱动回路进行驱动时，高频变压器输出高电平，待驱动开关管Q2导通状态，此时第一开关管Q1处于截止状态；当高频驱动回路关断时，高频变压器输出极性反转，即输出低电平，第一开关管Q1触发导通，此时待驱动开关管 Q2处于导通状态。

第二放电支路与寄生电容C3形成第二放电回路，第二放电回路也用于将寄生电容C3中的存储的能量进行释放。第一放电支路包括耗能电阻R1和续流二极管D2，耗能电阻R1和续流二极管D2串联后与寄生电容C3并联。

高频驱动回路的工作原理：

当高频驱动回路需控制导通时，控制高频变压器T输出高电平，此时低电平驱动的PNP沟道MOS管截止，高电平驱动的NPN沟道MOS管导通，那么就实现了高频驱动回路的触发导通。

当高频驱动回路需控制关断时，控制高频变压器T输出极性反转，即输出低电平，此时，低电平驱动的PNP沟道MOS管导通，高电平驱动的NPN沟道MOS 管关断，那么就实现了高频驱动回路的关断控制。

在高频驱动回路关断时，由于待驱动NPN沟道MOS管的寄生电容C3的作用，其存储的能量需要通过放电回路进行释放：

寄生电容C3中的能量在PNP沟道MOS管导通的作用下，依次经过PNP沟道 MOS管、稳压二极管ZD1和第二分压电阻R2形成第一放电回路如图2中的虚线所示。

寄生电容C3中的能量还能够经过耗能电阻R1和续流二极管D2形成第二放电回路如图3中的虚线所示。

通过多条放电回路的对寄生电容C3中存储的能量进行释放，能够确保在一个周期内放电完全，保证待驱动开关管Q2下一个开关周期能够正常工作。

高频驱动回路实施例二：

本实施例与实施例1的区别在于：第一开关管为PNP型三极管；待驱动开关管为NPN型三极管开关管。只要保证能够在驱动开关管导通期间，第一开关管处于截止状态；在待驱动开关管截止期间，第一开关管处于导通状态即可。

最后应当说明的是，以上实施例仅用于说明本实用新型的技术方案而非对其保护范围的限制，尽管参照上述实施例对本申请进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解，本领域技术人员阅读本申请后依然可对申请的具体实施方式进行种种变更、修改或者等同替换，但这些变更、修改或者等同替换，均在本实用新型的权利要求保护范围之内。

Claims (7)

1.一种高频驱动回路，其特征在于，包括：

高频变压器，用于提供极性转换的输入电压；

整流器，用于将所述输入电压进行整流形成驱动电压，并加载到待驱动开关管；

第一放电支路，用于与待驱动开关管的寄生电容形成第一放电回路，以释放所述寄生电容中存储的能量；所述第一放电支路包括第一开关管；

所述第一开关管，用于在所述待驱动开关管导通期间，处于截止状态；在所述待驱动开关管截止期间，处于导通状态。

2.根据权利要求1所述的高频驱动回路，其特征在于，还包括

第二放电支路，用于与所述寄生电容形成第二放电回路，以释放所述寄生电容中存储的能量；所述第二放电支路包括串联的续流二极管和耗能电阻。

3.根据权利要求2所述的高频驱动回路，其特征在于，还包括

分压支路，所述分压支路为阻容分压支路，包括串联的第一分压部分和第二分压部分，第一分压部分用于与寄生电容并联。

4.根据权利要求3所述的高频驱动回路，其特征在于，所述第二分压部分包括第二分压电阻、第二分压电容和稳压二极管，所述第二分压电容和稳压二极管并联后与第二分压电阻串联。

5.根据权利要求3所述的高频驱动回路，其特征在于，所述第一分压部分包括串设的第一分压电阻和第一分压电容。

6.根据权利要求1-5任一项所述的高频驱动回路，其特征在于，所述整流器为一个整流二极管。

7.根据权利要求1所述的高频驱动回路，其特征在于，所述第一开关管为P沟道的MOS管，所述待驱动开关管为N沟道的MOS管。

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