CN210609611U - 主动降噪耳机 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种主动降噪耳机,包括相互配合的第一主体和第二主体,所述第一主体相对两侧设有前腔和后腔,所述第二主体朝向所述前腔的一侧具有配合腔,喇叭位于所述前腔内,且部分显露于所述配合腔,降噪MIC位于所述后腔,且所述后腔与所述前腔完全隔离开,所述前腔与所述配合腔的容积比大致为3:4,所述前腔具有第一泄压孔,所述配合腔具有第二泄压孔,所述第一泄压孔和所述第二泄压孔为单独设置,优化了主动降噪耳机中第一主体的分布方式,所述后腔与所述前腔完全隔离开,使得能实现‑30dB的降噪深度,同时优化了所述前腔与所述配合腔的容积比例,实现喇叭频响曲线表现出三频均衡。
Description
【技术领域】
本实用新型涉及一种主动降噪耳机,尤指一种保证降噪深度和实现三频均衡的主动降噪耳机。
【背景技术】
现在市场上的耳机很多类型,有头盔式,也有入耳式,但不管是哪种类型的耳机,降噪这方面的指标一直是本领域技术人员所努力追求的,现有的入耳式主动降噪耳机,实现降噪的音腔分布方式,主要有以下两种,第一种是主动降噪MIC与发音喇叭共用后腔;第二种是发音喇叭前后腔容积比约为1:1,但实际使用的情况验证,上述两种设计方式,主动降噪深度很难达到-25dB以上,导致效果一般,并且音频表现不佳,三频很难达到均衡。
因此,有必要设计一种好的主动降噪耳机,以克服上述问题。
【实用新型内容】
针对背景技术所面临的问题,本实用新型的目的在于提供一种将降噪MIC后腔与发音喇叭后腔完全隔开,从而保证耳机实现-30dB降噪深度,又保证喇叭频响曲线实现三频均衡的主动降噪耳机。
为实现上述目的,本实用新型采用以下技术手段:
一种主动降噪耳机,其包括相互配合的一第一主体和一第二主体,所述第一主体相对两侧设有一前腔和一后腔,所述第二主体朝向所述前腔的一侧具有一配合腔,一喇叭位于所述前腔内,且部分显露于所述配合腔,一降噪MIC位于所述后腔,且所述后腔与所述前腔完全隔离开,所述前腔与所述配合腔的容积比大致为3:4,所述前腔具有一第一泄压孔,所述配合腔具有一第二泄压孔,所述第一泄压孔和所述第二泄压孔为单独设置。
进一步地,所述第一泄压孔的深度和所述第二泄压孔的深度不同。
进一步地,所述前腔的容积为275立方米,所述配合腔的容积为359立方米。
进一步地,所述降噪MIC具有一第一基部,所述第一基部的一侧具有一第一延伸部位于所述后腔,所述第一基部的另一侧具有一凸出部,且所述第一基部的外轮廓与所述后腔的内轮廓大致相同,所述第一基部密封所述后腔。
进一步地,所述喇叭具有一第二基部,自所述第二基部的一侧设有一第二延伸部位于所述前腔内,所述第二基部遮挡于所述前腔和所述配合腔之间,所述第二基部的外轮廓与所述前腔的内轮廓以及所述配合腔的内轮廓均大致相同。
与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:
上述主动降噪耳机中,包括相互配合的第一主体和第二主体,所述第一主体相对两侧设有前腔和后腔,所述第二主体朝向所述前腔的一侧具有配合腔,喇叭位于所述前腔内,且部分显露于所述配合腔,降噪MIC位于所述后腔,且所述后腔与所述前腔完全隔离开,所述前腔与所述配合腔的容积比大致为3:4,所述前腔具有第一泄压孔,所述配合腔具有第二泄压孔,所述第一泄压孔和所述第二泄压孔为单独设置,优化了主动降噪耳机中第一主体的分布方式,所述后腔与所述前腔完全隔离开,使得能实现-30dB的降噪深度,同时优化了所述前腔与所述配合腔的容积比例,实现喇叭频响曲线表现出三频均衡。
【附图说明】
图1为本实用新型主动降噪耳机的分解示意图;
图2为本实用新型主动降噪耳机另一视角的分解示意图
图3为本实用新型主动降噪耳机中第一主体和第二主体的分解示意图;
图4为本实用新型主动降噪耳机中喇叭左右耳频响的曲线图。
具体实施方式的附图标号说明:
第一主体1 前腔11 后腔12
第二主体2 配合腔21 喇叭3
第二基部31 第二延伸部32 降噪MIC4
第一基部41 第一延伸部42 凸出部43
【具体实施方式】
为便于更好的理解本实用新型的目的、结构、特征以及功效等,现结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明。
请参见图1至图3,一种主动降噪耳机,包括相互配合的一第一主体1和一第二主体2,所述第一主体1相对两侧设有一前腔11和一后腔12,所述第二主体2朝向所述前腔11的一侧具有一配合腔21,一喇叭3位于所述前腔11内,且部分显露于所述配合腔21,一降噪MIC4位于所述后腔12,且所述后腔12与所述前腔11完全隔离开,方便音频曲线调试,同时也方便生产线组装。所述前腔11与所述配合腔21的容积比大致为3:4,所述前腔11的容积为275立方米,所述配合腔21的容积为359立方米,可将该优化后的音腔设计模块化,降低后续新品开发成本。所述前腔11具有一第一泄压孔(未图示,下同),所述配合腔21具有一第二泄压孔(未图示,下同),所述第一泄压孔和所述第二泄压孔为单独设置,所述第一泄压孔的深度和所述第二泄压孔的深度不同,可以根据实际需求,对降噪进行调整。
请参见图1至图3,所述降噪MIC4具有一第一基部41,所述第一基部41的一侧具有一第一延伸部42位于所述后腔12,所述第一基部41的另一侧具有一凸出部43,且所述第一基部41的外轮廓与所述后腔12的内轮廓大致相同,所述第一基部41密封所述后腔12。所述喇叭3具有一第二基部31,自所述第二基部31的一侧设有一第二延伸部32位于所述前腔11内,所述第二基部31遮挡于所述前腔11和所述配合腔21之间,所述第二基部31的外轮廓与所述前腔11的内轮廓以及所述配合腔21的内轮廓均大致相同,这些设计方式均可以让降噪效果更明显,不易发生泄露的现象。
请参见图1至图3,上述主动降噪耳机中,包括相互配合的第一主体1和第二主体2,所述第一主体1相对两侧设有前腔11和后腔12,所述第二主体2朝向所述前腔11的一侧具有配合腔21,喇叭3位于所述前腔11内,且部分显露于所述配合腔21,降噪MIC4位于所述后腔12,且所述后腔12与所述前腔11完全隔离开,所述前腔11与所述配合腔21的容积比大致为3:4,所述前腔11具有第一泄压孔,所述配合腔21具有第二泄压孔,所述第一泄压孔和所述第二泄压孔为单独设置,优化了主动降噪耳机中第一主体1的分布方式,所述后腔12与所述前腔11完全隔离开,使得能实现-30dB的降噪深度,同时优化了所述前腔11与所述配合腔21的容积比例,实现喇叭3频响曲线表现出三频均衡。
从图4可以看出,曲线在4K Hz之前的部分,不存在过于明显的波峰或波谷,表明低频/中频/高频段的频率响应比较平滑,符合三频均衡表现,使用者的体验感增强。
以上详细说明仅为本实用新型之较佳实施例的说明,非因此局限本实用新型的专利范围,所以,凡运用本创作说明书及图示内容所为的等效技术变化,均包含于本实用新型的专利范围内。
Claims (5)
1.一种主动降噪耳机,其特征在于,包括:相互配合的一第一主体和一第二主体,所述第一主体相对两侧设有一前腔和一后腔,所述第二主体朝向所述前腔的一侧具有一配合腔,一喇叭位于所述前腔内,且部分显露于所述配合腔,一降噪MIC位于所述后腔,且所述后腔与所述前腔完全隔离开,所述前腔与所述配合腔的容积比大致为3:4,所述前腔具有一第一泄压孔,所述配合腔具有一第二泄压孔,所述第一泄压孔和所述第二泄压孔为单独设置。
2.如权利要求1所述的主动降噪耳机,其特征在于:所述第一泄压孔的深度和所述第二泄压孔的深度不同。
3.如权利要求1所述的主动降噪耳机,其特征在于:所述前腔的容积为275立方米,所述配合腔的容积为359立方米。
4.如权利要求1所述的主动降噪耳机,其特征在于:所述降噪MIC具有一第一基部,所述第一基部的一侧具有一第一延伸部位于所述后腔,所述第一基部的另一侧具有一凸出部,且所述第一基部的外轮廓与所述后腔的内轮廓大致相同,所述第一基部密封所述后腔。
5.如权利要求1所述的主动降噪耳机,其特征在于:所述喇叭具有一第二基部,自所述第二基部的一侧设有一第二延伸部位于所述前腔内,所述第二基部遮挡于所述前腔和所述配合腔之间,所述第二基部的外轮廓与所述前腔的内轮廓以及所述配合腔的内轮廓均大致相同。
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CN210609611U true CN210609611U (zh) | 2020-05-22 |
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CN201921722137.2U Active CN210609611U (zh) | 2019-10-15 | 2019-10-15 | 主动降噪耳机 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115914913A (zh) * | 2021-09-30 | 2023-04-04 | 华为技术有限公司 | 声音输出装置 |
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2019
- 2019-10-15 CN CN201921722137.2U patent/CN210609611U/zh active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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